JPH11248617A - 基板表面の汚染度検出方法及び基板表面の汚染度検出装置 - Google Patents
基板表面の汚染度検出方法及び基板表面の汚染度検出装置Info
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- JPH11248617A JPH11248617A JP6192398A JP6192398A JPH11248617A JP H11248617 A JPH11248617 A JP H11248617A JP 6192398 A JP6192398 A JP 6192398A JP 6192398 A JP6192398 A JP 6192398A JP H11248617 A JPH11248617 A JP H11248617A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シリコンウエハーや石英などの大型基板表面
の汚染度を効率的かつ精度良く非破壊で測定する手段は
なかった。 【解決手段】 冷却機能を有し、表面に複数個の小突起
を設け、該小突起上に検査対象である基板を載置するよ
うした平坦な冷却プレートと；前記冷却プレートの上方
に空間を隔てて位置し、前記冷却プレートに向けて平行
光線を照射する様にした光線照射装置と；冷却プレート
と光線照射装置との間の空間に上下移動可能に位置した
散乱光観測用カメラ；とからなり、前記散乱光観測用カ
メラが捉えた散乱リングから検査対象である基板表面の
汚染状況を検出する様にした。
の汚染度を効率的かつ精度良く非破壊で測定する手段は
なかった。 【解決手段】 冷却機能を有し、表面に複数個の小突起
を設け、該小突起上に検査対象である基板を載置するよ
うした平坦な冷却プレートと；前記冷却プレートの上方
に空間を隔てて位置し、前記冷却プレートに向けて平行
光線を照射する様にした光線照射装置と；冷却プレート
と光線照射装置との間の空間に上下移動可能に位置した
散乱光観測用カメラ；とからなり、前記散乱光観測用カ
メラが捉えた散乱リングから検査対象である基板表面の
汚染状況を検出する様にした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明はシリコンウエハー
や石英などの大型基板の洗浄技術に関するものであり、
特に大型基板表面の微小な汚染を効率的かつ精度良く検
出する技術に関するものである。
や石英などの大型基板の洗浄技術に関するものであり、
特に大型基板表面の微小な汚染を効率的かつ精度良く検
出する技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】シリコンウエハーや石英などは各種電子
素子の基板としてなくてはならぬものであり、これら基
板の表面に微小な汚染層が存在する場合には、基板とし
て所期の機能を発揮し得なくなる為、この微小な汚染層
を検出して除去することは極めて重要な技術である。
素子の基板としてなくてはならぬものであり、これら基
板の表面に微小な汚染層が存在する場合には、基板とし
て所期の機能を発揮し得なくなる為、この微小な汚染層
を検出して除去することは極めて重要な技術である。
【０００３】この基板の汚染を検出する方法として、従
来においては図１に示す様に検査対象である基板上に直
径数ミリ程度の液滴２を滴下し、その接触角θを測定
し、この接触角θの大きさから汚染度を検出する手法が
知られている。つまり、液滴の接触角θと汚染度とは相
関関係にあり、汚染度が高い程、その接触角θは大きく
なるので、この液滴２の接触角θの測定を基板１面内の
複数点で実施すれば、基板１面内の汚染分布を知ること
ができるのである。
来においては図１に示す様に検査対象である基板上に直
径数ミリ程度の液滴２を滴下し、その接触角θを測定
し、この接触角θの大きさから汚染度を検出する手法が
知られている。つまり、液滴の接触角θと汚染度とは相
関関係にあり、汚染度が高い程、その接触角θは大きく
なるので、この液滴２の接触角θの測定を基板１面内の
複数点で実施すれば、基板１面内の汚染分布を知ること
ができるのである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この様な液滴２の接触
角θの測定は、基板１表面の汚染度を感度良く測定でき
る手法ではあるが、基板１表面の多点測定は極めて時間
と手間がかかり、大型基板には向いていなかった。又、
接触角θの測定は極めて微妙で、測定者によって測定値
にばらつきが生じることは避けられず、不正確な結果が
