JPH11242238A - 反射型液晶表示装置とその製造方法、ならびに回路基板の製造方法 - Google Patents

反射型液晶表示装置とその製造方法、ならびに回路基板の製造方法

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JPH11242238A
JPH11242238A JP10298968A JP29896898A JPH11242238A JP H11242238 A JPH11242238 A JP H11242238A JP 10298968 A JP10298968 A JP 10298968A JP 29896898 A JP29896898 A JP 29896898A JP H11242238 A JPH11242238 A JP H11242238A
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孝之 金谷
Motoji Shioda
素二 塩田
Toshiaki Fujiwara
敏昭 藤原
Kiyoshi Inada
紀世史 稲田
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 不良発生のない反射型液晶表示装置を高歩留
まりで生産することができる反射型液晶表示装置および
その製造方法ならびに回路基板の製造方法を提供する。 【解決手段】 基板と、基板上に形成され、ＩＴＯから
なる最上層を有し、最上層の上面はその平坦部のみが露
出されている端子部を有する、本発明の回路基板の製造
方法は、第１基板上にＩＴＯ層を形成する工程と、ＩＴ
Ｏ層をパターニングすることによって、少なくとも端子
部の最上層を形成する工程と、パターニングされたＩＴ
Ｏ層を覆う第１保護層を形成する工程と、第１保護層を
覆うアルミニウムを主成分とする金属層を形成する工程
と、金属層および第１保護層の少なくとも一部を除去す
ることによって、端子部の最上層の上面の平坦部のみを
露出させる工程と、を包含する。第１保護層形成工程に
おいて第１保護層と少なくとも１つの端子部の最上層の
上面は平坦部のみで接するように、少なくとも１つの端
子部において少なくとも１つの端子部の最上層の上面
は、その平坦部のみが露出されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばパーソナル
コンピュータ、携帯端末機器、ＡＶ機器、カーナビゲー
ションなどの分野のディスプレイとして広く利用されて
いる反射型液晶表示装置およびその製造方法、ならびに
回路基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の液晶表示装置においては、バック
ライトで背面から光を供給する透過型が主流であった
が、近年においては、低消費電力化、軽量化、薄型化の
要求が高まり、周囲光を利用する反射型の液晶表示装置
の開発が活発になってきた。
【０００３】この反射型の液晶表示装置において、反射
板をガラス基板の外側に設置する方法では、像が二重化
する。このため、反射板を液晶層に接するよう、すなわ
ち、ガラス基板の内側（液晶層側）に設置して像の二重
化を防止する方法が主流となっている。
【０００４】この反射型液晶パネルにおいても、液晶表
示素子を駆動するための駆動用ＩＣまたは駆動用回路基
板を接続するための端子部および液晶表示パネルを検査
するための端子部が形成されている。
【０００５】この端子部の構造に関する従来の技術は、
例えば、特開平７−３２５２９５号公報において開示さ
れている。また、高精細な液晶表示装置を製造するため
に、製造工程（特に膜形成工程）のドライブプロセス化
が進む今日では、端子部の構造は、図１４Ａに示すよう
な段差を有する多層構造が多く用いられている。過去の
高精細化を必要としない液晶表示装置を製造するプロセ
スでは、ウエットプロセスでゲート絶縁層１２４を所定
の領域に形成することが可能であったので、端子部には
層間絶縁層１０４が存在しなかったのに対し、ドライプ
ロセスでは基板のほぼ全面に層間絶縁層１０４を堆積す
るので、端子部に存在する層間絶縁層１０４によって段
差のある多層構造となる。
【０００６】図１４Ａを参照しながら、ゲート信号配線
とゲート駆動用ＩＣとを接続する端子部を例に、従来の
端子部の多層構造について説明する。この端子部は、絶
縁性基板１２０の上にゲート信号配線１２２が形成さ
れ、さらにその上に絶縁層１２４がドライプロセスによ
って、ガラス基板１２０のほぼ全面を覆って形成されて
いる。絶縁層１２４は、ゲート信号配線１０３とソース
信号配線との間の層間絶縁層として機能する。絶縁層１
２４の上には、ソース信号配線と同じ材料からなり、ソ
ース信号配線からは切り離されている導電層１２６が、
その端部を絶縁層１２４の端部と重畳するように形成さ
れている。更に、導電層１２６の上に、ＩＴＯ層１２８
が形成されている。すなわち、端子部は、ゲート信号配
線１２２や、ソース信号配線と同一材料からなる導電層
１２６や、絶縁層１２４などの多層膜が段差の多い状態
で積層され、最上層にはＩＴＯ層１２８が形成されてい
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
な従来技術の端子部構造を反射型液晶パネルに適用させ
た場合、つまり反射板と等価である反射膜（絵素電極と
しても機能する）としてＡｌ層を所定パターンに形成す
るときに、端子部にもＡｌ層を形成して除去するため、
端子部を形成するＩＴＯ層が消失して、端子部の多数に
不良が生じた。
【０００８】そこで、このような状態の端子部を有する
反射型液晶パネルにおいて、反射板と等価である反射膜
としてのＡｌ層を端子部にも積層形成する際、図１４Ｂ
に示すように、Ａｌ層の積層前に樹脂膜（絶縁層）１３
０を塗布し、ＩＴＯ層１２８とＡｌ層とが直接接するこ
とのないようにしている。しかし、このように樹脂膜
（絶縁層）１３０を設けても、ＩＴＯ層１２８の上表面
が凹凸形状であるために、図１４Ｃに示すように樹脂膜
（絶縁層）１３０からＩＴＯ層１２８が露出する箇所が
でき、その露出箇所でＡｌ層１３２と接する。
【０００９】このような構造である従来の端子部におい
て、ＩＴＯ層１２８とＡｌ層１３２とが接するので、上
側のＡｌ層１３２を除去する工程で電食が起こり、ＩＴ
Ｏ層１２８が消失する不良が発生して、生産性を著しく
低下させていた。
【００１０】本発明は、このような従来技術の課題を解
決するためになされたものであり、接続領域の最上層が
ＩＴＯ層からなる端子部などの構成部を有していても、
そのＩＴＯ層の消失による不良の発生を防止できる反射
型液晶表示装置およびその製造方法を提供することを目
的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本願発明の反射型液晶表
示装置の製造方法は、第１および第２基板と、該第１お
よび第２基板によって挟持された表示媒体層とを有し、
該第１および第２基板は該表示媒体層に電圧を印加する
ための第１および第２電極をそれぞれ有し、該第１基板
は、該第１基板の該表示媒体層側に、該第２基板側から
入射する光を反射する反射部と、該第１および第２電極
に電圧を供給するための複数の端子部を有し、該複数の
端子部の少なくとも１つの端子部は、ＩＴＯからなる最
上層を有し、該最上層の上面はその平坦部のみが露出さ
れている、反射型液晶表示装置の製造方法であって、該
第１基板上に、ＩＴＯ層を形成する工程と、該ＩＴＯ層
をパターニングすることによって、該少なくとも１つの
端子部の該最上層を形成する工程と、該パターニングさ
れたＩＴＯ層を覆う第１保護層を形成する工程と、該第
１保護層を覆うアルミニウムを主成分とする金属層を形
成する工程と、該金属層および該第１保護層の少なくと
も一部を除去することによって、該金属層からなる該反
射部を形成するとともに、該少なくとも１つの端子部の
該最上層の上面の平坦部のみを露出させる工程と、を包
含し、該第１保護層形成工程において該第１保護層と該
少なくとも１つの端子部の該最上層の上面とが該平坦部
のみで接するように、該少なくとも１つの端子部におい
て該少なくとも１つの端子部の該最上層の上面は、その
平坦部のみが露出されており、このことにより、上記の
目的が達成される。
【００１２】本願発明の反射型液晶表示装置の製造方法
は、第１および第２基板と、該第１および第２基板によ
って挟持された表示媒体層とを有し、該第１および第２
基板は該表示媒体層に電圧を印加するための複数の反射
絵素電極および該複数の反射絵素電極に対向する単一の
対向電極をそれぞれ有し、該第１基板は、該第１基板の
該表示媒体層側に、該複数の反射絵素電極のそれぞれに
接続された薄膜トランジスタ；該薄膜トランジスタに接
続されたゲート信号配線；ソース信号配線；該ゲート信
号配線に走査信号を供給するためのゲート端子部；該ソ
ース信号配線に表示信号を供給するためのソース端子
部；該対向電極に共通信号を供給するためのコモン転移
端子部を有し、該薄膜トランジスタは、該ゲート信号配
線に接続されたゲート電極と、該ソース信号配線に接続
されたソース電極と、該複数の反射絵素電極に接続され
たドレイン電極とを有し、 該ゲート端子部、該ソース
端子部および、該コモン転移端子部のうちの少なくとも
１つの端子部は、ＩＴＯからなる最上層を有し、該最上
層の上面はその平坦部のみが露出されている、反射型液
晶表示装置の製造方法であって、該第１基板上に、第１
導電層を形成する工程と、該第１導電層をパターニング
することによって該ゲート信号配線および該ゲート電極
を形成する工程と、該ゲート信号配線および該ゲート電
極を少なくとも覆うゲート絶縁層を該第１基板のほぼ全
面に堆積する工程と、該第１基板上に、ＩＴＯ層を形成
する工程と、該ＩＴＯ層をパターニングすることによっ
て、該少なくとも１つの端子部の該最上層を形成する工
程と、該パターニングされたＩＴＯ層を覆う第１保護層
を形成する工程と、該第１保護層を覆うアルミニウムを
主成分とする金属層を形成する工程と、該金属層および
該第１保護層の少なくとも一部を除去することによっ
て、該金属層からなる該反射絵素電極を形成するととも
に、該少なくとも１つの端子部の該最上層の上面の平坦
部のみを露出させる工程と、を包含し、該第１保護層形
成工程において該第１保護層と該少なくとも１つの端子
部の該最上層の上面とが該平坦部のみで接するように、
該少なくとも１つの端子部において該少なくとも１つの
端子部の該最上層の上面は、その平坦部のみが露出され
ており、このことにより、上記の目的が達成される。
【００１３】本願発明の反射型液晶表示装置の製造方法
は、第１および第２基板と、該第１および第２基板によ
って挟持された表示媒体層とを有し、該第１および第２
基板は該表示媒体層に電圧を印加するための複数の反射
絵素電極および該複数の反射絵素電極に対向する単一の
対向電極をそれぞれ有し、該第１基板は、該第１基板の
該表示媒体層側に、該複数の反射絵素電極のそれぞれに
接続された薄膜トランジスタ；該薄膜トランジスタに接
続されたゲート信号配線；ソース信号配線；該ゲート信
号配線に走査信号を供給するためのゲート端子部；該ソ
ース信号配線に表示信号を供給するためのソース端子
部；該対向電極に共通信号を供給するためのコモン転移
端子部を有し、該薄膜トランジスタは、該ゲート信号配
線に接続されたゲート電極と、該ソース信号配線に接続
されたソース電極と、該複数の反射絵素電極に接続され
たドレイン電極とを有し、該ゲート端子部、該ソース端
子部および、該コモン転移端子部のうちの少なくとも１
つの端子部は、ＩＴＯからなる最上層を有し、該最上層
の上面はその平坦部のみが露出されている、反射型液晶
表示装置の製造方法であって、該第１基板上に、第１導
電層を形成する工程と、該第１導電層をパターニングす
ることによって該ゲート信号配線および該ゲート電極を
形成する工程と、該ゲート信号配線および該ゲート電極
