JPH11260770A - 薄形ｉｃチップの製造方法及び製造装置 - Google Patents
薄形ｉｃチップの製造方法及び製造装置Info
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- JPH11260770A JPH11260770A JP6312098A JP6312098A JPH11260770A JP H11260770 A JPH11260770 A JP H11260770A JP 6312098 A JP6312098 A JP 6312098A JP 6312098 A JP6312098 A JP 6312098A JP H11260770 A JPH11260770 A JP H11260770A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 厚みが１００μｍ以下という薄形のＩＣチッ
プを高能率かつ高精度に製造する方法及び装置を提供す
る。 【解決手段】 完成ウェハ１のパターン面を第１の粘
着剤フィルム２に貼り付ける、完成ウエハの基板面を
粗研摩してウエハ厚を２００μｍ以下の所要の厚さにす
る、粗研摩済みの完成ウエハ１ａの基板面を仕上げ研
摩してウエハ厚を１００μｍ以下の所要の厚さにする、
仕上げ研摩済みの完成ウエハ１ｂの基板面を第２の粘
着剤フィルム１１に貼り付ける、第１の粘着剤フィル
ムに粘着力低下処理を施した後、第１の粘着剤フィルム
を仕上げ研摩済みの完成ウエハ１ｂから剥離する、第
２の粘着剤フィルムに貼り付けられた完成ウエハをダイ
シングして薄形化されたＩＣチップを得る、第２の粘
着剤フィルムに粘着力低下処理を施した後ダイシングさ
れたＩＣチップ７を取り出す。
プを高能率かつ高精度に製造する方法及び装置を提供す
る。 【解決手段】 完成ウェハ１のパターン面を第１の粘
着剤フィルム２に貼り付ける、完成ウエハの基板面を
粗研摩してウエハ厚を２００μｍ以下の所要の厚さにす
る、粗研摩済みの完成ウエハ１ａの基板面を仕上げ研
摩してウエハ厚を１００μｍ以下の所要の厚さにする、
仕上げ研摩済みの完成ウエハ１ｂの基板面を第２の粘
着剤フィルム１１に貼り付ける、第１の粘着剤フィル
ムに粘着力低下処理を施した後、第１の粘着剤フィルム
を仕上げ研摩済みの完成ウエハ１ｂから剥離する、第
２の粘着剤フィルムに貼り付けられた完成ウエハをダイ
シングして薄形化されたＩＣチップを得る、第２の粘
着剤フィルムに粘着力低下処理を施した後ダイシングさ
れたＩＣチップ７を取り出す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、非接触式ＩＣカー
ドなどで代表されるＩＣ搭載型情報担体に搭載するに好
適な薄形ＩＣチップの製造方法及び製造装置に関する。
ドなどで代表されるＩＣ搭載型情報担体に搭載するに好
適な薄形ＩＣチップの製造方法及び製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気カードに代えて非接触式ＩＣ
カードを定期券、テレホンカード、免許証、キャッシュ
カード、クレジットカードなどとして利用する技術が検
討されている。
カードを定期券、テレホンカード、免許証、キャッシュ
カード、クレジットカードなどとして利用する技術が検
討されている。
【０００３】一般に、市販のＩＣチップ（樹脂モールド
されていないＩＣチップ、所謂「ベアチップ」）は、厚
さが約７００μｍであるので、これをそのまま搭載した
のでは、現用の各種カードと同一厚さのカードを製造す
ることは不可能であるか、不可能ではないとしても著し
く困難である。そこで、従来より、シリコンウェハの片
面に素子間分離、素子形成、配線形成及び保護膜形成な
どの所要のウェハプロセスを施すことによって得られた
完成ウェハの基板面（素子が形成されていないシリコン
面）に研摩加工を施し、完成ウェハの総厚を減少するこ
とが試みられている。
されていないＩＣチップ、所謂「ベアチップ」）は、厚
さが約７００μｍであるので、これをそのまま搭載した
のでは、現用の各種カードと同一厚さのカードを製造す
ることは不可能であるか、不可能ではないとしても著し
く困難である。そこで、従来より、シリコンウェハの片
面に素子間分離、素子形成、配線形成及び保護膜形成な
どの所要のウェハプロセスを施すことによって得られた
完成ウェハの基板面（素子が形成されていないシリコン
面）に研摩加工を施し、完成ウェハの総厚を減少するこ
とが試みられている。
【０００４】基板面の減厚加工方法としては、ポリシン
グや強酸によるスピンエッチング等のウェハプロセスを
施す前のシリコンウェハの研摩加工に適用されている方
法を適用することが検討されている。
グや強酸によるスピンエッチング等のウェハプロセスを
施す前のシリコンウェハの研摩加工に適用されている方
法を適用することが検討されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】然るに、これらの減厚
加工方法は、加工効率が低いために、薄形の程度が低い
ＩＣチップの製造には適するが、薄形の程度が高いＩＣ
チップの製造には不適切である。例えば、現用の定期券
やテレホンカードは総厚が０．２５ｍｍ（２５０μｍ）
であり、これと同厚の非接触式ＩＣカードを実現するた
めには、搭載されるＩＣチップの厚みを１００μｍ以下
にすることが望まれる。前記したように、完成ウェハの
厚さは約７００μｍであるので、これをポリシングや強
