JPH11260819A - メタル配線のリペア方法 - Google Patents
メタル配線のリペア方法Info
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 84
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 84
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 72
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 230000008439 repair process Effects 0.000 claims description 44
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 11
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 2
- LYKRPDCJKSXAHS-UHFFFAOYSA-N phenyl-(2,3,4,5-tetrahydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC(C(=O)C=2C=CC=CC=2)=C1O LYKRPDCJKSXAHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- -1 ITO Chemical compound 0.000 claims 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 46
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 7
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 5
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/225—Correcting or repairing of printed circuits
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】カラー液晶パネル等のガラス基板のメタル配線
の欠陥（断線等）の簡便で高信頼性のリペア方法を提供
する。 【解決手段】下層メタル配線２の断線部２ａを含む基板
１全面に絶縁膜３を形成後ポジ型フォトレジスト４を被
覆し、断線部２ａ上のポジ型フォトレジスト４に第１の
開口部４ａを形成後、該レジストをマスクとして絶縁膜
３に第２の開口部３ａを形成し、次いでポジ型フォトレ
ジスト４を剥離後絶縁膜３上に上層メタル膜５を被着す
ると同時に断線部２ａを上層メタル膜５で被着修復後、
ネガ型フォトレジスト６をマスクとしてエッチングし、
上層メタル配線８とリペアメタル７を分離する。
の欠陥（断線等）の簡便で高信頼性のリペア方法を提供
する。 【解決手段】下層メタル配線２の断線部２ａを含む基板
１全面に絶縁膜３を形成後ポジ型フォトレジスト４を被
覆し、断線部２ａ上のポジ型フォトレジスト４に第１の
開口部４ａを形成後、該レジストをマスクとして絶縁膜
３に第２の開口部３ａを形成し、次いでポジ型フォトレ
ジスト４を剥離後絶縁膜３上に上層メタル膜５を被着す
ると同時に断線部２ａを上層メタル膜５で被着修復後、
ネガ型フォトレジスト６をマスクとしてエッチングし、
上層メタル配線８とリペアメタル７を分離する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、メタル配線の断線
リペア方法に関し、特にカラー液晶パネル等のガラス基
板のメタル配線のリペア方法に関する。
リペア方法に関し、特にカラー液晶パネル等のガラス基
板のメタル配線のリペア方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の高集積化・多機
能化に伴い、半導体基板等においては、その配線変更技
術、即ち、特性変更のために、配線をトリミングした
り、他の配線と接続し直したり、あるいは製造中に断線
したメタル配線のリペア技術が重要になっている。
能化に伴い、半導体基板等においては、その配線変更技
術、即ち、特性変更のために、配線をトリミングした
り、他の配線と接続し直したり、あるいは製造中に断線
したメタル配線のリペア技術が重要になっている。
【０００３】これらのリペア技術の第１の従来例とし
て、特開平２−２５５８号公報には、ガラス基板上のク
ロム配線パターン（遮光膜）のピンホールをリペアする
技術が開示されている。この技術を図８を参照して説明
する。まず、図８（ａ）のように、基板２２上のクロム
パターン２１のピンホール２３を含む全面にポジ型の保
護膜２７を形成し、次いでポジ型のフォトレジスト２５