出やすいといった欠点もあった。
角θの測定は、基板１表面の汚染度を感度良く測定でき
る手法ではあるが、基板１表面の多点測定は極めて時間
と手間がかかり、大型基板には向いていなかった。又、
接触角θの測定は極めて微妙で、測定者によって測定値
にばらつきが生じることは避けられず、不正確な結果が
出やすいといった欠点もあった。
【０００５】一方、ＥＳＣＡやＸＰＳといった化学分析
によって汚染度を測定する手法も存在するが、この場合
には真空チャンバー中に基板１を入れなければならない
為、大気中とは表面状態が異ってしまう欠点が存在して
いた。又、真空チャンバーは一般的に小さい為、測定対
象である基板１を小さく切断する必要があり、破壊検査
にならざろう得なかった。又、この場合には基板１の電
気伝導性に測定結果が大きく影響されるといった問題も
存在していた。一方、微粒子のレーザー散乱を利用した
パーティクルカウンターでは、基板１表面の凹凸は検出
できても、原理上、化学吸着による微小な有機汚染層の
検出は不可能であった。
によって汚染度を測定する手法も存在するが、この場合
には真空チャンバー中に基板１を入れなければならない
為、大気中とは表面状態が異ってしまう欠点が存在して
いた。又、真空チャンバーは一般的に小さい為、測定対
象である基板１を小さく切断する必要があり、破壊検査
にならざろう得なかった。又、この場合には基板１の電
気伝導性に測定結果が大きく影響されるといった問題も
存在していた。一方、微粒子のレーザー散乱を利用した
パーティクルカウンターでは、基板１表面の凹凸は検出
できても、原理上、化学吸着による微小な有機汚染層の
検出は不可能であった。
【０００６】この様に、シリコンウエハーや石英等の基
板表面の汚染度の検出は技術的にかなりむずかしかった
が、本発明者は鋭意研究を行った結果、基板表面に付着
した微小液滴からの散乱光によって生ずる散乱リングに
着目し、この散乱リングの形態から微小有機汚染層を含
め各種の汚染を効率良くかつ高精度で検出する手法を確
定し、その為の装置を開発し、ここに本件発明として提
案するものである。
板表面の汚染度の検出は技術的にかなりむずかしかった
が、本発明者は鋭意研究を行った結果、基板表面に付着
した微小液滴からの散乱光によって生ずる散乱リングに
着目し、この散乱リングの形態から微小有機汚染層を含
め各種の汚染を効率良くかつ高精度で検出する手法を確
定し、その為の装置を開発し、ここに本件発明として提
案するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、検査対象で
ある基板の表面に多数の微小液滴を付着させ、該基板の
上方あるいは下方からその微小液滴に向けて平行光線を
照射し、微小液滴からの散乱光によって基板上方あるい
は下方に生ずる散乱リングを光学的手段によって観察
し、その直径、リング幅、リングの歪み、散乱リングの
消失時間から基板表面の汚染状況を検出しようとするも
のであり、又、冷却機能を持ち、表面に複数個の小突起
を有し、該小突起上に検査対象である基板を載置するよ
うにした平坦な冷却プレートと；前記冷却プレートの上
方に空間を隔てて位置し、前記冷却プレートに向けて平
行光線を照射する様にした光線照射装置と；冷却プレー
トと光線照射装置との間の空間に上下移動可能に位置し
た散乱光観測用カメラ；とから基板表面の汚染度検出装
置を構成することにより、上記課題を解決せんとするも
のである。
ある基板の表面に多数の微小液滴を付着させ、該基板の
上方あるいは下方からその微小液滴に向けて平行光線を
照射し、微小液滴からの散乱光によって基板上方あるい
は下方に生ずる散乱リングを光学的手段によって観察
し、その直径、リング幅、リングの歪み、散乱リングの
消失時間から基板表面の汚染状況を検出しようとするも
のであり、又、冷却機能を持ち、表面に複数個の小突起
を有し、該小突起上に検査対象である基板を載置するよ
うにした平坦な冷却プレートと；前記冷却プレートの上
方に空間を隔てて位置し、前記冷却プレートに向けて平
行光線を照射する様にした光線照射装置と；冷却プレー
トと光線照射装置との間の空間に上下移動可能に位置し
た散乱光観測用カメラ；とから基板表面の汚染度検出装
置を構成することにより、上記課題を解決せんとするも
のである。
【０００８】
【発明の実施の形態】図２はこの発明に係る基板表面の
汚染度検出装置の一実施形態の説明図であり、図中３は
平坦な冷却プレートであり、冷却機能を有し、表面には
複数個の小突起４が設けられており、この小突起４の上
に検査対象である基板１を載置する様になっている。
