JPH11273080A

JPH11273080A - 光記録再生装置

Info

Publication number: JPH11273080A
Application number: JP10069724A
Authority: JP
Inventors: Shinichi Nakatsuka; 慎一中塚
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1998-03-19
Filing date: 1998-03-19
Publication date: 1999-10-08

Abstract

(57)【要約】【課題】高速高密度の光記録再生装置を実現する。【解決手段】光記録再生装置の光源である半導体レー
ザの駆動電流を制御して、記録媒体の面上の異なる複数
の位置にレーザ光が集光させることで、これらの複数の
位置において同時に情報の記録又は再生を行う。具体的
には、記録媒体上の異なる位置にレーザ光を集光させる
機能を有する上記半導体レーザを異なる周波数のパルス
状電流により駆動する。【効果】記録面上の近接した位置への情報の記録再生
が容易に実現できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光記録再生装置に係
り、記録媒体に形成された複数のトラックを同時に走査
可能な光記録再生装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】光ディスクとして知られる光記録媒体に
形成された記録トラック（情報を保持するピットが一次
元的に配列して形成される領域、以下、トラックと呼
ぶ）を複数のレーザ・ビームで走査する技術は、例え
ば、特開平８−１９０７２８号公報に記載されている。

【０００３】この公報に記載された光記録再生装置は、
図１４に示す如く、マルチビーム半導体レーザ501（図
は、２ビーム・レーザを開示）、これから放射された複
数のレーザ光を夫々平行な光束にするコリメータレンズ
503、複数の平行光束の夫々を円形ビームに成形するビ
ーム成形プリズム504、円形ビームに成形された複数の
平行光束を記録媒体（光ディスク）506上に複数のスポ
ットとして集光する対物レンズ505からなる光学系を有
する。光ディスク506は、その周縁部が上記光学系から
のレーザビームの照射を受けるように配置され、その中
心に設けられた回転装置（図示せず）により、あたかも
上記光学系からのレーザスポットがその周縁部を周回す
るように回転される（図１４は、光ディスクを側方から
見た様子を示す）。レーザ光は円偏光の状態で記録媒体
506に照射され、この記録媒体で反射されたレーザ光は
偏光状態を保持して上記ビーム成形プリズム504に入射
し、ここで直線偏光に変換された後、この内部に設けら
れた部分偏光ビームスプリッタ507によって受光素子
（図示せず）のある側へ導かれる。

【０００４】上記マルチビーム半導体レーザ501の端面
の黒丸部分と白丸部分から夫々放射されたレーザビーム
は、上記光学系を介し記録媒体506に形成されたトラッ
ク（図示せず）に別々に照射される。レーザ光の照射態
様は、黒丸部分からのレーザ光が照射された部分を所定
の時間後に白丸部分からのレーザ光が照射されるように
光学系と記録媒体506の回転装置とを配置し、前者の照
射で記録媒体506に情報を記録し、その記録情報を後者
の照射で再生するダイレクト・ベリファイ（先行ビーム
による書き込みと後行ビームによる書き込み内容の確認
を同時におこなう）方法や、複数のトラックに同時にレ
ーザ光を照射することで、情報を高速に記録し又は再生
する等、バリエーションがある。また、マルチビーム半
導体レーザ501に備え付けられたティルト（傾斜）・ス
ペーサ502は、複数のレーザビームのコリメータレンズ5
03に対する相対ピント位置を、マルチビーム半導体レー
ザ501の端面位置を微動させることで補正するものであ
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術において
は、２本のレーザビームにより読み出された異なるトラ
ックの信号を分離する手段は検出素子の空間的な分離の
みであった。例えば、従来の光情報記録再生装置で採用
されている４分割受光素子（ＱＰＤ，Quadrant Photodi
ode）を用いるにしても、そもそもの用途が一つの光源
からのフォーカス誤差を検出するものであるから、数μ
ｍオーダで平行して放出された光を分離して検出するこ
とは困難を極める。