を保護膜２７上に塗布した後ピンホール上部のフォトレ
ジスト２５を紫外線光でスポット露光する。なお、図
中、２４はクロムパターンの抜け部分である。
て、特開平２−２５５８号公報には、ガラス基板上のク
ロム配線パターン（遮光膜）のピンホールをリペアする
技術が開示されている。この技術を図８を参照して説明
する。まず、図８（ａ）のように、基板２２上のクロム
パターン２１のピンホール２３を含む全面にポジ型の保
護膜２７を形成し、次いでポジ型のフォトレジスト２５
を保護膜２７上に塗布した後ピンホール上部のフォトレ
ジスト２５を紫外線光でスポット露光する。なお、図
中、２４はクロムパターンの抜け部分である。
【０００４】次いで、現像してピンホール２３上のフォ
トレジスト２５に開口部２５ａを形成した後（図８
（ｂ）、プラズマエッチングで開口部２５ａの底部に露
出した保護膜２７をエッチングして除去し、ピンホール
２３を露出させ、スパッタリングで修正用クロム膜２６
をフォトレジスト２５上に形成する。ピンホール２３に
も修正用クロム膜２６Ｐが析出する（図８（ｃ））。
トレジスト２５に開口部２５ａを形成した後（図８
（ｂ）、プラズマエッチングで開口部２５ａの底部に露
出した保護膜２７をエッチングして除去し、ピンホール
２３を露出させ、スパッタリングで修正用クロム膜２６
をフォトレジスト２５上に形成する。ピンホール２３に
も修正用クロム膜２６Ｐが析出する（図８（ｃ））。
【０００５】次いで、アルカリ剥離液でフォトレジスト
２５を剥離する。フォトレジスト上の修正用クロム膜２
６はリフトオフされる（図８（ｄ））。なお、抜け部分
２４上の保護膜２７は修正用クロム膜２６の抜け部分２
４への付着防止をしている。次いで、保護膜２７を紫外
線露光後、剥離液で保護膜を剥離しクロムパターン２１
のピンホール２３のリペアが完了する（図８（ｅ））。
２５を剥離する。フォトレジスト上の修正用クロム膜２
６はリフトオフされる（図８（ｄ））。なお、抜け部分
２４上の保護膜２７は修正用クロム膜２６の抜け部分２
４への付着防止をしている。次いで、保護膜２７を紫外
線露光後、剥離液で保護膜を剥離しクロムパターン２１
のピンホール２３のリペアが完了する（図８（ｅ））。
【０００６】また、リペア技術の第２の従来例として、
特公昭６１―６１６７１号公報（特開昭５８―７１１７
号公報）には、導電薄膜付きフィルムを用い、レーザの
スポット照射で導電薄膜を蒸発させ、この蒸発した導電
物質をパターン欠陥部分に蒸着してパターンをリペアす
る装置が開示されている。
特公昭６１―６１６７１号公報（特開昭５８―７１１７
号公報）には、導電薄膜付きフィルムを用い、レーザの
スポット照射で導電薄膜を蒸発させ、この蒸発した導電
物質をパターン欠陥部分に蒸着してパターンをリペアす
る装置が開示されている。
【０００７】他のリペア技術（第３の従来例）として、
特開昭６０―５９３３３号公報や特開平２−３９４５７
号公報には、修正用パッドや配線を予め基板上に設けて
おき、このパッドや配線をレーザ照射で溶解させて不良
配線に接続してリペアする技術が開示されている。
特開昭６０―５９３３３号公報や特開平２−３９４５７
号公報には、修正用パッドや配線を予め基板上に設けて
おき、このパッドや配線をレーザ照射で溶解させて不良
配線に接続してリペアする技術が開示されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記のリペア技術の第
１の従来例では、フォトレジスト２５上に修正用クロム
膜２６を成膜する際、成膜装置の真空チャンバーや、真
空ポンプ内に硫黄等のフォトレジスト成分が付着してし
まい、また、リフトオフされた修正用クロム膜２６がフ
ォトレジストの剥離装置を汚染したり、装置の配管を詰
まらせたりする問題があった。
１の従来例では、フォトレジスト２５上に修正用クロム
膜２６を成膜する際、成膜装置の真空チャンバーや、真
空ポンプ内に硫黄等のフォトレジスト成分が付着してし
まい、また、リフトオフされた修正用クロム膜２６がフ
ォトレジストの剥離装置を汚染したり、装置の配管を詰
まらせたりする問題があった。
【０００９】また、上記第２の従来例では、蒸着する幅
と長さの制御が難しいために、リペアする欠陥部分の大
きさの影響を受けやすく、リペア対象のパターンが微細
パターンになればなるほど、リペアが困難である問題が
あった。
と長さの制御が難しいために、リペアする欠陥部分の大
きさの影響を受けやすく、リペア対象のパターンが微細
パターンになればなるほど、リペアが困難である問題が
あった。
【００１０】上記第３の従来例では、レーザ照射部周辺
の絶縁膜やレーザ照射部の配線材料が変質しやい欠点が
あった。
の絶縁膜やレーザ照射部の配線材料が変質しやい欠点が
あった。
【００１１】本発明は、上記の従来の配線リペア技術に
おける問題点を解決したメタル配線のリペア方法を提供
することを目的とする。
