JPH11258808A - ポジ型化学増幅系感光性樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 紫外線、遠紫外線、Ｘ線、電子線等の放射線
のパターン状照射によりパターン潜像形成部に酸を発生
させ、この酸を触媒とする反応によって照射部と未照射
部のアルカリ現像液に対する溶解性を変化させ、パター
ンを現出させるポジ型化学増幅系感光性樹脂組成物にお
いて、高感度、高解像度で、かつ現像時の膜減りが少な
く、耐熱性が良好なポジ型化学増幅系感光性樹脂組成物
を提供すること。 【解決手段】 （ａ）原料のモノマーとしてレゾルシノ
ールを使用して合成されたアルカリ水溶液可溶性樹脂、
（ｂ）活性化学線照射により酸を生じる化合物、（ｃ）
酸触媒反応により解離可能な酸分解性基を側鎖に有し、
該酸分解性基の解離によりアルカリ水溶液に対する溶解
性が増加されるビニル重合体及び（ｄ）溶剤を含有して
なるポジ型化学増幅系感光性樹脂組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置等の微
細加工に用いられるポジ型化学増幅系感光性樹脂組成物
に関し、特に、紫外線、遠紫外線、Ｘ線、電子線等の放
射線のパターン状照射によりパターン潜像形成部に酸を
発生させ、この酸を触媒とする反応によって、当該照射
部と未照射部のアルカリ現像液に対する溶解性を変化さ
せ、パターンを現出させるポジ型化学増幅系感光性樹脂
組成物に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、集積回路については高集積化に伴
う微細化が進み、６４Ｍあるいは２５６ＭＤＲＡＭ等に
おいては、サブハーフミクロン以下のパターン形成が要
求されるようになり、解像力の優れたレジスト材料が要
望されている。従来、集積回路の作製には、縮小投影露
光装置が用いられており、現在では、フォトマスクの工
夫等により、露光波長以下のパターンが解像可能となっ
た。しかし、６４Ｍあるいは２５６ＭＤＲＡＭに対応で
きるほどの解像力は得られていない。

【０００３】一方、光を用いる露光よりも更にパターン
の微細加工を期待できるのがＸ線や電子線による露光で
ある。パターンの最小寸法は、ビーム径に依存し、高い
解像力が得られる。しかしながらどんなに微細加工が可
能な露光方式でも、ＬＳＩ量産の面からはウエハ処理の
スループットが問題となる。スループットを向上させる
方法としては、装置の改良もさることながら、用いるレ
ジストの高感度化が重要となる。

【０００４】高感度化を達成するためのレジスト材料と
しては、例えば、酸触媒下で反応性の高い媒体と活性化
学線の照射で酸を発生する酸前駆体を含む組成物とし
て、米国特許第３７７９７７８号明細書、特開昭５９−
４５４３９号公報、特開平２−２５８５０号公報に記載
の化学増幅系感光性樹脂組成物が知られている。これら
の公知例には、反応性の高い媒体としてアセタール基を
含む化合物又は重合体、ｔ−ブチル基を含む化合物又は
重合体が開示されている。これらは、酸により分解する
基を含み、活性化学線照射により発生した酸を触媒とし
て、現像液に対する溶解性が変化した化合物又は重合体
に変化する。

【０００５】しかし、従来のレジスト材料は、組成中に
用いているアルカリ水溶液可溶性樹脂や、側鎖に酸触媒
反応により解離しうる酸分解性基を有するビニル重合体
などの軟化点、ガラス転移温度が低いことに起因する耐
熱性が低いという問題があり、ドライエッチに際しての
発熱にレジストパターンが変形するという問題がある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、紫外線、遠
紫外線、Ｘ線、電子線等の放射線のパターン状照射によ
りパターン潜像形成部に酸を発生させ、この酸を触媒と
する反応によって照射部と未照射部のアルカリ現像液に
対する溶解性を変化させ、パターンを現出させるポジ型
化学増幅系感光性樹脂組成物において、高感度、高解像
度で、かつ現像時の膜減りが少なく、特に膜の耐熱性が
良好なポジ型化学増幅系感光性樹脂組成物を提供するこ
とを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく検討した結果、レゾルシノールを含む原料
モノマーを用いて合成したアルカリ水溶液可溶性樹脂
は、レゾルシノールを用いずに合成した樹脂と比較し
て、平均分子量が高くなってもアルカリ現像液に対する
溶解性が損われず、これを用いることにより、感度、解
像度が高く、現像時の膜減りが少なく、耐熱性の高いポ
ジ型化学増幅系感光性樹脂組成物を得ることができるこ
とを見い出し、この知見に基づいて本発明を完成するに
至った。

【０００８】即ち、本発明は、（ａ）原料のモノマーと
してレゾルシノールを使用して合成されたアルカリ水溶
液可溶性樹脂、（ｂ）活性化学線照射により酸を生じる
化合物、（ｃ）酸触媒反応により解離可能な酸分解性基
を側鎖に有し、該酸分解性基の解離によりアルカリ水溶
液に対する溶解性が増加されるビニル重合体及び（ｄ）
溶剤を含有してなるポジ型化学増幅系感光性樹脂組成物
を提供するものである。

【０００９】また、本発明は、上記（ａ）成分、（ｂ）
成分、（ｃ）成分及び（ｄ）成分に更に（ｅ）フェノー
ル性水酸基を２〜８個含むポリフェノール化合物を含有
させたポジ型化学増幅系感光性樹脂組成物を提供するも
のである。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明において（ａ）成分として
用いられる、原料のモノマーとしてレゾルシノールを使
用して合成されたアルカリ水溶液可溶性樹脂としては、
レゾルシノールに由来する１価又は２価以上の多価基の
少なくとも１種を含有し、アルカリ水溶液に可溶性であ
る樹脂であれば、特に制限なく用いることができる。レ
ゾルシノールに由来する１価又は２価以上の多価基とし
ては、例えば下記一般式（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）で表さ
れる基が挙げられる。

【００１１】

【化１】 （ａ）成分のアルカリ水溶液可溶性樹脂の好ましい例と
しては、例えば、レゾルシノール及びフェノール性水酸
基を１個以上有するレゾルシノール以外のフェノール類
とアルデヒド類とを酸触媒の存在下に重縮合させて得ら
れるノボラック樹脂が挙げられる。