を少なくとも覆うゲート絶縁層を該第１基板のほぼ全面
に堆積する工程と、該少なくとも１つの端子部の該ゲー
ト絶縁層に開口部を形成する工程と、該第１基板上に、
ＩＴＯ層を形成する工程と、該ＩＴＯ層をパターニング
することによって、該少なくとも１つの端子部の該最上
層を形成する工程と、該パターニングされたＩＴＯ層を
覆う第１保護層を形成する工程と、該第１保護層を覆う
アルミニウムを主成分とする金属層を形成する工程と、
該金属層および該第１保護層の少なくとも一部を除去す
ることによって、該金属層からなる該反射絵素電極を形
成するとともに、該少なくとも１つの端子部の該最上層
の上面の平坦部のみを露出させる工程と、を包含し、該
第１保護層形成工程において該第１保護層と該少なくと
も１つの端子部の該最上層の上面とが該平坦部のみで接
するように、該少なくとも１つの端子部において該少な
くとも１つの端子部の該最上層の上面は、その平坦部の
みが露出され、該ＩＴＯ層をパターニングする工程にお
いて形成される該少なくとも１つの端子部の該最上層
は、該開口部に形成され、このことにより、上記の目的
が達成される。
【００１４】前記少なくとも１つの端子部の前記最上層
は、その上面の周辺部に段差のある層であり、前記第１
保護層形成工程の前に、該最上層の該上面の該周辺部の
段差を覆い平坦部のみを露出する第２保護層を形成する
工程を更に包含してもよい。
【００１５】前記少なくとも１つの端子部の前記最上層
は、前記ゲート絶縁層上に形成され、該少なくとも１つ
の端子部以外の領域に設けられたスルーホールによって
前記ゲート信号配線と接続されてもよい。
【００１６】本願発明の回路基板の製造方法は、基板
と、該基板上に形成され、ＩＴＯからなる最上層を有
し、該最上層の上面はその平坦部のみが露出されている
端子部を有する回路基板の製造方法であって、該第１基
板上に、ＩＴＯ層を形成する工程と、該ＩＴＯ層をパタ
ーニングすることによって、少なくとも該端子部の該最
上層を形成する工程と、該パターニングされたＩＴＯ層
を覆う第１保護層を形成する工程と、該第１保護層を覆
うアルミニウムを主成分とする金属層を形成する工程
と、該金属層および該第１保護層の少なくとも一部を除
去することによって、該端子部の該最上層の上面の平坦
部のみを露出させる工程と、を包含し、該第１保護層形
成工程において該第１保護層と該少なくとも１つの端子
部の該最上層の上面は該平坦部のみで接するように、該
少なくとも１つの端子部において該少なくとも１つの端
子部の該最上層の該上面は、その平坦部のみが露出され
ており、このことにより、上記の目的が達成される。
【００１７】本願発明の反射型液晶表示装置は、第１お
よび第２基板と、該第１および第２基板によって挟持さ
れた表示媒体層とを有し、該第１および第２基板は該表
示媒体層に電圧を印加するための複数の反射絵素電極お
よび該複数の反射絵素電極に対向する単一の対向電極を
それぞれ有し、該第１基板は、該第１基板の該表示媒体
層側に、ＩＴＯ層と、第１保護層と、該第１保護層上に
形成されたアルミニウムを主成分とする金属層からなる
該複数の反射絵素電極のそれぞれに接続された薄膜トラ
ンジスタと、該薄膜トランジスタに接続されたゲート信
号配線とソース信号配線とを有し、該ゲート信号配線に
走査信号を供給するためのゲート端子部、該ソース信号
配線に表示信号を供給するためのソース端子部および、
該対向電極に共通信号を供給するためのコモン転移端子
部を有する反射型液晶表示装置であって、該ゲート端子
部、該ソース端子部および、該コモン転移端子部のうち
の少なくとも１つの端子部は、ＩＴＯからなる最上層を
有し、該最上層の上面はその平坦部のみが露出され、該
ゲート信号配線およびゲート電極を少なくとも覆うゲー
ト絶縁層を該第１基板に有し、該少なくとも１つの端子
部の該ゲート絶縁層に開口部を有し、該少なくとも１つ
の端子部の該最上層は、該開口部に形成されており、こ
のことにより、上記の目的が達成される。
【００１８】前記少なくとも１つの端子部の前記最上層
は、その上面の周辺部に段差のある層であり、該最上層
の該上面の該周辺部の段差を覆い平坦部のみを露出する
第２保護層を更に有していてもよい。
【００１９】前記少なくとも１つの端子部の前記最上層
は前記ソース信号配線と同一の材料からなる導電層上に
形成されていてもよい。
【００２０】前記少なくとも１つの端子部の前記最上層
は、前記ゲート絶縁層の端部から約２μｍ以上内側に形
成されていてもよい。
【００２１】本願発明の反射型液晶表示装置は、第１お
よび第２基板と、該第１および第２基板によって挟持さ
れた表示媒体層とを有し、該第１および第２基板は該表
示媒体層に電圧を印加するための複数の反射絵素電極お
よび該複数の反射絵素電極に対向する単一の対向電極を
それぞれ有し、該第１基板は、該第１基板の該表示媒体
層側に、ＩＴＯ層と、第１保護層と、該第１保護層上に
形成されたアルミニウムを主成分とする金属層からなる
該複数の反射絵素電極のそれぞれに接続された薄膜トラ
ンジスタと、該薄膜トランジスタに接続されたゲート信
号配線とソース信号配線とを有し、該ゲート信号配線に
走査信号を供給するためのゲート端子部、該ソース信号
配線に表示信号を供給するためのソース端子部および、
該対向電極に共通信号を供給するためのコモン転移端子
部を有する反射型液晶表示装置であって、該ゲート端子
部、該ソース端子部および、該コモン転移端子部のうち
の少なくとも１つの端子部は、ＩＴＯからなる最上層を
有し、該最上層の上面はその平坦部のみが露出され、該
ゲート信号配線およびゲート電極を少なくとも覆うゲー
ト絶縁層を該第１基板に有し、該少なくとも１つの端子
部の該最上層は、該ゲート絶縁層上に形成されており、
該少なくとも１つの端子部以外の領域に設けられたスル
ーホールによって該ゲート信号配線と接続されており、
このことにより、上記の目的が達成される。
【００２２】以下、本発明の作用について説明する。
【００２３】本願発明のＩＴＯからなる最上層の上面の
平坦部のみが露出されている端子部を有する回路基板
は、第１保護層形成工程において第１保護層と端子部の
最上層とが平坦部のみで接するように、端子部の最上層
の上面は、その平坦部のみが露出され、第１保護層形成
工程に続いて第１保護層を覆う金属層を形成し、金属層
および第１保護層の少なくとも一部を除去することによ
って、端子部の最上層の上面の平坦部のみを露出させる
ので、端子部において金属層および第１保護層の少なく
とも一部を除去する工程において、ＩＴＯ層の電食反応
が起こることはなく、ＩＴＯ層が消失することを防ぐこ
とができる。
【００２４】端子部の最上層が絶縁層（例えばゲート絶
縁層）上に形成され、端子部以外の領域の絶縁層に設け
られたスルーホールによって、最上層と、絶縁層下部の
配線（例えば、ゲート信号配線）と接続すれば、最上層
と回路基板の端子電極とを容易に接続することが可能に
なる。また、配線と端子部との配置関係の自由度を広げ
ることができる。
【００２５】端子部のＩＴＯからなる最上層が周辺部に
段差のある層であり、第１保護層形成工程の前に、最上
層の周辺部の段差を覆い平坦部のみを露出する第２保護
層をさらに形成すれば、第２保護層はＩＴＯ層または第
２導電層からなる周辺領域に形成される信号配線を保護
するとともに、第１保護層形成工程において、第１保護
層と端子部の最上層とがその露出された平坦部のみで接
するので、金属層の形成工程後の端子部において、金属
層および第１保護層の少なくとも一部を除去する工程
で、ＩＴＯ層の電食反応が起こることなくＩＴＯ層が消
失することを防ぐことができる。
【００２６】本発明のアクティブマトリクス型の反射型
液晶表示装置において、第１の導電層上にゲート絶縁層
を間に挟んで第２導電層が形成され、第２導電層をパタ
ーニングすることによってソース信号配線およびソース
電極が形成され、少なくとも１つの端子部の最上層は第
２導電層上に形成されているので、電気的な接続性を向
上でき、信号供給を確実に行い得る。
【００２７】本発明は、アルミニウムを主成分とする金
属層からなる反射層（反射絵素電極）と、薄膜トランジ
スタを有するアクティブマトリクス型の反射型液晶表示
装置において、ゲート端子部、ソース端子部およびコモ
ン転移端子部を、薄膜トランジスタおよび反射層や配線
の形成工程と共通の工程を利用し、あらたな工程の追加
を最小限にとどめ、上記の特徴を有する端子部を形成で
きる。また、端子部の構造は、薄膜トランジスタおよび
反射層や配線の構造および製造方法に対応して種々の構
造をとり得る。
【００２８】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係る反射型液晶表
示装置１００を示す平面図であり、駆動用ＩＣや回路基
板を設ける前の状態を示している。
【００２９】反射型液晶表示装置１００は、対向する第
１および第２の絶縁性基板２０、２５と、２枚の基板に
挟持された表示媒体層を有する。第１の基板２０および
第２の基板２５は、複数の反射絵素電極（不図示）およ
び複数の反射絵素電極に対向する単一の対向電極（不図
示）をそれぞれ有する。
【００３０】大きい方の第１の基板２０（アクティブマ
トリクス基板）は表示媒体層側に、図１では省略する
が、複数本のゲート信号配線と複数本のソース信号配線
とが相互に交差して設けられている。また、ゲート信号
配線とソース信号配線とが交差する部分には、スイッチ
ング素子としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が設けら
れている。各ＴＦＴのドレイン電極はマトリクス状に配
設された複数の反射絵素電極のそれぞれに電気的に接続
されている。ＴＦＴのゲート電極は、ゲート信号配線に
接続され、ソース電極はソース信号配線に接続されてい
る。
【００３１】また、第１の基板２０が第２の基板２５か
ら露出している周辺領域９５には、ゲート信号配線に走
査信号を供給するためのゲート端子部２０２、ソース信
号配線に表示信号を供給するためのソース端子部２０
４、ゲート端子部２０２およびソース端子部２０４の各
々に接続した配線の端部に設けられたいわゆるフレキシ
ブル基板と称される回路基板の端子と電気的に接続され
る回路基板端子部２０６、および対向電極に共通信号を
供給するためのコモン転移端子部２０８等を有する。
【００３２】小さい方の第２の基板２５（対向基板）の
有する対向電極と、第１の基板２０の有する複数の絵素
電極とが対向している部分が、実質的な表示領域１１を
形成する。
【００３３】以下の実施形態において説明する反射型液
晶表示装置１００においては、端子部２０２、２０４、
２０６および２０８は、ＩＴＯからなる最上層を有し、
最上層の上面はその平坦部のみが露出されている。尚、
本願発明の効果は、上記端子部の内の少なくとも１つが
ＩＴＯからなる最上層を有し、最上層の上面はその平坦
部のみが露出されている構成を有すれば得られる。すな
わち、ＩＴＯからなる最上層の上面が段差を有する場合
には、上面の平坦部だけが露出されるように、上面の段
差は第２保護層によって覆われる。最上層が上面に段差
を有さない、すなわち、平坦な層である場合には、最上
層全体（上面および側面）が露出されていもよい。
【００３４】反射型液晶表示装置１００のアクティブマ
トリクス基板について、本願発明の端子部の製造方法の
例を、端子部のゲート絶縁層に開口部を形成しない場合
について、図２Ａ〜図２Ｆを参照しながら説明する。図
２Ａ〜図２Ｆには、端子部のみを示す。この端子部の構
成はゲート端子部、ソース端子部、コモン端子部等に共
通の構成であり得る。
【００３５】まず、第１基板２０上に堆積された第１導
電層を形成する。第１導電層をパターニングすることに
よって、ゲート信号配線およびゲート電極が形成され
る。このパターニング工程において、図２Ａに示すよう
に、ゲート信号線に走査信号を供給するためのゲート端
子部の第１端子電極層２２（端子部を構成する導電層の
内、最も基板側の層を指す）をゲート信号配線およびゲ
