JPH11260707A - 現像処理方法及び現像処理装置 - Google Patents

現像処理方法及び現像処理装置

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JPH11260707A
JPH11260707A JP10074906A JP7490698A JPH11260707A JP H11260707 A JPH11260707 A JP H11260707A JP 10074906 A JP10074906 A JP 10074906A JP 7490698 A JP7490698 A JP 7490698A JP H11260707 A JPH11260707 A JP H11260707A
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pure water
substrate
supplying
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developing solution
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JP10074906A
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Hiroichi Inada
博一 稲田
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Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03D—APPARATUS FOR PROCESSING EXPOSED PHOTOGRAPHIC MATERIALS; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03D5/00—Liquid processing apparatus in which no immersion is effected; Washing apparatus in which no immersion is effected
    • G03D5/04—Liquid processing apparatus in which no immersion is effected; Washing apparatus in which no immersion is effected using liquid sprays

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  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 現像液の濃度の均一性を維持すると共に現像
処理からリンス処理への移行を緩やにおこなえる現像処
理方法を提供する。 【解決手段】 現像処理の際には，ウェハＷの表面に純
水のみを供給した後に，現像液と純水の混合液７４を徐
々に現像液の混合比率を高くしながら供給して，ウェハ
Ｗの表面に供給する処理液を純水から現像液に置換す
る。リンス処理の際には，現像液と純水の混合液７４を
徐々に現像液の混合比率を低くしながら供給して，ウェ
ハＷの表面に供給する処理液を現像液から純水に置換す
る。ウェハＷの表面に現像液を供給する処理液供給ノズ
ル３３は，純水及び現像液と純水の混合液７４を供給す
る機能を有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，例えばＬＣＤ基板
や半導体ウェハのような基板の表面に現像液を供給し現
像処理を行う方法及びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体製造プロセスにおけるレジ
スト処理工程においては，半導体ウェハ（以下，「ウェ
ハ」という。）などの基板の表面にレジスト液を塗布し
てレジスト膜を形成し，露光装置によって所定のパター
ンを露光する。その後，ウェハに現像液を塗布して現像
処理をした後に純水により現像液を洗い流すリンス処理
を行う。
【０００３】従来の現像処理では，ウェハの表面全体に
わたって現像液を供給し膜状の液盛り状態にして現像処
理を所定時間実施する。現像処理では，露光部分を現像
液によって溶解させて取り除くポジ型フォトレジストが
高い解像度を有するという利点から広く普及している。
【０００４】この現像処理には，例えば多数の吐出口を
直線上に配列した現像液供給ノズルが用いられており，
この現像液供給ノズルから現像液を滲み出させつつ，ウ
ェハを低速回転させて現像液をウェハの表面に均一に供
給する方法が広く採用されている。一方，リンス処理の
際には，純水供給ノズルを用いて，この純水供給ノズル
から純水等を供給させつつ，ウェハを高速回転させる方
法が採られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで，デバイスの
高集積化に伴い，より微細なデザインルールのフォトリ
ソグラフィ技術が要望されているが，この場合にも，微
細化した回路パターンをレジスト膜に正確に露光，現像
処理できる技術が必要である。そのため，露光の光源の
短波長化技術の実現や現像処理に用いられる現像液の濃
度，温度の管理が今後の課題となっている。特に現像液
の濃度は，ウェハに液盛り状態にされた場合には，その
表面全体に渡って均一にすることが重要であり，微細化
した回路パターンの線幅変動を抑制し均一な線幅の現像
を実現できる。
【０００６】しかしながら，従来の現像処理では，図１
７に示すように，現像液１００を液盛りにし，レジスト
膜１０１の露光部分を現像液によって溶解させて取り除
く場合，現像液中にレジスト成分が溶けることになり，
現像液の濃度の均一性は崩れる。また，一度レジスト膜
１０１と反応した現像液１０２は，純粋な現像液１００
に比べて反応速度が速くなり，図示の如く，一度レジス
ト膜１０１と反応した現像液１０２に液盛りされている
レジスト膜１０１と，純粋な現像液１００に液盛りされ
ている他のレジスト膜１０１とでは，現像処理に差が生
じる。このように現像処理が進行していく途中では，現
像液の濃度の均一性が崩れ，ウェハの表面において不均
一な現像処理が行われることなる。従って，回路パター
ンに対して線幅変動を多少生じさせるおそれがある。し
かも，上記したように高解像度化の実現等が要望されて
