JPH11269593A - 磁気ディスク基盤用アルミニウム合金ブランク及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 従来合金と同等のメッキ性を確保し、サブス
トレート加工の研削性を向上できる磁気ディスク基盤用
アルミニウム合金ブランク及び製造方法の提供。 【解決手段】 アルミニウム合金製の磁気ディスク基盤
用ブランクは、結晶方位（１１０）面のＸ線積分強度Ｉ
（１１０）と（結晶方位（１００）面のＸ線積分強度Ｉ
（１００）との比Ｉ（１１０）／Ｉ（１００）が０．４
を超えるものである。このブランクは、Ｍｇ：３．０重
量％以上を含有し、Ｃｒ：０．０２乃至０．１重量％及
びＺｒ：０．００５乃至０．１重量％からなる群から選
択された元素を１種以上含有し、残部がＡｌ及び不純物
からなり、前記不純物のうち、Ｆｅ及びＳｉを夫々Ｆ
ｅ：０．０５重量％以下、Ｓｉ：０．０５重量％以下に
規制した組成を有する。このアルミニウム合金を鋳造
し、面削、均質化処理、熱間圧延、７０乃至９０％の冷
間加工率による冷間圧延の各工程を実施する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は磁気ディスク基盤用
アルミニウム合金ブランク及びその製造方法に関し、更
に詳細には、ＧＲ研削加工時における優れた研削性を示
す磁気ディスク基盤用アルミニウム合金ブランク及びそ
の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、コンピュータ等の記録媒体とし
て使用される磁気ディスク等の基盤材としては、軽
量、非磁性、高剛性、精密加工、研磨により容易
に良好な表面精度が得られること、安価であること等
の理由により、アルミニウム合金が使用されてきた。特
に、５０８６合金等の５０００系アルミニウム合金は、
上記の特性が良好であるため、塗布型メディア及び薄膜
メディアを通じてＨＤＤ用アルミニウム合金基盤材とし
て使用されてきた。

【０００３】通常、このアルミニウム合金ディスクの作
成方法は、以下の手順による。即ち、アルミニウム鋳塊
を造塊し、その後、均熱及び熱間圧延工程を施し、その
後、冷間圧延等により所定の板厚とする。その後、ディ
スク形状に打ち抜きを行い、所謂ブランクとする。その
後、ディスク材を平坦な定盤間に挟みながら、３００℃
以上の温度で焼鈍するという所謂フラットベーキングを
行う。このフラットベーキングは、後工程で行われる磁
性層のスパッタリング時に、熱的に安定な状態を作り出
すためにも必要である。その後、サブストレート加工を
行う。このサブストレート加工とは、アルミニウム合金
基盤を＃３０００番程度の砥石で研磨する工程であり、
以下の目的がある。即ち、一つは所定の寸法に仕上げる
ためであり、二つ目としては後工程で行うメッキ及び研
磨工程のために、ブランク表面部の酸化膜層を除去し、
またメッキ前のアルミニウム表面の粗度を低滅させるた
めである。このサブストレート加工により、アルミニウ
ム合金の表面粗度は３０ｎｍ程度となる。その後、この
サブストレートに２０μｍ以下の厚さのＮｉ−Ｐメッキ
を施し、ディスクに強度及び硬度を与え、ディスクが傷
ついてデータエラーが発生することを防止する。更に、
このＮｉ−Ｐメッキ層には、所謂メッキ欠陥が生じてい
るために、このような欠陥を除去し、またＮｉ−Ｐメッ
キ膜が平滑となるようにメッキ膜の研磨を行う。この工
程により、磁気ヘッドの低浮上化が可能となり、高密度
記録が得られる。その後、メッキ層上に磁性層をスパッ
タリングにより形成し、磁気ディスクとして使用する。

【０００４】近年では、コンピュータの低価格化と共に
アルミニウム合金基盤にも低コストが求められており、
サブストレート加工においてもコストダウンが求められ
るようになっている。このサブストレートの加工コスト
低減技術として、例えば、サブストレートの加工性改善
のために、研削速度の低下原因となる砥石目詰まりを抑
制することを目的として、表面層の酸化膜を除去するも
のが提案されている（特開平５−２４８８６３号公
報）。

