JPH11260778A - 枚葉式表面洗浄方法及び装置 - Google Patents
枚葉式表面洗浄方法及び装置Info
- Publication number
- JPH11260778A JPH11260778A JP5535498A JP5535498A JPH11260778A JP H11260778 A JPH11260778 A JP H11260778A JP 5535498 A JP5535498 A JP 5535498A JP 5535498 A JP5535498 A JP 5535498A JP H11260778 A JPH11260778 A JP H11260778A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- ultrasonic
- semiconductor substrate
- wafer
- cleaning liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 洗浄液に対して耐性を有さない超音波振動板
を用いても洗浄液に超音波を印加することができる枚葉
式表面洗浄方法及び装置を提供すること。 【解決手段】 ウェーハＷの表面に洗浄液ノズル１９か
ら洗浄液を供給すると同時に、その裏面に超音波供給ノ
ズル２１から超純水に超音波を印加した超音波印加液Ｔ
を供給し、ウェーハ表面の洗浄液に、ウェーハＷを透過
した超音波を印加する。これにより、洗浄効果を高めな
がら、洗浄液に対して耐性を有さない超音波振動板を用
いても、洗浄液に超音波を印加することができ、装置コ
ストの低減を図ることができる。
を用いても洗浄液に超音波を印加することができる枚葉
式表面洗浄方法及び装置を提供すること。 【解決手段】 ウェーハＷの表面に洗浄液ノズル１９か
ら洗浄液を供給すると同時に、その裏面に超音波供給ノ
ズル２１から超純水に超音波を印加した超音波印加液Ｔ
を供給し、ウェーハ表面の洗浄液に、ウェーハＷを透過
した超音波を印加する。これにより、洗浄効果を高めな
がら、洗浄液に対して耐性を有さない超音波振動板を用
いても、洗浄液に超音波を印加することができ、装置コ
ストの低減を図ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板の表面
洗浄に好適な枚葉式表面洗浄方法及び装置に関する。
洗浄に好適な枚葉式表面洗浄方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造において、半導体
基板（以下、ウェーハとよぶ。）は、製造（処理）装置
からの汚染、クリーンルーム大気からの汚染など、製造
プロセス中にさまざまな汚染にさらされる可能性を有し
ている。それらの汚染を除去するため、ウェーハは製造
プロセス中に洗浄される。
基板（以下、ウェーハとよぶ。）は、製造（処理）装置
からの汚染、クリーンルーム大気からの汚染など、製造
プロセス中にさまざまな汚染にさらされる可能性を有し
ている。それらの汚染を除去するため、ウェーハは製造
プロセス中に洗浄される。
【０００３】従来、ウェーハの洗浄には、図５に示すよ
うなバッチ式多槽洗浄機（ウェットステーション）が用
いられ、例えば、アンモニア・過酸化水素混合液（ＳＣ
１液（ＡＰＭ液ともよばれる））、塩酸・過酸化水素混
合液（ＳＣ２液（ＨＰＭ液ともよばれる））、希フッ酸
などの洗浄液や超純水を入れた複数の洗浄槽に連続的に
ウェーハＷを浸漬し、洗浄を行うものである。これは、
米国ＲＣＡ社が提唱したＲＣＡ洗浄とよばれるもので、
ＳＣ１液洗浄槽１、ＳＣ２液洗浄槽３及び希フッ酸洗浄
槽５において、それぞれ、有機性汚れ・付着粒子、表面
金属不純物、及びシリコン酸化皮膜の除去を行い、最後
に乾燥槽７にてウェーハ７の乾燥を行う。なお、それぞ
れの超純水洗浄槽２、４及び６は、前工程で付着した洗
浄液の清浄を目的に用いられる。この洗浄方法は、ウェ
ーハＷを２５〜５０枚一度に処理できるのでスループッ
トも高く、現在でも半導体デバイスの製造ラインで広く
採用されている。また、この洗浄方法において、ＳＣ１
洗浄液槽１に超音波発生部１ａを設けて、８００ｋＨｚ
〜１．５ＭＨｚの周波数領域を有する超音波（メガソニ
ック）をＳＣ１洗浄液に印加することが行われている。
これによって、洗浄効果、特に微小異物（パーティク
ル）の洗浄効果を高めている。
うなバッチ式多槽洗浄機（ウェットステーション）が用
いられ、例えば、アンモニア・過酸化水素混合液（ＳＣ
１液（ＡＰＭ液ともよばれる））、塩酸・過酸化水素混
合液（ＳＣ２液（ＨＰＭ液ともよばれる））、希フッ酸
などの洗浄液や超純水を入れた複数の洗浄槽に連続的に
ウェーハＷを浸漬し、洗浄を行うものである。これは、
米国ＲＣＡ社が提唱したＲＣＡ洗浄とよばれるもので、
ＳＣ１液洗浄槽１、ＳＣ２液洗浄槽３及び希フッ酸洗浄
槽５において、それぞれ、有機性汚れ・付着粒子、表面
金属不純物、及びシリコン酸化皮膜の除去を行い、最後
に乾燥槽７にてウェーハ７の乾燥を行う。なお、それぞ