おける問題点を解決したメタル配線のリペア方法を提供
することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明のメタル配線のリ
ペア方法は、基板上に形成された下層メタル配線の断線
部を含む前記基板全面に絶縁膜を形成する工程と、前記
絶縁膜上にポジ型フォトレジストを被覆する工程と、前
記下層メタル配線の前記断線部上の前記ポジ型フォトレ
ジストを紫外線で第１のスポット露光を行った後現像
し、前記断線部上の前記ポジ型フォトレジストに第１の
開口部を形成する工程と、前記第１の開口部に露出した
前記絶縁膜を選択的に除去して第２の開口部を形成し前
記下層メタル配線の前記断線部を露出させる工程と、前
記ポジ型フォトレジストを剥離する工程と、前記絶縁膜
上に上層メタル膜を形成すると同時に前記第２の開口部
の前記断線部を該上層メタル膜で修復する工程と、前記
第２の開口部を含む前記上層メタル膜上にネガ型フォト
レジストを被覆する工程と、上層配線形成位置の前記ネ
ガ型フォトレジスト表面を紫外線で露光する工程と、前
記第２の開口部上の前記ネガ型フォトレジストを紫外線
で第２のスポット露光を行う工程と、前記ネガ型フォト
レジストの未露光部分を現像除去する工程と、前記ネガ
型フォトレジストの前記上層メタル膜の非被覆部をエッ
チングし上層メタル配線を形成後、前記ネガ型フォトレ
ジストを剥離する工程とを含むことを特徴とする。
ペア方法は、基板上に形成された下層メタル配線の断線
部を含む前記基板全面に絶縁膜を形成する工程と、前記
絶縁膜上にポジ型フォトレジストを被覆する工程と、前
記下層メタル配線の前記断線部上の前記ポジ型フォトレ
ジストを紫外線で第１のスポット露光を行った後現像
し、前記断線部上の前記ポジ型フォトレジストに第１の
開口部を形成する工程と、前記第１の開口部に露出した
前記絶縁膜を選択的に除去して第２の開口部を形成し前
記下層メタル配線の前記断線部を露出させる工程と、前
記ポジ型フォトレジストを剥離する工程と、前記絶縁膜
上に上層メタル膜を形成すると同時に前記第２の開口部
の前記断線部を該上層メタル膜で修復する工程と、前記
第２の開口部を含む前記上層メタル膜上にネガ型フォト
レジストを被覆する工程と、上層配線形成位置の前記ネ
ガ型フォトレジスト表面を紫外線で露光する工程と、前
記第２の開口部上の前記ネガ型フォトレジストを紫外線
で第２のスポット露光を行う工程と、前記ネガ型フォト
レジストの未露光部分を現像除去する工程と、前記ネガ
型フォトレジストの前記上層メタル膜の非被覆部をエッ
チングし上層メタル配線を形成後、前記ネガ型フォトレ
ジストを剥離する工程とを含むことを特徴とする。
【００１３】本発明においては、上記上層配線形成位置
の前記ネガ型フォトレジスト表面を紫外線で露光する工
程は、前記第２の開口部上の前記ネガ型フォトレジスト
を紫外線でスポット露光した後に実施してもよい。
の前記ネガ型フォトレジスト表面を紫外線で露光する工
程は、前記第２の開口部上の前記ネガ型フォトレジスト
を紫外線でスポット露光した後に実施してもよい。
【００１４】本発明においては、上層メタル配線形成と
同時に、下層メタル配線の欠陥部（断線部）がこの上層
メタル配線材料によって修復でき、また、ポジ型やネガ
型フォトレジスト剥離工程で配線材料が剥離されて剥離
液に混入することはない。
同時に、下層メタル配線の欠陥部（断線部）がこの上層
メタル配線材料によって修復でき、また、ポジ型やネガ
型フォトレジスト剥離工程で配線材料が剥離されて剥離
液に混入することはない。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施の形態の配線
リペア方法について図面を参照して説明する。図１は、
本発明の第１の実施の形態の配線リペア方法の工程を説
明するための基板要部の断面図である。まず、ガラス等
からなる基板１上にスパッタリングしてパターニングさ
れた厚さ１００〜５００ｎｍのクロム，ＩＴＯ膜，アル
ミニウム，モリブデン等からなる下層メタル配線２を含
む基板１上に窒化シリコン（ＳｉＮｘ），二酸化シリコ
ン（ＳｉＯ2）等の絶縁膜３をスパッタリングやプラズ
マＣＶＤにて成膜後、ポジ型フォトレジスト４をスピン
コートや、スリットスピンコート等の方法でコーティン
グする。ポジ型フォトレジスト４としては、ナフトキノ
ンジアゾ系樹脂とノボラック樹脂を主成分とする感光性
樹脂が使用され、厚さ１．５〜２．０μｍコーテイング
される。次いで、下層メタル配線２の断線部２ａ上のポ
ジ型フォトレジスト４上に紫外線（使用波長：ｇ線（４
３６ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）領域）を４０〜５０ｍ
Ｊ／ｃｍ2程度の光量でスポット露光し、テトラメチル
アンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）等のアル