【００１２】このノボラック樹脂の合成に用いられるフ
ェノール性水酸基を１個以上有するレゾルシノール以外
のフェノール類としては、例えば、フェノール、ｏ−ク
レゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、２，３−
キシレノール、２，４−キシレノール、２，５−キシレ
ノール、３，４−キシレノール、３，５−キシレノー
ル、２，３，５−トリメチルフェノールなどのフェノー
ル性水酸基を１個有するフェノール類、カテコールなど
のフェノール性水酸基を２個有するフェノール類、フロ
ログルシン、ピロガロール、ヒドロキシヒドロキノンな
どのフェノール性水酸基を３個有するフェノール類が挙
げられる。これらのフェノール類は、一種単独で又は二
種以上を併用することができる。モノマー原料として用
いるレゾルシノール及びその他のフェノール類の合計量
中のレゾルシノールの割合は、５〜９０重量％が好まし
く、５〜５０重量％がより好ましく、５〜２５重量％が
更に好ましい。レゾルシノールの混合割合が少なすぎる
と、レジストの耐熱性の向上が不十分となる傾向があ
り、レゾルシノールの混合割合が多すぎると現像時の溶
解速度が速くなり、高い解像度が得られなくなる傾向が
ある。

【００１３】上記ノボラック樹脂の合成に用いられるア
ルデヒド類としては、例えば、ホルムアルデヒド、パラ
ホルムアルデヒドなどを挙げることができる。アルデヒ
ド類の使用量は、レゾルシノール及びその他のフェノー
ル類の合計１モルに対して０．５〜１．５モルの範囲が
好ましい。

【００１４】上記ノボラック樹脂の合成に用いられる酸
触媒としては、塩酸、硝酸、硫酸などの無機酸、蟻酸、
蓚酸、酢酸などの有機酸を挙げることができる。酸触媒
の使用量は、レゾルシノール及びその他のフェノール類
の合計１モルに対して、１×１０^-5〜１×１０^-1モルの
範囲が好ましい。

【００１５】重縮合の反応温度と反応時間は、合成原料
の反応性に応じて適宜調整することができるが、通常、
反応温度は、７０〜１３０℃であり、反応時間は、１〜
１２時間である。重縮合反応の方法としては、レゾルシ
ノール及びその他のフェノール類、アルデヒド類並びに
酸触媒を一括で仕込む方法、酸触媒下にレゾルシノー
ル、その他のフェノール類及びアルデヒド類を反応の進
行と共に加えていく方法などを挙げることができる。重
縮合終了後は、反応系内に存在する未反応原料、縮合
水、触媒などを除去するために、減圧下、例えば、２０
〜５０ｍｍＨｇで、反応系内の温度を１５０〜２００℃
に上昇させて反応系内に存在する未反応原料、縮合水、
触媒などを除去し、その後、樹脂を回収する。

【００１６】本発明では、アルカリ水溶液可溶性樹脂
は、ポリスチレン換算で測定した重量平均分子量が、
５，０００〜１００，０００であることが好ましく、１
０，０００〜６０，０００であることがより好ましく、
１５，０００〜４０，０００であることが更に好まし
い。なお、本明細書中、重量平均分子量とは、ＧＰＣ
（ゲルパーミエーションクロマトグラフ）により求めた
ポリスチレン換算重量平均分子量を意味する。アルカリ
水溶液可溶性樹脂の重量平均分子量が５，０００未満で
あると、樹脂の現像液に対する溶解性が高くなりすぎる
傾向があり、パターン精度が低下することがあり、１０
０，０００を超えると、樹脂が現像液に溶解しづらくな
り、現像パターンが得られなくなる傾向がある。

【００１７】また、アルカリ水溶液可溶性樹脂中のポリ
スチレン換算の重量平均分子量３，０００以下の低分子
量成分の割合は、アルカリ水溶液可溶性樹脂の総重量に
対して０〜４０重量％であることが好ましく、より好ま
しくは０〜２０重量％であり、更に好ましくは０〜５重
量％である。アルカリ水溶液可溶性樹脂において、この
ような低分子量成分を削減あるいは除去する方法として
は、溶解分別法が一般的である。すなわち、アルカリ水
溶液可溶性樹脂をアセトン、エチルセロソルブアセテー
ト、テトラヒドロフラン、メチルエチルケトンのような
良溶媒に溶解させワニスとし、このワニスをトルエン、
ヘキサン、キシレンのような貧溶媒に添加していき、低
分子量成分の多い希薄層と高分子量成分の多い濃厚層に
分けるか、あるいは、高分子量成分の多い沈殿層を作る
ことにより、低分子量成分の削減、除去を行う。また、
特開昭６４−１４２２９号公報に示されるように、アル
カリ水溶液可溶性樹脂を粉砕しトルエン、キシレン等の
芳香族溶媒中に分散させ、抽出により低分子量成分を削
減あるいは除去してもよい。

【００１８】また、本発明では、特開平２−２２２４０
９号公報に示されるように、樹脂を合成する際に樹脂に
対して良溶媒と貧溶媒を混合して通常の重縮合合成反応
を行って、低分子量成分の少ないアルカリ水溶液可溶性
樹脂を得る方法を用いてもよい。

【００１９】このような方法により、アルカリ水溶液可
溶性樹脂中のポリスチレン換算重量平均分子量が３，０
００以下の低分子量成分を０〜４０重量％の範囲とする
ことができる。

【００２０】本発明においては、（ａ）原料のモノマー
としてレゾルシノールを使用して合成されたアルカリ水
溶液可溶性樹脂の一部を、その他のレゾルシノールを原
料のモノマーとして用いずに合成されたアルカリ水溶液
可溶性樹脂で置き換えてもよい。その他のアルカリ水溶
液可溶性樹脂としては例えば、フェノール性水酸基を１
個以上有するフェノール類（レゾルシノールは除く）と
アルデヒド類とを重縮合させたノボラック樹脂、アクリ
ル樹脂、スチレンとアクリル酸との共重合体、ヒドロキ
シスチレンの重合体、ヒドロキシスチレンとスチレンと
の共重合体なども好適に用いられる。このようなアルカ
リ水溶液可溶性樹脂の例としては、ノボラック樹脂であ
るマルカリンカーシリーズ（丸善石油化学（株）製）、
ヒドロキシスチレン−スチレン共重合体であるＶＰシリ
ーズ（日本曹達（株）製）を挙げることができる。