【０００６】このため、検出用の光学素子に対するビー
ム集光位置の制御はマルチビーム半導体レーザのストラ
イプ間隔程度の制御が必要となり、レーザ光の検出に際
しては高度の調整が必要とされた。そして、光記録再生
装置の低価格化のためには、このような調整の要らな
い、より単純な方式が望まれた。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記課題を達成するた
め、本発明では、半導体レーザの駆動方法により記録面
上の異なる複数の位置にレーザ光が集光される機能を半
導体レーザに付加し、各レーザ光集光位置に照射される
レーザ光を記録媒体の追従速度に比べ十分に高い互いに
異なる周波数のパルス光とし、かつこのパルス光が時間
的に重複して照射されることがないように光記録再生装
置を駆動することを考案した。

【０００８】発光位置を変化させる手段の一つとして発
光位置が注入電流量により変化する機能を有する半導体
レーザを用い、各記録位置に対応した波高値のパルス電
流を情報の記録及び再生に最適の平均エネルギー密度と
なるデューティ比で通電することにより記録及び再生を
行うことを考案した。

【０００９】また、このような特殊な機能を有する半導
体レーザに限らず、通常のアレイ型半導体レーザであっ
てもパルス電流のデューティ比を１０％以下とすれば発
光位置が十分近接したアレイであっても熱的相互干渉の
問題が起こらず高速で高記録密度の光記録再生装置を与
えられることも併せて考案した。半導体レーザの熱的干
渉は半導体レーザの通電による発熱による温度上昇によ
ってしきい値電流が増大することにより引き起こされ
る。半導体レーザを低デューティ高出力のパルスで駆動
すると半導体レーザのエネルギー変換効率が高出力にな
るほど良くなるため、同じ平均パワーを得るための発熱
量が減少する。また、温度による半導体レーザの光出力
ー電流特性の変化は主にしきい値電流の増大であり、微
分発光効率の変化が小さくなるという効果もあり、低デ
ューティパルス駆動はクロストーク防止に大きな効果を
有する。本光記録再生装置においては異なる集光点から
の再生信号は同一の受光素子により検出され、周波数フ
ィルタ回路により信号分離されて情報再生を行うので従
来技術のように信号を空間的に分離する必要はなく安価
な装置構成が可能であった。

【００１０】以上の議論に基づき、本発明は、複数のレ
ーザ光を発振する光源である半導体レーザと、この半導
体レーザに駆動電流を供給する手段と、光記録面を有す
る記録媒体と、この半導体レーザより出射した複数のレ
ーザ光を光記録面上に夫々集光する光学系と、上記記録
媒体を保持し且つ上記光学系に対するその位置を制御す
る記録媒体保持手段とを有する光記録再生装置であっ
て、上記駆動電流供給手段から半導体レーザに供給され
る駆動電流により上記記録面上の異なる複数の位置にレ
ーザ光が集光される機能を有し、上記複数の位置に対し
同時に情報の記録および再生を行うことを基本的な特徴
とする光記録再生装置（光情報処理装置とも呼ばれる）
を提供する。その望ましき態様としては、上記複数のレ
ーザ光集光位置に照射される各々のレーザ光は記録媒体
の追従速度に比べ十分に高い互いに異なる周波数のパル
ス光であり、該パルス光は時間的に重複して照射される
ことがないようにすることが推奨される。

【００１１】望ましき実施形態の一例としては、上記半
導体レーザに発光位置（レーザ光の発振位置）が注入電
流量により変化する機能を有し、各記録位置に対応した
波高値のパルス電流を情報の記録及び再生に最適の平均
エネルギー密度となるデューティ比で通電することによ
り記録及び再生を行うことにある。この場合、半導体レ
ーザに駆動電流として供給されるパルス電流は、デュー
ティ比が１０％以下とすることが推奨される。

【００１２】更に、上述の光記録再生装置を実現するに
望ましい構成要件の組合せは、以下のとおりである。

【００１３】第１点としては、上記記録媒体状の異なる
集光点からの再生信号は同一の受光素子により検出さ
れ、周波数フィルタ回路により信号分離されて情報再生
を行うことである。

【００１４】第二点は、上記複数のレーザ光照射位置を
光ディスクの同一トラック上に相前後して設定し、ディ
スク回転に対し先行するレーザ光を情報の書き込みに、
後行するレーザビームを書き込まれた情報の確認に用い
るよう、前者のレーザ光出力を後者のそれより高く設定
することである。