いる今日では，従来問題にはならなかった程度の微細な
線幅変動でも歩留まり低下をもたらす可能性があり，こ
のような問題に効果的に対処できる技術は未だ存在して
いない。
【０００７】さらに，現像処理からリンス処理へ移行す
る際に，ウェハの表面にいきなり純水を供給すれば，ウ
ェハの表面に残存している現像液中において，溶解しき
れなかったレジスト成分が固化し，そのままウェハの表
面に付着してパーティクルの発生の原因になるおそれが
ある。
【０００８】また，今日では生産性の向上に伴い，現像
処理装置においてもさらなるスループットの短縮化が要
望されている。しかしながら，従来の現像処理装置で
は，処理毎に現像液供給ノズルとリンス液供給ノズルの
二つの供給ノズルを個々に操作し，現像処理，リンス処
理の流れに従って順次切り換えて使用している。この切
り換えの移行に時間がかかり，処理毎にこのような時間
が発生する従来の現像処理装置では，スループットの向
上が図れない。また，現像液供給ノズルとリンス液供給
ノズルを操作するためには，少なくとも二つ以上の駆動
手段が必要となり，それに伴って装置全体が複雑化，肥
大化するのは好ましくない。
【０００９】本発明はかかる点に鑑みてなされてもので
あり，その目的は，現像液の濃度の均一性を維持すると
共に現像処理からリンス処理への移行を緩やかにし，し
かも処理時間の短縮及び装置の簡素化を実現できる現像
処理方法，及び現像処理装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に，請求項１の発明は，基板の表面に現像液を供給して
現像処理を行う方法において，前記基板の表面に純水を
供給する第１の工程と，前記基板の表面に現像液と純水
の混合液を，徐々に現像液の混合比率を高くしながら供
給する第２の工程と，前記基板の表面に現像液のみを供
給する第３の工程と，前記基板の表面に現像液と純水の
混合液を，徐々に現像液の混合比率を低くしながら供給
する第４の工程と，前記基板の表面に純水のみを供給す
る第５の工程とを有することを特徴とする，現像処理方
法を提供する。かかる方法によれば，現像処理の際に
は，基板の表面に純水を供給した後に，現像液と純水の
混合液を徐々に現像液の混合比率を高くしながら供給し
て，基板の表面に供給する処理液を純水から現像液に置
換する。これにより，現像液成分とレジスト成分とを緩
やかに反応させ，現像液と純水の混合液中にレジスト成
分が溶けても，現像液の濃度の均一性を良好に維持する
ことができる。従って，不均一な現像処理を抑制するこ
とが可能となる。リンス処理の際には，現像液と純水の
混合液を徐々に現像液の混合比率を低くしながら供給し
て，基板の表面に供給する処理液を現像液から純水に置
換する。これにより，現像液から純水への急激な変化を
緩和することができる。従って，不溶レジストの固化に
よるパーティクル発生を防ぐことが可能となる。
【００１１】また，請求項２の発明は，基板の表面に現
像液を供給して現像処理を行う方法において，前記基板
の表面に現像液と純水の混合液を，徐々に現像液の混合
比率を高くしながら供給する第１の工程と，前記基板の
表面に現像液のみを供給する第２の工程と，前記基板の
表面に現像液と純水の混合液を，徐々に現像液の混合比
率を低くしながら供給する第３の工程と，前記基板の表
面に純水のみを供給する第４の工程とを有することを特
徴とする，現像処理方法を提供する。この請求項２の方
法によれば，現像処理の際には，請求項１のように最初
から純水のみを供給することなく，基板の表面に現像液
と純水の混合液を徐々に現像液の混合比率を高くしなが
ら供給する。このように純水のみを供給する工程がない
分，請求項１よりもスループットが向上する。もちろ
ん，請求項１と同様に，不均一な現像処理を抑制するこ
と等が可能となる。
【００１２】請求項３の発明は，基板の表面に現像液を
供給して現像処理を行う方法において，前記基板の表面
に純水のみを供給する第１の工程と，前記基板の表面に
所定の混合比率で，現像液と純水の混合液を供給する第
２の工程と，前記基板の表面に現像液のみを供給する第
３の工程と，前記基板の表面に所定の混合比率で，現像
液と純水の混合液を供給する第４の工程と，前記基板の
表面に純水のみを供給する第５の工程とを有することを
特徴とする，現像処理方法を提供する。かかる方法によ
れば，現像液の濃度を経時変化させることなく，所定の
混合比率で混合された現像液と純水の混合液を供給す
る。このようなプロセスを用いても，従来に比べ，現像
液の濃度の均一性を良好に維持し，不均一な現像処理を
抑制することが可能となる。この場合，請求項３の第２
の工程及び第４の工程において，請求項１の第２の工程
及び第４の工程のように現像液の濃度の経時変化する代
わりに，所定の混合比率で混合された現像液と純水の混
合液を供給する。
【００１３】また，請求項４の発明は，基板の表面に現
像液を供給して現像処理を行う方法において，基板の表
面に現像液と純水の混合液を供給する第１の工程と，基
板の表面に現像液を供給する第２の工程と，基板の表面
に現像液と純水の混合液を供給する第３の工程と，基板
の表面に純水を供給する第４の工程とを有することを特
徴とする，現像処理方法を提供する。この請求項４の方
法によれば，現像処理の際には，請求項３のように最初
から純水のみを供給することなく，ウェハの表面に現像
液と純水の混合液を供給する。このように純水のみを供
給する工程がない分，請求項３よりもスループットが向
上する。もちろん，請求項３と同様に，不均一な現像処
理を抑制すること等が可能となる。
【００１４】請求項５の発明は，基板の表面に現像液を
供給して現像処理を行う方法において，前記基板の表面
に純水のみを供給する第１の工程と，前記基板の表面に
現像液と純水とを個別に供給し，徐々に現像液の混合比
率を高くしながら基板の表面で混合させる第２の工程
と，前記基板の表面に現像液のみを供給する第３の工程
と，前記基板の表面に現像液と純水とを個別に供給し，
徐々に現像液の混合比率を低くしながら基板の表面で混
合させる第４の工程と，前記基板の表面に純水のみを供
給する第５の工程とを有することを特徴とする，現像処
理方法を提供する。かかる方法によれば，現像処理の際
には，基板の表面に純水を供給した後に，現像液と純水
とを個別に供給し，徐々に現像液の混合比率を高くしな
がら基板の表面で混合させて，基板の表面に供給する処
理液を純水から現像液に置換する。これにより，請求項
