JPH11265155A

JPH11265155A - 平面型表示装置用基板

Info

Publication number: JPH11265155A
Application number: JP10068971A
Authority: JP
Inventors: Yoshihisa Mizutani; 嘉久水谷; Hirosaku Yamada; 啓作山田; Mitsushi Ikeda; 光志池田
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1998-03-18
Filing date: 1998-03-18
Publication date: 1999-09-28

Abstract

(57)【要約】【課題】プラスチック基板を用いて平面型表示装置を
作成する際に、プラスチック基板とマトリックスアレイ
部を隔てるアンダーコート膜として、プラスチック基板
との界面での強い結合力を保持しつつ、可視光に対し透
明でかつ絶縁性の良いアンダーコート膜を得ることを目
的とする。【解決手段】プラスチック基板上にＡｌ，Ｔｉ，Ｔａ
等の金属被膜によって被覆した後、陽極酸化法等により
これらの金属被膜を酸化物に変化させた膜をアンダーコ
ート膜として用いる。段階的エッチングにより酸化物内
に金属被膜を残存させることもできる。プラスチック基
板上に透明導電膜を形成した上に上記アンダーコート膜
を設けることもできる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶セルやＥＬ
（エレクトロルミネッセンス）セル等の平面型表示装置
に用いられる基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、平面型の表示装置は、上下２
枚のガラス基板により形成された空間内に、液晶材料や
ＥＬ材料等を狭持させ、各基板上に作成した電極からこ
れらの材料に電界を印加して、その部分の光学特性を変
化させたり、あるいは発光を行わせて文字や画像の表示
を行っている。

【０００３】例えば液晶材料を用いた液晶表示装置は、
上下２枚の電極を有するガラス基板の間隙に、誘電異方
性を有する液晶材料を狭持させて、電極間に電圧を印加
して電界を形成することにより液晶分子の配向方向を制
御し、その部分の光の屈折率や旋光性などの光学特性を
変化させて文字や画像の表示を行っている。

【０００４】また、ＥＬ材料を用いた表示装置では、上
下２枚の電極を有するガラス基板の間隙にＥＬ材料を狭
持させ、電極間に電圧を印加してＥＬ材料に電界を印加
することにより、発光中心から導電帯に励起されたキャ
リアが再び発光中心に落ち込む際にエネルギーを光とし
て放出する現象を利用して文字や画像を表示する。

【０００５】上述したごとく、従来の平面型の表示装置
では上下２枚の電極を有するガラス基板で形成される間
隙に、液晶材料やＥＬ材料等を狭持させ、電界間に電圧
を印加することにより表示を行う構造となっている。

【０００６】従来の平面型表示装置用の２枚の平面基板
としてガラス基板を用いるのは、可視光に対する透明性
を確保するためであるが、ガラスは比重が大きいため、
このガラス基板が平面表示装置を重くする主たる原因と
なっていた。

【０００７】このような問題を回避するため、平面基板
としてガラスよりも比重の小さいアクリル樹脂、ポリエ
ステル、アリル樹脂等のプラスチック材料からなる基板
を用いて、その上に非晶質シリコンあるいは多結晶シリ
コンを用いた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などのスイッ
チング素子を形成してマトリクスアレイ基板を構成し、
この基板を用いて表示装置を作成する試みもなされてい
る。

【０００８】しかしながら、一般にプラスチック材料中
にはナトリウムのようなＴＦＴに対して悪影響を及ぼす
不純物が含まれているため、プラスチック基板上に直接
ＴＦＴマトリクスアレイを作成すると、これらの不純物
がＴＦＴ部分に拡散していき、例えば、ＴＦＴのしきい
値電圧を変動させる等の不安定要因となるという問題が
ある。

【０００９】したがって、プラスチック基板を用いて表
示装置を作成する場合には、プラスチック基板上にいわ
ゆるアンダーコート膜を形成してプラスチック基板とＴ
ＦＴ部間とを絶縁し、ＴＦＴ部分へのこれらの不純物の
拡散を防止する必要がある。このようなアンダーコート
膜は、この基板を平面型表示装置用に用いる場合には、
当然可視光に対する透明性を備えている必要があり、し
かも、その上に形成されるマトリクスアレイの各素子を
電気的に互いに分離する必要があるため、従来から、電
気絶縁性の良好なシリコン酸化物（ＳｉＯ₂）が用いら
れていた。

