JPH112526A - 振動型角速度センサ - Google Patents
振動型角速度センサInfo
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- JPH112526A JPH112526A JP9156672A JP15667297A JPH112526A JP H112526 A JPH112526 A JP H112526A JP 9156672 A JP9156672 A JP 9156672A JP 15667297 A JP15667297 A JP 15667297A JP H112526 A JPH112526 A JP H112526A
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- G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
- G01C19/00—Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
- G01C19/56—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
- G01C19/5719—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using planar vibrating masses driven in a translation vibration along an axis
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/0802—Details
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- G01—MEASURING; TESTING
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- G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
- G01P2015/0808—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate
- G01P2015/0811—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate for one single degree of freedom of movement of the mass
- G01P2015/0814—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate for one single degree of freedom of movement of the mass for translational movement of the mass, e.g. shuttle type
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 検出変位感度の向上を図る。
【解決手段】 基板にアンカー部３で固定された第１の
梁９によって支持され、駆動用櫛歯電極１２によって基
板に平行なＸ軸方向に駆動される駆動用振動子８と、前
記駆動用振動子に第２の梁１１によって支持され、前記
基板に平行なＹ軸方向に振動可能な検出用振動子１０
と、前記検出用振動子との間に前記Ｘ軸方向に沿う間隙
を隔てて設けられた静電容量の検出電極１４，１５とを
備え、前記基板に垂直なＺ軸方向を軸とする角速度を検
出する。さらに前記駆動用振動子は前記検出用振動子に
対して対称な位置に配置した２つのアンカー部により基
板に固定されている。また前記検出電極は、その一方を
検出用振動子に、他方を駆動用振動子に、等間隔の間隙
を隔てて配置されている。
梁９によって支持され、駆動用櫛歯電極１２によって基
板に平行なＸ軸方向に駆動される駆動用振動子８と、前
記駆動用振動子に第２の梁１１によって支持され、前記
基板に平行なＹ軸方向に振動可能な検出用振動子１０
と、前記検出用振動子との間に前記Ｘ軸方向に沿う間隙
を隔てて設けられた静電容量の検出電極１４，１５とを
備え、前記基板に垂直なＺ軸方向を軸とする角速度を検
出する。さらに前記駆動用振動子は前記検出用振動子に
対して対称な位置に配置した２つのアンカー部により基
板に固定されている。また前記検出電極は、その一方を
検出用振動子に、他方を駆動用振動子に、等間隔の間隙
を隔てて配置されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ジャイロの性質を
利用した振動型角速度センサに関するものである。
利用した振動型角速度センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】運動する物体の角速度などを検出するセ
ンサには、近年、特に半導体のマイクロマシニング技術
を利用して作製されたものが注目を集めている。これら
は、装置の小型化、量産性、高精度化および高信頼性な
どの長所をもつ。
ンサには、近年、特に半導体のマイクロマシニング技術
を利用して作製されたものが注目を集めている。これら
は、装置の小型化、量産性、高精度化および高信頼性な
どの長所をもつ。
【０００３】図６は、例えば、刊行物（’MICROMECHANI
CAL TUNING FORK GYROSCOPE TEST RESULTS｀M.Weinberg
他、AIAA-94-3687-CP）に記載された半導体のマイクロ
マシニングプロセスを用いて作成された典型的な振動型
ジャイロを示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ
−Ｂ線断面図である。基板１上に２つの振動子２がアン
カー部３を通して梁４で支持された構造となっている。
その振動子２の下の基板１上には、変位検出電極７がガ
ラスもしくはシリコン上に形成されており、振動子２と
変位検出電極７とで図７に示すコンデンサＣ１、Ｃ２を
形成している。左右の振動子２のＸ軸（面内方向）方向
の励振は、駆動用櫛歯電極５にＤＣ電圧とＡＣ電圧を加
えることによって行われる。互いに位相の１８０度ずれ
た逆位相を振動系の共振点において実現するためにいわ
ゆる音叉駆動が採用されている。それぞれの振動子２に
面して、これらの駆動される振動子２の振動をモニター