ート電極と連続した層として形成する。また、第１導電
層のパターニング工程において、ゲート信号線と電気的
に分離された、ソース信号線や他の端子部（ソース端子
部やコモン転移端子部）の第１端子電極層２２を形成し
てもよい。また、端子部及び端子部に接続されたＩＣ等
を遮光するための遮光層として用いることもできる。
【００３６】次に、ゲート信号配線およびゲート電極を
覆うゲート絶縁層２４をドライエッチングによりパター
ニングする。この工程において、図２Ｂに示すように、
端子部の第１端子電極層２２上にもゲート絶縁層２４が
堆積される。この後、アクティブマトリクス基板の表示
領域１１においては、アモルファスＳｉ等を用いて半導
体層の堆積・パターニング、不純物注入等が行われ、Ｔ
ＦＴが形成される。
【００３７】この後、図２Ｃに示すように、第１基板２
０上にＩＴＯ層を堆積し、パターニングすることによっ
て、ＩＴＯからなる端子部の最上層（最上端子電極層）
２８をゲート絶縁層２４上に形成する。最上層２８は、
上面に段差のない平坦な層として形成する。このとき、
ＩＴＯ層を用いて、ソース電極やソース信号配線を形成
してもよい。また、ＩＴＯ層の形成に先だって、Ｔｉ層
（第２導電層）を形成した場合には、Ｔｉ層を用いて、
第１端子電極層２２と最上端子電極層２８との間に第２
端子電極層（不図示）を形成してもよい。
【００３８】図２Ｄに示すように、パターニングされた
ＩＴＯ層からなる最上端子電極層２８を覆う第１保護層
３０を例えば、感光性樹脂を用いて、基板のほぼ全面に
形成する。さらに、図２Ｅに示すように、第１保護層３
０を覆うアルミニウムを主成分とする金属層３２を基板
のほぼ全面に形成する。反射型液晶表示装置のアクティ
ブマトリクス基板において、金属層は表示装置に入射す
る光を反射するための反射部（典型的には反射絵素電
極）を形成するための層であり、第１保護層３０は、反
射部の表面の反射特性を最適化するための凹凸形状を反
射絵素電極に形成するための層である。
【００３９】この後、図２Ｆに示すように、金属層３２
および第１保護層３０の少なくとも一部を除去すること
によって、表示領域１１に金属層３２からなる反射絵素
電極を形成するとともに、端子部の最上層（最上端子電
極層）２８を露出させる。最上層２８は平坦な層なの
で、露出された最上層の上面は平坦である。端子部の最
上層と第１端子電極層（及び第２端子電極層）との電気
的な接続は、端子部以外領域で行えば良い。
【００４０】例えば、図２Ｇに示すように、ゲート絶縁
層２４上にＩＴＯからなる最上層を形成し、端子部以外
の領域のゲート絶縁層２４に設けられたスルーホール２
５によって、ＩＴＯ層２８とゲート信号配線とを接続し
ても良い。
【００４１】図２Ｈのように、開口部８が形成されたゲ
ート絶縁層２４を有する反射型液晶表示装置において、
例えば、異方性導電膜（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏ
ｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）を用いて端子電極１９と
第１端子電極層２２とを接続する場合、ゲート絶縁層２
４の厚さ（例えば３０００Å）がＩＴＯ層２８の厚さ
（例えば７００Å）の比べて厚い場合、異方性導電膜中
の導電粒子が回路基板２１と端子電極１９とに十分に接
触できず、回路基板２１と第１端子電極層２２との電気
的接続不良が発生する場合がある。
【００４２】しかしなら、図２Ｇに示すように、端子部
以外の領域のゲート絶縁層２４にスルーホール２５を設
けて、ＩＴＯ層２８とゲート信号配線との接続を行い、
端子部の保護層５０に設けた開口部で回路基板２１との
接続を行うことができる。この場合は、保護層の厚さ
は、約１０００Å以下が好ましい。保護層５０を省略す
ることができる。なお、本発明の液晶表示装置に用いら
れる保護層５０の厚さとしては、約７０００Å以下を用
いることが好ましい。
【００４３】ソース端子部において、ゲート絶縁層にス
ルーホールを形成しないことが好ましい場合がある。例
えば、ゲート電極及びゲート配線（第１導電層２２）を
陽極酸化可能な金属（例えばＴａ）で形成した場合に
は、ゲート絶縁層２４として、第１導電層を陽極酸化し
て得られる絶縁層とその上に堆積した絶縁層（例えば、
窒化シリコン膜）を用いることがある。これは、陽極酸
化膜の優れた緻密性等を利用するためである。ゲート酸
化膜としてこの陽極酸化膜を利用する場合、ソース端子
部とゲート端子部で、ゲート絶縁層の構成が異なる。ゲ
ート端子部の第１電極層は、ゲート電極やゲート配線と
電気的に接続された層なので、ゲート電極等と同時に陽
極酸化され、ゲート端子部のゲート絶縁層２４は陽極酸
化膜を有する。これに対し、ソース端子部の第１導電層
は、ゲート電極等とは電気的に分離された島状に形成さ
れているので、陽極酸化されず、ソース端子部のゲート
絶縁層は陽極酸化膜を有さない。このように、スルーホ
ールを形成すべきゲート酸化膜の構成がゲート端子部と
ソース端子部とで異なる場合がある。ドライエッチング
法を用いてスルーホールを形成する場合、ドライエッチ
ング条件を２つの異なる絶縁層に対して同時に最適化す
ることが困難な場合があり、一方の絶縁層に対して最適
条件を設定すると他方の絶縁層に対しては最適条件でな
くなり、良好なスルーホールが形成されない場合や下地
膜（第１導電層）にダメージを与える場合がある。この
問題を回避するためには、ゲート端子部においてのみゲ
ート絶縁層にスルーホールを形成し、ソース端子部にお
いてゲート絶縁層にスルーホールを形成しない構成を用
いることが好ましい。
【００４４】勿論、後述する図４（ａ）及び（ｂ）に示
したように、ソース端子部及びゲート端子部の両方にお
いてゲート絶縁層にスルーホールを形成する構成を用い
ることができる場合もある。例えば、２つの端子部にお
いて同じ材料構成のゲート絶縁層をけいせいしたり、ド
ライエッチング条件を２つの端子部に対して最適化する
ことによって、ソース端子部及びゲート端子部の両方に
おいてゲート絶縁層にスルーホールを形成することがで
きる。
【００４５】次に、反射型液晶表示装置１０５のアクテ
ィブマトリクス基板について、本願発明の端子部の製造
方法の他の例を、端子部のゲート絶縁層に開口部を形成
している場合について、図３Ａ〜図３Ｆを参照しながら
説明する。
【００４６】まず、図２Ａと同様に、図３Ａに示すよう
に、各端子部において、第１基板２０上に第１端子電極
層２２を形成する。
【００４７】次に、図３Ｂに示すように、ゲート信号配
線およびゲート電極を覆うゲート絶縁層２４を第１基板
２０のほぼ全面に堆積する。ゲート絶縁層２４の堆積
後、パターニングすることによってゲート絶縁層２４に
開口部８を形成する。
【００４８】この後、図３Ｃに示すように、第１基板２
０上にＩＴＯ層を堆積し、パターニングすることによっ
て、ＩＴＯ層からなる端子部の最上層（最上端子電極
層）２８を開口部８内に形成する。最上層２８は、上面
に段差の無い平坦な層として形成する。
【００４９】図３Ｄに示すように、パターニングされた
ＩＴＯ層２８を覆う第１保護層３０を形成し、さらに、
図３Ｅに示すように、第１保護層３０を覆うアルミニウ
ムを主成分とする金属層３２を形成する。アクティブマ
トリクス基板の表示領域において、第１保護層３０は、
反射絵素電極の表面に凹凸形状を形成するために、表面
に凹凸形状が形成される。
【００５０】この後、図３Ｆに示すように、金属層３２
および第１保護層３０の少なくとも一部を除去すること
によって、表示領域に金属層３２からなる反射絵素電極
を形成するとともに、少なくとも１つの端子部の最上層
の上面の平坦部のみを露出させる。
【００５１】なお、本願発明による端子の製造方法にお
いては、図２Ｄおよび図３Ｄに示す第１保護層形成工程
において、第１保護層と端子部の最上層の上面とが平坦
部のみで接するように、端子部の最上層の上面は、その
平坦部のみが露出されている。なお、最上端子電極層と
第２および／又は第１端子電極層とを電気的に接続する
構造には種々の構造があり、その端子の用途に応じて適
宜選べばよい。具体的には下記の実施形態で説明する。
【００５２】以上のような製造方法により、図２Ｆおよ
び図３Ｆに示すように、金属層３２および第１保護層３
０の少なくとも一部を除去する工程において、金属層３
２とＩＴＯ層とが直接接することがなく、ＩＴＯ層２８
の電食反応が起こることはなく、ＩＴＯ層２８が消失す
るという不良の発生が無くなる。以下に詳細な実施形態
を示して説明する。
【００５３】（実施の形態１）本実施の形態１による反
射型液晶表示装置は、図１に示した液晶表示装置１００
と実質的に同じ構造を有している。同じ機能を有する構
成要素には、同じ参照符号を付し、詳細な説明を省略す
る。
【００５４】第１基板２０および第２基板（不図示）
と、第１基板２０および第２基板とによって挟持された
表示媒体層とを有する。第１基板２０および第２基板は
表示媒体層に電圧を印加するための複数の反射絵素電極
および複数の反射絵素電極に対向する単一の対向電極を
それぞれ有している。
【００５５】第１基板２０は、第１基板２０の表示媒体
層側に、ＩＴＯ層２８と、第１保護層と、第１保護層上
に形成されたアルミニウムを主成分とする金属層（図２
Ｅおよび図３Ｅの金属層３２と同一の層として形成され
る）からなる複数の反射絵素電極のそれぞれに接続され
た薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに接続された
ゲート信号配線とソース信号配線とを有する。また、第
１基板２０は、端子部として、ゲート信号配線に走査信
号を供給するためのゲート端子部、ソース信号配線に表
示信号を供給するためのソース端子部および、対向電極
に共通信号を供給するためのコモン転移端子部を有す
る。
【００５６】本実施の形態１による反射型液晶表示装置
の端子部、例えばゲート端子部２０２は、ＩＴＯからな
る平坦な最上層を有し、最上層の上面の平坦部が露出さ
れている。ＩＴＯからなる平坦な最上層は、ソース信号
配線と同一の材料からなる導電層２６上に形成されてい
る。また、第１基板２０上には、ゲート信号配線および
ゲート電極を少なくとも覆うゲート絶縁層２４が形成さ
れており、ゲート端子部２０２においては、ゲート絶縁
層２４に開口部８が設けられており、ゲート端子部２０
２の最上層は、開口部８に形成されている。
【００５７】図４は、上述した端子部２０２、２０４お
よび２０６およびその周辺の構成を示す図であり、
（ａ）はゲート端子部２０２および回路基板の端子部２
０６並びにその周辺を示し、（ｂ）はソース端子部２０
４および回路基板の端子部２０６並びにその周辺を示
す。図５は、上述の端子部のうち、ゲート端子部２０２
を示す平面図であり、図６はその断面図である。但し、
図５は、ゲート信号配線としての第１端子電極層２２
を、図４の場合の第１端子電極層２２とは配線の延びる
方向を異らせて表している。図５において、２２Ａ、２
４Ａおよび２６Ａは、それぞれ、第１端子電極層２２、
ゲート絶縁層２４および第２端子電極層２６の端部を示
す。なお、周辺領域９５において端子部以外の導電層
（配線等）の表面は、全てゲート絶縁層（保護層）２４
に覆われているので、腐食等の問題もなく、信頼性の向
上が図れる。
【００５８】本実施形態の反射型液晶表示装置の端子部
２０２、２０４および２０６およびその周辺においては
第１の基板２０上の第１端子電極層２２の上に、ゲート
絶縁層２４が形成され、また、端子部２０２、２０４お
よび２０６において、ゲート絶縁層２４には、開口部８
が設けられている。開口部８には、第２端子電極層２６
がその端部をゲート絶縁層２４の端部に重畳するように
形成され、第２端子電極層２６の平坦部にのみＩＴＯ層
２８が形成されている。端子部２０２、２０４および２
０６は、上から順にＩＴＯ層２８からなる最上端子電極
層、第２端子電極層２６からなる第２端子電極層、第１