酸によるスピンエッチング等によって１００μｍ以下の
所定厚さまで減厚するためには膨大な時間を要し、加工
能率の点から到底実用性がない。
加工方法は、加工効率が低いために、薄形の程度が低い
ＩＣチップの製造には適するが、薄形の程度が高いＩＣ
チップの製造には不適切である。例えば、現用の定期券
やテレホンカードは総厚が０．２５ｍｍ（２５０μｍ）
であり、これと同厚の非接触式ＩＣカードを実現するた
めには、搭載されるＩＣチップの厚みを１００μｍ以下
にすることが望まれる。前記したように、完成ウェハの
厚さは約７００μｍであるので、これをポリシングや強
酸によるスピンエッチング等によって１００μｍ以下の
所定厚さまで減厚するためには膨大な時間を要し、加工
能率の点から到底実用性がない。
【０００６】本発明は、かかる課題を解決するためにな
されたものであって、その目的は、厚みが１００μｍ以
下という薄形のＩＣチップを高能率かつ高精度に製造す
る方法及び装置を提供することにある。
されたものであって、その目的は、厚みが１００μｍ以
下という薄形のＩＣチップを高能率かつ高精度に製造す
る方法及び装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記の課題を
解決するため、以下の各工程を含んで薄形ＩＣチップを
製造するという構成にした。 シリコンウェハの片面に所要のウェハプロセスを施す
ことにより完成された完成ウェハのパターン面を第１の
粘着剤フィルムに貼り付ける工程、 当該完成ウエハの基板面を粗研摩してウエハ厚を２０
０μｍ以下の所要の厚さにする工程、 当該粗研摩済みの完成ウエハの基板面を仕上げ研摩し
てウエハ厚を１００μｍ以下の所要の厚さにする工程、 当該仕上げ研摩済みの完成ウエハの基板面を第２の粘
着剤フィルムに貼り付ける工程、 前記第１の粘着剤フィルムに粘着力低下処理を施して
前記仕上げ研摩済みの完成ウエハから剥離する工程、 前記第２の粘着剤フィルムに貼り付けられた前記完成
ウエハをダイシングして薄形化されたＩＣチップを得る
工程、 前記第２の粘着剤フィルムに粘着力低下処理を施して
ダイシングされた前記ＩＣチップを取り出す工程。
解決するため、以下の各工程を含んで薄形ＩＣチップを
製造するという構成にした。 シリコンウェハの片面に所要のウェハプロセスを施す
ことにより完成された完成ウェハのパターン面を第１の
粘着剤フィルムに貼り付ける工程、 当該完成ウエハの基板面を粗研摩してウエハ厚を２０
０μｍ以下の所要の厚さにする工程、 当該粗研摩済みの完成ウエハの基板面を仕上げ研摩し
てウエハ厚を１００μｍ以下の所要の厚さにする工程、 当該仕上げ研摩済みの完成ウエハの基板面を第２の粘
着剤フィルムに貼り付ける工程、 前記第１の粘着剤フィルムに粘着力低下処理を施して
前記仕上げ研摩済みの完成ウエハから剥離する工程、 前記第２の粘着剤フィルムに貼り付けられた前記完成
ウエハをダイシングして薄形化されたＩＣチップを得る
工程、 前記第２の粘着剤フィルムに粘着力低下処理を施して
ダイシングされた前記ＩＣチップを取り出す工程。
【０００８】なお、前記第１及び第２の粘着剤フィルム
としては、共にベースフィルムの片面に光硬化性樹脂よ
りなる粘着剤層が設けられ、所定波長の光を照射するこ
とによって粘着剤層が硬化し、粘着力が低下又は失われ
るものを用いることができる。この場合には、前記第１
の粘着剤フィルムに所定波長の光を照射する際に前記第
２の粘着剤フィルムを遮光マスクにて覆い、第２の粘着
剤フィルムの露光を防止する。また、前記第１の粘着剤
フィルム及び第２の粘着剤フィルムのうちのいずれか一
方として前記光硬化性樹脂層を有するものを用い、他方
として、ベースフィルムの片面に熱剥離型樹脂よりなる
粘着剤層が設けられ、所定温度に加熱することによって
粘着剤層が硬化し、粘着力が低下又は失われるものを用
いることもできる。この場合には、所定波長の光を照射
することによって光硬化性樹脂層を有する粘着剤フィル
ムの粘着力低下処理を行うことができ、また所定温度以
上に加熱することによって熱剥離型樹脂層を有する粘着
剤フィルムの粘着力低下処理を行うことができる。
としては、共にベースフィルムの片面に光硬化性樹脂よ
りなる粘着剤層が設けられ、所定波長の光を照射するこ
とによって粘着剤層が硬化し、粘着力が低下又は失われ
るものを用いることができる。この場合には、前記第１
の粘着剤フィルムに所定波長の光を照射する際に前記第
２の粘着剤フィルムを遮光マスクにて覆い、第２の粘着
剤フィルムの露光を防止する。また、前記第１の粘着剤
フィルム及び第２の粘着剤フィルムのうちのいずれか一
方として前記光硬化性樹脂層を有するものを用い、他方
として、ベースフィルムの片面に熱剥離型樹脂よりなる
粘着剤層が設けられ、所定温度に加熱することによって
粘着剤層が硬化し、粘着力が低下又は失われるものを用
いることもできる。この場合には、所定波長の光を照射
することによって光硬化性樹脂層を有する粘着剤フィル
ムの粘着力低下処理を行うことができ、また所定温度以
上に加熱することによって熱剥離型樹脂層を有する粘着
剤フィルムの粘着力低下処理を行うことができる。
【０００９】一方、前記完成ウェハの基板面の粗研摩方
法としては、グラインドが好適であり、前記完成ウェハ
の基板面の仕上げ研摩方法としては、ポリシング又は強
酸を用いたスピンエッチングが好適である。
法としては、グラインドが好適であり、前記完成ウェハ