汚染度検出装置の一実施形態の説明図であり、図中３は
平坦な冷却プレートであり、冷却機能を有し、表面には
複数個の小突起４が設けられており、この小突起４の上
に検査対象である基板１を載置する様になっている。
【０００９】又、５は冷却プレート制御部であり、これ
で冷却プレート３の冷却状況を制御する様になってい
る。一方、冷却プレート３の上方には空間を隔てて、冷
却プレート３側を指向した光線照射装置６が位置せしめ
られている。この光線照射装置６は光線を発生させる光
源７と放物面ミラー８とからなっており、冷却プレート
３へ向けて垂直な平行光線９を照射できる様になってい
る。
で冷却プレート３の冷却状況を制御する様になってい
る。一方、冷却プレート３の上方には空間を隔てて、冷
却プレート３側を指向した光線照射装置６が位置せしめ
られている。この光線照射装置６は光線を発生させる光
源７と放物面ミラー８とからなっており、冷却プレート
３へ向けて垂直な平行光線９を照射できる様になってい
る。
【００１０】光源７としては白色光あるいはレーザー光
などの単色光が用いられる。更に、冷却プレート３と光
線照射装置６との間の空間には、散乱光観測用カメラ１
０が冷却プレート３側を指向して上下移動可能に位置せ
しめられており、この散乱光観測用カメラ１０はモニタ
ー装置１１及び画像処理装置１２にそれぞれ接続されて
いる。
などの単色光が用いられる。更に、冷却プレート３と光
線照射装置６との間の空間には、散乱光観測用カメラ１
０が冷却プレート３側を指向して上下移動可能に位置せ
しめられており、この散乱光観測用カメラ１０はモニタ
ー装置１１及び画像処理装置１２にそれぞれ接続されて
いる。
【００１１】この基板表面の汚染度検出装置は上記の通
りの構成を有するものであり、被検出対象である基板１
を冷却プレート３の小突起４上に載置し、この基板１を
０℃近くまで緩やかに冷却する。この冷却速度は冷却プ
レート制御部５で任意にコントロールできる。なお、基
板１は冷却プレート３には直接接触しておらず、小突起
４に接触しているのみなので、冷却プレート３によって
基板１の表面が汚染されるおそれはない。この冷却プレ
ート３の冷却によって基板１は冷却され、その表面には
大気中の水蒸気が凝縮し、微小な液滴２からなる液滴群
が形成される。この液滴２の大きさは数ミクロンから数
１００ミクロンである。
りの構成を有するものであり、被検出対象である基板１
を冷却プレート３の小突起４上に載置し、この基板１を
０℃近くまで緩やかに冷却する。この冷却速度は冷却プ
レート制御部５で任意にコントロールできる。なお、基
板１は冷却プレート３には直接接触しておらず、小突起
４に接触しているのみなので、冷却プレート３によって
基板１の表面が汚染されるおそれはない。この冷却プレ
ート３の冷却によって基板１は冷却され、その表面には
大気中の水蒸気が凝縮し、微小な液滴２からなる液滴群
が形成される。この液滴２の大きさは数ミクロンから数
１００ミクロンである。
【００１２】この様な状況のもと、上方に位置した光線
照射装置６の光源７を点灯すると、放物面ミラー８によ
って反射した平行光線９はこの微小液滴２が形成されて
いる基板１表面へ垂直に照射される。すると、図３に示
す様に、微小液滴２からなる液滴群からの光散乱現象に
よって散乱リング１３が発生する。この散乱リング１３
は基板１の上方の観測点から視認可能である。そして、
この散乱リング１３は基板１の汚染状況に応じた特有な
形態上の特徴を持っているので、この状態を散乱リング
観測用カメラ１０によって捉え、その画像情報をモニタ
ー装置１０で可視的に表示すると共に、画像処理装置１
２において処理し、あらかじめ蓄積してある汚染状況と
散乱リング１３の形態の関係を分析したデータと比較
し、基板１の汚染状況を検出するのである。
照射装置６の光源７を点灯すると、放物面ミラー８によ
って反射した平行光線９はこの微小液滴２が形成されて
いる基板１表面へ垂直に照射される。すると、図３に示
す様に、微小液滴２からなる液滴群からの光散乱現象に
よって散乱リング１３が発生する。この散乱リング１３
は基板１の上方の観測点から視認可能である。そして、
この散乱リング１３は基板１の汚染状況に応じた特有な
形態上の特徴を持っているので、この状態を散乱リング
観測用カメラ１０によって捉え、その画像情報をモニタ
ー装置１０で可視的に表示すると共に、画像処理装置１
２において処理し、あらかじめ蓄積してある汚染状況と
散乱リング１３の形態の関係を分析したデータと比較
し、基板１の汚染状況を検出するのである。