れの超純水洗浄槽２、４及び６は、前工程で付着した洗
浄液の清浄を目的に用いられる。この洗浄方法は、ウェ
ーハＷを２５〜５０枚一度に処理できるのでスループッ
トも高く、現在でも半導体デバイスの製造ラインで広く
採用されている。また、この洗浄方法において、ＳＣ１
洗浄液槽１に超音波発生部１ａを設けて、８００ｋＨｚ
〜１．５ＭＨｚの周波数領域を有する超音波（メガソニ
ック）をＳＣ１洗浄液に印加することが行われている。
これによって、洗浄効果、特に微小異物（パーティク
ル）の洗浄効果を高めている。
【０００４】ところが、ウェーハＷの大口径化（２００
ｍｍ〜３００ｍｍ）に伴い、洗浄槽の容量が増大してウ
ェットステーションが大型化し、さらに洗浄液や超純水
使用量、廃液量、排気量の増大によるコスト増大や地球
環境適応性の低下が避けられなくなってきている。ま
た、半導体デバイスの高集積化に伴う要求清浄度にも上
述したバッチ式多層洗浄法では追随できなくなってきて
いる。
ｍｍ〜３００ｍｍ）に伴い、洗浄槽の容量が増大してウ
ェットステーションが大型化し、さらに洗浄液や超純水
使用量、廃液量、排気量の増大によるコスト増大や地球
環境適応性の低下が避けられなくなってきている。ま
た、半導体デバイスの高集積化に伴う要求清浄度にも上
述したバッチ式多層洗浄法では追随できなくなってきて
いる。
【０００５】そこで、近年になって、枚葉式表面洗浄法
が注目され開発されてきている。この洗浄法において
は、図６に示すようにウェーハＷを１枚ずつ洗浄カップ
１０内の回転テーブル１１に載せ、ウェーハＷを回転さ
せながらノズル１２から洗浄液を供給しウェーハ表面を
洗浄する。これによれば、装置を小型化でき、また、洗
浄効果も高い。しかし、枚葉式表面洗浄法を用いて上述
のＳＣ１液やＳＣ２液を用いたＲＣＡ洗浄を行うと、洗
浄時間が長くかかり、洗浄液使用量も少なくできないた
め、最近、オゾン水と希フッ酸だけを用い、室温で洗浄
する方法が開発されてきている。この洗浄方法では、ま
ず第１ステップで、オゾン水でウェーハ表面に酸化膜を
形成し、その後の第２ステップで希フッ酸で酸化膜をエ
ッチングすることで、汚染をウェーハ表面からリフトオ
フし除去する。必要清浄度に応じてこれらのステップを
繰り返す。このオゾン水・希フッ酸繰り返し洗浄におい
て、上記超音波の印加を用いることで洗浄効果の向上が
期待できる。特に希フッ酸による汚染除去ステップでの
超音波印加は効果的であると考えられる。
が注目され開発されてきている。この洗浄法において
は、図６に示すようにウェーハＷを１枚ずつ洗浄カップ
１０内の回転テーブル１１に載せ、ウェーハＷを回転さ
せながらノズル１２から洗浄液を供給しウェーハ表面を
洗浄する。これによれば、装置を小型化でき、また、洗
浄効果も高い。しかし、枚葉式表面洗浄法を用いて上述
のＳＣ１液やＳＣ２液を用いたＲＣＡ洗浄を行うと、洗
浄時間が長くかかり、洗浄液使用量も少なくできないた
め、最近、オゾン水と希フッ酸だけを用い、室温で洗浄
する方法が開発されてきている。この洗浄方法では、ま
ず第１ステップで、オゾン水でウェーハ表面に酸化膜を
形成し、その後の第２ステップで希フッ酸で酸化膜をエ
ッチングすることで、汚染をウェーハ表面からリフトオ
フし除去する。必要清浄度に応じてこれらのステップを
繰り返す。このオゾン水・希フッ酸繰り返し洗浄におい
て、上記超音波の印加を用いることで洗浄効果の向上が
期待できる。特に希フッ酸による汚染除去ステップでの
超音波印加は効果的であると考えられる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、希フッ
酸やオゾン水に超音波を印加しようとした場合、希フッ
酸に耐性があり、かつ、超音波の伝搬特性が良く、さら
にコストの低い振動板がない。例えば、ＳＣ１液用メガ
ソニックで用いられている石英では希フッ酸に耐性がな
く、また、希フッ酸に耐性を有するＰＦＡやＰＴＦＥな
どのフッ素樹脂では超音波の伝搬特性が悪く、また、超
音波のエネルギによって発熱し、変形や溶解を引き起こ
してしまう。一方、サファイアは希フッ酸の耐性及び超
音波の伝搬特性から有力であるが、コストが非常に高い
という問題がある。このように、上記３つの条件を同時
に満足する超音波振動板はなく、現在の枚葉式表面洗浄
では希フッ酸等の洗浄液を用いずに超純水に超音波を印
加して洗浄するか、非常に高価な材料で成る超音波振動
板を用いて行うしかない。
酸やオゾン水に超音波を印加しようとした場合、希フッ
酸に耐性があり、かつ、超音波の伝搬特性が良く、さら
にコストの低い振動板がない。例えば、ＳＣ１液用メガ
ソニックで用いられている石英では希フッ酸に耐性がな
く、また、希フッ酸に耐性を有するＰＦＡやＰＴＦＥな
どのフッ素樹脂では超音波の伝搬特性が悪く、また、超
音波のエネルギによって発熱し、変形や溶解を引き起こ
してしまう。一方、サファイアは希フッ酸の耐性及び超
音波の伝搬特性から有力であるが、コストが非常に高い
という問題がある。このように、上記３つの条件を同時
