JPH1127541A - 部分ランレングス測定方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】多ビットを対象として部分ランレングスを測定
すること困難で、処理を高速にできなかった。そこで、
簡単に多くのビットを対象にできるようにする。 【解決手段】測定するのが１のランである場合は測定対
象の各ビットを反転する（段階ａ）。測定するビット列
が表す数を浮動小数点数に変換する（段階ｂ）。測定す
るビット列の最上位ビットの値が１である場合には部分
ランレングスの値を０とし（段階ｃ）、そのビット列が
表す数が０である場合には測定対象ビット数を部分ラン
レングスとする（段階ｄ）。それ以外の場合には固定値
から指数を減じて部分ランレングスとする（段階ｅ）。
部分ランレングスが測定対象ビット数より大きい場合に
は測定対象ビット数を部分ランレングスとする（段階
ｆ）。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】入力したビット列について値
が０又は値が１のビットが測定開始ビットから何個連続
するかを測定する部分ランレングス測定方法、特にその
高速化及び構成の簡略化に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】プリンタ、スキャナ又はファクシミリ装
置及びそれらの機能を併せ持つ複合装置では、イメージ
データをランレングス符号に圧縮してイメージデータの
通信時間の短縮及び省メモリ化を図っている。この圧縮
処理は専用のＬＳＩを用いて行なうことが一般的であっ
たが、プロセッサの性能の向上により、装置全体の制御
を行なうプロセッサにこの圧縮処理を行なわせ、専用Ｌ
ＳＩをなくすことが一般的になってきている。

【０００３】一般的に、ランレングス符号化は測定する
のを０のランか又は１のランに定める段階と、そのラン
レングスを測定する段階と、ランレングスの値を表す符
号又は符号列を生成し出力する段階とで構成され、一度
ランレングスを測定した後に測定するランを０から１又
は１から０に切り替え、先に検出された変化点を新たな
始点として部分的なランレングスの測定を繰り返してい
る。

【０００４】上記のランレングスを測定する段階におい
て、ビット列を１ビットづつ検査して、変化点を検出す
るまでカウントする方法を用いることは非効率的であ
る。そこで、イメージデータから抽出した複数ビットの
ビット列を対象としてランレングスを測定する方法が一
般的である。

【０００５】ここで、イメージデータから抽出したビッ
ト列について上記測定を行なった値をランレングスと称
する場合もあるが、その値は部分的な測定値にすぎな
い。符号化に用いるランレングスの値は、測定開始点か
ら次の変化点又は測定終了点までの部分的な測定値の総
和である。以後、両者を明確に区別するためにイメージ
データから抽出したビット列について上記測定を行なっ
た値を部分ランレングスと称する。

【０００６】上記のようにビット列をまとめて測定する
方法としては、測定するビット列をエントリ(パターン
テーブルのアドレス入力)として予め用意したパターン
テーブルを参照して部分ランレングスの値を得るテーブ
ル参照方法が一般的に行なわれてきた。例えば特開平６
-169406号公報に掲載されたランレングス符号化装置に
おいては、ビット列とそのビット列に関するランレング
スとを１対１に対応させたことでパターンテーブルのデ
ータ量を削減している。

【０００７】また、何らかのビット列に対して０のビッ
トの連続数又は１のビットの連続数を計測する命令セッ
トを有するプロセッサを用いる場合には、その命令を用
いることで部分ランレングスを測定できる。

【０００８】通常イメージデータでは白色に相当するビ
ット数が数十から数千ビット連続する場合が多い。この
ようなデータを走査し、ランレングスを測定する処理を
高速に行なうためには、大きなビット幅で部分ランレン
グスを測定する必要がある。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、パター
ンテーブルを参照する方法では測定するビット幅を１ビ
ット大きくするとテーブルの記憶容量が２倍以上必要に
なる。このため、上記特開平６-169406号公報に掲載さ
れたランレングス符号化装置で用いたパターンテーブル
を参照する方法では、ランレングスの測定処理を高速に
行なおうとするとコストが高くなる。このコストの面を
考慮すると、８から12ビット程度のビット列をまとめて
測定するのが現実的である。