【００１０】しかしながら、スパッタリング法やＣＶＤ
法で、プラスチック基板上に直接堆積されたシリコン酸
化物膜は、その後の熱処理を含むマトリクスアレイの作
成プロセス中に往々にしてプラスチック基板から剥離し
てしまい製品歩留まりを低下させる大きな原因となって
いた。

【００１１】これはプラスチック基板と酸化物から成る
アンダーコート膜の界面での結合力が弱く、しかもプラ
スチック基板とアンダーコート膜との間には大きな熱膨
張率差が存在するため、プロセス中の熱工程の際にプラ
スチック基板とアンダーコート膜の間で大きな変形差を
生じて、界面での剥脱が起こるためと考えられる。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】上述したとおり、従来
の平面型の表示装置ではガラス基板を用いているため、
平面表示装置の重量が大きくなるという問題があった。

【００１３】軽量なプラスチック基板を用いることも検
討されたが、プラスチック材料中のナトリウムのような
不純物がＴＦＴに対して悪影響を及ぼすという問題があ
る。このような不純物を遮断するため、プラスチック基
板上に不純物の拡散防止用の可視光を透過するシリコン
酸化物膜のようなアンダーコート膜を形成することも検
討されたが、基板上に直接堆積させた酸化物膜では、プ
ラスチック基板から剥離し易く製品歩留まりを低下させ
るという問題があった。

【００１４】本発明はかかる従来の問題を解消すべくな
されたもので、軽量なプラスチック基板を用いて表示装
置を作成する際に、プラスチック基板との界面における
結合力が強く、作成プロセス中での剥がれが生じにくい
アンダーコート膜を備えた平面型表示装置用基板を提供
することを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の平面型表
示装置用基板は、少なくとも表面がプラスチックの基板
と、前記基板の少なくとも前記プラスチックが露出する
表面に被着された金属被膜の酸化処理により形成された
金属酸化物被膜とを具備することを特徴とする。本発
明に使用されるプラスチックとしては、例えば、ガラス
よりも比重の小さいアクリル樹脂、ポリエステル、アリ
ル樹脂等が例示される。プラスチック基板上に非着され
る金属酸化物被膜としては、Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ等の金属
被膜の酸化物が例示される。これらの金属酸化物被膜の
厚さは通常、５０ｎｍ〜２μｍ程度である。

【００１６】請求項２記載の平面型表示装置用基板は、
少なくとも表面がプラスチックの基板と、前記基板の少
なくとも前記プラスチックが露出する表面に形成された
金属被膜の酸化処理により形成された金属酸化物被膜
と、前記金属酸化物被膜内に選択的に残存された金属被
膜パターンとを具備することを特徴とする。

【００１７】上記金属被膜パターンの例としては、金属
酸化物被膜内に形成される、例えば配線、電極等が挙げ
られる。この場合の金属酸化物被膜の厚さは通常、５０
ｎｍ〜２μｍ程度、この酸化物被膜の中に残存する金属
被膜の厚さは通常、５０ｎｍ〜５００ｎｍ程度である。

【００１８】請求項３記載の平面型表示装置用基板は、
少なくとも表面がプラスチックの基板と、前記基板の少
なくとも前記プラスチックが露出する表面に被着された
透明導電性被膜と、前記透明導電性被膜上に形成された
金属被膜の酸化処理により形成された金属酸化物被膜と
を具備することを特徴とする。

【００１９】上記透明導電性被膜としては、ＩＴＯや酸
化スズ等が例示される。透明導電性被膜の厚さは通常、
１００ｎｍ〜１μｍ程度である。

【００２０】請求項４記載の平面型表示装置用基板は、
少なくとも表面がプラスチックの基板と、前記基板の少
なくともプラスチックが露出する表面に被着された金属
被膜の酸化処理により形成された金属酸化物被膜と、前
記金属酸化物被膜上にマトリクス状に形成された走査
線、信号線およびスイッチング素子を具備することを特
徴とする。

