JPH11264952A - 光走査装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 被走査面上で印字条件に適応したスポット形
状を形成し、また同一の光偏向器を用いてもスポット形
状を変化させることができる光走査装置を得ること。 【解決手段】 光源手段１ａから射出された光束を第１
の光学系１ｂにより主走査断面内において略平行光束に
して光偏向器３に導光し、該光偏向器で反射偏向された
光束を第２の光学系４により被走査面５上に導光し、該
被走査面上を光走査する光走査装置において、該第１の
光学系によって形成される光束の光束幅は主走査断面内
において、該光偏向器の偏向面の幅より広くなるように
形成され、該光偏向器の偏向面の反射率は該偏向面内で
不均一となるように設定されていること。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光走査装置に関し、
特に光源手段から光変調され射出した光束を回転多面鏡
より成る光偏向器で反射偏向させた後、ｆθ特性を有す
る走査光学手段を介して被走査面上を光走査して画像情
報を記録するようにした、例えば電子写真プロセスを有
するレーザービームプリンタやデジタル複写機等の装置
に好適な光走査装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より光偏向器として回転多面鏡（以
下「ポリゴンミラー」とも称す。）を用いて、半導体レ
ーザー等の光源手段から光変調され射出した光束（光ビ
ーム）を反射偏向させ、感光性の記録媒体面上を光走査
して画像情報を記録する光走査装置が、例えばレーザー
ビームプリンタやデジタル複写機等のプリンター部に多
く利用されている。

【０００３】このようにポリゴンミラーによって光束を
反射偏向させ被走査面（記録媒体面）上を光走査する場
合、大きく分けて以下に示す２つの走査方式に分類する
ことができる。

【０００４】ポリゴンミラーの各偏向面（以下「ファ
セット」とも称す。）の副走査方向の幅よりも細い光束
を用いて走査を行う走査方式。

【０００５】ファセットの主走査方向の幅よりも広い
光束をポリゴンミラーに入射させて走査を行う走査方
式。

【０００６】の走査方式においてポリゴンミラーで反
射偏向される光束の径はポリゴンミラーに入射する光束
の径と略同一であり、またこの径は光源とポリゴンミラ
ーとの間に設けられた開口（アパーチャ）の形状で決定
される。

【０００７】の走査方式においてポリゴンミラーで反
射偏向される光束の径はポリゴンミラーのファセットの
主走査方向の幅で制限され、また該ファセット外に照射
された光束はそのファセットの前後のファセットにより
走査とは無効な領域に反射偏向された後、遮光される。

【０００８】図１２は上記の走査方式においてポリゴ
ンミラーで反射偏向される光束の様子を示した説明図で
ある。

【０００９】同図において２０は光源ユニット（不図
示）から後述するポリゴンミラー３０に入射する入射光
束であり、ｗは該入射光束２０の主走査方向の幅（径）
である。３０はポリゴンミラーであり、正多角形の各辺
に当る部分が偏向面（鏡面）となっており、この偏向面
を上記の如くファセットと称す。３１は現在、感光ドラ
ム（不図示）面上に光束を導くために使用中のファセッ
トであり、３２はその前側、即ち既に走査を終えたファ
セットであり、３３はその後ろ側、即ち次の走査を行う
ファセットである。２１はファセット３１によって反射
偏向された反射光束であり、ポリゴンミラー３０が回転
中心Ｃの廻りを矢印Ｒ方向に回転することにより、矢印
Ｓ方向に偏向走査される。ａは反射光束２１の主走査方
向の幅（径）である。

【００１０】同図より明らかなように反射光束２１の径
ａはファセットの幅によって制限されており、光源ユニ
ット（不図示）からの入射光束２０の幅ｗにはよらな
い。

【００１１】ここでポリゴンミラー３０で反射偏向され
た反射光束２１の幅ａを入射光束２０の幅ｗと同じとし
た場合、前述の及びの走査方式では、の走査方式
の方が各ファセットの大きさを数分の１まで小さくで
き、この為同一径のポリゴンミラーにおいては多数のフ
ァセットを有することができる。即ち、このことはポリ
ゴンミラーの１回転における光走査の数を増加させるこ
とであり、高速な走査が要求される、例えば高速プリン
タや高走査線密度プリンタに、より適した走査方式であ
ると言える。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながらの走査
方式においては光束の形状がポリゴンミラー３０のファ
セットによって決定される為、自由度が少ないという問
題点がある。即ち、ポリゴンミラー３０で反射偏向され
る反射光束の形状は常に該ポリゴンミラー３０のファセ
ット幅で両側をシャープに切断された形になる為、この
結果、矩形に近いビーム断面となり、例えばこの光束を
感光ドラム面上に結像させた場合、サイドローブの肥大
が生じる、あるいはスポット形状（スポット径）をプリ
ンタの特性に応じて変化させることができないという問
題点がある。

