JPH11265868A - 処理装置 - Google Patents
処理装置Info
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- JPH11265868A JPH11265868A JP10084919A JP8491998A JPH11265868A JP H11265868 A JPH11265868 A JP H11265868A JP 10084919 A JP10084919 A JP 10084919A JP 8491998 A JP8491998 A JP 8491998A JP H11265868 A JPH11265868 A JP H11265868A
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- processing
- processing apparatus
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 回転軸が貫通する箇所や処理液の供給ノズル
が突き出ている箇所の気密性を向上できる処理装置を提
供する。 【解決手段】 中空に形成した回転軸２３の上方に支持
された回転テーブル２１と一体となって回転するウェハ
Ｗの裏面に回転軸２３内を貫通する支持軸２５の上端に
支持された供給ノズル３０から処理液を供給することに
よりウェハＷの裏面を処理する処理装置６において，回
転軸２３をカバー３２で覆い，回転軸２３が貫通するカ
バー３２及び容器２０の箇所３３近傍の雰囲気を密閉す
る第１のラビリンスシール３４と，回転テーブル２１か
ら供給ノズル３０が突き出ている箇所５０近傍の雰囲気
を密閉する第２のラビリンスシール５１とを設けた。
が突き出ている箇所の気密性を向上できる処理装置を提
供する。 【解決手段】 中空に形成した回転軸２３の上方に支持
された回転テーブル２１と一体となって回転するウェハ
Ｗの裏面に回転軸２３内を貫通する支持軸２５の上端に
支持された供給ノズル３０から処理液を供給することに
よりウェハＷの裏面を処理する処理装置６において，回
転軸２３をカバー３２で覆い，回転軸２３が貫通するカ
バー３２及び容器２０の箇所３３近傍の雰囲気を密閉す
る第１のラビリンスシール３４と，回転テーブル２１か
ら供給ノズル３０が突き出ている箇所５０近傍の雰囲気
を密閉する第２のラビリンスシール５１とを設けた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，例えばＬＣＤ基板
や半導体ウェハのような基板の裏面を処理する処理装置
に関する。
や半導体ウェハのような基板の裏面を処理する処理装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程においては，
例えば半導体ウェハ（以下，「ウェハ」という）の基板
の表面を洗浄処理することに加え，基板の裏面を清浄な
状態にすることが極めて重要である。そのため，ウェハ
の裏面に付着したパーティクル，有機汚染物，金属不純
物等のコンタミネーションを除去できる洗浄処理システ
ムが使用されている。そして，ウェハを洗浄する洗浄処
理システムの一つとして，枚葉型の処理装置を用いた洗
浄処理システムが知られている。
例えば半導体ウェハ（以下，「ウェハ」という）の基板
の表面を洗浄処理することに加え，基板の裏面を清浄な
状態にすることが極めて重要である。そのため，ウェハ
の裏面に付着したパーティクル，有機汚染物，金属不純
物等のコンタミネーションを除去できる洗浄処理システ
ムが使用されている。そして，ウェハを洗浄する洗浄処
理システムの一つとして，枚葉型の処理装置を用いた洗
浄処理システムが知られている。
【０００３】図５は，従来の洗浄処理システムに備えら
れた処理装置の例である。図５に示すように，処理装置
１００には，容器１０１が設けられている，この容器１
０１内には，下方に回転機構１０２が取り付けられ内部
を中空に形成された回転軸１０３が突き出ており，この
回転軸１０３の上端には回転テーブル１０４が支持され
ている。そして，この回転テーブル１０４に保持され回
転テーブル１０４と一体となって回転するウェハＷの裏
面に対しては，回転機構１０２，回転軸１０３及び回転
テーブル１０４中央を貫通する支持軸１０５の上端に支
持された供給ノズル１０６から，処理液を供給するよう
になっている。
れた処理装置の例である。図５に示すように，処理装置
１００には，容器１０１が設けられている，この容器１
０１内には，下方に回転機構１０２が取り付けられ内部
を中空に形成された回転軸１０３が突き出ており，この
回転軸１０３の上端には回転テーブル１０４が支持され
ている。そして，この回転テーブル１０４に保持され回
転テーブル１０４と一体となって回転するウェハＷの裏
面に対しては，回転機構１０２，回転軸１０３及び回転
テーブル１０４中央を貫通する支持軸１０５の上端に支
持された供給ノズル１０６から，処理液を供給するよう
になっている。
【０００４】ここで，容器１０１の下方に配置されてい
る回転機構１０２は，モータ等で構成されており，回転
機構１０２の稼働により微細な塵埃等が発生する。ま
た，処理中にはウェハＷの回転により，ウェハＷの表面
に供給された処理液の液滴等は容器１０１内に飛散す
る。そこで，回転機構１０２の塵埃等が容器１０１内に
拡散したり，逆に処理液の液滴や雰囲気が回転機構１０
２にまで漏出や拡散しないように，容器１０１内の雰囲
気と回転機構１０２の配置場所の雰囲気とを連通させな
いことが大切である。
る回転機構１０２は，モータ等で構成されており，回転
機構１０２の稼働により微細な塵埃等が発生する。ま
た，処理中にはウェハＷの回転により，ウェハＷの表面
に供給された処理液の液滴等は容器１０１内に飛散す
る。そこで，回転機構１０２の塵埃等が容器１０１内に
拡散したり，逆に処理液の液滴や雰囲気が回転機構１０
２にまで漏出や拡散しないように，容器１０１内の雰囲
気と回転機構１０２の配置場所の雰囲気とを連通させな
いことが大切である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，微細な
塵埃等は，回転軸１０３が貫通する容器１０１の箇所１
０７を介して容器１０１内に入り込んでしまう場合があ
る。即ち，回転機構１０２の稼働の際には微細な塵埃等
が舞い上がり，箇所１０７のほんの僅かな隙間を通過し
容器１０１内に入り込んでしまい，回転テーブル１０４
