JPH11242103A - マイクロレンズの製造方法 - Google Patents
マイクロレンズの製造方法Info
- Publication number
- JPH11242103A JPH11242103A JP10043642A JP4364298A JPH11242103A JP H11242103 A JPH11242103 A JP H11242103A JP 10043642 A JP10043642 A JP 10043642A JP 4364298 A JP4364298 A JP 4364298A JP H11242103 A JPH11242103 A JP H11242103A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- microlens
- photosensitive resin
- pattern
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】マイクロレンズ5の透過率を向上させること、
及び、表面の断面形状をより円弧状24に形成すること
を、再現よく、安定して容易に量産することを可能とす
ること。 【解決手段】感光性樹脂のパターン4に、波長約300
nm以下のUV光を取り除いたUV光20を照射した後
に、パターンを加熱してマイクロレンズ5を形成するこ
と。
及び、表面の断面形状をより円弧状24に形成すること
を、再現よく、安定して容易に量産することを可能とす
ること。 【解決手段】感光性樹脂のパターン4に、波長約300
nm以下のUV光を取り除いたUV光20を照射した後
に、パターンを加熱してマイクロレンズ5を形成するこ
と。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶プロジェクシ
ョン装置などに用いる透明基板上に複数のマイクロレン
ズを形成したマイクロレンズの製造方法に関するもので
あり、特にレンズ形状及び透過率の良好なマイクロレン
ズの製造方法に関する。
ョン装置などに用いる透明基板上に複数のマイクロレン
ズを形成したマイクロレンズの製造方法に関するもので
あり、特にレンズ形状及び透過率の良好なマイクロレン
ズの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】液晶プロジェクション装置などに用いる
マイクロレンズの形成に用いる感光性樹脂としては、ポ
ジ型感光性樹脂が用いられるが、例えば、ノボラック樹
脂を用いたポジ型感光性樹脂は、UV光照射によりUV
光照射された部分がアルカリ可溶性となるために、その
部分が希アルカリ水溶液による現像により溶解除去され
パターン形成されるものである。そして、このノボラッ
ク樹脂を用いたポジ型感光性樹脂は、UV光照射に伴い
その部分の透過率が向上する性質を有するものである。
マイクロレンズの形成に用いる感光性樹脂としては、ポ
ジ型感光性樹脂が用いられるが、例えば、ノボラック樹
脂を用いたポジ型感光性樹脂は、UV光照射によりUV
光照射された部分がアルカリ可溶性となるために、その
部分が希アルカリ水溶液による現像により溶解除去され
パターン形成されるものである。そして、このノボラッ
ク樹脂を用いたポジ型感光性樹脂は、UV光照射に伴い
その部分の透過率が向上する性質を有するものである。
【0003】すなわち、このような感光性樹脂を使用し
パターン形成して、この形成されたパターンにUV光照
射し、感光性樹脂の透過率を向上させ、その後に、加熱
することによってマイクロレンズを形成すれば、透過率
の向上したマイクロレンズが得られることになる。
パターン形成して、この形成されたパターンにUV光照
射し、感光性樹脂の透過率を向上させ、その後に、加熱
することによってマイクロレンズを形成すれば、透過率
の向上したマイクロレンズが得られることになる。
【0004】図3は、このような性質を示したものであ
り、図3において、(b)はUV光照射が行われない際
のマイクロレンズの透過率であり、また、(a)は適切
なUV光照射が行われた際のマイクロレンズの透過率で
ある。
り、図3において、(b)はUV光照射が行われない際
のマイクロレンズの透過率であり、また、(a)は適切
なUV光照射が行われた際のマイクロレンズの透過率で
ある。
【0005】このように、ノボラック樹脂を用いたポジ
型感光性樹脂には、UV光照射によりその透過率を向上
させる性質があるので、UV光照射により感光性樹脂の
パターンの透過率が向上するものであるが、このUV光
照射の照射量が少ないと透過率の向上が不十分なものと
なり、また、照射量が多いと透過率が更に僅かに向上す
る傾向にある。
型感光性樹脂には、UV光照射によりその透過率を向上
させる性質があるので、UV光照射により感光性樹脂の
パターンの透過率が向上するものであるが、このUV光
照射の照射量が少ないと透過率の向上が不十分なものと