に満足する超音波振動板はなく、現在の枚葉式表面洗浄
では希フッ酸等の洗浄液を用いずに超純水に超音波を印
加して洗浄するか、非常に高価な材料で成る超音波振動
板を用いて行うしかない。
【０００７】そこで本発明は上述の問題に鑑みてなさ
れ、洗浄液に耐性を有さない超音波振動板を用いても洗
浄液に超音波を印加することができる枚葉式表面洗浄方
法及び装置を提供することを課題とする。
れ、洗浄液に耐性を有さない超音波振動板を用いても洗
浄液に超音波を印加することができる枚葉式表面洗浄方
法及び装置を提供することを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体基板の
表面に洗浄液を供給すると同時に、半導体基板の裏面に
超音波印加液を供給することにより、半導体基板を透過
した超音波を表面に伝搬させて洗浄液に印加し、当該半
導体基板の表面を洗浄するようにしている。超音波印加
液は、超音波発生部を有した超音波供給ノズルにおいて
超音波が印加されるようにする。これにより、洗浄液に
対して耐性を有さない超音波振動板を用いても効果的に
洗浄液に超音波を印加して洗浄作用を得ることができ
る。
表面に洗浄液を供給すると同時に、半導体基板の裏面に
超音波印加液を供給することにより、半導体基板を透過
した超音波を表面に伝搬させて洗浄液に印加し、当該半
導体基板の表面を洗浄するようにしている。超音波印加
液は、超音波発生部を有した超音波供給ノズルにおいて
超音波が印加されるようにする。これにより、洗浄液に
対して耐性を有さない超音波振動板を用いても効果的に
洗浄液に超音波を印加して洗浄作用を得ることができ
る。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１０】図１は本発明の実施の形態による枚葉式表
面洗浄装置を示し、全体として１５で示される。ウェー
ハ（半導体基板）Ｗは、洗浄チャンバ１６内のウェーハ
チャック１７にその表面（素子形成面）を上方にして水
平に支持され、中空モータ１８の駆動により回転され
る。ウェーハＷの上方位置には、それぞれオゾン水及び
希フッ酸を供給する洗浄液供給ノズル１９及び２０が配
置され、ウェーハＷの半径方向（矢印Ａの方向）にスキ
ャン可能で洗浄の均一性の向上が図られている。また、
ウェーハＷの裏面に対向して超音波供給ノズル２１が配
置され、例えば中空モータ１８の静止部に固定される。
面洗浄装置を示し、全体として１５で示される。ウェー
ハ（半導体基板）Ｗは、洗浄チャンバ１６内のウェーハ
チャック１７にその表面（素子形成面）を上方にして水
平に支持され、中空モータ１８の駆動により回転され
る。ウェーハＷの上方位置には、それぞれオゾン水及び
希フッ酸を供給する洗浄液供給ノズル１９及び２０が配
置され、ウェーハＷの半径方向（矢印Ａの方向）にスキ
ャン可能で洗浄の均一性の向上が図られている。また、
ウェーハＷの裏面に対向して超音波供給ノズル２１が配
置され、例えば中空モータ１８の静止部に固定される。
【００１１】超音波供給ノズル２１は、ステンレスに石
英を被覆した振動板を備えた音波発生部２１ａを有し、
中空モータ１８の中空部を通る供給配管２２を介して供
給される超純水Ｐにメガソニック超音波（０．８〜１．
５ＭＭＨｚの周波数帯の超音波）を印加して超音波印加
液である超音波印加超純水とし、ウェーハＷの裏面へ向
け吐出する（矢印Ｔ）。超音波供給ノズル２１のノズル
口２１ｂは、図３に示すようにウェーハＷの半径の大き
さに略等しく、当該半径をカバーするスリット状に形成
されている。なお、メガソニック超音波は、超音波供給
ノズル２１とウェーハＷとの間の距離やウェーハＷの厚
さ、また、超純水や希フッ酸、ウェーハ中の伝搬速度を
もとに、ウェーハ表面に最も効率良く伝搬するように、
その周波数、パワーが設定される。
英を被覆した振動板を備えた音波発生部２１ａを有し、
中空モータ１８の中空部を通る供給配管２２を介して供
給される超純水Ｐにメガソニック超音波（０．８〜１．
５ＭＭＨｚの周波数帯の超音波）を印加して超音波印加
液である超音波印加超純水とし、ウェーハＷの裏面へ向
け吐出する（矢印Ｔ）。超音波供給ノズル２１のノズル
口２１ｂは、図３に示すようにウェーハＷの半径の大き
さに略等しく、当該半径をカバーするスリット状に形成
されている。なお、メガソニック超音波は、超音波供給
ノズル２１とウェーハＷとの間の距離やウェーハＷの厚
さ、また、超純水や希フッ酸、ウェーハ中の伝搬速度を
もとに、ウェーハ表面に最も効率良く伝搬するように、
その周波数、パワーが設定される。
【００１２】次に、本実施の形態によるウェーハＷの洗
浄プロセスの詳細について、以下に説明する。
浄プロセスの詳細について、以下に説明する。
【００１３】ウェーハＷは、搬送ロボットや搬送ベルト
等の図示しない搬送機構により洗浄チャンバ１６内に移
送され、ウェーハチャック１７に保持される。ウェーハ
チャック１７はウェーハＷの周縁部を支持しながら中空
モータ１８により回転を開始する。ウェーハＷを回転さ
せながら、まず、オゾン水供給ノズル１９からオゾン水
