JPH11248573A - 半導体圧力センサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 構成部品点数を少なくして、組立工数を減ら
し、組立コストを低減することができ、温度変化による
オイルの容積変動を抑えることができ、オイルの封入を
し易くすることができる半導体圧力センサを提案するこ
と。 【解決手段】 収容凹部１２内に絶縁材６０を注ぎ、絶
縁材６０で半導体感圧チップ２０、ワイヤ５５および、
リード端子５０を封止し、収容凹部１２の開口１４をメ
タルダイアフラム３０で閉塞した後に、絶縁材６０とメ
タルダイアフラム３０との間に生じた間隙にオイル４０
を充填するようにし、ワイヤ５５の振動やメタルダイア
フラム３０の変位の際に、ワイヤ５５やリード端子５０
がメタルダイアフラム３０に直接触れることがなく、シ
ョートが発生する要因をなくすようにした。また、間隙
にオイル４０を単に充填するだけで良いようにした。さ
らに、既に絶縁材６０が収容凹部１２に所定量注がれて
いるので、その分だけ、オイル４０の充填量が少なくて
済み、温度変化によるオイル４０の容積変動を抑えるよ
うにした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ステムの収容凹部
内に台座を介して半導体感圧チップが搭載され、該半導
体感圧チップの受圧表面が前記収容凹部の開口に向けら
れており、前記収容凹部の開口をメタルダイアフラムで
閉塞し、該メタルダイアフラムと前記収容凹部とで囲ま
れた空間にオイルを充填して成る半導体圧力センサに関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来の半導体圧力センサとしては、例え
ば、特開平５−３３２８６６号公報に開示されたものが
ある。同公報に開示された従来の半導体圧力センサは、
ステムに台座ガラスを介して感圧チップが接合され、感
圧チップとリード端子との間にワイヤがワイヤボンディ
ングされ、このステムには金属製ケースが接合され、金
属ケースの収容空間の開口が金属製シールダイアフラム
で閉塞され、中仕切壁により、収容空間が金属シールダ
イアフラム側の空間と感圧チップ側の空間とに隔離さ
れ、金属ケースの内面が絶縁被膜で覆われ、中仕切壁を
含む金属ケースの内面がリード端子やワイヤに直接触れ
た場合にもショートの発生をなくすことができる。

【０００３】それにより、中仕切壁をワイヤに触れる程
度に低くすることができ、金属ケースの径や高さ寸法を
小さく設計して感圧チップ側の空間内に封入されるオイ
ルの封入量を少なくして、オイルの熱膨張、収縮に伴う
内圧変動を低めて、圧力センサの測定精度を向上させて
いる。

【０００４】また、中仕切壁には衝撃圧力波に対する緩
衝穴が穿設され、緩衝穴を通ってオイルが金属シールダ
イアフラム側の空間と感圧チップ側の空間とに移動可能
になっている。それにより、感圧チップに加わる急激な
圧力上昇を緩和するようになっている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の半導体圧力センサでは、金属ケースに中仕切
壁を設ける必要があり、また、中仕切壁を含む金属ケー
スの内面を絶縁被膜で覆う必要があるから、構成部品点
数が多く、組立工数の増加になり、組立コストが嵩む。

【０００６】また、金属ケースの径や高さ寸法を小さく
設計して感圧チップ側の空間容積を小さくして、オイル
の充填量を少なくしているが、オイルが感圧チップ側の
空間内に封入される構成であることには変わりなく、そ
の分だけオイルの充填量が増え、熱膨張によるオイルの
容積変動が生じ易くなる。

【０００７】さらに、中仕切壁により金属シールダイア
フラム側の空間と感圧チップ側の空間とに分離され、金
属シールダイアフラム側の空間に注がれたオイルが緩衝
穴を通って感圧チップ側の空間に封入される構成である
ため、緩衝穴は、急激な圧力上昇の緩和の機能および、
感圧チップ側の空間へのオイルの封入の機能の両方を有
しており、急激な圧力上昇の緩和の機能を向上すべく緩
衝穴の形状を決定すると、感圧チップ側の空間へオイル
を封入し難い構成になるという問題点があった。

