JPH11260930A - 配線処理方法 - Google Patents
配線処理方法Info
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- JPH11260930A JPH11260930A JP10082848A JP8284898A JPH11260930A JP H11260930 A JPH11260930 A JP H11260930A JP 10082848 A JP10082848 A JP 10082848A JP 8284898 A JP8284898 A JP 8284898A JP H11260930 A JPH11260930 A JP H11260930A
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- wiring
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 8
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
Landscapes
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】チップレイアウト工程において、配線長による
遅延の悪化を抑え、ブロック間配線の配線長を短くし、
さらにブロック内配線の配線性を向上する配線処理方法
の提供。 【解決手段】ブロック内で閉じたプリミティブブロック
間の配線には、配線容量が大きい下層の配線層を優先的
に割り当て、ブロック間の配線では、配線容量の小さな
上層の配線層を優先的に割り当てて自動配線する、こと
を特徴とする。また、本発明は、ブロック間配線の始終
点であるプリミティブブロックの端子を自動配線する配
線層のグリッドに合うように前記プリミティブブロック
の端子位置を改良する。
遅延の悪化を抑え、ブロック間配線の配線長を短くし、
さらにブロック内配線の配線性を向上する配線処理方法
の提供。 【解決手段】ブロック内で閉じたプリミティブブロック
間の配線には、配線容量が大きい下層の配線層を優先的
に割り当て、ブロック間の配線では、配線容量の小さな
上層の配線層を優先的に割り当てて自動配線する、こと
を特徴とする。また、本発明は、ブロック間配線の始終
点であるプリミティブブロックの端子を自動配線する配
線層のグリッドに合うように前記プリミティブブロック
の端子位置を改良する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路に
関し、特にLSIチップのレイアウト工程における配線
処理方法及び方式に関する。
関し、特にLSIチップのレイアウト工程における配線
処理方法及び方式に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、LSIチップのレイアウト工程に
おいて、プリミティブブロック間の配線は、プリミティ
ブブロックを配置した後、プリミティブブロックの端子
と配線する他のプリミティブブロックの端子とをプリミ
ティブブロックの下地に近い下の配線層から使用し、配
線チャネルが足りなくなった場合には上の配線層の配線
チャネルを使用していた。
おいて、プリミティブブロック間の配線は、プリミティ
ブブロックを配置した後、プリミティブブロックの端子
と配線する他のプリミティブブロックの端子とをプリミ
ティブブロックの下地に近い下の配線層から使用し、配
線チャネルが足りなくなった場合には上の配線層の配線
チャネルを使用していた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】このため、従来の配線
処理方法においては、下の配線層は配線幅が細く、配線
容量が大きいため、配線が長くなればなるだけ遅延の悪
化率が大きくなり、遅延時間が増大する、という問題点
を有している。
処理方法においては、下の配線層は配線幅が細く、配線
容量が大きいため、配線が長くなればなるだけ遅延の悪
化率が大きくなり、遅延時間が増大する、という問題点
を有している。
【0004】なお、半導体集積回路のチャネル配線にお
ける配線容量の低減を図る配線構造として、例えば特開
平9−181182号公報には、配線チャネル領域の幹
線方向および支線方向に複数の配線層を有する半導体集
積回路の配線構造の幹線方向の複数層内における少なく
とも2層の上下に隣接する配線層の配線トラックはその
トラック間隔の半分だけ幹線と直交する支線方向にずら
した構成とし、幹線方向配線において各配線層は互いに
重なり合うことがなくなり、配線容量を低減するように
した構成が提案されている。しかしながら、上記公報に
提案されている配線構造は、専ら、配線層の間隔および
そのずらしを特徴としたものであり、後述する本発明の
構成とは全く相違したものである。
ける配線容量の低減を図る配線構造として、例えば特開