【００２１】レゾルシノールを原料のモノマーとして用
いずに合成されたアルカリ水溶液可溶性樹脂の使用量
は、モノマーとしてレゾルシノールを使用して合成され
たアルカリ水溶液可溶性樹脂とレゾルシノールを原料の
モノマーとして用いずに合成されたアルカリ水溶液可溶
性樹脂との合計量に対して０〜９０重量％とすることが
好ましく、０〜７０重量％とすることがより好ましく、
０〜５０重量％とすることが特に好ましい。レゾルシノ
ールを原料のモノマーとして用いずに合成されたアルカ
リ水溶液可溶性樹脂の量が９０重量％を超えると、レジ
ストの耐熱性の向上の効果が不十分となる傾向がある。

【００２２】本発明では、アルカリ水溶液可溶性樹脂に
種々の（ｄ）フェノール性水酸基を２〜８個有するポリ
フェノール化合物を添加して用いることができる。特
に、アルカリ水溶液可溶性樹脂の低分子量成分を除去し
た場合には、現像液に対する溶解速度が低下するので、
溶解速度を向上させるために添加することが好ましい。
溶解速度が低下すると感度の低下や解像度の低下が起こ
りうる。本発明に用いられるポリフェノール化合物とし
ては、フェノール性水酸基を２〜８個有する化合物であ
れば制限されない。好ましいポリフェノール化合物の具
体例としては、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタ
ン、（２−ヒドロキシフェニル）−（４−ヒドロキシフ
ェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタ
ン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、ト
リス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、トリス（４−
ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフ
ェニル）−（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス
（４−ヒドロキシフェニル）−（２−ヒドロキシフェニ
ル）メタン、１，１，１−トリス（２−ヒドロキシフェ
ニル）エタン、１，１−ビス（２−ヒドロキシフェニ
ル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−（２−ヒドロ
キシフェニル）エタン、１，１，１−トリス（４−ヒド
ロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）−１−［４−｛１−（４−ヒドロキシフェ
ニル）−１−メチルエチル｝フェニル］エタン、１，１
−ビス（２−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタ
ン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）−フェニルメタ
ン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）−フェニルメタン
を挙げることができる。

【００２３】これらのポリフェノール化合物はそれぞれ
単独で用いても、また２種類以上併用してもよい。
（ｄ）ポリフェノール化合物の配合量は（ａ）アルカリ
水溶液可溶性樹脂１００重量部に対して２〜５０重量部
であることが好ましく、特に５〜４０重量部であること
が好ましい。ポリフェノール化合物の配合量が少なすぎ
ると、解像度の向上効果が不十分となる傾向があり、配
合量が多すぎると感度と解像度の両立が難しくなる傾向
がある。

【００２４】本発明に用いられる（ｂ）活性化学線照射
により酸を生じる化合物としては、例えば、オニウム
塩、ハロゲン含有化合物、キノンジアジド化合物、スル
ホン酸エステル化合物等が挙げられる。オニウム塩とし
ては、例えば、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、ホス
ホニウム塩、アンモニウム塩、ジアゾニウム塩などを挙
げることができ、好ましくは、アリール基１個当たりの
炭素数が６〜２０、好ましくは６〜１０のジアリールヨ
ードニウム塩、アリール基１個当たりの炭素数が６〜２
０、好ましくは６〜１０のトリアリールスルホニウム
塩、アルキル基１個当たりの炭素数が１〜４のトリアル
キルスルホニウム塩があり、オニウム塩の対アニオン
は、例えば、テトラフルオロボラート、ヘキサフルオロ
アンチモナート、トリフルオロメタンスルホナート、ト
リフルオロアセタート、トルエンスルホナートなどがあ
る。ハロゲン含有化合物としては、例えば、ハロアルキ
ル基含有炭化水素系化合物、ハロアルキル基含有ヘテロ
環状化合物などを挙げることができ、好ましくは、トリ
クロロメチルトリアジン、ブロモアセチルベンゼンなど
がある。キノンジアジド化合物としては、例えば、ジア
ゾベンゾキノン化合物、ジアゾナフトキノン化合物など
を挙げることができる。スルホン酸エステル化合物とし
ては、例えば、フェノール性水酸基を有する芳香族化合
物とアルキルスルホン酸あるいは芳香族スルホン酸との
エステル化合物を挙げることがでる。フェノール性水酸
基を有する芳香族化合物としては、フェノール、レゾル
シノール、ピロガロール、１，２−ジヒドロキシナフタ
レンなどがあり、アルキルスルホン酸としては、メタン
スルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸な
どがあり、芳香族スルホン酸としては、ベンゼンスルホ
ン酸などがある。

【００２５】（ｂ）活性化学線照射により酸を生じる化
合物の添加量は、（ａ）アルカリ水溶液可溶性樹脂１０
０重量部に対して０．５〜３０重量部であることが好ま
しく、２〜１５重量部であることが特に好ましい。
（ｂ）活性化学線照射により酸を生じる化合物が多すぎ
ると、溶剤に対する溶解性が不足する傾向があり、少な
すぎると感度が不足する傾向がある。

【００２６】本発明に用いられる（ｃ）酸触媒反応によ
り解離可能な酸分解性基を側鎖に有し、酸分解性基の解
離によりアルカリ水溶液に対する溶解性が増加されるビ
ニル重合体として望ましいものは、酸によって効率的に
側鎖の酸分解性基が解離され、その最終生成物のアルカ
リ水溶液に対する溶解性が解離前の重合体のそれと著し
く異なる化合物である。このような化合物は、例えば、
ポリ（ｐ−ビニルフェノール）等のポリ（ビニルフェノ
ール）、アクリル樹脂、スチレンとアクリル酸との共重
合体、ヒドロキシスチレン重合体、スチレンとヒドロキ
シスチレンとの共重合体などのアルカリ水溶液可溶性樹
脂のフェノール性水酸基あるいはカルボキシル基などの
水素原子の少なくとも一部を、酸の存在下で解離するこ
とが可能な酸分解性基で置換した化合物が挙げられる。