をウェーハＷの表面に供給する。これと同時に、ウェー
ハＷの裏面に超音波供給ノズル２１から超音波印加超純
水を供給する。オゾン水は５〜２０ｐｐｍの濃度のオゾ
ンが超純水に溶解したもので、これにより数十秒で約１
ｎｍの酸化膜がウェーハＷの表面上に形成される。
等の図示しない搬送機構により洗浄チャンバ１６内に移
送され、ウェーハチャック１７に保持される。ウェーハ
チャック１７はウェーハＷの周縁部を支持しながら中空
モータ１８により回転を開始する。ウェーハＷを回転さ
せながら、まず、オゾン水供給ノズル１９からオゾン水
をウェーハＷの表面に供給する。これと同時に、ウェー
ハＷの裏面に超音波供給ノズル２１から超音波印加超純
水を供給する。オゾン水は５〜２０ｐｐｍの濃度のオゾ
ンが超純水に溶解したもので、これにより数十秒で約１
ｎｍの酸化膜がウェーハＷの表面上に形成される。
【００１４】その後、オゾン水の供給を停止し、次に希
フッ酸供給ノズル２０から希フッ酸をウェーハＷの表面
に供給する。このとき、ウェーハＷの裏面へは引き続き
超音波印加超純水が供給されている。希フッ酸は、０．
５〜１．０％のフッ酸濃度の水溶液であり、これによっ
て約１０〜１５秒で約１ｎｍの上記酸化膜がエッチング
される。この酸化膜エッチングと同時にパーティクルや
メタル汚染、有機汚染などを除去する。このとき、超純
水を介して供給されるメガソニック超音波がウェーハＷ
を透過して表面へ伝搬し（矢印Ｓ）、希フッ酸に当該メ
ガソニック超音波が印加されることにより汚染除去効果
が促進される。その後、再度オゾン水、希フッ酸の供給
をウェーハＷの必要清浄度まで繰り返す。例えば、洗浄
前に銅汚染が１×１０13原子／ｃｍ2 あったとすると、
６回繰り返しで１×１０10原子／ｃｍ2 、９回繰り返し
で１×１０9 原子／ｃｍ2 に洗浄できる。最後に、超純
水によるリンス、乾燥を行って、ウェーハＷの洗浄処理
が終了する。
フッ酸供給ノズル２０から希フッ酸をウェーハＷの表面
に供給する。このとき、ウェーハＷの裏面へは引き続き
超音波印加超純水が供給されている。希フッ酸は、０．
５〜１．０％のフッ酸濃度の水溶液であり、これによっ
て約１０〜１５秒で約１ｎｍの上記酸化膜がエッチング
される。この酸化膜エッチングと同時にパーティクルや
メタル汚染、有機汚染などを除去する。このとき、超純
水を介して供給されるメガソニック超音波がウェーハＷ
を透過して表面へ伝搬し（矢印Ｓ）、希フッ酸に当該メ
ガソニック超音波が印加されることにより汚染除去効果
が促進される。その後、再度オゾン水、希フッ酸の供給
をウェーハＷの必要清浄度まで繰り返す。例えば、洗浄
前に銅汚染が１×１０13原子／ｃｍ2 あったとすると、
６回繰り返しで１×１０10原子／ｃｍ2 、９回繰り返し
で１×１０9 原子／ｃｍ2 に洗浄できる。最後に、超純
水によるリンス、乾燥を行って、ウェーハＷの洗浄処理
が終了する。
【００１５】以上のように、本実施の形態によれば、ウ
ェーハＷの裏面へメガソニック超音波を印加した超音波
印加超純水を供給することにより、当該メガソニック超
音波をウェーハＷの表面へ伝搬させ希フッ酸等の洗浄液
に印加するようにしているので、洗浄液に対する耐性を
有した超音波振動板を用いなくても有効にメガソニック
超音波を印加することができる。したがって、ウェーハ
表面の洗浄効果を向上させて半導体デバイスの歩留、信
頼性を向上させながら、従来用いられていた比較的安価
な材料で超音波振動板を構成することができ、装置のコ
ストを低減することができる。
ェーハＷの裏面へメガソニック超音波を印加した超音波
印加超純水を供給することにより、当該メガソニック超
音波をウェーハＷの表面へ伝搬させ希フッ酸等の洗浄液
に印加するようにしているので、洗浄液に対する耐性を
有した超音波振動板を用いなくても有効にメガソニック
超音波を印加することができる。したがって、ウェーハ
表面の洗浄効果を向上させて半導体デバイスの歩留、信
頼性を向上させながら、従来用いられていた比較的安価
な材料で超音波振動板を構成することができ、装置のコ
ストを低減することができる。
【００１６】以上、本発明の実施の形態について説明し
たが、勿論、本発明はこれに限定されることなく、本発
明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
たが、勿論、本発明はこれに限定されることなく、本発
明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【００１７】例えば、以上の実施の形態では、ウェーハ
Ｗの裏面に供給する超音波印加液として超純水を用いた
が、これに代えて、アンモニア・過酸化水素混合液（Ｓ
Ｃ１液）等の超音波振動板（石英製）が耐性を有する洗
浄液にメガソニック超音波を印加して、これを超音波印
加液として用いてもよい。この場合、ウェーハＷの表面
の洗浄と同時に裏面の洗浄をも行うことができる。
Ｗの裏面に供給する超音波印加液として超純水を用いた
が、これに代えて、アンモニア・過酸化水素混合液（Ｓ
