JPH06187672A - レジストパターンの製造方法 - Google Patents
レジストパターンの製造方法Info
- Publication number
- JPH06187672A JPH06187672A JP43A JP35446292A JPH06187672A JP H06187672 A JPH06187672 A JP H06187672A JP 43 A JP43 A JP 43A JP 35446292 A JP35446292 A JP 35446292A JP H06187672 A JPH06187672 A JP H06187672A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 現像液の濃度を徐々に高くすることによって
現像むらを生じないようにする。 【構成】 レジストパターンの製造方法であって、その
現像工程において、現像液をレジスト膜上に供給する
際、現像液の濃度を徐々に上げていく。具体的には純水
吐出ノズル１１と現像液吐出ノズル１２の先端を突き合
わせて混合部とし、純水吐出ノズル１１と現像液吐出ノ
ズル１２のそれぞれの電磁弁４、５が開くと同時に、現
像液タンク８へのＮ2 ガス供給電磁弁６を開くことによ
り、現像液タンク８内へＮ2 ガスを充満させていく。現
像液タンク８内でのＮ2ガス圧力が高くなるのに伴なっ
て、現像液吐出ノズル１２へと流れる現像液９の流量が
増大し、ノズル先端で混合された現像液は次第に低濃度
から高濃度へと現像液の希釈濃度を経時的に高めてい
く。
現像むらを生じないようにする。 【構成】 レジストパターンの製造方法であって、その
現像工程において、現像液をレジスト膜上に供給する
際、現像液の濃度を徐々に上げていく。具体的には純水
吐出ノズル１１と現像液吐出ノズル１２の先端を突き合
わせて混合部とし、純水吐出ノズル１１と現像液吐出ノ
ズル１２のそれぞれの電磁弁４、５が開くと同時に、現
像液タンク８へのＮ2 ガス供給電磁弁６を開くことによ
り、現像液タンク８内へＮ2 ガスを充満させていく。現
像液タンク８内でのＮ2ガス圧力が高くなるのに伴なっ
て、現像液吐出ノズル１２へと流れる現像液９の流量が
増大し、ノズル先端で混合された現像液は次第に低濃度
から高濃度へと現像液の希釈濃度を経時的に高めてい
く。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、レジストパターンの
製造方法に関するものであり、さらに詳細には、ビデオ
ディスクやデジタルオーディオディスク、追記型ディス
クや書換可能型ディスク等の情報記録媒体を形成する際
のスタンパーの製造工程で使用されるレジストパターン
の製造方法に関するものである。
製造方法に関するものであり、さらに詳細には、ビデオ
ディスクやデジタルオーディオディスク、追記型ディス
クや書換可能型ディスク等の情報記録媒体を形成する際
のスタンパーの製造工程で使用されるレジストパターン
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、光学式情報記録媒体用のスタンパ
ーの製造方法は、以下に述べる工程によって行われてい
る。まず、十分に平坦に研磨されたガラス原盤上にポジ
型フォトレジストを塗布し、これを乾燥後、レーザー光
で所望の信号を露光して記録する。次に、露光した部分
を希アルカリ性液で除去することにより、記録信号が凹
状の信号となるようにパターニングしたガラス原盤（以
下、これをガラスマスターと称する。）を得る。このガ
ラスマスター表面上に無電解メッキ、スパッタ等の方法
により金属薄膜を形成し、導通処理した後、電鋳法によ
り、記録信号が凸状に形成された金属製スタンパーを作
製する。
ーの製造方法は、以下に述べる工程によって行われてい
る。まず、十分に平坦に研磨されたガラス原盤上にポジ
型フォトレジストを塗布し、これを乾燥後、レーザー光
で所望の信号を露光して記録する。次に、露光した部分
を希アルカリ性液で除去することにより、記録信号が凹
状の信号となるようにパターニングしたガラス原盤（以