【００１３】本発明は第１の光学系によって形成される
光束の光束幅を主走査断面内において光偏向器の偏向面
の幅より広くなるように形成し、かつ該偏向面の反射率
を該偏向面内の主走査方向で異なる分布となるように設
定することにより、被走査面上で印字条件に適応したス
ポット形状（スポット径）を形成することができ、また
該偏向面の主走査方向の反射率を該偏向面内の副走査方
向で異なる分布とし、かつ該偏向面に対する光束の入射
位置と該偏向面の位置とを副走査方向に相対的に可変と
なるように構成することにより、同一の光偏向器を用い
てもスポット形状を変化させることができる光走査装置
の提供を目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明の光走査装置は、
(1) 光源手段から射出された光束を第１の光学系により
主走査断面内において略平行光束にして光偏向器に導光
し、該光偏向器で反射偏向された光束を第２の光学系に
より被走査面上に導光し、該被走査面上を光走査する光
走査装置において、該第１の光学系によって形成される
光束の光束幅は主走査断面内において、該光偏向器の偏
向面の幅より広くなるように形成され、該光偏向器の偏
向面の反射率は該偏向面内で不均一となるように設定さ
れていることを特徴としている。

【００１５】特に(1-1) 前記偏向面の主走査方向の反射
率は、中心部より周辺部で低下するように設定されてい
ることや、(1-2) 前記偏向面の主走査方向の周辺部の反
射率は、中心部の反射率に対し６０％以下となるように
設定されていることや、(1-3) 前記偏向面の主走査方向
の反射率は、該偏向面で反射偏向される光束の略中心に
強度極小値を持つように設定されていることや、(1-4)
前記偏向面の主走査方向の反射率を該偏向面内の副走査
方向で異なる分布となるように設定し、かつ該偏向面に
対する光束の入射位置と該偏向面の位置とが副走査方向
に相対的に可変となるように構成していることや、(1-
5) 前記偏向面の周辺部では反射部の領域が副走査方向
に変化していることや、(1-6) 前記偏向面の周辺部には
光吸収部が設けられており、該光吸収部の領域が副走査
方向に変化していることや、(1-7) 前記偏向面の陵部が
副走査方向に斜めに面取りされていること、等を特徴と
している。

【００１６】

【発明の実施の形態】（実施形態１）図１は本発明の実
施形態１の光学系の要部概略図、図２は図１に示した光
偏向器の複数の偏向面のうちの１つの偏向面の外観図で
ある。

【００１７】同図において１ａは光源手段であり、例え
ば半導体レーザーより成っている。１ｂは正の屈折力を
有する第１の光学系としてのコリメーターレンズであ
り、例えば光源手段１ａから射出された光束（光ビー
ム）を略平行光束にしている。１ｃはアパーチャー（絞
り）であり、光束の外径を制限している。尚、半導体レ
ーザー１ａ、コリメーターレンズ１ｂ、そしてアパーチ
ャ１ｃの等の各要素は光源ユニット１の一要素を構成し
ている。本実施形態ではこの光源ユニット１を射出した
光束の光束幅を主走査断面内において後述する光偏向器
３の偏向面３ａの幅より広くなるように形成しており、
これにより回転のために光偏向器３の偏向面３ａが所定
量移動しても、該偏向面３ａが光束から外れないように
設定している。

【００１８】２はシリンドリカルレンズ（シリンダレン
ズ）であり、副走査断面内に所定の屈折力を有してお
り、アパーチャー１ｃを通過した光束を副走査断面内で
光偏向器３の偏向面３ａにほぼ線像（主走査方向に長手
の線像）として結像させている。

