JPH11260555A - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子Info
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- JPH11260555A JPH11260555A JP10080387A JP8038798A JPH11260555A JP H11260555 A JPH11260555 A JP H11260555A JP 10080387 A JP10080387 A JP 10080387A JP 8038798 A JP8038798 A JP 8038798A JP H11260555 A JPH11260555 A JP H11260555A
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】実用的な輝度で青色に発光する有機ＥＬ素子を
提供する。 【解決手段】下記物質を有機ＥＬ素子の有機の発光層に
ドープする。 【化１】
提供する。 【解決手段】下記物質を有機ＥＬ素子の有機の発光層に
ドープする。 【化１】
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機発光層を備え
た有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ
素子とも呼ぶ）に関する。特に本発明は、実用的な高い
輝度と十分な耐久性を実現した有機ＥＬ素子に関する。
た有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ
素子とも呼ぶ）に関する。特に本発明は、実用的な高い
輝度と十分な耐久性を実現した有機ＥＬ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機ＥＬ素子は、電子注入電極と正孔注
入電極の間に蛍光性有機化合物を含む薄膜を挟んだ構造
を有し、前記薄膜に電子および正孔を注入して再結合さ
せることにより励起子（エキシトン）を生成させ、この
エキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利
用して表示を行う表示素子である。電子注入電極と正孔
注入電極の間には、前述のように蛍光性有機化合物を含
む薄膜である発光層が少なくとも設けられているが、そ
の他に有機又は無機の正孔注入層、正孔輸送層、電子輸
送層、電子注入層等の各層が必要に応じて形成されてい
る。
入電極の間に蛍光性有機化合物を含む薄膜を挟んだ構造
を有し、前記薄膜に電子および正孔を注入して再結合さ
せることにより励起子（エキシトン）を生成させ、この
エキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利
用して表示を行う表示素子である。電子注入電極と正孔
注入電極の間には、前述のように蛍光性有機化合物を含
む薄膜である発光層が少なくとも設けられているが、そ
の他に有機又は無機の正孔注入層、正孔輸送層、電子輸
送層、電子注入層等の各層が必要に応じて形成されてい
る。
【０００３】前記有機ＥＬ素子の基本構成の一つを図２
に示した。この有機ＥＬ素子は、ガラス製の基板１００
上の正孔注入電極１０１にＩＴＯ(Indium Tin Oxide)、
正孔輸送層１０２としてトリフェニルアミン誘導体(Dia
mine) 、有機発光層１０３としてトリス（８−キノリラ
イト）アルミニウム(III) (Alq3)、電子注入電極１０４
としてマグネシウムと銀の合金を使用している。有機の
各層の厚みは５０ｎｍ程度である。各層の成膜は真空蒸
着で行っている。この有機ＥＬ素子において、電子注入
電極がマイナス、正孔注入電極をプラスとする１０Ｖの
直流電圧を加えると、１０００ｃｄ／ｍ2 程度の緑色の
発光が得られる。
に示した。この有機ＥＬ素子は、ガラス製の基板１００
上の正孔注入電極１０１にＩＴＯ(Indium Tin Oxide)、
正孔輸送層１０２としてトリフェニルアミン誘導体(Dia
mine) 、有機発光層１０３としてトリス（８−キノリラ
イト）アルミニウム(III) (Alq3)、電子注入電極１０４
としてマグネシウムと銀の合金を使用している。有機の
各層の厚みは５０ｎｍ程度である。各層の成膜は真空蒸
着で行っている。この有機ＥＬ素子において、電子注入