【００２１】

【作用】前述したごとく、プラスチック基板を用いて
平面型表示装置を作成する場合には、プラスチック基板
とＴＦＴ部を隔て、ＴＦＴ部分への不純物拡散を防止す
るいわゆるアンダーコート膜を形成する必要があるが、
アンダーコート膜としてシリコン酸化物等の絶縁体材料
膜を直接堆積させた場合には、これらの絶縁体材料膜は
その後のマトリクスアレイの作成プロセス中に往々にし
てプラスチック基板から剥がれてしまう。

【００２２】これはシリコン酸化物等は、それぞれの構
成原子の電子軌道が化学結合により既に満たされた状態
となっており、新たな結合に寄与する結合手がほとんど
残されていないためプラスチック基板との界面での結合
力が弱く、プラスチック基板とアンダーコート膜の間で
大きな変形差が生じた場合に簡単に界面での剥離が起こ
るためと考えられる。

【００２３】一方、プラスチック基板上をＡｌ，Ｔｉ，
Ｔａ等の金属被膜によって被覆した場合には、その後に
プラスチック基板が軟化等の致命的な影響を受けない程
度、すなわち２００℃以下程度の熱処理を施した場合に
も剥がれが生じないことが実験的に確かめられた。これ
は金属原子には未結合手が多いため、プラスチック基板
上を被覆した金属原子がプラスチック基板表面の原子を
も取り込んだ形で金属結合を構成して、プラスチック基
板と金属被膜との界面で強い結合力が生ずるためと考え
られる。

【００２４】請求項１の発明では、プラスチック基板上
に、スパッタリングその他の方法により、Ａｌ，Ｔａ等
の金属被膜によって被覆した後、陽極酸化法等の公知の
方法でこれらの金属被膜を酸化物被膜に変化させること
により、プラスチック基板との界面での強い結合力を保
持しつつ、可視光に対し透明でかつ電気絶縁性の良いア
ンダーコート膜が得られる。

【００２５】請求項２の発明では、プラスチック基板上
に、スパッタリングその他の方法により、Ａｌ，Ｔａ等
の金属被膜によって被覆した後、陽極酸化法その他の公
知の酸化処理法でこれらの金属被膜を酸化させて酸化物
被膜とする際に、マスクを使用して金属薄膜全体が酸化
する領域と金属薄膜の上部の部分のみが酸化されて下部
に金属薄膜が残存する領域を形成して、金属酸化物被膜
の中に、プラスチック基板に密着した金属被膜を選択的
に残存させている。この金属被膜は、配線や電極として
用いられる。

【００２６】さらに、請求項３の発明では、酸化スズ、
ＩＴＯ膜等の透明導電性被膜の上に金属酸化物被膜を形
成させている。酸化スズやＩＴＯには、Ａｌ，Ｔｉ，Ｔ
ａ等の金属被膜と同様に未結合手が多いため、プラスチ
ック基板表面の原子をも取り込んだ形で被膜を構成し、
プラスチック基板との界面で強い結合力が得られる。ま
た、この透明導電性被膜は、その上に形成される金属被
膜を陽極酸化により酸化処理する場合の電極として用い
ることができる。すなわち、金属薄膜を陽極酸化する際
に、金属被膜に直接電極を接続した場合には、電流路か
ら外れた部分の金属被膜が酸化されずに残りアンダーコ
ート膜の透明度を低下させるといった問題があるが、透
明導電性被膜をプラスチック基板に被覆した後、その上
に金属被膜を形成して陽極酸化を行った場合には、透明
導電性被膜が導電路となって均一に陽極酸化を行うこと
ができる。

【００２７】また、この透明導電性被膜はプラスチック
絶縁体に帯電した電荷を除電するための電気導体として
も用いることができる。すなわち、プラスチック基板
は、一般にガラスに比ベて２〜３桁程度大きい電気抵抗
率を持った良好な絶縁体であるため、プラスチック基板
を用いて作成された表示装置では取扱い時の摩擦等によ
り基板中に局部的な帯電が生じた場合、ガラス基板を用
いて作成された表示装置に比べて帯電した電荷を除去す
ることが容易でなく、帯電した電荷の影響によって近傍
の表示状態が不安定になるといった問題があるが、請求
項３の発明では、透明導電性被膜を除電のための電極と
して用いることができる。