【００１５】第３点としては、上記複数のレーザビーム
を３個の異なる周波数で変調されたレーザビームとして
発振し、これらを光ディスクの回転に伴い当該光ディス
クのトラックの軸方向にのびた３本の等間隔の線上を走
査するように配し、且つ個々のスポットの信号を周波数
別に検出することによって、等間隔の線のうち両端の２
本の信号を用いて中央の線がトラックの中心線に一致す
るように制御することである。

【００１６】以上に述べた本発明の光記録再生装置の全
容は、次の発明の実施の形態の欄にて明らかに説明され
る。

【００１７】

【発明の実施の形態】本発明による光記録再生装置の具
体的な実施形態を、以下の実施例１乃至３及び夫々の関
連図面を参照して説明する。

【００１８】＜実施例１＞図１から図６を参照して、本
発明の第１の実施例の光記録再生方法を示す。まず本実
施例で用いた半導体レーザの構造を図１および図２に示
す。１０１はＧａＡｓ基板を示しており、このＧａＡｓ
基板１０１は、（１００）面ジャストまたは（１００）
面から［０１１］方向に傾斜した面方位を有し、ｎ型Ｉ
ｎ_0.5 （Ｇａ_0.3 Ａｌ_0.7 ）_0.5 Ｐからなる厚さ１μｍ
程度のｎ型クラッド層１０２が堆積されている。このｎ
型クラッド層１０２上には、アンドープＩｎ_0.5 （Ｇａ
_0.3Ａｌ_0.7）_0.5 Ｐからなる光ガイド層１０３で挾持さ
れている活性層１０４が設けられている。なお、活性層
１０４は如何なる発光層でも良く、例えば、ダブルヘテ
ロ構造のように均一な構造のものでも、ＭＱＷ構造のよ
うにエネルギ−的に変調を受けている構造のものでも用
いることが可能である。

【００１９】光ガイド層１０３上には、ｐ型Ｉｎ0.5
（Ｇａ_1-XＡｌ_X）_0.5Ｐからなる厚さ１μｍ程度のｐ型
クラッド層１０５およびｐ型In_0.5Ga_0.5Pキャップ層１
０６が設けられている。ｐ型クラッド層１０５の中央部
は隆起（リッジ）状１０７に形成されている。このよう
なリッジ構造１０７のｐ型クラッド層１０５は通常のエ
ッチング技術を用いて形成でき、このリッジ構造により
水平方向に光を閉じ込める。また、リッジ構造１０７上
面にはリッジ構造と軸の位置が約２μｍずれた通電領域
１０８が設けられており、この通電部分以外の領域はｎ
型電流ブロック層１０９でおおわれている。

【００２０】ｎ型電流ブロック層１０９およびｐ型キャ
ップ層１０６上には、ｐ型ＧａＡｓからなるｐ型コンタ
クト層１１０を介してＡｕ・Ｚｎ合金からなるｐ側電極
１１１が設けられている。そして、ＧａＡｓ基板１の裏
面には、Ａｕ・Ｇｅ合金からなるｎ側電極１１２が設け
られている。上記各半導体層は、例えば、ＭＯＣＶＤ法
等のＣＶＤ法を用いて成長形成する。また、図２のよう
にリッジ構造１０７と中心軸のずれた電流注入領域１０
８はリッジ形成のためのホトレジストマスクと電流注入
領域形成のための酸化珪素マスクを酸化珪素のサイドエ
ッチングを利用して自己整合的に形成することにより容
易に作製可能である。このような構造のウエハを長さ約
６００μｍにへき開してレ−ザチップとした。通電領域
に流れる電流を変化するとこの部分での屈折率がリッジ
構造による導波路に対し非対称になるため電流注入量に
従ってビ−ムの曲がりが生じる。動作電流が５０ｍＡ、
６５ｍＡおよび８０ｍＡの場合のレーザ光強度の分布は
図３のようになり、動作電流が増加するに伴い発光位置
が右側に移動するとともに光り出力も電流にほぼ比例し
て増大する特性がえられた。