するために駆動変位検出用固定電極６が設けられてい
る。
CAL TUNING FORK GYROSCOPE TEST RESULTS｀M.Weinberg
他、AIAA-94-3687-CP）に記載された半導体のマイクロ
マシニングプロセスを用いて作成された典型的な振動型
ジャイロを示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ
−Ｂ線断面図である。基板１上に２つの振動子２がアン
カー部３を通して梁４で支持された構造となっている。
その振動子２の下の基板１上には、変位検出電極７がガ
ラスもしくはシリコン上に形成されており、振動子２と
変位検出電極７とで図７に示すコンデンサＣ１、Ｃ２を
形成している。左右の振動子２のＸ軸（面内方向）方向
の励振は、駆動用櫛歯電極５にＤＣ電圧とＡＣ電圧を加
えることによって行われる。互いに位相の１８０度ずれ
た逆位相を振動系の共振点において実現するためにいわ
ゆる音叉駆動が採用されている。それぞれの振動子２に
面して、これらの駆動される振動子２の振動をモニター
するために駆動変位検出用固定電極６が設けられてい
る。
【０００４】さて、±Ｘ方向（基板面内方向）に逆位相
で励振された左右の振動子２にＹ軸周りの角速度Ωが作
用すると、各振動子２は、Ｚ軸（基板面外）方向に、振
動子２の質量ｍ、速度ｖと角速度Ωに比例した慣性力
（コリオリ力）を受ける。この慣性力によって、Ｚ軸を
中心としたねじれ振動が誘起される。ねじれ振動による
振動子２のＺ方向変位によって、振動子２と変位検出電
極７間の容量値が一方の振動子２で増加（Ｃ１＋ΔＣ
１）、他方で減少（Ｃ２−ΔＣ２）する。この静電容量
変化をＣ−Ｖ変換器により電圧に変換して、コリオリ力
の作用周波数にて同期検波することで、角速度Ωに比例
したセンサ出力を得ることができる。
で励振された左右の振動子２にＹ軸周りの角速度Ωが作
用すると、各振動子２は、Ｚ軸（基板面外）方向に、振
動子２の質量ｍ、速度ｖと角速度Ωに比例した慣性力
（コリオリ力）を受ける。この慣性力によって、Ｚ軸を
中心としたねじれ振動が誘起される。ねじれ振動による
振動子２のＺ方向変位によって、振動子２と変位検出電
極７間の容量値が一方の振動子２で増加（Ｃ１＋ΔＣ
１）、他方で減少（Ｃ２−ΔＣ２）する。この静電容量
変化をＣ−Ｖ変換器により電圧に変換して、コリオリ力
の作用周波数にて同期検波することで、角速度Ωに比例
したセンサ出力を得ることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来の方式で
は、振動子２励振の振幅を大きくとり、さらに検出方向
変位感度を向上させるために、何れの方向の振動に於い
ても大きな振動の特性値Ｑを必要とする。例えば、上記
従来例では、圧力１００mtorrにて励振方向Ｑ値は４０
０００、検出方向Ｑ値は５０００が報告されている。特
に検出変位方向は、振動子２と下部電極７との対向面積
が大きく、ギャップ（間隔）が小さい（数ミクロンオー
ダー）ため、いわゆるスクイーズダンピングによりＱ値
が駆動方向振動に対して小さい。一方、大気圧下では、
Ｑ値が低下するため、同程度の駆動変位を得るには、Ｄ
Ｃ電圧３０Ｖ、ＡＣ電圧３０Ｖという大きな電圧を必要
としている。
は、振動子２励振の振幅を大きくとり、さらに検出方向
変位感度を向上させるために、何れの方向の振動に於い
ても大きな振動の特性値Ｑを必要とする。例えば、上記
従来例では、圧力１００mtorrにて励振方向Ｑ値は４０
０００、検出方向Ｑ値は５０００が報告されている。特
に検出変位方向は、振動子２と下部電極７との対向面積
が大きく、ギャップ（間隔）が小さい（数ミクロンオー
ダー）ため、いわゆるスクイーズダンピングによりＱ値
が駆動方向振動に対して小さい。一方、大気圧下では、
Ｑ値が低下するため、同程度の駆動変位を得るには、Ｄ
Ｃ電圧３０Ｖ、ＡＣ電圧３０Ｖという大きな電圧を必要
としている。
【０００６】この様に、従来例では、駆動電圧の低電圧
化と検出変位感度の向上のために、必然的にセンサ素子
を真空封止する必要があった。このため、気密真空パッ
ケージングが必要となり、その信頼性確保のために、メ
タルパッケージが必要となる等コスト高となってしまう
という欠点があったまた、大気圧下で利用するとして
も、高駆動電圧が必要となり、検出振動方向としてＺ軸
方向を採用した構造になっているため、前述した様に励
振方向のＱ値に比較して検出方向振動のＱ値が低いとい
った問題があり、駆動電圧を高めるのみでは十分な検出
感度が達成できないといった問題がある。
化と検出変位感度の向上のために、必然的にセンサ素子
を真空封止する必要があった。このため、気密真空パッ
ケージングが必要となり、その信頼性確保のために、メ
タルパッケージが必要となる等コスト高となってしまう
という欠点があったまた、大気圧下で利用するとして
も、高駆動電圧が必要となり、検出振動方向としてＺ軸
方向を採用した構造になっているため、前述した様に励
振方向のＱ値に比較して検出方向振動のＱ値が低いとい
った問題があり、駆動電圧を高めるのみでは十分な検出
感度が達成できないといった問題がある。
【０００７】さらに、振動型ジャイロでは、一般的にそ
の周波数特性を確保する意味で、駆動振動と検出振動の
共振点を若干ずらす必要があるが、Ｚ軸方向の変位振動
の共振周波数は、その構造体の厚みに依存するため、精
密な厚み制御を行う必要がある。半導体のフォトリソグ
ラフィーを利用してセンサ素子を作製する場合は、平面
内のパターニング精度は良いが、厚み方向の制御（エッ
チング制御等）が難しく、両者の共振周波数を適切に設
定することが困難であるという問題点があった。
の周波数特性を確保する意味で、駆動振動と検出振動の
共振点を若干ずらす必要があるが、Ｚ軸方向の変位振動
の共振周波数は、その構造体の厚みに依存するため、精
密な厚み制御を行う必要がある。半導体のフォトリソグ
ラフィーを利用してセンサ素子を作製する場合は、平面
内のパターニング精度は良いが、厚み方向の制御（エッ
チング制御等）が難しく、両者の共振周波数を適切に設
定することが困難であるという問題点があった。
【０００８】本発明は上記のような従来のものの問題点
を解消するためになされたものであり、検出変位感度の
向上を目的としたものである。
を解消するためになされたものであり、検出変位感度の
向上を目的としたものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の構成によ