【０００８】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、構成部品点数を少なくして、組立工数を減らし、組
立コストを低減することができ、また、温度変化による
オイルの容積変動を抑えることができ、さらに、オイル
の封入をし易くすることができる半導体圧力センサを提
案しようとするものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明により成された請求項１に記載の半導体圧力セ
ンサは、ステム１０の収容凹部１２内に台座２５を介し
て半導体感圧チップ２０が搭載され、該半導体感圧チッ
プ２０の受圧表面が前記収容凹部１２の開口１４に向け
られており、前記収容凹部１２の開口１４をメタルダイ
アフラム３０で閉塞し、該メタルダイアフラム３０と前
記収容凹部１２とで囲まれた空間にオイル４０を充填し
て成る半導体圧力センサにおいて、前記ステム１０の収
容凹部１２内にはリード端子５０が露出しており、前記
リード端子５０と前記半導体感圧チップ２０とは、ワイ
ヤ５５により接続されており、前記半導体感圧チップ２
０、前記ワイヤ５５および、前記リード端子５０は、前
記収容凹部１２内に注がれる絶縁材６０で封止されてお
り、前記オイル４０は、前記絶縁材６０と前記メタルダ
イアフラム３０との間の間隙に充填されるようにした。

【００１０】以上の構成において、半導体圧力センサの
組立は、ステム１０の収容凹部１２内に台座２５を介し
て半導体感圧チップ２０を搭載する。このとき、半導体
感圧チップ２０の受圧表面は収容凹部１２の開口１４に
向けられている。また、ステム１０の収容凹部１２内に
リード端子５０を露出させる。

【００１１】次に、リード端子５０と半導体感圧チップ
２０とをワイヤ５５により接続し、収容凹部１２内に絶
縁材６０を注ぎ、絶縁材６０で半導体感圧チップ２０、
ワイヤ５５および、リード端子５０を封止する。さら
に、収容凹部１２の開口１４をメタルダイアフラム３０
で閉塞する。最後に、この絶縁材６０とメタルダイアフ
ラム３０との間に生じた間隙にオイル４０を充填する。

【００１２】絶縁材６０で半導体感圧チップ２０、ワイ
ヤ５５および、リード端子５０を封止しているので、ワ
イヤ５５の振動やメタルダイアフラム３０の変位の際
に、ワイヤ５５やリード端子５０がメタルダイアフラム
３０に直接触れることがなく、ショートが発生する要因
をなくすことができる。それにより、従来技術の如く、
中仕切壁や中仕切壁の対向面を覆うための絶縁被膜を設
ける必要がなく、部品点数を減らすことができる。ま
た、絶縁材６０とメタルダイアフラム３０との間に生じ
た間隙にオイル４０を充填するだけでよく、オイル４０
の充填をし易くすることができる。

【００１３】さらに、既に絶縁材６０が収容凹部１２に
所定量注がれているので、その分だけ、オイル４０の充
填量が少なくて済み、温度変化によるオイル４０の容積
変動を抑えることができる。

【００１４】また本発明により成された請求項２に記載
の半導体圧力センサは、ステム１０の収容凹部１２内に
台座２５を介して半導体感圧チップ２０が搭載され、該
半導体感圧チップ２０の受圧表面が前記収容凹部１２の
開口１４に向けられており、前記収容凹部１２の開口１
４をメタルダイアフラム３０で閉塞し、該メタルダイア
フラム３０と前記収容凹部１２とで囲まれた空間にオイ
ル４０を充填して成る半導体圧力センサにおいて、前記
ステム１０の収容凹部１２は、溝底の深い第１溝１６
と、溝底の浅い第２溝１８とを有し、前記収容凹部１２
の第１溝１６内には前記半導体感圧チップ２０が搭載さ
れており、前記収容凹部１２の第２溝１８の溝底にはリ
ード端子５０が露出しており、前記半導体感圧チップ２
０の受圧表面と前記リード端子５０とは、ほぼ同じ高さ
に位置しており、前記リード端子５０と前記半導体感圧
チップ２０とは、ワイヤ５５により接続されており、前
記半導体感圧チップ２０、前記リード端子５０および、
前記ワイヤ５５は、前記収容凹部１２に注入される絶縁
材６０で封止されており、前記オイル４０は、前記絶縁
材６０と前記メタルダイアフラム３０との間の間隙に充
填されるようにした。