カリ性現像液で約１３０秒間現像して第１の開口部４ａ
を形成し（図１（ａ））、水洗する。 次いで、ポジ型
フォトレジスト４をマスクとして絶縁膜３をプラズマエ
ッチングして絶縁膜に第２の開口部３ａを形成し、下層
メタル配線２の断線部２ａ露出させた後、ポジ型フォト
レジスト４をアルカリ剥離する（図１（ｂ））し、水洗
する。
リペア方法について図面を参照して説明する。図１は、
本発明の第１の実施の形態の配線リペア方法の工程を説
明するための基板要部の断面図である。まず、ガラス等
からなる基板１上にスパッタリングしてパターニングさ
れた厚さ１００〜５００ｎｍのクロム，ＩＴＯ膜，アル
ミニウム，モリブデン等からなる下層メタル配線２を含
む基板１上に窒化シリコン（ＳｉＮｘ），二酸化シリコ
ン（ＳｉＯ2）等の絶縁膜３をスパッタリングやプラズ
マＣＶＤにて成膜後、ポジ型フォトレジスト４をスピン
コートや、スリットスピンコート等の方法でコーティン
グする。ポジ型フォトレジスト４としては、ナフトキノ
ンジアゾ系樹脂とノボラック樹脂を主成分とする感光性
樹脂が使用され、厚さ１．５〜２．０μｍコーテイング
される。次いで、下層メタル配線２の断線部２ａ上のポ
ジ型フォトレジスト４上に紫外線（使用波長：ｇ線（４
３６ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）領域）を４０〜５０ｍ
Ｊ／ｃｍ2程度の光量でスポット露光し、テトラメチル
アンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）等のアル
カリ性現像液で約１３０秒間現像して第１の開口部４ａ
を形成し（図１（ａ））、水洗する。 次いで、ポジ型
フォトレジスト４をマスクとして絶縁膜３をプラズマエ
ッチングして絶縁膜に第２の開口部３ａを形成し、下層
メタル配線２の断線部２ａ露出させた後、ポジ型フォト
レジスト４をアルカリ剥離する（図１（ｂ））し、水洗
する。
【００１６】次に、開口部３ａを含む絶縁膜３上にスパ
ッタリングで下層メタル配線２と同様な配線材料の絶縁
膜３の第２の開口部３ａを含む絶縁膜３上に上層メタル
膜５を被覆する。上層メタル膜の材質としては下層メタ
ル配線と同じものを使用することが好ましいが、下層メ
タル配線とは異なっていても構わない。上層メタル膜と
してはＩＴＯ膜やクロム，アルミニウム，モリブデン等
の金属が使用される。ＩＴＯ膜は１０〜２０ｎｍ、その
他の金属では１００〜５００ｎｍの厚さに成膜される。
上層メタル膜５を被覆後、上層メタル膜上にテトラハイ
ドロキシベンゾフェノン系樹脂とノボラック系樹脂を主
成分とするネガ型フォトレジスト６をスピンコートや、
スリットスピンコート等の方法でコーティングする。次
いで、ネガ型フォトレジスト６の上層配線形成部分に紫
外線（波長：ｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）
領域）を照射して露光量３０〜４０ｍＪ／ｃｍ2程度で
露光後（図１（ｃ））、下層メタル配線２の断線部２ａ
に形成された上層メタル膜上のネガ型フォトレジスト６
部分を紫外線で露光量３０〜４０ｍＪ／ｃｍ2程度でス
ポット露光する（図１（ｄ））。
ッタリングで下層メタル配線２と同様な配線材料の絶縁
膜３の第２の開口部３ａを含む絶縁膜３上に上層メタル
膜５を被覆する。上層メタル膜の材質としては下層メタ
ル配線と同じものを使用することが好ましいが、下層メ
タル配線とは異なっていても構わない。上層メタル膜と
してはＩＴＯ膜やクロム，アルミニウム，モリブデン等
の金属が使用される。ＩＴＯ膜は１０〜２０ｎｍ、その
他の金属では１００〜５００ｎｍの厚さに成膜される。
上層メタル膜５を被覆後、上層メタル膜上にテトラハイ
ドロキシベンゾフェノン系樹脂とノボラック系樹脂を主
成分とするネガ型フォトレジスト６をスピンコートや、
スリットスピンコート等の方法でコーティングする。次
いで、ネガ型フォトレジスト６の上層配線形成部分に紫
外線（波長：ｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）
領域）を照射して露光量３０〜４０ｍＪ／ｃｍ2程度で
露光後（図１（ｃ））、下層メタル配線２の断線部２ａ
に形成された上層メタル膜上のネガ型フォトレジスト６
部分を紫外線で露光量３０〜４０ｍＪ／ｃｍ2程度でス
ポット露光する（図１（ｄ））。
【００１７】次いで、約１８０秒間のＰＥＢ処理を行っ
た後、ＴＭＡＨ現像液で約１３０秒間現像して上層メタ
ル膜５上にネガ型フォトレジストパターンを形成し、こ
のレジストパターンをマスクとして上層メタル膜５をプ
ラズマエッチングする。なお、上記ネガ型フォトレジス
ト６の上層配線形成部分の紫外線露光と下層メタル配線
２の断線部２ａに形成された上層メタル膜上のネガ型フ
ォトレジスト６部分の紫外線スポット露光の順序は逆に
行っても構わない。
た後、ＴＭＡＨ現像液で約１３０秒間現像して上層メタ