に保持されているウェハＷの裏面や表面に付着する。よ
り微細化技術が要求されている今日の半導体デバイスの
製造工程では，従来では問題に成らなかった程度の微細
な塵埃等でもパーティクルの原因となり歩留まりの低下
を招くおそれがある。
塵埃等は，回転軸１０３が貫通する容器１０１の箇所１
０７を介して容器１０１内に入り込んでしまう場合があ
る。即ち，回転機構１０２の稼働の際には微細な塵埃等
が舞い上がり，箇所１０７のほんの僅かな隙間を通過し
容器１０１内に入り込んでしまい，回転テーブル１０４
に保持されているウェハＷの裏面や表面に付着する。よ
り微細化技術が要求されている今日の半導体デバイスの
製造工程では，従来では問題に成らなかった程度の微細
な塵埃等でもパーティクルの原因となり歩留まりの低下
を招くおそれがある。
【０００６】また，ウェハＷの回転により容器１０１内
に飛散した処理液の液滴や雰囲気も，箇所１０７の僅か
な隙間から漏出や拡散して，回転機構１０２を汚染して
しまう場合がある。また，回転テーブル１０４から供給
ノズル１０６が突き出ている箇所１０８の僅かな隙間か
ら処理液の液滴が入り込み，支持軸１０５を伝わって流
れ回転機構１０２を汚染することもある。このように回
転機構１０２を処理液によって汚染すると，回転機構１
０２の故障の原因となる。
に飛散した処理液の液滴や雰囲気も，箇所１０７の僅か
な隙間から漏出や拡散して，回転機構１０２を汚染して
しまう場合がある。また，回転テーブル１０４から供給
ノズル１０６が突き出ている箇所１０８の僅かな隙間か
ら処理液の液滴が入り込み，支持軸１０５を伝わって流
れ回転機構１０２を汚染することもある。このように回
転機構１０２を処理液によって汚染すると，回転機構１
０２の故障の原因となる。
【０００７】従って本発明は，従来の処理装置が有する
上記問題点に鑑みてなされたものであり，その目的は，
回転軸が貫通する箇所や処理液の供給ノズルが突き出て
いる箇所の気密性を向上できる処理装置を提供すること
にある。
上記問題点に鑑みてなされたものであり，その目的は，
回転軸が貫通する箇所や処理液の供給ノズルが突き出て
いる箇所の気密性を向上できる処理装置を提供すること
にある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
めに，請求項１の発明は，中空に形成した回転軸の上方
に支持された回転テーブルと一体となって回転する基板
の裏面に該回転軸内を貫通して支持された供給ノズルか
ら処理液を供給することにより基板の裏面を処理する処
理装置において，前記回転軸をカバーで覆い，前記カバ
ーと前記回転テーブルとの間に雰囲気を密封する第１の
シール部を設けたことを特徴とする。
めに，請求項１の発明は，中空に形成した回転軸の上方
に支持された回転テーブルと一体となって回転する基板
の裏面に該回転軸内を貫通して支持された供給ノズルか
ら処理液を供給することにより基板の裏面を処理する処
理装置において，前記回転軸をカバーで覆い，前記カバ
ーと前記回転テーブルとの間に雰囲気を密封する第１の
シール部を設けたことを特徴とする。
【０００９】請求項１に記載の処理装置によれば，まず
回転軸をカバーで覆うことに伴い，例えば回転軸の下方
に取り付けられた回転機構などの構成要素もカバーで覆
い，容器内の雰囲気と遮断する。さらに，回転軸が貫通
するカバー及び容器の箇所近傍の雰囲気を第１のシール
部で密封し，該箇所の気密性を向上させる。従って，回
転軸が貫通する箇所を介して，カバー内の微細な塵埃が
容器内まで拡散したり，容器内の処理液の液滴や雰囲気
がカバー内に漏出することや拡散することを防止するこ
とができる。
回転軸をカバーで覆うことに伴い，例えば回転軸の下方
に取り付けられた回転機構などの構成要素もカバーで覆
い，容器内の雰囲気と遮断する。さらに，回転軸が貫通
するカバー及び容器の箇所近傍の雰囲気を第１のシール
部で密封し，該箇所の気密性を向上させる。従って，回
転軸が貫通する箇所を介して，カバー内の微細な塵埃が
容器内まで拡散したり，容器内の処理液の液滴や雰囲気
がカバー内に漏出することや拡散することを防止するこ
とができる。
【００１０】請求項１の処理装置において，請求項２に
記載したように，前記第１のシール部は，前記カバーに
設けられた第１の上向き仕切り板と前記回転テーブルに
設けられた第１の下向き仕切り板とを間を空けて重ね合
わせるように配列させたラビリンスシールであることが
好ましい。かかる構成によれば，ラビリンスシールであ
る第１のシールは，内部に迂回通路を形成することにな
る。そして，この迂回通路は，外部から第１のシール内
に侵入した処理液の雰囲気が流通し，回転軸が貫通する
箇所へ流れ出ることや，該箇所の僅かな隙間から第１の
シール内に侵入した塵埃等が流通し，外部へ流れ出るこ
とを防止する。
記載したように，前記第１のシール部は，前記カバーに
設けられた第１の上向き仕切り板と前記回転テーブルに
設けられた第１の下向き仕切り板とを間を空けて重ね合
わせるように配列させたラビリンスシールであることが
好ましい。かかる構成によれば，ラビリンスシールであ
る第１のシールは，内部に迂回通路を形成することにな
る。そして，この迂回通路は，外部から第１のシール内
に侵入した処理液の雰囲気が流通し，回転軸が貫通する
箇所へ流れ出ることや，該箇所の僅かな隙間から第１の
シール内に侵入した塵埃等が流通し，外部へ流れ出るこ
とを防止する。
【００１１】この場合，請求項３に記載したように，前
記第１のシール部において，第１の上向き仕切り板と第
１の下向き仕切り板との間に気体を供給する気体供給路
を設けるのがよい。かかる構成によれば，この迂回通路
に気体を供給し，処理液の雰囲気の侵入する方向とは逆
方向に，及び塵埃等の侵入する方向とは逆方向に気流を
形成させる。これにより，処理液の雰囲気や塵埃等が第
１のシール部内に侵入するのを未然に防止している。
記第１のシール部において，第１の上向き仕切り板と第
１の下向き仕切り板との間に気体を供給する気体供給路
を設けるのがよい。かかる構成によれば，この迂回通路
に気体を供給し，処理液の雰囲気の侵入する方向とは逆
方向に，及び塵埃等の侵入する方向とは逆方向に気流を
形成させる。これにより，処理液の雰囲気や塵埃等が第
１のシール部内に侵入するのを未然に防止している。
【００１２】請求項４の発明は，中空に形成した回転軸
の上方に支持された回転テーブルと一体となって回転す
る基板の裏面に該回転軸内を貫通して支持された供給ノ
