JPH11255589A - 単結晶原料補助溶解装置及び単結晶原料補助溶解装置における単結晶原料溶解方法 - Google Patents
単結晶原料補助溶解装置及び単結晶原料補助溶解装置における単結晶原料溶解方法Info
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- JPH11255589A JPH11255589A JP8034998A JP8034998A JPH11255589A JP H11255589 A JPH11255589 A JP H11255589A JP 8034998 A JP8034998 A JP 8034998A JP 8034998 A JP8034998 A JP 8034998A JP H11255589 A JPH11255589 A JP H11255589A
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 補助ルツボ内の原料を誘導加熱式により加熱
して溶解する際の熱効率を向上させて溶解時間を短縮す
る。 【解決手段】 ２次誘導電流は導電体の表面に集まりや
すく、この傾向は周波数が高くなるほど激しくなるの
で、導電性サセプタ２の厚さと、高周波コイル３に印加
される周波数は、導電性サセプタ２の厚さが２次誘導電
流の浸透深さより薄くなるように選択されている。原料
の導電率が比較的小さいときに高周波コイル３に高周波
電流を印加すると、導電性サセプタ２に２次誘導電流が
発生し、導電性サセプタ２がこの２次誘導電流によりジ
ュール発熱する。導電性サセプタ２の熱が補助ルツボ１
を介して内部の原料に伝達されて原料が加熱される。原
料が低温であって導電率が比較的小さいときに比較的低
周波数の電力を印加し、前記原料が高温であって導電率
が比較的大きいときに比較的高周波数の電力を印加す
る。
して溶解する際の熱効率を向上させて溶解時間を短縮す
る。 【解決手段】 ２次誘導電流は導電体の表面に集まりや
すく、この傾向は周波数が高くなるほど激しくなるの
で、導電性サセプタ２の厚さと、高周波コイル３に印加
される周波数は、導電性サセプタ２の厚さが２次誘導電
流の浸透深さより薄くなるように選択されている。原料
の導電率が比較的小さいときに高周波コイル３に高周波
電流を印加すると、導電性サセプタ２に２次誘導電流が
発生し、導電性サセプタ２がこの２次誘導電流によりジ
ュール発熱する。導電性サセプタ２の熱が補助ルツボ１
を介して内部の原料に伝達されて原料が加熱される。原
料が低温であって導電率が比較的小さいときに比較的低
周波数の電力を印加し、前記原料が高温であって導電率
が比較的大きいときに比較的高周波数の電力を印加す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、引上げＣＺ（Czoc
hralski）法によりＳｉ（シリコン）の無転位の単結晶
を製造するための単結晶引上げ装置において単結晶の原
料を補助ルツボ内で加熱して溶解し、この溶解原料を主
ルツボに供給するための単結晶原料補助溶解装置及び単
結晶原料溶解方法に関する。
hralski）法によりＳｉ（シリコン）の無転位の単結晶
を製造するための単結晶引上げ装置において単結晶の原
料を補助ルツボ内で加熱して溶解し、この溶解原料を主
ルツボに供給するための単結晶原料補助溶解装置及び単
結晶原料溶解方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、引上げＣＺ法による単結晶製造
装置では、高耐圧気密チャンバ内を１０torr程度に減圧
して新鮮なＡｒ（アルゴン）ガスを流すとともに、チャ
ンバ内の下方に設けられた石英ルツボ内の多結晶を加熱
して溶融し、この融液の表面に種結晶を上から浸漬し、
種結晶と石英ルツボを回転、上下移動させながら種結晶
を引き上げることにより、種結晶の下に上端が突出した
円錐形の上部コーン部と、円筒形のボディ部と下端が突
出した円錐形の下部コーン部より成る単結晶（いわゆる
インゴット）を成長させるように構成されている。
装置では、高耐圧気密チャンバ内を１０torr程度に減圧
して新鮮なＡｒ（アルゴン）ガスを流すとともに、チャ
ンバ内の下方に設けられた石英ルツボ内の多結晶を加熱
して溶融し、この融液の表面に種結晶を上から浸漬し、
種結晶と石英ルツボを回転、上下移動させながら種結晶
を引き上げることにより、種結晶の下に上端が突出した