電極がマイナス、正孔注入電極をプラスとする１０Ｖの
直流電圧を加えると、１０００ｃｄ／ｍ2 程度の緑色の
発光が得られる。
【０００４】また、青色発光材料としては、アゾメチン
亜鉛錯体が知られている。この化合物を発光層材料とし
て用いた有機ＥＬ素子の輝度は、数十〜数百ｃｄ／ｍ2
のものがほとんどである。
亜鉛錯体が知られている。この化合物を発光層材料とし
て用いた有機ＥＬ素子の輝度は、数十〜数百ｃｄ／ｍ2
のものがほとんどである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前述した従来の有機Ｅ
Ｌ素子によれば、十分な輝度が得られなかった。また、
この有機ＥＬ素子は輝度半減寿命が短く、耐久性の面で
も問題があった。
Ｌ素子によれば、十分な輝度が得られなかった。また、
この有機ＥＬ素子は輝度半減寿命が短く、耐久性の面で
も問題があった。
【０００６】また、特に青色の発光を必要とする場合、
従来のアゾメチン亜鉛錯体を発光材料とした有機ＥＬ素
子では必要な輝度と波長が得にくいという問題があっ
た。
従来のアゾメチン亜鉛錯体を発光材料とした有機ＥＬ素
子では必要な輝度と波長が得にくいという問題があっ
た。
【０００７】本発明は、実用的な高い輝度と十分な耐久
性を有する青色発光の有機ＥＬ素子を提供することを目
的としている。
性を有する青色発光の有機ＥＬ素子を提供することを目
的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載された有
機エレクトロルミネッセンス素子は、少なくとも一方が
透明である一対の電極の間に有機化合物からなる発光層
が少なくとも設けられた基本構造を有している。そし
て、本発明は、前記発光層中に、前記化学式（化１）で
表される物質がドープされていることを特徴としてい
る。なお、（化１）は、インドール誘導体の一般式であ
り、この式においてＲ１、Ｒ２で示される基は、水素原
子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリー
ル基、ナフチル基、前記化学式（化２）から化学式（化
６）に示す基から任意に選択したものである。
機エレクトロルミネッセンス素子は、少なくとも一方が
透明である一対の電極の間に有機化合物からなる発光層
が少なくとも設けられた基本構造を有している。そし
て、本発明は、前記発光層中に、前記化学式（化１）で
表される物質がドープされていることを特徴としてい
る。なお、（化１）は、インドール誘導体の一般式であ
り、この式においてＲ１、Ｒ２で示される基は、水素原
子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリー
ル基、ナフチル基、前記化学式（化２）から化学式（化
６）に示す基から任意に選択したものである。
【０００９】
【実施例】１）実施例１ 図１を参照して本例の有機ＥＬの構造と製造方法を説明
する。陽極基板１上に透明導電膜であるＩＴＯ膜２を形
成する。洗浄したＩＴＯ付き基板上に、正孔輸送層３と
して化学式（化７）で示すスターバースト分子であるｍ
−ＭＴＤＡＴＡを真空蒸着により薄膜形成する。
する。陽極基板１上に透明導電膜であるＩＴＯ膜２を形
成する。洗浄したＩＴＯ付き基板上に、正孔輸送層３と
して化学式（化７）で示すスターバースト分子であるｍ
−ＭＴＤＡＴＡを真空蒸着により薄膜形成する。
【００１０】
【化７】
【００１１】その上に発光層４として、化学式（化８）
で示すトリフェニルアミン誘導体であるＴＰＤをホスト
とし、化学式（化９）で示す示すインドール誘導体をゲ
スト（ドーパント）とし、１ｍｏｌ％割合で共蒸着し
た。
で示すトリフェニルアミン誘導体であるＴＰＤをホスト
とし、化学式（化９）で示す示すインドール誘導体をゲ
スト（ドーパント）とし、１ｍｏｌ％割合で共蒸着し
た。
【００１２】
【化８】
【００１３】
【化９】
【００１４】化学式（化９）は、化学式（化１）に示す
インドール誘導体において、Ｒ1 を水素、Ｒ2 をナフチ
ル基とした場合である。
インドール誘導体において、Ｒ1 を水素、Ｒ2 をナフチ
ル基とした場合である。
【００１５】さらに電子輸送性ホールブロック層５とし
て化学式（化１０）で示すトリアゾール誘導体を真空蒸
着により形成した。電子輸送性ホールブロック層５と
は、前記発光層４のＴＰＤを発光させるために、これよ