【００２１】次に、本半導体レーザを用いた光記録再生
装置の構成に関して図４および図６を用いて説明する。
図４に示されるように、本実施例の光記録再生装置で
は、半導体レ−ザ１０１より出射したレーザ光１０２
（波長６３０ｎｍ）はコリメータレンズ１１５で並行光
線となり楕円補正プリズム１１６、ビームスプリッタ１
１７、１／４波長板１１８などの光学部品を通った後、
集光レンズ１１９により記録媒体上に集光される。光記
録媒体は、図５が示すようにランド部（凸部）１２１と
グルーブ部（凹部）１２２が0.6μｍ間隔で繰り返す構
造を有しており、ランド部とグルーブ部双方に情報の記
録を行う。光記録媒体１２０を１８００ｒｐｍで回転さ
せ、集光レンズ１１９（開口比：0.55）で集光して光記
録層に照射した。

【００２２】半導体レーザの駆動信号は図６に示すよう
な２種類のパルス列（パルス列１及び２）が重積したパ
ルス電流（パルス列１＋２）により構成される。第１の
パルス列はピーク出力１００ｍＷ、デューティ比３０
％、周波数７０ＭＨｚ、平均出力３０ｍＷのレーザ光を
照射せしめ、光ディスクの書き込みに用いる。第２のパ
ルス列はピーク出力５０ｍＷ、デューティ比１０％、周
波数５０ＭＨｚ、平均出力５ｍＷのレーザ光を照射し
た。これらのビームは前記の半導体レーザの動作電流に
より光出力のみではなくビーム出射位置も変化するため
ディスク上の異なった点に集光する。本実施例において
は、平均出力３０ｍＷのビームと平均出力５ｍＷのビー
ムが同一トラック上に３０ｍＷのビームが先行するよう
に照射されるように半導体レーザを配置した。

【００２３】本装置による記録再生の信号処理は次のよ
うに行なった。記録情報１２３はまずコ−ド変換回路１
２４に入力され、コ−ド変換されてデジタル情報に変換
される。このデジタル情報は変調回路１２５においてク
ロック生成回路１２６で生成された７０ＭＨｚのクロッ
ク信号に同期したパルス状のレ−ザ駆動信号に変換され
る。一方、読み出し用パルス列はクロック生成回路１２
６で生成された５０ＭＨｚのクロック信号に同期したパ
ルス状のレ−ザ駆動信号として書き込み用信号に重積さ
れる。レ−ザ駆動回路１２７はこうして得られたレーザ
駆動信号に従ってレ−ザを駆動する。信号検出の際に読
み出し信号を書き込み信号と分離して読み出す必要があ
り、本実施例において両親号の変調周波数の差を利用し
て信号分離を行った。検出器１２８により検出された読
みだし信号は検出回路１２９により増幅され、この検出
信号を再生用パルスと同期したバンドパスフィルタ１３
０により分離して再生信号とする。再生信号はそれぞれ
の再生回路１３１で２値化され、再生デジタル情報とな
りコ−ド変換回路１３２に送られてコ−ド変換され、両
再生回路系の出力を合成して最終的な再生情報１３３を
える。

【００２４】＜実施例２＞本発明の第２の実施例として
本発明の半導体レーザを用いて光ディスクのトラッキン
グを行った例を図７乃至１０を参照して説明する。

【００２５】本実施例の光記録再生装置に用いた半導体
レーザ構造は、実施例１で用いたものとほぼ同様の構造
を有するものである。本半導体レーザを動作電流が５０
ｍＡ、６５ｍＡおよび８０ｍＡで駆動した場合のレーザ
光強度の分布は図７のようになり、動作電流が増加する
に伴い発光位置が右側に移動するとともに光出力も電流
にほぼ比例して増大する特性がえられた。

【００２６】このような半導体レーザを図８のように、
９０ＭＨｚ、ピーク出力５０ｍＷ、デューティ比１０％
のパルス（パルス列１）と、７０ＭＨｚ、ピーク出力６
５ｍＷ、デューティ比８％のパルス（パルス列２）と、
５０ＭＨｚ、ピーク出力８０ｍＷ、デューティ比６％の
パルス（パルス列３）との３種類の周波数のパルスを実
施例１と同じ要領で重積したパルス電流により駆動した
（なお、図８には重複したパルス波形は図示せず）。こ
れによりレーザ光は図９のように光ディスク上の僅かに
ずれた３点に各周波数ごとに集光される。