【０００５】しかしながら、上記加工方法は表面層の酸
化膜の除去により、サブストレートの加工性を改善する
ものであり、アルミニウム合金基盤自体の研削性を改善
するものではなかった。

【０００６】また、アルミニウム合金基盤自体の加工性
を向上させる方法としては、アルミニウム合金のＦｅ含
有量を増加することが考えられる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、アルミ
ニウム合金基盤自体の加工性を向上させるために、アル
ミニウム合金のＦｅ含有量を増加させると、メッキ時に
ノジュールといわれる凸状欠陥が増加することになり、
メッキ後の研磨量が増加し、研磨コストが増加してしま
うという欠点がある。

【０００８】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、従来合金と同等のメッキ性を確保すると共
に、サブストレート加工の研削性を向上させることがで
きる磁気ディスク基盤用アルミニウム合金ブランク及び
その製造方法を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明に係る磁気ディス
ク基盤用アルミニウム合金ブランクは、アルミニウム合
金製の磁気ディスク基盤用ブランクにおいて、結晶方位
（１１０）面のＸ線積分強度Ｉ（１１０）と結晶方位
（１００）面のＸ線積分強度Ｉ（１００）との比Ｉ（１
１０）／Ｉ（１００）が０．４を超えるものであること
を特徴とする。

【００１０】本発明に係る磁気ディスク基盤用アルミニ
ウム合金ブランクの製造方法は、Ｍｇ：３．０重量％以
上を含有し、Ｃｒ：０．０２乃至０．１重量％及びＺ
ｒ：０．００５乃至０．１重量％からなる群から選択さ
れた元素を１種以上含有し、残部がＡｌ及び不純物から
なり、前記不純物のうち、Ｆｅ及びＳｉを夫々Ｆｅ：
０．０５重量％以下、Ｓｉ：０．０５重量％以下に規制
したアルミニウム合金を鋳造し、面削、均質化処理、熱
間圧延、７０乃至９０％の冷間加工率による冷間圧延の
各工程を実施し、結晶方位（１１０）面のＸ線積分強度
Ｉ（１１０）と（結晶方位（１００）面のＸ線積分強度
Ｉ（１００）との比Ｉ（１１０）／Ｉ（１００）が０．
４を超えるアルミニウム合金ブランクを製造することを
特徴とする。

【００１１】この磁気ディスク基盤用アルミニウム合金
ブランクの製造方法において、更に、必須元素として、
Ｍｎ：０．０５乃至０．５重量％を含有することができ
る。また、更に、選択元素として、Ｃｕ：０．０２乃至
０．１重量％及びＺｎ：０．０２乃至０．５重量％から
なる群から選択された元素を１種以上含有することがで
きる。更にまた、前記冷間圧延工程の前に、焼鈍温度が
２６０乃至４００℃の焼鈍工程を設けることができる。

【００１２】本発明においては、アルミニウム合金自体
の化学成分は従来の磁気ディスク基盤用アルミニウム合
金と同等としてメッキ層の劣化を回避しつつ、サブスト
レート加工性を向上させることを目的としてなされたも
のである。

【００１３】本発明は、前記課題を解決するために、本
発明者が種々検討した結果、メッキ性を損なわずに、サ
ブストレート加工性を得るためには、最終焼鈍時に生じ
る再結晶粒の面方位をコントロールすることが極めて有
効であるという新規の知見を得、本発明を完成したもの
である。

【００１４】先ず、本発明者等は、再結晶粒の面方位に
よる加工性を調査し、Ｒ一方位といわれる再結晶粒の
（１１０）面が研削加工性に優れていることを究明し
た。そこで、面方位のコントロールにより、Ｒ−方位：
（１１０）を多く残すことが有効であるとの知見を得
た。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的構成につい
て、詳細に説明する。先ず、面方位について説明する。