下、これをガラスマスターと称する。）を得る。このガ
ラスマスター表面上に無電解メッキ、スパッタ等の方法
により金属薄膜を形成し、導通処理した後、電鋳法によ
り、記録信号が凸状に形成された金属製スタンパーを作
製する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
現像プロセスでは、市販の現像液をそのまま使用するた
めに、現像中に該現像液が飛散し、現像の終了後、現像
液が飛散したと思われる痕が現像むらとしてしばしば観
察されることがあった。さらに、現像液のレジスト表面
への吐出圧が高いときにはこのような不都合はより顕著
であった。これは現像液が最初に付着したレジスト表面
とそれ以外の表面との間での現像液接触時間の差によ
り、現像進行の差として作用し、現像終了後、外観的に
現像むらとして観察されるためである。
現像プロセスでは、市販の現像液をそのまま使用するた
めに、現像中に該現像液が飛散し、現像の終了後、現像
液が飛散したと思われる痕が現像むらとしてしばしば観
察されることがあった。さらに、現像液のレジスト表面
への吐出圧が高いときにはこのような不都合はより顕著
であった。これは現像液が最初に付着したレジスト表面
とそれ以外の表面との間での現像液接触時間の差によ
り、現像進行の差として作用し、現像終了後、外観的に
現像むらとして観察されるためである。
【０００４】この発明は、このような従来技術の欠点を
解消し、現象むらを抑制し、製品歩留りを向上させるこ
とのできる、改善されたレジストパターンの製造方法を
提供することを目的としている。
解消し、現象むらを抑制し、製品歩留りを向上させるこ
とのできる、改善されたレジストパターンの製造方法を
提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記の課題
を解決するものとして、原盤上にポジ型レジストを塗布
し、これを乾燥する工程と、前記レジスト上にレーザー
光を照射してパターンの潜像を記録する工程と、希アル
カリ液で現象する工程からなるレジストパターンの製造
方法であって、その現象工程において、現象液をレジス
ト膜上に供給する際に現象液の濃度を除々に上げていく
ことを特徴とするレジストパターンの製造方法を提供す
る。
を解決するものとして、原盤上にポジ型レジストを塗布
し、これを乾燥する工程と、前記レジスト上にレーザー
光を照射してパターンの潜像を記録する工程と、希アル
カリ液で現象する工程からなるレジストパターンの製造
方法であって、その現象工程において、現象液をレジス
ト膜上に供給する際に現象液の濃度を除々に上げていく
ことを特徴とするレジストパターンの製造方法を提供す
る。
【０００６】また、この発明は、上記方法の態様とし
て、純水供給ノズルと現像液供給ノズルの先端を突き合
わせ、ノズル先端で純水と現像液の混合割合を調製でき
るような構造を備えた装置を用い、詳しくは、純水吐出
ノズルと現像液吐出ノズルのそれぞれの電磁弁が開くと
同時に、現像液タンクへのＮ2 ガス供給電磁弁を開くこ
とにより、現像液タンク内へＮ2 ガスを充満させ、現像
液タンク内でのＮ2 ガス圧力が高くなるのに伴ない、現
像液吐出ノズルへと流れる現像液の流量を増大させ、ノ
ズル先端で混合された現像液を次第に低濃度から高濃度
へと高めていく方法をも提供する。
て、純水供給ノズルと現像液供給ノズルの先端を突き合
わせ、ノズル先端で純水と現像液の混合割合を調製でき
るような構造を備えた装置を用い、詳しくは、純水吐出
ノズルと現像液吐出ノズルのそれぞれの電磁弁が開くと
同時に、現像液タンクへのＮ2 ガス供給電磁弁を開くこ
とにより、現像液タンク内へＮ2 ガスを充満させ、現像
液タンク内でのＮ2 ガス圧力が高くなるのに伴ない、現
像液吐出ノズルへと流れる現像液の流量を増大させ、ノ
ズル先端で混合された現像液を次第に低濃度から高濃度
へと高めていく方法をも提供する。
【０００７】
【作用】この発明では、現像液は、徐々に供給した方が
好ましいとの知見をまず踏まえている。それと言うのも
ポジ型レジスト中の主成分であるナフトキノンジアジド