１〜４と同様に現像液成分とレジスト成分とを緩やかに
反応させ，現像液の濃度の均一性を良好に維持すること
ができる。従って，不均一な現像処理を抑制することが
可能となる。リンス処理の際には，現像液と純水とを個
別に供給し，徐々に現像液の混合比率を低くしながら基
板の表面で混合させて，基板の表面に供給する処理液を
現像液から純水に置換する。これにより，請求項１〜４
と同様に現像液から純水への急激な変化を緩和すること
ができる。従って，不溶レジストの固化によるパーティ
クル発生を防ぐことが可能となる。
【００１５】また，請求項６の発明は，基板の表面に現
像液を供給して現像処理を行う方法において，前記基板
の表面に現像液と純水とを個別に供給し，徐々に現像液
の混合比率を高くしながら基板の表面で混合させる第１
の工程と，前記基板の表面に現像液のみを供給する第２
の工程と，前記基板の表面に現像液と純水とを個別に供
給し，徐々に現像液の混合比率を低くしながら基板の表
面で混合させる第３の工程と，前記基板の表面に純水の
みを供給する第４の工程とを有することを特徴とする，
現像処理方法を提供する。この請求項６の方法によれ
ば，現像処理の際には，請求項５のように最初から純水
のみを供給することなく，基板の表面に現像液と純水と
を個別に供給し，徐々に現像液の混合比率を高くしなが
ら基板の表面で混合させる。このように純水のみを供給
する工程がない分，請求項５よりもスループットが向上
する。もちろん，請求項５と同様に，不均一な現像処理
を抑制すること等が可能となる。
【００１６】請求項７の発明は，基板の表面に現像液を
供給して現像処理を行う方法において，前記基板の表面
に純水のみを供給する第１の工程と，前記基板の表面に
現像液と純水とを個別に供給し，基板の表面に所定の混
合比率で混合させる第２の工程と，前記基板の表面に現
像液のみを供給する第３の工程と，前記基板の表面に現
像液と純水とを個別に供給し，基板の表面に所定の混合
比率で混合させる第４の工程と，前記基板の表面に純水
のみを供給する第５の工程とを有することを特徴とす
る，現像処理方法を提供する。かかる方法によれば，現
像液の濃度を経時変化させることなく，現像液と純水と
を個別に供給して，所定の混合比率でウェハの表面で混
合させる。このようなプロセスを用いても，従来に比
べ，現像液の濃度の均一性を良好に維持し，不均一な現
像処理を抑制することが可能となる。この場合，請求項
７の第２の工程及び第４の工程において，請求項５の第
２の工程及び第４の工程のように現像液の濃度を経時変
化する代わりに，基板の表面で所定の混合比率で混合さ
れるように，予め流量を調整された現像液と純水とを個
別に供給する。
【００１７】また，請求項８の発明は，基板の表面に現
像液を供給して現像処理を行う方法において，前記基板
の表面に現像液と純水とを個別に供給し，基板の表面に
所定の混合比率で混合させる第１の工程と，前記基板の
表面に現像液のみを供給する第２の工程と，前記基板の
表面に現像液と純水とを個別に供給し，基板の表面に所
定の混合比率で混合させる第３の工程と，前記基板の表
面に純水のみを供給する第４の工程とを有することを特
徴とする，現像処理方法を提供する。この請求項８の方
法によれば，現像処理の際には，請求項７のように最初
から純水のみを供給することなく，現像液と純水とを個
別に供給して，所定の混合比率でウェハの表面で混合さ
せる。このように純水のみを供給する工程がない分，請
求項７よりもスループットが向上する。もちろん，請求
項７と同様に，不均一な現像処理を抑制すること等が可
能となる。
【００１８】また，請求項９の発明は，基板の表面に現
像液を供給する供給手段を備えた現像処理装置におい
て，現像液を供給する現像液供給路と純水を供給する純
水供給路とを前記供給手段に接続し，前記供給手段内部
に混合部を形成し，前記混合部は，前記現像液供給路か
ら供給された現像液と前記純水供給路から供給された純
水との両方が流れ込む構成を有し，前記混合部内の液体
を前記基板に吐出するための吐出部を有することを特徴
とする，現像処理装置を提供する。この場合，請求項１
０の発明に記載したように，前記供給手段は，内部に前
記現像液供給路から供給された現像液が流れ込む現像液
溜め部と，前記純水供給路から供給された純水が流れ込
む純水溜め部とを備えてもよい。さらに，請求項１１の
発明に記載したように，前記現像液供給路と前記純水供
給路には流量調整手段が配置されていることが好まし
い。かかる構成によれば，供給手段は，現像液，純水及
び所定の混合比率に調整された現像液と純水の混合液を
供給する。従って，請求項１〜８に記載の現像処理方法
を好適に実施することができる。また，現像処理とリン
ス処理を一つの供給手段で行うので，処理時間の短縮，
現像処理装置自体の簡素化を実現できる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下，添付図面に基づき本発明の
実施の形態について例を挙げて説明する。この実施の形
態に係る現像処理装置は，ウェハに対して一連のフォト
リソグラフィ工程を行う塗布現像処理システムに組み込
まれた現像処理装置に適用されている。なお，図１〜図
３は塗布現像処理システムの外観を示し，図１は平面，
図２は正面，図３は背面から見た様子を各々示してい
る。
【００２０】この塗布現像処理システム１は図１に示す
ように，ウェハＷを例えば２５枚のカセットＣ単位で外
部から塗布現像システム１に対して搬入出したり，カセ
ットＣに対してウェハＷを搬入出したりするためのカセ
ットステーション２と，塗布現像処理工程の中で１枚ず
つウェハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種処理装置を
多段配置している処理ステーション３と，この処理ステ
ーション３に隣接して設けられる露光装置（図示せず）
との間でウェハＷの受け渡しをするためのインターフェ
イス部４とを一体に接続した構成を有している。
【００２１】カセットステーション２では，載置部とな
るカセット載置台５上の位置決め突起５ａの位置に複数
個，例えば４個の各カセットＣがウェハＷの出入口を処
理ステーション３側に向けてＸ方向（図１中の上下方
向）一列に載置されている。そして，このカセットＣ配
列方向（Ｘ方向）及びカセットＣに収容されたウェハＷ
のウェハＷ配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能な