【００１０】また、プリンタ、スキャナ又はファクシミ
リ装置及びそれらの機能を併せ持つ複合装置では、その
優れたコスト性能比から装置全体を制御するプロセッサ
としてＲＩＳＣ（縮小命令セット型コンピュータ）を搭
載したものが一般的になりつつある。ＲＩＳＣが扱うデ
ータタイプは８ビット、16ビット、32ビット又は64ビッ
トの２進整数並びにＩＥＥＥ７５４−１９８５規格の単
精度形式及び倍精度形式の浮動小数点数といった標準的
形式に限られていて、ビット列を計測するような命令を
持たないのが一般的である。ＲＩＳＣを搭載したプロセ
ッサを用いる代わりにビット列のランを計測するような
命令を持つプロセッサを用いることは、このビット列の
ランを計測する処理以外の処理において、ＲＩＳＣの優
れた機能を使えないことになる。また、ＲＩＳＣを搭載
したプロセッサを用いる代わりにビット列のランを計測
するような命令を持つプロセッサを用いることにより、
ＲＩＳＣの標準的な形式にしたがってプログラムを作成
することができなくなり、その再利用性を高めることが
できなくなる。

【００１１】この発明はかかる短所を解消するためにな
されたものであり、高速に、且つ、安価に部分ランレン
グスの測定を行なうことを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】この発明に係る部分ラン
レングス測定方法は、予め定めたビット数の範囲内でイ
メージデータから抽出した測定対象のビット列（Ｘ）と
測定するのが０のビットのランか又は１のビットのラン
かを示す測定情報（Ｃ）とイメージデータから抽出した
ビット列（Ｘ）のビット数（Ｎ）を入力し、測定情報
（Ｃ）により測定するのが０のランの場合は入力したビ
ット列（Ｘ）を測定開始ビットが最上位ビットになるよ
うに１ワード分のビット数（Ｌ）のデータ幅を有する測
定対象記憶領域（Ｑ）に入れ、測定するのが１のランで
ある場合はその測定対象のビット列（Ｘ）の各ビットを
反転して測定開始ビットが最上位ビットになるように測
定対象記憶領域（Ｑ）に入れ、測定対象記憶領域（Ｑ）
内のビット列が２進数の数を表しているとみなしてその
ビット列が表す数を浮動小数点数（Ｙ）に変換し、測定
対象記憶領域（Ｑ）内のビット列の最上位ビットの値が
１である場合には部分ランレングス（Ｗ）の値を０と
し、測定対象記憶領域（Ｑ）内のビット列が表す数が０
である場合には測定対象のビット列（Ｘ）のビット数
（Ｎ）を部分ランレングス（Ｗ）とし、測定対象記憶領
域（Ｑ）内のビット列の最上位ビットの値が１でなく、
且つ、測定対象記憶領域（Ｑ）内のビット列が表す数が
０でない場合は、浮動小数点数（Ｙ）の指数（Ｅ）のバ
イアス値（Ｂ）に１ワード分のビット数（Ｌ）を加えさ
らにその値から１を減じて定めた固定値（Ｇ）から指数
（Ｅ）を減じて部分ランレングス（Ｗ）とし、部分ラン
レングス（Ｗ）が測定対象のビット列（Ｘ）のビット数
（Ｎ）よりも大きい場合には測定対象のビット列（Ｘ）
のビット数（Ｎ）を部分ランレングス（Ｗ）とする。