【００１３】基板１表面の汚染状況と散乱リング１３と
の関係を述べれば、光源７として白色光を用いた場合に
は、図３に示す様に幅を有する円形のリングとして、レ
ーザー光などの単色光を用いた場合には、幅の狭いシャ
ープなリングとして、波長の異る２種類以上のレーザー
光を用いた場合には、２重の明確なリングとして観察さ
れるが、観察位置を一定にした場合、この散乱リング１
３の直径、リング幅及びリング形状の歪みには基板１表
面の汚染状況が敏感に反映される。
の関係を述べれば、光源７として白色光を用いた場合に
は、図３に示す様に幅を有する円形のリングとして、レ
ーザー光などの単色光を用いた場合には、幅の狭いシャ
ープなリングとして、波長の異る２種類以上のレーザー
光を用いた場合には、２重の明確なリングとして観察さ
れるが、観察位置を一定にした場合、この散乱リング１
３の直径、リング幅及びリング形状の歪みには基板１表
面の汚染状況が敏感に反映される。
【００１４】図３は白色光を入射させた場合の散乱リン
グの一例を示したものであり、散乱リングの外側は青
色、内側は赤色となり、この散乱リングの幅と汚染度と
の関係は図４に示すグラフの様になる。即ち、汚染度が
高くなる程、散乱リング１３の径は大きくなり、又、そ
の幅も大きくなる。
グの一例を示したものであり、散乱リングの外側は青
色、内側は赤色となり、この散乱リングの幅と汚染度と
の関係は図４に示すグラフの様になる。即ち、汚染度が
高くなる程、散乱リング１３の径は大きくなり、又、そ
の幅も大きくなる。
【００１５】従って、この図４に示す両者の関係から基
板１表面の汚染度を定量化できるのである。又、基板１
表面の汚染度が一定均一なら散乱リング１３は真円とな
るので、散乱リング１３が歪んだ場合には、その部分は
他の領域と比較して汚染度が異ることを意味する。
板１表面の汚染度を定量化できるのである。又、基板１
表面の汚染度が一定均一なら散乱リング１３は真円とな
るので、散乱リング１３が歪んだ場合には、その部分は
他の領域と比較して汚染度が異ることを意味する。
【００１６】従って、観察位置つまりカメラ１０の位置
を上下に連続的に変化させることによって、基板１の全
領域の散乱リング１３を観察し、基板１面内の汚染分布
を解析することができる。図５はこの様にカメラ１０を
上昇させながら、散乱リング１３を拡大していく状況を
示したものである。
を上下に連続的に変化させることによって、基板１の全
領域の散乱リング１３を観察し、基板１面内の汚染分布
を解析することができる。図５はこの様にカメラ１０を
上昇させながら、散乱リング１３を拡大していく状況を
示したものである。
【００１７】又、基板１上における水蒸気の凝縮に伴う
微小液滴の発生と成長は、基板表面が清浄な場合には図
６（ａ）→（ｂ）→（ｃ）、汚染されている場合には図
７（ａ）→（ｂ）→（ｃ）に示す様な過程をたどる。つ
まり、基板１表面が清浄な場合には、液滴２の接触角が
小さい為、凝集によって液滴形状が早く歪み、これに伴
い散乱リング１３の消失も早いが、基板１表面が汚染さ
れている場合には、液滴２の接触角が大きく、図７に示
す様に液滴２はいつまでも存続し続けるので、散乱リン
グ１３もなかなか消失しない。
微小液滴の発生と成長は、基板表面が清浄な場合には図
６（ａ）→（ｂ）→（ｃ）、汚染されている場合には図
７（ａ）→（ｂ）→（ｃ）に示す様な過程をたどる。つ
まり、基板１表面が清浄な場合には、液滴２の接触角が
小さい為、凝集によって液滴形状が早く歪み、これに伴
い散乱リング１３の消失も早いが、基板１表面が汚染さ
れている場合には、液滴２の接触角が大きく、図７に示
す様に液滴２はいつまでも存続し続けるので、散乱リン
グ１３もなかなか消失しない。
【００１８】従って、この散乱リング１３の消失までの
時間と汚染度との関係から基板１の汚染度を検知するこ
とが可能なのである。なお、基板１に歪みが存在する場
合には、歪みが散乱リングの形態に影響を及ぼすことに
より、正確な汚染度の測定の妨げとなるが、図８に示す
様に、事前に初期歪みを有する基板１表面に平坦度の高
い透明板１４を載せ、上方よりレーザー光１５で全面を
走査し、ニュートンリングの原理によって干渉縞の変化
として現われた基板１表面の歪み量をバックグラウンド
データとしてあらかじめ蓄積しておき、散乱リング１３
の真円度から歪みを解析する際、補正データとして利用
すれば基板１の初期歪みを補正することが可能となる。
時間と汚染度との関係から基板１の汚染度を検知するこ
とが可能なのである。なお、基板１に歪みが存在する場
合には、歪みが散乱リングの形態に影響を及ぼすことに