ズルから処理液を供給することにより基板の裏面を処理
する処理装置において，前記回転テーブルと前記供給ノ
ズルとの間に雰囲気を密封する第２のシール部を設けた
ことを特徴とする。
の上方に支持された回転テーブルと一体となって回転す
る基板の裏面に該回転軸内を貫通して支持された供給ノ
ズルから処理液を供給することにより基板の裏面を処理
する処理装置において，前記回転テーブルと前記供給ノ
ズルとの間に雰囲気を密封する第２のシール部を設けた
ことを特徴とする。
【００１３】請求項４に記載の処理装置によれば，回転
テーブルから供給ノズルが突き出ている箇所近傍の雰囲
気を第２のシール部で密封し，該箇所の気密性を向上さ
せる。従って，回転テーブルから供給ノズルが突き出て
いる箇所を介して，容器内の処理液の液滴が入り込み容
器外に漏れ出ることを防止することができる。
テーブルから供給ノズルが突き出ている箇所近傍の雰囲
気を第２のシール部で密封し，該箇所の気密性を向上さ
せる。従って，回転テーブルから供給ノズルが突き出て
いる箇所を介して，容器内の処理液の液滴が入り込み容
器外に漏れ出ることを防止することができる。
【００１４】請求項４の処理装置において，請求項５に
記載したように，前記回転軸をカバーで覆うことが好ま
しい。かかる構成によれば，回転軸をカバーで覆うこと
に伴い，例えば回転軸の下方に取り付けられた回転機構
などの構成要素もカバーで覆い，容器内の雰囲気と遮断
する。
記載したように，前記回転軸をカバーで覆うことが好ま
しい。かかる構成によれば，回転軸をカバーで覆うこと
に伴い，例えば回転軸の下方に取り付けられた回転機構
などの構成要素もカバーで覆い，容器内の雰囲気と遮断
する。
【００１５】請求項６の記載にしたように，前記第２の
シール部は，前記回転テーブルに設けられた第２の上向
き仕切り板と供給ノズルに設けられた第２の下向き仕切
り板とを間を空けて重ね合わせるように配列させたラビ
リンスシールであることが好ましい。かかる構成によれ
ば，ラビリンスシールである第２のシールは，内部に迂
回通路を形成することになる。そして，この迂回通路
は，外部から第２のシール内に侵入した処理液の雰囲気
が流通し，回転テーブルから供給ノズルが突き出ている
箇所へ流れ出ることを防止する。
シール部は，前記回転テーブルに設けられた第２の上向
き仕切り板と供給ノズルに設けられた第２の下向き仕切
り板とを間を空けて重ね合わせるように配列させたラビ
リンスシールであることが好ましい。かかる構成によれ
ば，ラビリンスシールである第２のシールは，内部に迂
回通路を形成することになる。そして，この迂回通路
は，外部から第２のシール内に侵入した処理液の雰囲気
が流通し，回転テーブルから供給ノズルが突き出ている
箇所へ流れ出ることを防止する。
【００１６】この場合，請求項７に記載したように，前
記第２のシール部の通路に気体を供給する気体供給路を
接続するのがよい。かかる構成によれば，この通路に気
体を供給し，処理液の雰囲気の侵入する方向とは逆方向
に気流を形成する。これにより，処理液の雰囲気が第２
のシール部内に侵入するのを未然に防止している。
記第２のシール部の通路に気体を供給する気体供給路を
接続するのがよい。かかる構成によれば，この通路に気
体を供給し，処理液の雰囲気の侵入する方向とは逆方向
に気流を形成する。これにより，処理液の雰囲気が第２
のシール部内に侵入するのを未然に防止している。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下，本発明の好ましい実施の形
態を，基板の一例としてウェハを回転させながら処理液
を供給することによりウェハの表面及び裏面を洗浄処理
し，回転によってウェハを乾燥させるように構成された
処理装置に基づいて説明する。図１は，本実施の形態に
かかる処理装置６〜１１を組み込んだ洗浄処理システム
１の斜視図である。
態を，基板の一例としてウェハを回転させながら処理液
を供給することによりウェハの表面及び裏面を洗浄処理
し，回転によってウェハを乾燥させるように構成された
処理装置に基づいて説明する。図１は，本実施の形態に
かかる処理装置６〜１１を組み込んだ洗浄処理システム
１の斜視図である。
【００１８】この洗浄処理システム１は，ウェハＷを収
納するキャリアＣを載置させる載置部２と，載置部２に
載置されたキャリアＣから処理工程前の一枚ずつウェハ
Ｗを取り出すと共に，処理工程後のウェハＷをキャリア
Ｃ内に一枚ずつ収納する搬送アーム３と，ウェハＷに対
して所定の洗浄処理，乾燥処理を行う各処理装置６〜１
１を備えた洗浄処理部４とを備えている。
納するキャリアＣを載置させる載置部２と，載置部２に
載置されたキャリアＣから処理工程前の一枚ずつウェハ
Ｗを取り出すと共に，処理工程後のウェハＷをキャリア
Ｃ内に一枚ずつ収納する搬送アーム３と，ウェハＷに対
して所定の洗浄処理，乾燥処理を行う各処理装置６〜１
１を備えた洗浄処理部４とを備えている。
【００１９】載置部２は，ウェハを２５枚収納したキャ
リアＣを複数個載置できる構成になっている。搬送アー
ム３は，水平，昇降（Ｘ，Ｙ，Ｚ）方向に移動自在であ
ると共に，かつ鉛直軸を中心に回転（θ方向）できるよ
うに構成されている。洗浄処理部４には，処理装置６，
７，８が，所定の手順に従って処理を行えるように横並
びに配置され，これらの下方には，処理装置９，１０，
１１が，処理装置６〜８と同様に横並びに配置されてい
る。処理装置６〜８及び処理装置９〜１１では同時に処
理が進行できる構成になっている。
リアＣを複数個載置できる構成になっている。搬送アー
ム３は，水平，昇降（Ｘ，Ｙ，Ｚ）方向に移動自在であ
ると共に，かつ鉛直軸を中心に回転（θ方向）できるよ
うに構成されている。洗浄処理部４には，処理装置６，
７，８が，所定の手順に従って処理を行えるように横並
びに配置され，これらの下方には，処理装置９，１０，
１１が，処理装置６〜８と同様に横並びに配置されてい
る。処理装置６〜８及び処理装置９〜１１では同時に処
理が進行できる構成になっている。
【００２０】なお以上の配列，これら処理装置の組合わ
せは，ウェハＷに対する洗浄処理の種類によって任意に
組み合わせることができる。例えば，ある処理装置を減
じたり，逆にさらに他の処理装置を付加してもよい。
せは，ウェハＷに対する洗浄処理の種類によって任意に
組み合わせることができる。例えば，ある処理装置を減
じたり，逆にさらに他の処理装置を付加してもよい。
【００２１】次に処理装置６〜１１の構成について説明