【００１６】（１）面方位に対する結晶粒径の影響 再結晶粒が小さいと、最終焼鈍時に、個々の再結晶自
体に費やされる熱エネルギーは分散され、成長サイズが
小さく、また多くなる。このため、Ｒ−方位である（１
１０）面方位を持つ再結晶粒が多くなる。 再結晶粒は、冷間加工時に導入される加工歪みを核と
するために、冷間加工率が高ければ高いほど、再結晶粒
は小さくなる。 一方で、冷間加工率のみによる加工歪みの蓄積には限
界があり、遷移元素であるＭｎ又はＣｒの添加により、
結晶粒内へのアルミニウム化合物としての析出が生じ、
加工歪みの蓄積に有効である。

【００１７】（２）面方位に対する中間焼鈍の影響 熱間圧延コイルに中間焼鈍を施すと再結晶化が起こ
り、立方体方位（１００）面とＲ−方位：（１１０）面
が成長する。 加工性が悪い立方体方位は、後の工程で行われる冷間
加工により、方位分散されるが、Ｒ−方位は残存する。 冷間加工により立方体方位から方位分散した種々の方
位からも最終焼鈍によりＲ−方位が成長するために、中
間焼鈍で生じたＲ−方位の分だけ、Ｒ−方位の占有率が
高くなる。

【００１８】以上の知見によると、結晶粒をコントロー
ルする必要性は無く、従来から使用されているアルミニ
ウム合金を使用して、優れた研削加工性を有するアルミ
ニウム合金基盤ブランクの製造が可能となることがわか
る。

【００１９】次に、本発明における再結晶粒の面方位比
率の限定理由について説明する。サブストレート加工に
おいて、再結晶粒の（１１０）面が研削加工性に優れて
いる。再結晶粒の（１１０）面方位は、Ｘ線積分強度比
Ｉ（１１０）／Ｉ（１００）が０．４０未満では、再結
晶粒の（１１０）面が不足し、十分な研削加工性が得ら
れない。このため、Ｘ線積分強度比Ｉ（１１０）／Ｉ
（１００）を０．４０以上とする。

【００２０】次に、アルミニウム（Ａｌ）合金の化学成
分の限定理由について説明する。

【００２１】Ｍｇ：３．０重量％以上 ＭｇはＡｌ合金磁気ディスク基盤用ブランクの強度向上
に有効な元素であり、通常ディスク材としては４重量％
程度添加されている。Ｍｇの含有量が３．０重量％未満
ではディスク材として十分な強度が得られないため、Ｍ
ｇ含有量は３．０重量％以上とする。一方、Ｍｇ量が６
重量％を超えると圧延割れが発生し、圧延加工が困難に
なることから、その含有量を６重量％以下とすることが
好ましい。

【００２２】Ｃｒ：０．０２乃至０．１重量％ Ｃｒは再結晶粒の微細化に寄与する元素である。この効
果を得るためには、Ｃｒを０．０２重量％以上添加する
ことが必要である。しかし、Ｃｒを０．１重量％を超え
て添加すると、晶出物の粗大化が進行しやすいので、Ｃ
ｒ量は０．０２乃至０．１重量％の範囲とする。

【００２３】Ｚｒ：０．００５乃至０．１重量％ Ｚｒも再結晶粒の微細化に寄与する元素である。この効
果を得るためには、Ｚｒを０．００５重量％以上添加す
ることが必要である。しかし、Ｚｒ量が０．１重量％を
超えると、晶出物の粗大化が進行しやすいので、Ｚｒ量
は０．００５乃至０．１重量％の範囲とする。

【００２４】Ｍｎ：０．０５乃至０．５重量％ Ｍｎは再結晶粒の微細化に寄与する元素であると共に、
メッキ欠陥の寸法を減少させる効果がある。これは、Ｍ
ｎが粗大なＡｌ−Ｆｅ系晶出物の一部を置換してＡｌ
（Ｍｎ・Ｆｅ）をつくり、結果として粗大なＡｌ−Ｆｅ
系晶出物が減少することに起因している。しかし、Ｍｎ
が０．０５重量％未満では十分な微細化効果が得られ
ず、また０．５重量％を超えてＭｎを添加すると、粒界
に偏析を起こして、メッキ欠陥が急激に増加する。この
ため、Ｍｎ含有量は０．０５乃至０．５重量％とする。