【００１３】また、他の部分ランレングス測定方法は、
予め定めたビット数の範囲内でイメージデータから抽出
した測定対象のビット列（Ｘ）と測定するのが０のビッ
トのランか又は１のビットのランかを示す測定情報
（Ｃ）とイメージデータから抽出したビット列（Ｘ）の
ビット数（Ｎ）を入力し、測定情報（Ｃ）により測定す
るのが０のランの場合は入力したビット列（Ｘ）を測定
開始ビットが最上位ビットになるように１ワード分のビ
ット数（Ｌ）のデータ幅を有する測定対象記憶領域
（Ｑ）に入れ、測定するのが１のランである場合はその
測定対象のビット列（Ｘ）の各ビットを反転して測定開
始ビットが最上位ビットになるように測定対象記憶領域
（Ｑ）に入れ、測定対象記憶領域（Ｑ）の測定対象ビッ
ト列（Ｘ）を入れなかった部分のビットの値を０にし、
測定対象記憶領域（Ｑ）内のビット列（Ｘ）が２進数の
数を表しているとみなしてそのビット列（Ｘ）が表す数
を浮動小数点数（Ｙ）に変換し、測定対象記憶領域
（Ｑ）内のビット列（Ｘ）の最上位ビットの値が１であ
る場合には部分ランレングス（Ｗ）の値を０とし、測定
対象記憶領域（Ｑ）内のビット列（Ｘ）が表す数が０で
ある場合には測定対象のビット列（Ｘ）のビット数
（Ｎ）を部分ランレングス（Ｗ）とし、測定対象記憶領
域（Ｑ）内のビット列（Ｘ）の最上位ビットの値が１で
なく、且つ、測定対象記憶領域（Ｑ）内のビット列
（Ｘ）が表す数が０でない場合は、浮動小数点数（Ｙ）
の指数（Ｅ）のバイアス値（Ｂ）に１ワード分のビット
数（Ｌ）を加えさらにその値から１を減じて定めた固定
値（Ｇ）から指数（Ｅ）を減じて部分ランレングス
（Ｗ）とする。

【００１４】

【発明の実施の形態】この発明の部分ランレングス測定
方法は、予め定めたビット数の範囲内でイメージデータ
から抽出した測定対象のビット列（Ｘ）と測定するのが
０のビットのランか又は１のビットのランかを示す測定
情報（Ｃ）とイメージデータから抽出したビット列
（Ｘ）のビット数（Ｎ）を入力し、測定情報（Ｃ）で示
したランの部分ランレングス（Ｗ）を出力するものであ
る。この部分ランレングス測定方法を用いて、一度部分
ランレングス（Ｗ）を測定した後に測定するランを０の
ランから１又は１から０のランに切り替え、先に検出さ
れた変化点を新たな始点として部分ランレングス（Ｗ）
の測定を繰り返して、イメージデータ全体のランレング
スの測定を行なう。

【００１５】この発明の部分ランレングス測定方法にお
いては、最初上記のように予め定めたビット数の範囲内
でイメージデータから抽出した測定対象のビット列
（Ｘ）と測定するのが０のビットのランか又は１のビッ
トのランかを示す測定情報（Ｃ）とイメージデータから
抽出したビット列（Ｘ）のビット数（Ｎ）を入力する。
次ぎに、測定情報（Ｃ）で示した測定するランが０のラ
ンの場合は入力したビット列（Ｘ）を測定開始ビットが
最上位ビットになるように１ワード分のビット数（Ｌ）
のデータ幅を有する測定対象記憶領域（Ｑ）に入れ、測
定するのが１のランである場合はその測定対象のビット
列（Ｘ）の各ビットを反転して測定開始ビットが最上位
ビットになるように測定対象記憶領域（Ｑ）に入れる。

【００１６】次ぎに、測定対象記憶領域（Ｑ）内のビッ
ト列が２進数の数を表しているとみなしてそのビット列
が表す数をＩＥＥＥ７５４−１９８５規格の浮動小数点
数（Ｙ）に変換して、部分ランレングス（Ｗ）の測定の
準備をする。次ぎに、測定対象記憶領域（Ｑ）内のビッ
ト列の最上位ビットを調べ、測定対象記憶領域（Ｑ）内
のビット列の最上位ビットの値が１である場合には部分
ランレングス（Ｗ）の値を０とする。また、測定対象記
憶領域（Ｑ）内のビット列が表わす値が０である場合に
は測定対象のビット列（Ｘ）のビット数（Ｎ）を部分ラ
ンレングス（Ｗ）とする。測定対象記憶領域（Ｑ）内の
ビット列の最上位ビットが１でなく、且つ、測定対象記
憶領域（Ｑ）内のビット列が示す値が０でない場合は、
固定値（Ｇ）浮動小数点数（Ｙ）の指数（Ｅ）を減じた
値を部分ランレングス（Ｗ）とする。ここで、固定値
（Ｇ）は浮動小数点数（Ｙ）の指数（Ｅ）のバイアス値
（Ｂ）に１ワード分のビット数（Ｌ）を加えさらにその
値から１を減じて定める。また、指数（Ｅ）のバイアス
値（Ｂ）とは指数（Ｅ）の最上位ビットを除いたビット
で表わすことのできる最大値をいう。