の基板面の仕上げ研摩方法としては、ポリシング又は強
酸を用いたスピンエッチングが好適である。
【００１０】このように、完成ウェハのパターン面を第
１の粘着剤フィルムに貼り付けた状態で研摩加工を行う
と、完成ウェハのパターン面を保護できると共に、完成
ウェハを第１の加圧板に強固に固定することができるの
で、被加工物である完成ウェハを安定させることがで
き、高能率かつ高精度に研摩加工を施すことができる。
加えて、ウエハ厚が２００μｍ以下の所要の厚さになる
まで粗研摩を施すので、加工速度が早く所要のウエハ厚
の完成ウェハを高能率に製造できると共に、当該粗研摩
の完了後に１００μｍ以下の所要の厚さまで仕上げ研摩
を施すので、粗研摩によって生じた基板面の凹凸が除去
され、平滑度が良好で割れ等の不都合を生じにくい薄形
完成ウェハを得ることができる。
１の粘着剤フィルムに貼り付けた状態で研摩加工を行う
と、完成ウェハのパターン面を保護できると共に、完成
ウェハを第１の加圧板に強固に固定することができるの
で、被加工物である完成ウェハを安定させることがで
き、高能率かつ高精度に研摩加工を施すことができる。
加えて、ウエハ厚が２００μｍ以下の所要の厚さになる
まで粗研摩を施すので、加工速度が早く所要のウエハ厚
の完成ウェハを高能率に製造できると共に、当該粗研摩
の完了後に１００μｍ以下の所要の厚さまで仕上げ研摩
を施すので、粗研摩によって生じた基板面の凹凸が除去
され、平滑度が良好で割れ等の不都合を生じにくい薄形
完成ウェハを得ることができる。
【００１１】また、研摩済みの完成ウェハの基板面を第
２の粘着剤フィルムに貼り付けた後、第１の粘着剤フィ
ルムに粘着力低下処理を施してから完成ウェハのパター
ン面より第１の粘着剤フィルムを剥離するので、薄形の
完成ウェハに不正な外力がほとんど作用せず、第１の粘
着剤フィルムの剥離に伴う完成ウェハの割れ等を防止で
きる。
２の粘着剤フィルムに貼り付けた後、第１の粘着剤フィ
ルムに粘着力低下処理を施してから完成ウェハのパター
ン面より第１の粘着剤フィルムを剥離するので、薄形の
完成ウェハに不正な外力がほとんど作用せず、第１の粘
着剤フィルムの剥離に伴う完成ウェハの割れ等を防止で
きる。
【００１２】さらに、研摩加工終了後、研摩済みの完成
ウエハの基板面を第２の粘着剤フィルムに貼り付け、パ
ターン面を露出させるので、ダイシング時にパターンマ
ッチングによる各ＩＣチップの位置決めが容易になり、
完成ウェハのダイシングを正確に行うことができる。
ウエハの基板面を第２の粘着剤フィルムに貼り付け、パ
ターン面を露出させるので、ダイシング時にパターンマ
ッチングによる各ＩＣチップの位置決めが容易になり、
完成ウェハのダイシングを正確に行うことができる。
【００１３】なお、前記完成ウェハの基板面を粗研摩す
るに先立っては、円弧状に丸みが付けられた完成ウェハ
の外周部を切り落し、当該完成ウェハを元の厚みの半分
以下になるまで研摩した場合にも完成ウェハの外周部に
曲げ応力が作用しないようにすることが特に好ましい。
るに先立っては、円弧状に丸みが付けられた完成ウェハ
の外周部を切り落し、当該完成ウェハを元の厚みの半分
以下になるまで研摩した場合にも完成ウェハの外周部に
曲げ応力が作用しないようにすることが特に好ましい。
【００１４】一方、薄形ＩＣチップの製造装置に関して
は、シリコンウェハの片面に所要のウェハプロセスを施
すことにより完成された完成ウェハを取り込んでそのパ
ターン面を第１の粘着剤フィルムに貼り付け、当該完成
ウエハの基板面に粗研摩加工を施してウエハ厚を２００
μｍ以下の所要の厚さにする第１研摩部と、当該第１研
摩部から粗研摩済みの完成ウェハを取り込んでその基板
面に仕上げ研摩加工を施し、ウエハ厚を１００μｍ以下
の所要の厚さにする第２研摩部と、当該第２研摩部から
仕上げ研摩済みの完成ウエハを取り込んでその基板面を
第２の粘着剤フィルムに貼り付け、前記第１の粘着剤フ
ィルムに粘着力低下処理を施した後に当該第１の粘着剤
フィルムを前記仕上げ研摩済みの完成ウエハから剥離す
るワーク反転部と、当該ワーク反転部にて前記第２の粘
着剤フィルムに貼り付けられた仕上研摩済みの完成ウエ
ハを取り込んでダイシングし、薄形化されたＩＣチップ
を得るダイシング部と、前記第２の粘着剤フィルムに粘
着力低下処理を施した後ダイシングされたＩＣチップを
取り出す製品取出部とを備えるという構成にした。
は、シリコンウェハの片面に所要のウェハプロセスを施
すことにより完成された完成ウェハを取り込んでそのパ
ターン面を第１の粘着剤フィルムに貼り付け、当該完成
ウエハの基板面に粗研摩加工を施してウエハ厚を２００
μｍ以下の所要の厚さにする第１研摩部と、当該第１研
摩部から粗研摩済みの完成ウェハを取り込んでその基板
面に仕上げ研摩加工を施し、ウエハ厚を１００μｍ以下
の所要の厚さにする第２研摩部と、当該第２研摩部から
仕上げ研摩済みの完成ウエハを取り込んでその基板面を
第２の粘着剤フィルムに貼り付け、前記第１の粘着剤フ
ィルムに粘着力低下処理を施した後に当該第１の粘着剤
フィルムを前記仕上げ研摩済みの完成ウエハから剥離す
るワーク反転部と、当該ワーク反転部にて前記第２の粘
着剤フィルムに貼り付けられた仕上研摩済みの完成ウエ
ハを取り込んでダイシングし、薄形化されたＩＣチップ
を得るダイシング部と、前記第２の粘着剤フィルムに粘
着力低下処理を施した後ダイシングされたＩＣチップを
取り出す製品取出部とを備えるという構成にした。
【００１５】本製造装置によると、第１の粘着剤フィル