【００２５】Ｃｕ：０．０２乃至０．１重量％ ＣｕはＡｌ合金中に均一に固溶し、ジンケート処理時の
Ｚｎの基盤表面への析出を均一且つ微細にする効果を有
している。これによって、メッキ面のノジュールの発生
を抑制することができる。しかし、Ｃｕ添加量が０．０
２重量％未満では上記の効果が得られず、また０．１重
量％を超えて添加すると、ノジュールの発生が多大とな
ったり、結晶粒界のエッチングが過剰となり、メッキ面
の平滑性を損ねるので好ましくない。従って、Ｃｕ量は
０．０２乃至０．１重量％とする。

【００２６】Ｚｎ：０．０２乃至０．５重量％ ＺｎもＡｌ合金中に均一に固溶し、ジンケート処理時の
Ｚｎの基盤表面への析出を微細とし、ノジュールの発生
を抑制する効果を有している。しかし、Ｚｎ添加量が
０．０２重量％未満では上記の効果が得られず、また
０．５重量％を超えて添加すると、ノジュールの発生が
多大となったり、結晶粒界のエッチングが過剰となり、
メッキ面の平滑性を損ねるので好ましくない、従って、
Ｚｎ量は０．０２重量％乃至０．５重量％とする。

【００２７】Ｆｅ：０．０５重量％以下 Ｆｅは通常地金不純物として混入し、鋳造工程などにお
いてＡｌ−Ｆｅ系の金属間化合物を生じやすい。この金
属間化合物はディスク用基盤としての加工、所謂サブス
トレート加工時の切削及び研磨・研削等の加工工程にお
いて脱落し、窪みとなったり、また、メッキ前処理工程
において脱落し、メッキ面のピット又はノジュールの原
因となる。そこで、Ｆｅの含有量は０．０５重量％以下
とする。Ｆｅは不可避的不純物として混入する元素であ
るが、Ｆｅ含有量が０．００５重量％以下とするために
は、純度９９．９９重量％等の極めて高価な地金を必要
とするため、製造コストが上昇すると共に、打ち抜き性
及びサブストレート加工性が低下し、更にメッキを施す
場合の晶出物微細化の効果も飽和しており、メッキの密
着性にも問題が生じる。そこで、Ｆｅ元素は不純物とし
て０．０５重量％以下に規制する必要があるが、その規
制値は０．００５重量％以上であることが好ましい。

【００２８】Ｓｉ：０．０５重量％以下 Ｓｉも通常地金不純物として混入するものであり、鋳造
工程等においてＭｇ−Ｓｉ系晶出物を生じる。このＭｇ
−Ｓｉ系晶出物はメッキ前処理工程において脱落し、ピ
ットの原因となるため、Ｓｉの含有量は０．０５重量％
以下とする。一方、Ｓｉ量を０．００５重量％以下にし
ようとすると、純度９９．９９重量％等の極めて高価な
地金を必要とするため、製造コストが上昇すると共に、
打ち抜き性及びサブストレート加工性が低下し、更にメ
ッキを施す場合に晶出微細化の効果も飽和しており、メ
ッキの密着性にも問題が生じる。そこで、Ｓｉ元素は不
純物として０．０５重量％以下に規制するものである
が、その規制値は０．００５重量％以上であることが好
ましい。