ル膜５上にネガ型フォトレジストパターンを形成し、こ
のレジストパターンをマスクとして上層メタル膜５をプ
ラズマエッチングする。なお、上記ネガ型フォトレジス
ト６の上層配線形成部分の紫外線露光と下層メタル配線
２の断線部２ａに形成された上層メタル膜上のネガ型フ
ォトレジスト６部分の紫外線スポット露光の順序は逆に
行っても構わない。
【００１８】次いでネガ型フォトレジストパターンをア
ルカルリ剥離すると、図１（ｅ）の如く、上層メタル配
線８形成と同時にこの上層配線材料からなるリペアメタ
ル７により下層メタル配線の断線がリペアされる。
ルカルリ剥離すると、図１（ｅ）の如く、上層メタル配
線８形成と同時にこの上層配線材料からなるリペアメタ
ル７により下層メタル配線の断線がリペアされる。
【００１９】このように、本発明の実施の形態の配線リ
ペア方法では、ポジ型やネガ型フォトレジスト剥離工程
で配線材料が剥離されて剥離液に混入することはなく、
またレーザ光を使用せずに下層メタル配線の欠陥（断
線）が上層メタル配線の形成と同時に精度よく行うこと
ができる。
ペア方法では、ポジ型やネガ型フォトレジスト剥離工程
で配線材料が剥離されて剥離液に混入することはなく、
またレーザ光を使用せずに下層メタル配線の欠陥（断
線）が上層メタル配線の形成と同時に精度よく行うこと
ができる。
【００２０】上記の実施の形態の配線リペア方法におけ
る一連動作について図２のフローチャートを参照して詳
細に説明する。まず、基板上に下層メタル配線形成のた
めのフォトリソグラフィー工程完了（工程Ｓ１）後、光
学パターン検査機等を使用してパターン検査し、下層メ
タル配線の断線アドレスを該検査機の記憶装置に取り込
み記憶する（工程Ｓ２〜工程Ｓ４）。
る一連動作について図２のフローチャートを参照して詳
細に説明する。まず、基板上に下層メタル配線形成のた
めのフォトリソグラフィー工程完了（工程Ｓ１）後、光
学パターン検査機等を使用してパターン検査し、下層メ
タル配線の断線アドレスを該検査機の記憶装置に取り込
み記憶する（工程Ｓ２〜工程Ｓ４）。
【００２１】次いで、下層メタル配線上にＳｉＮｘ、Ｓ
ｉＯ2等の絶縁膜を成膜（工程Ｓ５）後、フォトレジス
トの塗布を行う（工程Ｓ６）。ここでは、ポジ型フォト
レジストが使用される。
ｉＯ2等の絶縁膜を成膜（工程Ｓ５）後、フォトレジス
トの塗布を行う（工程Ｓ６）。ここでは、ポジ型フォト
レジストが使用される。
【００２２】基板上の正規のコンタクトホールの露光を
実施した（工程Ｓ７）後、基板上の下層メタル配線の断
線座標に、図３に示す様にリペアパターン３０をスポッ
ト露光（スポット露光１）する（工程Ｓ８〜工程Ｓ
９）。スポット露光１の座標は、先に実施したパターン
検査で得られたアドレスを基にする。スポット露光１に
使用する露光装置としては、正規のコンタクトホールの
パターンを露光するのに使用するステッパーをそのまま
利用する。
実施した（工程Ｓ７）後、基板上の下層メタル配線の断
線座標に、図３に示す様にリペアパターン３０をスポッ
ト露光（スポット露光１）する（工程Ｓ８〜工程Ｓ
９）。スポット露光１の座標は、先に実施したパターン
検査で得られたアドレスを基にする。スポット露光１に
使用する露光装置としては、正規のコンタクトホールの
パターンを露光するのに使用するステッパーをそのまま
利用する。
【００２３】図４は、スポット露光１に使用するステッ
パーの基本構成である。図中符号１はスポット露光する
基板、４０はＸＹステージ、４１はステッパー光学系、
４２はフォトマスクを示す。正規のパターンを露光した
後に、フォトマスク４２を、図５に示す様に多種類の大
きさのリペアパターン５０が配置されたフォトマスク５
１に交換し、断線の形状に合った大きさのパターンを選
択し露光する。この後は、通常のフローに戻り、現像を
行う（工程Ｓ１０）。
パーの基本構成である。図中符号１はスポット露光する
基板、４０はＸＹステージ、４１はステッパー光学系、
４２はフォトマスクを示す。正規のパターンを露光した
後に、フォトマスク４２を、図５に示す様に多種類の大
きさのリペアパターン５０が配置されたフォトマスク５
１に交換し、断線の形状に合った大きさのパターンを選
択し露光する。この後は、通常のフローに戻り、現像を
行う（工程Ｓ１０）。
【００２４】次いで、上層メタル膜を成膜（工程Ｓ１
１）後、上層メタル配線形成用のフォトレジストの塗布
を行う（工程Ｓ１２）。ここで使用するレジストは、ネ
ガ型フォトレジストを使用する。
１）後、上層メタル配線形成用のフォトレジストの塗布
を行う（工程Ｓ１２）。ここで使用するレジストは、ネ
ガ型フォトレジストを使用する。
【００２５】基板上の正規の上層メタル配線のパターン
を露光した後、基板の断線座標に、図６に示す様にリペ
アパターン６０を露光（スポット露光２）する（工程Ｓ
１３〜工程Ｓ１５）。スポット露光２の座標は、先に実
施したパターン検査で得られたアドレスを基にする。ス