りも上の層にホールが移動しないようにブロックするた
めの層である。なお、電子輸送性ホールブロック層５
は、これよりも上の層から供給される電子を下層の発光
層に輸送する機能を有する。
て化学式（化１０）で示すトリアゾール誘導体を真空蒸
着により形成した。電子輸送性ホールブロック層５と
は、前記発光層４のＴＰＤを発光させるために、これよ
りも上の層にホールが移動しないようにブロックするた
めの層である。なお、電子輸送性ホールブロック層５
は、これよりも上の層から供給される電子を下層の発光
層に輸送する機能を有する。
【００１６】
【化１０】
【００１７】電子輸送性ホールブロック層５の上には、
電子輸送層６として化学式（化１１）で示すトリス（８
−キノリライト）アルミニウム（III）（Ａｌｑ3 ）を
真空蒸着により形成する。
電子輸送層６として化学式（化１１）で示すトリス（８
−キノリライト）アルミニウム（III）（Ａｌｑ3 ）を
真空蒸着により形成する。
【００１８】
【化１１】
【００１９】さらに電子輸送層６の上に陰極７としてＡ
ｌとＬｉの合金を蒸着した。この素子の陰極７上に、ド
ライエア雰囲気中で紫外線硬化樹脂を縁に塗布したガラ
スケース８を陽極基板１に固定し、紫外線で硬化させ、
外囲器の封止を施した。
ｌとＬｉの合金を蒸着した。この素子の陰極７上に、ド
ライエア雰囲気中で紫外線硬化樹脂を縁に塗布したガラ
スケース８を陽極基板１に固定し、紫外線で硬化させ、
外囲器の封止を施した。
【００２０】ドライエアとは、露点が例えば−６０℃の
ように水分が少ない空気である。有機ＥＬ素子は駆動時
に発熱するので、素子の内部は真空ではなく、放出した
熱を外部に輸送するための空気が入っている方がよい。
しかし有機ＥＬ素子は水分に非常に弱いので、素子内に
封止される空気は特別に水分の少ないものであることが
好ましい。
ように水分が少ない空気である。有機ＥＬ素子は駆動時
に発熱するので、素子の内部は真空ではなく、放出した
熱を外部に輸送するための空気が入っている方がよい。
しかし有機ＥＬ素子は水分に非常に弱いので、素子内に
封止される空気は特別に水分の少ないものであることが
好ましい。
【００２１】前記有機ＥＬ素子を構成する各層は、１×
１０-6Ｔｏｒｒの真空下で蒸着し形成した。その膜厚
は、次の通りである。 陰極７：２００ｎｍ、 電子輸送層６：５０ｎｍ 電子輸送性ホールブロック層５：１５ｎｍ 発光層４：５０ｎｍ 正孔輸送層３：４０ｎｍ
１０-6Ｔｏｒｒの真空下で蒸着し形成した。その膜厚
は、次の通りである。 陰極７：２００ｎｍ、 電子輸送層６：５０ｎｍ 電子輸送性ホールブロック層５：１５ｎｍ 発光層４：５０ｎｍ 正孔輸送層３：４０ｎｍ
【００２２】図１に示すように、陽極であるＩＴＯ膜２
と陰極７を素子の外囲器の外に導出し、両極の間に直流
電圧を与える。この有機ＥＬ素子は、直流電圧１８Ｖで
１０００ｃｄ／ｍ2 の発光が得られた。この時の発光ピ
ーク波長は４２１ｎｍであり、青色の発光が得られた。
と陰極７を素子の外囲器の外に導出し、両極の間に直流
電圧を与える。この有機ＥＬ素子は、直流電圧１８Ｖで
１０００ｃｄ／ｍ2 の発光が得られた。この時の発光ピ
ーク波長は４２１ｎｍであり、青色の発光が得られた。
【００２３】なお、ドーパントの割合を１ｍｏｌ％とし
たが、実験によれば、ドープの割合は０．５〜５ｍｏｌ
％の範囲が好ましく、前記１ｍｏｌ％は同範囲内におけ
る最適値の一例である。この範囲より低いと、効果がな
く、この範囲より多いと、発光しなくなる。
たが、実験によれば、ドープの割合は０．５〜５ｍｏｌ
％の範囲が好ましく、前記１ｍｏｌ％は同範囲内におけ
る最適値の一例である。この範囲より低いと、効果がな
く、この範囲より多いと、発光しなくなる。
【００２４】なお、前記共蒸着とは、一つの蒸着装置内
に２つの蒸着物質を設けて共通の対象に同時に蒸着させ
る技術である。本例では、母材とドーパントを共蒸着し
て有機の発光層を形成した。
に２つの蒸着物質を設けて共通の対象に同時に蒸着させ
る技術である。本例では、母材とドーパントを共蒸着し
て有機の発光層を形成した。
【００２５】２）実施例２ ドーパントとしてインドール誘導体である化学式（化１
２）に示す化合物を用いた以外は実施例１と同様に作製
した素子は、直流電圧２０Ｖで１５００ｃｄ／ｍ2 の発
光が得られた。この時の発光ピーク波長は４２２ｎｍで
あった。