端子電極層２２からなる第１端子電極層が積層された３
層構造を有している。
【００５９】図４（ａ）、図５および図６に示すゲート
端子部２０２に関しては、第１端子電極層２２は、ゲー
ト信号配線と連続する層として形成されている。その上
の第２端子電極層２６は、ソース信号配線と同じ第２端
子電極層２６で形成されているが、ソース信号配線とは
分離された島状の層である。Ｔｉ層２６からなる第２端
子電極層は、第１端子電極層２２の上に直接ＩＴＯ層２
８からなる最上端子電極層を設ける場合よりも、第１端
子電極層２２上とＩＴＯ層２８との間に第２端子電極層
２６が設けられている方が電気的な接続性を向上でき、
信号供給を確実に行い得るからである。但し、本発明
は、第１端子電極層２２と第２端子電極層２６およびＩ
ＴＯ層２８からなる最上端子電極層との３層構成とする
必要は必ずしもなく、ＩＴＯ層２８からなる最上端子電
極層および第２端子電極層２６または第１端子電極層２
２のうちの一層の２層構成としても良い。
【００６０】図４（ｂ）に示すソース端子部２０４は、
図４（ａ）に示すゲート端子部２０２と同様の構成を有
している。この例では、ソース端子部２０４周辺におい
て、第１の基板２０上の第１端子電極層２２がソース信
号配線として機能するように形成されている。第２端子
電極層２６は、この第１端子電極層２２とゲート絶縁層
２４の開口部で電気的に接続されている。
【００６１】また、図４（ａ）および図４（ｂ）に示す
ように、回路基板の端子部２０６に関しても、ゲート端
子部２０２およびソース端子部２０４と同様の構成を有
している。回路基板の端子部２０６の近傍において、第
１導電層２２を用いて配線が形成されており、端子部２
０６の第１導電層２２が第１端子電極層として機能す
る。第２端子電極層２６は、この第１端子電極層２２と
ゲート絶縁層２４の開口部で電気的に接続されている。
【００６２】このように用途により、それぞれの導電層
の役割（電気的な接続）が異なるものの、各端子部２０
２、２０４および２０６に関しては、何れも同様の構成
となっている。
【００６３】次に、ゲート端子部およびその周辺を示す
図７Ａ〜図７Ｆを参照して、本実施の形態１の反射型液
晶表示装置の製造方法について説明する。なお、以下は
ＴＦＴを有するアクティブマトリクス基板および対向基
板を備えるアクティブマトリクス型の反射型液晶表示装
置の製造方法について説明するが、本願発明は、単純マ
トリクス型の反射型液晶表示装置の製造方法にも適用で
きる。また、ＩＴＯ層を形成した後に絶縁層を形成し、
その上にアルミニウムを主成分とする金属層を形成する
工程を必要とし、最終的にＩＴＯ層の少なくとも一部を
露出するために、絶縁層および金属層の一部を除去す
る、回路基板の製造方法にも適用可能である。
【００６４】図７Ａに示すように、ガラスなどから形成
される絶縁性基板（第１基板）２０上に、例えばＴａ等
からなる厚み約３００ｎｍの第１導電層をスパッタリン
グ法を用いて形成する。第１導電層をフォトリソグラフ
ィ技術を用いてパターニングすることにより、ゲート信
号配線およびゲート電極が形成される。また、この第１
導電層はゲート端子部の第１電極層２２となる。
【００６５】次に、図７Ｂに示すように、ゲート信号配
線およびゲート電極を覆う、例えば窒化シリコンなどか
らなるゲート絶縁層２４を、プラズマＣＶＤ法を用いて
第１の基板２０のほぼ全面に堆積する。さらに、ドライ
エッチング法を用いてパターニングし、ゲート絶縁層２
４に開口部８を形成する。図５および図７Ｂのａが約５
μｍになるように、ゲート絶縁層２４の開口部８を第１
端子電極層２２の端部より内側に形成する。ゲート絶縁
層２４が第１導電層２２の端部を覆う必要があり、覆っ
ていないと、製造工程中のパターニング精度に応じて基
板２０の表面の一部が露出され、ゲート絶縁層２４をパ
ターニングするドライエッチングの工程で、露出された
基板表面もエッチングされてしまう。このようなことが
起こらないように、現状ではパターニング精度／エッチ
ング精度を考慮して、重なり幅ａが約５μｍになるよう
設計している。なお、ａは約５μｍ以下の０より大きい
値であることが好ましい。
【００６６】次に、図示しないが、ＴＦＴに含まれる半
導体層（アモルファスＳｉ）およびコンタクト層（ｎ＋
アモルファスＳｉ）を、プラズマＣＶＤ法を用いて形成
し、パターニングを行う。
【００６７】次に、図７Ｃに示すように、例えばスパッ
タリング法を用いてＴｉ等から形成される例えば、３０
０ｎｍ厚の第２導電層を、ゲート絶縁層２４上に形成す
る。第２導電層をパターニングすることによって、ソー
ス信号配線およびソース電極が形成される。また、この
第２導電層はゲート端子部の第２端子電極層２６とな
る。第２端子電極層２６をゲート絶縁層２４の開口部８
の外にまで形成する（ゲート絶縁層２４と周辺部で重な
るように形成する）。これは、第１端子電極層２２と第
２端子電極層２６との接触面積を最大にし、ＩＴＯ層２
８の面積も大きく形成することができるようにして、接
触状態を良好にするためである。現状ではパターニング
精度／エッチング精度を考慮して、重なり幅ｃが例えば
約３μｍになるよう設計している。なお、ｃは約３μｍ
以下の０より大きい値であることが好ましい。
【００６８】次に、図示しないが、ＴＦＴ部のチャネル
部分のコンタクト層を取り除くパターニングを行い、Ｔ
ＦＴを完成させる。
【００６９】この後、図７Ｄに示すように、第１の基板
２０の第２端子電極層２６上にＩＴＯ層２８をスパッタ
リング法を用いて形成する。ＩＴＯ層２８をパターニン
グすることによって、ゲート絶縁層２４の端部よりも内
側にＩＴＯ層２８を形成し、ゲート端子部２０２の最上
層を形成する。このことにより、ＩＴＯ層２８が凹凸の
ない平坦な箇所に形成され、ＩＴＯ層２８自身も平坦と
なる。段差を生じない範囲でできるだけＩＴＯ層の面積
を大きくすることが望まれるので、現状ではパターニン
グ精度／エッチング精度を考慮して、ｂが例えば約２μ
ｍになるよう設計している。なお、ｂは約２μｍ以下の
０より大きい値であることが好ましい。また、図４
（ａ）および（ｂ）に示すように、ソース端子部２０４
および回路基板側の端子部２０６等の最上層も同様に形
成され得る。
【００７０】次に、図７Ｅに示すように、アクリル系の
感光性樹脂などからなる第１保護層３０を、パターニン
グされたＩＴＯ層２８を覆うように形成する。第１保護
層３０を形成する工程において、第１保護層３０と端子
部の最上層であるＩＴＯ層２８の上面とは、ＩＴＯ層２
８の上面の平坦部のみで接する。第１保護層３０に樹脂
を用いて形成すれば、反射特性を最適化するために、反
射部の表面に凹凸を形成するための下地層としても作用
し得る。
【００７１】また、第１保護層３０をＭｏやＴｉ等の金
属を用いて形成することもできる。第１保護層３０を上
記の金属を用いて形成すれば、エッチング条件を調節す
ることによって、アルミニウムを主成分とする金属層３
２と同時にパターニングすることができるので、第１保
護層３０を別途除去する工程を省略することができ、製
造工程を簡略化することができる。
【００７２】なお、図７Ｄに示されるように、本実施の
形態１においては、ゲート端子部における最上層である
ＩＴＯ層２８は平坦な層であるが、これに限られない。
ＩＴＯ層をパターニングすることによって形成されるゲ
ート端子部の最上層は、最上層の上面の周辺部に段差の
ある層であってもよい。例えば、最上層の周辺部が、図
７ＤのＴｉからなる第２端子電極層２６の凸状周辺部
（ゲート絶縁層２４の開口部によって生じる凹部を包囲
する）と重なる構成としてもよい。この場合、第１保護
層３０を形成する前に、最上層の周辺部の段差を覆い、
最上層の上面の平坦部のみを露出する第２保護層５０を
形成することが好ましい（例えば、図１２Ａ）。
【００７３】第１保護層３０は、表示領域においては、
反射電極の表面に反射特性を最適化するための凹凸を形
成するための凹凸形成層として用いる例を説明したが、
表示領域において他の用途に用いることもできる。例え
ば、薄膜トランジスタ、ソース信号配線およびゲート信
号配線の上に第１保護層３０を設け、第１保護層３０に
形成されたスルーホールを介して、第１保護層３０の上
に形成した絵素電極と、第１保護層３０の下に設けた薄
膜トランジスタのドレイン電極とを接続する形態であっ
てもよい。
【００７４】この後、図７Ｆに示すように、Ａｌを主成
分とする金属層３２を、第１保護層３０を覆うようにス
パッタリング法を用いて形成する。なお、金属層３２
は、純Ａｌ層あるいは、Ａｌを含んだ層（例えば、Ａｌ
とＷからなる合金等）でもよい。アクティブマトリクス
基板の表示領域において、第１保護層３０は反射絵素電
極の表面に凹凸形状を形成するために、表面に凹凸形状
が形成される。
【００７５】金属層３２および第１保護層３０の一部を
除去し、金属層３２をパターニングすることによって、
表示領域に反射絵素電極を形成するとともに、図６に示
されるように、ゲート端子部においては最上層の上面の
平坦部を露出させる。なお、本実施形態において使用し
た層間絶縁層はポジ型感光性樹脂（商品名ＯＦＰＲ−８
００：東京応化工業社製）である。現像液は、ＴＭＡＨ
（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド：東京
応化工業社製）である。金属層（Ａｌ層）３２のレジス
ト現像液にもＴＭＡＨを使用し、エッチング液には硝
酸、酢酸、リン酸および水からなる混合溶液を使用して
いる。
【００７６】対向電極（第２電極）と、カラー表示を行
う場合には対向電極（第２電極）とカラーフィルター層
とが形成された対向基板（第２基板）を作製するか、ま
たは予め作製しておき、その対向基板（第２基板）とア
クティブマトリックス基板２０（第１の基板）とを貼り
合わせ、両基板間に液晶層を封入し、駆動用ＩＣおよび
回路基板２１を、図４に示すように各端子部２０２、２
０４、２０６等に装着し、反射型液晶表示装置を完成さ
せる。
【００７７】本実施の形態１によると、少なくとも１つ
の端子部、例えばゲート端子部において、ＩＴＯからな
る最上層は図７Ｄに示されるように、凹凸のない平坦な
第２端子電極層２６上に形成され、ＩＴＯからなる最上
層も平坦に形成され、図７Ｅに示されるように、第１保
護層３０はＩＴＯ層を完全に覆うように形成される。従
って金属層および第１保護層の少なくとも一部を除去す
る工程において、金属層とＩＴＯ層とが直接接すること
がないようにできるので、第１保護層と金属層を除去す
る工程において、ＩＴＯ層の電食が起こらずＩＴＯ層が
消失することがない。
【００７８】（実施形態２）本実施形態の反射型液晶表
示装置も先の実施形態と実質的に同一の構成を有するの
で、同じ機能を有する構成要素には同じ参照符号を付
す。
【００７９】図９は、コモン転移電極部２０８および回
路基板の端子部２０６、並びにその周辺部を示す断面
図、図１０は、本実施形態における適用箇所であるコモ
ン転移電極部２０８を示す平面図、図１１はその断面図
である。コモン転移端子部２０８において、アクティブ
マトリクス基板側の配線と対向基板側の対向電極とが電
気的に接続される。
【００８０】回路基板の端子部２０６においては、図６
に示される実施形態１の反射型液晶表示装置１００の端
子部と同様に、上から順にＩＴＯ層２８、第２端子電極
層２６、第１端子電極層２２が積層されている。コモン
転移電極部２０８においては、回路基板の端子部２０６
における積層構造から第２端子電極層２６が省略された
構造である。実施形態２では、第２端子電極層２６を有
さない、例えば、コモン転移電極部２０８について、説
明する。実施形態２の反射型液晶表示装置１００の端子
部は、図６に示される実施形態１の反射型液晶表示装置
の端子部から第２端子電極層２６が省略されている点で
異なる。
【００８１】本実施の形態２による反射型液晶表示装置
の端子部、例えばコモン転移端子部２０８（図１参照）
は、ＩＴＯからなる最上層を有し、最上層の上面の平坦