より、正確な汚染度の測定の妨げとなるが、図８に示す
様に、事前に初期歪みを有する基板１表面に平坦度の高
い透明板１４を載せ、上方よりレーザー光１５で全面を
走査し、ニュートンリングの原理によって干渉縞の変化
として現われた基板１表面の歪み量をバックグラウンド
データとしてあらかじめ蓄積しておき、散乱リング１３
の真円度から歪みを解析する際、補正データとして利用
すれば基板１の初期歪みを補正することが可能となる。
【００１９】又、上記の実施形態においては、入射光側
から散乱リングを観測しているが、入射光側の散乱強度
が弱くなる傾向の強い板ガラスや石英などの透明基板の
場合には反対の透過側から観察する様にしても良い。
から散乱リングを観測しているが、入射光側の散乱強度
が弱くなる傾向の強い板ガラスや石英などの透明基板の
場合には反対の透過側から観察する様にしても良い。
【００２０】更に、カメラ１０の位置を上下移動させる
から、基板１表面を走査するのではなく、図９に示す様
にカメラ１０の位置は固定したまま、基板１自体をコン
ベア等の移動手段１６によって移動させながら走査する
様にしても良い。なお、この方法は湿度や温度などの環
境条件がコントロールされているチェンバー内やクリー
ンルーム内における汚染度の測定に向いている。
から、基板１表面を走査するのではなく、図９に示す様
にカメラ１０の位置は固定したまま、基板１自体をコン
ベア等の移動手段１６によって移動させながら走査する
様にしても良い。なお、この方法は湿度や温度などの環
境条件がコントロールされているチェンバー内やクリー
ンルーム内における汚染度の測定に向いている。
【００２１】又、上記実施の形態においては、微小液滴
群の発生方法として冷却による水蒸気の凝縮を用いた
が、超音波振動子利用の微細ミスト発生装置やスチーム
発生装置を用いて微小液滴を発生させても良い。
群の発生方法として冷却による水蒸気の凝縮を用いた
が、超音波振動子利用の微細ミスト発生装置やスチーム
発生装置を用いて微小液滴を発生させても良い。
【００２２】
【発明の効果】この発明は上述通りの構成を有するもの
であり、散乱リングの形態から基板表面の汚染度を検出
するものであり、化学吸着による基板表面のわずかな有
機汚染を感度良く検出できるだけではなく、基板表面に
付着した微粒子の存在も感度良く検出することが可能で
ある。
であり、散乱リングの形態から基板表面の汚染度を検出
するものであり、化学吸着による基板表面のわずかな有
機汚染を感度良く検出できるだけではなく、基板表面に
付着した微粒子の存在も感度良く検出することが可能で
ある。
【００２３】又、水面に浮んだオイルやＬＢ（ラングミ
ュアーブロジェット）膜などの超薄膜層の均一性評価に
も応用可能であり、非破壊で大面積基板の評価を高速で
実施でき、基板の種類にも制限はなく、ほとんどの材料
の平坦基板に適用可能であるという汎用性も有してお
り、極めて実用的なものである。
ュアーブロジェット）膜などの超薄膜層の均一性評価に
も応用可能であり、非破壊で大面積基板の評価を高速で
実施でき、基板の種類にも制限はなく、ほとんどの材料
の平坦基板に適用可能であるという汎用性も有してお
り、極めて実用的なものである。
【００２４】
【図１】基板表面に滴下した液滴の拡大図。
【図２】この発明に係る基板表面の汚染度検出装置の一
実施形態の説明図。
実施形態の説明図。
【図３】平行光線の照射によって発生した散乱リングの
一例の平面図。
一例の平面図。
【図４】散乱リングの形態と汚染状況との関係を示した
グラフ。
グラフ。
【図５】カメラの上昇に伴って拡大する散乱リングの状
況を示した散乱リングの一例の平面図。
況を示した散乱リングの一例の平面図。
【図６】清浄な基板上において、液滴が時間の経過と集
合して行く状況を示した基板の平面図。
合して行く状況を示した基板の平面図。
【図７】汚染された基板上において、液滴が時間の経過
と集合して行く状況を示した基板の平面図。
と集合して行く状況を示した基板の平面図。
【図８】基板の初期歪みを補正する方法を示した説明
図。
図。
【図９】横方向に基板を移動させてその全面を走査する
方法を示した説明図。
方法を示した説明図。
１ 基板 ２ 液滴 θ 接触角 ３ 冷却プレート ４ 小突起 ５ 冷却プレート制御部 ６ 光線照射装置 ７ 光源 ８ 放物面ミラー ９ 平行光線 １０ カメラ １１ モニター装置 １２ 画像処理装置 １３ 散乱リング １４ 透明板 １５ レーザー光 １６ 移動手段
Claims (7)
- 【請求項１】 検査対象である基板の表面に多数の微小
液滴を付着させ、該基板の上方あるいは下方からその微