Ｃ１液）等の超音波振動板（石英製）が耐性を有する洗
浄液にメガソニック超音波を印加して、これを超音波印
加液として用いてもよい。この場合、ウェーハＷの表面
の洗浄と同時に裏面の洗浄をも行うことができる。
【００１８】また、以上の実施の形態では、超音波供給
ノズル２１として、ノズル口２１ｂがウェーハＷの半径
の大きさに略等しく形成したが、これをウェーハＷの直
径の大きさに略等しくスリット状に形成し、当該直径を
カバーするように設ければ、ウェーハＷへのメガソニッ
ク超音波の供給効率を高めることができる。
ノズル２１として、ノズル口２１ｂがウェーハＷの半径
の大きさに略等しく形成したが、これをウェーハＷの直
径の大きさに略等しくスリット状に形成し、当該直径を
カバーするように設ければ、ウェーハＷへのメガソニッ
ク超音波の供給効率を高めることができる。
【００１９】また、超音波供給ノズル２１のノズル口２
１ｂは、上述したようにスリット状のものだけに限ら
ず、図４に示すようにスポット状に超音波印加液を供給
する超音波供給ノズル２１’として構成してもよい。こ
の場合、当該ノズル２１’をウェーハＷの半径方向（矢
印Ｂ）にスキャンでき、かつ表面側の洗浄液ノズル１９
（２０）と同期してスキャンできるものが好ましい。
１ｂは、上述したようにスリット状のものだけに限ら
ず、図４に示すようにスポット状に超音波印加液を供給
する超音波供給ノズル２１’として構成してもよい。こ
の場合、当該ノズル２１’をウェーハＷの半径方向（矢
印Ｂ）にスキャンでき、かつ表面側の洗浄液ノズル１９
（２０）と同期してスキャンできるものが好ましい。
【００２０】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の枚葉式表面
洗浄装置によれば、希フッ酸等の洗浄液に対して耐性を
有さない超音波振動板を用いて半導体基板の表面上の洗
浄液に超音波を印加することができるので、洗浄効果、
半導体デバイスの歩留、及び信頼性を向上させながら、
装置コストの低減を図ることができる。
洗浄装置によれば、希フッ酸等の洗浄液に対して耐性を
有さない超音波振動板を用いて半導体基板の表面上の洗
浄液に超音波を印加することができるので、洗浄効果、
半導体デバイスの歩留、及び信頼性を向上させながら、
装置コストの低減を図ることができる。
【図１】本発明の実施の形態による枚葉式表面洗浄装置
を模式的に示す断面図である。
を模式的に示す断面図である。
【図２】図１における超音波供給ノズルの拡大断面図で
ある。
ある。
【図３】同超音波供給ノズルのノズル口を示す斜視図で
ある。
ある。
【図４】図２の変形例を示す要部の断面図である。
【図５】従来のバッチ式の洗浄処理方法を示す模式図で
ある。
ある。
【図６】他の従来の枚葉式の洗浄処理装置の断面図であ
る。
る。
１５………枚葉式表面洗浄装置、１６………洗浄カッ
プ、１７………ウェーハチャック、１８………中空モー
タ、１９、２０………洗浄液供給ノズル、２１………超
音波供給ノズル、Ｓ………メガソニック超音波の透過
波、Ｔ………超音波印加液、Ｗ………ウェーハ（半導体
基板）。
プ、１７………ウェーハチャック、１８………中空モー
タ、１９、２０………洗浄液供給ノズル、２１………超
音波供給ノズル、Ｓ………メガソニック超音波の透過
波、Ｔ………超音波印加液、Ｗ………ウェーハ（半導体
基板）。
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体基板を一枚ずつ回転させながら、
前記半導体基板の表面に洗浄液を供給し、当該表面を洗
浄するようにした枚葉式表面洗浄方法において、 前記半導体基板の表面に前記洗浄液を供給すると同時
に、 前記半導体基板の裏面に、超音波が印加された超音波印
加液を供給することにより、 前記半導体基板の表面へ透過した前記超音波を前記洗浄
液に印加して、 前記半導体基板の表面を洗浄するようにしたことを特徴
とする枚葉式表面洗浄方法。 - 【請求項２】 前記洗浄液は、オゾン水及び希フッ酸で
あり、それぞれ独立して前記半導体基板の表面に供給さ
れることを特徴とする請求項１に記載の枚葉式表面洗浄
方法。 - 【請求項３】 前記超音波の周波数範囲は、０．８ＭＨ
ｚから１．５ＭＨｚであることを特徴とする請求項１に
記載の枚葉式表面洗浄方法。 - 【請求項４】 前記超音波印加液は、超音波が印加され
た超純水、又はアンモニア・過酸化水素混合液であるこ
とを特徴とする請求項１に記載の枚葉式表面洗浄方法。 - 【請求項５】 半導体基板を一枚ずつ回転可能に支持す
る支持手段と、前記半導体基板の表面へ洗浄液を供給す
る洗浄液供給ノズルとを備えた枚葉式表面洗浄装置にお
いて、 超音波発生部を有し、 この超音波発生部により超音波が印加された超音波印加
液を前記半導体基板の裏面に供給する超音波供給ノズル
を設けたことを特徴とする枚葉式表面洗浄装置。 - 【請求項６】 前記超音波供給ノズルのノズル口は、前
記半導体基板の半径又は直径の大きさに略等しいスリッ