る振動型角速度センサは、基板にアンカー部で固定され
た第１の梁によって支持され、駆動用櫛歯電極によって
基板に平行なＸ軸方向に駆動される駆動用振動子と、前
記駆動用振動子に第２の梁によって支持され、前記基板
に平行なＹ軸方向に振動可能な検出用振動子と、前記検
出用振動子との間に前記Ｘ軸方向に沿う間隙を隔てて設
けられた静電容量の検出電極とを備え、前記基板に垂直
なＺ軸方向を軸とする角速度を検出するものである。
る振動型角速度センサは、基板にアンカー部で固定され
た第１の梁によって支持され、駆動用櫛歯電極によって
基板に平行なＸ軸方向に駆動される駆動用振動子と、前
記駆動用振動子に第２の梁によって支持され、前記基板
に平行なＹ軸方向に振動可能な検出用振動子と、前記検
出用振動子との間に前記Ｘ軸方向に沿う間隙を隔てて設
けられた静電容量の検出電極とを備え、前記基板に垂直
なＺ軸方向を軸とする角速度を検出するものである。
【００１０】本発明の第２の構成による振動型角速度セ
ンサは、第１の構成に加えて、前記駆動用振動子は前記
検出用振動子に対して対称な位置に配置した２つのアン
カー部により基板に固定されているものである。
ンサは、第１の構成に加えて、前記駆動用振動子は前記
検出用振動子に対して対称な位置に配置した２つのアン
カー部により基板に固定されているものである。
【００１１】本発明の第３の構成による振動型角速度セ
ンサは、第１の構成に加えて、前記検出電極は、その一
方を検出用振動子に、他方を駆動用振動子に、等間隔の
間隙を隔てて配置されているものである。
ンサは、第１の構成に加えて、前記検出電極は、その一
方を検出用振動子に、他方を駆動用振動子に、等間隔の
間隙を隔てて配置されているものである。
【００１２】
実施の形態１．図１、図２は共に本発明の実施の形態１
による振動型角速度センサを示し、図１は平面図、図２
は図１のＡ−Ａ線断面図である。駆動用振動子８が第１
の梁である駆動振動子用梁９（折り曲げ梁）で支持さ
れ、アンカー部３を通じて下部ガラス基板１９に固定さ
れている。駆動用振動子８の内側にはＹ方向コリオリ力
検出用の検出用振動子１０が、第２の梁である検出振動
子用の４本の梁１１で支持されている。駆動用振動子８
のある側面に対向して駆動用櫛歯固定電極１２及び駆動
変位検出用固定電極１３が形成されており、これら電極
１２、１３の櫛歯に対向して駆動用振動子８にもそれぞ
れ櫛歯電極構造が作られる。一方、検出用振動子１０の
両側にはそれぞれ数ミクロンのギャップを隔てて、静電
容量の検出電極１４、１５が形成されており、検出用振
動子１０とこれら電極１４、１５との間で、コンデンサ
Ｃ１、Ｃ２が形成される。これらコンデンサＣ１、Ｃ２
で、図７に示した等価回路が形成される。各電極とアン
カー部３は、下部ガラス基板１９上に設けられた配線用
電極１６により、各電極取り出し用基台１７に結合され
ている。これら電極取り出し用基台１７上には、ボンデ
ィングパッド２５が形成されている。駆動用振動子８と
検出用振動子１０の間には、落下衝撃時等によるＸ軸方
向の過大変位を防止するために、大変位防止用ストッパ
２７が設けられている。この大変位防止用ストッパ２７
は、Ｘ軸方向の正、負何れの方向の大変位をも制限する
ために、駆動用振動子８と検出用振動子１０の間で検出
用振動子１０の両側の位置に、駆動用振動子８側に制限
したい変位量のギャップ間隔を隔てて設置する。また、
駆動用振動子８や検出用振動子１０等これら各部品を囲
む様に補助支持部１８が設けられている。好ましくは、
これら振動子８、１０と電極取り出し用基台１７、スト
ッパ２７及び各電極１２〜１６は半導体のＳｉを材料と
してバルクマイクロマシニングで作製されており、図２
の断面図に示す様に振動子８、１０はアンカー部３に於
いてのみ下部ガラス基板１９に陽極接合され、それ以外
のパーツは下部ガラス基板１９に面する全面或いは一部
が下部ガラス基板１９に陽極接合されている。
による振動型角速度センサを示し、図１は平面図、図２
は図１のＡ−Ａ線断面図である。駆動用振動子８が第１
の梁である駆動振動子用梁９（折り曲げ梁）で支持さ
れ、アンカー部３を通じて下部ガラス基板１９に固定さ
れている。駆動用振動子８の内側にはＹ方向コリオリ力
検出用の検出用振動子１０が、第２の梁である検出振動
子用の４本の梁１１で支持されている。駆動用振動子８
のある側面に対向して駆動用櫛歯固定電極１２及び駆動
変位検出用固定電極１３が形成されており、これら電極
１２、１３の櫛歯に対向して駆動用振動子８にもそれぞ
れ櫛歯電極構造が作られる。一方、検出用振動子１０の
両側にはそれぞれ数ミクロンのギャップを隔てて、静電
容量の検出電極１４、１５が形成されており、検出用振
動子１０とこれら電極１４、１５との間で、コンデンサ
Ｃ１、Ｃ２が形成される。これらコンデンサＣ１、Ｃ２
で、図７に示した等価回路が形成される。各電極とアン
カー部３は、下部ガラス基板１９上に設けられた配線用
電極１６により、各電極取り出し用基台１７に結合され
ている。これら電極取り出し用基台１７上には、ボンデ
ィングパッド２５が形成されている。駆動用振動子８と
検出用振動子１０の間には、落下衝撃時等によるＸ軸方
向の過大変位を防止するために、大変位防止用ストッパ
２７が設けられている。この大変位防止用ストッパ２７
は、Ｘ軸方向の正、負何れの方向の大変位をも制限する
ために、駆動用振動子８と検出用振動子１０の間で検出
用振動子１０の両側の位置に、駆動用振動子８側に制限
したい変位量のギャップ間隔を隔てて設置する。また、
駆動用振動子８や検出用振動子１０等これら各部品を囲
む様に補助支持部１８が設けられている。好ましくは、
これら振動子８、１０と電極取り出し用基台１７、スト
ッパ２７及び各電極１２〜１６は半導体のＳｉを材料と
してバルクマイクロマシニングで作製されており、図２
の断面図に示す様に振動子８、１０はアンカー部３に於
いてのみ下部ガラス基板１９に陽極接合され、それ以外
のパーツは下部ガラス基板１９に面する全面或いは一部
が下部ガラス基板１９に陽極接合されている。
【００１３】このような構成において、駆動用振動子８
をＸ方向に励振駆動すると、検出用振動子１０のＹ方向
の振動により、Ｚ方向を軸とする角速度を検出すること
ができる。
をＸ方向に励振駆動すると、検出用振動子１０のＹ方向
の振動により、Ｚ方向を軸とする角速度を検出すること
ができる。
【００１４】なお、図１に於いては、駆動用振動子８が
駆動振動子用の梁９を通じて１カ所のアンカー３で支え