小液滴に向けて平行光線を照射し、微小液滴からの散乱
光によって基板上方あるいは下方に生ずる散乱リングを
光学的手段によって観察し、その直径、リング幅、リン
グの歪み、散乱リングの消失時間から基板表面の汚染状
況を検出することを特徴とする基板表面の汚染度検出方
法。 - 【請求項２】 冷却機能を持ち、表面に複数個の小突起
を有し、該小突起上に検査対象である基板を載置するよ
うにした平坦な冷却プレートと；前記冷却プレートの上
方に空間を隔てて位置し、前記冷却プレートに向けて平
行光線を照射する様にした光線照射装置と；冷却プレー
トと光線照射装置との間の空間に上下移動可能に位置し
た散乱光観測用カメラ；とからなり、前記散乱光観測用
カメラが捉えた散乱リングから検査対象である基板表面
の汚染状況を検出する様にしたことを特徴とする基板表
面の汚染度検出装置。 - 【請求項３】 散乱リングの観測位置を上下に連続的に
変化させて基板の全領域の散乱リングを観察することに
よって基板面内の汚染分布を検出することを特徴とする
請求項１記載の基板表面の汚染度検出方法。 - 【請求項４】 ニュートンリング法により事前に基板の
平坦度を測定しておき、バックグラウンドデータとして
基板の初期歪みを補正するようにしたことを特徴とする
請求項１記載の基板表面の汚染度検出方法。 - 【請求項５】 基板を冷却することによって基板表面に
微小液滴を形成させることを特徴とする請求項１記載の
基板表面の汚染度検出方法。 - 【請求項６】 散乱リングの観察位置を固定しておき、
基板を横方向に移動させるから散乱リングの観察を行う
ことを特徴とする請求項１記載の基板表面の汚染度検出
方法。 - 【請求項７】 微小液滴群の形成をミストの噴霧によっ
て行うことを特徴とする請求項１記載の基板表面の汚染
度検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6192398A JPH11248617A (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 基板表面の汚染度検出方法及び基板表面の汚染度検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6192398A JPH11248617A (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 基板表面の汚染度検出方法及び基板表面の汚染度検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11248617A true JPH11248617A (ja) | 1999-09-17 |
Family
ID=13185176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6192398A Pending JPH11248617A (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 基板表面の汚染度検出方法及び基板表面の汚染度検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11248617A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013111578A (ja) * | 2011-11-30 | 2013-06-10 | Corning Inc | ガラス表面に対し表面コンプライアンスを判定するための装置及び方法 |
| JP2015068708A (ja) * | 2013-09-27 | 2015-04-13 | 株式会社東芝 | 表面状態評価装置及び表面状態評価方法 |
-
1998
- 1998-02-27 JP JP6192398A patent/JPH11248617A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013111578A (ja) * | 2011-11-30 | 2013-06-10 | Corning Inc | ガラス表面に対し表面コンプライアンスを判定するための装置及び方法 |
| JP2015068708A (ja) * | 2013-09-27 | 2015-04-13 | 株式会社東芝 | 表面状態評価装置及び表面状態評価方法 |
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