ムへの完成ウェハの貼り付けから完成品であるＩＣチッ
プの取り出しまでを全て自動的に行うことができるの
で、薄形のＩＣチップを効率良く製造することができ
る。
ムへの完成ウェハの貼り付けから完成品であるＩＣチッ
プの取り出しまでを全て自動的に行うことができるの
で、薄形のＩＣチップを効率良く製造することができ
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る薄形ＩＣチッ
プの製造方法及び製造装置の一実施形態例を図１及び図
２に基づいて説明する。図１は本例に係る薄形ＩＣチッ
プ製造装置の構成図であり、図２は本例に係る薄形ＩＣ
チップ製造方法の手順を示すフローチャートである。
プの製造方法及び製造装置の一実施形態例を図１及び図
２に基づいて説明する。図１は本例に係る薄形ＩＣチッ
プ製造装置の構成図であり、図２は本例に係る薄形ＩＣ
チップ製造方法の手順を示すフローチャートである。
【００１７】図１に示すように、本例の薄形ＩＣチップ
製造装置は、複数枚の完成ウェハ１がストックされたウ
ェハストッカー１０１と、当該ウェハストッカー１０１
から１枚ずつ供給される完成ウェハ１を取り込んでその
パターン面をベースフィルム２ｂの片面に粘着剤層２ａ
が形成された第１の粘着剤フィルム２の粘着剤層２ａに
貼り付けるウェハ固定部１０２と、第１の粘着剤フィル
ム２のベースフィルム２ｂを第１の加圧板４に吸着し、
完成ウェハ１の基板面に粗研摩加工を施す第１研摩部１
０３と、当該第１研摩部１０３から取り外された第１の
粘着剤フィルム２を第２の加圧板５に吸着し、粗研摩済
みの完成ウェハ１ａの基板面に仕上げ研摩加工を施す第
２研摩部１０４と、第１の粘着剤フィルム２に粘着され
た仕上げ研摩済みの完成ウエハ１ｂをベースフィルム１
１ｂの片面に粘着剤層１１ａが形成された第２の粘着剤
フィルム１１の粘着剤層１１ａに貼り換えるワーク反転
部１０５と、当該ワーク反転部１０５にて第２の粘着剤
フィルム１１に貼り付けられた仕上研摩済みの完成ウエ
ハ１ｂをダイシングし、薄形化されたＩＣチップ７を得
るダイシング部１０６と、当該ダイシング部１０６から
製品であるＩＣチップ７を取り出す製品取出部１０７と
から主に構成されている。
製造装置は、複数枚の完成ウェハ１がストックされたウ
ェハストッカー１０１と、当該ウェハストッカー１０１
から１枚ずつ供給される完成ウェハ１を取り込んでその
パターン面をベースフィルム２ｂの片面に粘着剤層２ａ
が形成された第１の粘着剤フィルム２の粘着剤層２ａに
貼り付けるウェハ固定部１０２と、第１の粘着剤フィル
ム２のベースフィルム２ｂを第１の加圧板４に吸着し、
完成ウェハ１の基板面に粗研摩加工を施す第１研摩部１
０３と、当該第１研摩部１０３から取り外された第１の
粘着剤フィルム２を第２の加圧板５に吸着し、粗研摩済
みの完成ウェハ１ａの基板面に仕上げ研摩加工を施す第
２研摩部１０４と、第１の粘着剤フィルム２に粘着され
た仕上げ研摩済みの完成ウエハ１ｂをベースフィルム１
１ｂの片面に粘着剤層１１ａが形成された第２の粘着剤
フィルム１１の粘着剤層１１ａに貼り換えるワーク反転
部１０５と、当該ワーク反転部１０５にて第２の粘着剤
フィルム１１に貼り付けられた仕上研摩済みの完成ウエ
ハ１ｂをダイシングし、薄形化されたＩＣチップ７を得
るダイシング部１０６と、当該ダイシング部１０６から
製品であるＩＣチップ７を取り出す製品取出部１０７と
から主に構成されている。
【００１８】なお、前記装置各部１０１〜１０７の間の
部材の搬送は、手動で行うこともできるし、所要の自動
搬送装置を備えて自動的に行わせることもできる。
部材の搬送は、手動で行うこともできるし、所要の自動
搬送装置を備えて自動的に行わせることもできる。
【００１９】以下、図２を参照しつつ、図１の装置を用
いた薄形ＩＣチップ製造方法について説明する。
いた薄形ＩＣチップ製造方法について説明する。
【００２０】まず、ウェハストッカー１０１に、入出力
端子にバンプメッキが施された複数枚の完成ウェハ１を
ストックする（図２の手順Ｓ−１）。バンプメッキは、
電磁結合用コイルの融接又はハンダ付けを容易にするた
めに設けられるものであって、ハンダメッキ法によって
形成される。
端子にバンプメッキが施された複数枚の完成ウェハ１を
ストックする（図２の手順Ｓ−１）。バンプメッキは、
電磁結合用コイルの融接又はハンダ付けを容易にするた
めに設けられるものであって、ハンダメッキ法によって
形成される。
【００２１】ウェハストッカー１０１から完成ウェハ１
を１枚ずつウェハ固定部１０２に移送し、移送された完
成ウェハ１のパターン面を、第１の粘着剤フィルム２の
粘着材層２ａに貼り付ける（図２の手順Ｓ−２）。前記
第１の粘着剤フィルム２としては、光硬化性樹脂よりな
り、所定波長の光を照射することによって硬化して粘着
力が低下又は失われるものが用いられる。この種の光硬
化性樹脂としては、例えば日東電工株式会社製の「エレ
ップホルダーＵＢ−１３０Ｐ−Ｓ」等を挙げることがで
きる。
を１枚ずつウェハ固定部１０２に移送し、移送された完
成ウェハ１のパターン面を、第１の粘着剤フィルム２の
粘着材層２ａに貼り付ける（図２の手順Ｓ−２）。前記
第１の粘着剤フィルム２としては、光硬化性樹脂よりな
り、所定波長の光を照射することによって硬化して粘着
力が低下又は失われるものが用いられる。この種の光硬
化性樹脂としては、例えば日東電工株式会社製の「エレ
ップホルダーＵＢ−１３０Ｐ−Ｓ」等を挙げることがで