【００１９】３は光偏向器であり、多角柱の壁面が偏向
面（鏡面）より成る、例えばポリゴンミラー（回転多面
鏡）より成っており、ポリゴンモータ等の駆動手段（不
図示）により図中矢印Ａ方向に一定速度で回転してい
る。本実施形態ではポリゴンミラー３のファセット（偏
向面）３ａの反射率を該ファセット３ａ内で不均一とな
るように設定している。即ちファセット３ａの主走査方
向の光源波長に対する反射率を中心部３ａ１より周辺部
３ａ２で低下するように設定しており、かつ該ファセッ
ト３ａの主走査方向の周辺部３ａ２の反射率を中心部３
ａ１の反射率に対し６０％以下となるように設定してい
る。

【００２０】４は第２の光学系であり、プラスチック非
球面を用いたアナモフィックな単一のレンズ（走査レン
ズ）より成り、ポリゴンミラー３のファセット３ａによ
って反射偏向された画像情報に基づく光束を被走査面と
しての感光ドラム面５上に結像させている。この走査レ
ンズ４は主走査面内において等角速度で偏向して入射す
る光束を感光ドラム面５上に等速で移動するスポットに
結像する、所謂ｆθ特性を有しており、副走査面内にお
いてはシリンドリカルレンズ２によって、この面内に集
光した光束、あるいはこの光束で照明される偏向面３ａ
と感光ドラム面５とを結像関係にする、所謂倒れ補正機
能を有している。

【００２１】本実施形態において半導体レーザー１ａよ
り射出した光束はコリメーターレンズ１ｂにより略平行
光束とされ、アパーチャー１ｃによって光束の外径が制
限され、シリンドリカルレンズ２に入射する。シリンド
リカルレンズ２に入射した略平行光束のうち主走査断面
内においてはそのまま光の状態で射出する。また副走査
断面内においては収束してポリゴンミラー３のファセッ
ト３ａにほぼ線像（主走査方向に長手の線像）として結
像している。そしてポリゴンミラー３のファセット３ａ
で反射偏向された光束は走査レンズ（ｆθレンズ）４を
介して感光ドラム面５上にスポット状に結像され、該ポ
リゴンミラー３を矢印Ａ方向に回転させることによっ
て、該感光ドラム面５上を矢印Ｂ方向（主走査方向）に
光走査している。これにより記録媒体としての感光ドラ
ム面５上に画像記録を行なっている。

【００２２】本実施形態においては図２に示すようにポ
リゴンミラー３のファセット３ａの主走査方向の光源波
長に対する反射率を中心部（明部）３ａ１より周辺部
（暗部）３ａ２で低下するように設定している。即ち、
本実施形態ではポリゴンミラー３のファセット３ａの反
射率が全面において一定ではなく、該ファセット３ａの
主走査方向の中央部３ａ１で反射率が高く、周辺部３ａ
２で徐々に低くなるように設定している。この反射率の
変化は異なる物質の蒸着、膜厚の制御、遮光塗料の塗布
等で実現することができる。

【００２３】図３はポリゴンミラー３のファセット３ａ
で反射偏向された反射光束の強度分布を示した説明図で
あり、縦軸は反射率、横軸は光束内部の主走査方向の位
置を示している。

【００２４】同図において点線Ａはファセット内で反射
率が一定な従来のポリゴンミラーを用いた場合の反射光
束の強度分布であり、実線Ｂ，Ｃが本実施形態を適用し
た場合の反射光束の強度分布である。

【００２５】図４（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）は各々図３で
示した強度分布を有する反射光束を同一の走査レンズに
より感光ドラム面上に各々結像させた場合の主走査方向
のスポット強度分布の断面を示した説明図である。

【００２６】同図（Ａ）は図３における点線Ａで示した
強度分布を有する反射光束によって形成されるスポット
を示しており、この場合、中央の極大、所謂メインロー
ブの両側に各々別の極値、所謂サイドローブが出現して
いる。このサイドローブの高さは光束内の主走査方向の
強度分布がほぼ一定の場合、スポットの最大強度に対し
約５％に達し、光走査系の適用対象によっては印字部に
隣接した非印字部、あるいは近接した印字ドットの中間
部で十分に露光が下がらずに、コントラストが低下し、
その結果、画質を著しく低下させることとなる。