ウェハ搬送体１０が搬送路１０ａに沿って移動自在であ
り，各カセットＣに選択的にアクセスできるようになっ
ている。
【００２２】このウェハ搬送体１０はθ方向にも回転自
在に構成されており，後述するように処理ステーション
３側の第３の処理装置群Ｇ3の多段ユニット部に属する
アライメントユニット（ＡＬＩＭ）及びエクステンショ
ンユニット（ＥＸＴ）にもアクセスできるように構成さ
れている。
【００２３】処理ステーション３では，その中心部に主
搬送装置２０が配置されており，その周囲にはユニット
としての各種処理装置が１組または複数の組にわたって
多段集積配置されて処理装置群を構成している。この塗
布現像処理システム１においては，５つの処理装置群Ｇ
1，Ｇ2，Ｇ3，Ｇ4，Ｇ5が配置可能に構成されており，
第１及び第２の処理装置群Ｇ1，Ｇ2は塗布現像処理シス
テム１正面側に配置されており，第３の処理装置群Ｇ3
はカセットステーション２に隣接して配置されており，
第４の処理装置群Ｇ4はインターフェイス部４に隣接し
て配置されており，破線で示した第５の処理装置群Ｇ5
は背面側に配置されている。
【００２４】第１の処理装置群Ｇ1では図２に示すよう
に，カップ３１（ＣＰ）内でウェハＷをスピンチャック
に載せて所定の処理を行う２台のスピンナ型処理装置，
例えばレジスト塗布装置（ＣＯＴ）及び現像処理装置３
０（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。そし
て第１の処理装置群Ｇ1と同様に，第２の処理装置群Ｇ2
においても，２台のスピンナ型処理装置，例えばレジス
ト塗布装置（ＣＯＴ）及び現像処理装置３０（ＤＥＶ）
が下から順に２段に重ねられている。
【００２５】第３の処理装置群Ｇ3では図３に示すよう
に，例えば冷却処理を行う冷却処理装置（ＣＯＬ），レ
ジストとウェハＷとの定着性を高めるための疎水化処理
装置（ＡＤ），ウェハＷの位置合わせを行うアライメン
ト装置（ＡＬＩＭ），ウェハＷを待機させるエクステン
ション装置（ＥＸＴ），加熱処理を行うプリベーキング
装置（ＰＲＥＢＡＫＥ）及びポストベーキング装置（Ｐ
ＯＢＡＫＥ）等が８段に重ねられている。第４の処理装
置群Ｇ4では図３に示すように，冷却処理装置（ＣＯ
Ｌ），エクステンション冷却装置（ＥＸＴＣＯＬ），エ
クステンション装置（ＥＸＴ），冷却処理装置（ＣＯ
Ｌ），プリベーキング装置（ＰＲＥＢＡＫＥ），ポスト
ベーキング装置（ＰＯＢＡＫＥ）等が８段に重ねられて
いる。
【００２６】インターフェイス部４では図１に示すよう
に，その背面部に周辺露光装置２５が，中央部にウェハ
搬送体２６がそれぞれが設けられている。このウェハ搬
送体２６はＸ方向，Ｚ方向（垂直方向）の移動及びθ方
向の回転が自在にできるように構成されており，処理ス
テーション３側の第４の処理装置群Ｇ4に属するエクス
テンション装置（ＥＸＴ）や露光装置（図示せず）側の
ウェハ受け渡し台（図示せず）にもアクセスできるよう
に構成されている。
【００２７】次に，上記塗布現像処理システムの第１の
処理装置群Ｇ1に組み込まれた現像処理装置３０の構成
について説明する。図４は現像処理装置３０の構成を説
明するための概略的な断面図であり，図５は現像処理装
置３０の平面図である。
【００２８】この現像処理装置３０は，ケーシング３０
ａ内において，上面が開口した環状のカップ３１と，カ
ップ内３１にてウェハＷを水平に載置するスピンチャッ
ク３２と，ウェハＷの表面に処理液としての現像液及び
現像処理後にウェハＷの表面をリンス処理するための純
水を供給する処理液供給ノズル３３とを備えている。
【００２９】カップ３１において，底面３５は傾斜して
おり，この底面３５の最下位部にはカップ３１内に飛び
散った現像液や純水を排液するための排液管３６が接続
されている。この排液管３６の反対側には，カップ３１
の内部の雰囲気を排気するための排気管３７が接続され
ている。また，カップ３１の底面３５には，環状壁３８
が立設されており，この環状壁３８の上端には，スピン
チャック３２に吸着保持されたウェハＷの裏面に近接す
る整流板３９が配設されている。この整流板３９の周辺
部は，外側に向かって下方に傾斜するように構成されて
いる。なお，スピンチャック３２の載置されたウェハＷ
の下方には，ウェハＷの裏面を洗浄するために純水を供
給する裏面洗浄ノズル４０が配置されている。
【００３０】スピンチャック３２はウェハＷを載置面に
水平状態で吸着保持するように構成されている。スピン
チャック３２は，カップ３１の下方に設けられた昇降回
転機構４１の支柱４２に接続されており，昇降回転機構
３５の稼働によって，昇降移動すると共に回転自在にな
るように構成されている。
【００３１】処理液供給ノズル３３には，処理液供給ノ
ズル３３内部に現像液を供給する現像液供給路４５及び
処理液供給ノズル３３内に純水を供給する純水供給路４
６が接続されており，処理液供給ノズル３３は，現像
液，純水及び現像液と純水の混合液を供給できる機能を
有している。この処理液供給ノズル３３は，図５に示す
搬送レール４８上を移動自在な把持アーム４９により把
持され，図５，６の矢印に示す方向の往復移動が可能と
なっている。
【００３２】ここで，処理液供給ノズル３３の構造につ
いて，図７〜図１１に基づいて詳しく説明する。先ず図
７は処理液供給ノズル３３の平面図，図８はその側面
図，図９はその内部の斜視図であり，図１０は図７中の
Ａ−Ａ線断面図，図１１は図７中のＢ−Ｂ線断面図であ
る。先ず，図７，図８及び図９に示すように，処理液供
給ノズル３３の左右何れにおいても，上記現像液供給路
４５は処理液供給ノズル３３の上面を介して内部にまで
貫通し，内部上方に設けられた現像液溜め部５５に接続
されている。同様に，処理液供給ノズル３３の左右何れ
においても，上記純水供給路４６は処理液供給ノズル３
３の上面を介して内部にまで貫通し，内部上方に設けら
れた純水溜め部５６に接続されている。さらに処理液供
給ノズル３３の内部下方に，混合部５７を形成し，現像
液溜め部５５と混合部５７とは接続路５８ａを介して接
続され，純水溜め部５６と混合部５７とは接続路５８ｂ
を介して接続されている。
【００３３】現像液供給路４５の途中には，現像液溜め
部５５内に流れ込む現像液の流量を調整できるように第
１の流量調整弁６０が配置され，同様に純水供給路４６
の途中には，純水溜め部５６内に流れ込む純水の流量を
調整できるように第２の流量調整弁６１が配置されてい