きる。
【００２２】ウェハ固定部１０２から完成ウェハ１が貼
り付けられた第１の粘着剤フィルム２を第１研摩部１０
３に移送し、当該第１の粘着剤フィルム２のベースフィ
ルム２ｂを第１の加圧板４に固定した後、完成ウェハ１
の基板面をグラインドして、完成ウェハ１の厚さが２０
０μｍ以下の所要の厚さになるまで粗研摩する（図２の
手順Ｓ−３）。なお、図１の符号８は研摩板を示してい
る。
り付けられた第１の粘着剤フィルム２を第１研摩部１０
３に移送し、当該第１の粘着剤フィルム２のベースフィ
ルム２ｂを第１の加圧板４に固定した後、完成ウェハ１
の基板面をグラインドして、完成ウェハ１の厚さが２０
０μｍ以下の所要の厚さになるまで粗研摩する（図２の
手順Ｓ−３）。なお、図１の符号８は研摩板を示してい
る。
【００２３】粗研摩済みの完成ウェハ１ａを第１の粘着
剤フィルム２ごと第２研摩部１０４に移送し、当該第２
研摩部１０４に備えられた第２の加圧板５に第１の粘着
剤フィルム２のベースフィルム２ｂを固定した後、粗研
摩済み完成ウェハ１ａの基板面をポリシングして、完成
ウェハ１ａの厚さが１００μｍ以下の所要の厚さになる
まで仕上げ研摩する（図２の手順Ｓ−４）。なお、図１
の符号９は「バフ」と呼ばれる柔軟性の布、符号１０は
微細な砥粒が混入された弱アルカリ性のポリシング液を
示している。
剤フィルム２ごと第２研摩部１０４に移送し、当該第２
研摩部１０４に備えられた第２の加圧板５に第１の粘着
剤フィルム２のベースフィルム２ｂを固定した後、粗研
摩済み完成ウェハ１ａの基板面をポリシングして、完成
ウェハ１ａの厚さが１００μｍ以下の所要の厚さになる
まで仕上げ研摩する（図２の手順Ｓ−４）。なお、図１
の符号９は「バフ」と呼ばれる柔軟性の布、符号１０は
微細な砥粒が混入された弱アルカリ性のポリシング液を
示している。
【００２４】仕上げ研摩済みの完成ウェハ１ｂを第１の
粘着剤フィルム２ごとワーク反転部１０５に移送し、当
該ワーク反転部１０５に備えられた第２の粘着剤フィル
ム１１の粘着材層１１ｂに仕上げ研摩済み完成ウェハ１
ｂの基板面を貼り付ける（図２の手順Ｓ−５）。この第
２の粘着剤フィルム１１も、前記第１の粘着剤フィルム
２と同様の光硬化性樹脂よりなるものを用いることがで
きる。
粘着剤フィルム２ごとワーク反転部１０５に移送し、当
該ワーク反転部１０５に備えられた第２の粘着剤フィル
ム１１の粘着材層１１ｂに仕上げ研摩済み完成ウェハ１
ｂの基板面を貼り付ける（図２の手順Ｓ−５）。この第
２の粘着剤フィルム１１も、前記第１の粘着剤フィルム
２と同様の光硬化性樹脂よりなるものを用いることがで
きる。
【００２５】また、このワーク反転部１０５において、
第１の粘着剤フィルム２に所定波長の光１２を照射し、
粘着剤層２ａの粘着力を低下させてから、仕上げ研摩済
みの完成ウェハ１ｂのパターン面より第１の粘着剤フィ
ルム２を剥離する（図２の手順Ｓ−６）。なお、第１の
粘着剤フィルム２に所定波長の光１２を照射する際に、
第２の粘着剤フィルム１１にもこの光１２が照射されて
しまう場合には、第２の粘着剤フィルム１１の光入射面
を遮光マスクにて覆い、第２の粘着剤フィルムの露光を
防止する。
第１の粘着剤フィルム２に所定波長の光１２を照射し、
粘着剤層２ａの粘着力を低下させてから、仕上げ研摩済
みの完成ウェハ１ｂのパターン面より第１の粘着剤フィ
ルム２を剥離する（図２の手順Ｓ−６）。なお、第１の
粘着剤フィルム２に所定波長の光１２を照射する際に、
第２の粘着剤フィルム１１にもこの光１２が照射されて
しまう場合には、第２の粘着剤フィルム１１の光入射面
を遮光マスクにて覆い、第２の粘着剤フィルムの露光を
防止する。
【００２６】仕上げ研摩済みの完成ウェハ１ｂが貼り付
けられた第２の粘着剤フィルム１１をダイシング部１０
６に搬送し、当該完成ウェハ１ｂをダイシングして所定
のＩＣチップ７に分割する（図２の手順Ｓ−７）。
けられた第２の粘着剤フィルム１１をダイシング部１０
６に搬送し、当該完成ウェハ１ｂをダイシングして所定
のＩＣチップ７に分割する（図２の手順Ｓ−７）。
【００２７】最後に、ダイシング済みの完成ウェハ１ｃ
を製品取出部１０７に移送し、第２の粘着剤フィルム１
１に所定波長の光を照射してその粘着力を低下させ、し
かる後に製品取出部１０７に備えられた製品取出し手段
１４にて製品であるＩＣチップ７を取り出す（図２の手
順Ｓ−８）。
を製品取出部１０７に移送し、第２の粘着剤フィルム１
１に所定波長の光を照射してその粘着力を低下させ、し
かる後に製品取出部１０７に備えられた製品取出し手段
１４にて製品であるＩＣチップ７を取り出す（図２の手
順Ｓ−８）。
【００２８】本例の薄形ＩＣチップの製造方法は、完成
ウェハ１のパターン面を第１の粘着剤フィルム２に貼り
付けた状態で研摩加工を行うので、完成ウェハ１のパタ
ーン面を損傷することがない。また、完成ウェハ１を第
１の加圧板４に安定に保持させることができるので、研
摩加工を高能率かつ高精度に施すことができる。加え
て、ウエハ厚が２００μｍ以下の所要の厚さになるまで
粗研摩を施し、しかる後に１００μｍ以下の所要の厚さ
まで仕上げ研摩を施すので、加工速度が早く所要のウエ
ハ厚の完成ウェハを高能率に製造できると共に、平滑度
の高い薄形完成ウェハを得ることができ、割れ等の不都
合を生じにくい。
ウェハ１のパターン面を第１の粘着剤フィルム２に貼り
付けた状態で研摩加工を行うので、完成ウェハ１のパタ
ーン面を損傷することがない。また、完成ウェハ１を第