する。各処理装置６〜１１は，いずれも同様の構成を有
しているので，図２〜４を参照に処理装置６を代表とし
て説明する。
する。各処理装置６〜１１は，いずれも同様の構成を有
しているので，図２〜４を参照に処理装置６を代表とし
て説明する。
【００２２】図２は処理装置６の要部を示す断面図，図
３はその平面図である。この処理装置６内には，上面が
開口した略円筒形状の容器２０を備えている。この容器
２０の上面の開口部を介して，前述した搬送アーム３に
よって処理装置６内に搬入されたウェハＷを，容器２０
内に収納するようになっている。
３はその平面図である。この処理装置６内には，上面が
開口した略円筒形状の容器２０を備えている。この容器
２０の上面の開口部を介して，前述した搬送アーム３に
よって処理装置６内に搬入されたウェハＷを，容器２０
内に収納するようになっている。
【００２３】この容器２０内には，回転自在な回転テー
ブル２１が設けられている。この回転テーブル２１の上
面には，回転テーブル２１の周囲に沿いながら平面から
みて１２０゜間隔で合計で３個のメカニカルチャックな
どから成る保持部２２が配置されている。この保持部２
２によってウェハＷを図示の如く保持することにより，
回転テーブル２１と一体となってウェハＷを回転させる
構成になっている。なお，回転テーブル２１の上面に
は，ウェハＷの裏面を支持する図示しない支持ピンが垂
直に取り付けられている。
ブル２１が設けられている。この回転テーブル２１の上
面には，回転テーブル２１の周囲に沿いながら平面から
みて１２０゜間隔で合計で３個のメカニカルチャックな
どから成る保持部２２が配置されている。この保持部２
２によってウェハＷを図示の如く保持することにより，
回転テーブル２１と一体となってウェハＷを回転させる
構成になっている。なお，回転テーブル２１の上面に
は，ウェハＷの裏面を支持する図示しない支持ピンが垂
直に取り付けられている。
【００２４】この回転テーブル２１の下面は，内部を中
空に形成された回転軸２３によって支持されており，こ
の回転軸２３の下方には，同様に内部を中空に形成され
た回転機構２４が取り付けられている。従って，回転機
構２４の稼働により，回転テーブル２１を回転できる構
成になっている。
空に形成された回転軸２３によって支持されており，こ
の回転軸２３の下方には，同様に内部を中空に形成され
た回転機構２４が取り付けられている。従って，回転機
構２４の稼働により，回転テーブル２１を回転できる構
成になっている。
【００２５】また，回転軸２３内及び回転機構２４内に
は支持軸２５が貫通しており，その上端に処理液を供給
する供給ノズル３０が設けられている。この供給ノズル
３０は，支持軸２５の上端に固着されている柱部３０ａ
と，この柱部３０ａで支持されている円盤部３０ｂから
成り，側面視で略Ｔ字形状に形成されている。この供給
ノズル３０は静止した状態で，回転テーブル２１と一体
となって回転するウェハＷの裏面に処理液を供給するよ
うになっている。
は支持軸２５が貫通しており，その上端に処理液を供給
する供給ノズル３０が設けられている。この供給ノズル
３０は，支持軸２５の上端に固着されている柱部３０ａ
と，この柱部３０ａで支持されている円盤部３０ｂから
成り，側面視で略Ｔ字形状に形成されている。この供給
ノズル３０は静止した状態で，回転テーブル２１と一体
となって回転するウェハＷの裏面に処理液を供給するよ
うになっている。
【００２６】ここで，回転機構２４から容器２０を貫通
する直前までの回転軸２３の周囲をカバー３２で覆い，
これに伴い回転軸２３の下方に取り付けられた回転機構
２４もカバーで覆う。さらに，回転軸２３が貫通するカ
バー３２及び容器２０の箇所３３の気密を高めるため，
カバー３２から突き出て回転テーブル２１の下面を支持
するまでの回転軸２３の周囲の雰囲気を，その周面に沿
って設けた略円形状の第１のラビリンスシール３４で密
封する。
する直前までの回転軸２３の周囲をカバー３２で覆い，
これに伴い回転軸２３の下方に取り付けられた回転機構
２４もカバーで覆う。さらに，回転軸２３が貫通するカ
バー３２及び容器２０の箇所３３の気密を高めるため，
カバー３２から突き出て回転テーブル２１の下面を支持
するまでの回転軸２３の周囲の雰囲気を，その周面に沿
って設けた略円形状の第１のラビリンスシール３４で密
封する。
【００２７】図４に示すように，第１のラビリンスシー
ル３４は，カバー３２の上面から垂直に立設される第１
の上向き仕切り板３５，３６の２枚を所定の間隔を空け
て平行に配置し，これらの第１の上向き仕切り板３５，
３６の間に，回転テーブル２１の底面から垂直に垂設さ
れる第１の下向き仕切り板３７を一枚重ね合わせるよう
に配列させている。これにより，第１のラビリンスリー
ル３４内に，第１の迂回通路４０を形成する。この迂回
通路４０の外側の口４１は開放され，内側の口４２は箇
所３３で容器２０の底面によって塞がれている。このよ
うに形成された第１の迂回通路４０では，口４１から侵
入した処理液の雰囲気が口４２へ流れ出ることや，箇所
３３の僅かな隙間から抜け出た回転機構２４が稼働する
際に発生する塵埃等が口４２から口４１へ流れ出ること
が難しい構成になっている。
ル３４は，カバー３２の上面から垂直に立設される第１
の上向き仕切り板３５，３６の２枚を所定の間隔を空け
て平行に配置し，これらの第１の上向き仕切り板３５，
３６の間に，回転テーブル２１の底面から垂直に垂設さ
れる第１の下向き仕切り板３７を一枚重ね合わせるよう
に配列させている。これにより，第１のラビリンスリー
ル３４内に，第１の迂回通路４０を形成する。この迂回
通路４０の外側の口４１は開放され，内側の口４２は箇
所３３で容器２０の底面によって塞がれている。このよ
うに形成された第１の迂回通路４０では，口４１から侵
入した処理液の雰囲気が口４２へ流れ出ることや，箇所
３３の僅かな隙間から抜け出た回転機構２４が稼働する
際に発生する塵埃等が口４２から口４１へ流れ出ること
が難しい構成になっている。
【００２８】さらに，第１のラビリンスシール３４に，
気体として例えば不活性ガスとしての特性を有するＮ2
（窒素）を供給する第１のＮ2供給回路４５を接続し，
その出口を第１の迂回通路４０において第１の上向き仕
切り板３５，３６の間に挟まれた空間に開口させてい
る。これにより，第１のＮ2供給回路４５から供給され
たＮ2は，第１の下向き仕切り板３７に衝突し二手に分
かれ，一方は口４１へ第１の上向き仕切り板３５に沿っ
て上向きに流れ第１のラビリンスシール３４から外側に