【００１５】以上の構成において、半導体圧力センサの
組立は、収容凹部１２の溝底の深い第１溝１６内に半導
体感圧チップ２０を搭載する。また、収容凹部１２の浅
い方の第２溝１８の溝底にリード端子５０を露出させ
る。このとき、半導体感圧チップ２０の受圧表面とリー
ド端子５０とはほぼ同じ高さに位置している。また、ワ
イヤ５５は、半導体感圧チップ２０とリード端子５０と
の間に略水平に延ばされていて、同じく、半導体感圧チ
ップ２０の受圧表面と同じ高さに位置している。

【００１６】それにより、絶縁材６０を収容凹部１２に
注入していくとき、絶縁材６０が半導体感圧チップ２０
の受圧表面を封止すれば、同時に、リード端子５０およ
びワイヤ５５を封止することができ、絶縁材６０をさら
に注入する必要がなく、絶縁材６０の使用量を少なくす
ることができる。また、第１溝１６の溝壁と半導体感圧
チップ２０との間の隙間をできるだけ小さくしておけ
ば、第１溝１６への絶縁材６０の使用量をさらに少なく
することができる。

【００１７】絶縁材６０で半導体感圧チップ２０の受圧
表面、リード端子５０および、ワイヤ５５を封止した後
に、収容凹部１２の開口１４をメタルダイアフラム３０
で閉塞し、絶縁材６０とメタルダイアフラム３０との間
に生じた間隙にオイル４０を充填するだけでよく、同じ
く、オイル４０の充填をし易くすることができる。

【００１８】さらに本発明により成された請求項３に記
載の半導体圧力センサは、前記ステム１０および前記絶
縁材６０には、前記ステム１０の外部と前記間隙とに通
じる充填用通路１９，６９が開設されており、前記充填
用通路１９，６９は、前記オイル４０の充填後に閉止さ
れるようにした。

【００１９】以上の構成において、絶縁材６０とメタル
ダイアフラム３０との間に生じた間隙にオイル４０を充
填するには、ステム１０の外部から充填用通路１９，６
９を通して間隙にオイル４０を充填していけば良い。オ
イル４０の充填後に充填用通路１９，６９を閉止する。

【００２０】絶縁材６０側に開設される充填用通路１
９，６９は、例えば、充填用通路１９，６９の断面形状
に相当する軸断面を有する軸状部材を、絶縁材６０の封
止前に差し込み、封止後に抜き出して形成される。

【００２１】充填用通路１９，６９を設けたことによ
り、例えば、充填用通路１９，６９の途中に閉止位置を
設けておけば、前記間隙がオイル４０で充填された後
に、オイル４０が充填用通路１９，６９を通って閉止位
置に達し、さらに閉止位置から溢れるようになる。その
後、閉止位置にて充填用通路１９，６９を閉止し、閉止
位置から溢れたオイル４０をステム１０の外部へ排出さ
せれば、適正な量のオイル４０を前記間隙に確実に充填
することができる。

【００２２】さらに本発明により成された請求項４に記
載の半導体圧力センサは、前記メタルダイアフラム３０
の周縁部は、前記収容凹部１２の開口１４の周縁部に拡
げられており、前記収容凹部１２の開口１４の周縁部に
は、該周縁部に沿うようにリング３５が配されており、
前記メタルダイアフラム３０の周縁部は、前記収容凹部
１２の開口１４の周縁部と前記リング３５とに挟まれた
状態で、前記リング３５と共に、前記収容凹部１２の開
口１４の周縁部に溶着されているようにした。

【００２３】以上の構成において、収容凹部１２の開口
１４を閉塞するためのメタルダイアフラム３０の周縁部
は、収容凹部１２の開口１４の周縁部とリング３５とに
挟まれた状態で、リング３５と共に、収容凹部１２の開
口１４の周縁部に溶着されているので、メタルダイアフ
ラム３０を所定の高さ位置に容易かつ確実に固定するこ
とができる。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、図面に基づき本発明の一実
施形態を説明する。図１に半導体圧力センサの要部断面
を示す。図２に半導体感圧チップ２０の要部断面を示
す。本半導体圧力センサは、ステム１０、半導体感圧チ
ップ２０、シールダイアフラムであるメタルダイアフラ
ム３０、オイル（例えばシリコーンオイル）４０、外部
引出し用端子であるリード端子５０及び、絶縁材（例え
ばシリコーン樹脂）６０を有して成る。