【００２８】請求項４記載の発明は、アクティブマトリ
ックス型液晶表示装置に用いられるマトリックス基板で
ある。この基板もアンダーコート膜が、プラスチック基
板上に、金属被膜を被覆した後、酸化物に変化させた絶
縁膜であるので、プラスチック基板との界面での強い結
合力を保持しつつ、可視光に対し透明でかつ電気絶縁性
が良好である。したがって、プラスチック基板の上にＩ
ＴＯなどにより共通電極を形成した対向基板と電極面を
向い合わせに並行配置して液晶組成物を基板間に保持さ
せることにより、軽量で信頼性の高い液晶表示装置を構
成することができる。

【００２９】本発明の平面型表示装置用基板は、プラス
チック基板上に形成するアンダーコート膜として、一旦
プラスチック基板上に、Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａその他の金属
被膜を形成し、これを酸化処理した金属酸化物の被覆を
用いたので、プラスチック基板との界面において強い結
合力を保持しつつ、可視光に対し透明でかつ絶縁性の良
いアンダーコート膜を得ることができる。

【００３０】したがって、この上に非晶質シリコンある
いは多結晶シリコンを堆積してＴＦＴを作成し、マトリ
クスアレイを構成することができる。また、透明絶縁膜
の一部に電極取り出し窓を設け、この電極取り出し窓を
介して透明導電膜を任意の電位に設定することにより、
プラスチック基板中に局部的な帯電が生じた場合におい
ても、透明導電膜のシールド効果により帯電状態がＴＦ
Ｔのしきい値電圧に及ぼす影響や、液晶材料、ＥＬ材料
等に及ほす影響を防ぎ、表示状態の不安定性を抑制する
ことができる。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下に、図面を参照して本発明の
実施形態を説明する。なお、以下の図においては、各図
共通する部分には同一符号を付して重複する説明は省略
する。

【００３２】（実施の形態１）図１（ａ）〜（ｃ）は本
発明の一実施例の構造を得るための工程を説明する工程
断面図である。

【００３３】まず、所定の厚さのプラスチック基板１１
を用意し、スパッタリング法を用いてプラスチック基板
１１の表面に、厚さ５０ｎｍのＡｌ膜１２を堆積させた
（図１（ａ））。

【００３４】次に、Ａｌ膜１２を堆積させたプラスチッ
ク基板１１を、ＡＩ₂Ｏ₃を溶解させない非浸食性電解
液１３を収容する電解槽１４中に、対向電極１５と向い
合わせに浸漬し、対向電極１５に対してＡｌ膜１２に正
電圧を印加することによりＡｌ膜１２に陽極化成を施し
た（図１（ｂ））。

【００３５】その結果、プラスチック基板１１上のＡｌ
膜１２は陽極化成によりＡｌ₂Ｏ₃膜に変成され、表面
を，Ａｌ₂Ｏ₃膜１６により被覆されたプラスチック基
板が得られた（図１（ｃ））。

【００３６】このようにして得られた図１（ｃ）に示ス
プラスチック基板において、Ａｌ₂Ｏ₃膜１６は可視光
に対して透明であり、絶縁性に優れているとともに、ナ
トリウム等の不純物の拡散に対する優れた阻止能を持っ
ていた。

【００３７】したがって、このプラスチック基板１１の
上に非晶質シリコンあるいは多結晶シリコンを堆積して
マトリクスアレイを構成する際に優れたアンダーコート
膜として機能した。

【００３８】また、この実施例で作成されたＡＩ₂Ｏ₃
膜１６は、プラスチック基板１１上を被覆したＡｌ膜が
プラスチック基板１１の表面の原子を取り込んだ形で金
属結合を構成した後、その状態を保ったままＡｌ₂Ｏ₃
膜に変化しているため、その後にプラスチック基板が軟
化等の致命的な影響を受けない程度、すなわち２００℃
以下程度の熱処理を施した場合にもプラスチック基板１
１との間で剥がれを生じることがなかった。