吹き出す気流４６を形成し，他方は口４２へ第１の下向
き仕切り板３７に沿って上向きに流れた後に第１の上向
き仕切り板３６に沿って下向きに流れる気流４７を形成
する。このような気流４６は口４１でエアーカーテンと
して機能し，同様に気流４７も口４２でエアーカーテン
として機能するようになっている。
気体として例えば不活性ガスとしての特性を有するＮ2
（窒素）を供給する第１のＮ2供給回路４５を接続し，
その出口を第１の迂回通路４０において第１の上向き仕
切り板３５，３６の間に挟まれた空間に開口させてい
る。これにより，第１のＮ2供給回路４５から供給され
たＮ2は，第１の下向き仕切り板３７に衝突し二手に分
かれ，一方は口４１へ第１の上向き仕切り板３５に沿っ
て上向きに流れ第１のラビリンスシール３４から外側に
吹き出す気流４６を形成し，他方は口４２へ第１の下向
き仕切り板３７に沿って上向きに流れた後に第１の上向
き仕切り板３６に沿って下向きに流れる気流４７を形成
する。このような気流４６は口４１でエアーカーテンと
して機能し，同様に気流４７も口４２でエアーカーテン
として機能するようになっている。
【００２９】また，回転テーブル２１の上面から供給ノ
ズル３０が突き出ている箇所５０の気密性を高めるため
に，回転テーブル２１の上面から円盤部３０ｂの下面ま
での間のおいて，柱部３０ａの周囲の雰囲気を，その周
面に沿って設けた略円形状の第２のラビリンスシール５
１で密閉する。
ズル３０が突き出ている箇所５０の気密性を高めるため
に，回転テーブル２１の上面から円盤部３０ｂの下面ま
での間のおいて，柱部３０ａの周囲の雰囲気を，その周
面に沿って設けた略円形状の第２のラビリンスシール５
１で密閉する。
【００３０】図４に示すように，第２のラビリンスシー
ル５１は，回転テーブル２１の上面から垂直に立設され
る第２の上向き仕切り板５２を一枚内側に配列し，その
外側に円盤部３０ｂの下面から垂直に垂設される第２の
下向き仕切り板５３を，一枚所定の間隔を空けて重ね合
わせるように配列させている。これにより，第２のラビ
リンスシール５１内にも，第２の迂回通路５４を形成す
る。この第２の迂回通路５４の外側の口５５は開放さ
れ，内側の口５６は箇所５０で回転テーブル２１の上面
によって塞がれている。このように形成された第２の迂
回通路５４では，第１のラビリンスシール３４と同様に
口５５から侵入した処理液の雰囲気が口５６へ流れ出る
ことが難しい構成になっている。
ル５１は，回転テーブル２１の上面から垂直に立設され
る第２の上向き仕切り板５２を一枚内側に配列し，その
外側に円盤部３０ｂの下面から垂直に垂設される第２の
下向き仕切り板５３を，一枚所定の間隔を空けて重ね合
わせるように配列させている。これにより，第２のラビ
リンスシール５１内にも，第２の迂回通路５４を形成す
る。この第２の迂回通路５４の外側の口５５は開放さ
れ，内側の口５６は箇所５０で回転テーブル２１の上面
によって塞がれている。このように形成された第２の迂
回通路５４では，第１のラビリンスシール３４と同様に
口５５から侵入した処理液の雰囲気が口５６へ流れ出る
ことが難しい構成になっている。
【００３１】さらに，第２のラビリンスシール５１に，
支持軸２５内及び供給ノズル３０内を貫通した第２のＮ
2供給回路６０を接続し，その出口を第２の迂回通路５
４において第２の上向き仕切り板５２の内側の空間に開
口させている。これにより，第２のＮ2供給回路５４か
ら供給されたＮ2は，口５６から口５５へ第２の上向き
仕切り板５２に沿って上向きに流れた後に第２の下向き
仕切り板５３に沿って下向きに流れる気流６１を形成す
る。このような気流６１は口５５でエアーカーテンとし
て機能するようになっている。
支持軸２５内及び供給ノズル３０内を貫通した第２のＮ
2供給回路６０を接続し，その出口を第２の迂回通路５
４において第２の上向き仕切り板５２の内側の空間に開
口させている。これにより，第２のＮ2供給回路５４か
ら供給されたＮ2は，口５６から口５５へ第２の上向き
仕切り板５２に沿って上向きに流れた後に第２の下向き
仕切り板５３に沿って下向きに流れる気流６１を形成す
る。このような気流６１は口５５でエアーカーテンとし
て機能するようになっている。
【００３２】その他，容器２０の上方には，容器２０内
に収納されたウェハＷの表面に薬液成分を主体とした処
理液を供給する供給ノズル６５を設けている。この供給
ノズル６５は容器２０上方を移動自在になるように構成
されている。さらに，ウェハＷの回転によりウェハＷの
裏面から振り切られた処理液は，容器２０の底部に設け
られた排液管６６を通じて排液され，容器２０内の雰囲
気は，容器２０の底部に設けられた排気手段（図示せ
ず）によって排気される。
に収納されたウェハＷの表面に薬液成分を主体とした処
理液を供給する供給ノズル６５を設けている。この供給
ノズル６５は容器２０上方を移動自在になるように構成
されている。さらに，ウェハＷの回転によりウェハＷの
裏面から振り切られた処理液は，容器２０の底部に設け
られた排液管６６を通じて排液され，容器２０内の雰囲
気は，容器２０の底部に設けられた排気手段（図示せ
ず）によって排気される。
【００３３】なお，各処理装置７〜１１も処理装置６と
同様な構成を備えており，各処理装置７〜１１内でも各
種の処理液によってウェハＷを洗浄し乾燥するように構
成されている。
同様な構成を備えており，各処理装置７〜１１内でも各
種の処理液によってウェハＷを洗浄し乾燥するように構
成されている。
【００３４】次に，以上のように構成された本実施の形
態にかかる処理装置６で行われる作用について説明す
る。まず，前述の洗浄処理システム１における一連の処
理工程において，図示しない搬送ロボットが未だ洗浄さ
れていないウェハＷを例えば２５枚ずつ収納したキャリ
アＣを洗浄処理システム１に搬送し載置部２に載置す
る。そして，この載置部２に載置されたキャリアＣから
ウェハＷが取り出され，搬送アーム３によってウェハＷ
は処理装置６，７，８に順次搬送される。そして，所定
の手順に従って一連の処理工程が行われる。
態にかかる処理装置６で行われる作用について説明す
る。まず，前述の洗浄処理システム１における一連の処
理工程において，図示しない搬送ロボットが未だ洗浄さ
れていないウェハＷを例えば２５枚ずつ収納したキャリ
アＣを洗浄処理システム１に搬送し載置部２に載置す
る。そして，この載置部２に載置されたキャリアＣから
ウェハＷが取り出され，搬送アーム３によってウェハＷ