る。これら第１の流量調整弁６０，第２の流量調整弁６
１は何れも，制御部６２からの操作信号が入力される構
成になっている。そして，現像処理の進行状況に合わせ
て制御部６２から第１の流量調整弁６０，第２の流量調
整弁６１に操作信号が適宜発せられ，現像液溜め部５５
内に流れ込む現像液の液量，純水溜め部５６内に流れ込
む純水の流量を調整する構成になっている。
【００３４】図９に示すように，現像液溜め部５５と純
水溜め部５６は何れも同様の形成を有しており，処理液
供給ノズル３３の内部上方において図示の如く左右対称
に配置されている。代表して現像液溜め部５５について
説明すると，現像液溜め部５５は，処理液供給ノズル３
３の長手方向に合わせて横長の箱形に形成され，その上
面を，左上がりに傾斜する傾斜面６５と，右上がりに傾
斜する傾斜面６６と，これら傾斜面６５，６６との間に
位置する水平な平面６７とで構成している。そして，現
像液溜め部５５内に空気が溜まった場合には，傾斜面６
５と傾斜面６６に沿って浮上させて平面６７に接続して
いる第１の泡抜き路６８を介して外部に排出するように
構成されている。純水溜め部５６も現像液溜め部５５と
ほぼ同様の構成を有しており，純水溜め部５６内に溜ま
った空気を第２の泡抜き路６９を介して外部に排出する
ように構成されている。
【００３５】混合部５７は，上面７０を略凹形状に形成
し，底面７１を略Ｕ字形状に形成し，左右前後の側面を
これら上面７０及び底面７１との間を囲めるようにそれ
ら形状を適宜形成している。底面７１には，その長手方
向に沿って吐出路７２が多数並んで設けられており，こ
の吐出路７２を経て吐出部７３から混合部５７内部の液
体がウェハＷの表面に向かって供給される構成になって
いる。
【００３６】即ち，図１０に示すように，現像液供給路
４５から供給された現像液は，現像液溜め部５５，接続
路５８ａを経て混合部５７に流れ込み，図１１に示すよ
うに，同様に純水供給路４６から供給された純水は，純
水溜め部５６，接続路５８ｂを経て混合部５７に流れ込
み，これら現像液及び純水が混合部５７内で混合され，
図示の如く吐出部７３から現像液と純水の混合液７４と
してウェハＷの表面に供給される構成になっている。こ
の場合，現像液は，予め上記第１の流量調整弁６０によ
って現像液溜め部５５に流れ込む流量が調整されてお
り，同様に純水も，予め上記第２の流量調整弁６１によ
って純水溜め部５６に流れ込む流量が調整されているの
で，この混合部５７内では，現像液及び純水が所定の混
合比率で混合される構成になっている。さらに，この混
合部５７における現像液と純水の混合比率は，第１の流
量調整弁６０，第２の流量調整弁６１の調整によって適
宜変化させることが可能であり，これにより，例えば現
像処理の進行状況に合わせて混合液中の現像液の濃度を
徐々に高めていくことや，徐々に低くしていくことがで
きる構成になっている。また，純水供給路４６の第２の
流量調整弁６１を閉じ，混合部５７に現像液のみが流れ
込み，吐出路７２を経て吐出部７３から現像液のみをウ
ェハＷの表面に向かって供給することも，現像液供給路
４５の第１の流量調整弁６０を閉じ，混合部５７に純水
のみが流れ込み，吐出路７２を経て吐出部７３から純水
のみをウェハＷの表面に向かって供給することも可能な
構成になっている。
【００３７】次に，以上のように構成された本実施の形
態にかかる現像処理装置３０を備えた現像塗布現像処理
システム１における処理工程について説明する。
【００３８】塗布現像処理システム１において，カセッ
トＣ内に収容された未処理のウェハＷはカセットステー
ション２のウェハ搬送体１０によって取り出された後，
処理ステーション３の第３の処理群Ｇ3のアライメント
装置（ＡＬＩＭ）内に搬送され，位置合わせが行われ
る。そして，主搬送装置２０を反対側から搬入させ，ウ
ェハＷはアライメント装置（ＡＬＩＭ）内から搬出され
搬送される。そして，ウェハＷは，第３の処理群Ｇ3の
疎水化処理装置（ＡＤ）にて疎水化処理され，第３の処
理群Ｇ3又は第４の処理群Ｇ4の冷却処理装置（ＣＯＬ）
にて冷却された後に，第１の処理群Ｇ1又は第２の処理
群Ｇ2のレジスト塗布装置（ＣＯＴ）にてフォトレジス
ト膜すなわち感光膜を塗布形成される。
【００３９】そして，感光膜を形成した後，第３の処理
群Ｇ3又は第４の処理群Ｇ4のプリベーキング装置（ＰＲ
ＥＢＡＫＥ）にて加熱処理を行い，ウェハＷ上の感光膜
から残存溶剤を蒸発除去する。そして，第４の処理群Ｇ
4のエクステンション冷却装置（ＥＸＴＣＯＬ）で冷却
された後に，第４の処理群Ｇ4のエクステンション装置
（ＥＸＴ）内に載置される。そして，ウェハ搬送体２６
を反対側から搬入させ，ウェハＷは搬出される。そし
て，露光装置（図示せず）内に搬送され，ウェハＷは露
光される。露光後にウェハＷは再び第４の処理群Ｇ4の
エクステンション装置（ＥＸＴ）に搬入され，これを介
して主搬送装置２０に受け渡す。そして，第１の処理群
Ｇ1又は第２の処理群Ｇ2の現像処理装置３０（ＤＥＶ）
内に搬送され，現像液により現像された後にリンス液に
より現像液を洗い流し，現像処理を完了する。
【００４０】ここで，現像処理装置３０における処理工
程について図１２（ａ）〜（ｅ）に基づいて説明する。
まず，カップ３１内のスピンチャック３２上にウェハＷ
が載置されると，把持アーム４９によって処理液供給ノ
ズルが把持され，これを所定位置，ウェハＷの上方にま
で移動する。
【００４１】次いでウェハＷを低速度で回転しつつ，図
８に示したように現像液供給路４５の第１の流量調整弁
６０を閉じた状態で，制御部６２から所定の操作信号が
純水供給路４６の第２の流量調整弁６１に出力され，第
２の流量調整弁６１を開放させる。そして，純水供給路
４６から供給された純水は純水溜め部５６を経て混合部
５７内に流れ込む。これにより，図１２（ａ）に示した
ように，ウェハＷの表面に純水のみが供給される。そし
て，ウェハＷの回転により押し広げられウェハＷの表面
に均一な純水の液膜が形成される。そして，この状態か
ら制御部６２は，所定の操作信号を第１の流量調整弁６
０に出力し，現像液供給路４５から供給された現像液は
現像液溜め部５５を経て混合部５７内に流れ込む。これ
により，図１２（ｂ）に示したように，ウェハＷの表面
に現像液と純水の混合液が供給される。以後，混合液中
に含まれている現像液成分により，ウェハＷの表面の形
成されたレジスト膜７５の露光部分は溶解することにな
る。
【００４２】ところで，この場合，最初から第１の流量