【００２７】酸の存在下で解離することが可能な酸分解
性基の具体例としては、ｔｅｒｔ−ブチル基等のＣ_1-4
のアルキル基、メトキシメチル基、１−メトキシエチル
基、１−エトキシエチル基等のＣ_1-4アルコキシ−Ｃ_1-4
アルキル基、メトキシエトキシメチル基、ベンジルオキ
シメチル基等のジＣ_1-4アルコキシ−Ｃ_1-4アルキル基、
メトキシベンジル基等のＣ_1-4アルコキシ−ベンジル
基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフリル基、
アセトキシ基等のＣ_2-5アシロキシ基、メトキシカルボ
ニル基、エトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカ
ルボニル基等のＣ _1-4アルコキシ−カルボニル基、トリ
メチルシリル基、トリエチルシリル基等のトリＣ_1-4ア
ルキルシリル基、フェニルジメチルシリル基等のＣ_6-12
アリール−ジＣ_1-4アルキルシリル基などを挙げること
ができる。

【００２８】酸の存在下で解離することが可能な酸分解
性基のフェノール性水酸基又はカルボキシル基の水素原
子への置換率は、１５〜１００％であることが好まし
く、更に、３０〜１００％であることが好ましい。酸触
媒反応による酸分解性基の解離によりアルカリ水溶液に
対する溶解性が増加する（ｃ）ビニル重合体の分子量に
ついては、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラ
フ）により求められたポリスチレン換算重量平均分子量
（Ｍ_w）が１，５００〜３，０００のものが好ましく、
１，５００〜２，５００のものがより好ましい。この分
子量の範囲の（ｃ）ビニル重合体は、アルカリ水溶液可
溶性樹脂との相溶性が良いので、レジスト表面のアルカ
リ水溶液に対する難溶化層の形成がなく、高解像度のレ
ジスト材料が得られる。

【００２９】（ｃ）ビニル重合体の配合量は、（ａ）ア
ルカリ水溶液可溶性樹脂１００重量部に対して３〜３０
０重量部であることが好ましく、更に、５〜２００重量
部であることが好ましい。（ｃ）ビニル重合体配合量が
少なすぎると、現像時に塗膜の膜減りが大きくなる傾向
があり、多すぎると感度が低下する傾向がある。

【００３０】本発明に用いられる（ｄ）溶剤としては、
例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル等のグ
リコールエーテル類、メチルセロソルブアセテート等の
エチレングリコールアルキルエーテルアセテート類、ジ
エチレングリコールモノメチルエーテル等のジエチレン
グリコール類、プロピレングリコールメチルエーテルア
セテート等のプロピレングリコールアルキルエーテルア
セテート類、トルエン等の芳香族炭化水素類、シクロヘ
キサノン等のケトン類、２−ヒドロキシプロピオン酸等
のエステル類を用いることができる。

【００３１】（ｄ）溶剤の使用量は、ポジ型化学増幅系
感光性樹脂組成物の総量中、５０〜９５重量％であるこ
とが好ましく、更に、７５〜９５重量％であることが好
ましい。溶剤の使用量が少なすぎると、上記各成分に対
する溶剤の溶解性が不足し、溶剤の使用量が多すぎると
レジスト塗膜とした場合に十分な膜厚が得られなくなる
傾向がある。

【００３２】本発明のポジ型化学増幅系感光性樹脂組成
物には、塗布性、例えばストリエーション（膜厚のム
ラ）を防いだり、現像性を良くしたりするための界面活
性剤を配合することができる。界面活性剤としては、例
えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキ
シエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオ
レイルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェノー
ルエーテル、市販品としては、メガファックスＦ１７
１、メガファックＲ−０８（大日本インキ化学工業
（株）製）、フロラードＦＣ４３０、ＦＣ４３１（住友
スリーエム（株）製）、オルガノシロキサンポリマーＫ
Ｐ３４１（信越化学工業（株）製）などがある。

【００３３】本発明のポジ型化学増幅系感光性樹脂組成
物を、半導体製造用基板等の基板上塗布し、溶剤を除去
するなどして塗膜を形成し、活性化学線照射、現像を行
うことにより、レジスト像が製造される。

【００３４】基板としては、特に制限はなく、チタン、
ガリウムヒ素、アルミニウム、シリコン等の金属、Ｓｉ
Ｏ₂、酸化アルミニウム、ＴｉＮ等で被覆された上記金
属等の半導体製造用基板などを用いることができる。

【００３５】塗布法としては特に制限はなく、スピンコ
ーティング、ディップコーティング、ブレードコーティ
ング等を採用することができる。

【００３６】基板状にポジ型化学増幅系感光性樹脂組成
物を塗布した後、ポジ型化学増幅系感光性樹脂組成物中
の溶剤を加熱、真空等により除去するが、加熱温度は通
常５０〜２００℃とすることが好ましく、加熱時間は３
０秒〜３０分とすることが好ましい。

【００３７】基板上の塗膜に照射する活性化学線には制
限はなく、例えば、エキシマレーザなどの遠紫外線、シ
ンクロトロン放射線などのＸ線、電子線などの荷電粒子
線のような放射線が用いられる。活性化学線の照射量
は、通常、０．２〜５０μＣ／ｃｍ²とすることが好ま
しく、１〜２０μＣ／ｃｍ²とすることがより好まし
い。

【００３８】塗膜を部分的に活性化学線で照射する方法
としては、特に制限はなく、例えば、フォトマスクを介
しての照射、塗膜上での活性化学線の走査による照射な
どが好適である。

【００３９】活性化学線の照射後、塗膜を５０〜２００
℃、好ましくは７０〜１６０℃で、３０秒〜３０分間、
好ましくは３０秒〜２０分間加熱することが好ましい。
この照射後の加熱により、レジストの潜像部分のアルカ
リ水溶液に対する溶解性を増加させる反応を促進するこ
とができる。