２）に示す化合物を用いた以外は実施例１と同様に作製
した素子は、直流電圧２０Ｖで１５００ｃｄ／ｍ2 の発
光が得られた。この時の発光ピーク波長は４２２ｎｍで
あった。
【００２６】
【化１２】
【００２７】化学式（化１２）は、化学式（化１）に示
すインドール誘導体において、Ｒ1をアルキル基、Ｒ2
をナフチル基とした場合である。
すインドール誘導体において、Ｒ1をアルキル基、Ｒ2
をナフチル基とした場合である。
【００２８】３）実施例３ ドーパントとしてインドール誘導体である化学式（化１
３）に示す化合物を用いた以外は実施例１と同様に作製
した素子は、直流電圧１９Ｖで１２００ｃｄ／ｍ2 の発
光が得られた。この時の発光ピーク波長は４２３ｎｍで
あり、青色の発光が得られた。
３）に示す化合物を用いた以外は実施例１と同様に作製
した素子は、直流電圧１９Ｖで１２００ｃｄ／ｍ2 の発
光が得られた。この時の発光ピーク波長は４２３ｎｍで
あり、青色の発光が得られた。
【００２９】
【化１３】
【００３０】化学式（化１３）は、化学式（化１）に示
すインドール誘導体において、Ｒ1を水素、Ｒ2 をナフ
チル基とした場合である。
すインドール誘導体において、Ｒ1を水素、Ｒ2 をナフ
チル基とした場合である。
【００３１】４）実施例４ ドーパントとしてインドール誘導体である化学式（化１
４）に示す化合物を用いた以外は実施例１と同様に作製
した素子は、直流電圧１９Ｖで１５００ｃｄ／ｍ2 の発
光が得られた。この時の発光ピーク波長は４２２ｎｍで
あり、青色の発光が得られた。
４）に示す化合物を用いた以外は実施例１と同様に作製
した素子は、直流電圧１９Ｖで１５００ｃｄ／ｍ2 の発
光が得られた。この時の発光ピーク波長は４２２ｎｍで
あり、青色の発光が得られた。
【００３２】
【化１４】
【００３３】化学式（化１４）は、化学式（化１）に示
すインドール誘導体において、Ｒ1をアルキル基、Ｒ2
をナフチル基とした場合である。
すインドール誘導体において、Ｒ1をアルキル基、Ｒ2
をナフチル基とした場合である。
【００３４】５）実施例５ ドーパントとしてインドール誘導体である化学式（化１
５）に示す化合物を用いた以外は実施例１と同様に作製
した素子は、直流電圧２１Ｖで５００ｃｄ／ｍ2 の発光
が得られた。この時の発光ピーク波長は４６１ｎｍであ
り、青色の発光が得られた。
５）に示す化合物を用いた以外は実施例１と同様に作製
した素子は、直流電圧２１Ｖで５００ｃｄ／ｍ2 の発光
が得られた。この時の発光ピーク波長は４６１ｎｍであ
り、青色の発光が得られた。
【００３５】
【化１５】
【００３６】化学式（化１５）は、化学式（化１）に示
すインドール誘導体において、Ｒ1をアルキル基、Ｒ2
を前記化学式（化２）に示した基とした場合である。
すインドール誘導体において、Ｒ1をアルキル基、Ｒ2
を前記化学式（化２）に示した基とした場合である。
【００３７】６）実施例６ ドーパントとしてインドール誘導体である化学式（化１
６）に示す化合物を用いた以外は実施例１と同様に作製
した素子は、直流電圧２０Ｖで２００ｃｄ／ｍ2 の発光
が得られた。この時の発光ピーク波長は４７９ｎｍであ
り、やや緑がかった青色の発光が得られた。
６）に示す化合物を用いた以外は実施例１と同様に作製
した素子は、直流電圧２０Ｖで２００ｃｄ／ｍ2 の発光
が得られた。この時の発光ピーク波長は４７９ｎｍであ
り、やや緑がかった青色の発光が得られた。
【００３８】
【化１６】
【００３９】化学式（化１６）は、化学式（化１）に示
すインドール誘導体において、Ｒ1をアルキル基、Ｒ2
を前記化学式（化３）に示した基とした場合である。
すインドール誘導体において、Ｒ1をアルキル基、Ｒ2
を前記化学式（化３）に示した基とした場合である。
【００４０】なお、有機ＥＬ素子としての構造は図１と
は異なるが、本実施例のインドール誘導体を用いて次の
ような構造の有機ＥＬ素子を作成することもできる。ま
ず、陽極基板のＩＴＯ膜の上に、化学式（化１７）に示
すα−ＮＰＤを用いて４０ｎｍの厚さで真空蒸着により
正孔輸送層を形成する。その上に化学式（化１６）に示
すインドール誘導体を５０ｎｍの厚さで真空蒸着して発
光層とし、さらにその上に陰極としてＡｌとＬｉの合金
を蒸着して有機ＥＬ素子とした。その他の構成は実施例
１と略同様である。この有機ＥＬ素子は、直流電圧１６
Ｖで１２００ｃｄ／ｍ2 の発光が得られた。この時の発