ト状に形成されることを特徴とする請求項５に記載の枚
葉式表面洗浄装置。 - 【請求項７】 前記洗浄液供給ノズルは、前記半導体基
板の径方向に移動可能であることを特徴とする請求項５
に記載の枚葉式表面洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5535498A JPH11260778A (ja) | 1998-03-06 | 1998-03-06 | 枚葉式表面洗浄方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5535498A JPH11260778A (ja) | 1998-03-06 | 1998-03-06 | 枚葉式表面洗浄方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11260778A true JPH11260778A (ja) | 1999-09-24 |
Family
ID=12996175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5535498A Pending JPH11260778A (ja) | 1998-03-06 | 1998-03-06 | 枚葉式表面洗浄方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11260778A (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001319849A (ja) * | 2000-05-08 | 2001-11-16 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法 |
| JP2001348274A (ja) * | 2000-06-01 | 2001-12-18 | Bridgestone Corp | 炭化ケイ素焼結体 |
| US6511914B2 (en) * | 1999-01-22 | 2003-01-28 | Semitool, Inc. | Reactor for processing a workpiece using sonic energy |
| JP2004104090A (ja) * | 1999-09-30 | 2004-04-02 | Nomura Micro Sci Co Ltd | 表面付着汚染物質の除去方法及び除去装置 |
| JP2004519088A (ja) * | 2000-06-26 | 2004-06-24 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 枚葉プロセスにおけるウェーハの洗浄方法及び洗浄液 |
| US6983755B2 (en) | 2001-11-27 | 2006-01-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Cleaning method and cleaning apparatus for performing the same |
| JP2007234964A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Siltronic Ag | 半導体基板の洗浄方法 |
| KR100766460B1 (ko) * | 2001-07-16 | 2007-10-15 | 씨앤지하이테크 주식회사 | 웨이퍼 클리닝장치 |
| KR100766459B1 (ko) * | 2001-07-16 | 2007-10-15 | 씨앤지하이테크 주식회사 | 웨이퍼 클리닝장치 |
| US7306002B2 (en) * | 2003-01-04 | 2007-12-11 | Yong Bae Kim | System and method for wet cleaning a semiconductor wafer |
| JP2008288541A (ja) * | 2007-04-19 | 2008-11-27 | Pre-Tech Co Ltd | 枚葉式洗浄装置 |
| US7494549B2 (en) | 2002-08-16 | 2009-02-24 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method |
| CN101447415A (zh) * | 2008-12-19 | 2009-06-03 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 半导体硅片清洗装置及其清洗方法 |
| CN101530852A (zh) * | 2008-03-10 | 2009-09-16 | 富士通株式会社 | 清洁装置、清洗槽、清洁方法以及用于制造物件的方法 |
| JP2016032073A (ja) * | 2014-07-30 | 2016-03-07 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池セルの製造方法および太陽電池セルの製造装置 |