【００４０】現像の条件には特に制限はなく、例えば、
現像液中への浸漬法、現像液をスプレイする方法などが
好適である。現像液としては、例えば、水酸化ナトリウ
ム等の無機アルカリ類、エチルアミン等の第１級アミン
類、ジエチルアミン等の第２級アミン類、トリエチルア
ミン等の第３級アミン類、ジメチルエタノールアミン等
のアルコールアミン類、水酸化テトラメチルアンモニウ
ム、コリン等の第４級アンモニウム塩、又はピペリジン
等の環状アミン類を溶解させたアルカリ水溶液が使用さ
れる。アルカリ水溶液中のアルカリの濃度は、通常０．
２〜５０重量％が好ましく、１〜２０重量％がより好ま
しい。本発明のポジ型化学増幅系感光性樹脂組成物を用
いた場合、塗膜への活性化学線の照射により、塗膜の照
射部分のアルカリ水溶液への溶解性が向上する。従っ
て、アルカリ水溶液による現像により、塗膜の未照射部
分を残して塗膜の照射部分のみを完全に溶解除去するこ
とができ、未照射部分がポジ型のレジストパターンとし
て残る。

【００４１】

【実施例】以下、実施例により本発明を説明する。

【００４２】合成例１ レゾルシノール２６０ｇとｍ−クレゾール７８０ｇ及
び、ｐ−クレゾール１，５６０ｇ、ホルムアルデヒド３
７％水溶液１，２１６ｇ、酸触媒として蓚酸１０．８ｇ
を、攪拌機、冷却管及び、温度計を装着した５リットル
セパラブルフラスコに仕込み９７℃に加熱し、１時間還
流した。そのあと、常圧で水を除去しながら１８０℃ま
で２時間で昇温した。１８０℃で１時間保温し、そのあ
と２０〜５０ｍｍＨｇに減圧しながら未反応物等を除去
し、ノボラック樹脂（樹脂（ａ−１））を得た。この樹
脂（ａ−１）のＧＰＣにより求められたポリスチレン換
算重量平均分子量（以下、単にポリスチレン換算重量平
均分子量という。）は１６，０００であり、ポリスチレ
ン換算重量平均分子量３，０００以下の低分子量成分の
含有量は４８重量％であった。

【００４３】合成例２ 攪拌機を装着したセパラブルフラスコにポリ（ｐ−ビニ
ルフェノール）（商品名リンカーＭ、丸善石油化学
（株）製、ポリスチレン換算重量平均分子量：約３，０
００）２０ｇ、酢酸エチル３００ｍｌを仕込み、室温
（２５℃）下で攪拌し溶解させた。次いでフラスコ中に
３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン１０５ｇ、１２Ｎ塩酸
０．５ｍｌを添加し、室温下で１時間攪拌した後、３日
間放置した。次いで、反応溶液に水酸化テトラメチルア
ンモニウムの２．３８重量％水溶液を１６０ｍｌを加え
てよく攪拌した後、有機層を取り出した。ここで得られ
た有機層を蒸留水３００ｍｌで３回洗浄した後、有機層
を乾燥させエバポレーターにより濃縮した。濃縮溶液５
０ｍｌに対して石油エーテル５００ｍｌを用いて再沈殿
を行った。再沈殿操作を２回繰り返した後、生成物を減
圧乾燥機（３ｍｍＨｇ、４０℃）で８時間乾燥し、重合
体中のフェノール性水酸基の水素原子のうち９５％の水
素原子をテトラヒドロピラニル基で置換したポリ（ｐ−
ビニルフェノール）（ビニル重合体（ｃ−１））２２ｇ
を得た。

【００４４】合成例３ 攪拌機、温度計及び、滴下ロートを装着したセパラブル
フラスコにピロガロール３０ｇ、４−ジメチルアミノピ
リジン３．９ｇ、テトラヒドロフラン３００ｍｌを仕込
み、室温（２５℃）下で攪拌し溶解させた。次いでフラ
スコを氷相に浸し、反応系内の温度を５℃以下とした
後、エタンスルホニルクロライド１１５ｇを滴下ロート
により２０分かけて滴下した。次いで、トリエチルアミ
ン９５ｇを滴下ロートにより４０分かけて滴下した後、
反応系内の温度を５℃以下としたまま６時間攪拌した。
次いで蒸留水２，０００ｍｌに反応溶液を入れ、析出し
た沈殿をろ別した。この沈殿をアセトンとエタノールを
用いて再沈殿を数回繰り返し、ピロガロールのエタンス
ルホン酸エステル（化合物（ｂ））３２ｇを得た。

【００４５】合成例４ 攪拌機を装着したセパラブルフラスコにポリ（ｐ−ビニ
ルフェノール）（商品名ＶＰ−５０００、日本曹達
（株）製、ポリスチレン換算重量平均分子量：約５，０
００）２０ｇ、テトラヒドロフラン４００ｍｌを仕込
み、室温（２５℃）下で攪拌し溶解させた。次いでフラ
スコ中にｐ−ピリジウムトルエンスルホネート２．１ｇ
を仕込み、室温（２５℃）下で攪拌し溶解させた。次い
でフラスコ中にエチルビニルエーテル９．６２ｇを仕込
み、室温（２５℃）下で２２時間攪拌した。次いで、反
応溶液に酢酸エチル１５０ｍｌを入れ、水酸化テトラメ
チルアンモニウムの２．３８重量％水溶液を１００ｍｌ
加えてよく攪拌した後、有機層を取り出した。ここで、
得られた有機層を蒸留水１００ｍｌで３回洗浄した後、
有機層を乾燥させエバポレーターにより濃縮した。濃縮
溶液５０ｍｌに対してｎ−ヘキサン５００ｍｌを用いて
再沈殿を行った。再沈殿操作を２回繰り返した後、生成
物を減圧乾燥機（３ｍｍＨｇ、４０℃）で８時間乾燥
し、重合体中のフェノール性水酸基の水素原子の６５％
を１−エトキシエチル基で置換したポリ（ｐ−ビニルフ
ェノール）（ビニル重合体（ｃ−２））２０ｇを得た。