あるいはそのエステル化合物は主として次のような働き
をするからである。すなわち、ナフトキノンジアジド化
合物はフェノール性の水酸基と錯体を形成してアルカリ
性液に対して不溶になる作用（マスキング効果）が働
き、この時はアルカリにたいする溶解度を低下させる働
きをする。しかし、光反応によりナタトキノンジアジド
はインデンケテンを生成し、このインデンケテンは、Ｈ
2 Ｏと即座に反応してカルボン酸に変化する。これがア
ルカリ性液と反応してカルボン酸塩として水溶化してい
く。また、同時にマスキング効果もなくなるのでフェノ
ール性水酸基もアルカリに溶け易くなり溶解度が一層増
すことになる。この露光部と未露光部との溶解度の差で
パターンを形成している。これがポジ型レジストの一般
的な原理である。従って、露光部には先にＨ2 Ｏを供給
した方がよく、除々に現象液を供給した方が好ましいと
言えるのである。
好ましいとの知見をまず踏まえている。それと言うのも
ポジ型レジスト中の主成分であるナフトキノンジアジド
あるいはそのエステル化合物は主として次のような働き
をするからである。すなわち、ナフトキノンジアジド化
合物はフェノール性の水酸基と錯体を形成してアルカリ
性液に対して不溶になる作用（マスキング効果）が働
き、この時はアルカリにたいする溶解度を低下させる働
きをする。しかし、光反応によりナタトキノンジアジド
はインデンケテンを生成し、このインデンケテンは、Ｈ
2 Ｏと即座に反応してカルボン酸に変化する。これがア
ルカリ性液と反応してカルボン酸塩として水溶化してい
く。また、同時にマスキング効果もなくなるのでフェノ
ール性水酸基もアルカリに溶け易くなり溶解度が一層増
すことになる。この露光部と未露光部との溶解度の差で
パターンを形成している。これがポジ型レジストの一般
的な原理である。従って、露光部には先にＨ2 Ｏを供給
した方がよく、除々に現象液を供給した方が好ましいと
言えるのである。
【０００８】そしてまた、この発明では、現像の方法と
して、現像液を次第に低濃度から高濃度へと変化させて
いく。かくして、徐々に現像液の濃度を高めながら現像
を行うことにより、現像むらの発生のないレジストパタ
ーンの仕上がりが可能となる。図面に沿って説明する
と、図１に概略を示すように、この発明による現像の方
法では、たとえば純水吐出ノズル（１１）と現像液吐出
ノズル（１２）の先端を突き合わせ、純水供給系は一定
流量で吐出できる圧力に保っておく。そして、純水吐出
ノズル（１１）と現像液吐出ノズル（１２）のそれぞれ
の電磁弁（４）および（５）が開くと同時にＮ2 ガス供
給電磁弁（６）を開き、現像液タンク内にＮ2 ガスを充
填しながらタンク（８）内のＮ2 ガス圧を高めていく。
これにより、Ｎ2 ガスの充満に伴って現像液吐出ノズル
（１２）へと流れる現像液の流量を増大させ、ノズル先
端で混合された現像液を次第に低濃度から高濃度へと変
化させていく。
して、現像液を次第に低濃度から高濃度へと変化させて
いく。かくして、徐々に現像液の濃度を高めながら現像
を行うことにより、現像むらの発生のないレジストパタ
ーンの仕上がりが可能となる。図面に沿って説明する
と、図１に概略を示すように、この発明による現像の方
法では、たとえば純水吐出ノズル（１１）と現像液吐出
ノズル（１２）の先端を突き合わせ、純水供給系は一定
流量で吐出できる圧力に保っておく。そして、純水吐出
ノズル（１１）と現像液吐出ノズル（１２）のそれぞれ
の電磁弁（４）および（５）が開くと同時にＮ2 ガス供
給電磁弁（６）を開き、現像液タンク内にＮ2 ガスを充
填しながらタンク（８）内のＮ2 ガス圧を高めていく。
これにより、Ｎ2 ガスの充満に伴って現像液吐出ノズル
（１２）へと流れる現像液の流量を増大させ、ノズル先
端で混合された現像液を次第に低濃度から高濃度へと変
化させていく。
【０００９】予め設定した到達Ｎ2 ガス圧力に達する
と、その直後から現像液濃度が一定に保たれる。そし
て、所定の現像時間になると現像原液側の電磁弁（５）
が閉じ、その後リンス工程となる。そして、現像原液タ
ンク（８）内を元の圧力に戻すために、減圧弁（７）が