【００３９】（実施形態２）図２は、プラスチック基板
１１の表面および裏面の両方にＡｌ₂Ｏ₃膜１６を形成
させた平面型表示装置用基板である。

【００４０】このように両面にＡｌ₂Ｏ₃膜１６を有す
る平面型表示装置用基板は、実施例１の図１（ａ）の工
程において、プラスチック基板１１の表面にＡｌ膜１２
を堆積させると共にプラスチック基板１１の裏面にも同
様にＡｌ膜１２を堆積させ、図１（ｂ）の工程において
表面および裏面の双方のＡｌ膜１２に正電圧を印加し、
陽極化成によりＡｌ₂Ｏ₃膜に変成させることにより得
られる。

【００４１】この実施例の平面型表示装置用基板におい
ては、Ａｌ₂Ｏ₃膜１６がプラスチック基板１１の表面
および裏面の両方に作成されているため、基板の熱伸縮
に対する対称性が増し、プロセス中の熱工程の際等にプ
ラスチック基板１１とアンダーコート膜１６との熱膨張
率差に基づく反り等のウエハの変形の発生を防止する効
果がある。

【００４２】（実施形態３）図３（ａ）〜（ｅ）は本発
明の他の実施例の平面型表示装置用基板を得るための工
程を説明する工程図である。

【００４３】まず、プラスチック基板１１を用意し、ス
プッタリング法を用いてプラスチック基板１１表面にｌ
００ｎｍ厚のＡｌ膜１２を堆積させた（図３（ａ））。

【００４４】次に、Ａｌ膜１２を堆積させたプラスチッ
ク基板１１を非浸食性電解液（図示せず）中に浸漬し、
電解液中の対向電極（図示せす）に対して正電圧を印加
することによりＡｌ膜１２に陽極化成を施し、表面より
５０ｎｍ分の厚みのＡｌ膜１２をＡｌ₂Ｏ₃膜１６に変
成させた（図３（ｂ））。

【００４５】さらに、フォトリソグラフィ法を用いてＡ
ｌ₂Ｏ₃膜１６上にフォトレジスト膜のマスクパターン
１７を作成し（図３（ｃ））、再び非浸食性電解液（図
示せず）中に浸し、電解液中の対向電極（図示せず）に
対して正電圧を印加して陽極化成を行い、マスクパター
ン１７に被覆されていない部分のＡｌ膜１２をＡｌ₂Ｏ
₃膜１６に変成させた（図３（ｄ））。

【００４６】このとき、マスクパターン１７により被覆
されていた部分のＡｌ膜１２では陽極化成が進まずＡｌ
膜のまま残った。次いでマスクパターン１７を除去する
ことにより、表面を一部にＡｌ膜パターン１２を含んだ
Ａｌ₂Ｏ₃膜１６により被覆されたプラスチック基板が
得られた（図３（ｅ））。

【００４７】図３（ｅ）に示されるプラスチック基板に
おいて、Ａｌ₂Ｏ₃膜１６は図１（ｃ）における場合と
同様に優れたアンダーコート膜として用いることがで
き、この基板の上に非晶質シリコンあるいは多結晶シリ
コンを堆積してマトリクスアレイを構成することができ
た。

【００４８】このとき、一部陽極化成させずに残したＡ
ｌ膜パターンの部分は、その上のＡｌ₂Ｏ₃膜１６の一
部をエッチング除去し、非晶質シリコンあるいは多結晶
シリコンにより作成されたＴＦＴのドレイン領域等に接
続する配線層として、また光を透過しないことを利用し
て例えは隣接した画素間の境界部分にこのＡｌ膜パター
ンを残すことにより、いわゆるブラックマトリクス層と
して用いることができる。

【００４９】（実施形態４）図４（ａ）〜（ｄ）は本発
明のさらに他の実施例の平面型表示装置用基板を得るた
めの工程を説明する工程図である。

【００５０】まず、プラスチック基板１１を用意し、ス
パッタリング法によりアクリル基板１１表面に１５０ｎ
ｍ厚のＩＴＯ膜１８を堆積させ、続いてスパッタリング
法によりＩＴＯ膜１８上に１００ｎｍ厚のＡｌ膜１２を
堆積させた（図３（ａ））。次いで、通常のＰＥＰ法を
用いてＡｌ膜１２の一部をエッチングにより除去してそ
の部分のＩＴＯ膜１８を露出させ、ＩＴＯ膜１８に対す
る電極取り出し窓１４を作成した（図３（ｂ））。