ポット露光２は、スポット露光１と同様にステッパーに
よる露光でよい。
を露光した後、基板の断線座標に、図６に示す様にリペ
アパターン６０を露光（スポット露光２）する（工程Ｓ
１３〜工程Ｓ１５）。スポット露光２の座標は、先に実
施したパターン検査で得られたアドレスを基にする。ス
ポット露光２は、スポット露光１と同様にステッパーに
よる露光でよい。
【００２６】この後は、通常のフローに戻り現像し、上
層配線パターンを形成する（工程Ｓ１６）。
層配線パターンを形成する（工程Ｓ１６）。
【００２７】次に、本発明の第２の実施の形態の配線リ
ペア方法について説明する。本実施の形態では、上記第
１の実施の形態におけるスポット露光の手段として使用
されたステッパーのように高速でフォトマスクのマスク
交換が出来ない場合に、図７のように基板１をセットす
るＸＹステージ７０と、リペアパターンの大きさを調整
できるＸＹスリット７２、及び光源７３とレンズ７１を
有するスポット露光装置を使用して配線リペア部分のフ
ォトレジストのスポット露光を行う）。他の工程につい
ては上記第１の実施の形態と同じである。
ペア方法について説明する。本実施の形態では、上記第
１の実施の形態におけるスポット露光の手段として使用
されたステッパーのように高速でフォトマスクのマスク
交換が出来ない場合に、図７のように基板１をセットす
るＸＹステージ７０と、リペアパターンの大きさを調整
できるＸＹスリット７２、及び光源７３とレンズ７１を
有するスポット露光装置を使用して配線リペア部分のフ
ォトレジストのスポット露光を行う）。他の工程につい
ては上記第１の実施の形態と同じである。
【００２８】
【発明の効果】本発明の第１の効果は、リペアの工程を
新たに追加することなく、上層メタル配線形成と同時
に、下層メタル配線の欠陥部（断線部）がこの上層メタ
ル配線材料によって修復できることである。
新たに追加することなく、上層メタル配線形成と同時
に、下層メタル配線の欠陥部（断線部）がこの上層メタ
ル配線材料によって修復できることである。
【００２９】本発明の第２の効果は、ポジ型やネガ型フ
ォトレジスト剥離工程で配線材料が剥離されて剥離液に
混入することはなく、レジスト剥離の安定化とレジスト
剥離液の長寿命化が図れることである。
ォトレジスト剥離工程で配線材料が剥離されて剥離液に
混入することはなく、レジスト剥離の安定化とレジスト
剥離液の長寿命化が図れることである。
【００３０】本発明の第３の効果は、２回目の露光に、
ネガ型フォトレジストを使用し、配線パターンの露光と
スポット露光を連続して実施できることである。
ネガ型フォトレジストを使用し、配線パターンの露光と
スポット露光を連続して実施できることである。
【図１】本発明の第１の実施の形態の配線リペア方法の
工程を説明するための基板要部の断面図である。
工程を説明するための基板要部の断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の配線リペア方法に
おける一連動作を説明するための工程フローチャートで
ある。
おける一連動作を説明するための工程フローチャートで
ある。
【図３】本発明の第１の実施の形態の配線リペア方法に
おけるスポット露光１のリペアパターン例である。
おけるスポット露光１のリペアパターン例である。
【図４】本発明の第１の実施の形態の配線リペア方法に
おけるスポット露光１に使用するステッパーの基本構成
図である。
おけるスポット露光１に使用するステッパーの基本構成
図である。
【図５】スポット露光１に使用する多種類の大きさのリ
ペアパターンが配置されたフォトマスクの平面図であ
る。
ペアパターンが配置されたフォトマスクの平面図であ
る。
【図６】スポット露光２に使用するリペアパターン例で
ある。
ある。
【図７】本発明の第２の実施の形態の配線リペア方法に
使用されるリペアパターンの大きさを調整できるＸＹス
リット、及び光源を持つスポット露光装置の概略図であ
る。
使用されるリペアパターンの大きさを調整できるＸＹス
リット、及び光源を持つスポット露光装置の概略図であ
る。
【図８】従来の配線リペア方法の工程を説明するための
基板要部の断面図である。
基板要部の断面図である。
１，２２ 基板 ２ 下層メタル配線 ２ａ 断線部 ３ 絶縁膜 ３ａ 第２の開口部 ４ａ 第１の開口部 ４ ポジ型フォトレジスト ５ 上層メタル膜 ６ ネガ型フォトレジスト ７ リペアメタル ８ 上層メタル配線 ２１ クロムパターン ２３ ピンホール ２４ 抜け部分 ２５ フォトレジスト ２５ａ 開口部 ２６，２６Ｐ 修正用クロム膜 ２７ 保護膜 ３０，５０，６０ リペアパターン ４０ ＸＹステージ ４１ ステッパー光学系 ４２，５１ フォトマスク ７０ ＸＹステージ ７１ レンズ ７２ ＸＹスリット ７３ 光源
Claims (7)
- 【請求項１】 基板上に形成された下層メタル配線の断