【００１７】次ぎに、上記のようにして求めた部分ラン
レングス（Ｗ）が測定対象のビット列（Ｘ）のビット数
（Ｎ）よりも大きい場合には測定対象のビット列（Ｘ）
のビット数（Ｎ）を部分ランレングス（Ｗ）とする。こ
のように、入力したビット列（Ｘ）を浮動少数点数
（Ｙ）に変換し、変換して得た浮動小数点数（Ｙ）を用
いてランレングス（Ｗ）を測定するので、膨大な量の参
照データを用意しなくとも、高速に部分ランレングス
（Ｗ）を測定できる。

【００１８】

【実施例】この発明の部分ランレングス測定方法は、単
精度形式を用いるか又は倍精度形式を用いるかを基に予
め定めたビット数の範囲内でイメージデータから抽出し
た測定対象のビット列Ｘと測定対象のビット列Ｘのビッ
ト数Ｎと測定するのが０のビットのランか又は１のビッ
トのランかを示す測定情報Ｃを入力し、測定対象のビッ
ト列Ｘの部分ランレングスＷを測定するものである。

【００１９】図１はこの発明の部分ランレングス測定方
法に用いる各データを格納する記憶部の一実施例を示す
構成図である。記憶部は入力記憶部１、測定対象記憶部
２、浮動小数点数記憶部３及び出力記憶部４を有する。
入力記憶部１は部分ランレングス測定処理を行なうにあ
たって入力したデータを記憶する部分であり、測定対象
ビット列記憶部１１、ビット幅記憶部１２及び測定情報
記憶部１３を備える。測定対象ビット列記憶部１１、ビ
ット幅記憶部１２及び測定情報記憶部１３には、処理性
能の観点からそれぞれ汎用レジスタを用い、汎用レジス
タのビット数（１ワード分のビット数）をＮとする。測
定対象ビット列記憶部１１は、例えば図２に示すように
測定対象のビット列Ｘの測定開始ビットが最上位ビット
になるように記憶する。したがって、測定対象のビット
列Ｘのビット数Ｎが測定対象ビット列記憶部１１で記憶
できるビット数Ｌよりも少ない場合は測定対象ビット列
記憶部１１の下位ビットの部分に測定対象外の部分であ
る非測定部Ｕができる。このため、測定対象記憶部２に
おける測定対象ビット列記憶部１１の非測定部Ｕに対応
する部分の各ビットには後述するように０を代入すると
良い。

【００２０】ここで、予め定めた測定単位のビット数Ｌ
は、より大きなビット数を一度に測定することでより高
い性能を得ることができるという観点からすれば、汎用
レジスタのビット幅に一致することが好ましい。しか
し、測定対象のビット列Ｘの最下位ビットがイメージデ
ータの最終ビットである場合には、その最下位ビットが
汎用レジスタの最下位ビットと一致する可能性は低い。
例えば64ビットのＲＩＳＣでは１〜64の値を採ることが
可能であるが、性能上の問題から測定対象のビット列Ｘ
のビット数Ｎの最大値を単精度浮動小数点数の場合は2
4、倍精度浮動小数点の場合は53に制限することが必要
である。ここで、ＲＩＳＣのワードの単位と測定対象の
ビット列のビット数との関係についての例を以下の表に
示す。

【００２１】

【表１】

【００２２】通常のＲＩＳＣには単精度形式及び倍精度
形式の両方を扱う機能が備わっているため、倍精度形式
を用いて32ビットから53ビットのビット列Ｘの部分ラン
レングスＷを測定することが処理効率の上から好まし
い。ただし、単精度形式のデータしか扱うことができな
いＲＩＳＣ又は倍精度形式への変換が著しく低速なＲＩ
ＳＣの場合は単精度形式を用いて16ビットから24ビット
のビット列Ｘの部分ランレングスＷを測定することが好
ましい。