【００５１】この状態で全体を、Ａｌ₂Ｏ₃を溶解させ
ない非浸食性電解液１３中に浸し、電解液中の対向電極
１５に対してＩＴＯ膜１８に電極取り出し窓１９を介し
て正電圧を印加することによりＡｌ膜１２に陽極化成を
施し（図３（ｃ））、Ａｌ膜１２をＡｌ₂Ｏ₃膜１６に
変成させることにより、表面をＩＴＯ膜１８およびＡｌ
₂Ｏ₃膜１６で被覆されたプラスチック基板を得た（図
３（ｄ））。

【００５２】上記の方法では、対向電極１５に対する正
電圧をＩＴＯ膜１８に印加することにより、Ａｌ膜１２
を陽極化成しているために、陽極化成が進んで大部分の
Ａｌ膜１２がＡｌ₂Ｏ₃膜１６に変成せられた後も電流
路が確保され、Ａｌ膜１２を完全にＡｌ₂Ｏ₃膜１６に
変成させることができる。

【００５３】図３（ｄ）に示されるプラスチック基板に
おいて、ＩＴＯ膜１８およびＡｌ₂Ｏ₃膜１６は可視光
に対して透明であり、かつＡｌ₂Ｏ₃膜１６は絶縁性に
優れているため、この構造の上に非晶質シリコンあるい
は多結晶シリコンを堆積してＴＦＴを作成し、マトリク
スアレイを構成することができる。またＩＴＯ膜１８は
１０〜５０Ωｃｍ程度の優れた導電性を示し、そのシー
ルド効果によりプラスチック基板中に帯電が生じた場合
についても、帯電状態がＴＦＴのしきい値電圧、および
液晶材料、ＥＬ材料内部の電界等に及ぼす影響を除去し
て、表示状態が不安定となることを避けることができ
る。

【００５４】上記の工程において、陽極化成を行う際、
正電圧を印加するための電極をＩＴＯ膜１８の端面より
取り出すようにすれば、必ずしも電極取り出し窓１９を
作成する必要はなく（図３（ｂ））の工程は省略するこ
とができる。しかし電極取り出し窓１９を作成しておく
ことにより、将来的にその電極取り出し窓を利用して、
ＩＴＯ膜１８を任意の電位に固定できる。このようにす
ることにより、プラスチック基板中に多量の電荷量の帯
電が生じた場合についても、この電荷の影響によりＩＴ
Ｏ膜１８自身の電位が変動させられることがなく、プラ
スチック基板中の帯電状態が表示状態が不安定とするこ
とを有効に避けることができる。

【００５５】（実施形態５）図５は本実施例の一つの応
用例を概略的に示す断面図である。

【００５６】図５はプラスチック基板１１の表面を被覆
するＩＴＯ膜１８およびＡｌ₂Ｏ₃膜１６の上にゲート
電極２１を形成し、ゲート絶縁膜２２を介してスイッチ
ング素子である非晶質シリコンＴＦＴ２３を作成すると
共に、ＩＴＯ膜を用いて画素電極２４を作成してマトリ
クスアレイを構成した状態を示している。ここでＴＦＴ
２３のドレイン部と画素電極２４の一部が金属配線２６
により電気的に接続されている。

【００５７】図５の実施例では、Ａｌ₂Ｏ₃膜１６の一
部をエッチング除去して設けられた電極取り出し窓１４
からＩＴＯ膜１８に対する配線２６が取り出され、配線
２６の先端はＡｌ₂Ｏ₃膜１６の上に作成されたマトリ
クスアレイの基準電位（アース電位）に接続している。
この構造では、ＩＴＯ膜１８はプラスチック基板中に帯
電が生した場合に表示状態が不安定となることを避ける
ためのシールドとして用いられていると共に、画素電極
２４に対する付加容量として利用され、画素電極２４の
電位を安定させるために用いられている。