【００２９】次に、本発明の製造条件について説明す
る。

【００３０】まず、常法によりスラブを造塊し、均熱処
理を行う。引き続き、熱間圧延を行い、ホットコイルを
製造した後、中間焼鈍を施し、冷間圧延を行う。

【００３１】中間焼鈍は、熱間加工組織を再結晶化させ
て、Ｒ−方位の成長を促進し、成長させた分だけ、最終
焼鈍のＲ−方位を多くするために行う。このため、中間
焼鈍により再結晶化を引き起こす必要がある。従って、
中間焼鈍温度が２６０℃未満では、再結晶化のために必
要な熱エネルギーが十分に得られず、工業的には不適当
な焼鈍（概ね５０時間以上）を施さなければ十分な再結
晶が起こらない。しかし、中間焼鈍温度が４００℃を超
えると、中間焼鈍時の再結晶組織の粗大化が起こり、フ
ラットベーキング後に十分な強度が得られない。このた
め、中間焼鈍温度は２６０乃至４００℃とする。なお、
中間焼鈍時間については、特に制約を受けないが、前述
の効果を十分に得るためには、３０分以上であることが
望ましい。また、焼鈍時間が１０時間を超えると、初期
目的が達成されているので製造コストが上昇するため、
１０時間以下が望ましい。

【００３２】次に、中間焼鈍後の冷間加工の加工率につ
いては、同様に、再結晶核を十分に得るために、以下の
ように規制する。中間焼鈍の加工率が７０％未満である
と、加工歪みが不足して、再結晶核が十分得られないた
め、７０％以上であることが必要である。しかし、冷間
加工率が９０％を超えると、仕上げ板厚に対するホット
コイルの板厚が厚くなり過ぎ、仕上圧延により製品板厚
を得にくくなるため、工業的に不適当となる。このため
に、中間焼鈍後の加工率は７０乃至９０％とする必要が
ある。

【００３３】なお、本発明において、フラットベーキン
グ条件は特に規定しないが、同工程は磁気ディスクのフ
ラットネス（平坦度）改善のために行う処理であり、前
述の如く、平坦な定盤間にディスクを数枚乃至数十枚は
さみ、加圧しながら３００乃至４００℃の温度で３０分
以上の熱処理を行うものである。

【００３４】なお、冷間加工工程の後工程については、
定法に従えばよく、以下に一例を示す。通常の圧延板は
粗度が例えばＲ ＝０．１乃至０．５μｍとディスク基
盤としては大きく、また歪みも更に低下させる必要があ
るので、切削又は研磨によりディスク表面を削除し、所
謂サブストレートとする。このサブストレートに下地メ
ッキを行う。

【００３５】メッキ工程は通常、脱脂、エッチング、Ｚ
ｎ置換等、前処理工程及び実際のメッキ膜形成工程から
なる。メッキ膜には通常Ｎｉ−Ｐ等の非磁性のものを使
用する。このメッキ工程は、ディスク表面に硬さを付与
し、ＨＤＤとして使用した場合にヘッドクラッシュ等に
よる損傷を防止するために行う。そこで、強度向上のた
めには、最低５μｍ以上のメッキ厚とするのが望まし
く、またあまり厚くすると、メッキ液が多量に必要であ
り、製造コストが上昇するため、２０μｍを超えるもの
とするのは好ましくない。このメッキ工程により、所謂
下地メッキ基盤を作製できる。

【００３６】この下地メッキ基盤は次に研磨工程に供せ
られ、メッキ欠陥を除去し、表面の平滑性を高める。更
に、所謂テクスチャ処理を必要に応じて行い、スパッタ
等により磁性膜を形成した後、磁気ディスクが完成す
る。