【００２３】ビット幅記憶部１２は測定対象のビット列
Ｘのビット数Ｎを記憶する。測定情報記憶部１３は測定
するのが０のビットのランか又は１のビットのランかを
示す測定情報Ｃを記憶する。

【００２４】測定対象記憶部２は測定対象ビット列記憶
部１１に記憶した内容を加工して記憶するビット数Ｌの
測定対象記憶領域Ｑから成る。ここで、測定対象記憶領
域Ｑは汎用レジスタに設けることが好ましい。

【００２５】浮動小数点数記憶部３は、測定対象のビッ
ト列Ｘを２進数の数を表しているとみなした場合にその
ビット列Ｘが表す数を変換した浮動小数点数Ｙを記憶す
る部分であり、図３に示すように符号部３１と指数部３
２と仮数部３３から成る。符号部３１は仮数部３３の符
号を示すデータＳを記憶するビットから成る。指数部３
２は浮動小数点数Ｙの指数Ｅを記憶する。仮数部３３は
浮動小数点数Ｙの仮数Ｆを記憶する。符号部３１と指数
部３２と仮数部３３は、ＩＥＥＥ７５４−１９８５規格
の倍精度浮動小数点数の形式にしたがってそれぞれ１ビ
ット、１１ビット、５２ビットのフィールド幅を備え
る。ここで、単精度浮動小数点数の場合は、符号部３１
と指数部３２と仮数部３３のフィールド幅はそれぞれ１
ビット、８ビット、２３ビットとなる。指数部３２のバ
イアス値は最上位１ビットを除いたビットで構成される
ので、倍精度浮動小数点数の場合は1023となり、単精度
浮動小数点数の場合は127となる。浮動小数点数記憶部
３には、浮動小数点汎用レジスタを用いることが処理性
能を向上する観点から好ましい。プロセッサのアーキテ
クチャが汎用レジスタと浮動小数点汎用レジスタとを区
別しない場合には浮動小数点数記憶部３に汎用レジスタ
を用いても良い。出力記憶部４は部分ランレングスの測
定結果を記憶する部分ランレングス記憶部４１から成
る。部分ランレングス記憶部４１にも汎用レジスタを用
いることが好ましい。

【００２６】次ぎに、部分ランレングス測定方法の処理
の流れを、図４のフローチャートを参照して説明する。

【００２７】部分ランレングスを測定する処理の最初の
段階（段階ａ）は、測定対象ビット列記憶部１１に記憶
した内容を加工して測定対象記憶領域Ｑに記憶する段階
である。測定対象ビット列記憶部１１、ビット幅記憶部
１２及び測定情報記憶部１３にそれぞれ測定対象のビッ
ト列Ｘ、測定対象のビット列Ｘのビット数Ｎ及び測定す
るのが０のビットのランか又は１のビットのランかを示
す測定情報Ｃを入力して部分ランレングスの測定処理を
開始すると（ステップＳ１）、測定情報記憶部１３に記
憶した測定情報Ｃを調べて、測定するのが０のランか１
のランかを調べる。測定するのが１のランの場合は（ス
テップＳ２）、測定対象ビット列記憶部１１に記憶した
測定対象のビット列Ｘの各ビットを反転する（ステップ
Ｓ３）。測定するのが１のランである場合には、測定対
象のビット列Ｘの各ビットを反転することにより０のラ
ンを測定する処理と同じ処理により１のランを測定で
き、処理を簡素化することができる。ここで、測定対象
ビット列記憶部１１、ビット幅記憶部１２及び測定情報
記憶部１３は、汎用レジスタから成るのでＲＩＳＣでは
上記処理を１命令で行なうことができる。