【００４６】合成例５ 水１，５００ｇとメタノール１，５００ｇを混合した溶
液を３００ｒｐｍで攪拌しながら、この溶液に、合成例
１で得た樹脂（ａ−１）１，０００ｇを酢酸−２−メト
キシエチル２，０００ｇに溶解した溶液を毎分１ｋｇの
速度で混合した。この混合した溶液を２０分間攪拌した
後２０分間静置すると比較的低分子を多く含む上層と比
較的高分子を多く含む下層に分離した。上層を除き、下
層を１〜２０ｍｍＨｇの減圧下、１１０℃で２５時間乾
燥して、合成例１で得た樹脂（ａ−１）の低分子量成分
を除去した樹脂（樹脂（ａ−２））を得た。ＧＰＣ（ゲ
ルパーミエーションクロマトグラフ）により求められた
ポリスチレン換算重量平均分子量は低分子量成分の除去
を行う前が１６，０００であったものが、低分子量成分
の除去を行った結果２２，０００となり、ポリスチレン
換算重量平均分子量が３，０００以下の低分子量成分は
４８重量％から低分子量成分除去を行った結果３３重量
％となった。

【００４７】合成例６ レゾルシノール２５０ｇとｍ−クレゾール１，０４０ｇ
及び、ｐ−クレゾール７８０ｇ、３，５−キシレノール
５００ｇ、ホルムアルデヒド３７％水溶液１，３５０
ｇ、酸触媒として蓚酸１０．８ｇを、攪拌機、冷却管及
び、温度計を装着した５リットルセパラブルフラスコに
仕込み９７℃に加熱し、１時間還流した。そのあと、常
圧で水を除去しながら１８０℃まで２時間で昇温した。
１８０℃で２時間保温し、そのあと２０〜５０ｍｍＨｇ
に減圧しながら未反応物等を除去し、ノボラック樹脂
（樹脂（ａ−３））を得た。この樹脂（ａ−３）のポリ
スチレン換算重量平均分子量は１０，０００であり、ポ
リスチレン換算重量平均分子量３，０００以下の低分子
量成分の含有量は４７重量％であった。

【００４８】合成例７ レゾルシノール５００ｇとｍ−クレゾール１，０４０ｇ
及び、ｐ−クレゾール７８０ｇ、２，５−キシレノール
３００ｇ、ホルムアルデヒド３７％水溶液１，３５０
ｇ、酸触媒として蓚酸１０．８ｇを、攪拌機、冷却管及
び、温度計を装着した５リットルセパラブルフラスコに
仕込み９７℃に加熱し、１時間還流した。そのあと、常
圧で水を除去しながら１８０℃まで２時間で昇温した。
１８０℃で１時間保温し、そのあと２０〜５０ｍｍＨｇ
に減圧しながら未反応物等を除去し、ノボラック樹脂
（樹脂（ａ−４）を得た。この樹脂（ａ−４）のポリス
チレン換算重量平均分子量は１４，０００であり、ポリ
スチレン換算重量平均分子量３，０００以下の低分子量
成分の含有量は５１重量％であった。

【００４９】実施例１ 合成例１で得たノボラック樹脂（樹脂（ａ−１））を９
２ｇ、メチルセロソルブアセテート３００ｇ、合成例２
で得た水酸基をテトラヒドロピラニル基で保護したポリ
（ｐ−ビニルフェノール）（ビニル重合体（ｃ−１））
を９ｇ、活性化学線照射により酸を生じる化合物として
合成例３で得たピロガロールのエタンスルホン酸エステ
ル（化合物（ｂ））４ｇを仕込み、溶解し均一な溶液と
なったことを確認した後、孔径０．１μｍのメンブラン
フィルタでろ過し、レジスト溶液を調製した。得られた
レジスト溶液をシリコンウエハ上に塗布し、１２０℃、
１０分間熱処理して１．０μｍの膜厚のレジスト膜を得
た。この基板に５０ｋＶの加速電圧の電子線描画装置を
用いて、４．０μＣ／ｃｍ²の照射量でホールパターン
をレジストに描画後、１１０℃、１０分間熱処理してレ
ジストの潜像部分のアルカリ水溶液に対する溶解性を増
加させる反応を促進した。この熱処理の後、水酸化テト
ラメチルアンモニウムの２．３８重量％水溶液を用いて
潜像を形成したレジスト膜を６０秒間現像し、ポジ型の
レジストパターンを得た。一辺が０．２μｍの正方形の
ホールパターンの断面形状を電子顕微鏡で観察した結
果、レジストパターンの断面形状は矩形であり良好であ
った。また、現像後の膜減り量は０．００４μｍであ
り、良好であった。また、このレジストの耐熱性を確認
したところ１１５〜１２０℃であり良好であった。

【００５０】なお、レジストの耐熱性は、５℃間隔の特
定温度で加熱されたホットプレート上で５分間加熱し、
パターン形状の変形を観察することにより評価した。耐
熱性が１１５〜１２０℃とは、１１５℃においてはパタ
ーン形状に変形が生じず、１２０℃においてはパターン
形状に明らかな変形が生じたことを意味する。

【００５１】実施例２ 合成例１で得たノボラック樹脂（樹脂（ａ−１））を９
２ｇ、メチルセロソルブアセテート３００ｇ、合成例２
で得た水酸基をテトラヒドロピラニル基で保護したポリ
（ｐ−ビニルフェノール）（ビニル重合体（ｃ−１））
を９ｇ、フェノール性水酸基を２〜８個含むポリフェノ
ール化合物としてトリス（４−ヒドロキシフェニル）メ
タン２５ｇ、活性化学線照射により酸を生じる化合物と
して合成例３で得たピロガロールのエタンスルホン酸エ
ステル（化合物（ｂ））４ｇを仕込み、溶解し均一な溶
液となったことを確認した後、孔径０．１μｍのメンブ
ランフィルタでろ過し、レジスト溶液を調製した。得ら
れたレジスト溶液をシリコンウエハ上に塗布し、１２０
℃、１０分間熱処理して１．０μｍの膜厚のレジスト膜
を得た。この基板に５０ｋＶの加速電圧の電子線描画装
置を用いて、２．５μＣ／ｃｍ²の照射量でホールパタ
ーンをレジストに描画後、１１０℃、１０分間熱処理し
てレジストの潜像部分のアルカリ水溶液に対する溶解性
を増加させる反応を促進した。この熱処理の後、水酸化
テトラメチルアンモニウムの２．３８重量％水溶液を用
いて潜像を形成したレジスト膜を６０秒間現像し、ポジ
型のレジストパターンを得た。０．２μｍのホールパタ
ーンの断面形状を電子顕微鏡で観察した結果、レジスト
パターンの断面形状は矩形であり良好であった。また、
現像後の膜減り量は０．００４μｍであり、良好であっ
た。また、このレジストの耐熱性を確認したところ１１
５〜１２０℃であり良好であった。