調整弁６０を全開にして現像液と純水を混合させている
わけではない。即ち，第１の流量調整弁６０を少しづつ
開放させつつ，反対に第２の流量調整弁６１を少しづつ
絞るようにして，混合部５７内で混合される混合液にお
ける現像液の混合比率を徐々に高めるようにしている。
そして，第１の流量調整弁６０を完全に開放させ，制御
部６２は第２の流量調整弁６１に出力せず第２の流量調
整弁６１を閉じさせ，ウェハＷの表面に現像液のみを供
給する（図１２（ｃ））。以上のような現像液の濃度の
緩やかな経時変化によってウェハＷの表面に供給する処
理液を純水から現像液に置換する。これにより，現像液
成分とレジスト成分とを緩やかに反応させ，現像液と純
水の混合液中にレジスト成分が溶けても，現像液の濃度
の均一性を良好に維持することができる。
【００４３】そして，ウェハＷの表面に現像液を均一に
液盛りし，ウェハＷの回転を所定時間停止させ，所定の
現像処理を施す。この場合，従来のような現像液のみを
最初から供給するわけではないので，溶解しているレジ
スト成分に起因する不均一な現像処理を抑制することが
でき，回路パターンの線幅等を均一に現像することが可
能となる。
【００４４】その後，ウェハＷを高速回転させてリンス
処理を行う。制御部６２は，第２の流量調整弁６１に操
作信号を送り，純水供給路４６から供給された純水は純
水溜め部５６を経て混合部５７内に流れ込む。これによ
り，図１２（ｄ）に示したように，ウェハＷの表面に純
水と現像液の混合液が供給される。この場合も同様に，
最初から第２の流量調整弁６１を全開にして現像液と純
水を混合させているわけではない。即ち，第２の流量調
整弁６１を少しづつ開放させつつ，反対に第１の流量調
整弁６０を少しづつ絞るようにして，混合部５７内で混
合される混合液における現像液の混合比率を徐々に低く
するようにしている。そして，第２の流量調整弁６１を
完全に開放させ，制御部６２は第１の流量調整弁６０に
出力せず第１の流量調整弁６０を閉じさせ，ウェハＷの
表面に純水のみを供給する（図１２（ｅ））。
【００４５】このように，最初から現像液から純水に変
更するのではなく，ウェハＷの表面に供給する液体を現
像液から純水に徐々に置換することにより，現像液から
純水への急激な変化を緩和する。従って，ウェハＷの表
面に残存している現像液中において，溶解しきれなかっ
たレジスト成分が固化しそのままウェハＷの表面に付着
してパーティクルの発生の原因になることを防止するこ
とが可能となる。
【００４６】さらに，第１の流量調整弁６０，第２の流
量調整弁６１を切り換えるだけで，処理液供給ノズル３
３から現像液のみを供給できたり純水を供給できるの
で，現像処理からリンス処理への移行時間を節約でき
る。現像処理とリンス処理を一つの処理液供給ノズル３
３で行うので，現像処理装置３０自体の簡素化を実現で
きる。
【００４７】以上のような処理が終了した後，ウェハＷ
は主搬送装置２０によって現像処理装置３０内から搬出
される。その後，ウェハＷは，第３の処理群Ｇ3又は第
４の処理群Ｇ4のポストベーキング装置（ＰＯＢＡＫ
Ｅ）で加熱処理され，第３の処理群Ｇ3又は第４の処理
群Ｇ4の冷却処理装置で（ＣＯＬ）で冷却した後に，第
３の処理群Ｇ3のエクステンション装置（ＥＸＴ）内に
載置される。そして，ウェハ搬送体１０を反対側から搬
入させウェハＷは搬出され，カセットステーション２に
載置された処理済みウェハ収納用のカセットＣにウェハ
Ｗが搬入される。
【００４８】かくして，本実施の形態によれば，現像処
理の際には，ウェハＷの表面に純水を供給した後に，現
像液と純水の混合液を徐々に現像液の混合比率を高くし
ながら供給して，ウェハＷの表面に供給する処理液を純
水から現像液に置換する。これにより，現像液成分とレ
ジスト成分とを緩やかに反応させ，純水と現像液の混合
液中にレジスト成分が溶けても，現像液の濃度の均一性
を良好に維持することができる。従って，不均一な現像
処理を抑制することが可能となる。リンス処理の際に
は，現像液と純水の混合液を徐々に現像液の混合比率を
低くしながら供給して，ウェハＷの表面に供給する処理
液を現像液から純水に置換する。これにより，現像液か
ら純水への急激な変化を緩和することができる。従っ
て，不溶レジストの固化によるパーティクル発生を防ぐ
ことが可能となる。また，現像処理とリンス処理を一つ
の処理液供給ノズル３３で行うので，処理時間の短縮，
現像処理装置３０自体の簡素化を実現できる。
【００４９】なお，本実施の形態における他の処理工程
として，現像処理の際には，最初から純水を供給するこ
となく，ウェハＷの表面に現像液と純水の混合液を，徐
々に現像液の混合比率を高くしながら供給するようにし
てもよい。この場合，図１２（ｂ）〜図１２（ｅ）に基
づいて現像処理の工程が行われることになり，純水のみ
を供給する工程がない分，スループットが向上する。も
ちろん，同様に不均一な現像処理を抑制すること等が可
能となる。なお，図１２（ａ）に基づく工程が行われな
い以外は，本実施の形態にかかる処理工程と同様なの
で，詳細な説明は省略する。
【００５０】また，現像液の濃度を経時変化させること
なく，所定の混合比率で混合された現像液と純水の混合
液を供給するようにしてもよい。この場合，図１２
（ｂ），（ｄ）に基づく工程において，所定の混合比率
で混合された現像液と純水の混合液を供給する。さら
に，現像処理の際には，最初から純水を供給することな
く，ウェハＷの表面に現像液と純水の混合液を供給する
ようにしもよい。この場合，図１２（ｂ）〜図１２
（ｅ）に基づいて現像処理が行われることになる。
【００５１】次に，本実施の形態にかかる処理液供給ノ
ズル３３とは異なる混合部５７を有する処理液供給ノズ
ル８０について説明する。図１３に示すように，この第
２の実施の形態にかかる処理液供給ノズル８０は，現像
液を専用に吐出する吐出部７３’と純水を専用に吐出す
る吐出部７３”を有しており，それ以外は本実施の形態
にかかると同一の構成になっているので，略同一の機能
におよび構成を有する構成要素については，同一符号を
付することにより，重複説明を省略することにする。
【００５２】図１４は図１３中のＣ−Ｃ線断面図，図１
５は図１３中のＤ−Ｄ線断面図である。図１４に示すよ
うに，現像液供給路４５から供給された現像液は，現像
液溜め部５５を流れそのまま吐出路７２’ａを経て吐出
部７３’からウェハＷの表面に向かって供給される。図
１５に示すように，純水供給路４６から供給された純水