円錐形の上部コーン部と、円筒形のボディ部と下端が突
出した円錐形の下部コーン部より成る単結晶（いわゆる
インゴット）を成長させるように構成されている。
【０００３】このような装置において原料を溶解する従
来の方法としては、単結晶引き上げ用のルツボ（以下、
主ルツボ）内の溶融原料の減少を補助ルツボから供給す
る方法が提案されている。例えば特開昭５５−１３０８
９４号公報では主ルツボと連通した補助ルツボ内で原料
を溶解して、補助ルツボから連通管を介して主ルツボに
追加供給する方法が提案されている。また、特開昭５６
−１６４０９７号公報では固体原料を引上げ装置の外か
ら引上げ装置内の補助ルツボ内に供給して溶解し、溶解
原料を補助ルツボから主ルツボに追加供給する方法が提
案されている。
来の方法としては、単結晶引き上げ用のルツボ（以下、
主ルツボ）内の溶融原料の減少を補助ルツボから供給す
る方法が提案されている。例えば特開昭５５−１３０８
９４号公報では主ルツボと連通した補助ルツボ内で原料
を溶解して、補助ルツボから連通管を介して主ルツボに
追加供給する方法が提案されている。また、特開昭５６
−１６４０９７号公報では固体原料を引上げ装置の外か
ら引上げ装置内の補助ルツボ内に供給して溶解し、溶解
原料を補助ルツボから主ルツボに追加供給する方法が提
案されている。
【０００４】従来、単結晶の原料を補助ルツボ内で加熱
して溶解する方法としては、抵抗加熱式と誘導加熱式が
知られている。抵抗加熱式では、補助ルツボの回りに抵
抗加熱ヒータを配置してこのヒータにＤＣ電圧を印加す
ることにより発熱させ、補助ルツボを介してその内部の
原料を加熱する。また、誘導加熱式では、補助ルツボの
回りにコイルを配置してこのヒータにＡＣ電圧を印加す
ることにより補助ルツボ内の原料に２次誘導電流を発生
させ、この２次誘導電流により原料がジュール熱を発生
することにより溶解する。
して溶解する方法としては、抵抗加熱式と誘導加熱式が
知られている。抵抗加熱式では、補助ルツボの回りに抵
抗加熱ヒータを配置してこのヒータにＤＣ電圧を印加す
ることにより発熱させ、補助ルツボを介してその内部の
原料を加熱する。また、誘導加熱式では、補助ルツボの
回りにコイルを配置してこのヒータにＡＣ電圧を印加す
ることにより補助ルツボ内の原料に２次誘導電流を発生
させ、この２次誘導電流により原料がジュール熱を発生
することにより溶解する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
抵抗加熱式では、ヒータが発生する熱を補助ルツボを介
して間接的にその内部の原料に伝達するので、熱効率が
悪いという問題点がある。したがって、溶解時間が長く
なり、また、高温に対して劣化する石英の補助ルツボを
必要以上に加熱しなければならない。更に原料を撹拌す
るために補助ルツボを回転させる必要があるので、構造
が複雑化する。
抵抗加熱式では、ヒータが発生する熱を補助ルツボを介
して間接的にその内部の原料に伝達するので、熱効率が
悪いという問題点がある。したがって、溶解時間が長く
なり、また、高温に対して劣化する石英の補助ルツボを
必要以上に加熱しなければならない。更に原料を撹拌す
るために補助ルツボを回転させる必要があるので、構造
が複雑化する。
【０００６】また、上記の誘導加熱式の従来例において
も同様に、シリコンの導電率は低温時には低く、高温時
に高いので、初期加熱時における熱効率が悪いという問
題点がある。したがって、この方法では、溶解時間を短
縮するために、初期加熱時に一部の原料を溶解させて補
助ルツボ内に供給した後に誘導加熱を開始する必要があ
る。
も同様に、シリコンの導電率は低温時には低く、高温時
に高いので、初期加熱時における熱効率が悪いという問
題点がある。したがって、この方法では、溶解時間を短
縮するために、初期加熱時に一部の原料を溶解させて補
助ルツボ内に供給した後に誘導加熱を開始する必要があ
る。
【０００７】本発明は上記従来例の問題点に鑑み、補助
ルツボ内の原料を誘導加熱式により加熱して溶解する際
の熱効率を向上させて溶解時間を短縮することができる
単結晶原料補助溶解装置及び単結晶原料溶解方法を提供
することを目的とする。
ルツボ内の原料を誘導加熱式により加熱して溶解する際
の熱効率を向上させて溶解時間を短縮することができる
単結晶原料補助溶解装置及び単結晶原料溶解方法を提供
することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、原料が低温であってその導電率が比較的小
さいときには２次誘導電流をサセプタに発生させてサセ
プタの熱を補助ルツボ内の原料に伝達し、原料が高温で
あってその導電率が比較的大きいときに２次誘導電流を
サセプタと補助ルツボ内の原料の両方に発生させて、サ
セプタの熱を補助ルツボ内の原料に伝達するとともに原
料自体が発熱するようにしたものである。また、印加す
る高周波の周波数を溶解の途中で切り換えるようにする
ことにより、さらなる時間短縮効果を得ることができる
ものである。
するために、原料が低温であってその導電率が比較的小
さいときには２次誘導電流をサセプタに発生させてサセ
プタの熱を補助ルツボ内の原料に伝達し、原料が高温で
あってその導電率が比較的大きいときに２次誘導電流を
サセプタと補助ルツボ内の原料の両方に発生させて、サ
セプタの熱を補助ルツボ内の原料に伝達するとともに原
料自体が発熱するようにしたものである。また、印加す
る高周波の周波数を溶解の途中で切り換えるようにする
ことにより、さらなる時間短縮効果を得ることができる
ものである。
【０００９】すなわち本発明によれば、単結晶の原料を
補助ルツボ内で加熱して溶解し、この溶解原料を主ルツ
ボに供給するための単結晶原料補助溶解装置において、
前記補助ルツボを支持する導電性のサセプタと、前記サ
セプタの回りに巻回され、高周波電力が印加されるコイ
ルとを有し、前記サセプタの厚さと前記コイルに印加さ
れる周波数は、前記サセプタの厚さが２次誘導電流の浸
透深さより薄くなるように選択されていることを特徴と
する単結晶原料補助溶解装置が提供される。
補助ルツボ内で加熱して溶解し、この溶解原料を主ルツ
ボに供給するための単結晶原料補助溶解装置において、
前記補助ルツボを支持する導電性のサセプタと、前記サ
セプタの回りに巻回され、高周波電力が印加されるコイ
ルとを有し、前記サセプタの厚さと前記コイルに印加さ
れる周波数は、前記サセプタの厚さが２次誘導電流の浸
透深さより薄くなるように選択されていることを特徴と
する単結晶原料補助溶解装置が提供される。
【００１０】また、本発明によれば、単結晶の原料を補
助ルツボ内で加熱して溶解し、この溶解原料を主ルツボ
に供給するための単結晶原料補助溶解装置において、前
記補助ルツボを支持する導電性のサセプタと、前記サセ
プタの回りに巻回され、高周波電力が印加されるコイル
とを有し、前記コイルに対し、比較的高い第１の周波数
の電力を印加して前記補助ルツボ内の加熱を開始し、前
記原料の溶解が開始した後に比較的低い第２の周波数の
電力を印加することを特徴とする単結晶原料補助溶解装
置が提供される。
助ルツボ内で加熱して溶解し、この溶解原料を主ルツボ
に供給するための単結晶原料補助溶解装置において、前
記補助ルツボを支持する導電性のサセプタと、前記サセ
プタの回りに巻回され、高周波電力が印加されるコイル
とを有し、前記コイルに対し、比較的高い第１の周波数
の電力を印加して前記補助ルツボ内の加熱を開始し、前
記原料の溶解が開始した後に比較的低い第２の周波数の
電力を印加することを特徴とする単結晶原料補助溶解装
置が提供される。
【００１１】さらに、本発明によれば、単結晶の原料を
補助ルツボ内で加熱して溶解し、この溶解原料を主ルツ
ボに供給するための単結晶原料補助溶解装置であって、
前記補助ルツボを支持する導電性のサセプタと、前記サ
セプタの回りに巻回され、高周波電力が印加されるコイ
ルとを有するものを用いた溶解方法であって、前記コイ
ルに対し、比較的高い第１の周波数の電力を印加して前
記補助ルツボ内の加熱を開始するステップと、前記原料
の溶解が開始された後に比較的低い第２の周波数の電力
を印加するステップとを有する単結晶原料溶解方法が提
供される。
補助ルツボ内で加熱して溶解し、この溶解原料を主ルツ
ボに供給するための単結晶原料補助溶解装置であって、
前記補助ルツボを支持する導電性のサセプタと、前記サ
セプタの回りに巻回され、高周波電力が印加されるコイ
ルとを有するものを用いた溶解方法であって、前記コイ
ルに対し、比較的高い第１の周波数の電力を印加して前
記補助ルツボ内の加熱を開始するステップと、前記原料
の溶解が開始された後に比較的低い第２の周波数の電力
を印加するステップとを有する単結晶原料溶解方法が提
供される。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図１は本発明に係る単結晶原料補