【００２８】その後、測定対象のビット列Ｘの測定開始
ビットが測定対象記憶部２の最上位ビットになるよう
に、測定対象のビット列Ｘを測定対象記憶領域Ｑに入れ
る（ステップＳ４）。ここで、測定対象のビット列Ｘの
ビット数Ｎが予め定めた測定単位のビット数Ｌより少な
い場合は、測定対象記憶部２の下位ビット部分に測定対
象外の部分が発生する。そこで、この測定対象外の部分
ができた場合には、この測定対象外の部分の各ビットに
０を入れる（ステップＳ５）。この操作は、例えば32ビ
ットＲＩＳＣ（Ｌ＝32）で単精度形式（仮数部Ｆのビッ
ト数Ｍ＝23）を用いる場合、及び64ビットＲＩＳＣ（Ｌ
＝64）で単精度形式（仮数部Ｆのビット数Ｍ＝23）又は
倍精度形式（仮数部Ｆのビット数Ｍ＝52）を用いる場合
のように、測定対象のビット列Ｘのビット数Ｎの最大値
をＭ（仮数部Ｆのビット数）＋１（単精度の場合はＮ＝
24、倍精度の場合はＮ＝53）に制限している場合に、後
述の段階ｅで正しい値を求めるために必要である。これ
に対して32ビットＲＩＳＣ（測定対象のビット列Ｘのビ
ット数Ｎが32）で倍精度形式（Ｍ＝52）を用いる場合に
は後述の段階ｆが作用するので、この処理を省略しても
良い。

【００２９】次ぎの段階（段階ｂ）では、測定対象記憶
領域Ｑに格納したビット列が２進数の数を表していると
みなして、そのビット列が表す数を浮動小数点数Ｙに変
換する（ステップＳ６）。ここで、この段階（段階ｂ）
は後述する段階ｅに含めても良い。この段階（段階ｂ）
を段階ｅに含めずに、段階ｃ及び段階ｄの前にしたの
は、通常、整数から浮動小数点数への変換に数パイプラ
インクロックを必要とし、変換が終了するまで正しい値
を取り出せないので、変換の結果を待たずに段階ｃ及び
段階ｄの処理を行ない、段階ｅで変換結果が必要になっ
た場合にすぐにその変換結果を使えるようにするためで
ある。ただし、これらの段階（段階ｂ、段階ｃ及び段階
ｄ）は使用するＲＩＳＣの特性にしたがって順序を交換
しても良い。ＲＩＳＣでは、上記ステップＳ６の処理は
測定対象記憶領域Ｑに格納したビット列を第１の浮動小
数点汎用レジスタ（不図示）に転送する命令と第１の浮
動小数点汎用レジスタに記憶したビット列が表わす２進
整数を浮動小数点数に変換して浮動小数点レジスタであ
る浮動小数点記憶部３に格納する命令の２個の命令で実
行できる。

【００３０】次ぎの段階（段階ｃ）では、測定対象記憶
領域Ｑに格納したビット列の最上位ビットの値が１であ
る場合（ビット列Ｘが２進数の数を表しているとみなし
た場合においてビット列Ｘが表す数が負値の場合）（ス
テップＳ７）、部分ランレングス記憶部４１に０を入
れ、部分ランレングスＷの値を０とする（ステップＳ
８）。測定対象記憶領域Ｑに格納したビット列の最上位
ビットの値が１である場合は、明らかに値が０であるビ
ットの連続数は０である。この段階は測定対象記憶領域
Ｑに格納したビット列が表す数が負値である場合に後述
の段階ｅで誤った結果を出すことを防止するためであ
る。また、後述の段階ｅの処理を行なう必要がないので
部分ランレングス測定処理を迅速に行なうことができ
る。ここで、上位のランレングス測定処理あるいは符号
化処理において、部分ランレングスの測定結果が０とな
る場合には部分ランレングスの測定を起動しないように
しても良い。この場合はこの段階ｃを省略しても良い。
ＲＩＳＣでは、上記ステップＳ７及びステップＳ８の処
理を測定対象記憶領域Ｑに格納したビット列が表す数が
負値の場合に分岐する命令と部分ランレングス記憶部４
１の値を０にして部分ランレングスＷの値を０にする命
令との２個の命令で行なうことができる。さらに、部分
ランレングス記憶部４１の値を０にする命令を分岐遅延
スロットに配置することが好ましい。