られた、非対称の片持構造を採用した例を示したが（梁
９やアンカー部３が検出用振動子１０の左側のみ）、検
出用振動子１０の右側に左側と同一の対称構造を設け、
同様の梁とアンカー部を設けた、２点支持構造を採用す
ることも可能である。この検出用振動子１０を対称中心
とする２点支持構造では検出用振動子１０に対する駆動
振動の方向を正確にＸ方向のみとすることができる利点
がある。このため大振幅の駆動が可能となり検出感度を
向上させることができる。
駆動振動子用の梁９を通じて１カ所のアンカー３で支え
られた、非対称の片持構造を採用した例を示したが（梁
９やアンカー部３が検出用振動子１０の左側のみ）、検
出用振動子１０の右側に左側と同一の対称構造を設け、
同様の梁とアンカー部を設けた、２点支持構造を採用す
ることも可能である。この検出用振動子１０を対称中心
とする２点支持構造では検出用振動子１０に対する駆動
振動の方向を正確にＸ方向のみとすることができる利点
がある。このため大振幅の駆動が可能となり検出感度を
向上させることができる。
【００１５】また、検出電極１４、１５は検出用振動子
１０の左右にそれぞれ数μｍのギャップを隔てて配置さ
れており、一方、これらの検出電極１４、１５は、駆動
用振動子８とのギャップに関しても、同じ値を有するよ
うに配置されている。これは、駆動による検出用振動子
１０の振動方向が純粋にＸ方向に一致しない場合でも、
検出電極１４、１５に不要な容量変化が生じないように
するためである。検出電極１４、１５は、その両側を等
間隔で駆動用振動子８と検出用振動子１０に挟まれてい
るため、両者が一体となって振動する場合は、検出電極
１４、１５の両側の静電容量の和は変わらない。従って
検出電極１４、１５の静電容量は検出用振動子１０のＹ
方向の振動のみを検出する指標となる。
１０の左右にそれぞれ数μｍのギャップを隔てて配置さ
れており、一方、これらの検出電極１４、１５は、駆動
用振動子８とのギャップに関しても、同じ値を有するよ
うに配置されている。これは、駆動による検出用振動子
１０の振動方向が純粋にＸ方向に一致しない場合でも、
検出電極１４、１５に不要な容量変化が生じないように
するためである。検出電極１４、１５は、その両側を等
間隔で駆動用振動子８と検出用振動子１０に挟まれてい
るため、両者が一体となって振動する場合は、検出電極
１４、１５の両側の静電容量の和は変わらない。従って
検出電極１４、１５の静電容量は検出用振動子１０のＹ
方向の振動のみを検出する指標となる。
【００１６】次に、製造方法について説明する。図３
（ａ）〜（ｅ）は本実施の形態の製造方法の一例を工程
順に示す図であり、図１のＡ−Ａ線断面に対応した図で
ある。まず、（ａ）に示すように、（１００）Ｓｉ基板
１００を用い、レジスト若しくは絶縁膜２４をマスクに
３〜１００μｍの深さの溝をドライエッチングにて作製
する。その後、（ｂ）に示すように、ウエハ１００を裏
返し、この面を同様にレジスト若しくは絶縁膜２４をマ
スクとして３μｍ程度ドライエッチングを行う。 一
方、ガラス基板１９上には金属電極１６（例えばＣｒ／
Ａｕ）をスパッタ及びリフトオフ手法等を用いて作製す
る。（ｂ）で示した工程にてできあがったウエハ１００
のマスクを除去し、上記電極配線１６を有するガラス基
板１９とアライメント後、陽極接合を行い、その後ボン
ディングパッド２５を形成する。この後、レジストまた
は絶縁膜２４を用いて、図１の平面構造をパターニング
する（ｃ）。次に、このレジストまたは絶縁膜２４をマ
スクとしてシリコンウエハの貫通ドライエッチングを行
う（ｄ）。この段階で、センサの基本的構造が決定され
る。（ｅ）で示す工程では、上部ガラス基板２０をアラ
イメントして陽極接合し、検出回路ＡＳＩＣ２６をダイ
ボンドし、これと、ボンディングパッド２５とをワイヤ
ボンドする。以上のプロセスで、センサが完成する。
（ａ）〜（ｅ）は本実施の形態の製造方法の一例を工程
順に示す図であり、図１のＡ−Ａ線断面に対応した図で
ある。まず、（ａ）に示すように、（１００）Ｓｉ基板
１００を用い、レジスト若しくは絶縁膜２４をマスクに
３〜１００μｍの深さの溝をドライエッチングにて作製
する。その後、（ｂ）に示すように、ウエハ１００を裏
返し、この面を同様にレジスト若しくは絶縁膜２４をマ
スクとして３μｍ程度ドライエッチングを行う。 一
方、ガラス基板１９上には金属電極１６（例えばＣｒ／
Ａｕ）をスパッタ及びリフトオフ手法等を用いて作製す
る。（ｂ）で示した工程にてできあがったウエハ１００
のマスクを除去し、上記電極配線１６を有するガラス基
板１９とアライメント後、陽極接合を行い、その後ボン
ディングパッド２５を形成する。この後、レジストまた
は絶縁膜２４を用いて、図１の平面構造をパターニング
する（ｃ）。次に、このレジストまたは絶縁膜２４をマ
スクとしてシリコンウエハの貫通ドライエッチングを行
う（ｄ）。この段階で、センサの基本的構造が決定され
る。（ｅ）で示す工程では、上部ガラス基板２０をアラ
イメントして陽極接合し、検出回路ＡＳＩＣ２６をダイ
ボンドし、これと、ボンディングパッド２５とをワイヤ
ボンドする。以上のプロセスで、センサが完成する。
【００１７】上記のように本実施の形態では、駆動と検
出の振動方向を何れもＸ−Ｙ平面内としたため、パター
ニングとエッチングの製作誤差の影響が共通したものと
なり、駆動と検出の共振周波数を精度良く、歩留まり良
く決めることが可能となる。また、駆動と検出に関わる
それぞれの振動梁９と１１を独立して設けているため、
駆動振動と検出振動に同一の梁を利用する場合に比較し
て、駆動と検出のメカニカルなカップリングを抑えるこ
とができるといった特徴がある。また、ディープドライ
エッチングを利用したバルクマイクロマシニング手法に
よってハイアスペクト（梁のＺ方向厚みｈ、梁の幅ｗで
定義されるｈ／ｗの値が１に対して大きい）な構造体を
作製できるので、Ｚ軸方向の構造体の剛性を面内方向の
それに比較して大きく設定できるため、振動子の面内の
大きさを大きくとることが可能となり、これに伴い、駆
動用静電力を発生させる櫛歯電極の数を多くとる（櫛歯
電極の数は、単純に駆動変位に比例する）ことが可能と
なる。以上のことから、駆動変位の増幅機能及び櫛歯電
極の数を大きくすることが可能な構成であるため、大気
圧下で振動のＱ値が低くても、駆動変位を大きくとるこ
とができ、感度の高い振動型角速度センサを提供でき
る。また本プロセスによって作製されるガラス−Ｓｉ−
ガラスの３層構造によって、プロセス上で内部センサ構