１の加圧板４に安定に保持させることができるので、研
摩加工を高能率かつ高精度に施すことができる。加え
て、ウエハ厚が２００μｍ以下の所要の厚さになるまで
粗研摩を施し、しかる後に１００μｍ以下の所要の厚さ
まで仕上げ研摩を施すので、加工速度が早く所要のウエ
ハ厚の完成ウェハを高能率に製造できると共に、平滑度
の高い薄形完成ウェハを得ることができ、割れ等の不都
合を生じにくい。
【００２９】また、仕上げ研摩済みの完成ウェハ１ｂの
基板面を第２の粘着剤フィルム１１に貼り付けた後、第
１の粘着剤フィルム２に粘着力低下処理を施してから完
成ウェハ１ｂのパターン面より第１の粘着剤フィルム２
を剥離するので、薄形の完成ウェハ１ｂに不正な外力が
ほとんど作用せず、第１の粘着剤フィルム２の剥離に伴
う完成ウェハの割れ等を防止できる。
基板面を第２の粘着剤フィルム１１に貼り付けた後、第
１の粘着剤フィルム２に粘着力低下処理を施してから完
成ウェハ１ｂのパターン面より第１の粘着剤フィルム２
を剥離するので、薄形の完成ウェハ１ｂに不正な外力が
ほとんど作用せず、第１の粘着剤フィルム２の剥離に伴
う完成ウェハの割れ等を防止できる。
【００３０】さらに、研摩加工終了後、仕上げ研摩済み
の完成ウエハ１ｂの基板面を第２の粘着剤フィルム１１
に貼り付け、パターン面を露出させるので、ダイシング
時にパターンマッチングによる各ＩＣチップの位置決め
が容易になり、完成ウェハのダイシングを正確に行うこ
とができる。
の完成ウエハ１ｂの基板面を第２の粘着剤フィルム１１
に貼り付け、パターン面を露出させるので、ダイシング
時にパターンマッチングによる各ＩＣチップの位置決め
が容易になり、完成ウェハのダイシングを正確に行うこ
とができる。
【００３１】一方、前記実施例に係る薄形ＩＣチップの
製造装置は、第１の粘着剤フィルム２への完成ウェハ１
の貼り付けから完成品であるＩＣチップ７の取り出しま
でを全て自動的に行うことができるので、薄形のＩＣチ
ップ７を効率良く製造することができる。
製造装置は、第１の粘着剤フィルム２への完成ウェハ１
の貼り付けから完成品であるＩＣチップ７の取り出しま
でを全て自動的に行うことができるので、薄形のＩＣチ
ップ７を効率良く製造することができる。
【００３２】なお、前記実施形態例においては、第１及
び第２の粘着剤フィルム２，１１として、共に光硬化性
樹脂よりなるものを用いたが、第２の粘着剤フィルム１
１としては、この他に、熱剥離型樹脂よりなり所定温度
に加熱することによって硬化して粘着力が低下又は失わ
れるものを用いることもできる。この種の熱剥離型樹脂
としては、例えば日東電工株式会社製の「リバアルファ
３１９５Ｍ」等を挙げることができる。
び第２の粘着剤フィルム２，１１として、共に光硬化性
樹脂よりなるものを用いたが、第２の粘着剤フィルム１
１としては、この他に、熱剥離型樹脂よりなり所定温度
に加熱することによって硬化して粘着力が低下又は失わ
れるものを用いることもできる。この種の熱剥離型樹脂
としては、例えば日東電工株式会社製の「リバアルファ
３１９５Ｍ」等を挙げることができる。
【００３３】また、前記実施形態例においては、完成ウ
ェハ１の仕上げ研摩方法としてポリシングを用いたが、
強酸を回転駆動されている完成ウェハ１の基板面に滴下
して該面をエッチングするスピンエッチングを用いるこ
ともできる。
ェハ１の仕上げ研摩方法としてポリシングを用いたが、
強酸を回転駆動されている完成ウェハ１の基板面に滴下
して該面をエッチングするスピンエッチングを用いるこ
ともできる。
【００３４】さらに、前記実施形態例においては、完成
ウェハ１に直接研摩加工を施したが、完成ウェハ１の基
板面を粗研摩加工に先立ち、図３に示すように、円弧状
に丸みが付けられた完成ウェハ１の外周部を切り落す加
工を施すこともできる。即ち、一般に完成ウェハ１の外
周面には、欠けや割れを防止するために丸みが突けられ
ているが、この状態で２００μｍ以下の所要の厚さまで
粗研摩加工を施し、さらに１００μｍ以下の所要の厚さ
まで仕上げ研摩加工を施すと、完成ウェハ１の外周部に
曲げモーメントＭが作用し、却って研摩済みの完成ウェ
ハに割れが生じやすくなる。そこで、図３に示すように
予め完成ウェハ１の外周部を切り落す加工を施しておけ
ば、１００μｍ以下の所要の厚さまで仕上げ研摩加工を
施した場合にも完成ウェハ１の外周部に曲げモーメント
Ｍが作用せず、研摩済み完成ウェハの割れを防止でき
る。
ウェハ１に直接研摩加工を施したが、完成ウェハ１の基
板面を粗研摩加工に先立ち、図３に示すように、円弧状
に丸みが付けられた完成ウェハ１の外周部を切り落す加
工を施すこともできる。即ち、一般に完成ウェハ１の外
周面には、欠けや割れを防止するために丸みが突けられ
ているが、この状態で２００μｍ以下の所要の厚さまで
粗研摩加工を施し、さらに１００μｍ以下の所要の厚さ
まで仕上げ研摩加工を施すと、完成ウェハ１の外周部に
曲げモーメントＭが作用し、却って研摩済みの完成ウェ
ハに割れが生じやすくなる。そこで、図３に示すように
予め完成ウェハ１の外周部を切り落す加工を施しておけ
ば、１００μｍ以下の所要の厚さまで仕上げ研摩加工を
施した場合にも完成ウェハ１の外周部に曲げモーメント
Ｍが作用せず、研摩済み完成ウェハの割れを防止でき
る。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の薄形ＩＣ
チップの製造方法によると、完成ウェハのパターン面を