平9−181182号公報には、配線チャネル領域の幹
線方向および支線方向に複数の配線層を有する半導体集
積回路の配線構造の幹線方向の複数層内における少なく
とも2層の上下に隣接する配線層の配線トラックはその
トラック間隔の半分だけ幹線と直交する支線方向にずら
した構成とし、幹線方向配線において各配線層は互いに
重なり合うことがなくなり、配線容量を低減するように
した構成が提案されている。しかしながら、上記公報に
提案されている配線構造は、専ら、配線層の間隔および
そのずらしを特徴としたものであり、後述する本発明の
構成とは全く相違したものである。
【0005】したがって、本発明は、上記問題点に鑑み
てなされたものであって、その目的は、チップレイアウ
ト工程において、配線長による遅延の悪化を抑える配線
処理方法及び方式を提供することにある。
てなされたものであって、その目的は、チップレイアウ
ト工程において、配線長による遅延の悪化を抑える配線
処理方法及び方式を提供することにある。
【0006】また本発明の他の目的は、ブロック間配線
の配線長を短くし、さらにブロック内配線の配線性を向
上する配線処理方法及び方式を提供することにある。
の配線長を短くし、さらにブロック内配線の配線性を向
上する配線処理方法及び方式を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、LSIチップのレイアウト工程におい
て、ブロック内で閉じたプリミティブブロック間の配線
には、配線容量が大きい下層の配線層を優先的に割り当
て、ブロック間の配線では、配線容量の小さな上層の配
線層を優先的に割り当てて自動配線する、ことを特徴と
する。また、本発明は、ブロック間配線の始終点である
プリミティブブロックの端子を自動配線する配線層のグ
リッドに合うように前記プリミティブブロックの端子位
置を改良する。
め、本発明は、LSIチップのレイアウト工程におい
て、ブロック内で閉じたプリミティブブロック間の配線
には、配線容量が大きい下層の配線層を優先的に割り当
て、ブロック間の配線では、配線容量の小さな上層の配
線層を優先的に割り当てて自動配線する、ことを特徴と
する。また、本発明は、ブロック間配線の始終点である
プリミティブブロックの端子を自動配線する配線層のグ
リッドに合うように前記プリミティブブロックの端子位
置を改良する。
【0008】
【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施の形態につ
いて以下に説明する。本発明の配線処理方法は、その好
ましい実施の形態において、LSIチップのレイアウト
工程において、ブロック(マクロ)内に閉じたプリミテ
ィブブロック間の配線では、配線容量が大きい下の配線
層を優先的に割り当て、ブロック(マクロ)間の配線で
は、配線容量の小さな上の配線層を優先的に割り当てて
自動配線する。
いて以下に説明する。本発明の配線処理方法は、その好
ましい実施の形態において、LSIチップのレイアウト
工程において、ブロック(マクロ)内に閉じたプリミテ
ィブブロック間の配線では、配線容量が大きい下の配線
層を優先的に割り当て、ブロック(マクロ)間の配線で
は、配線容量の小さな上の配線層を優先的に割り当てて
自動配線する。
【0009】また、本発明の配線処理方法は、その好ま
しい実施の形態において、ブロック(マクロ)間配線の
始終点であるプリミティブブロックの端子を自動配線す
る配線層のグリッドに合うようにプリミティブブロック
の端子位置を改良するようにしたものである。
しい実施の形態において、ブロック(マクロ)間配線の
始終点であるプリミティブブロックの端子を自動配線す
る配線層のグリッドに合うようにプリミティブブロック
の端子位置を改良するようにしたものである。
【0010】
【実施例】上記した本発明の実施の形態についてさらに
詳細に説明すべく、本発明の実施例について図面を参照
して以下に説明する。
詳細に説明すべく、本発明の実施例について図面を参照
して以下に説明する。
【0011】LSIのチップレイアウトでは、同じブロ
ック内に配置されるプリミティブブロック間を配線する
ブロック内配線と、異なるブロック内に配置されるプリ
ミティブブロック間を配線するブロック間配線とに分け
られる。
ック内に配置されるプリミティブブロック間を配線する
ブロック内配線と、異なるブロック内に配置されるプリ
ミティブブロック間を配線するブロック間配線とに分け
られる。
【0012】以下では、図1に示した概略図を用いて、
本発明の一実施例を説明する。
本発明の一実施例を説明する。
【0013】図1を参照すると、LSIは、ブロック1
とブロック2の2つのブロックで構成され、ブロック1
内にはプリミティブブロック100とプリミティブブロ
ック200が存在し、ブロック2内にはプリミティブ3
00とプリミティブ400とが存在する。またブロック