助溶解装置の一実施形態が適用された単結晶引上げ装置
を示す構成図、図２は図１の補助溶解装置の補助溶解工
程を示す説明図である。
施の形態を説明する。図１は本発明に係る単結晶原料補
助溶解装置の一実施形態が適用された単結晶引上げ装置
を示す構成図、図２は図１の補助溶解装置の補助溶解工
程を示す説明図である。
【００１３】図１に示す単結晶引上げ装置１０では、石
英の主ルツボ１１の回りには円筒状のヒータ（不図示）
が配置され、ヒータの回りには円筒状の断熱材１３が配
置されている。これらの部材１１、１３は下部チャンバ
１４内に配置されている。また、図示省略されている
が、主ルツボ１１はカーボンルツボにより支持され、こ
の主ルツボ１１とカーボンルツボは上下方向に移動可能
に、軸の回りを回動可能に支持されている。また、下部
チャンバ１４の上には上部チャンバ１５が配置され、上
部チャンバ１５からは単結晶を引き上げるためのケーブ
ルが上下方向に移動可能に、軸の回りを回転可能に吊り
下げられる。
英の主ルツボ１１の回りには円筒状のヒータ（不図示）
が配置され、ヒータの回りには円筒状の断熱材１３が配
置されている。これらの部材１１、１３は下部チャンバ
１４内に配置されている。また、図示省略されている
が、主ルツボ１１はカーボンルツボにより支持され、こ
の主ルツボ１１とカーボンルツボは上下方向に移動可能
に、軸の回りを回動可能に支持されている。また、下部
チャンバ１４の上には上部チャンバ１５が配置され、上
部チャンバ１５からは単結晶を引き上げるためのケーブ
ルが上下方向に移動可能に、軸の回りを回転可能に吊り
下げられる。
【００１４】下部チャンバ１４の上にはまた、補助チャ
ンバ１７が配置され、補助チャンバ１７内には主ルツボ
１１内に溶解原料（メルト）を供給するために図２に詳
しく示すような補助溶解装置２０が配置されている。更
に、補助溶解装置２０の上には単結晶原料となる固体粒
状原料を供給するためのフィーダ２１が配置されてい
る。なお、下部チャンバ１４と、上部チャンバと補助チ
ャンバ１７の内部は連通していて低圧に維持され、ま
た、Ａｒなどの不活性ガスが流されている。
ンバ１７が配置され、補助チャンバ１７内には主ルツボ
１１内に溶解原料（メルト）を供給するために図２に詳
しく示すような補助溶解装置２０が配置されている。更
に、補助溶解装置２０の上には単結晶原料となる固体粒
状原料を供給するためのフィーダ２１が配置されてい
る。なお、下部チャンバ１４と、上部チャンバと補助チ
ャンバ１７の内部は連通していて低圧に維持され、ま
た、Ａｒなどの不活性ガスが流されている。
【００１５】図２を参照して補助溶解装置２０について
詳しく説明する。石英の補助ルツボ１の中央には、補助
ルツボ１内の溶融液をオーバフローにより主ルツボ１１
に供給するためのパイプ１ａが形成され、このパイプ１
ａは上端の開口の高さ位置が補助ルツボ１の高さの約１
／２の位置に突出するように形成されている。補助ルツ
ボ１は導電性サセプタ２（カーボンルツボ又はカーボン
シリンダ）により側面及び底面が覆われるように支持さ
れ、サセプタ２の回りには高周波コイル３が配置されて
いる。ここで、２次誘導電流は導電体の表面に集まりや
すく、また、この傾向は周波数が高くなるほど激しくな
る。そこで、導電性サセプタ２の厚さと高周波コイル３
に印加される周波数は、導電性サセプタ２の厚さが２次
誘導電流の浸透深さより薄くなるように選択されてい
る。
詳しく説明する。石英の補助ルツボ１の中央には、補助
ルツボ１内の溶融液をオーバフローにより主ルツボ１１
に供給するためのパイプ１ａが形成され、このパイプ１
ａは上端の開口の高さ位置が補助ルツボ１の高さの約１
／２の位置に突出するように形成されている。補助ルツ
ボ１は導電性サセプタ２（カーボンルツボ又はカーボン
シリンダ）により側面及び底面が覆われるように支持さ
れ、サセプタ２の回りには高周波コイル３が配置されて
いる。ここで、２次誘導電流は導電体の表面に集まりや
すく、また、この傾向は周波数が高くなるほど激しくな
る。そこで、導電性サセプタ２の厚さと高周波コイル３
に印加される周波数は、導電性サセプタ２の厚さが２次
誘導電流の浸透深さより薄くなるように選択されてい
る。
【００１６】図２（ａ）は溶解前、図２（ｂ）は溶解途
中、図２（ｃ）は溶解完了時を示している。まず、図２
（ａ）に示すように原料３０が溶解前のとき、すなわち