なり、また、照射量が多いと透過率が更に僅かに向上す
る傾向にある。
【0006】しかし、このUV光照射の照射量が多い
と、感光性樹脂のパターンの表面が硬化する傾向がみら
れ、このUV光照射の後の加熱により形成するマイクロ
レンズの表面の断面形状が損なわれる傾向にある。すな
わち、元のパターンの断面形状である台形状の傾向を残
し留めるものとなる。
と、感光性樹脂のパターンの表面が硬化する傾向がみら
れ、このUV光照射の後の加熱により形成するマイクロ
レンズの表面の断面形状が損なわれる傾向にある。すな
わち、元のパターンの断面形状である台形状の傾向を残
し留めるものとなる。
【0007】図2(ハ)は、マイクロレンズの表面の断
面形状を示すものであるが、図2(ハ)に示すように、
円弧状(24)のものである。しかし、透明基板上に感
光性樹脂を用いてパターンを形成し、このパターンにU
V光照射を行い、その後にパターンを加熱してマイクロ
レンズを形成するマイクロレンズの製造方法において
は、UV光照射の照射量が多いと、感光性樹脂のパター
ンの表面が硬化する傾向がみられ、このUV光照射の後
の加熱により形成するマイクロレンズの表面の断面形状
が損なわれる傾向にある。図2(ロ)に示すように、マ
イクロレンズの表面の断面形状は必ずしも円弧状ではな
く、元のパターンの断面形状である台形状の傾向を残し
留めることがある。
面形状を示すものであるが、図2(ハ)に示すように、
円弧状(24)のものである。しかし、透明基板上に感
光性樹脂を用いてパターンを形成し、このパターンにU
V光照射を行い、その後にパターンを加熱してマイクロ
レンズを形成するマイクロレンズの製造方法において
は、UV光照射の照射量が多いと、感光性樹脂のパター
ンの表面が硬化する傾向がみられ、このUV光照射の後
の加熱により形成するマイクロレンズの表面の断面形状
が損なわれる傾向にある。図2(ロ)に示すように、マ
イクロレンズの表面の断面形状は必ずしも円弧状ではな
く、元のパターンの断面形状である台形状の傾向を残し
留めることがある。
【0008】図2(イ)は、元のパターン(22)の断
面形状を示すものであり、また、図2(ロ)は、元のパ
ターンの台形状の傾向を残し留めたマイクロレンズ(2
3)の表面の断面形状を示すものである。このようなマ
イクロレンズを用いて光を集光すると、その集光は乱れ
たものとなり、集光された光の光束の幅は大きくなりレ
ンズとしては集光効率を損なうものとなる。
面形状を示すものであり、また、図2(ロ)は、元のパ
ターンの台形状の傾向を残し留めたマイクロレンズ(2
3)の表面の断面形状を示すものである。このようなマ
イクロレンズを用いて光を集光すると、その集光は乱れ
たものとなり、集光された光の光束の幅は大きくなりレ
ンズとしては集光効率を損なうものとなる。
【0009】上記のような、マイクロレンズの透過率を
向上させ、且つパターンの表面を硬化させない適切なU
V光照射の照射量としては、感光性樹脂の膜厚1μmあ
たり14〜20mj/cm2 (at365nm)程度の
ものである。
向上させ、且つパターンの表面を硬化させない適切なU
V光照射の照射量としては、感光性樹脂の膜厚1μmあ
たり14〜20mj/cm2 (at365nm)程度の
ものである。
【0010】しかし、このUV光照射の照射量として
の、感光性樹脂の膜厚1μmあたり約14〜約20mj
/cm2 (at365nm)の範囲は、実際の製造にお
いては、狭いものであり、上記の透過率及び断面形状を
再現よく、安定して量産を行うことは困難なものであ
る。
の、感光性樹脂の膜厚1μmあたり約14〜約20mj
/cm2 (at365nm)の範囲は、実際の製造にお
いては、狭いものであり、上記の透過率及び断面形状を
再現よく、安定して量産を行うことは困難なものであ
る。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、透明基板上
に感光性樹脂を用いてパターンを形成し、このパターン
にUV光照射を行い、その後にパターンを加熱してマイ
クロレンズを形成するマイクロレンズの製造方法におい
て、UV光照射によるマイクロレンズの透過率の向上
を、再現よく、安定して容易に量産することを可能と
し、また、加熱により形成するマイクロレンズの表面の
断面形状を、より円弧状に形成することを、再現よく、
安定して容易に量産することを可能とするマイクロレン
ズの製造方法を提供するものである。
に感光性樹脂を用いてパターンを形成し、このパターン
にUV光照射を行い、その後にパターンを加熱してマイ
クロレンズを形成するマイクロレンズの製造方法におい
て、UV光照射によるマイクロレンズの透過率の向上
を、再現よく、安定して容易に量産することを可能と
し、また、加熱により形成するマイクロレンズの表面の
断面形状を、より円弧状に形成することを、再現よく、
安定して容易に量産することを可能とするマイクロレン