開かれる。さらに、最終到達現像液濃度の調製は到達Ｎ
2ガス圧と吐出量の相関を求めておくだけで、自由に変
えられるため、ロット毎の現像液の調製は不要となる。
と、その直後から現像液濃度が一定に保たれる。そし
て、所定の現像時間になると現像原液側の電磁弁（５）
が閉じ、その後リンス工程となる。そして、現像原液タ
ンク（８）内を元の圧力に戻すために、減圧弁（７）が
開かれる。さらに、最終到達現像液濃度の調製は到達Ｎ
2ガス圧と吐出量の相関を求めておくだけで、自由に変
えられるため、ロット毎の現像液の調製は不要となる。
【００１０】なお、図１には、現象原液（９）および制
御器（１０）も示してある。制御器（１０）は、上記し
た現像工程で、各電磁弁の開閉を制御してそれぞれの流
量を適正に調整して現像液の濃度を調製するためのもの
である。図２は、設定された到達Ｎ2 ガス圧と吐出量の
相関関係の一例であり、図３は、これによって、現像液
濃度の調製が時間とともに変化していく様子を示したも
のである。
御器（１０）も示してある。制御器（１０）は、上記し
た現像工程で、各電磁弁の開閉を制御してそれぞれの流
量を適正に調整して現像液の濃度を調製するためのもの
である。図２は、設定された到達Ｎ2 ガス圧と吐出量の
相関関係の一例であり、図３は、これによって、現像液
濃度の調製が時間とともに変化していく様子を示したも
のである。
【００１１】以下、実施例を説明する。
【００１２】
【実施例】実施例 図１に沿って、ガラス表面をＨＭＤＳ（ヘキサメチルジ
シラザン）で処理した外径３５０ｍｍ、内径１５ｍｍ、
厚さ６ｍｍの原盤（旭硝子社製）上にフォトレジストＡ
Ｚ１３５０（ヘキスト社製）をモーター（３）によって
回転されるターンテーブル（２）から構成されるスピン
コーターを用いて、１１００Åの厚みに塗布し、１００
°Ｃで３０分間プリベークした。その後、Ａｒレーザー
光で、露光し、潜像として記録した。その後、ＡＺデベ
ロッパー（ヘキスト社製）で現像を行った。この時、混
合体積比がＡＺデベロッパー：純水＝１：２になるよう
にＮ2 ガス到達圧力を設定した。（図２において、基準
点Ａは、この例ではＮ2 ガス圧力０．５Ｋｇ／ｃｍ2 の
時、吐出量は１００ｍｌであった。）このガラスマスタ
ーを１２０°Ｃで３０分間ポストベークした。その後、
このガラスマスターを目視で外観観察したが、現像むら
を全く観察することはなかった。
シラザン）で処理した外径３５０ｍｍ、内径１５ｍｍ、
厚さ６ｍｍの原盤（旭硝子社製）上にフォトレジストＡ
Ｚ１３５０（ヘキスト社製）をモーター（３）によって
回転されるターンテーブル（２）から構成されるスピン
コーターを用いて、１１００Åの厚みに塗布し、１００
°Ｃで３０分間プリベークした。その後、Ａｒレーザー
光で、露光し、潜像として記録した。その後、ＡＺデベ
ロッパー（ヘキスト社製）で現像を行った。この時、混
合体積比がＡＺデベロッパー：純水＝１：２になるよう
にＮ2 ガス到達圧力を設定した。（図２において、基準
点Ａは、この例ではＮ2 ガス圧力０．５Ｋｇ／ｃｍ2 の
時、吐出量は１００ｍｌであった。）このガラスマスタ
ーを１２０°Ｃで３０分間ポストベークした。その後、
このガラスマスターを目視で外観観察したが、現像むら
を全く観察することはなかった。
【００１３】比較例 実施例と同様に作製したレジスト付きガラス原盤をＡＺ
デベロッパー：純水＝１：２の体積比で作製した現像液
を現像の際、純水を供給せずにレジスト塗膜上に供給
し、現像を行った。このガラスマスターを１２０°Ｃで
３０分間ポストベークした。その後、このガラスマスタ
ーを目視で外観観察したところ、最初に吐出させた箇所
およびその飛散現像液痕と思われる現像むらが観察され
た。
デベロッパー：純水＝１：２の体積比で作製した現像液
を現像の際、純水を供給せずにレジスト塗膜上に供給
し、現像を行った。このガラスマスターを１２０°Ｃで
３０分間ポストベークした。その後、このガラスマスタ
ーを目視で外観観察したところ、最初に吐出させた箇所
およびその飛散現像液痕と思われる現像むらが観察され
た。
【００１４】