は処理装置６，７，８に順次搬送される。そして，所定
の手順に従って一連の処理工程が行われる。
【００３５】ここで，処理装置６内の処理工程について
説明すると，図２に示したように，回転テーブル２１に
保持されたウェハＷを，回転機構２４の稼働によって回
転させる。そして，ウェハＷの表面に対しては，供給ノ
ズル６５をウェハＷの上方に移動させ，ウェハＷの表面
に処理液として薬液，純水を順次を供給する。一方，ウ
ェハＷの裏面に対しては，回転テーブル２１の中心部に
配置した供給ノズル３０を静止した状態で処理液を上向
きに供給する。こうして，ウェハＷを回転させながら表
面及び裏面に処理液を供給し，遠心力によって処理液を
ウェハＷの表面及び裏面全体に行き渡らせて洗浄する。
説明すると，図２に示したように，回転テーブル２１に
保持されたウェハＷを，回転機構２４の稼働によって回
転させる。そして，ウェハＷの表面に対しては，供給ノ
ズル６５をウェハＷの上方に移動させ，ウェハＷの表面
に処理液として薬液，純水を順次を供給する。一方，ウ
ェハＷの裏面に対しては，回転テーブル２１の中心部に
配置した供給ノズル３０を静止した状態で処理液を上向
きに供給する。こうして，ウェハＷを回転させながら表
面及び裏面に処理液を供給し，遠心力によって処理液を
ウェハＷの表面及び裏面全体に行き渡らせて洗浄する。
【００３６】この場合，回転機構２４の回転によりカバ
ー３２内に微細な塵埃等が発生し，ウェハＷの回転によ
り容器２０内に処理液の液滴が飛散や処理液の雰囲気に
充満される。そこで，図２に示したように，回転軸２３
及びカバー３２を覆う。これにより，回転機構２４の配
置場所の雰囲気と容器２０内の雰囲気とを遮断し，お互
いの雰囲気が連通するのを防止する。さらに，回転軸２
３が貫通するカバー３２及び容器２０の箇所３３近傍の
雰囲気を第１のラビリンスシール３４によって密封し，
箇所３３の気密性を向上させる。従って，箇所３３を介
して，カバー３２内の微細な塵埃が容器２０内まで拡散
したり，容器２０内の処理液の液滴や雰囲気がカバー３
２内に漏出することや拡散することを防止することがで
きる。
ー３２内に微細な塵埃等が発生し，ウェハＷの回転によ
り容器２０内に処理液の液滴が飛散や処理液の雰囲気に
充満される。そこで，図２に示したように，回転軸２３
及びカバー３２を覆う。これにより，回転機構２４の配
置場所の雰囲気と容器２０内の雰囲気とを遮断し，お互
いの雰囲気が連通するのを防止する。さらに，回転軸２
３が貫通するカバー３２及び容器２０の箇所３３近傍の
雰囲気を第１のラビリンスシール３４によって密封し，
箇所３３の気密性を向上させる。従って，箇所３３を介
して，カバー３２内の微細な塵埃が容器２０内まで拡散
したり，容器２０内の処理液の液滴や雰囲気がカバー３
２内に漏出することや拡散することを防止することがで
きる。
【００３７】第１のラビリンスシール３４内の具体的な
作用は，図４に示したように，内部に第１の迂回通路４
０を形成させ，口４１から口４２へ処理液の雰囲気が流
通することや，口４２から口４１へ塵埃等が流通するこ
とを防止している。さらに，この第１の迂回通路４０に
第１のＮ2供給回路によってＮ2を供給し，処理液の雰囲
気の侵入する方向とは逆方向に気流４６を形成し 同様
に塵埃等の侵入する方向とは逆方向に気流４７を形成す
る。これにより，処理液の雰囲気や塵埃等が第１のラビ
リンスシール３４内に侵入することを未然に防止してい
る。
作用は，図４に示したように，内部に第１の迂回通路４
０を形成させ，口４１から口４２へ処理液の雰囲気が流
通することや，口４２から口４１へ塵埃等が流通するこ
とを防止している。さらに，この第１の迂回通路４０に
第１のＮ2供給回路によってＮ2を供給し，処理液の雰囲
気の侵入する方向とは逆方向に気流４６を形成し 同様
に塵埃等の侵入する方向とは逆方向に気流４７を形成す
る。これにより，処理液の雰囲気や塵埃等が第１のラビ
リンスシール３４内に侵入することを未然に防止してい
る。
【００３８】また，回転テーブル２１から供給ノズル３
０が突き出ている箇所５０近傍の雰囲気を第２のラビリ
ンスシール５１で密封し，箇所５０の気密性を向上させ
る。従って，箇所５０を介して，容器２０内の処理液の
液滴が支持軸２５に入り込みカバー３２内にまで漏出す
ることを防止することができる。
０が突き出ている箇所５０近傍の雰囲気を第２のラビリ
ンスシール５１で密封し，箇所５０の気密性を向上させ
る。従って，箇所５０を介して，容器２０内の処理液の
液滴が支持軸２５に入り込みカバー３２内にまで漏出す
ることを防止することができる。
【００３９】第２のラビリンスシール５１内の具体的な
作用は，図４に示したように，内部に第２の迂回通路５
４を形成させ，口５５から口５６へ処理液の雰囲気が流
通することを防止している。さらに，この第２の迂回通
路５４に第２のＮ2供給回路によってＮ2を供給し，処理
液の雰囲気の侵入する方向とは逆方向に気流６１を形成
する。このように，処理液の雰囲気が第２のラビリンス
シール３４内に侵入することを未然に防止している。
作用は，図４に示したように，内部に第２の迂回通路５
４を形成させ，口５５から口５６へ処理液の雰囲気が流
通することを防止している。さらに，この第２の迂回通
路５４に第２のＮ2供給回路によってＮ2を供給し，処理
液の雰囲気の侵入する方向とは逆方向に気流６１を形成
する。このように，処理液の雰囲気が第２のラビリンス
シール３４内に侵入することを未然に防止している。
【００４０】こうして，所定の時間が経過すると洗浄処
理の終了する。そして，回転機構２４の稼働回転数を上
げて遠心力を大きくし，この遠心力によりウェハＷに付
着している処理液を周囲に振り切り，ウェハＷを乾燥さ
せる。処理工程が終了すると，回転機構２４の稼働が停
止し，回転テーブル２１の回転も停止する。そして，ウ
ェハＷは，処理装置６内から搬出され引き続き処理装置
７，８に搬送される。
理の終了する。そして，回転機構２４の稼働回転数を上
げて遠心力を大きくし，この遠心力によりウェハＷに付
着している処理液を周囲に振り切り，ウェハＷを乾燥さ
せる。処理工程が終了すると，回転機構２４の稼働が停
止し，回転テーブル２１の回転も停止する。そして，ウ
ェハＷは，処理装置６内から搬出され引き続き処理装置
７，８に搬送される。
【００４１】洗浄処理部４での処理工程が終了したウェ
ハＷは再びキャリアＣに収納され，続いて，残りの２４
枚のウェハＷに対しても一枚ずつ同様な処理が行われて
いく。こうして，２５枚のウェハＷの処理が終了する