【００３７】

【実施例】次に、本発明の実施例に係る磁気ディスク基
盤用ブランクを製造し、その特性を評価した結果につい
て、本発明の範囲から外れる比較例と比較して説明す
る。

【００３８】第１実施例 下記表１に示す化学成分を有するアルミニウム合金を造
塊し、５１０℃で均熱処理を行った後、熱間圧延を５ｍ
ｍ厚まで行い、更に冷間圧延を行い板厚０．８３ｍｍ
（冷間加工率８３％）を得た。３５０℃に３時間加熱す
る熱処理を行い、ビッカース硬度計により硬さを測定
し、ＪＩＳ５号試験片を用いて引っ張り強度を測定し
た。評価は、硬度６０ＭＨｖ以上、耐力１００Ｎ／ｍｍ
²以上を◎（優）、硬度５７ＭＨｖ以上、耐力９０Ｎ／
ｍｍ²以上を○（良）、それ以下のものを×（劣）とし
た。また、得られた冷間圧延板を外径９５ｍｍ、内径２
５ｍｍに打ち抜き加工を行い、次いで３５０℃×３ｈで
歪み取り焼鈍を行い、所謂ブランクディスクを作製し、
Ｘ線による積分強度を理学電気（株）社製ＲＡＤ−Ｃに
より測定した。測定条件は、管電圧４０ＫＶ、管電流５
０ｍＡとし、ターゲットにはＣｕターゲット、２θ角＝
３０乃至１４０°とした。サブストレート加工は下記表
２に示す条件で行った。研削加工速度の評価は、１５μ
ｍ／分以上を◎（優）、１０μｍ／分以上を○（良）、
それ以下を×（劣）とした。

【００３９】更に、市販のメッキ液を使用してＮｉ−Ｐ
を施し、メッキ欠陥の評価を行った、評価方法は２００
倍の光学顕微鏡視野下でカウントを行い、ディスク１枚
につき６０視野、ディスク１０枚の測定を行った後、１
ｍｍ²当たりへ換算した。評価は、１０μｍ以上のノジ
ュールが１個／ｍｍ²未満、且つピットがないものを◎
（優）、１０μｍ以上のノジュールが１個／ｍｍ²以上
５個／ｍｍ²未満、且つピットがないものを○（良）、
ノジュールが５個／ｍｍ²以上若しくはピットが存在す
るものを×（劣）とした。

【００４０】これらの評価結果を下記表３に示す、本発
明の実施例のアルミニウム合金はいずれも優れた研削加
工性と十分な強度、メッキ性を兼ね備えていた。

【００４１】

【表１】

【００４２】

【表２】

【００４３】

【表３】

【００４４】第２実施例 次に、研削性に及ぼす冷間加工率の影響を調査した結果
について説明する。下記表４に示す化学成分を有するア
ルミニウム合金を第１実施例と同様に造塊し、５１０℃
で均熱処理を行った後、熱間圧延を後工程の冷間加工工
程で所定の冷間加工率が得られる板厚まで行った。この
熱間加工における板厚を下記表５に示す。更に、冷間圧
延を行い、板厚を０．８３ｍｍとした。次いで、３５０
℃に３時間加熱する熱処理を行い、ビッカース硬度計に
より硬さを測定し、ＪＩＳ５号試験片を用いて引っ張り
強度を測定した。評価は、硬度６０ＭＨｖ以上、耐力１
００Ｎ／ｍｍ²以上を◎（優）、硬度５７ＭＨｖ以上、
耐力９０Ｎ／ｍｍ²以上を○（良）、それ以下のものを
×（劣）とした。また、得られた冷間圧延板を外径９５
ｍｍ、内径２５ｍｍに打ち抜き加工し、次いで３５０℃
に３時間加熱して歪み取り焼鈍を行い、所謂ブランクデ
ィスクを作製し、第１実施例と同様に、Ｘ線による積分
強度測定、前述の表２に示す条件でサブストレート加工
を行った。研削加工速度の評価は、１５μｍ／分以上を
◎（優）、１０μｍ／分以上を○（良）、それ以下を×
（劣）とした。

【００４５】これらの評価結果を下記表６に示す。本発
明の実施例のアルミニウム合金はいずれも優れた研削加
工性と十分な強度を兼ね備えたアルミニウム合金である
ことがわかる。