【００５８】なお、以上の実施例においては陽極化成の
工程を、Ａｌ₂Ｏ₃を溶解させない非浸食性電解液中で
行ったが、このような方法においては作成されるＡｌ₂
Ｏ₃膜厚が印加電圧に比例するため、作成される膜厚が
制限される。より厚いＡｌ₂Ｏ₃膜厚を必要とする場合
には、僅かにＡｌ₂Ｏ₃を溶解させる性質を持つ浸食性
電解液中にて一旦陽極化成を行い、しかる後に非浸食性
電解液中で再度陽極化成を行うことにより得られる。ま
た上記実施例においてはアンダーコート膜を作成するた
めにプラスチック基板上に堆積する金属としてＡｌを用
いているが、これに限らずＴｉ，Ｔａ，Ｚｒ等の他の金
属を用いることができる。またアンダーコート膜を作成
する手段として陽極化成の他、プラズマ酸化法等を用い
ることもできる。

【００５９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の平面型表
示装置用基板は、プラスチック基板上をＡｌ，Ｔｉ，Ｔ
ａ等の金属被膜によって被覆した後、陽極酸化法等によ
りこれらの金属被膜を酸化物に変化させた膜をアンダー
コート膜として用いているので、プラスチック基板との
界面での強い結合力を保持しつつ、可視光に対し透明で
かつ絶縁性が良好で、不純物の拡散を有効に抑制できる
アンダーコート膜を得ることができる。

【００６０】また、プラスチック基板上に透明導電膜を
形成した後、その上に上記アンダーコート膜を形成した
場合には、プラスチック基板上に透明導電膜および金属
被膜を堆積し、電解液中で対向電極に対する正電圧を透
明導電膜に印加して金属被膜の陽極化成を行うため、陽
極化成が進んで大部分の金属被膜が絶縁膜に変成せられ
た後も電流路が確保され、金属被膜を完全に絶縁膜に変
成させることができる。またこのような構造を用いるこ
とにより、透明導電膜のシールド効果によりプラスチッ
ク基板中に帯電が生した場合でも、その帯電状態がＴＦ
Ｔのしきい値電圧、および液晶材料、ＥＬ材料内部の電
界等に及ぼす影響を除去して表示状態が不安定となるこ
とを避けることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例の平面型表示装置用基板
を製造する工程を示す工程図。

【図２】本発明の第２の実施例の平面型表示装置用基板
を示す断面図。

【図３】本発明の第３の実施例の平面型表示装置用基板
を製造する工程を示す工程図。

【図４】本発明の第４の実施例の平面型表示装置用基板
を製造する工程を示す工程面図。

【図５】本発明の第５の実施例の平面型表示装置用基板
を示す断面図。

【符号の説明】

１１……プラスチック基板、１２……Ａｌ膜、１３……
電解液、１４……電解槽、１５……対向電極、１６……
Ａｌ₂Ｏ₃膜、１７……レジストパターン、１８……Ｉ
ＴＯ膜、１９……電極取り出し窓、２１……ゲート電
極、２２……ゲート絶縁膜、２３……ＴＦＴ、２４……
画素電極、２５，２６……金属配線

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも表面がプラスチックの基板
と、前記基板の少なくとも前記プラスチックが露出する
表面に被着された金属被膜の酸化処理により形成された
金属酸化物被膜とを具備することを特徴とする平面型表
示装置用基板。
【請求項２】少なくとも表面がプラスチックの基板
と、前記基板の少なくとも前記プラスチックが露出する
表面に形成された金属被膜の酸化処理により形成された
金属酸化物被膜と、前記金属酸化物被膜内に選択的に残
存された金属被膜パターンとを具備することを特徴とす
る平面型表示装置用基板。
【請求項３】少なくとも表面がプラスチックの基板
と、前記基板の少なくとも前記プラスチックが露出する
表面に被着された透明導電性被膜と、前記透明導電性被
膜上に形成された金属被膜の酸化処理により形成された
金属酸化物被膜とを具備することを特徴とする平面型表
示装置用基板。
【請求項４】少なくとも表面がプラスチックの基板
と、前記基板の少なくともプラスチックが露出する表面
に被着された金属被膜の酸化処理により形成された金属
酸化物被膜と、前記金属酸化物被膜上にマトリクス状に
形成された走査線、信号線およびスイッチング素子を具
備することを特徴とする平面型表示装置用基板。