造をハーメチックシーリング（気密封止）可能であるた
め、あらたな金属パッケージングを必要としない。
出の振動方向を何れもＸ−Ｙ平面内としたため、パター
ニングとエッチングの製作誤差の影響が共通したものと
なり、駆動と検出の共振周波数を精度良く、歩留まり良
く決めることが可能となる。また、駆動と検出に関わる
それぞれの振動梁９と１１を独立して設けているため、
駆動振動と検出振動に同一の梁を利用する場合に比較し
て、駆動と検出のメカニカルなカップリングを抑えるこ
とができるといった特徴がある。また、ディープドライ
エッチングを利用したバルクマイクロマシニング手法に
よってハイアスペクト（梁のＺ方向厚みｈ、梁の幅ｗで
定義されるｈ／ｗの値が１に対して大きい）な構造体を
作製できるので、Ｚ軸方向の構造体の剛性を面内方向の
それに比較して大きく設定できるため、振動子の面内の
大きさを大きくとることが可能となり、これに伴い、駆
動用静電力を発生させる櫛歯電極の数を多くとる（櫛歯
電極の数は、単純に駆動変位に比例する）ことが可能と
なる。以上のことから、駆動変位の増幅機能及び櫛歯電
極の数を大きくすることが可能な構成であるため、大気
圧下で振動のＱ値が低くても、駆動変位を大きくとるこ
とができ、感度の高い振動型角速度センサを提供でき
る。また本プロセスによって作製されるガラス−Ｓｉ−
ガラスの３層構造によって、プロセス上で内部センサ構
造をハーメチックシーリング（気密封止）可能であるた
め、あらたな金属パッケージングを必要としない。
【００１８】実施の形態２．図４に本発明の実施の形態
２による振動型角速度センサの構成を示す。本実施の形
態では、振動子の駆動振動の共振点に於ける変位量を増
幅するため、１自由度系の振動子に対して、上記振動子
に連結して新たに振動子を設け、これら振動子にも駆動
力を発生させる機構を設け、適切な形状寸法の梁で連結
した２自由度振動系を構成した。基本構造は実施の形態
１と共通しているが、駆動振動の発生機構を駆動振動子
用の梁９の左側にも作製し、駆動力ひいては駆動変位量
の増大を図った構造を示すものであり、第１、第２の駆
動用櫛歯固定電極１２、２１により駆動変位を大きくで
きる構成である。この結果、駆動変位量を大きくできる
ことから、コリオリ力検出用の振動子１０の変位感度も
大きく、感度の高い振動型角速度センサを提供できる。
なお、本実施の形態では第２の駆動用櫛歯固定電極２１
によりＸ軸方向の正方向のみに駆動引力を発生させる構
成を示したが、負方向へ作用する構成または、その混合
の構成を採用してもよい。また、実施の形態１でも記述
したが検出用振動子１０の右側に左側と対称な構造を採
用し２点支持構成としてもよい。
２による振動型角速度センサの構成を示す。本実施の形
態では、振動子の駆動振動の共振点に於ける変位量を増
幅するため、１自由度系の振動子に対して、上記振動子
に連結して新たに振動子を設け、これら振動子にも駆動
力を発生させる機構を設け、適切な形状寸法の梁で連結
した２自由度振動系を構成した。基本構造は実施の形態
１と共通しているが、駆動振動の発生機構を駆動振動子
用の梁９の左側にも作製し、駆動力ひいては駆動変位量
の増大を図った構造を示すものであり、第１、第２の駆
動用櫛歯固定電極１２、２１により駆動変位を大きくで
きる構成である。この結果、駆動変位量を大きくできる
ことから、コリオリ力検出用の振動子１０の変位感度も
大きく、感度の高い振動型角速度センサを提供できる。
なお、本実施の形態では第２の駆動用櫛歯固定電極２１
によりＸ軸方向の正方向のみに駆動引力を発生させる構
成を示したが、負方向へ作用する構成または、その混合
の構成を採用してもよい。また、実施の形態１でも記述
したが検出用振動子１０の右側に左側と対称な構造を採
用し２点支持構成としてもよい。
【００１９】実施の形態３．図５に本発明の実施の形態
３による振動型角速度センサの構成を示す。基本構造は
実施の形態１と共通しているが、検出用振動子１０の内
部をくりぬいて、その中に検出用振動子１０のＸ軸方向
の中心に上下対称に図に示すようにいくつかの新たな第
２の検出電極２２、２３を作り込むことも可能である。
なお、検出電極の初期容量値とその変化量を大きくする
ために、第２の検出電極２２は第１の検出電極１４に電
気的に接続し、第２の検出電極２３は、第１の検出電極
１５に接続してもよい。また、第２の検出電極２２、２
３はコリオリ力によって発生するＹ軸方向変位を相殺す
るように静電力を発生させる静電力用フィードバック電
極として利用しても良い。また、実施の形態１でも記述
したが、検出用振動子１０の右側に左側と対称な構造を
採用し２点支持構成としてもよい。さらに、実施の形態
２で記述したように、駆動力を増幅するための新たな第
２の駆動用櫛歯固定電極を設けてもよい。また、上記新
たに設けた第２の検出電極２２、２３のいくつかを、セ
ルフアクチュエーション用（チェック時の検出用振動子
１０の駆動用）電極として利用し、例えばセンサ始動時
に検出方向に確実に変位するかどうかのチェックを検出
用振動子１０と当該検出電極間の静電引力を利用して行
うことが可能である。
３による振動型角速度センサの構成を示す。基本構造は
実施の形態１と共通しているが、検出用振動子１０の内
部をくりぬいて、その中に検出用振動子１０のＸ軸方向
の中心に上下対称に図に示すようにいくつかの新たな第
２の検出電極２２、２３を作り込むことも可能である。
なお、検出電極の初期容量値とその変化量を大きくする
ために、第２の検出電極２２は第１の検出電極１４に電
気的に接続し、第２の検出電極２３は、第１の検出電極
１５に接続してもよい。また、第２の検出電極２２、２
３はコリオリ力によって発生するＹ軸方向変位を相殺す
るように静電力を発生させる静電力用フィードバック電
極として利用しても良い。また、実施の形態１でも記述
したが、検出用振動子１０の右側に左側と対称な構造を
採用し２点支持構成としてもよい。さらに、実施の形態
２で記述したように、駆動力を増幅するための新たな第
２の駆動用櫛歯固定電極を設けてもよい。また、上記新
たに設けた第２の検出電極２２、２３のいくつかを、セ
ルフアクチュエーション用（チェック時の検出用振動子
１０の駆動用）電極として利用し、例えばセンサ始動時
に検出方向に確実に変位するかどうかのチェックを検出
用振動子１０と当該検出電極間の静電引力を利用して行
うことが可能である。
【００２０】
【発明の効果】以上のように、本発明の第１の構成によ
れば、基板にアンカー部で固定された第１の梁によって