| US10286425B2 (en) | 2015-08-14 | 2019-05-14 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus |
| CN116230581A (zh) * | 2021-12-02 | 2023-06-06 | 细美事有限公司 | 基板处理装置以及方法 |
| KR20230175035A (ko) * | 2022-06-22 | 2023-12-29 | 세메스 주식회사 | 기판 이면 세정 장치 및 기판 이면 세정 방법 |
-
1998
- 1998-03-06 JP JP5535498A patent/JPH11260778A/ja active Pending
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6511914B2 (en) * | 1999-01-22 | 2003-01-28 | Semitool, Inc. | Reactor for processing a workpiece using sonic energy |
| JP2004104090A (ja) * | 1999-09-30 | 2004-04-02 | Nomura Micro Sci Co Ltd | 表面付着汚染物質の除去方法及び除去装置 |
| JP2001319849A (ja) * | 2000-05-08 | 2001-11-16 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法 |
| JP2001348274A (ja) * | 2000-06-01 | 2001-12-18 | Bridgestone Corp | 炭化ケイ素焼結体 |
| JP2004519088A (ja) * | 2000-06-26 | 2004-06-24 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 枚葉プロセスにおけるウェーハの洗浄方法及び洗浄液 |
| KR100766459B1 (ko) * | 2001-07-16 | 2007-10-15 | 씨앤지하이테크 주식회사 | 웨이퍼 클리닝장치 |
| KR100766460B1 (ko) * | 2001-07-16 | 2007-10-15 | 씨앤지하이테크 주식회사 | 웨이퍼 클리닝장치 |
| US6983755B2 (en) | 2001-11-27 | 2006-01-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Cleaning method and cleaning apparatus for performing the same |
| US7494549B2 (en) | 2002-08-16 | 2009-02-24 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method |
| US7306002B2 (en) * | 2003-01-04 | 2007-12-11 | Yong Bae Kim | System and method for wet cleaning a semiconductor wafer |
| JP2007234964A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Siltronic Ag | 半導体基板の洗浄方法 |
| JP2008288541A (ja) * | 2007-04-19 | 2008-11-27 | Pre-Tech Co Ltd | 枚葉式洗浄装置 |
| CN101530852A (zh) * | 2008-03-10 | 2009-09-16 | 富士通株式会社 | 清洁装置、清洗槽、清洁方法以及用于制造物件的方法 |
| CN101447415A (zh) * | 2008-12-19 | 2009-06-03 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 半导体硅片清洗装置及其清洗方法 |
| JP2016032073A (ja) * | 2014-07-30 | 2016-03-07 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池セルの製造方法および太陽電池セルの製造装置 |
| US10286425B2 (en) | 2015-08-14 | 2019-05-14 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus |
| CN116230581A (zh) * | 2021-12-02 | 2023-06-06 | 细美事有限公司 | 基板处理装置以及方法 |