【００５２】実施例３ 実施例１において、フェノール性水酸基をテトラヒドロ
ピラニル基で保護したポリ（ｐ−ビニルフェノール）
（ビニル重合体（ｃ−１））９ｇの代わりに合成例４で
得た水酸基を１−エトキシエチル基で保護したポリ（ｐ
−ビニルフェノール）（ビニル重合体（ｃ−２））１３
８ｇを用い、溶剤として２−ヘプタノン３８０ｇを用い
た以外は実施例１と同様にして、レジスト溶液を調製し
た。次いで、このレジスト溶液を用い、電子線描画の照
射量を３．０μＣ／ｃｍ²とした以外は実施例１と同様
の操作を行い、ポジ型のレジストパターンを得た。０．
２μｍのホールパターンの断面形状を電子顕微鏡で観察
した結果、レジストパターンの断面形状は矩形であり良
好であった。また、現像後の膜減り量は０．００４μｍ
であり、良好であった。また、このレジストの耐熱性を
確認したところ１１５〜１２０℃であり良好であった。

【００５３】実施例４ 合成例５で得たノボラック樹脂（樹脂（ａ−２））を９
２ｇ、２−ヘプタノン３００ｇ、合成例２で得たフェノ
ール性水酸基をテトラヒドロピラニル基で保護したポリ
（ｐ−ビニルフェノール）（ビニル重合体（ｃ−１））
を９ｇ、活性化学線照射により酸を生じる化合物として
ピロガロールのエタンスルホン酸エステル（化合物
（ｂ））４ｇ、及び、フェノール性水酸基を２〜８個含
むポリフェノール化合物としてビスフェノールＡ５ｇ、
トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタン２５ｇを混合
し、均一な溶液となったことを確認した後、孔径０．１
μｍのメンブランフィルタでろ過し、レジスト溶液を調
製した。次いで、このレジスト溶液を用いて実施例１と
同様の操作を行い、ポジ型のレジストパターンを得た。
このレジストの感度は４μＣ／ｃｍ²、耐熱性は１１５
℃、現像時の膜減り量は０．００３μｍ以上であった。
また、０．２μｍのホールパターンの断面形状を電子顕
微鏡で観察した結果、レジストパターンの断面形状は矩
形であり良好であった。

【００５４】実施例５ 合成例１で得たノボラック樹脂（樹脂（ａ−１））を５
０ｇ、合成例７で得たノボラック樹脂（樹脂（ａ−
４））を４２ｇ、メチルセロソルブアセテート３００
ｇ、合成例２で得た水酸基をテトラヒドロピラニル基で
保護したポリ（ｐ−ビニルフェノール）（ビニル重合体
（ｃ−１））を９ｇ、フェノール性水酸基を２〜８個含
むポリフェノール化合物としてトリス（４−ヒドロキシ
フェニル）メタン３０ｇ、活性化学線照射により酸を生
じる化合物として合成例３で得たピロガロールのエタン
スルホン酸エステル（化合物（ｂ））４ｇを仕込み、溶
解し均一な溶液となったことを確認した後、孔径０．１
μｍのメンブランフィルタでろ過し、レジスト溶液を調
製した。得られたレジスト溶液をシリコンウエハ上に塗
布し、１２０℃、１０分間熱処理して１．０μｍの膜厚
のレジスト膜を得た。この基板に５０ｋＶの加速電圧の
電子線描画装置を用いて、２．５μＣ／ｃｍ²の照射量
でホールパターンをレジストに描画後、１１０℃、１０
分間熱処理してレジストの潜像部分のアルカリ水溶液に
対する溶解性を増加させる反応を促進した。この熱処理
の後、水酸化テトラメチルアンモニウムの２．３８重量
％水溶液を用いて潜像を形成したレジスト膜を７０秒間
現像し、ポジ型のレジストパターンを得た。０．１８μ
ｍのホールパターンの断面形状を電子顕微鏡で観察した
結果、レジストパターンの断面形状は矩形であり良好で
あった。また、現像後の膜減り量は０．００４μｍであ
り、良好であった。また、このレジストの耐熱性を確認
したところ１１５〜１２０℃であり良好であった。

【００５５】実施例６ 合成例７で得たノボラック樹脂（樹脂（ａ−４））を９
２ｇ、メチルセロソルブアセテート３００ｇ、合成例２
で得た水酸基をテトラヒドロピラニル基で保護したポリ
（ｐ−ビニルフェノール）（ビニル重合体（ｃ−１））
を９ｇ、フェノール性水酸基を２〜８個含むポリフェノ
ール化合物としてトリス（４−ヒドロキシフェニル）メ
タン２５ｇ、活性化学線照射により酸を生じる化合物と
して合成例３で得たピロガロールのエタンスルホン酸エ
ステル（化合物（ｂ））４ｇを仕込み、溶解し均一な溶
液となったことを確認した後、孔径０．１μｍのメンブ
ランフィルタでろ過し、レジスト溶液を調製した。得ら
れたレジスト溶液をシリコンウエハ上に塗布し、１２０
℃、１０分間熱処理して１．０μｍの膜厚のレジスト膜
を得た。この基板に５０ｋＶの加速電圧の電子線描画装
置を用いて、２．５μＣ／ｃｍ²の照射量でホールパタ
ーンをレジストに描画後、１１０℃、１０分間熱処理し
てレジストの潜像部分のアルカリ水溶液に対する溶解性
を増加させる反応を促進した。この熱処理の後、水酸化
テトラメチルアンモニウムの２．３８重量％水溶液を用
いて潜像を形成したレジスト膜を７０秒間現像し、ポジ
型のレジストパターンを得た。０．２μｍのホールパタ
ーンの断面形状を電子顕微鏡で観察した結果、レジスト
パターンの断面形状は矩形であり良好であった。また、
現像後の膜減り量は０．００４μｍであり、良好であっ
た。また、このレジストの耐熱性を確認したところ１１
５〜１２０℃であり良好であった。