初期原料３０ａが低温であってその導電率が比較的小さ
いときに高周波コイル３に高周波電流を印加すると、導
電性サセプタ２に２次誘導電流が発生し、導電性サセプ
タ２がこの２次誘導電流によりジュール発熱する。な
お、このときには初期原料３０ａの導電率が高温時より
小さいので２次誘導電流は殆ど発生しない。したがっ
て、導電性サセプタ２の熱が補助ルツボ１を介して内部
の原料に伝達されて原料が加熱され、図２（ｂ）に示す
ように溶融を開始する。
中、図２（ｃ）は溶解完了時を示している。まず、図２
（ａ）に示すように原料３０が溶解前のとき、すなわち
初期原料３０ａが低温であってその導電率が比較的小さ
いときに高周波コイル３に高周波電流を印加すると、導
電性サセプタ２に２次誘導電流が発生し、導電性サセプ
タ２がこの２次誘導電流によりジュール発熱する。な
お、このときには初期原料３０ａの導電率が高温時より
小さいので２次誘導電流は殆ど発生しない。したがっ
て、導電性サセプタ２の熱が補助ルツボ１を介して内部
の原料に伝達されて原料が加熱され、図２（ｂ）に示す
ように溶融を開始する。
【００１７】次いで図２（ｂ）に示すように原料が溶融
途中（図示３０ｂ）になると、原料の導電率が徐々に大
きくなるので溶融原料３０ｂ内にも２次誘導電流が発生
する。したがって、このときには導電性サセプタ２の熱
が補助ルツボ１を介して内部の原料に伝達されるととも
に、溶融原料３０ｂ自体が２次誘導電流によりジュール
発熱する。次いで図２（ｃ）に示すように溶解が進んで
原料の導電率が最大になって原料内の２次誘導電流も最
大になり、また、溶融原料３０ｂが高周波コイル３によ
る磁場により対流して自己撹拌が発生する。そして、こ
の状態でフィーダ２１から原料３０を補助ルツボ１内に
追加すると、補助ルツボ１内の溶融原料３０ｂがパイプ
１ａの上をオーバフローし、パイプ１ａを介して主ルツ
ボ１１に供給される。
途中（図示３０ｂ）になると、原料の導電率が徐々に大
きくなるので溶融原料３０ｂ内にも２次誘導電流が発生
する。したがって、このときには導電性サセプタ２の熱
が補助ルツボ１を介して内部の原料に伝達されるととも
に、溶融原料３０ｂ自体が２次誘導電流によりジュール
発熱する。次いで図２（ｃ）に示すように溶解が進んで
原料の導電率が最大になって原料内の２次誘導電流も最
大になり、また、溶融原料３０ｂが高周波コイル３によ
る磁場により対流して自己撹拌が発生する。そして、こ
の状態でフィーダ２１から原料３０を補助ルツボ１内に
追加すると、補助ルツボ１内の溶融原料３０ｂがパイプ
１ａの上をオーバフローし、パイプ１ａを介して主ルツ
ボ１１に供給される。
【００１８】次に実施例と従来例について説明する。ま
ず、従来例として抵抗加熱式により１ｋｇのＳｉ原料を
加熱したところ、溶解時間は７５分（３５ｋＷ時）であ
った。次に実施例として同じ量の原料を溶解させるため
に、 コイル３の内径：２２０ｍｍ（１０ターン） サセプタ２の厚さ：１０ｍｍ のものを用いた。そして、第１実施例としてコイル３に
対して開始時に一定周波数（３ｋＨｚ）、１５ｋＷの電
流を印加して原料を溶解し、追加投入時に２０ｋＷのＡ
Ｃ電流を印加したところ、溶解時間は３０分であった。
次に第２実施例としてコイル３に対して、図２（ａ）に
示す開始時に１０ｋＨｚ、１５ｋＷの比較的高い周波数
の電流を印加し、次いで図２（ｂ）に示すように原料が
溶融途中になった時点で３ｋＨｚ、１５ｋＷの比較的低
い周波数の電流を印加して原料を溶解し、図２（ｃ）に
示す追加投入時に２０ｋＷのＡＣ電流を印加したとこ
ろ、溶解時間は２０分であった。
ず、従来例として抵抗加熱式により１ｋｇのＳｉ原料を
加熱したところ、溶解時間は７５分（３５ｋＷ時）であ
った。次に実施例として同じ量の原料を溶解させるため
に、 コイル３の内径：２２０ｍｍ（１０ターン） サセプタ２の厚さ：１０ｍｍ のものを用いた。そして、第１実施例としてコイル３に
対して開始時に一定周波数（３ｋＨｚ）、１５ｋＷの電
流を印加して原料を溶解し、追加投入時に２０ｋＷのＡ
Ｃ電流を印加したところ、溶解時間は３０分であった。
次に第２実施例としてコイル３に対して、図２（ａ）に
示す開始時に１０ｋＨｚ、１５ｋＷの比較的高い周波数
の電流を印加し、次いで図２（ｂ）に示すように原料が
溶融途中になった時点で３ｋＨｚ、１５ｋＷの比較的低
い周波数の電流を印加して原料を溶解し、図２（ｃ）に