1内に存在するプリミティブブロック100とプリミテ
ィブブロック200を配線するブロック内配線1、及び
ブロック2内に存在のプリミティブ300とプリミティ
ブ400を配線するブロック内配線3とブロック内配線
4、及びブロック1内に存在するプリミティブ200と
ブロック2内に存在するプリミティブ300を配線する
ブロック間配線2とで構成される。
とブロック2の2つのブロックで構成され、ブロック1
内にはプリミティブブロック100とプリミティブブロ
ック200が存在し、ブロック2内にはプリミティブ3
00とプリミティブ400とが存在する。またブロック
1内に存在するプリミティブブロック100とプリミテ
ィブブロック200を配線するブロック内配線1、及び
ブロック2内に存在のプリミティブ300とプリミティ
ブ400を配線するブロック内配線3とブロック内配線
4、及びブロック1内に存在するプリミティブ200と
ブロック2内に存在するプリミティブ300を配線する
ブロック間配線2とで構成される。
【0014】図2は、本発明の一実施例を説明するため
の図であり、各配線層を、配線方向、配線幅、配線層の
重み付けについて表形式でまとめたものである。図3
は、本発明の一実施例の処理フローを説明するための流
れ図である。図1乃至図3を参照して、本発明の一実施
例の動作について説明する。
の図であり、各配線層を、配線方向、配線幅、配線層の
重み付けについて表形式でまとめたものである。図3
は、本発明の一実施例の処理フローを説明するための流
れ図である。図1乃至図3を参照して、本発明の一実施
例の動作について説明する。
【0015】図2を参照すると、チップの配線層が第1
層から第4層までで構成され、このうち、横軸配線は、
第1層、第3層で行い、縦軸配線は第2層、第4層で行
われる。また第1層、第2層の配線幅は細幅配線であ
り、第3層、第4層は太幅配線をある。
層から第4層までで構成され、このうち、横軸配線は、
第1層、第3層で行い、縦軸配線は第2層、第4層で行
われる。また第1層、第2層の配線幅は細幅配線であ
り、第3層、第4層は太幅配線をある。
【0016】配線層の重み付けとしては、第1層、第2
層はブロック内配線優先であり、第3層、第4層はブロ
ック間配線優先である。
層はブロック内配線優先であり、第3層、第4層はブロ
ック間配線優先である。
【0017】図3の流れ図を参照して、本発明の一実施
例のLSIチップレイアウトの処理フローについて説明
する。
例のLSIチップレイアウトの処理フローについて説明
する。
【0018】接続情報から全ネットをブロック内接続と
ブロック間接続とに分類する(ステップS1)。
ブロック間接続とに分類する(ステップS1)。
【0019】全プリミティブブロックを接続情報を基に
配置する(ステップS2)。
配置する(ステップS2)。
【0020】ステップS1で分類されたブロック間接続
の始終点であるプリミティブブロックの端子から第3層
の配線層、または第4層の配線層に直接引き出し配線出
来るように、プリミティブブロックの端子位置を概略配
線、及び、配線層の重み付けから(図2参照)、第3層
の配線層、または第4層の配線層のグリッドに改良移動
する(ステップS3)。
の始終点であるプリミティブブロックの端子から第3層
の配線層、または第4層の配線層に直接引き出し配線出
来るように、プリミティブブロックの端子位置を概略配
線、及び、配線層の重み付けから(図2参照)、第3層
の配線層、または第4層の配線層のグリッドに改良移動
する(ステップS3)。
【0021】配線層の重み付け(図2参照)からブロッ
ク間接続のみを行う(ステップ)S4)。
ク間接続のみを行う(ステップ)S4)。
【0022】配線層の重み付け(図2参照)から、ブロ
ック内配線のみを行う(ステップS5)。
ック内配線のみを行う(ステップS5)。
【0023】図1乃至図3を参照して、ステップS3、
S4、S5についてさらに説明する。
S4、S5についてさらに説明する。
【0024】LSIチップレイアウトのプリミティブブ
ロック間の配線を行うには、ステップS4、S5で、図
2に示した配線層の重み付けの項に従って配線する。
ロック間の配線を行うには、ステップS4、S5で、図
2に示した配線層の重み付けの項に従って配線する。
【0025】プリミティブブロック200とプリミティ
ブブロック300との配線2は、横軸方向の配線であ
り、且つ、ブロック間配線であるため、ステップS4
で、第3層の配線層が優先的に割り当てられて配線す
る。
ブブロック300との配線2は、横軸方向の配線であ
り、且つ、ブロック間配線であるため、ステップS4
で、第3層の配線層が優先的に割り当てられて配線す
る。
【0026】ステップS3で、プリミティブブロック2
00、及び、プリミティブブロック300の端子は第3
層の配線層のグリッドに改良移動してあるため、第3層
の配線層に直接引き出しが出来、且つ、第3層の配線層