ズの製造方法を提供するものである。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明は、透明基板上に
感光性樹脂を用いてパターンを形成し、該パターンを加
熱することによりマイクロレンズを形成するマイクロレ
ンズの製造方法において、該パターンを形成した感光性
樹脂に、波長約300nm以下のUV光を取り除いたU
V光を照射した後に、パターンを加熱してマイクロレン
ズを形成することを特徴とするマイクロレンズの製造方
法である。また、本発明は、上記発明のマイクロレンズ
の製造方法において、前記感光性樹脂がノボラック樹脂
を用いたポジ型感光性樹脂であることを特徴とするマイ
クロレンズの製造方法である。また、本発明は、上記発
明のマイクロレンズの製造方法において、前記UV光の
照射量が前記感光性樹脂の膜厚1μmあたり約14〜約
140mj/cm2 (at365nm)であることを特
徴とするマイクロレンズの製造方法である。
感光性樹脂を用いてパターンを形成し、該パターンを加
熱することによりマイクロレンズを形成するマイクロレ
ンズの製造方法において、該パターンを形成した感光性
樹脂に、波長約300nm以下のUV光を取り除いたU
V光を照射した後に、パターンを加熱してマイクロレン
ズを形成することを特徴とするマイクロレンズの製造方
法である。また、本発明は、上記発明のマイクロレンズ
の製造方法において、前記感光性樹脂がノボラック樹脂
を用いたポジ型感光性樹脂であることを特徴とするマイ
クロレンズの製造方法である。また、本発明は、上記発
明のマイクロレンズの製造方法において、前記UV光の
照射量が前記感光性樹脂の膜厚1μmあたり約14〜約
140mj/cm2 (at365nm)であることを特
徴とするマイクロレンズの製造方法である。
【0013】
【発明の実施の形態】以下に本発明によるマイクロレン
ズの製造方法を、その実施形態に基づいて説明する。図
1(イ)〜(ヘ)は、本発明におけるマイクロレンズの
製造方法の一実施例を示す断面図である。図1(イ)に
おける基板(1)としては、透明ガラス基板(コーニン
グ(株)製、低膨張ガラス、品番1737)を用いた。
ズの製造方法を、その実施形態に基づいて説明する。図
1(イ)〜(ヘ)は、本発明におけるマイクロレンズの
製造方法の一実施例を示す断面図である。図1(イ)に
おける基板(1)としては、透明ガラス基板(コーニン
グ(株)製、低膨張ガラス、品番1737)を用いた。
【0014】先ず、図1(ロ)に示すように、基板
(1)上に感光性樹脂(2)を塗布する。使用する感光
性樹脂としては、基板上に塗布した感光性樹脂へのパタ
ーン露光、及び現像処理によりパターン形成され、ま
た、パターン形成後の加熱によってマイクロレンズを形
成するものであり、基板との密着性、耐光性、耐湿性、
耐熱性などを有し、且つ十分な透過率を有するものが好
ましい。
(1)上に感光性樹脂(2)を塗布する。使用する感光
性樹脂としては、基板上に塗布した感光性樹脂へのパタ
ーン露光、及び現像処理によりパターン形成され、ま
た、パターン形成後の加熱によってマイクロレンズを形
成するものであり、基板との密着性、耐光性、耐湿性、
耐熱性などを有し、且つ十分な透過率を有するものが好
ましい。
【0015】このような感光性樹脂として、ノボラック
樹脂を用いたポジ型感光性樹脂がより好適なものであ
る。具体的には、感光性樹脂(2)は、ノボラック樹脂
を用いたポジ型感光性樹脂(東京応化工業(株)製、品
番TMR−P3)を使用し、基板(1)上にスピンコー
ト法により乾燥後の膜厚が約3μmになるように塗布し
た。塗布後に90°C、90秒のベーキングをおこなっ
た。
樹脂を用いたポジ型感光性樹脂がより好適なものであ
る。具体的には、感光性樹脂(2)は、ノボラック樹脂
を用いたポジ型感光性樹脂(東京応化工業(株)製、品
番TMR−P3)を使用し、基板(1)上にスピンコー
ト法により乾燥後の膜厚が約3μmになるように塗布し
た。塗布後に90°C、90秒のベーキングをおこなっ
た。
【0016】次に、図1(ハ)に示すように、フォトマ
スク(3)を用いてUV光照射(10)により露光をお
こなう。光源には超高圧水銀灯を用いた。照射量として
は、感光性樹脂の膜厚1μmあたり33〜40mj/c
m2 (at365nm)が適切なものである。露光後に
浸漬現像をおこない図1(ニ)に示すような感光性樹脂
のパターン(4)を形成した。現像液は指定現像液(東
京応化工業(株)製、品番NMD−W(濃度2.5重量
%))を用いた。現像時間は30〜50秒が適切なもの
である。
スク(3)を用いてUV光照射(10)により露光をお
こなう。光源には超高圧水銀灯を用いた。照射量として
は、感光性樹脂の膜厚1μmあたり33〜40mj/c
m2 (at365nm)が適切なものである。露光後に
浸漬現像をおこない図1(ニ)に示すような感光性樹脂