【００２７】これに対し本実施形態、例えば図３におけ
る実線Ｂにおいてはファセットの主走査方向の反射率を
中心部に対し周辺部で低下させ、かつ反射光束の主走査
方向の周辺強度を中央強度に対し約６０％程度に落と
し、又、図３における実線Ｃの如く周辺強度をほぼ０と
するように構成しているため、スポットの強度分布はそ
れぞれ同図（Ｂ），（Ｃ）に示す如くになる。このとき
のサイドローブの高さは最大強度に対し３％以下とな
り、実用上サイドローブの影響はなくなる。

【００２８】即ち、ファセットで反射偏向される反射光
束は主走査方向において周辺部がなだらかに減少する、
いわばガウス分布に近づく為、この反射光束が結像した
場合に生じるサイドローブを抑制することができる。

【００２９】このように本実施形態においては上述の如
くポリゴンミラー３のファセット３ａの反射率を全面に
おいて一定ではなく、該ファセット３ａの主走査方向の
中央部３ａ１で反射率が高く、周辺部３ａ２で徐々に低
くなるように設定することにより、実用上、サイドロー
ブの影響をなくすことができ、これにより被走査面上で
良好なるスポット形状を形成することができる。

【００３０】（実施形態２）図５は本発明の実施形態２
におけるポリゴンミラーのファセットを示す説明図であ
る。

【００３１】本実施形態において前述の実施形態１と異
なる点はポリゴンミラーのファセットの主走査方向の光
源波長に対する反射率を、該ファセットで反射偏向され
る光束の略中心に強度極小値を持つように設定したこと
である。その他の構成及び光学的作用は実施形態１と略
同様であり、これにより同様な効果を得ている。

【００３２】即ち、本実施形態ではポリゴンミラーのフ
ァセット５３ａの反射率が全面において一定ではなく、
該ファセット５３ａの主走査方向の光源波長に対する反
射率を周辺部（明部）５３ａ２より中央部（暗部）５３
ａ１で低くなるように設定している。

【００３３】図６はこのファセットで反射偏向された反
射光束の強度分布を示した説明図であり、縦軸は反射
率、横軸は光束内部の主走査方向の位置を示している。

【００３４】図７は図６で示した強度分布を有する反射
光束を走査レンズにより感光ドラム面上に結像させた場
合の主走査方向のスポット強度分布の断面を示した説明
図である。

【００３５】本実施形態によればスポットのサイドロー
ブの高さは図７に示すように従来例（図４（Ａ））に対
し増大するが、メインローブの直径は小さくなる。この
ようなスポット（超解像スポット）は、例えば一定量以
上の露光が生じた場合のみに印字が行われるような画像
形成法では解像力の向上に効果を生むことができる。

【００３６】（実施形態３）図８は本発明の実施形態３
におけるポリゴンミラーのファセットを示す説明図であ
る。

【００３７】本実施形態において前述の実施形態１と異
なる点はポリゴンミラーのファセットの主走査方向の光
源波長に対する反射率（反射率分布）を、該ファセット
内の副走査方向で異なる分布となるように設定し、かつ
該ファセットに対する光束の入射位置と該ファセット
（ポリゴンミラー）の位置とが副走査方向に相対的に可
変となるように構成したことである。その他の構成及び
光学的作用は実施形態１と略同様であり、これにより同
様な効果を得ている。

【００３８】即ち、本実施形態では同図で示すようにポ
リゴンミラーのファセット８３ａの反射率が全面におい
て一定ではなく、該ファセット８３ａの主走査方向の光
源波長に対する反射率を周辺部（暗部）８３ａ２より中
央部（明部）８３ａ１で高くなるように設定し、かつ該
ファセット８３ａの上部から下部に向かって（副走査方
向に）周辺部８３ａ２での反射部（低減部）８３ｂの領
域が小さくなるように形成し、逆に下部から上部に向か
って周辺部８３ａ２での反射部８３ｂの領域が大きくな
るように形成し、かつ該ファセット８３ａに対する光束
の入射位置と該ファセット８３ａの位置とが副走査方向
に相対的に可変となるように構成している。