【００２５】ステム１０は、中央部に収容凹部１２が形
成されている。収容凹部１２は、溝底の深い第１溝１６
と、第１溝１６の周りに溝底の浅い第２溝１８とを有し
ている。また、ステム１０には、ステム１０の外部から
収容凹部１２内に挿通する挿通孔１３および、充填用通
路１９がそれぞれ穿設されている。

【００２６】挿通孔１３および充填用通路１９は、ステ
ム１０の底面部から第２溝１８の溝底に向かって穿設さ
れている。また、ステム１０の外周にはフランジ１５が
形成され、フランジ１５には、プロジェクション溶接用
突起１５ａが凸設されている。

【００２７】収容凹部１２の第１溝１６内にはPyrexGla
ssである台座２５を介して半導体感圧チップ２０が搭載
されている。半導体感圧チップ２０は、その受圧表面を
収容凹部１２の開口１４に向けて搭載される。半導体感
圧チップ２０は、シリコン単結晶にダイアフラムを作
り、ダイアフラムの表面である受圧表面にゲージ抵抗形
成した圧力センサであり、半導体感圧チップ２０と台座
２５は、真空中にて陽極接合されている。

【００２８】挿通孔１３は、小さい孔径の中央部からス
テム１０の底面部および第２溝１８の溝底にそれぞれ向
かって徐々に大きな孔径に形成されている。挿通孔１３
にはリード端子５０が挿通している。挿通孔１３の孔壁
とリード端子５０との間の隙間には、ガラスハーメック
シール１７が充填されている。

【００２９】収容凹部１２の第２溝１８の溝底にはリー
ド端子５０が露出している。露出したリード端子５０
と、半導体感圧チップ２０の受圧表面とは、ほぼ同じ高
さに位置していて、そのリード端子５０と半導体感圧チ
ップ２０とは、ボンディングワイヤであるワイヤ（Ａｕ
ワイヤ）５５で接続されている。

【００３０】半導体感圧チップ２０、前記リード端子５
０および、前記ワイヤ５５は、前記収容凹部１２に滴下
され、加熱硬化する絶縁材６０で封止されている。絶縁
材６０の封止時に、軸状部材（図示省略）を充填用通路
１９に挿通すると共に、絶縁材６０の液面から上方に突
き出させ、封止後に抜き出すことにより、充填用通路１
９，６９の各通路が確保される。

【００３１】収容凹部１２の開口１４は、メタルダイア
フラム３０によって閉塞される。メタルダイアフラム３
０の周縁部は、収容凹部１２の開口１４の周縁部に沿う
ように配されるリング３５と、収容凹部１２の開口１４
の周縁部とに挟まれた状態で、リング３５と共に、収容
凹部１２の開口１４の周縁部にレーザ溶接される。

【００３２】オイル４０は、ステム１０の底面部側から
充填用通路１９，６９を通って、絶縁材６０とメタルダ
イアフラム３０との間の間隙に充填される。オイル４０
の充填後に充填用通路１９，６９はＳＵＳ球１９ａによ
り閉止される。充填用通路１９は、小径の孔部と大径の
孔部とからなり、小径の孔部と大径の孔部との間の段差
部が閉止位置になっている。

【００３３】以上の構成において、半導体圧力センサの
組立は、収容凹部１２の溝底の深い第１溝１６内に半導
体感圧チップ２０を搭載する。このとき、半導体感圧チ
ップ２０の受圧表面は収容凹部１２の開口１４に向けら
れている。

【００３４】また、収容凹部１２の浅い第２溝１８の溝
底にリード端子５０を露出させる。このとき、半導体感
圧チップ２０の受圧表面とリード端子５０とはほぼ同じ
高さに位置している。次に、リード端子５０と半導体感
圧チップ２０とをワイヤ５５により接続する。それによ
り、ワイヤ５５は、半導体感圧チップ２０とリード端子
５０との間に略水平に延ばされていて、同じく、半導体
感圧チップ２０の受圧表面と同じ高さに位置する。

【００３５】絶縁材６０を収容凹部１２に滴下し、加熱
硬化させる。このとき、リード端子５０とワイヤ５５と
が半導体感圧チップ２０と同じ高さ位置にあるために、
絶縁材６０が半導体感圧チップ２０の受圧表面を封止す
れば、同時に、リード端子５０および、ワイヤ５５を封
止することができ、絶縁材６０をさらに滴下する必要が
なく、絶縁材６０の使用量を少なくすることができる。
また、第１溝１６の溝壁と半導体感圧チップ２０および
台座２５の各周壁との間の隙間が広くないので、第１溝
１６への絶縁材６０の使用量は、この点からも少なくて
済む。