部のみが露出されている。また、第１基板２０上には、
ゲート信号配線およびゲート電極を少なくとも覆うゲー
ト絶縁層２４が形成されており、少なくとも１つの端子
部においては、ゲート絶縁層２０４に開口部８が設けら
れており、少なくとも１つの端子部の最上層は、開口部
８に形成されている。
【００８２】なお、上述したようにコモン転移電極部２
０８は、図１に示した反射型液晶表示装置の表示領域１
１の四つの角部の１または２箇所以上に設けられる場合
や、４つの辺部分のいずれかの部分に設けられる場合も
ある。
【００８３】コモン転移電極端子部２０８において、ア
クティブマトリクス基板（第１の基板）２０に設けられ
たＩＴＯ層２８と、対向する対向基板（第２の基板）２
５に形成された対向電極の端子３６とは、導電ペースト
３８を介して、電気的に接続されている（図１１参
照）。
【００８４】本実施の形態２においても、上述の実施の
形態１と同様に、少なくとも１つの端子部、例えばコモ
ン転移電極端子部において、金属層および第１保護層の
少なくとも一部を除去する工程において、金属層とＩＴ
Ｏ層とが直接接することがないようにできるので、ＩＴ
Ｏ層の電食が起こらずＩＴＯ層が消失することがない。
よって、不良発生のない反射型液晶表示装置を効率良く
生産することができる。
【００８５】実施形態１における端子部、ゲート端子部
２０２において、上述の実施形態２のコモン転移電極部
２０８と同様に第２端子電極層２６が省略されてもよい
（図８）。また、実施形態２のコモン転移端子部２０８
が第２端子電極層２６を有し、Ｔａ層、Ｔｉ層およびＩ
ＴＯ層を有する３層構造（図６）であってもよい。
【００８６】また、上述した実施形態１における端子部
としては、接続用端子部について説明しているが、本発
明はこれに限らず、表示領域の内側または外側に設けら
れる反射型液晶表示装置の各部が正常であるか否かを検
査するために用いられる最上層がＩＴＯ層からなる検査
用端子部についても、同様に適用することができる。
【００８７】本願発明は、実施形態１および２に示され
る構成を有する反射型液晶表示装置に限られず、様々な
構成を有する反射型液晶表示装置に適用することが可能
である。
【００８８】上述の実施形態１および２と同様に、ゲー
ト絶縁層２４に開口部８を有する反射型液晶表示装置の
例を、図１２Ａ〜図１２Ｆに示す。ゲート絶縁層２４に
開口部を有さない反射型液晶表示装置の例を、図１３Ａ
〜図１３Ｅに示す。なお、ゲート絶縁層２４に開口部を
有さない図１３Ａ〜図１３Ｅに示す反射型液晶表示装置
において、ＩＴＯ層２８を最上層とする端子部以外の領
域にスルーホールを設けることにより、ゲート信号配線
（第１導電層）とＩＴＯ層２８とを接続し得る（図２
Ｇ）。これらの端子部構造のバリエーションは、端子部
の構造だけでなく、表示領域に形成される構成要素（例
えば、ＴＦＴ、配線、絵素電極）の構造、それぞれの構
成要素の材料、製造方法（工程の順序を含む）等との組
み合わせにおいて、作用効果を奏する。
【００８９】図１２Ａ〜１２Ｄ、図１２Ｆおよび図１３
Ｂ、図１３Ｄ、図１３Ｅに示す反射型液晶表示装置にお
いては、例えば、窒化シリコン等からなる第２保護層５
０が設けられている。図１２Ａおよび１２Ｂにおいて
は、ＩＴＯからなる端子部の最上層は周辺部に段差２９
のある層２８であり、最上層の周辺部の段差を覆い平坦
部９のみを露出するように、第２保護層５０が設けられ
ている。第２導電層を用いて信号配線を形成する場合に
は、その信号配線を後工程における種々の処理や最終製
品の環境から保護（例えば耐腐食の信頼性の向上）のた
めに、第２の保護層５０を設けることが好ましい。ただ
し、後工程（例えば、付加抵抗の形成や他の膜形成プロ
セス）において問題なければ、第２の保護層を形成しな
くても良い場合もある。また、信号配線において、第２
導電層を覆う絶縁層を形成した場合（例えば金属と金属
酸化物の２層構造）、第２保護層５０を樹脂で形成して
も良い。
【００９０】従って、周辺部に段差２９のあるＩＴＯか
らなる最上層を用いても、段差を覆うように保護層を形
成すれば、第１保護層と接するＩＴＯ層の上面は平坦部
のみにすることができる。その結果、ＩＴＯ層の上面を
第１保護層で完全に覆い、ＩＴＯの電食の問題を防止す
ることができる。図１２Ｃ、図１３Ｄにおいて、第２保
護層５０は、ゲート絶縁層２４上に形成され、図１２
Ａ、図１２Ｂ、図１２Ｄ、図１２Ｆおよび図１３Ｂ、図
１３Ｅにおいて、第２保護層５０は、ゲート絶縁層２４
上およびＩＴＯ層２８の一部を覆うように形成されてい
る。図１２Ｃ、図１２Ｅ、図１２Ｆおよび図１３Ａ〜図
１３Ｅにおいては、ＩＴＯからなる端子部の最上層は平
坦な層である。
【００９１】図１２Ｂは、例えば、ソース端子部を示
す。第１端子電極層２２は、ゲート配線と同時に形成さ
れ、ソース端子部において接続されるＩＣ等を遮光す
る。ソース配線をＩＴＯ／Ｔａ／ＴａＮで形成した場
合、ソース端子部において、平坦部９でＩＴＯ層２８が
露出するように、Ｔａ／ＴａＮ層２９が除去されてい
る。さらに、Ｔａ／ＴａＮ層２９は、ソース配線と端子
部との電気的接続を良好にするために、ＩＴＯ層２８の
開口部の周辺に残してある。
【００９２】図１２Ｄにおいて、例えば、第２端子部電
極層２６はＴｉで形成されており、ＩＴＯ層２８とＴａ
で形成される第１端子部電極層２２との間にＴｉ層２６
を配置することによって、ＩＴＯ層２８と第１端子部電
極層２２との電気的接続が安定化される。Ｔｉ層２６
は、第２保護層５０をパターニングするエッチング液に
侵される（エッチングされる）ため、Ｔｉ層２６は、ゲ
ート絶縁層２４の開口部８を避けた位置に配置してい
る。
【００９３】なお、実施の形態１および２では、ソース
信号配線にはＴｉ層を用い、ゲート信号配線にはＴａ層
を用いているが、ソース信号配線にＴａＮ／Ｔａ／Ｔａ
Ｎ層、ＩＴＯ層を用いても良い。また、ゲート信号配線
に、Ｔａ／ＴａＮ層、あるいはＩＴＯ層、Ｔｉ層を用い
ることも可能である。また、両配線の一方もしくは両方
が他の材料で構成される場合にも適用できる。
【００９４】本発明の端子部構成は、実施の形態１の図
６、図１２Ｂおよび図１２Ｄに示されるような第１、第
２端子電極層およびＩＴＯ層からなる３層の導電層を含
む構造に限られず、１層（図１３Ｃ、図１３Ｅ）、２層
（図１２Ａ、図１２Ｃ、図１２Ｅ、図１２Ｆ、図１３
Ａ、図１３Ｂ、図１３Ｄ）、４層以上の導電層を含む構
造以上であっても構わない。
【００９５】本発明の端子部は、上述した反射型液晶表
示装置に限られず、絵素領域毎に反射領域および透過領
域を有する反射透過両用型液晶表示装置にも好適に適用
される。反射透過両用型液晶表示装置において、透過光
を用いて表示を行う領域を透過領域、反射光を利用して
表示を行う領域を反射領域とそれぞれ呼ぶ。透過領域お
よび反射領域は、それぞれ、基板上に形成された透過電
極領域および反射電極領域と、一対の基板に挟持された
液晶層とを含む。基板上の透過電極領域および反射電極
領域が、反射領域および透過領域の２次元的な広がりを
それぞれ規定する。透過電極領域は、典型的には透明電
極によって規定される。反射電極領域は、反射電極また
は、透明電極と反射層との組み合わせによって規定され
得る。
【００９６】反射透過両用型液晶表示装置３００の例を
図１５Ａおよび図１５Ｂに示す。反射透過両用型液晶表
示装置３００の部分断面図を図１５Ａに、液晶表示装置
３００のアクティブマトリクス基板７０の上面図を図１
５Ｂに示す。図１５Ａは図１５ＢのＡ−Ａ線に沿った断
面図に相当する。
【００９７】図１５Ａに示したように、液晶表示装置３
００は、アクティブマトリクス基板７０と対向基板（カ
ラーフィルタ基板）１６０と、これらの間に挟持された
液晶層１４０とを有している。アクティブマトリクス基
板７０および対向基板１６０の液晶層１４０とは反対側
の表面には、それぞれ位相差補償素子（位相差板や位相
差フィルムおよびこれらの積層体など）１７０および１
８０が設けられている。さらに、これらを挟持するよう
に、位相差補償素子１７０および１８０の外側に偏光素
子（偏光板や偏光フィルムなど）１７２および１８２が
設けられている。
【００９８】図１５Ａおよび図１５Ｂに示したように、
反射透過両用型のアクティブマトリクス基板７０は、絶
縁基板であるガラス基板６１の上に、走査線としての複
数のゲートバスライン７２および信号線としてのソース
バスライン７４が交互に交差して設けられている。各ゲ
ートバスライン７２および各ソースバスライン７４によ
って囲まれた矩形状の領域内には、光反射効率の高い材
料（例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ｔａ）からなる反射電極６９
と、それとは別に、光透過効率の高い材料（例えば、Ｉ
ＴＯ）からなる透明電極６８とが配置されており、これ
ら反射電極６９と透明電極６８とで画素電極を形成して
いる。反射電極６９の下には、高さの高い凸部６４ａと
高さの低い凸部６４ｂとこれらの上に形成された高分子
樹脂膜６５が形成されており、反射電極６９の表面は連
続した波形になっている。凸部の高さは一種類でもよ
い。また、凸部６４ａと凸部６４ｂのみで、すなわち、
高分子樹脂膜６５を省略しても、連続した波形の表面を
有する層間絶縁層を形成することができる。
【００９９】反射電極６９はＴＦＴ７１のドレイン電極
７６とスルーホール７９で接続されている。ＴＦＴ７１
はゲート電極７３を覆うゲート絶縁層６１ａ上に堆積さ
れた半導体層７７で形成されている。ＴＦＴ７１のゲー
ト電極７３およびソース電極７５は、それぞれゲートバ
スライン７２およびソースバスライン７４から分岐され
て形成されている。
【０１００】対向基板（カラーフィルタ基板）１６０
は、絶縁基板であるガラス基板１６２上に、カラーフィ
ルタ層１６４およびＩＴＯ等からなる透明電極１６６が
形成されている。両基板７０及び１６０の液晶層１４０
側表面には、水平配向膜（不図示）が形成されている。
配向膜の塗布後、ラビング等により希望のツイスト角度
になるよう配向処理を施してある。液晶層１４０には、
正の誘電異方性を有するネマチック液晶材料を用いる。
液晶層１４０の液晶分子は、水平配向性の配向膜に対す
るラビング等の配向処理により、基板面に対して０．１
゜から５゜程度のチルト角を持つ。液晶分子は、電圧無
印加時に基板面に平行に配向し、電圧印加時に基板面の
法線方向に傾く。
【０１０１】液晶表示装置３００の最小の表示の単位と
なる絵素は、反射電極６９によって規定される反射領域
１２０Ｒと透明電極６８によって規定される透過領域１
２０Ｔとを有する。液晶層１４０の厚さは、反射領域１
２０Ｒにおいてはｄｒであり、透過領域１２０Ｔではｄ
ｔ（ｄｔ＞ｄｒ）となっている。これは、表示に寄与す
る光（反射領域の反射光と透過領域に透過光）の光路長
をほぼ等しくするためである。ｄｔ＝２ｄｒが好ましい
が、表示特性との関係で適宜設定すればよい。少なくと
も、ｄｔ＞ｄｒであればよい。典型的には、ｄｔは約４
〜６μｍで、ｄｒは約２〜３μｍである。すなわち、ア
クティブマトリクス基板７０の絵素領域内に、約２〜３
μｍの段差が形成されている。なお、反射電極６９が図
示したように凹凸を有している場合には、平均値をｄｒ
とすればよい。このように、反射透過両用型液晶表示装
置１００においては、液晶層１４０の厚さの異なる領域
（反射領域と透過領域）が形成されている。この例で
は、アクティブマトリクス基板７０の液晶側表面に、高
さの異なる反射電極領域１２０Ｒと透過電極領域１２０
Ｔとを有する。
【０１０２】上述のような反射透過両用型液晶表示装置
の端子部を形成する工程において、金属層（反射電極を
形成するための、例えば、Ａｌからなる層）および第１
保護層（反射電極の表面に凹凸形状を形成するための高
分子樹脂膜６５）の少なくとも一部を除去する工程で、
金属層とＩＴＯ層（透明電極を形成するための層）とが
直接接することがないようにできるので、ＩＴＯ層の電