支持され、駆動用櫛歯電極によって基板に平行なＸ軸方
向に駆動される駆動用振動子と、前記駆動用振動子に第
２の梁によって支持され、前記基板に平行なＹ軸方向に
振動可能な検出用振動子と、前記検出用振動子との間に
前記Ｘ軸方向に沿う間隙を隔てて設けられた静電容量の
検出電極とを備え、前記基板に垂直なＺ軸方向を軸とす
る角速度を検出するので、駆動変位を大きくし、角速度
によって生じるコリオリ力を増大し、感度を向上させる
ことが可能となる。そのため、高い振動のＱ値を必要と
せず、従来必要とされた様に、センサを真空下に封じこ
める必要が無く、簡単なハーメチックパッケージを利用
することが可能となり、コストを低減できる。
れば、基板にアンカー部で固定された第１の梁によって
支持され、駆動用櫛歯電極によって基板に平行なＸ軸方
向に駆動される駆動用振動子と、前記駆動用振動子に第
２の梁によって支持され、前記基板に平行なＹ軸方向に
振動可能な検出用振動子と、前記検出用振動子との間に
前記Ｘ軸方向に沿う間隙を隔てて設けられた静電容量の
検出電極とを備え、前記基板に垂直なＺ軸方向を軸とす
る角速度を検出するので、駆動変位を大きくし、角速度
によって生じるコリオリ力を増大し、感度を向上させる
ことが可能となる。そのため、高い振動のＱ値を必要と
せず、従来必要とされた様に、センサを真空下に封じこ
める必要が無く、簡単なハーメチックパッケージを利用
することが可能となり、コストを低減できる。
【００２１】また、本発明の第２の構成によれば、第１
の構成に加えて、前記駆動用振動子は前記検出用振動子
に対して対称な位置に配置した２つのアンカー部により
基板に固定されているので、検出用振動子に対する駆動
振動の方向を正確にＸ方向のみとすることができ、この
ため大振幅の駆動が可能となり検出感度を向上させるこ
とができる。
の構成に加えて、前記駆動用振動子は前記検出用振動子
に対して対称な位置に配置した２つのアンカー部により
基板に固定されているので、検出用振動子に対する駆動
振動の方向を正確にＸ方向のみとすることができ、この
ため大振幅の駆動が可能となり検出感度を向上させるこ
とができる。
【００２２】さらに、本発明の第３の構成によれば、第
１の構成に加えて、前記検出電極は、その一方を検出用
振動子に、他方を駆動用振動子に、等間隔の間隙を隔て
て配置されているので、駆動による検出用振動子の振動
方向が純粋にＸ方向に一致しない場合でも、検出電極に
不要な容量変化が生じないようにでき、駆動変位には不
感で、コリオリ力による変位のみを検出できる振動型角
速度センサが得られる。
１の構成に加えて、前記検出電極は、その一方を検出用
振動子に、他方を駆動用振動子に、等間隔の間隙を隔て
て配置されているので、駆動による検出用振動子の振動
方向が純粋にＸ方向に一致しない場合でも、検出電極に
不要な容量変化が生じないようにでき、駆動変位には不
感で、コリオリ力による変位のみを検出できる振動型角
速度センサが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施の形態１による振動型角速度セ
ンサの構成を示す平面図である。
ンサの構成を示す平面図である。
【図２】 図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】 本発明の実施の形態１に係わる振動型角速度
センサの製造プロセスを工程順に示す断面図である。
センサの製造プロセスを工程順に示す断面図である。
【図４】 本発明の実施の形態２による振動型角速度セ
ンサの構成を示す平面図である。
ンサの構成を示す平面図である。
【図５】 本発明の実施の形態３による振動型角速度セ
ンサの構成を示す平面図である。
ンサの構成を示す平面図である。
【図６】 従来の振動型角速度センサの一例の構成を説
明する図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ
−Ｂ線断面図である。
明する図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ
−Ｂ線断面図である。
【図７】 従来の振動型角速度センサの検出側等価回路
を示す図である。
を示す図である。
１ 基板、 ２ 振動子、 ３ アンカー部、 ４
梁、 ５ 駆動用櫛歯固定電極、 ６ 駆動変位検出用
櫛歯固定電極、 ７ 変位検出電極、 ８ 駆動用振動
子、 ９ 駆動振動子用梁、 １０ 検出用振動子、
１１ 検出振動子用梁、 １２ 第１の駆動用櫛歯固定
電極、 １３ 駆動変位検出用固定電極、１４，１５
第１の検出電極、 １６ 配線用電極、 １７ 電極取
り出し基台、 １８ 補助支持部、 １９ 下部ガラス
基板、 ２０ 上部ガラス基板、２１ 第２の駆動用櫛
歯固定電極、 ２２，２３ 第２の検出電極、 ２４
レジスト又は絶縁膜、 ２５ ボンディングパッド、
２６ ＡＳＩＣ、 ２７大変位防止用ストッパ。
梁、 ５ 駆動用櫛歯固定電極、 ６ 駆動変位検出用
櫛歯固定電極、 ７ 変位検出電極、 ８ 駆動用振動
子、 ９ 駆動振動子用梁、 １０ 検出用振動子、
１１ 検出振動子用梁、 １２ 第１の駆動用櫛歯固定
電極、 １３ 駆動変位検出用固定電極、１４，１５
第１の検出電極、 １６ 配線用電極、 １７ 電極取
り出し基台、 １８ 補助支持部、 １９ 下部ガラス
基板、 ２０ 上部ガラス基板、２１ 第２の駆動用櫛
歯固定電極、 ２２，２３ 第２の検出電極、 ２４
レジスト又は絶縁膜、 ２５ ボンディングパッド、
２６ ＡＳＩＣ、 ２７大変位防止用ストッパ。
Claims (3)
- 【請求項１】 基板にアンカー部で固定された第１の梁
によって支持され、駆動用櫛歯電極によって基板に平行
なＸ軸方向に駆動される駆動用振動子と、前記駆動用振
動子に第２の梁によって支持され、前記基板に平行なＹ
軸方向に振動可能な検出用振動子と、前記検出用振動子
との間に前記Ｘ軸方向に沿う間隙を隔てて設けられた静
電容量の検出電極とを備え、前記基板に垂直なＺ軸方向
を軸とする角速度を検出する振動型角速度センサ。 - 【請求項２】 前記駆動用振動子は前記検出用振動子に
対して対称な位置に配置した２つのアンカー部により基
板に固定されている請求項１記載の振動型角速度セン
サ。 - 【請求項３】 前記検出電極は、その一方を検出用振動
子に、他方を駆動用振動子に、等間隔の間隙を隔てて配
置されている請求項１記載の振動型角速度センサ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9156672A JPH112526A (ja) | 1997-06-13 | 1997-06-13 | 振動型角速度センサ |