は，純水溜め部５６を流れそのまま吐出路７２’ｂを経
て吐出部７３”からウェハＷの表面に向かって供給され
る。このように，処理液供給ノズル８０は，内部で一旦
現像液及び純水を混合した後に混合液としてウェハＷに
供給するのではなく，現像液及び純水をウェハＷの表面
で混合させて液盛する。
【００５３】以上のような混合部を有しない処理液供給
ノズル８０を用いた処理工程について図１６（ａ）〜
（ｅ）に基づいて説明する。図１６（ａ）に示したよう
に，吐出部７３”からウェハＷの表面に純水のみが供給
される。そして，図１６（ｂ）に示したように，吐出部
７３’からウェハＷの表面に現像液が供給され，ウェハ
Ｗの表面に現像液と純水とを個別に供給する。この場
合，本実施の形態の図１２（ｂ）の処理工程と同様に第
１の流量調整弁６０を少しづつ開放させつつ，反対に第
２の流量調整弁６１を少しづつ絞るようにして，徐々に
現像液の混合比率を高くしながらウェハＷの表面で混合
させる。そして，第１の流量調整弁６０を完全に開放さ
せ，制御部６２は第２の流量調整弁６１に出力せず第２
の流量調整弁６１を閉じさせ，ウェハＷの表面に現像液
のみを供給する（図１２（ｃ））。そして，ウェハＷの
表面に現像液を均一に液盛りし，ウェハＷの回転を所定
時間停止させ，所定の現像処理を施す。
【００５４】その後，ウェハＷを高速回転させてリンス
処理を行う。図１２（ｄ）に示したように，吐出部７
３’から現像液から供給され，吐出部７３”から純水が
供給されて，ウェハＷの表面に現像液と純水とを個別に
供給する。この場合，本実施の形態の図１２（ｄ）の処
理工程と同様に，第２の流量調整弁６１を少しづつ開放
させつつ，反対に第１の流量調整弁６０を少しづつ絞る
ようにして，徐々に現像液の混合比率を低くしながらウ
ェハＷの表面で混合させる。そして，第２の流量調整弁
６１を完全に開放させ，第１の流量調整弁６０を閉じさ
せ，ウェハＷの表面に純水Ｂのみを供給する（図１２
（ｅ））。
【００５５】かくして，混合部を有しない処理液供給ノ
ズル８０によっても，現像処理の際には，ウェハＷの表
面に純水を供給した後に，現像液と純水とを個別に供給
し，徐々に現像液の混合比率を高くしながらウェハＷの
表面で混合させて，ウェハＷの表面に供給する処理液を
純水から現像液に置換する。これにより，本実施の形態
と同様に，現像液成分とレジスト成分とを緩やかに反応
させ，現像液の濃度の均一性を良好に維持することがで
きる。従って，不均一な現像処理を抑制することが可能
となる。リンス処理の際には，現像液と純水とを個別に
供給し，徐々に現像液の混合比率を低くしながらウェハ
Ｗの表面で混合させて，ウェハＷの表面に供給する処理
液を現像液から現像液に置換する。これにより，本実施
の形態と同様に現像液から純水への急激な変化を緩和す
ることができる。従って，不溶レジストの固化によるパ
ーティクル発生を防ぐことが可能となる。また，現像処
理とリンス処理を一つの処理液供給ノズル８０で行うの
で，処理時間の短縮，現像処理装置３０自体の簡素化を
実現できる。
【００５６】なお，混合部を有しない処理液供給ノズル
８０における他の処理工程として，現像処理の際には，
最初から純水を供給することなく，ウェハＷの表面に現
像液と純水とを個別に供給し，徐々に現像液の混合比率
を高くしながらウェハＷの表面で混合させるようにして
もよい。この場合，図１６（ｂ）〜図１６（ｅ）に基づ
いて処理工程が行われることになり，純水のみを供給す
る工程がない分，スループットが向上する。もちろん，
同様に不均一な現像処理を抑制すること等が可能とな
る。なお，図１６（ａ）に基づく工程が行われない以外
は，本実施の形態にかかる現像工程と同様であるので，
詳細な説明は省略する。
【００５７】また，現像液の濃度を経時変化させること
なく，現像液と純水とを個別に供給して，所定の混合比
率でウェハＷの表面で混合させるようにしてもよい。こ
の場合，図１６（ｂ），（ｄ）に基づく工程において，
ウェハＷの表面に所定の混合比率で混合されるように，
予め流量を調整された現像液と純水とを個別に供給す
る。さらに，現像処理の際には，最初から純水を供給す
ることなく，現像液と純水とを個別に供給して，ウェハ
Ｗの表面に所定の混合比率で混合させるようにしてもよ
い。この場合，図１２（ｂ）〜図９（ｅ）に基づいて処
理工程が行われることになる。
【００５８】以上，実施の形態について，本発明は，こ
れらの実施の形態に限定されるものではなく，種々の態
様を取り得るものである。また，基板は上記ウェハＷに
限るものでなく，ＬＣＤ基板，ガラス基板，ＣＤ基板，
フォトマスク，プリント基板，セラミック基板等でも可
能である。
【００５９】
【発明の効果】請求項１〜８に記載の発明によれば，現
像処理の際には，現像液成分とレジスト成分を緩やかに
反応させ，現像液の濃度の均一性を良好に維持すること
ができる。従って，不均一な現像処理を抑制することが
可能となる。リンス処理の際には，現像液から純水への
急激な変化を緩和することができる。従って，不溶レジ
ストの固化によるパーティクル発生を防ぐことが可能と
なる。その結果，基板に対して更なる微細化技術の実現
が可能となる。
【００６０】また，請求項９〜１０に記載の発明によれ
ば，請求項１〜８に記載の処理方法を好適に実施するこ
とができる。また，現像処理とリンス処理を一つの供給
手段で行うので，処理時間の短縮，現像処理装置自体の
簡素化を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態にかかる現像処理装置を備えた現
像塗布処理システムの斜視図である。
【図２】図１の現像塗布処理システムの正面図である。
【図３】図１の現像塗布処理システムの背面図である。
【図４】本実施の形態にかかる現像処理装置の概略的な
断面図である。
【図５】本実施の形態にかかる現像処理装置の概略的な
平面図である。
【図６】本実施の形態にかかる現像処理装置における処
理液供給ノズル周りの様子を示す斜視図である。
【図７】処理液供給ノズルの概略的な平面図である。
【図８】処理液供給ノズルの概略的な側面図である。
【図９】処理液供給ノズルの内部の概略的な斜視図であ
る。
【図１０】図７中のＡ−Ａ線断面図である。
【図１１】図７中のＢ−Ｂ線断面図である。
【図１２】本実施の形態にかかる処理手順を示す工程図
である。
【図１３】処理液供給ノズルの他の例として混合部を有
しない場合の処理液供給ノズルの概略的な側面図であ
る。