【００２７】本実施例の光記録再生装置の概要は、図１
０に示す如く、概ね実施例１（図４参照）のそれと類似
する（従って、実施例１と共通する構成要件の説明は割
愛する）。しかし、その使い方（機能）に実施例１との
主たる相違がある。

【００２８】図１０の概要図に示すように、光ディスク
より反射したレーザ光は光検出器により電気信号に変換
され、この電気信号は実施例１の場合と同様にクロック
周波数に同期した周波数フィルタを用いて各周波数ごと
に分離される。分離された信号のうち９０ＭＨｚおよび
５０ＭＨｚの信号はトラッキングエラー検出信号として
用いられ、７０ＭＨｚの信号が読み出し信号として用い
られる。

【００２９】さらに、本実施例においては７０ＭＨｚの
信号のピーク出力及びデューティ比を最適化することに
よりトラッキングの微調整を行う機能を付加した。光デ
ィスクの高記録密度化に伴い情報を記録するトラックの
間隔が狭くなってきた結果、従来の光ディスクにおいて
は荒い位置制御と精密な位置制御を行う２つの位置制御
機構が必要であったが、本実施例によれば機械的位置制
御機構は荒いもののみですむため低コスト化が図れる
上、位置制御の時間的応答性も従来に比べ高速となっ
た。さらに、本装置によればトラッキング信号を得るた
めの光ビームの位置はビームスプリッタなどの部品の特
性ではなく電気信号で制御できるため、トラック間隔が
様々な値に設定されている旧仕様の光ディスクに対して
もパルスのピーク出力とデューティ比を適切に設定する
れば最適のトラッキング用ビーム間隔を得ることができ
るという利点もあった。また、本方式によればトラック
上のビーム照射位置を振動させ、この振動をトラッキン
グ位置検出信号として用いることも可能であった。

【００３０】＜実施例３＞本発明の第３の実施例とし
て、実施例１と同様のパルス変調した半導体レ−ザを用
いる光記録再生装置において複数の半導体レ−ザ光源を
用い、パルス変調の周波数を変えることにより、より高
速の情報再生を可能とした例を示す。

【００３１】図１１に本発明に用いた半導体レーザの構
造を示す。本構造はサファイア基板（Ｃ面）３０１上に
ＧａＮバッファー層３０２を約２００オングストローム
の膜厚で成長させ、さらにn型ＧａＮ層３０３、ｎ型Ga
_0.8Al_0.2Nクラッド層３０４、n型GaN光ガイド層３０
５、ＩｎＧａＮ活性層３０６、p型ＧａＮ光ガイド層３
０７、ｐ型Ga_0.8Al_0.2Nクラッド層３０８、ｐ型ＧａＮ
キャップ層３０９を順次成長した。次に、このｐ型のＧ
ａＮ層３０９の表面に通常の気相化学堆積法及びフォト
リソグラフ技術を用いてストライプ状のＳｉＯ₂マスク
を形成し、このＳｉＯ₂ をマスクとしてリアクエティブ
イオンエッチング法によりｐ型Ga_0.8Al_0.2Nクラッド層
３０８まで除去する。次に、リッジ状に残ったｐ型Ga
_0.8Al_0.2Nクラッド層３０８から上の層をマグネトロン
スパッタ法により形成したAlN膜３１０およびポリイミ
ド樹脂３１１により埋め込み、ポリイミド樹脂のエッチ
バックによりリッジ先端を露出させて再びAlN膜３１０
をリアクエティブイオンエッチング法によりエッチング
して導波路の形成と電流通路の形成を自己整合的に行っ
た。次にアノード電極取り出しのために発光領域以外の
ウエハの一部でＧａＮ層３０３に達するエッチングを行
いｎ−ＧａＮ層３０３及びｐ型のＧａＮキャップ層３０
９の表面にタングステン電極３１２を形成、リアクティ
ブイオンビームエッチング法により垂直端面を形成して
半導体レーザ構造とした。さらに、この垂直端面にリア
クティブイオンビーム蒸着法によりAlNコーティング膜
３１３を形成すると端面部分において窒素系半導体同士
の混晶化により良好な窓構造が形成でき、従来の半導体
レーザにみられた端面破壊現象は全くみられなかった。
これにより本半導体レーザは光出力５００ｍＷまでパル
ス動作可能であった。本実施例の半導体レーザにおいて
はこのようなストライプ状の半導体レーザをストライプ
幅２μｍ、ストライプ間隔６μで形成した。本半導体レ
ーザの一方のストライプを５０ＭＨｚ、光出力３００ｍ
Ｗ、デューティ比2.0％のパルス光で駆動し、他の一方
を３０ＭＨｚ、光出力４５０ｍＷ、デューティ比1.7％
のパルス光で駆動して実施例１と同様の光記録を行っ
た。本実施例の場合、半導体レーザの出力が大きいので
書き込み時でもデューティ比は１０％及び６．７％であ
り、読み出し時には２％及び１．３％であった。