第１の粘着剤フィルムに貼り付けた状態で研摩加工を行
うので、完成ウェハのパターン面の損傷を防止できる。
また、完成ウェハを第１の加圧板に安定に保持させるこ
とができるので、研摩加工を高能率かつ高精度に施すこ
とができる。加えて、ウエハ厚が２００μｍ以下の所要
の厚さになるまで粗研摩を施し、しかる後に１００μｍ
以下の所要の厚さまで仕上げ研摩を施すので、加工速度
が早く所要のウエハ厚の完成ウェハを高能率に製造でき
ると共に、平滑度の高い薄形完成ウェハを得ることがで
き、割れ等の不都合を生じにくい。また、仕上げ研摩済
みの完成ウェハの基板面を第２の粘着剤フィルムに貼り
付けた後、第１の粘着剤フィルムに粘着力低下処理を施
してから完成ウェハのパターン面より第１の粘着剤フィ
ルムを剥離するので、薄形の完成ウェハに不正な外力が
ほとんど作用せず、第１の粘着剤フィルムの剥離に伴う
完成ウェハの割れ等を防止できる。さらに、研摩加工終
了後、仕上げ研摩済みの完成ウエハの基板面を第２の粘
着剤フィルムに貼り付け、パターン面を露出させるの
で、ダイシング時にパターンマッチングによる各ＩＣチ
ップの位置決めが容易になり、完成ウェハのダイシング
を正確に行うことができる。
チップの製造方法によると、完成ウェハのパターン面を
第１の粘着剤フィルムに貼り付けた状態で研摩加工を行
うので、完成ウェハのパターン面の損傷を防止できる。
また、完成ウェハを第１の加圧板に安定に保持させるこ
とができるので、研摩加工を高能率かつ高精度に施すこ
とができる。加えて、ウエハ厚が２００μｍ以下の所要
の厚さになるまで粗研摩を施し、しかる後に１００μｍ
以下の所要の厚さまで仕上げ研摩を施すので、加工速度
が早く所要のウエハ厚の完成ウェハを高能率に製造でき
ると共に、平滑度の高い薄形完成ウェハを得ることがで
き、割れ等の不都合を生じにくい。また、仕上げ研摩済
みの完成ウェハの基板面を第２の粘着剤フィルムに貼り
付けた後、第１の粘着剤フィルムに粘着力低下処理を施
してから完成ウェハのパターン面より第１の粘着剤フィ
ルムを剥離するので、薄形の完成ウェハに不正な外力が
ほとんど作用せず、第１の粘着剤フィルムの剥離に伴う
完成ウェハの割れ等を防止できる。さらに、研摩加工終
了後、仕上げ研摩済みの完成ウエハの基板面を第２の粘
着剤フィルムに貼り付け、パターン面を露出させるの
で、ダイシング時にパターンマッチングによる各ＩＣチ
ップの位置決めが容易になり、完成ウェハのダイシング
を正確に行うことができる。
【００３６】一方、本発明の薄形ＩＣチップの製造装置
によると、第１の粘着剤フィルムへの完成ウェハの貼り
付けから完成品であるＩＣチップの取り出しまでを全て
自動的に行うことができるので、薄形のＩＣチップを高
能率かつ高精度に製造することができる。
によると、第１の粘着剤フィルムへの完成ウェハの貼り
付けから完成品であるＩＣチップの取り出しまでを全て
自動的に行うことができるので、薄形のＩＣチップを高
能率かつ高精度に製造することができる。
【図１】実施形態例に係る薄形ＩＣチップ製造装置の構
成図である。
成図である。
【図２】実施形態例に係る薄形ＩＣチップ製造方法の手
順を示すフロー図である。
順を示すフロー図である。
【図３】完成ウェハの前加工方法を示す要部断面図であ
る。
る。
１ 完成ウェハ １ａ 粗研摩済み完成ウェハ １ｂ 仕上げ研摩済み完成ウェハ １ｃ ダイシング済み完成ウェハ ２ 第１の粘着剤フィルム ４ 第１の加圧板 ５ 第２の加圧板 ７ 薄形化されたＩＣチップ ８ 研摩板 ９ バフ １０ ポリシング液 １１ 第２の粘着剤フィルム １４ 製品取出し手段 １０１ ウェハストッカー １０２ ウェハ固定部 １０３ 第１研摩部 １０４ 第２研摩部 １０５ ワーク反転部 １０６ ダイシング部 １０７ 製品取出部
Claims (7)
- 【請求項１】 シリコンウェハの片面に所要のウェハプ
ロセスを施すことにより完成された完成ウェハのパター
ン面を第１の粘着剤フィルムに貼り付ける工程と、当該
完成ウエハの基板面を粗研摩してウエハ厚を２００μｍ
以下の所要の厚さにする工程と、当該粗研摩済みの完成
ウエハの基板面を仕上げ研摩してウエハ厚を１００μｍ
以下の所要の厚さにする工程と、当該仕上げ研摩済みの
完成ウエハの基板面を第２の粘着剤フィルムに貼り付け
る工程と、前記第１の粘着剤フィルムに粘着力低下処理
を施して前記仕上げ研摩済みの完成ウエハから剥離する
工程と、前記第２の粘着剤フィルムに貼り付けられた前
記完成ウエハをダイシングして薄形化されたＩＣチップ
を得る工程と、前記第２の粘着剤フィルムに粘着力低下
処理を施してダイシングされた前記ＩＣチップを取り出
す工程を含むことを特徴とする薄形ＩＣチップの製造方
法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の薄形ＩＣチップの製造
方法において、前記第１及び第２の粘着剤フィルムとし
て、共にベースフィルムの片面に光硬化性樹脂よりなる
粘着剤層が設けられたものを用い、前記第１の粘着剤フ
ィルムに前記粘着力低下処理を施す際、前記第２の粘着
剤フィルムを遮光マスクにて覆い、前記第１の粘着剤フ
ィルムに所定波長の光を照射することを特徴とする薄形
ＩＣチップの製造方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載の薄形ＩＣチップの製造
方法において、前記第１の粘着剤フィルム及び前記第２
の粘着剤フィルムのうちのいずれか一方としてベースフ