【図１４】図１３中のＣ−Ｃ線断面図である。
【図１５】図１３中のＤ−Ｄ線断面図である。
【図１６】混合部を有しない場合の処理液供給ノズルを
用いた他の処理手順を示す工程図である。
【図１７】従来の現像処理方法を用いた場合のウェハの
表面構造の例を示す説明図である。
【符号の説明】
１ 塗布現像処理システム ３０ 現像処理装置 ３３ 処理液供給ノズル ４５ 現像液供給路 ４６ 純水供給路 ５５ 現像液溜め部 ５６ 純水溜め部 ５７ 混合部 ７３ 吐出部 Ｗ ウェハ

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板の表面に現像液を供給して現像処理
    を行う方法において，前記基板の表面に純水を供給する
    第１の工程と，前記基板の表面に現像液と純水の混合液
    を，徐々に現像液の混合比率を高くしながら供給する第
    ２の工程と，前記基板の表面に現像液のみを供給する第
    ３の工程と，前記基板の表面に現像液と純水の混合液
    を，徐々に現像液の混合比率を低くしながら供給する第
    ４の工程と，前記基板の表面に純水のみを供給する第５
    の工程とを有することを特徴とする，現像処理方法。
  2. 【請求項２】 基板の表面に現像液を供給して現像処理
    を行う方法において，前記基板の表面に現像液と純水の
    混合液を，徐々に現像液の混合比率を高くしながら供給
    する第１の工程と，前記基板の表面に現像液のみを供給
    する第２の工程と，前記基板の表面に現像液と純水の混
    合液を，徐々に現像液の混合比率を低くしながら供給す
    る第３の工程と，前記基板の表面に純水のみを供給する
    第４の工程とを有することを特徴とする，現像処理方
    法。
  3. 【請求項３】 基板の表面に現像液を供給して現像処理
    を行う方法において，前記基板の表面に純水のみを供給
    する第１の工程と，前記基板の表面に所定の混合比率
    で，現像液と純水の混合液を供給する第２の工程と，前
    記基板の表面に現像液のみを供給する第３の工程と，前
    記基板の表面に所定の混合比率で，現像液と純水の混合
    液を供給する第４の工程と，前記基板の表面に純水のみ
    を供給する第５の工程とを有することを特徴とする，現
    像処理方法。
  4. 【請求項４】 基板の表面に現像液を供給して現像処理
    を行う方法において，前記基板の表面に所定の混合比率
    で，現像液と純水の混合液を供給する第１の工程と，前
    記基板の表面に現像液のみを供給する第２の工程と，前
    記基板の表面に所定の混合比率で，現像液と純水の混合
    液を供給する第３の工程と，前記基板の表面に純水のみ
    を供給する第４の工程とを有することを特徴とする，現
    像処理方法。
  5. 【請求項５】 基板の表面に現像液を供給して現像処理
    を行う方法において，前記基板の表面に純水のみを供給
    する第１の工程と，前記基板の表面に現像液と純水とを
    個別に供給し，徐々に現像液の混合比率を高くしながら
    基板の表面で混合させる第２の工程と，前記基板の表面
    に現像液のみを供給する第３の工程と，前記基板の表面
    に現像液と純水とを個別に供給し，徐々に現像液の混合
    比率を低くしながら基板の表面で混合させる第４の工程
    と，前記基板の表面に純水のみを供給する第５の工程と
    を有することを特徴とする，現像処理方法。
  6. 【請求項６】 基板の表面に現像液を供給して現像処理
    を行う方法において，前記基板の表面に現像液と純水と
    を個別に供給し，徐々に現像液の混合比率を高くしなが
    ら基板の表面で混合させる第１の工程と，前記基板の表
    面に現像液のみを供給する第２の工程と，前記基板の表
    面に現像液と純水とを個別に供給し，徐々に現像液の混
    合比率を低くしながら基板の表面で混合させる第３の工
    程と，前記基板の表面に純水のみを供給する第４の工程
    とを有することを特徴とする，現像処理方法。
  7. 【請求項７】 基板の表面に現像液を供給して現像処理
    を行う方法において，前記基板の表面に純水のみを供給
    する第１の工程と，前記基板の表面に現像液と純水をと
    個別に供給し，基板の表面に所定の混合比率で混合させ
    る第２の工程と，前記基板の表面に現像液のみを供給す
    る第３の工程と，前記基板の表面に現像液と純水とを個
    別に供給し，基板の表面に所定の混合比率で混合させる
    第４の工程と，前記基板の表面に純水のみを供給する第
    ５の工程とを有することを特徴とする，現像処理方法。
  8. 【請求項８】 基板の表面に現像液を供給して現像処理
    を行う方法において，前記基板の表面に現像液と純水と
    を個別に供給し，基板の表面に所定の混合比率で混合さ
    せる第１の工程と，前記基板の表面に現像液のみを供給
    する第２の工程と，前記基板の表面に現像液と純水とを
    個別に供給し，基板の表面に所定の混合比率で混合させ
    る第３の工程と，前記基板の表面に純水のみを供給する
    第４の工程とを有することを特徴とする，現像処理方
    法。
  9. 【請求項９】 基板の表面に現像液を供給する供給手段
    を備えた現像処理装置において，現像液を供給する現像
    液供給路と純水を供給する純水供給路とを前記供給手段
    に接続し，前記供給手段内部に混合部を形成し，前記混
    合部は，前記現像液供給路から供給された現像液と前記
    純水供給路から供給された純水との両方が流れ込む構成
    を有し，前記混合部内の液体を前記基板に吐出するため
    の吐出部を有することを特徴とする，現像処理装置。
  10. 【請求項１０】 前記供給手段は，内部に前記現像液供
    給路から供給された現像液が流れ込む現像液溜め部と，
    前記純水供給路から供給された純水が流れ込む純水溜め
    部とを備えていることを特徴とする，請求項９に記載の
    現像処理装置。
  11. 【請求項１１】 前記現像液供給路と前記純水供給路に
    は流量調整手段が配置されていることを特徴とする，請
    求項９又は１０に記載の現像処理装置。
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