光ピーク波長は５４２ｎｍであり、黄緑色であり青には
ならなかった。
は異なるが、本実施例のインドール誘導体を用いて次の
ような構造の有機ＥＬ素子を作成することもできる。ま
ず、陽極基板のＩＴＯ膜の上に、化学式（化１７）に示
すα−ＮＰＤを用いて４０ｎｍの厚さで真空蒸着により
正孔輸送層を形成する。その上に化学式（化１６）に示
すインドール誘導体を５０ｎｍの厚さで真空蒸着して発
光層とし、さらにその上に陰極としてＡｌとＬｉの合金
を蒸着して有機ＥＬ素子とした。その他の構成は実施例
１と略同様である。この有機ＥＬ素子は、直流電圧１６
Ｖで１２００ｃｄ／ｍ2 の発光が得られた。この時の発
光ピーク波長は５４２ｎｍであり、黄緑色であり青には
ならなかった。
【００４１】
【化１７】
【００４２】７）実施例７ ドーパントとしてインドール誘導体である化学式（化１
８）に示す化合物を用いた以外は実施例１と同様に作製
した素子は、直流電圧２０Ｖで６００ｃｄ／ｍ2 の発光
が得られた。この時の発光ピーク波長は４６９ｎｍであ
り、やや緑がかった青色の発光が得られた。
８）に示す化合物を用いた以外は実施例１と同様に作製
した素子は、直流電圧２０Ｖで６００ｃｄ／ｍ2 の発光
が得られた。この時の発光ピーク波長は４６９ｎｍであ
り、やや緑がかった青色の発光が得られた。
【００４３】
【化１８】
【００４４】化学式（化１８）は、化学式（化１）に示
すインドール誘導体において、Ｒ1をアルキル基、Ｒ2
を前記化学式（化４）に示した基とした場合である。
すインドール誘導体において、Ｒ1をアルキル基、Ｒ2
を前記化学式（化４）に示した基とした場合である。
【００４５】なお、本例においても、前記実施例６と同
様に、化学式（化１８）のインドール誘導体を発光層と
した図１とは異なる構成の有機ＥＬ素子を作成すること
ができる。各層の厚さ等は第６実施例の場合と同様とす
ると、この有機ＥＬ素子は、直流電圧１４Ｖで２００ｃ
ｄ／ｍ2 の発光が得られた。この時の発光ピーク波長は
５３８ｎｍであり、黄緑色であり青にはならなかった。
様に、化学式（化１８）のインドール誘導体を発光層と
した図１とは異なる構成の有機ＥＬ素子を作成すること
ができる。各層の厚さ等は第６実施例の場合と同様とす
ると、この有機ＥＬ素子は、直流電圧１４Ｖで２００ｃ
ｄ／ｍ2 の発光が得られた。この時の発光ピーク波長は
５３８ｎｍであり、黄緑色であり青にはならなかった。
【００４６】８）その他の実施例について 本発明は有機ＥＬ素子において、有機発光層に特定の物
質をドープしたものである。その物質としては、前記化
学式（化１）で表されるインドール誘導体であるが、こ
の式においてＲ１、Ｒ２で示される基は、水素原子、ハ
ロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、
ナフチル基、前記化学式（化２）から化学式（化６）に
示す基から任意に選択したものである。これらの各基の
組み合わせによって得られるいずれのインドール誘導体
によっても、前述した実施例１〜７と略同等の好結果が
得られる。
質をドープしたものである。その物質としては、前記化
学式（化１）で表されるインドール誘導体であるが、こ
の式においてＲ１、Ｒ２で示される基は、水素原子、ハ
ロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、
ナフチル基、前記化学式（化２）から化学式（化６）に
示す基から任意に選択したものである。これらの各基の
組み合わせによって得られるいずれのインドール誘導体
によっても、前述した実施例１〜７と略同等の好結果が
得られる。
【００４７】
【発明の効果】本発明によれば、有機の発光層において
インドール誘導体をドーパントに用いたので、１０００
ｃｄ／ｍ2 程度乃至それ以上の輝度が得られ、青色発光
材料として大きな期待が持てる。
インドール誘導体をドーパントに用いたので、１０００
ｃｄ／ｍ2 程度乃至それ以上の輝度が得られ、青色発光
材料として大きな期待が持てる。
【図１】本発明の実施例の構造を示す模式的な断面図で
ある。
ある。
【図２】従来の有機ＥＬ素子の構造を模式的に示す断面
図である。
図である。
２ 陽極としてのＩＴＯ膜 ７ 陰極 ４ 発光層
Claims (1)
- 【請求項１】 少なくとも一方が透明である一対の電極
の間に有機化合物からなる発光層が少なくとも設けられ