ィルムの片面に光硬化性樹脂よりなる粘着剤層が設けら
れたものを用い、他方としてベースフィルムの片面に熱
剥離型樹脂よりなる粘着剤層が設けられたものを用い、
光硬化性樹脂層を有する粘着剤フィルムに前記粘着力低
下処理を施す際には所定波長の光を当該粘着剤フィルム
に照射し、熱剥離型樹脂を有する粘着剤フィルムに前記
粘着力低下処理を施す際には当該粘着剤フィルムを所定
温度に加熱することを特徴とする薄形ＩＣチップの製造
方法。 - 【請求項４】 請求項１に記載の薄形ＩＣチップの製造
方法において、前記完成ウェハの基板面の粗研摩方法と
して、グラインドを用いたことを特徴とする薄形ＩＣチ
ップの製造方法。 - 【請求項５】 請求項１に記載の薄形ＩＣチップの製造
方法において、前記完成ウェハの基板面の仕上げ研摩方
法として、ポリシング又はスピンエッチングを用いたこ
とを特徴とする薄形ＩＣチップの製造方法。 - 【請求項６】 請求項１に記載の薄形ＩＣチップの製造
方法において、前記完成ウェハの基板面を粗研摩する工
程に先立ち、前記完成ウェハの外周を切り落す工程を含
むことを特徴とする薄形ＩＣチップの製造方法。 - 【請求項７】 シリコンウェハの片面に所要のウェハプ
ロセスを施すことにより完成された完成ウェハを取り込
んでそのパターン面を第１の粘着剤フィルムに貼り付
け、当該完成ウエハの基板面に粗研摩加工を施してウエ
ハ厚を２００μｍ以下の所要の厚さにする第１研摩部
と、当該第１研摩部から粗研摩済みの完成ウェハを取り
込んでその基板面に仕上げ研摩加工を施し、ウエハ厚を
１００μｍ以下の所要の厚さにする第２研摩部と、当該
第２研摩部から仕上げ研摩済みの完成ウエハを取り込ん
でその基板面を第２の粘着剤フィルムに貼り付け、前記
第１の粘着剤フィルムに粘着力低下処理を施した後に当
該第１の粘着剤フィルムを前記仕上げ研摩済みの完成ウ
エハから剥離するワーク反転部と、当該ワーク反転部に
て前記第２の粘着剤フィルムに貼り付けられた仕上研摩
済みの完成ウエハを取り込んでダイシングし、薄形化さ
れたＩＣチップを得るダイシング部と、前記第２の粘着
剤フィルムに粘着力低下処理を施してダイシングされた
前記ＩＣチップを取り出す製品取出部とを備えたことを
特徴とする薄形ＩＣチップの製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6312098A JPH11260770A (ja) | 1998-03-13 | 1998-03-13 | 薄形ｉｃチップの製造方法及び製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6312098A JPH11260770A (ja) | 1998-03-13 | 1998-03-13 | 薄形ｉｃチップの製造方法及び製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11260770A true JPH11260770A (ja) | 1999-09-24 |
Family
ID=13220120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6312098A Withdrawn JPH11260770A (ja) | 1998-03-13 | 1998-03-13 | 薄形ｉｃチップの製造方法及び製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11260770A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002075920A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-03-15 | Nitto Denko Corp | 半導体ウエハの加工方法 |
| CN100334689C (zh) * | 2002-04-11 | 2007-08-29 | 积水化学工业株式会社 | 半导体芯片的制造方法 |
| US8426293B2 (en) | 2004-07-09 | 2013-04-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | IC chip and its manufacturing method |
-
1998
- 1998-03-13 JP JP6312098A patent/JPH11260770A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002075920A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-03-15 | Nitto Denko Corp | 半導体ウエハの加工方法 |
| CN100334689C (zh) * | 2002-04-11 | 2007-08-29 | 积水化学工业株式会社 | 半导体芯片的制造方法 |
| US8426293B2 (en) | 2004-07-09 | 2013-04-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | IC chip and its manufacturing method |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050607 |