食が起こらずＩＴＯ層が消失することがない。よって、
不良発生のない液晶表示装置を効率良く生産することが
できる。
【０１０３】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、少なく
とも１つの端子部において、金属層および第１保護層の
少なくとも一部を除去する工程において、金属層とＩＴ
Ｏ層とが直接接することがないようにできるので、ＩＴ
Ｏ層の電食が起こらずＩＴＯ層が消失することがない。
従って、ＩＴＯ層を最上層とする端子部を高歩留まりで
生産することができる。本発明は、反射型液晶表示装置
の製造に好適に適用され、不良発生のない反射型液晶表
示装置を高歩留まりで生産することができる反射型液晶
表示装置およびその製造方法ならびに回路基板の製造方
法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の反射型液晶表示装置を示す平面図であ
る。
【図２Ａ】本発明の端子部の製造方法を示す断面図であ
る。
【図２Ｂ】本発明の端子部の製造方法を示す断面図であ
る。
【図２Ｃ】本発明の端子部の製造方法を示す断面図であ
る。
【図２Ｄ】本発明の端子部の製造方法を示す断面図であ
る。
【図２Ｅ】本発明の端子部の製造方法を示す断面図であ
る。
【図２Ｆ】本発明の端子部の製造方法を示す断面図であ
る。
【図２Ｇ】本発明の端子部を示す断面図である。
【図２Ｈ】端子部における接続不良を模式的に示す図で
ある。
【図３Ａ】本発明の端子部の製造方法を示す断面図であ
る。
【図３Ｂ】本発明の端子部の製造方法を示す断面図であ
る。
【図３Ｃ】本発明の端子部の製造方法を示す断面図であ
る。
【図３Ｄ】本発明の端子部の製造方法を示す断面図であ
る。
【図３Ｅ】本発明の端子部の製造方法を示す断面図であ
る。
【図３Ｆ】本発明の端子部の製造方法を示す断面図であ
る。
【図４】本発明を適用する種々の端子部およびその周辺
を示す断面図である。
【図５】本発明を適用する端子部を示す平面図である。
【図６】本発明を適用する端子部を示す断面図である。
【図７Ａ】本発明を適用する端子部の形成工程を示す断
面図である。
【図７Ｂ】本発明の端子部の製造方法を示す断面図であ
る。
【図７Ｃ】本発明の端子部の製造方法を示す断面図であ
る。
【図７Ｄ】本発明の端子部の製造方法を示す断面図であ
る。
【図７Ｅ】本発明の端子部の製造方法を示す断面図であ
る。
【図７Ｆ】本発明の端子部の製造方法を示す断面図であ
る。
【図８】本発明の端子部を示す断面図である。
【図９】本発明を適用するコモン転移電極部、回路基板
の端子部並びにその周辺部を示す断面図である。
【図１０】本発明を適用するコモン転移電極部を示す平
面図である。
【図１１】本発明を適用するコモン転移電極部を示す断
面図である。
【図１２Ａ】本発明のゲート絶縁層に開口部を有する反
射型液晶表示装置の端子部の例を示す断面図である。
【図１２Ｂ】本発明のゲート絶縁層に開口部を有する反
射型液晶表示装置の端子部の例を示す断面図である。
【図１２Ｃ】本発明のゲート絶縁層に開口部を有する反
射型液晶表示装置の端子部の例を示す断面図である。
【図１２Ｄ】本発明のゲート絶縁層に開口部を有する反
射型液晶表示装置の端子部の例を示す断面図である。
【図１２Ｅ】本発明のゲート絶縁層に開口部を有する反
射型液晶表示装置の端子部の例を示す断面図である。
【図１２Ｆ】本発明のゲート絶縁層に開口部を有する反
射型液晶表示装置の端子部の例を示す断面図である。
【図１３Ａ】本発明のゲート絶縁層に開口部を有さない
反射型液晶表示装置の端子部の例を示す断面図である。
【図１３Ｂ】本発明のゲート絶縁層に開口部を有さない
反射型液晶表示装置の端子部の例を示す断面図である。
【図１３Ｃ】本発明のゲート絶縁層に開口部を有さない
反射型液晶表示装置の端子部の例を示す断面図である。
【図１３Ｄ】本発明のゲート絶縁層に開口部を有さない
反射型液晶表示装置の端子部の例を示す断面図である。
【図１３Ｅ】本発明のゲート絶縁層に開口部を有さない
反射型液晶表示装置の端子部の例を示す断面図である。
【図１４Ａ】従来の反射型液晶表示装置の端子部を示す
断面図である。
【図１４Ｂ】従来の端子部の製造方法を示す断面図であ
る。
【図１４Ｃ】従来の端子部の製造方法を示す断面図であ
る。
【図１５Ａ】本発明の端子部を有する反射透過両用型液
晶表示装置の部分断面図である。ま
【図１５Ｂ】図１５Ａの反射透過両用型液晶表示装置の
アクティブマトリクス基板の上面図である。
【符号の説明】
８ 開口部 ９ 平坦部 １１ 表示領域 ２０ 第１基板 ２２ 第１端子電極層 ２４ ゲート絶縁層 ２６ 第２端子電極層 ２８ ＩＴＯ層 ２９ 段差 ３０ 第１保護層 ３２ 金属層 ３６ 対向電極の端子 ３８ 導電ペースト ５０ 第２保護層 ９５ 周辺領域 ２０２ ゲート端子部 ２０４ ソース端子部 ２０６ 回路基板端子部 ２０８ コモン転移電極部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 稲田 紀世史 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１および第２基板と、該第１および第
    ２基板によって挟持された表示媒体層とを有し、該第１
    および第２基板は該表示媒体層に電圧を印加するための
    第１および第２電極をそれぞれ有し、該第１基板は、該
    第１基板の該表示媒体層側に、該第２基板側から入射す
    る光を反射する反射部と、該第１および第２電極に電圧
    を供給するための複数の端子部を有し、該複数の端子部
    の少なくとも１つの端子部は、ＩＴＯからなる最上層を
    有し、該最上層の上面はその平坦部のみが露出されてい
    る、反射型液晶表示装置の製造方法であって、 該第１基板上に、ＩＴＯ層を形成する工程と、 該ＩＴＯ層をパターニングすることによって、該少なく
    とも１つの端子部の該最上層を形成する工程と、 該パターニングされたＩＴＯ層を覆う第１保護層を形成
    する工程と、 該第１保護層を覆うアルミニウムを主成分とする金属層
    を形成する工程と、 該金属層および該第１保護層の少なくとも一部を除去す
    ることによって、該金属層からなる該反射部を形成する
    とともに、該少なくとも１つの端子部の該最上層の上面
    の平坦部のみを露出させる工程と、を包含し、 該第１保護層形成工程において該第１保護層と該少なく
    とも１つの端子部の該最上層の上面とが該平坦部のみで
    接するように、該少なくとも１つの端子部において該少
    なくとも１つの端子部の該最上層の上面は、その平坦部
    のみが露出されている、反射型液晶表示装置の製造方
    法。
  2. 【請求項２】 第１および第２基板と、該第１および第
    ２基板によって挟持された表示媒体層とを有し、該第１
    および第２基板は該表示媒体層に電圧を印加するための
    複数の反射絵素電極および該複数の反射絵素電極に対向
    する単一の対向電極をそれぞれ有し、 該第１基板は、該第１基板の該表示媒体層側に、該複数
    の反射絵素電極のそれぞれに接続された薄膜トランジス
    タ；該薄膜トランジスタに接続されたゲート信号配線；
    ソース信号配線；該ゲート信号配線に走査信号を供給す
    るためのゲート端子部；該ソース信号配線に表示信号を
    供給するためのソース端子部；該対向電極に共通信号を
    供給するためのコモン転移端子部を有し、 該薄膜トランジスタは、該ゲート信号配線に接続された
    ゲート電極と、該ソース信号配線に接続されたソース電
    極と、該複数の反射絵素電極に接続されたドレイン電極
    とを有し、 該ゲート端子部、該ソース端子部および、該コモン転移
    端子部のうちの少なくとも１つの端子部は、ＩＴＯから
    なる最上層を有し、該最上層の上面はその平坦部のみが
    露出されている、反射型液晶表示装置の製造方法であっ
    て、 該第１基板上に、第１導電層を形成する工程と、 該第１導電層をパターニングすることによって該ゲート
    信号配線および該ゲート電極を形成する工程と、 該ゲート信号配線および該ゲート電極を少なくとも覆う
    ゲート絶縁層を該第１基板のほぼ全面に堆積する工程
    と、 該第１基板上に、ＩＴＯ層を形成する工程と、 該ＩＴＯ層をパターニングすることによって、該少なく
    とも１つの端子部の該最上層を形成する工程と、 該パターニングされたＩＴＯ層を覆う第１保護層を形成
    する工程と、 該第１保護層を覆うアルミニウムを主成分とする金属層
    を形成する工程と、 該金属層および該第１保護層の少なくとも一部を除去す
    ることによって、該金属層からなる該反射絵素電極を形
    成するとともに、該少なくとも１つの端子部の該最上層
    の上面の平坦部のみを露出させる工程と、を包含し、 該第１保護層形成工程において該第１保護層と該少なく
    とも１つの端子部の該最上層の上面とが該平坦部のみで
    接するように、該少なくとも１つの端子部において該少
    なくとも１つの端子部の該最上層の上面は、その平坦部
    のみが露出されている、反射型液晶表示装置の製造方
    法。
  3. 【請求項３】 第１および第２基板と、該第１および第
    ２基板によって挟持された表示媒体層とを有し、該第１
    および第２基板は該表示媒体層に電圧を印加するための
    複数の反射絵素電極および該複数の反射絵素電極に対向
    する単一の対向電極をそれぞれ有し、 該第１基板は、該第１基板の該表示媒体層側に、該複数
    の反射絵素電極のそれぞれに接続された薄膜トランジス
    タ；該薄膜トランジスタに接続されたゲート信号配線；
    ソース信号配線；該ゲート信号配線に走査信号を供給す
    るためのゲート端子部；該ソース信号配線に表示信号を
    供給するためのソース端子部；該対向電極に共通信号を
    供給するためのコモン転移端子部を有し、 該薄膜トランジスタは、該ゲート信号配線に接続された
    ゲート電極と、該ソース信号配線に接続されたソース電
    極と、該複数の反射絵素電極に接続されたドレイン電極
    とを有し、 該ゲート端子部、該ソース端子部および、該コモン転移
    端子部のうちの少なくとも１つの端子部は、ＩＴＯから
    なる最上層を有し、該最上層の上面はその平坦部のみが
    露出されている、反射型液晶表示装置の製造方法であっ
    て、 該第１基板上に、第１導電層を形成する工程と、 該第１導電層をパターニングすることによって該ゲート
    信号配線および該ゲート電極を形成する工程と、 該ゲート信号配線および該ゲート電極を少なくとも覆う
    ゲート絶縁層を該第１基板のほぼ全面に堆積する工程
    と、 該少なくとも１つの端子部の該ゲート絶縁層に開口部を
    形成する工程と、 該第１基板上に、ＩＴＯ層を形成する工程と、 該ＩＴＯ層をパターニングすることによって、該少なく
    とも１つの端子部の該最上層を形成する工程と、 該パターニングされたＩＴＯ層を覆う第１保護層を形成
    する工程と、 該第１保護層を覆うアルミニウムを主成分とする金属層
    を形成する工程と、 該金属層および該第１保護層の少なくとも一部を除去す
    ることによって、該金属層からなる該反射絵素電極を形
    成するとともに、該少なくとも１つの端子部の該最上層
    の上面の平坦部のみを露出させる工程と、を包含し、 該第１保護層形成工程において該第１保護層と該少なく
    とも１つの端子部の該最上層の上面とが該平坦部のみで
    接するように、該少なくとも１つの端子部において該少
    なくとも１つの端子部の該最上層の上面は、その平坦部
    のみが露出され、 該ＩＴＯ層をパターニングする工程において形成される
    該少なくとも１つの端子部の該最上層は、該開口部に形