【００５６】実施例７ 合成例６で得た樹脂（樹脂（ａ−３））を６０ｇ、クレ
ゾールノボラック樹脂ＣＮ−１９（明和化成（株）製、
ポリスチレン換算重量平均分子量：１０，０００）３２
ｇ、メチルセロソルブアセテート３００ｇ及び、合成例
２で得た水酸基をテトラヒドロピラニル基で保護したポ
リ（ｐ−ビニルフェノール）（ビニル重合体（ｃ−
１））を９ｇ、活性化学線照射により酸を生じる化合物
としてピロガロールのエタンスルホン酸エステル（化合
物（ｂ））４ｇを仕込み、フェノール性水酸基を２〜８
個含むポリフェノール化合物としてビスフェノールＡ５
ｇ、トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタン２５ｇを
溶解し均一な溶液となったことを確認した後、孔径０．
１μｍのメンブランフィルタでろ過し、レジスト溶液を
調製した。次いで、このレジスト溶液を用いて実施例１
と同様の操作を行い、ポジ型のレジストパターンを得
た。このレジスト感度は４μＣ／ｃｍ²、耐熱性は１１
５℃、現像時の膜減り量は０．００４μｍであった。ま
た、０．２μｍのホールパターンの断面形状を電子顕微
鏡で観察した結果、レジストパターンの断面形状は矩形
であり良好であった。

【００５７】比較例１ 実施例１において、合成例１で得たノボラック樹脂（樹
脂（ａ−１））の代わりに、クレゾールノボラック樹脂
ＣＮ−１９（明和化成（株）製、ポリスチレン換算重量
平均分子量：約１０，０００）９２ｇを用いた以外は実
施例１と同様にしてレジスト溶液を調製し、このレジス
ト溶液を使用した以外は実施例１と同様にして電子線描
画実験を行った。０．２μｍのホールパターンの断面形
状を電子顕微鏡で観察した結果、レジストパターンの断
面形状は逆テーパ形状であった。また、現像後の膜減り
量は０．０３μｍ、耐熱性は１１０℃であり、実施例１
に対し劣っていた。

【００５８】

【発明の効果】本発明のポジ型化学増幅系感光性樹脂組
成物は、（ａ）原料のモノマーとしてレゾルシノールを
使用して合成したアルカリ水溶液可溶性樹脂、（ｂ）活
性化学線照射により酸を生じる化合物、（ｃ）酸触媒反
応により解離可能な酸分解性基を側鎖に有し、該酸分解
性基の解離によりアルカリ水溶液に対する溶解性が増加
されるビニル重合体及び（ｄ）溶剤を含有してなるポジ
型化学増幅系感光性樹脂組成物であり、紫外線、遠紫外
線、電子線、Ｘ線、その他の活性化学線に対して、特に
感度及び解像度に優れ、かつ耐熱性に優れ、現像時の膜
減りの低減に効果がある。

【００５９】また、上記（ａ）成分、（ｂ）成分、
（ｃ）成分、（ｄ）成分に加えて更に（ｅ）フェノール
性水酸基を２〜８個含むポリフェノール化合物を含有し
てなる本発明のポジ型化学増幅系感光性樹脂組成物は、
上記の特性に加え、更に感度及び解像性に優れる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 橋本 通晰 茨城県日立市東町四丁目13番１号 日立化 成工業株式会社山崎工場内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （ａ）原料のモノマーとしてレゾルシノ
   ールを使用して合成されたアルカリ水溶液可溶性樹脂、
   （ｂ）活性化学線照射により酸を生じる化合物、（ｃ）
   酸触媒反応により解離可能な酸分解性基を側鎖に有し、
   該酸分解性基の解離によりアルカリ水溶液に対する溶解
   性が増加されるビニル重合体及び（ｄ）溶剤を含有して
   なるポジ型化学増幅系感光性樹脂組成物。
2. 【請求項２】 （ａ）アルカリ水溶液可溶性樹脂が、レ
   ゾルシノール及びフェノール性水酸基を１個以上有する
   レゾルシノール以外のフェノール類とアルデヒド類とを
   酸触媒の存在下に重縮合させて得られるノボラック樹脂
   である請求項１記載のポジ型化学増幅系感光性樹脂組成
   物。
3. 【請求項３】 （ｃ）ビニル重合体が、ポリ（ビニルフ
   ェノール）のフェノール性水酸基の水素原子の少なくと
   も一部を、酸の存在下で解離可能な酸分解性基で置換し
   た樹脂、アクリル樹脂のカルボキシル基の水素原子の少
   なくとも一部を、酸の存在下で解離可能な酸分解性基で
   置換した樹脂、スチレンとアクリル酸との共重合体のカ
   ルボキシル基の水素原子の少なくとも一部を、酸の存在
   下で解離可能な酸分解性基で置換した樹脂、ヒドロキシ
   スチレン重合体のフェノール性水酸基の水素原子の少な
   くとも一部を、酸の存在下で解離可能な酸分解性基で置
   換した樹脂、及び、スチレンとヒドロキシスチレンとの
   共重合体のフェノール性水酸基の水素原子の少なくとも
   一部を、酸の存在下で解離可能な酸分解性基で置換した
   樹脂からなる群から選ばれるものである請求項１又は２
   記載のポジ型化学増幅系感光性樹脂組成物。
4. 【請求項４】 （ｄ）溶剤がグリコールエーテル類、エ
   チレングリコールアルキルエーテルアセテート類、ジエ
   チレングリコール類、プロピレングリコールアルキルエ
   ーテルアセテート類、芳香族炭化水素類、ケトン類及び
   エステル類からなる群から選ばれるものである請求項１
   〜３いずれか記載のポジ型化学増幅系感光性樹脂組成
   物。
5. 【請求項５】 更に（ｅ）フェノール性水酸基を２〜８
   個含むポリフェノール化合物を含有してなる請求項１〜
   ４いずれか記載のポジ型化学増幅系感光性樹脂組成物。