【００３９】同図においてＡ、Ｂは各々このファセット
８３ａに入射する光束である。光束Ａは同図に示すよう
にファセット８３ａの上部に入射し反射偏向されるた
め、反射光束の強度分布は端部での光量低下が光束Ｂに
比して大きくなる。光束Ｂはファセット８３ａの下部に
入射し反射偏向されるため、反射光束の強度分布は端部
での光量低下が光束Ａに比して少ない。例えばこれら光
束Ａ，Ｂが同一の走査レンズを介して感光ドラム面上に
結像した場合、図９に示す如く光束Ａによるスポット径
は光束Ｂによるスポット径に対し肥大する。

【００４０】従来の全面に一様な反射率を持ったファセ
ット、あるいは前述の実施形態１，２のようにスポット
径の大きさがファセットによってほぼ決定されるような
場合は、該スポット径の大きさを変化させることができ
ないが、本実施形態によるポリゴンミラーを用いて、該
ポリゴンミラーのファセット８３ａに対する光束の入射
位置と該ファセット８３ａの位置とが副走査方向に相対
的に可変となるように構成すれば、スポット径（スポッ
ト形状）の変更を行うことができる。

【００４１】例えば解像度の切替え可能な印字装置に本
実施形態によるポリゴンミラーを適用する場合には、上
述の如くポリゴンミラーのファセット８３ａに対する光
束の入射位置と該ファセット８３ａの位置とを副走査方
向に相対的に可変となるように構成することにより、例
えば解像度が高い印字を得る場合には光束をファセッッ
ト８３ａの下部に入射させ、逆に解像度が低い印字を得
る場合には光束をファセットの上部に入射させるように
すれば、解像度に応じてスポット径の変更を実現するこ
とができる。

【００４２】（実施形態４）図１０は本発明の実施形態
４におけるポリゴンミラーのファセットを示す説明図で
ある。

【００４３】本実施形態において前述の実施形態３と異
なる点は前述の実施形態３では同一のポリゴンミラーを
用いたスポット形状（スポット径）の変更を、連続的に
変化する反射率分布を主走査方向及び副走査方向に設け
ることによって行なったが、本実施形態では不連続に変
化する反射率分布を用いている。その他の構成及び光学
的作用は実施形態３と略同様であり、これにより同様な
効果を得ている。

【００４４】即ち、同図において１０ｂは周辺部（黒
部）１０ａ２に設けた光吸収部であり、該ファセット１
０ａの上部から下部に向かって（副走査方向に）領域１
０ａ２が小さくなるように形成している。この光吸収部
１０ｂはファセット１０ａ上に遮光塗料などで形成され
ている。Ａ，Ｂは各々このファセット１０ａに入射する
光束である。光束Ａは同図に示すようにファセット１０
ａの上部に入射し反射偏向されるため、その反射光束の
幅はＷａとなり、光束Ｂはファセット１０ａの下部に入
射し反射偏向されるため、反射光束の幅はＷｂとなる。

【００４５】このファセット１０ａで反射偏向された反
射光束を同一の走査レンズを用いて感光ドラム面上に結
像させた場合、結像スポット（スポット径）の大きさは
反射光束の幅に反比例するため、光束Ａによるスポット
径は光束Ｂによるスポット径に対して肥大する。ゆえに
本実施形態によるポリゴンミラーを例えば解像度の切り
替え可能な印字装置に適用するときには、ポリゴンミラ
ーのファセット１０ａに対する光束の入射位置と該ファ
セット１０ａの位置とを副走査方向に相対的に可変とな
るように構成することにより、前述の実施形態３と同様
にスポット径の変更を容易に行うことができる。

【００４６】図１１は本発明の実施形態５におけるポリ
ゴンミラーの要部概略図である。

【００４７】本実施形態において前述の実施形態４と異
なる点は前述の実施形態４では反射光束の幅の変更をフ
ァセット上に形成した光吸収部で行ったが、本実施形態
ではこの部分を機械的に削除し、ここでの反射光束が走
査レンズに入射しないように構成したことである。その
他の構成及び光学的作用は実施形態４と略同様であり、
これにより同様な効果を得ている。

【００４８】即ち、本実施形態では同図に示すようにポ
リゴンミラー１１３の各ファセット１１３ａの陵部１１
３ｂを副走査方向に斜めに面取りして、該ファセット１
１３ａの形状を台形にすることにより、前述の実施形態
４と同様な効果を得ている。