    成される、反射型液晶表示装置の製造方法。
  4. 【請求項４】 前記少なくとも１つの端子部の前記最上
    層は、その上面の周辺部に段差のある層であり、前記第
    １保護層形成工程の前に、該最上層の該上面の該周辺部
    の段差を覆い平坦部のみを露出する第２保護層を形成す
    る工程を更に包含する、請求項１および３のいずれかに
    記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
  5. 【請求項５】 前記少なくとも１つの端子部の前記最上
    層は、前記ゲート絶縁層上に形成され、該少なくとも１
    つの端子部以外の領域に設けられたスルーホールによっ
    て前記ゲート信号配線と接続されている、請求項２に記
    載の反射型液晶表示装置の製造方法。
  6. 【請求項６】 基板と、該基板上に形成され、ＩＴＯか
    らなる最上層を有し、該最上層の上面はその平坦部のみ
    が露出されている端子部を有する回路基板の製造方法で
    あって、 該第１基板上に、ＩＴＯ層を形成する工程と、 該ＩＴＯ層をパターニングすることによって、少なくと
    も該端子部の該最上層を形成する工程と、 該パターニングされたＩＴＯ層を覆う第１保護層を形成
    する工程と、 該第１保護層を覆うアルミニウムを主成分とする金属層
    を形成する工程と、 該金属層および該第１保護層の少なくとも一部を除去す
    ることによって、該端子部の該最上層の上面の平坦部の
    みを露出させる工程と、を包含し、 該第１保護層形成工程において該第１保護層と該少なく
    とも１つの端子部の該最上層の上面は該平坦部のみで接
    するように、該少なくとも１つの端子部において該少な
    くとも１つの端子部の該最上層の該上面は、その平坦部
    のみが露出されている、回路基板の製造方法。
  7. 【請求項７】 第１および第２基板と、該第１および第
    ２基板によって挟持された表示媒体層とを有し、該第１
    および第２基板は該表示媒体層に電圧を印加するための
    複数の反射絵素電極および該複数の反射絵素電極に対向
    する単一の対向電極をそれぞれ有し、 該第１基板は、該第１基板の該表示媒体層側に、ＩＴＯ
    層と、第１保護層と、該第１保護層上に形成されたアル
    ミニウムを主成分とする金属層からなる該複数の反射絵
    素電極のそれぞれに接続された薄膜トランジスタと、該
    薄膜トランジスタに接続されたゲート信号配線とソース
    信号配線とを有し、該ゲート信号配線に走査信号を供給
    するためのゲート端子部、該ソース信号配線に表示信号
    を供給するためのソース端子部および、該対向電極に共
    通信号を供給するためのコモン転移端子部を有する反射
    型液晶表示装置であって、 該ゲート端子部、該ソース端子部および、該コモン転移
    端子部のうちの少なくとも１つの端子部は、ＩＴＯから
    なる最上層を有し、該最上層の上面はその平坦部のみが
    露出され、 該ゲート信号配線およびゲート電極を少なくとも覆うゲ
    ート絶縁層を該第１基板に有し、 該少なくとも１つの端子部の該ゲート絶縁層に開口部を
    有し、 該少なくとも１つの端子部の該最上層は、該開口部に形
    成されている、反射型液晶表示装置。
  8. 【請求項８】 前記少なくとも１つの端子部の前記最上
    層は、その上面の周辺部に段差のある層であり、該最上
    層の該上面の該周辺部の段差を覆い平坦部のみを露出す
    る第２保護層を更に有する、請求項７に記載の反射型液
    晶表示装置。
  9. 【請求項９】 前記少なくとも１つの端子部の前記最上
    層は前記ソース信号配線と同一の材料からなる導電層上
    に形成されている、請求項７および８のいずれかに記載
    の反射型液晶表示装置。
  10. 【請求項１０】 前記少なくとも１つの端子部の前記最
    上層は、前記ゲート絶縁層の端部から約２μｍ以上内側
    に形成されている、請求項７に記載の反射型液晶表示装
    置。
  11. 【請求項１１】 第１および第２基板と、該第１および
    第２基板によって挟持された表示媒体層とを有し、該第
    １および第２基板は該表示媒体層に電圧を印加するため
    の複数の反射絵素電極および該複数の反射絵素電極に対
    向する単一の対向電極をそれぞれ有し、 該第１基板は、該第１基板の該表示媒体層側に、ＩＴＯ
    層と、第１保護層と、該第１保護層上に形成されたアル
    ミニウムを主成分とする金属層からなる該複数の反射絵
    素電極のそれぞれに接続された薄膜トランジスタと、該
    薄膜トランジスタに接続されたゲート信号配線とソース
    信号配線とを有し、該ゲート信号配線に走査信号を供給
    するためのゲート端子部、該ソース信号配線に表示信号
    を供給するためのソース端子部および、該対向電極に共
    通信号を供給するためのコモン転移端子部を有する反射
    型液晶表示装置であって、 該ゲート端子部、該ソース端子部および、該コモン転移
    端子部のうちの少なくとも１つの端子部は、ＩＴＯから
    なる最上層を有し、該最上層の上面はその平坦部のみが
    露出され、 該ゲート信号配線およびゲート電極を少なくとも覆うゲ
    ート絶縁層を該第１基板に有し、 該少なくとも１つの端子部の該最上層は、該ゲート絶縁
    層上に形成されており、該少なくとも１つの端子部以外
    の領域に設けられたスルーホールによって該ゲート信号
    配線と接続されている、反射型液晶表示装置。
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Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001201768A (ja) * 1999-11-11 2001-07-27 Samsung Electronics Co Ltd 反射透過複合形薄膜トランジスタ液晶表示装置
JP2002196703A (ja) * 2000-12-26 2002-07-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体素子の実装構造及びその構造を有する液晶表示装置
US6704075B2 (en) 2000-02-14 2004-03-09 Seiko Epson Corporation Color filter substrate, method of fabricating color filter substrate, liquid crystal device, method of fabricating liquid crystal device, and electronic apparatus
JP2004354496A (ja) * 2003-05-27 2004-12-16 Nec Lcd Technologies Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
JP2005189671A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Sony Corp ディスプレイ装置
JP2007500372A (ja) * 2003-07-29 2007-01-11 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 配線端子を具備する電子装置
JP2008090309A (ja) * 2006-10-02 2008-04-17 Samsung Electronics Co Ltd 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法
JP2008186025A (ja) * 2000-10-31 2008-08-14 Samsung Electronics Co Ltd 制御信号部及びその製造方法とこれを含む液晶表示装置及びその製造方法
CN100412658C (zh) * 2005-09-07 2008-08-20 中华映管股份有限公司 显示器以及覆晶玻璃封装结构
JP2008216954A (ja) * 2007-03-05 2008-09-18 Samsung Sdi Co Ltd 表示装置及び表示装置の製造方法
JP2010033090A (ja) * 2009-11-16 2010-02-12 Sony Corp ディスプレイ装置
WO2011016287A1 (ja) * 2009-08-04 2011-02-10 シャープ株式会社 アクティブマトリックス基板、液晶表示パネル、液晶表示装置およびアクティブマトリックス基板の製造方法
WO2011016286A1 (ja) * 2009-08-04 2011-02-10 シャープ株式会社 アクティブマトリックス基板、液晶表示パネル、液晶表示装置およびアクティブマトリックス基板の製造方法
JP2011197696A (ja) * 2003-10-28 2011-10-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
WO2015166651A1 (ja) * 2014-05-02 2015-11-05 株式会社Ｊｏｌｅｄ 薄膜トランジスタ装置、及びそれを用いた表示装置
JP2016200659A (ja) * 2015-04-08 2016-12-01 株式会社ジャパンディスプレイ トランジスタ基板および表示装置
CN109461372A (zh) * 2017-09-06 2019-03-12 三星显示有限公司 用于显示装置的盖窗和该盖窗的制造方法

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BR9406715A (pt) 1993-05-12 1996-02-06 Genetics Inst Molécula de DNA isolada célula hospedeira vetor método para produzir uma proteina (BMP-11) polipeptideo de proteina-11 morfogenética de osso purificada (BMP-11) e molécula de DNA quimérica
US6027919A (en) 1993-12-07 2000-02-22 Genetics Institute, Inc. BMP-12 and BMP-13 proteins and DNA encoding them
JP3119228B2 (ja) * 1998-01-20 2000-12-18 日本電気株式会社 液晶表示パネル及びその製造方法
US6965422B2 (en) * 1998-07-24 2005-11-15 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
JP4627843B2 (ja) * 1999-07-22 2011-02-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2001053283A (ja) 1999-08-12 2001-02-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
KR100685296B1 (ko) * 1999-12-31 2007-02-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
JP4783890B2 (ja) 2000-02-18 2011-09-28 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