【００３１】次ぎの段階（段階ｄ）では、測定対象記憶
領域Ｑに格納したビット列が表わす値が値が０である場
合には（ステップＳ９）、部分ランレングス記憶部４１
に測定対象のビット列Ｘのビット数Ｎを入れ、部分ラン
レングスＷの値を測定対象のビット列Ｘのビット数Ｎと
する（ステップＳ１０）。測定対象記憶領域Ｑのビット
列の全てのビットの値が０である場合には値が０である
ビットの連続数は測定対象記憶領域Ｑのビット数Ｌであ
るが、ビット列Ｘのビット数Ｎが測定対象記憶領域Ｑの
ビット数Ｌより小さい場合にはＬ−Ｎビット分の無効連
続ビットが存在する。上記のように測定対象記憶領域Ｑ
のビット列が表わす値が０である場合に測定対象のビッ
ト列Ｘの有効ビット数であるビット数Ｎを部分ランレン
グスＷの値とすることで、このように段階ｄで部分ラン
レングスＷを定めた後に後述の段階ｆを行なう必要が無
くなる。また、後述の段階ｅの処理を行なう必要もない
ので、部分ランレングス測定処理を迅速に行なうことが
できる。ＲＩＳＣでは、上記ステップＳ９及びステップ
Ｓ１０の処理を測定対象記憶領域Ｑのビット列が表す数
が０の場合に分岐する命令と部分ランレングス記憶部４
１の値をＮにして部分ランレングスＷの値をＮにする命
令との２個の命令で行なうことができる。さらに、部分
ランレングス記憶部４１の値をＮにする命令を分岐遅延
スロットに配置することが好ましい。

【００３２】ここで、上記段階ｃと段階ｄは順序を入れ
替えても良く、条件が成立する順序が高いものを先にす
るようにすると良い。

【００３３】測定対象記憶領域Ｑのビット列の最上位ビ
ットが１でなく、かつ、測定対象記憶領域Ｑのビット列
が表わす数が０でないと、次ぎの段階である段階ｅを開
始する。段階ｅでは予め定めた固定値Ｇから浮動小数点
数Ｙの指数Ｅを減じた数を部分ランレングスＷの値とす
る（ステップＳ１１）。ここで、固定値Ｇは指数部３３
のバイアス値Ｂと測定対象記憶領域Ｑのビット数Ｌとで
定まり、Ｇ＝Ｂ＋Ｌ−１となる。測定対象記憶領域Ｑの
ビット列が表わす数が正値であり、且つ、測定対象のビ
ット列Ｘのビット数ＮがＭ＋１を超えない場合には、部
分ランレングスＷと指数Ｅには、Ｗ＝（Ｂ＋Ｌ−１）−
Ｅの関係が成立する。これにより、部分ランレングスＷ
はＷ＝Ｇ−Ｅとなる。

【００３４】ＲＩＳＣでは部分ランレングス記憶部４１
に固定値Ｇを代入する処理は通常１命令で実行できる。
一方、指数部３２から指数Ｅを抽出する処理は、浮動小
数点数Ｙをテンポラリな汎用レジスタに読み込む命令
と、その値を仮数部３３のビット幅分だけ下位方向
（右）にシフトして格納するという２個の命令で実行で
きる。このシフト後も符号Ｓの値が上記テンポラリな汎
用レジスタに残るが、その値は０であるので、以後の計
算には影響しない。また、例えば32ビットＲＩＳＣ（Ｌ
＝32）で倍精度形式（64ビット）を用いるような場合に
も、２個のテンポラリな汎用レジスタを用いて浮動小数
点数Ｙの値を全て読み出す必要はなく、指数部３２を含
むワードのみを読み出し、シフト量をＭ−32とすれば良
い。ＲＩＳＣでは部分ランレングス記憶部３２に記憶し
た部分ランレングスＷの値から指数Ｅを減じる処理は通
常１命令で実行できる。

【００３５】上記のように部分ランレングスＷをＷ＝Ｇ
−Ｅで求めた場合は、段階ｆにおいて（部分ランレング
スＷ）＞（ビット列Ｘのビット数Ｎ）となっているか否
かを調べ（ステップＳ１２）、（部分ランレングスＷ）
＞（ビット列Ｘのビット数Ｎ）となっている場合には部
分ランレングスＷの値をＮとする（ステップＳ１３）。
ＲＩＳＣでは上記ステップＳ１２及びステップＳ１３の
処理を通常４命令程度で実行できる。