| US09/000,648 US6125700A (en) | 1997-06-13 | 1997-12-30 | Vibrating type angular velocity sensor |
| DE19801981A DE19801981C2 (de) | 1997-06-13 | 1998-01-20 | Winkelgeschwindigkeitssensor vom Vibrationstyp |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9156672A JPH112526A (ja) | 1997-06-13 | 1997-06-13 | 振動型角速度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH112526A true JPH112526A (ja) | 1999-01-06 |
Family
ID=15632795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9156672A Pending JPH112526A (ja) | 1997-06-13 | 1997-06-13 | 振動型角速度センサ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6125700A (ja) |
| JP (1) | JPH112526A (ja) |
| DE (1) | DE19801981C2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005292117A (ja) * | 2004-03-12 | 2005-10-20 | Matsushita Electric Works Ltd | ジャイロセンサおよびそれを用いたセンサ装置 |
| JP2008145338A (ja) * | 2006-12-12 | 2008-06-26 | Hitachi Ltd | 角速度センサ |
| JP2008281566A (ja) * | 2007-05-11 | 2008-11-20 | Honeywell Internatl Inc | ２軸の周りの回転速度を感知するｍｅｍｓ音叉ジャイロ |
| KR100880212B1 (ko) | 2004-03-12 | 2009-01-28 | 파나소닉 덴코 가부시키가이샤 | 자이로 센서 및 이를 이용하는 센서 장치 |
| JP2013213754A (ja) * | 2012-04-03 | 2013-10-17 | Seiko Epson Corp | ジャイロセンサー及びそれを用いた電子機器 |
| JP2013221919A (ja) * | 2012-04-19 | 2013-10-28 | Seiko Epson Corp | ジャイロセンサーおよび電子機器 |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3554965B2 (ja) | 1999-12-28 | 2004-08-18 | 株式会社村田製作所 | 角速度センサ |
| US6414872B1 (en) * | 2000-06-21 | 2002-07-02 | National Semiconductor Corporation | Compact non-volatile memory device and memory array |
| US6808956B2 (en) | 2000-12-27 | 2004-10-26 | Honeywell International Inc. | Thin micromachined structures |
| US6582985B2 (en) | 2000-12-27 | 2003-06-24 | Honeywell International Inc. | SOI/glass process for forming thin silicon micromachined structures |
| US7514283B2 (en) * | 2003-03-20 | 2009-04-07 | Robert Bosch Gmbh | Method of fabricating electromechanical device having a controlled atmosphere |
| US7075160B2 (en) | 2003-06-04 | 2006-07-11 | Robert Bosch Gmbh | Microelectromechanical systems and devices having thin film encapsulated mechanical structures |
| US6936491B2 (en) | 2003-06-04 | 2005-08-30 | Robert Bosch Gmbh | Method of fabricating microelectromechanical systems and devices having trench isolated contacts |
| US6952041B2 (en) | 2003-07-25 | 2005-10-04 | Robert Bosch Gmbh | Anchors for microelectromechanical systems having an SOI substrate, and method of fabricating same |
| DE10349014B4 (de) * | 2003-10-17 | 2014-01-09 | Austriamicrosystems Ag | Mikroelektromechanischer Drehratensensor |
| KR100501723B1 (ko) * | 2003-12-17 | 2005-07-18 | 삼성전자주식회사 | Ｓｍｓ 웨이퍼를 이용한 자이로스코프 제조방법 및 이방법에 의해 제조된 자이로스코프 |
| US7068125B2 (en) | 2004-03-04 | 2006-06-27 | Robert Bosch Gmbh | Temperature controlled MEMS resonator and method for controlling resonator frequency |