【００３２】本実施例の光記録再生装置の概要は、図１
２に示す如く実施例１及び２と概ね共通するが、光ディ
スクに対する複数のレーザ光照射位置の配列を実施例１
より９０°程変えてある点が相違する。即ち、半導体レ
ーザから出射したレーザ光を図１２の概要図に示した構
成の光学系により光ディスク上に集光すると、半導体レ
ーザに於ける発光点の位置の相違が、図１３に示す如く
光ディスクの半径方向に現れ、その結果、レーザ光は光
ディスク上の別々のトラック上に集光される。各トラッ
クからの反射光は図１２に示す信号処理回路により実施
例１及び２と同様に周波数別に信号分離されて再生情報
を得る。

【００３３】半導体レーザのエネルギー変換効率が出力
が大きくなるほど高くなること、および温度変化による
半導体レーザの特性変化は主にしきい値電流に現れるの
で、大出力になるほど温度変化による出力の変動率が小
さくなることがストライプ間の熱的相互作用抑制に有利
に働き、ストライプ間隔がわずか６μｍであっても読み
出し時および書き込み時のストライプ間の熱的相互作用
はほとんどなく良好な記録および再生特性が得られた。

【００３４】

【発明の効果】本発明によれば高速高密度の光記録再生
装置が精密な機械精度を必要とせずに形成することが可
能となった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例の半導体レーザの断面構
造図。

【図２】本発明の第１の実施例の半導体レーザの上面構
造図。

【図３】本発明の第１の実施例の半導体レーザにおける
注入電流と発光位置（横軸）のシフトを示すスペクトル
図。

【図４】本発明の第１の実施例の光記録再生装置の概略
図。

【図５】本発明の第１の実施例におけるレーザ光の光デ
ィスク（記録媒体）への照射態様を示す模式図。

【図６】本発明の第１の実施例における半導体レーザに
供給される駆動電流パルスの説明図で、実際に供給され
る電流は、パルス列１と２を重畳したパルス列１＋２で
ある。横軸は時間を示す。

【図７】本発明の第２の実施例の半導体レーザにおける
注入電流と発光位置（横軸）のシフトを示すスペクトル
図。

【図８】本発明の第２の実施例における半導体レーザに
供給される駆動電流パルスの説明図で、図示されるパル
ス列１、２及び３を重畳した駆動電流が半導体レーザに
供給される。横軸は時間を示す。