のパターン(4)を形成した。現像液は指定現像液(東
京応化工業(株)製、品番NMD−W(濃度2.5重量
%))を用いた。現像時間は30〜50秒が適切なもの
である。
【0017】次に、図1(ホ)に示すように、感光性樹
脂のパターン(4)の全面に、波長約300nm以下の
UV光を取り除いたUV光照射(20)をおこなった。
光源には超高圧水銀灯を用い、波長約300nm以下の
UV光を取り除くフィルタ(30)を用いた。照射量と
しては、感光性樹脂の膜厚1μmあたり約14〜約14
0mj/cm2 (at365nm)が適切なものであ
る。波長約300nm以下のUV光を取り除くフィルタ
としては、石英が適切なものである。
脂のパターン(4)の全面に、波長約300nm以下の
UV光を取り除いたUV光照射(20)をおこなった。
光源には超高圧水銀灯を用い、波長約300nm以下の
UV光を取り除くフィルタ(30)を用いた。照射量と
しては、感光性樹脂の膜厚1μmあたり約14〜約14
0mj/cm2 (at365nm)が適切なものであ
る。波長約300nm以下のUV光を取り除くフィルタ
としては、石英が適切なものである。
【0018】前記のように、ノボラック樹脂を用いたポ
ジ型感光性樹脂には、UV光照射の照射量が多いと、感
光性樹脂のパターンの表面が硬化する傾向がみられ、こ
のUV光照射の後の加熱により形成するマイクロレンズ
の表面の断面形状が損なわれる傾向にあるが、照射する
UV光の波長において、波長約300nm以下のUV光
がパターンの表面を硬化させるのに大きく影響している
ものであり、照射するUV光から、この波長約300n
m以下のUV光を取り除くことにより、パターンの表面
の硬化を防ぐことができ、またUV照射量の適切な範囲
が拡大されてくるものとなる。
ジ型感光性樹脂には、UV光照射の照射量が多いと、感
光性樹脂のパターンの表面が硬化する傾向がみられ、こ
のUV光照射の後の加熱により形成するマイクロレンズ
の表面の断面形状が損なわれる傾向にあるが、照射する
UV光の波長において、波長約300nm以下のUV光
がパターンの表面を硬化させるのに大きく影響している
ものであり、照射するUV光から、この波長約300n
m以下のUV光を取り除くことにより、パターンの表面
の硬化を防ぐことができ、またUV照射量の適切な範囲
が拡大されてくるものとなる。
【0019】この際、波長約300nm以下のUV光を
取り除いたUV光は、マイクロレンズの透過率の向上に
影響するものではない。すなわち、波長約300nm以
下のUV光を取り除いたUV光を、感光性樹脂の膜厚1
μmあたり約14〜約140mj/cm2 (at365
nm)の範囲の適切な照射量を与えることにより、UV
光照射によるマイクロレンズの透過率の向上を、再現よ
く、安定して容易に量産することを可能とし、また、加
熱により形成するマイクロレンズの表面の断面形状を、
より円弧状に形成することを、再現よく、安定して容易
に量産することを可能とするものである。
取り除いたUV光は、マイクロレンズの透過率の向上に
影響するものではない。すなわち、波長約300nm以
下のUV光を取り除いたUV光を、感光性樹脂の膜厚1
μmあたり約14〜約140mj/cm2 (at365
nm)の範囲の適切な照射量を与えることにより、UV
光照射によるマイクロレンズの透過率の向上を、再現よ
く、安定して容易に量産することを可能とし、また、加
熱により形成するマイクロレンズの表面の断面形状を、
より円弧状に形成することを、再現よく、安定して容易
に量産することを可能とするものである。
【0020】次に、ホットプレートを用い加熱処理をお
こない図1(ヘ)に示すように、マイクロレンズ(5)
を形成した。加熱処理の条件としては、約150〜17
0°C、約2〜5分が適切なものである。
こない図1(ヘ)に示すように、マイクロレンズ(5)
を形成した。加熱処理の条件としては、約150〜17
0°C、約2〜5分が適切なものである。
【0021】得られたマイクロレンズの表面の断面形状
は、波長約300nm以下のUV光を取り除いたUV光
照射が適切な照射量であったことによって、良好な円弧
状に形成されている。また、得られたマイクロレンズの
透過率は、波長約300nm以下のUV光を取り除いた
UV光照射が適切な照射量であったことによって、透過
率が向上したものとなっている。
は、波長約300nm以下のUV光を取り除いたUV光
照射が適切な照射量であったことによって、良好な円弧
状に形成されている。また、得られたマイクロレンズの
透過率は、波長約300nm以下のUV光を取り除いた
UV光照射が適切な照射量であったことによって、透過
率が向上したものとなっている。
【課題を解決するための手段】本発明は、透明基板上に
感光性樹脂を用いてパターンを形成し、パターンを加熱
することによりマイクロレンズを形成する際に、パター
ンを形成した感光性樹脂に、波長約300nm以下のU