| US7102467B2 (en) | 2004-04-28 | 2006-09-05 | Robert Bosch Gmbh | Method for adjusting the frequency of a MEMS resonator |
| EP1624286B1 (en) * | 2004-08-03 | 2017-10-04 | STMicroelectronics Srl | Micro-electro-mechanical sensor with force feedback loop |
| US20070170528A1 (en) | 2006-01-20 | 2007-07-26 | Aaron Partridge | Wafer encapsulated microelectromechanical structure and method of manufacturing same |
| US8187902B2 (en) | 2008-07-09 | 2012-05-29 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | High performance sensors and methods for forming the same |
| US10858241B2 (en) | 2015-04-09 | 2020-12-08 | Rensselaer Polytechnic Institute | Enhanced control of shuttle mass motion in MEMS devices |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA871206A (en) * | 1968-10-15 | 1971-05-18 | Du Pont Of Canada Limited | Apparatus for extruding plastic net |
| JP3123301B2 (ja) * | 1993-04-16 | 2001-01-09 | 株式会社村田製作所 | 角速度センサ |
| JP3336730B2 (ja) * | 1994-02-28 | 2002-10-21 | 株式会社村田製作所 | 角速度センサ |
| JP3412293B2 (ja) * | 1994-11-17 | 2003-06-03 | 株式会社デンソー | 半導体ヨーレートセンサおよびその製造方法 |
| DE4442033C2 (de) * | 1994-11-25 | 1997-12-18 | Bosch Gmbh Robert | Drehratensensor |
| DE19530007C2 (de) * | 1995-08-16 | 1998-11-26 | Bosch Gmbh Robert | Drehratensensor |
| KR100327481B1 (ko) * | 1995-12-27 | 2002-06-24 | 윤종용 | 마이크로 자이로스코프 |
| DE19617666B4 (de) * | 1996-05-03 | 2006-04-20 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanischer Drehratensensor |
| JPH1047966A (ja) * | 1996-07-31 | 1998-02-20 | Aisin Seiki Co Ltd | 角速度センサ |
| US5945599A (en) * | 1996-12-13 | 1999-08-31 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Resonance type angular velocity sensor |
-
1997
- 1997-06-13 JP JP9156672A patent/JPH112526A/ja active Pending
- 1997-12-30 US US09/000,648 patent/US6125700A/en not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-01-20 DE DE19801981A patent/DE19801981C2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005292117A (ja) * | 2004-03-12 | 2005-10-20 | Matsushita Electric Works Ltd | ジャイロセンサおよびそれを用いたセンサ装置 |
| KR100880212B1 (ko) | 2004-03-12 | 2009-01-28 | 파나소닉 덴코 가부시키가이샤 | 자이로 센서 및 이를 이용하는 센서 장치 |
| US7484410B2 (en) | 2004-03-12 | 2009-02-03 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Gyro sensor and sensor apparatus using same |
| JP2008145338A (ja) * | 2006-12-12 | 2008-06-26 | Hitachi Ltd | 角速度センサ |
| JP2008281566A (ja) * | 2007-05-11 | 2008-11-20 | Honeywell Internatl Inc | ２軸の周りの回転速度を感知するｍｅｍｓ音叉ジャイロ |
| JP2013213754A (ja) * | 2012-04-03 | 2013-10-17 | Seiko Epson Corp | ジャイロセンサー及びそれを用いた電子機器 |
| JP2013221919A (ja) * | 2012-04-19 | 2013-10-28 | Seiko Epson Corp | ジャイロセンサーおよび電子機器 |
| US9470525B2 (en) | 2012-04-19 | 2016-10-18 | Seiko Epson Corporation | Gyro sensor and electronic apparatus |
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