示す追加投入時に２０ｋＷのＡＣ電流を印加したとこ
ろ、溶解時間は２０分であった。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、原
料が低温であってその導電率が比較的小さいときには２
次誘導電流をサセプタに発生させてサセプタの熱を補助
ルツボ内の原料に伝達し、原料が高温であってその導電
率が比較的大きいときに２次誘導電流をサセプタと補助
ルツボ内の原料の両方に発生させて、サセプタの熱を補
助ルツボ内の原料に伝達するとともに原料自体が発熱す
るようにしたので、補助ルツボ内の原料を誘導加熱式に
より加熱して溶解する際の熱効率を向上させて溶解時間
を短縮することができる。また、印加する高周波電流の
周波数を最初高く設定し、途中で低い周波数に切り換え
ることで、溶解時間を更に短縮することができる。
料が低温であってその導電率が比較的小さいときには２
次誘導電流をサセプタに発生させてサセプタの熱を補助
ルツボ内の原料に伝達し、原料が高温であってその導電
率が比較的大きいときに２次誘導電流をサセプタと補助
ルツボ内の原料の両方に発生させて、サセプタの熱を補
助ルツボ内の原料に伝達するとともに原料自体が発熱す
るようにしたので、補助ルツボ内の原料を誘導加熱式に
より加熱して溶解する際の熱効率を向上させて溶解時間
を短縮することができる。また、印加する高周波電流の
周波数を最初高く設定し、途中で低い周波数に切り換え
ることで、溶解時間を更に短縮することができる。
【図１】本発明に係る単結晶原料補助溶解装置の一実施
形態が適用された単結晶引上げ装置を示す構成図であ
る。
形態が適用された単結晶引上げ装置を示す構成図であ
る。
【図２】図１の補助溶解装置の補助溶解工程を示す説明
図である。
図である。
１ 補助ルツボ ２ 導電性サセプタ ３ 高周波コイル
Claims (5)
- 【請求項１】 単結晶の原料を補助ルツボ内で加熱して
溶解し、この溶解原料を主ルツボに供給するための単結
晶原料補助溶解装置において、 前記補助ルツボを支持する導電性のサセプタと、 前記サセプタの回りに巻回され、高周波電力が印加され
るコイルとを有し、 前記サセプタの厚さと前記コイルに印加される周波数
は、前記サセプタの厚さが２次誘導電流の浸透深さより
薄くなるように選択されていることを特徴とする単結晶
原料補助溶解装置。 - 【請求項２】 単結晶の原料を補助ルツボ内で加熱して
溶解し、この溶解原料を主ルツボに供給するための単結
晶原料補助溶解装置において、 前記補助ルツボを支持する導電性のサセプタと、 前記サセプタの回りに巻回され、高周波電力が印加され
るコイルとを有し、 前記コイルに対し、比較的高い第１の周波数の電力を印
加して前記補助ルツボ内の加熱を開始し、前記原料の溶
解が開始した後に比較的低い第２の周波数の電力を印加
することを特徴とする単結晶原料補助溶解装置。 - 【請求項３】 前記サセプタの厚さと前記コイルに印加
される第２の周波数は、前記サセプタの厚さが２次誘導
電流の浸透深さより薄くなるように選択されていること
を特徴とする請求項２記載の単結晶原料補助溶解装置。 - 【請求項４】 単結晶の原料を補助ルツボ内で加熱して
溶解し、この溶解原料を主ルツボに供給するための単結
晶原料補助溶解装置であって、前記補助ルツボを支持す
る導電性のサセプタと、前記サセプタの回りに巻回さ
れ、高周波電力が印加されるコイルとを有するものを用
いた溶解方法であって、 前記コイルに対し、比較的高い第１の周波数の電力を印
加して前記補助ルツボ内の加熱を開始するステップと、 前記原料の溶解が開始された後に比較的低い第２の周波
数の電力を印加するステップとを有する単結晶原料溶解
方法。 - 【請求項５】 前記サセプタの厚さと前記コイルに印加
される第２の周波数は、前記サセプタの厚さが２次誘導
電流の浸透深さより薄くなるように選択されていること
を特徴とする請求項４記載の単結晶原料溶解方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8034998A JPH11255589A (ja) | 1998-03-12 | 1998-03-12 | 単結晶原料補助溶解装置及び単結晶原料補助溶解装置における単結晶原料溶解方法 |
| PCT/JP1998/005477 WO1999046432A1 (fr) | 1998-03-12 | 1998-12-04 | Procede et appareil d'apport d'une matiere premiere monocristalline |