V光を取り除いたUV光を照射した後に、パターンを加
熱してマイクロレンズを形成するので、UV光の照射量
が感光性樹脂の膜厚1μmあたり約14〜約140mj
/cm2 (at365nm)と広い範囲になり、UV光
照射によるマイクロレンズの透過率の向上を、再現よ
く、安定して容易に量産することが可能となり、また、
加熱により形成するマイクロレンズの表面の断面形状
を、より円弧状に形成することを、再現よく、安定して
容易に量産することが可能となる。
感光性樹脂を用いてパターンを形成し、パターンを加熱
することによりマイクロレンズを形成する際に、パター
ンを形成した感光性樹脂に、波長約300nm以下のU
V光を取り除いたUV光を照射した後に、パターンを加
熱してマイクロレンズを形成するので、UV光の照射量
が感光性樹脂の膜厚1μmあたり約14〜約140mj
/cm2 (at365nm)と広い範囲になり、UV光
照射によるマイクロレンズの透過率の向上を、再現よ
く、安定して容易に量産することが可能となり、また、
加熱により形成するマイクロレンズの表面の断面形状
を、より円弧状に形成することを、再現よく、安定して
容易に量産することが可能となる。
【図1】(イ)〜(ヘ)は、本発明によるマイクロレン
ズの製造方法の一実施例を示す断面図である。
ズの製造方法の一実施例を示す断面図である。
【図2】(イ)は、元のパターンの断面形状である。
(ロ)は、元のパターンの台形状の傾向を残し留めたマ
イクロレンズの表面の断面形状である。(ハ)は、マイ
クロレンズの円弧状表面の断面形状である。
(ロ)は、元のパターンの台形状の傾向を残し留めたマ
イクロレンズの表面の断面形状である。(ハ)は、マイ
クロレンズの円弧状表面の断面形状である。
【図3】マイクロレンズの透過率を比較して説明する図
である。
である。
1…基板 2…感光性樹脂 3…フォトマスク 4…感光性樹脂のパターン 5…マイクロレンズ 10…UV光照射 20…波長約300nm以下のUV光を取り除いたUV
光照射 22…元のパターン 23…台形状の傾向を残し留めたマイクロレンズ 24…表面が円弧状のマイクロレンズ 30…波長約300nm以下のUV光を取り除くフィル
タ
光照射 22…元のパターン 23…台形状の傾向を残し留めたマイクロレンズ 24…表面が円弧状のマイクロレンズ 30…波長約300nm以下のUV光を取り除くフィル
タ
Claims (3)
- 【請求項1】透明基板上に感光性樹脂を用いてパターン
を形成し、該パターンを加熱することによりマイクロレ
ンズを形成するマイクロレンズの製造方法において、該
パターンを形成した感光性樹脂に、波長約300nm以
下のUV光を取り除いたUV光を照射した後に、パター
ンを加熱してマイクロレンズを形成することを特徴とす
るマイクロレンズの製造方法。 - 【請求項2】前記感光性樹脂がノボラック樹脂を用いた
ポジ型感光性樹脂であることを特徴とする請求項1記載
のマイクロレンズの製造方法。 - 【請求項3】前記UV光の照射量が前記感光性樹脂の膜
厚1μmあたり約14〜約140mj/cm2 (at3
65nm)であることを特徴とする請求項1、又は請求
項2記載のマイクロレンズの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10043642A JPH11242103A (ja) | 1998-02-25 | 1998-02-25 | マイクロレンズの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10043642A JPH11242103A (ja) | 1998-02-25 | 1998-02-25 | マイクロレンズの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11242103A true JPH11242103A (ja) | 1999-09-07 |
Family
ID=12669534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10043642A Pending JPH11242103A (ja) | 1998-02-25 | 1998-02-25 | マイクロレンズの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11242103A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6531266B1 (en) * | 2001-03-16 | 2003-03-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Rework procedure for the microlens element of a CMOS image sensor |