| KR20230175035A (ko) * | 2022-06-22 | 2023-12-29 | 세메스 주식회사 | 기판 이면 세정 장치 및 기판 이면 세정 방법 |
| US12453989B2 (en) | 2022-06-22 | 2025-10-28 | Semes Co., Ltd. | Apparatus for cleaning a back side of a substrate and method of cleaning a back side of a substrate |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH11260778A (ja) | 枚葉式表面洗浄方法及び装置 | |
| US7914623B2 (en) | Post-ion implant cleaning for silicon on insulator substrate preparation | |
| US7021319B2 (en) | Assisted rinsing in a single wafer cleaning process | |
| US7032269B2 (en) | Brush scrubbing-high frequency resonating substrate processing system | |
| US6821349B2 (en) | Method and apparatus for removing a liquid from a surface | |
| US6539952B2 (en) | Megasonic treatment apparatus | |
| EP0534497B1 (en) | Semiconductor wafer surface treatment method | |
| KR920003879B1 (ko) | 반도체기판의 표면처리방법 | |
| TW200400565A (en) | In-situ local heating using megasonic transducer resonator | |
| KR100382325B1 (ko) | 웨이퍼처리장치및그방법,웨이퍼반송장치,그리고반도체제조장치 | |
| JP2000150440A (ja) | 進行メガソニック波を用いたウェハ洗浄システム | |
| US20040025911A1 (en) | Apparatus for cleaning a semiconductor substrate by vibrating cleaning solution supplied onto the substrate | |
| US6713401B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| US7380560B2 (en) | Wafer cleaning apparatus with probe cleaning and methods of using the same | |
| JP2002009033A (ja) | 半導体ウエハ用洗浄装置 | |
| JP2005142309A (ja) | 基板の洗浄方法、洗浄装置および洗浄システム | |
| JP2002198345A (ja) | 半導体ウエハの洗浄方法 | |
| US7810513B1 (en) | Substrate preparation using megasonic coupling fluid meniscus and methods, apparatus, and systems for implementing the same | |
| JP3924551B2 (ja) | Ｓｏｉウェハ製造方法 | |
| CN119213540A (zh) | 用于清洗衬底的设备和方法 | |
| JPH10154677A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法および製造装置 | |
| JPH05308067A (ja) | 超音波洗浄装置および方法 | |
| CN114769199A (zh) | 晶片清洗方法和装置 | |
| JP2702473B2 (ja) | 洗浄方法 | |
| JP2004022550A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041209 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20041209 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061107 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20061114 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070410 |