線部を含む前記基板全面に絶縁膜を形成する工程と、前
記絶縁膜上にポジ型フォトレジストを被覆する工程と、
前記下層メタル配線の前記断線部上の前記ポジ型フォト
レジストを紫外線で第１のスポット露光を行った後現像
し、前記断線部上の前記ポジ型フォトレジストに第１の
開口部を形成する工程と、前記第１の開口部に露出した
前記絶縁膜を選択的に除去して第２の開口部を形成し前
記下層メタル配線の前記断線部を露出させる工程と、前
記ポジ型フォトレジストを剥離する工程と、前記絶縁膜
上に上層メタル膜を形成すると同時に前記第２の開口部
の前記断線部を該上層メタル膜で修復する工程と、前記
第２の開口部を含む前記上層メタル膜上にネガ型フォト
レジストを被覆する工程と、上層配線形成位置の前記ネ
ガ型フォトレジスト表面を紫外線で露光する工程と、前
記第２の開口部上の前記ネガ型フォトレジストを紫外線
で第２のスポット露光を行う工程と、前記ネガ型フォト
レジストの未露光部分を現像除去する工程と、前記ネガ
型フォトレジストの前記上層メタル膜の非被覆部をエッ
チングし上層メタル配線を形成後、前記ネガ型フォトレ
ジストを剥離する工程とを含むことを特徴とするメタル
配線のリペア方法。 - 【請求項２】 基板上に形成された下層メタル配線の断
線部を含む前記基板全面に絶縁膜を形成する工程と、前
記絶縁膜上にポジ型フォトレジストを被覆する工程と、
前記下層メタル配線の前記断線部上の前記ポジ型フォト
レジストを紫外線で第１のスポット露光を行った後現像
し、前記断線部上の前記ポジ型フォトレジストに第１の
開口部を形成する工程と、前記第１の開口部に露出した
前記絶縁膜を選択的に除去して第２の開口部を形成し前
記下層メタル配線の前記断線部を露出させる工程と、前
記ポジ型フォトレジストを剥離する工程と、前記絶縁膜
上に上層メタル膜を形成すると同時に前記第２の開口部
の前記断線部を該上層メタル膜で修復する工程と、前記
第２の開口部を含む前記上層メタル膜上にネガ型フォト
レジストを被覆する工程と、前記第２の開口部上の前記
ネガ型フォトレジストを紫外線で第２のスポット露光を
行う工程と、上層配線形成位置の前記ネガ型フォトレジ
スト表面を紫外線で露光する工程と、前記ネガ型フォト
レジストの未露光部分を現像除去する工程と、前記ネガ
型フォトレジストの前記上層メタル膜の非被覆部をエッ
チングし上層メタル配線を形成後、前記ネガ型フォトレ
ジストを剥離する工程とを含むことを特徴とするメタル
配線のリペア方法。 - 【請求項３】 前記ポジ型フォトレジストとしてナフト
キノンジアゾ系樹脂とノボラック樹脂を主成分とする感
光性樹脂を使用した請求項１または２記載のメタル配線
のリペア方法。 - 【請求項４】 前記ネガ型フォトレジストとしてテトラ
ハイドロキシベンゾフェノン系樹脂とノボラック系樹脂
を主成分とする感光性樹脂を使用した請求項１または２
記載のメタル配線のリペア方法。 - 【請求項５】 前記下層メタル配線および前記上層メタ
ル配線の材質がクロム，ＩＴＯ，アルミニウム，モリブ
デンから選択された一つである請求項１，２，３または
４記載のメタル配線のリペア方法。 - 【請求項６】 前記第１及び第２のスポット露光がステ
ッパーによる露光である請求項１または２記載のメタル
配線のリペア方法。 - 【請求項７】 前記第１及び第２のスポット露光を前記
基板をセットするＸＹステージと、前記断線部のリペア
パターンの大きさを調整できるＸＹスリット、及び光源
とレンズを有するスポット露光装置を使用して行うこと
を特徴とする請求項１または２記載のメタル配線のリペ
ア方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06271798A JP3157772B2 (ja) | 1998-03-13 | 1998-03-13 | メタル配線のリペア方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06271798A JP3157772B2 (ja) | 1998-03-13 | 1998-03-13 | メタル配線のリペア方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11260819A true JPH11260819A (ja) | 1999-09-24 |
| JP3157772B2 JP3157772B2 (ja) | 2001-04-16 |
Family
ID=13208384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06271798A Expired - Fee Related JP3157772B2 (ja) | 1998-03-13 | 1998-03-13 | メタル配線のリペア方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3157772B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005508084A (ja) * | 2001-10-30 | 2005-03-24 | マイクロン テクノロジー インコーポレイテッド | 磁気抵抗ビット構造体およびその製造方法 |