と，キャリアＣ単位で洗浄処理システム１外に搬出され
る。なお，裏面の洗浄処理に用いられる処理液は薬液又
は純水のどちらでもよい
ハＷは再びキャリアＣに収納され，続いて，残りの２４
枚のウェハＷに対しても一枚ずつ同様な処理が行われて
いく。こうして，２５枚のウェハＷの処理が終了する
と，キャリアＣ単位で洗浄処理システム１外に搬出され
る。なお，裏面の洗浄処理に用いられる処理液は薬液又
は純水のどちらでもよい
【００４２】かくして，本実施の形態にかかる処理装置
６によれば，回転軸２３が貫通するカバー３２及び容器
２０の箇所３３及び回転テーブル２１から供給ノズル３
０が突き出ている箇所５０の気密性を向上させることに
より，カバー３２内の微細な塵埃が容器２０内まで拡散
したり，容器２０内の処理液の液滴や雰囲気がカバー３
２内に漏出することや拡散することを防止することがで
きる。また，従って，容器２０内の雰囲気と回転機構２
４の配置場所の雰囲気とを遮断することができ，ウェハ
Ｗにパーティクルが付着することがなく，回転機構２４
の故障を防止することができる。
６によれば，回転軸２３が貫通するカバー３２及び容器
２０の箇所３３及び回転テーブル２１から供給ノズル３
０が突き出ている箇所５０の気密性を向上させることに
より，カバー３２内の微細な塵埃が容器２０内まで拡散
したり，容器２０内の処理液の液滴や雰囲気がカバー３
２内に漏出することや拡散することを防止することがで
きる。また，従って，容器２０内の雰囲気と回転機構２
４の配置場所の雰囲気とを遮断することができ，ウェハ
Ｗにパーティクルが付着することがなく，回転機構２４
の故障を防止することができる。
【００４３】なお，本発明の実施の形態の一例について
説明したが，本発明はこの例に限定されず種々の様態を
採りうるものである。例えば，第１のラビリンスシール
３４又は第２のラビリンスシール５１のどちらか一方の
みを設けるようにしてもよい。さらに，基板を上記した
本実施の形態のようにウェハＷに限定せず，ＬＣＤ基
板，ガラス基板，ＣＤ基板，フォトマスク，プリント基
板，セラミック基板等でもあってもよい。
説明したが，本発明はこの例に限定されず種々の様態を
採りうるものである。例えば，第１のラビリンスシール
３４又は第２のラビリンスシール５１のどちらか一方の
みを設けるようにしてもよい。さらに，基板を上記した
本実施の形態のようにウェハＷに限定せず，ＬＣＤ基
板，ガラス基板，ＣＤ基板，フォトマスク，プリント基
板，セラミック基板等でもあってもよい。
【００４４】
【発明の効果】本発明によれば，回転軸が貫通するカバ
ー及び容器の箇所及び回転テーブルから供給ノズルが突
き出ている箇所の気密性を向上させることにより，カバ
ー内の微細な塵埃が容器内まで拡散したり，容器内の処
理液の液滴や雰囲気がカバー内に漏出することや拡散す
ることを防止することができる。また，従って，容器内
の雰囲気と回転機構の配置場所の雰囲気とを遮断するこ
とができ，基板にパーティクルが付着することがなく，
回転機構の故障を防止することができる。その結果，例
えば半導体デバイスの製造が円滑に行うことができ，そ
の生産性を向上することができるようになる。
ー及び容器の箇所及び回転テーブルから供給ノズルが突
き出ている箇所の気密性を向上させることにより，カバ
ー内の微細な塵埃が容器内まで拡散したり，容器内の処
理液の液滴や雰囲気がカバー内に漏出することや拡散す
ることを防止することができる。また，従って，容器内
の雰囲気と回転機構の配置場所の雰囲気とを遮断するこ
とができ，基板にパーティクルが付着することがなく，
回転機構の故障を防止することができる。その結果，例
えば半導体デバイスの製造が円滑に行うことができ，そ
の生産性を向上することができるようになる。
【図１】本実施の形態にかかる処理装置を備えた洗浄処
理システムの斜視図である。
理システムの斜視図である。
【図２】本実施の形態にかかる処理装置の断面図であ
る。
る。
【図３】本実施の形態にかかる処理装置の平面図であ
る。
る。
【図４】本実施の形態にかかる処理装置の要部の拡大断
面図である。
面図である。
【図５】従来の処理装置の断面図である。
１ 洗浄処理システム ６ 処理装置 ２１ 回転テーブル ２３ 回転軸 ３０ 供給ノズル ３２ カバー ３３，５０ 箇所 ３４ 第１のラビリンスシール ３５，３６ 第１の上向き仕切り板 ３７ 第１の下向き仕切り板 ４５ 第１のＮ2供給回路 ５１ 第２のラビリンスシール ５２ 第２の上向き仕切り板 ５３ 第２の下向き仕切り板 ６０ 第２のＮ2供給回路
Claims (7)
- 【請求項１】 中空に形成した回転軸の上方に支持され
た回転テーブルと一体となって回転する基板の裏面に該
回転軸内を貫通して支持された供給ノズルから処理液を
供給することにより基板の裏面を処理する処理装置にお
いて，前記回転軸をカバーで覆い，前記カバーと前記回
転テーブルとの間に雰囲気を密封する第１のシール部を
設けたことを特徴とする，処理装置。 - 【請求項２】 前記第１のシール部は，前記カバーに設
けられた第１の上向き仕切り板と前記回転テーブルに設
けられた第１の下向き仕切り板とを間を空けて重ね合わ
せるように配列させたラビリンスシールであることを特
徴とする，請求項１に記載の処理装置。 - 【請求項３】 前記第１のシール部において，第１の上
向き仕切り板と第１の下向き仕切り板との間に気体を供
給する気体供給路を設けたことを特徴とする，請求項１
又は２に記載の処理装置。 - 【請求項４】 中空に形成した回転軸の上方に支持され
た回転テーブルと一体となって回転する基板の裏面に該
回転軸内を貫通して支持された供給ノズルから処理液を
供給することにより基板の裏面を処理する処理装置にお
いて，前記回転テーブルと前記供給ノズルとの間に雰囲
気を密封する第２のシール部を設けたことを特徴とす
る，処理装置。 - 【請求項５】 前記回転軸をカバーで覆うことを特徴と
する，請求項４に記載の処理装置。 - 【請求項６】 前記第２のシール部は，前記回転テーブ
ルに設けられた第２の上向き仕切り板と供給ノズルに設
けられた第２の下向き仕切り板とを間を空けて重ね合わ
せるように配列させたラビリンスシールであることを特
徴とする，請求項４又は５に記載の処理装置。 - 【請求項７】 前記第２のシール部に気体を供給する気
体供給路を接続したことを特徴とする，請求項４，５又