を優先的に使用した配線ができる。
00、及び、プリミティブブロック300の端子は第3
層の配線層のグリッドに改良移動してあるため、第3層
の配線層に直接引き出しが出来、且つ、第3層の配線層
を優先的に使用した配線ができる。
【0027】プリミティブブロック100とプリミティ
ブブロック200との配線1は、横軸方向の配線であ
り、且つ、ブロック内配線であるため、ステップS5
で、第1層の配線層が優先的に割り当てられて配線す
る。
ブブロック200との配線1は、横軸方向の配線であ
り、且つ、ブロック内配線であるため、ステップS5
で、第1層の配線層が優先的に割り当てられて配線す
る。
【0028】プリミティブブロック300とプリミティ
ブブロック400との配線である配線3と配線4は、ブ
ロック内配線であり、且つ、配線3は横軸配線、配線4
は縦軸配線であることから、それぞれ、第1層と第2層
の配線層が、ステップS5で優先的に割り当てられて配
線される。
ブブロック400との配線である配線3と配線4は、ブ
ロック内配線であり、且つ、配線3は横軸配線、配線4
は縦軸配線であることから、それぞれ、第1層と第2層
の配線層が、ステップS5で優先的に割り当てられて配
線される。
【0029】遅延は配線の配線幅が細い場合には、配線
幅が太い場合と比べ、配線長による遅延の悪化率は大き
くなる。
幅が太い場合と比べ、配線長による遅延の悪化率は大き
くなる。
【0030】通常、LSIチップのレイアウトにおい
て、同一ブロック内のプリミティブブロック間のそれぞ
れの配線長は、異なるブロック内のプリミティブブロッ
ク間のそれぞれの配線よりも配線長が短い。
て、同一ブロック内のプリミティブブロック間のそれぞ
れの配線長は、異なるブロック内のプリミティブブロッ
ク間のそれぞれの配線よりも配線長が短い。
【0031】このため、本実施例のように、配線長が長
くなるブロック間配線を優先的に配線幅の太い配線層に
割り当てることにより、配線長による遅延の悪化率を抑
えることが出来る。
くなるブロック間配線を優先的に配線幅の太い配線層に
割り当てることにより、配線長による遅延の悪化率を抑
えることが出来る。
【0032】またブロック間配線の始終点であるプリミ
ティブブロックの端子位置を、ブロック間配線に割り当
てた配線層のグリッドに合わせることにより、ブロック
間配線の配線長を短くすることが可能であり、且つ、ブ
ロック内配線の配線チャネルを使用しないため、ブロッ
ク内配線の配線性も向上させる事が出来る。
ティブブロックの端子位置を、ブロック間配線に割り当
てた配線層のグリッドに合わせることにより、ブロック
間配線の配線長を短くすることが可能であり、且つ、ブ
ロック内配線の配線チャネルを使用しないため、ブロッ
ク内配線の配線性も向上させる事が出来る。
【0033】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば下
記記載の効果を奏する。
記記載の効果を奏する。
【0034】本発明の第一の効果は、配線長が長くなる
ブロック間配線を優先的に配線幅の太い配線層に割り当
てることにより、配線長による遅延の悪化を抑えること
ができる、ということである。
ブロック間配線を優先的に配線幅の太い配線層に割り当
てることにより、配線長による遅延の悪化を抑えること
ができる、ということである。
【0035】本発明の第二の効果は、ブロック間配線の
始終点であるプリミティブブロックの端子位置を、ブロ
ック間配線に割り当てた配線層のグリッドに合わせるこ
とにより、ブロック間配線の配線長を短くすることが可
能であり、且つ、ブロック内配線の配線チャネルを使用
しないために、ブロック内配線の配線性を向上させるこ
とが出来る、ということである。
始終点であるプリミティブブロックの端子位置を、ブロ
ック間配線に割り当てた配線層のグリッドに合わせるこ
とにより、ブロック間配線の配線長を短くすることが可
能であり、且つ、ブロック内配線の配線チャネルを使用
しないために、ブロック内配線の配線性を向上させるこ
とが出来る、ということである。
【図1】本発明の一実施例を説明するためのレイアウト
概略図である。
概略図である。
【図2】本発明の一実施例を説明するための図である。
【図3】本発明の一実施例の処理フローを説明するため
の流れ図である。
の流れ図である。
100,200、300、400 プリミティブブロッ
ク
ク
Claims (6)
- 【請求項1】LSIチップのレイアウト工程において、 ブロック内の配線には、配線容量が大きい微細配線を優
先的に割り当て、ブロック間の配線では、配線容量の小
さな太幅配線を優先的に割り当てることで自動配線す
る、ことを特徴とする配線処理方法。 - 【請求項2】LSIチップのレイアウト工程において、 ブロック内で閉じたプリミティブブロック間の配線に
は、配線容量が大きい下層の配線層を優先的に割り当
て、ブロック間の配線では、配線容量の小さな上層の配