| KR1019997009922A KR20010020315A (ko) | 1998-03-12 | 1998-12-04 | 단결성 원료 보조 용해장치 및 단결정 원료 용해방법 |
| DE19882384T DE19882384T1 (de) | 1998-03-12 | 1998-12-04 | Zusatzschmelzvorrichtung für einkristallines Material und Verfahren zum Schmelzen von einkristallinem Material |
| US09/403,621 US6361597B1 (en) | 1998-03-12 | 1998-12-04 | Single crystal material auxiliary melting apparatus and single crystal material melting method |
| TW087120608A TW404991B (en) | 1998-03-12 | 1998-12-11 | Single crystal raw material auxiliary melting device and the single crystal raw material melting method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8034998A JPH11255589A (ja) | 1998-03-12 | 1998-03-12 | 単結晶原料補助溶解装置及び単結晶原料補助溶解装置における単結晶原料溶解方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11255589A true JPH11255589A (ja) | 1999-09-21 |
Family
ID=13715793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8034998A Withdrawn JPH11255589A (ja) | 1998-03-12 | 1998-03-12 | 単結晶原料補助溶解装置及び単結晶原料補助溶解装置における単結晶原料溶解方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11255589A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007290914A (ja) * | 2006-04-25 | 2007-11-08 | Sharp Corp | 融液原料供給装置および多結晶体または単結晶体製造装置 |
| JP2018514496A (ja) * | 2015-04-29 | 2018-06-07 | １３６６ テクノロジーズ インク． | 材料が消費及び補給される溶融材料の含有体積を維持する方法 |
-
1998
- 1998-03-12 JP JP8034998A patent/JPH11255589A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007290914A (ja) * | 2006-04-25 | 2007-11-08 | Sharp Corp | 融液原料供給装置および多結晶体または単結晶体製造装置 |
| JP2018514496A (ja) * | 2015-04-29 | 2018-06-07 | １３６６ テクノロジーズ インク． | 材料が消費及び補給される溶融材料の含有体積を維持する方法 |
| US10633765B2 (en) | 2015-04-29 | 2020-04-28 | 1366 Technologies, Inc. | Method for maintaining contained volume of molten material from which material is depleted and replenished |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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