TWI290252B (en) * 2000-02-25 2007-11-21 Sharp Kk Liquid crystal display device
JP2001257350A (ja) 2000-03-08 2001-09-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US7292300B2 (en) 2000-10-31 2007-11-06 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display with radially-inclined liquid crystal in unit solid portions arranged in a single direction
JP2002328396A (ja) * 2001-04-26 2002-11-15 Nec Corp 液晶表示装置及びその製造方法
JP4876341B2 (ja) * 2001-07-13 2012-02-15 日本電気株式会社 アクティブマトリクス基板及びその製造方法
JP3895952B2 (ja) * 2001-08-06 2007-03-22 日本電気株式会社 半透過型液晶表示装置及びその製造方法
US7209107B2 (en) * 2002-11-06 2007-04-24 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and manufacturing method for the same
US20070040970A1 (en) * 2002-11-12 2007-02-22 Kenichiro Yoshioka Contrast ratio improving method for liquid crystal projector
US7361027B2 (en) * 2002-12-25 2008-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Contact structure, display device and electronic device
JP4338511B2 (ja) 2003-12-24 2009-10-07 シャープ株式会社 液晶表示装置
KR100680103B1 (ko) * 2004-02-02 2007-02-28 샤프 가부시키가이샤 액정 표시 장치
JP4526415B2 (ja) * 2004-03-15 2010-08-18 シャープ株式会社 表示装置及び表示装置用ガラス基板
JP3891995B2 (ja) 2004-04-26 2007-03-14 シャープ株式会社 液晶表示装置
US8111356B2 (en) 2006-09-12 2012-02-07 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display panel provided with microlens array, method for manufacturing the liquid crystal display panel, and liquid crystal display device
US8174641B2 (en) 2006-09-28 2012-05-08 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display panel with microlens array, its manufacturing method, and liquid crystal display device
US8068201B2 (en) * 2006-12-18 2011-11-29 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display having particular auxiliary electrode
WO2008084589A1 (ja) 2007-01-11 2008-07-17 Sharp Kabushiki Kaisha マイクロレンズアレイ付き液晶表示パネル及び液晶表示装置
US20100118227A1 (en) * 2007-03-28 2010-05-13 Satoshi Shibata Liquid cystal display panel with microlens array and method for manufacturing the same
TWI485939B (zh) * 2012-10-29 2015-05-21 Delta Electronics Inc 模組化的連接器
WO2019124307A1 (ja) * 2017-12-20 2019-06-27 住友電気工業株式会社 プリント配線板の製造方法及び積層体

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4370405A (en) * 1981-03-30 1983-01-25 Hewlett-Packard Company Multilayer photoresist process utilizing an absorbant dye
JP3023052B2 (ja) 1994-05-31 2000-03-21 シャープ株式会社 表示用基板
JP3881092B2 (ja) * 1997-07-10 2007-02-14 シチズン時計株式会社 液晶表示パネル
US5591480A (en) * 1995-08-21 1997-01-07 Motorola, Inc. Method for fabricating metallization patterns on an electronic substrate
JP3646999B2 (ja) 1995-09-28 2005-05-11 シャープ株式会社 透過型液晶表示装置
KR0186206B1 (ko) * 1995-11-21 1999-05-01 구자홍 액정표시소자 및 그의 제조방법
KR980003731A (ko) * 1996-06-11 1998-03-30 김광호 표시 패널용 정전 파괴 보호 장치 및 그 제조 방법
KR100251091B1 (ko) * 1996-11-29 2000-04-15 구본준 액정표시장치의 제조방법 및 그 제조방법으로 제조되는 액정표시장치
KR100272556B1 (ko) * 1997-04-10 2000-11-15 구본준 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100257811B1 (ko) * 1997-10-24 2000-06-01 구본준 액정표시장치의 기판의 제조방법

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001201768A (ja) * 1999-11-11 2001-07-27 Samsung Electronics Co Ltd 反射透過複合形薄膜トランジスタ液晶表示装置
US6704075B2 (en) 2000-02-14 2004-03-09 Seiko Epson Corporation Color filter substrate, method of fabricating color filter substrate, liquid crystal device, method of fabricating liquid crystal device, and electronic apparatus
JP2008186025A (ja) * 2000-10-31 2008-08-14 Samsung Electronics Co Ltd 制御信号部及びその製造方法とこれを含む液晶表示装置及びその製造方法
JP2002196703A (ja) * 2000-12-26 2002-07-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体素子の実装構造及びその構造を有する液晶表示装置
JP2004354496A (ja) * 2003-05-27 2004-12-16 Nec Lcd Technologies Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
JP2007500372A (ja) * 2003-07-29 2007-01-11 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 配線端子を具備する電子装置
JP2011197696A (ja) * 2003-10-28 2011-10-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
JP2005189671A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Sony Corp ディスプレイ装置
CN100412658C (zh) * 2005-09-07 2008-08-20 中华映管股份有限公司 显示器以及覆晶玻璃封装结构
JP2008090309A (ja) * 2006-10-02 2008-04-17 Samsung Electronics Co Ltd 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法
JP2008216954A (ja) * 2007-03-05 2008-09-18 Samsung Sdi Co Ltd 表示装置及び表示装置の製造方法
US7723134B2 (en) 2007-03-05 2010-05-25 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Method of manufacturing display device
JPWO2011016286A1 (ja) * 2009-08-04 2013-01-10 シャープ株式会社 アクティブマトリックス基板、液晶表示パネル、液晶表示装置およびアクティブマトリックス基板の製造方法
WO2011016286A1 (ja) * 2009-08-04 2011-02-10 シャープ株式会社 アクティブマトリックス基板、液晶表示パネル、液晶表示装置およびアクティブマトリックス基板の製造方法
WO2011016287A1 (ja) * 2009-08-04 2011-02-10 シャープ株式会社 アクティブマトリックス基板、液晶表示パネル、液晶表示装置およびアクティブマトリックス基板の製造方法
JPWO2011016287A1 (ja) * 2009-08-04 2013-01-10 シャープ株式会社 アクティブマトリックス基板、液晶表示パネル、液晶表示装置およびアクティブマトリックス基板の製造方法
JP2010033090A (ja) * 2009-11-16 2010-02-12 Sony Corp ディスプレイ装置
WO2015166651A1 (ja) * 2014-05-02 2015-11-05 株式会社Ｊｏｌｅｄ 薄膜トランジスタ装置、及びそれを用いた表示装置
US10020323B2 (en) 2014-05-02 2018-07-10 Joled Inc. Thin-film transistor device and display device using same
JP2016200659A (ja) * 2015-04-08 2016-12-01 株式会社ジャパンディスプレイ トランジスタ基板および表示装置
CN109461372A (zh) * 2017-09-06 2019-03-12 三星显示有限公司 用于显示装置的盖窗和该盖窗的制造方法

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