【００３６】絶縁材６０の封止時には、充填用通路１
９，６９を確保すべく、例えば、充填用通路１９，６９
の断面形状に相当する軸断面を有する軸状部材を、絶縁
材６０の封止前に差し込み、封止後に抜き出す。

【００３７】絶縁材６０で半導体感圧チップ２０の受圧
表面、リード端子５０および、ワイヤ５５を封止した後
に、収容凹部１２の開口１４をメタルダイアフラム３０
で閉塞する。収容凹部１２の開口１４を閉塞するための
メタルダイアフラム３０の周縁部は、収容凹部１２の開
口１４の周縁部とリング３５とに挟まれた状態で、リン
グ３５と共に、収容凹部１２の開口１４の周縁部にレー
ザ溶接されているので、メタルダイアフラム３０を所定
の高さ位置に容易かつ確実に固定することができる。

【００３８】絶縁材６０で半導体感圧チップ２０、ワイ
ヤ５５および、リード端子５０を封止しているので、ワ
イヤ５５の振動やメタルダイアフラム３０の変位の際
に、ワイヤ５５やリード端子５０がメタルダイアフラム
３０に直接触れることがなく、ショートが発生する要因
をなくすことができる。それにより、ショートの発生を
防止するための絶縁被膜などをメタルダイアフラム３０
とリード端子５０やワイヤ５５との間に介在させる必要
がない。

【００３９】次に、オイル４０をステム１０の底面部か
ら充填用通路１９，６９に通して絶縁材６０とメタルダ
イアフラム３０との間に生じた間隙に充填する。絶縁材
６０とメタルダイアフラム３０との間に生じた間隙に少
量のオイル４０を充填するだけでよく、オイルの充填量
が少ない分だけ、温度変化によるオイルの容積変動を抑
えることができる。また、オイル４０の充填をし易くす
ることができる。

【００４０】オイル４０は、前記間隙に充填された後、
充填用通路１９，６９を通って閉止位置に達し、さらに
閉止位置から溢れるようになる。この状態で、充填用通
路１９，６９をＳＵＳ球１９ａで閉止した後、閉止位置
から溢れた余剰のオイル４０をステム１０の外部へ排出
する。それにより、適正な量のオイル４０を前記間隙に
確実に充填することができる。

【００４１】前記実施形態では、収容凹部１２は、第１
溝１６と第２溝１８とからなるものを示したが、これに
限らず、例えば、溝底の深い凹部のみとし、リード端子
を半導体感圧チップの受圧表面の高さまで突設させても
良い。また、充填用通路１９，６９をステム１０の底面
部から前記間隙に通じるように形成したが、これに限ら
ず、充填用通路を例えば、ステム１０の外周壁から前記
間隙に通じるように構成しても良い。

【００４２】

【発明の効果】上述のように請求項１に記載の発明によ
れば、収容凹部内に絶縁材を注ぎ、絶縁材で半導体感圧
チップ、ワイヤおよび、リード端子を封止し、収容凹部
の開口をメタルダイアフラムで閉塞した後に、絶縁材と
メタルダイアフラムとの間に生じた間隙にオイルを充填
するようにしたので、ワイヤの振動やメタルダイアフラ
ムの変位の際に、ワイヤやリード端子がメタルダイアフ
ラムに直接触れることがなく、ショートが発生する要因
をなくすことができ、ショートを防ぐべく例えば絶縁被
膜を設ける必要がなく、部品点数を減らすことができ
る。また、間隙にオイルを単に充填するだけでよく、オ
イルの充填をし易くすることができる。さらに、既に絶
縁材が収容凹部に所定量注がれているので、その分だ
け、オイルの充填量が少なくて済み、温度変化によるオ
イルの容積変動を抑えることができる。

【００４３】また請求項２に記載の発明によれば、リー
ド端子とワイヤとは、半導体感圧チップの受圧表面と同
じ高さに位置しているので、絶縁材を収容凹部に注入し
ていくとき、絶縁材が半導体感圧チップの受圧表面を封
止すれば、同時に、リード端子および、ワイヤを封止す
ることができ、絶縁材の使用量を少なくすることができ
る。