線層を優先的に割り当てることで自動配線する、ことを
特徴とする配線処理方法。 - 【請求項3】ブロック間配線の始終点であるプリミティ
ブブロックの端子を自動配線する配線層のグリッドに合
うように前記プリミティブブロックの端子位置を必要に
応じて移動することで改良する、ことを特徴とする請求
項1又は2記載の配線処理方法。 - 【請求項4】LSIチップのレイアウト工程において、
ブロック内配線とブロック間配線とで配線層の重み付け
を変え、該配線層の重み付け情報から、ブロック内で閉
じたプリミティブブロック間の配線には、配線容量が大
きい下層の配線層を優先的に割り当て、ブロック間の配
線では、配線容量の小さな上層の配線層を優先的に割り
当て、且つ、ブロック間配線の始終点であるプリミティ
ブブロックの端子を、自動配線する配線層のグリッドに
合うように前記プリミティブブロックの端子位置を移動
修正する、ことを特徴とする配線処理方法。 - 【請求項5】ブロック内配線とブロック間配線とで配線
層の重み付けを変え、 (a)接続情報から全ネットをブロック内接続とブロッ
ク間接続とに分類する工程と、 (b)ブロック内のプリミティブブロックを接続情報を
基に配置する工程と、 (c)分類されたブロック間接続の始終点であるプリミ
ティブブロックの端子を自動配線する配線層のグリッド
に合うように、前記プリミティブブロックの端子位置を
移動する工程と、 (d)配線層に関する重み付け情報から、配線容量の小
さな上の配線層を優先的に割り当ててブロック間接続を
行う工程と、 (e)配線層に関する重み付け情報から、ブロック内で
閉じたプリミティブブロック間の配線では、配線容量が
大きい下の配線層を優先的に割り当てブロック内配線を
行う工程、 を含むことを特徴とする配線処理方法。 - 【請求項6】LSIチップのレイアウト方式において、 ブロック内で閉じたプリミティブブロック間の配線に
は、配線容量が大きい下層の配線層を優先的に割り当
て、ブロック間の配線では、配線容量の小さな上層の配
線層を優先的に割り当てて自動配線する手段と、 ブロック間配線の始終点であるプリミティブブロックの
端子を自動配線する配線層のグリッドに合うように前記
プリミティブブロックの端子位置を必要に応じて移動修
正する手段と、 を備えたことを特徴とする配線処理方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10082848A JPH11260930A (ja) | 1998-03-13 | 1998-03-13 | 配線処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10082848A JPH11260930A (ja) | 1998-03-13 | 1998-03-13 | 配線処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11260930A true JPH11260930A (ja) | 1999-09-24 |
Family
ID=13785810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10082848A Pending JPH11260930A (ja) | 1998-03-13 | 1998-03-13 | 配線処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11260930A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6891261B2 (en) | 2000-12-06 | 2005-05-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
-
1998
- 1998-03-13 JP JP10082848A patent/JPH11260930A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6891261B2 (en) | 2000-12-06 | 2005-05-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US7112527B2 (en) | 2000-12-06 | 2006-09-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Manufacturing method for short distance wiring layers and long distance wiring layers in a semiconductor device |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20001024 |