| JP2010530344A (ja) * | 2007-09-21 | 2010-09-09 | エルジー・ケム・リミテッド | ネガティブフォトレジストを用いたガラスまたは金属エッチング方法およびこれを用いたクリシェの製造方法 |
| US8199273B2 (en) | 2007-08-31 | 2012-06-12 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Array substrate for flat-panel display device and its manufacturing method |
| US8493525B2 (en) | 2010-10-28 | 2013-07-23 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor array panel, liquid crystal display, method for repairing the same, color filter array panel and method for manufacturing the same |
| KR20210120301A (ko) * | 2020-03-26 | 2021-10-07 | 국민대학교산학협력단 | 미세 전극의 리페어 방법 |
-
1998
- 1998-03-13 JP JP06271798A patent/JP3157772B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005508084A (ja) * | 2001-10-30 | 2005-03-24 | マイクロン テクノロジー インコーポレイテッド | 磁気抵抗ビット構造体およびその製造方法 |
| US8199273B2 (en) | 2007-08-31 | 2012-06-12 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Array substrate for flat-panel display device and its manufacturing method |
| JP2010530344A (ja) * | 2007-09-21 | 2010-09-09 | エルジー・ケム・リミテッド | ネガティブフォトレジストを用いたガラスまたは金属エッチング方法およびこれを用いたクリシェの製造方法 |
| US8493525B2 (en) | 2010-10-28 | 2013-07-23 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor array panel, liquid crystal display, method for repairing the same, color filter array panel and method for manufacturing the same |
| US8760598B2 (en) | 2010-10-28 | 2014-06-24 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor array panel, liquid crystal display, method for repairing the same, color filter array panel and method for manufacturing the same |
| US9093593B2 (en) | 2010-10-28 | 2015-07-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor array panel, liquid crystal display, method for repairing the same, color filter array panel and method for manufacturing the same |
| KR20210120301A (ko) * | 2020-03-26 | 2021-10-07 | 국민대학교산학협력단 | 미세 전극의 리페어 방법 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3157772B2 (ja) | 2001-04-16 |
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