【図９】本発明の第２の実施例におけるレーザ光の光デ
ィスク（記録媒体）への照射態様を示す模式図。

【図１０】本発明の第２の実施例の光記録再生装置の概
略図。

【図１１】本発明の第３の実施例の半導体レーザの断面
構造図。

【図１２】本発明の第３の実施例の光記録再生装置の概
略図。

【図１３】本発明の第２の実施例におけるレーザ光の光
ディスク（記録媒体）への照射態様を示す模式図。

【図１４】従来の光記録再生装置の光学系の概略図。

【符号の説明】

１０１…マルチビーム半導体レ−ザ、１０２…レーザ
光、１０３…コリメータレンズ、１０４…楕円補正プリ
ズム、１０５…ビームスプリッタ、１０６…１／４波長
板、１０７…集光レンズ、１０８…ポリカーボネート基
板、１０９…記録媒体上、１１０…記録情報、１１１…
コ−ド変換回路、１１２…レ−ザ駆動回路、１１３…検
出器、１１４…検出回路、１１５…コ−ド変換回路、１
１６…再生情報、１１７…ＧａＡｓ基板、１１８…ｎ型
Ｉｎ0.5 （Ｇａ0.3 Ａｌ0.7 ）0.5Ｐクラッド層、１１
９…アンドープＩｎ0.5 （Ｇａ0.3 Ａｌ0.7）0.5 Ｐ光
ガイド層、１２０…活性層、１２１…ｐ型Ｉｎ0.5 （Ｇ
ａ1-X ＡｌX ）0.5 Ｐクラッド層、１２２…ｐ型ＧａＡ
ｓキャップ層、１２３…リッジ構造、１２４…通電領
域、１２５…ｎ型電流ブロック層、１２６…ｐ型コンタ
クト層、１２７…ｐ側電極、１２８…ｎ側電極、１２９
…クロック回路、１３０…変調回路、１３１…ロ−パス
フィルタ、１３２…再生回路、２０１…サファイア基板
（Ｃ面）、２０２…ＧａＮバッファー層、２０３…ｎ型
ＧａＮ層、２０４…ｎ型Ga0.8Al0.2Nクラッド層、２０
５…ｎ型GaN光ガイド層、２０６…ＩｎＧａＮ活性層、
２０７…ｐ型ＧａＮ光ガイド層、２０８…ｐ型Ga0.8Al
0.2Nクラッド層、２０９…ｐ型ＧａＮキャップ層、２１
０…AlN膜、２１１…ポリイミド樹脂、２１２…タング
ステン電極。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光源である半導体レーザと、該半導体レー
ザに駆動電流を供給する手段と、該半導体レーザより出
射したレーザ光を光記録面上に集光する光学系を有する
光記録再生装置であって、該半導体レーザの駆動電流に
より該記録面上の異なる複数の位置にレーザ光が集光さ
れる機能を有し、上記複数の位置に対し同時に情報の記
録および再生を行うことを特徴とした光記録再生装置。
【請求項２】上記複数のレーザ光集光位置に照射される
レーザ光は記録媒体の追従速度に比べ十分に高い互いに
異なる周波数のパルス光であり、該パルス光は時間的に
重複して照射されることがないことを特徴とする光記録
再生装置。
【請求項３】請求項１に記載の半導体レーザは発光位置
が注入電流量により変化する機能を有し、各記録位置に
対応した波高値のパルス電流を情報の記録及び再生に最
適の平均エネルギー密度となるデューティ比で通電する
ことにより記録及び再生を行うことを特徴とする光記録
再生装置。
【請求項４】請求項２に記載のパルス電流はデューティ
比が１０％以下のものであることを特徴とする光記録再
生装置。
【請求項５】請求項１乃至４のいずれかに記載の光記録
再生装置であって上記ことなる集光点からの再生信号は
同一の受光素子により検出され、周波数フィルタ回路に
より信号分離されて情報再生を行うことを特徴とする光
記録再生装置。
【請求項６】請求項１乃至５のいずれかに記載の光記録
再生装置であって上記複数のレーザ光照射位置は光りデ
ィスクの同一トラック上に相前後して設定されており、
ディスク回転に対し先行するレーザ光を情報の書き込み
に、後行するレーザビームを書き込まれた情報の確認に
用いることを特徴とする光記録再生装置。
【請求項７】請求項１乃至６のいずれかに記載の光記録
再生装置であって３個の異なる周波数で変調されたレー
ザビームを光ディスクの回転に伴いトラックの軸方向に
のびた３本の等間隔の線上を走査するように配置されて
おり個々のスポットの信号を周波数別に検出することに
より該等間隔の線のうち両端の２本の信号を用いて中央
の線がトラックの中心線に一致するように制御すること
を特徴とする光記録再生装置。