【００４９】

【発明の効果】本発明によれば前述の如く第１の光学系
によって形成される光束の光束幅を主走査断面内におい
て光偏向器の偏向面の幅より広くなるように形成し、か
つ該偏向面の反射率を該偏向面内の主走査方向で異なる
分布となるように設定することにより、被走査面上で印
字条件に適応したスポット形状（スポット径）を形成す
ることができ、また該偏向面の主走査方向の反射率を該
偏向面内の副走査方向で異なる分布とし、かつ該偏向面
に対する光束の入射位置と該偏向面の位置とを副走査方
向に相対的に可変となるように構成することにより、同
一の光偏向器を用いてもスポット形状を変化させること
ができる光走査装置を達成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施形態１の要部概略図

【図２】 本発明の実施形態１におけるポリゴンミラー
のファセットの外観図

【図３】 本発明の実施形態１に係る反射光束の強度分
布を示した分布図

【図４】 本発明の実施形態１に係るスポットの形状を
示した説明図

【図５】 本発明の実施形態２におけるポリゴンミラー
のファセットの外観図

【図６】 本発明の実施形態２に係る反射光束の強度分
布を示した分布図

【図７】 本発明の実施形態２に係るスポットの形状を
示した説明図

【図８】 本発明の実施形態３におけるポリゴンミラー
のファセットの外観図

【図９】 本発明の実施形態３に係る反射光束の強度分
布を示した分布図

【図１０】 本発明の実施形態４におけるポリゴンミラ
ーのファセットの外観図

【図１１】 本発明の実施形態５におけるポリゴンミラ
ーの外観図

【図１２】 従来の光走査装置においてポリゴンミラー
で反射偏向される光束の様子を示した説明図

【符号の説明】

１ 光源ユニット １ａ 光源手段（半導体レーザ） １ｂ 第１の光学系（コリメーターレンズ） １ｃ アパーチャ ２ シリンドリカルレンズ ３ 光偏向器（ポリゴンミラー） ３ａ 偏向面（ファセット） ４ 第２の光学系（走査レンズ） ５ 被走査面（感光ドラム面） ５３ａ，８３ａ，１０ａ，１１３ａ 偏向面（ファセッ
ト） １１３ 光偏向器（ポリゴンミラー）

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光源手段から射出された光束を第１の光
   学系により主走査断面内において略平行光束にして光偏
   向器に導光し、該光偏向器で反射偏向された光束を第２
   の光学系により被走査面上に導光し、該被走査面上を光
   走査する光走査装置において、 該第１の光学系によって形成される光束の光束幅は主走
   査断面内において、該光偏向器の偏向面の幅より広くな
   るように形成され、 該光偏向器の偏向面の反射率は該偏向面内で不均一とな
   るように設定されていることを特徴とする光走査装置。
2. 【請求項２】 前記偏向面の主走査方向の反射率は、中
   心部より周辺部で低下するように設定されていることを
   特徴とする請求項１記載の光走査装置。
3. 【請求項３】 前記偏向面の主走査方向の周辺部の反射
   率は、中心部の反射率に対し６０％以下となるように設
   定されていることを特徴とする請求項２記載の光走査装
   置。
4. 【請求項４】 前記偏向面の主走査方向の反射率は、該
   偏向面で反射偏向される光束の略中心に強度極小値を持
   つように設定されていることを特徴とする請求項１記載
   の光走査装置。
5. 【請求項５】 前記偏向面の主走査方向の反射率を該偏
   向面内の副走査方向で異なる分布となるように設定し、
   かつ該偏向面に対する光束の入射位置と該偏向面の位置
   とが副走査方向に相対的に可変となるように構成してい
   ることを特徴とする請求項２又は３記載の光走査装置。
6. 【請求項６】 前記偏向面の周辺部では反射部の領域が
   副走査方向に変化していることを特徴とする請求項５記
   載の光走査装置。
7. 【請求項７】 前記偏向面の周辺部には光吸収部が設け
   られており、該光吸収部の領域が副走査方向に変化して
   いることを特徴とする請求項５記載の光走査装置。
8. 【請求項８】 前記偏向面の陵部が副走査方向に斜めに
   面取りされていることを特徴とする請求項５記載の光走
   査装置。