【００４６】

【表４】

【００４７】

【表５】

【００４８】

【表６】

【００４９】第３実施例 本実施例は研削性に及ぼす中間焼鈍条件の影響を調査し
たものである。第２実施例と同様に、表４に示す化学成
分を有するアルミニウム合金を用い、第１実施例と同様
に造塊し、５１０℃で均熱処理を行った後、熱間圧延を
５ｍｍ厚まで行った後に、下記表７に示す条件で中間焼
鈍を行い、冷間圧延で板厚を０．８３ｍｍ（冷間加工率
８３％）に仕上げた。更に、３５０℃に３時間加熱する
熱処理を行い、ビッカース硬度計により硬さを測定し、
ＪＩＳ５号試験片を用いて引っ張り強度を測定した。評
価は、硬度６０ＭＨｖ以上、耐力１００Ｎ／ｍｍ²以上
を◎（優）、硬度５７ＭＨｖ以上、耐力９０Ｎ／ｍｍ²
以上を○（良）、それ以下のものを×（劣）とした。ま
た、得られた冷間圧延板を外径９５ｍｍ、内径２５ｍｍ
に打ち抜き加工を行い、次いで３５０℃に３時間加熱す
る歪み取り焼鈍を行い、所謂ブランクディスクを作製
し、第１実施例と同様に、Ｘ線による積分強度を測定
し、表２に示す条件でサブストレート加工を行った。

【００５０】研削加工速度の評価は、１５μｍ／分以上
を◎（優）、１０μｍ／分以上を○（良）、それ以下を
×（劣）とした。機械的性質及び研削加工性の評価結果
を下記表８に示す。本発明の実施例はいずれも優れた研
削加工性と十分な強度を兼ね備えたアルミニウム合金で
あることがわかる。

【００５１】

【表７】

【００５２】

【表８】

【００５３】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
研削性が極めて向上すると共に、良好なメッキ性及び十
分な強度を有するアルミニウム合金性磁気ディスク基盤
用ブランクを製造できるので、本発明はハードディスク
用アルミニウム合金基盤の加工コストの削減に著しく寄
与する。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｃ２２Ｆ 1/00 ６６１ Ｃ２２Ｆ 1/00 ６６１Ｄ ６８４ ６８４Ｃ ６９１ ６９１Ｂ ６９４ ６９４Ａ

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 アルミニウム合金製の磁気ディスク基盤
   用ブランクにおいて、結晶方位（１１０）面のＸ線積分
   強度Ｉ（１１０）と結晶方位（１００）面のＸ線積分強
   度Ｉ（１００）との比Ｉ（１１０）／Ｉ（１００）が
   ０．４を超えるものであることを特徴とする磁気ディス
   ク基盤用アルミニウム合金ブランク。
2. 【請求項２】 Ｍｇ：３．０重量％以上を含有し、Ｃ
   ｒ：０．０２乃至０．１重量％及びＺｒ：０．００５乃
   至０．１重量％からなる群から選択された元素を１種以
   上含有し、残部がＡｌ及び不純物からなり、前記不純物
   のうち、Ｆｅ及びＳｉを夫々Ｆｅ：０．０５重量％以
   下、Ｓｉ：０．０５重量％以下に規制されたアルミニウ
   ム合金を鋳造し、面削、均質化処理、熱間圧延、７０乃
   至９０％の冷間加工率による冷間圧延の各工程を実施
   し、結晶方位（１１０）面のＸ線積分強度Ｉ（１１０）
   と（結晶方位（１００）面のＸ線積分強度Ｉ（１００）
   との比Ｉ（１１０）／Ｉ（１００）が０．４を超えるア
   ルミニウム合金ブランクを製造することを特徴とする磁
   気ディスク基盤用アルミニウム合金ブランクの製造方
   法。
3. 【請求項３】 更に、必須元素として、Ｍｎ：０．０５
   乃至０．５重量％を含有することを特徴とする請求項２
   に記載の磁気ディスク基盤用アルミニウム合金ブランク
   の製造方法。
4. 【請求項４】 更に、選択元素として、Ｃｕ：０．０２
   乃至０．１重量％及びＺｎ：０．０２乃至０．５重量％
   からなる群から選択された元素を１種以上含有すること
   を特徴とする請求項２又は３に記載の磁気ディスク基盤
   用アルミニウム合金ブランクの製造方法。
5. 【請求項５】 前記冷間圧延工程の前に、焼鈍温度が２
   ６０乃至４００℃の焼鈍工程を設けることを特徴とする
   請求項２乃至４のいずれか１項に記載の磁気ディスク基
   盤用アルミニウム合金ブランクの製造方法。