は６に記載の処理装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08491998A JP3401428B2 (ja) | 1998-03-16 | 1998-03-16 | 処理装置 |
| US09/135,478 US6115867A (en) | 1997-08-18 | 1998-08-17 | Apparatus for cleaning both sides of substrate |
| EP98115398A EP0898301B1 (en) | 1997-08-18 | 1998-08-17 | Apparatus for cleaning both sides of a substrate |
| DE69835988T DE69835988T2 (de) | 1997-08-18 | 1998-08-17 | Doppelseitenreinigungsmaschine für ein Substrat |
| KR1019980033458A KR100530700B1 (ko) | 1997-08-18 | 1998-08-18 | 기판의양면세정장치 |
| US09/638,511 US6276378B1 (en) | 1997-08-18 | 2000-08-11 | Apparatus for cleaning both sides of substrate |
| KR10-2005-0044528A KR100513438B1 (ko) | 1997-08-18 | 2005-05-26 | 기판의 양면세정장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08491998A JP3401428B2 (ja) | 1998-03-16 | 1998-03-16 | 処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11265868A true JPH11265868A (ja) | 1999-09-28 |
| JP3401428B2 JP3401428B2 (ja) | 2003-04-28 |
Family
ID=13844131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08491998A Expired - Fee Related JP3401428B2 (ja) | 1997-08-18 | 1998-03-16 | 処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3401428B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009043868A (ja) * | 2007-08-08 | 2009-02-26 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、ダミーディスペンス方法及び記憶媒体 |
| US8015985B2 (en) | 2008-01-08 | 2011-09-13 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method using the same |
| KR20170134615A (ko) | 2015-04-17 | 2017-12-06 | 가부시키가이샤 하모닉 드라이브 시스템즈 | 정압씰 부착 모터 |
| JP2022104866A (ja) * | 2020-12-30 | 2022-07-12 | セメス株式会社 | バックノズルユニット、及びバックノズルユニットを含む基板処理装置 |
| JP2023130556A (ja) * | 2022-03-08 | 2023-09-21 | 株式会社東京精密 | ウエハの回転保持装置 |
-
1998
- 1998-03-16 JP JP08491998A patent/JP3401428B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009043868A (ja) * | 2007-08-08 | 2009-02-26 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、ダミーディスペンス方法及び記憶媒体 |
| US8015985B2 (en) | 2008-01-08 | 2011-09-13 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method using the same |
| KR20170134615A (ko) | 2015-04-17 | 2017-12-06 | 가부시키가이샤 하모닉 드라이브 시스템즈 | 정압씰 부착 모터 |
| JPWO2016166899A1 (ja) * | 2015-04-17 | 2018-01-25 | 株式会社ハーモニック・ドライブ・システムズ | 静圧シール付きモーター |
| US10250097B2 (en) | 2015-04-17 | 2019-04-02 | Harmonic Drive Systems Inc. | Static pressure seal-equipped motor |
| JP2022104866A (ja) * | 2020-12-30 | 2022-07-12 | セメス株式会社 | バックノズルユニット、及びバックノズルユニットを含む基板処理装置 |
| TWI804944B (zh) * | 2020-12-30 | 2023-06-11 | 南韓商細美事有限公司 | 後噴嘴單元及處理腔室與用以處理一基板的設備 |
| US12128450B2 (en) | 2020-12-30 | 2024-10-29 | Semes Co., Ltd | Back nozzle unit and apparatus for processing a substrate including back nozzle unit |
| JP2023130556A (ja) * | 2022-03-08 | 2023-09-21 | 株式会社東京精密 | ウエハの回転保持装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3401428B2 (ja) | 2003-04-28 |
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