【００４４】さらに請求項３に記載の発明によれば、絶
縁材とメタルダイアフラムとの間に生じた間隙にオイル
を充填するには、ステムの外部から充填用通路を通して
間隙にオイルを充填するが、充填用通路を設けたことに
より、例えば、充填用通路の途中の閉止位置からオイル
を溢れるようにした後に、閉止位置にて充填用通路を閉
止すれば、適正な量のオイルを前記間隙に確実に充填す
ることができる。

【００４５】さらに請求項４に記載の発明によれば、収
容凹部の開口を閉塞するためのメタルダイアフラムの周
縁部は、収容凹部の開口の周縁部とリングとに挟まれた
状態で、リングと共に、収容凹部の開口の周縁部に溶着
されているので、メタルダイアフラムを所定の高さ位置
に容易かつ確実に固定することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係る半導体圧力センサの
要部断面図である。

【図２】本発明の一実施形態に係る半導体感圧チップの
要部断面図である。

【符号の説明】

１０…ステム １２…収容凹部 １３…挿通孔 １５…フランジ １５ａ…プロジェクション溶接用突起 １６…第１溝 １７…ガラスハーメックシール １８…第２溝 １９，６９…充填用通路 １９ａ…ＳＵＳ球 ２０…半導体感圧チップ ２５…台座 ３０…メタルダイアフラム ３５…リング ４０…オイル ５０…リード端子 ５５…ワイヤ ６０…絶縁材

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ステムの収容凹部内に台座を介して半導
   体感圧チップが搭載され、該半導体感圧チップの受圧表
   面が前記収容凹部の開口に向けられており、前記収容凹
   部の開口をメタルダイアフラムで閉塞し、該メタルダイ
   アフラムと前記収容凹部とで囲まれた空間にオイルを充
   填して成る半導体圧力センサにおいて、 前記ステムの収容凹部内にはリード端子が露出してお
   り、 前記リード端子と前記半導体感圧チップとは、ワイヤに
   より接続されており、 前記半導体感圧チップ、前記ワイヤおよび、前記リード
   端子は、前記収容凹部内に注がれる絶縁材で封止されて
   おり、 前記オイルは、前記絶縁材と前記メタルダイアフラムと
   の間の間隙に充填されることを特徴とする半導体圧力セ
   ンサ。
2. 【請求項２】 ステムの収容凹部内に台座を介して半導
   体感圧チップが搭載され、該半導体感圧チップの受圧表
   面が前記収容凹部の開口に向けられており、前記収容凹
   部の開口をメタルダイアフラムで閉塞し、該メタルダイ
   アフラムと前記収容凹部とで囲まれた空間にオイルを充
   填して成る半導体圧力センサにおいて、 前記ステムの収容凹部は、溝底の深い第１溝と、溝底の
   浅い第２溝とを有し、 前記収容凹部の第１溝内には前記半導体感圧チップが搭
   載されており、 前記収容凹部の第２溝の溝底にはリード端子が露出して
   おり、 前記半導体チップの受圧表面と前記リード端子とは、ほ
   ぼ同じ高さに位置しており、 前記リード端子と前記半導体感圧チップとは、ワイヤに
   より接続されており、 前記半導体感圧チップ、前記リード端子および、前記ワ
   イヤは、前記収容凹部に注入される絶縁材で封止されて
   おり、 前記オイルは、前記絶縁材と前記メタルダイアフラムと
   の間の間隙に充填されることを特徴とする半導体圧力セ
   ンサ。
3. 【請求項３】 前記ステムおよび前記絶縁材には、前記
   ステムの外部と前記間隙とに通じる充填用通路が開設さ
   れており、 前記充填用通路は、前記オイルの充填後に閉止されるこ
   とを特徴とする請求項１または２に記載の半導体圧力セ
   ンサ。
4. 【請求項４】 前記メタルダイアフラムの周縁部は、前
   記収容凹部の開口の周縁部に拡げられており、 前記収容凹部の開口の周縁部には、該周縁部に沿うよう
   にリングが配されており、 前記メタルダイアフラムの周縁部は、前記収容凹部の開
   口の周縁部と前記リングとに挟まれた状態で、前記リン
   グと共に、前記収容凹部の開口の周縁部に溶着されてい
   ることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体圧
   力センサ。