【発明の効果】以上のように、この発明の方法によれ
ば、徐々に現像液の濃度を高めながら現像を行えるの
で、現像むらの発生のない良好なレジストパターンの仕
上がりが可能となり、製品の歩留りが向上し、効果的で
ある。
ば、徐々に現像液の濃度を高めながら現像を行えるの
で、現像むらの発生のない良好なレジストパターンの仕
上がりが可能となり、製品の歩留りが向上し、効果的で
ある。
【図１】この発明の製造方法を例示した光ディスク原盤
用現像装置の概略図である。
用現像装置の概略図である。
【図２】Ｎ2 ガス圧比と吐出量比の関係を例示した図で
ある。
ある。
【図３】現像工程における現像液濃度の経時的なプロフ
ァイルを例示した図である。
ァイルを例示した図である。
１ レジスト付きガラス原盤 ２ ターンテーブル ３ 回転モーター ４ 純水系電磁弁 ５ 現像原液系電磁弁 ６ Ｎ2 供給電磁弁 ７ 減圧弁（Ｎ2 排出電磁弁） ８ 現像液タンク ９ 現像原液
Claims (2)
- 【請求項１】 原盤上にポジ型レジストを塗布し、これ
を乾燥する工程と、前記レジスト上にレーザー光を照射
してパターンの潛像を記録する工程と、希アルカリ液で
現像する工程からなるレジストパターンの製造方法であ
って、その現像工程において、現像液をレジスト膜上に
供給する際に現像液の濃度を徐々に上げていくことを特
徴とするレジストパターンの製造方法。 - 【請求項２】 純水吐出ノズルと現像液吐出ノズルの先
端を突き合わせて混合部とし、純水吐出ノズルと現像液
吐出ノズルのそれぞれの電磁弁が開くと同時に、現像液
タンクへのＮ2 ガス供給電磁弁を開くことにより、現像
液タンク内へＮ2 ガスを充満させ、現像液タンク内での
Ｎ2 ガス圧力が高くなるのに伴なって、現像液吐出ノズ
ルへと流れる現像液の流量を増大させ、ノズル先端で混
合された現像液を次第に低濃度から高濃度へと高めてい
くことを特徴とする請求項１のレジストパターンの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP43A JPH06187672A (ja) | 1992-12-15 | 1992-12-15 | レジストパターンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP43A JPH06187672A (ja) | 1992-12-15 | 1992-12-15 | レジストパターンの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06187672A true JPH06187672A (ja) | 1994-07-08 |
Family
ID=18437723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP43A Pending JPH06187672A (ja) | 1992-12-15 | 1992-12-15 | レジストパターンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06187672A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6419408B1 (en) * | 1998-03-09 | 2002-07-16 | Tokyo Electron Limited | Developing process and developing unit |
-
1992
- 1992-12-15 JP JP43A patent/JPH06187672A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6419408B1 (en) * | 1998-03-09 | 2002-07-16 | Tokyo Electron Limited | Developing process and developing unit |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20021119 |