| CN100454070C (zh) * | 2005-09-02 | 2009-01-21 | 亚洲光学股份有限公司 | 微型镜头及其制造方法 |
| JP2010267683A (ja) * | 2009-05-12 | 2010-11-25 | Sharp Corp | レンズの形成方法、半導体装置の製造方法および電子情報機器 |
| JP2012525996A (ja) * | 2009-05-05 | 2012-10-25 | セッコ ゲーエムベーハー | 構造化表面が形成された物体の作製方法 |
-
1998
- 1998-02-25 JP JP10043642A patent/JPH11242103A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6531266B1 (en) * | 2001-03-16 | 2003-03-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Rework procedure for the microlens element of a CMOS image sensor |
| CN100454070C (zh) * | 2005-09-02 | 2009-01-21 | 亚洲光学股份有限公司 | 微型镜头及其制造方法 |
| JP2012525996A (ja) * | 2009-05-05 | 2012-10-25 | セッコ ゲーエムベーハー | 構造化表面が形成された物体の作製方法 |
| JP2010267683A (ja) * | 2009-05-12 | 2010-11-25 | Sharp Corp | レンズの形成方法、半導体装置の製造方法および電子情報機器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH09283621A (ja) | 半導体装置のt型ゲート電極形成方法およびその構造 | |
| TW200527548A (en) | Forming method of contact hole and manufacturing method of semiconductor device | |
| JPH07261392A (ja) | 化学増幅レジスト及びこれを用いるレジストパターンの形成方法 | |
| JPH0864519A (ja) | T字形のゲートの形成のためのフォトマスクおよびその製造方法 | |
| JPH11242103A (ja) | マイクロレンズの製造方法 | |
| JPH0412568A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JP2001307993A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH11151758A (ja) | マイクロレンズの製造方法 | |
| JP4182438B2 (ja) | 光インプリント方法 | |
| JP2001326153A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPH07199482A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JP3041916B2 (ja) | レンズアレイの製造方法 | |
| JPS6150377B2 (ja) | ||
| JPH08286002A (ja) | マイクロレンズの製造方法 | |
| JPH0385544A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH03282553A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPH0466021B2 (ja) | ||
| KR940011204B1 (ko) | 미세패턴 형성방법 | |
| JPH09304917A5 (ja) | ||
| JPH0511652B2 (ja) | ||
| JP2712407B2 (ja) | 2層フォトレジストを用いた微細パターンの形成方法 | |
| US20070059927A1 (en) | Method of fabricating semiconductor device including resist flow process and film coating process | |
| JPH0562894A (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| JP2000182940A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH07113771B2 (ja) | 基板上への樹脂パタ−ンの形成方法 |