ている有機エレクトロルミネッセンス素子において、 下記化学式（化１）で表される物質が、前記発光層中に
ドープされたことを特徴とする有機エレクトロルミネッ
センス素子。 【化１】 但し、前記化学式（化１）において、Ｒ１、Ｒ２に示さ
れる基は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アル
コキシ基、アリール基、ナフチル基、次の化学式（化
２）から化学式（化６）に示す基から任意に選択された
基である。 【化２】 【化３】 【化４】 【化５】 【化６】
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10080387A JPH11260555A (ja) | 1998-03-12 | 1998-03-12 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10080387A JPH11260555A (ja) | 1998-03-12 | 1998-03-12 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11260555A true JPH11260555A (ja) | 1999-09-24 |
Family
ID=13716889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10080387A Pending JPH11260555A (ja) | 1998-03-12 | 1998-03-12 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11260555A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003268362A (ja) * | 2002-03-15 | 2003-09-25 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US6693295B2 (en) | 2000-12-25 | 2004-02-17 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Indole derivative, material for light-emitting device and light-emitting device using the same |
| JP2005527090A (ja) * | 2002-05-24 | 2005-09-08 | ノバレット、ゲーエムベーハー | 有機層を有する燐光発光素子 |
-
1998
- 1998-03-12 JP JP10080387A patent/JPH11260555A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6693295B2 (en) | 2000-12-25 | 2004-02-17 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Indole derivative, material for light-emitting device and light-emitting device using the same |
| US6881973B2 (en) | 2000-12-25 | 2005-04-19 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Indole derivative, material for light-emitting device and light-emitting device using the same |
| JP2003268362A (ja) * | 2002-03-15 | 2003-09-25 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2005527090A (ja) * | 2002-05-24 | 2005-09-08 | ノバレット、ゲーエムベーハー | 有機層を有する燐光発光素子 |
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