【００３６】上記のようにＩＥＥＥ７５４−１９８５規
格の浮動小数点数Ｙを用いてランレングスを求めるの
で、参照テーブル等を用意する必要がなく記憶領域を小
さくできる。さらに、23ビットから53ビットといった単
位でランレングスの測定を行なうことができ、また、最
高でもＲＩＳＣの十数命令で部分ランレングスの測定を
行なうことができるので、処理をさらに高速化できる。

【００３７】

【発明の効果】この発明は以上説明したように、測定す
るのが１のランである場合はその測定対象のビット列の
各ビットを反転し、測定対象のビット列が２進数の数を
表しているとみなしてそのビット列が表す数を浮動小数
点数に変換し、測定対象のビット列の最上位ビットが１
である場合には部分ランレングスを０とし、測定対象の
ビット列が表す数が０である場合には入力したビット列
のビット数を部分ランレングスとし、測定対象のビット
列の最上位ビットが１でなく、且つ、測定対象のビット
列が表す数が０でない場合は、予め定めた固定値から浮
動小数点数の指数を減じて部分ランレングスとし、部分
ランレングスが入力したビット列のビット数よりも大き
い場合には入力したビット列のビット数を部分ランレン
グスとするので、予め参照テーブル等を用意する必要が
なく、記憶容量を小さくできる。

【００３８】さらに、測定するのが１のランである場合
はその測定対象のビット列の各ビットを反転するので、
０のランを測定すると同じ処理で１のランを測定するこ
とができ、処理を簡単にすることができる。

【００３９】また、参照テーブルを用いる場合に比べ多
くのビットを対象にして部分ランレングスを測定できる
ので、処理を高速化することができる。

【００４０】また、特殊なビット操作命令を使用する必
要がないので、ＲＩＳＣ等を用いることができ、処理を
高速化できると共に、装置全体を制御するプロセッサで
部分ランレングスの測定をでき、装置構成を簡単にでき
る。

【００４１】また、測定対象のビット列を測定開始ビッ
トが最上位ビットになるように１ワード分のビット数の
データ幅を有する測定対象記憶領域に入れ、測定対象記
憶領域の測定対象ビット列を入れなかった部分のビット
を０にするので、測定対象ビット列の各ビットの値が０
の場合に処理を迅速に行なうことができると共に、測定
対象のビット列のビット数の最大値を仮数のビット数＋
１に制限している場合に、予め定めた固定値から浮動小
数点数の指数を減じて部分ランレングスとする際の部分
ランレングスの長さを間違って求めることを防止でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】記憶部の構成図である。

【図２】測定対象ビット列記憶部の構成図である。

【図３】浮動小数点数記憶部の構成図である。

【図４】この発明の動作を示すフローチャートである。

【符号の説明】

Ｃ 測定するランを示す測定情報 Ｅ 指数 Ｆ 可数 Ｌ 測定単位のビット数 Ｎ 測定対象ビット列のビット数 Ｑ 測定対象記憶領域 Ｓ 符号 Ｗ 部分ランレングス Ｘ 測定対象のビット列 Ｙ 浮動小数点数 １ 入力記憶部 １１ 測定対象ビット列記憶部 １２ ビット幅記憶部 １３ 測定情報記憶部 ２ 測定対象記憶部 ３ 浮動小数点数記憶部 ３１ 符号部 ３２ 指数部 ３３ 仮数部 ４ 出力記憶部 ４１ 部分ランレングス記憶部

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 予め定めたビット数の範囲内でイメージ
   データから抽出した測定対象のビット列（Ｘ）と測定す
   るのが０のビットのランか又は１のビットのランかを示
   す測定情報（Ｃ）とイメージデータから抽出したビット
   列（Ｘ）のビット数（Ｎ）を入力し、入力した測定情報
   （Ｃ）に応じて測定対象のビット列（Ｘ）に値が０のビ
   ットが何ビット連続するか又は値が１のビットが何ビッ
   ト連続するかを測定する部分ランレングス測定方法にお
   いて、測定するのが０のランの場合は入力したビット列
   （Ｘ）を測定開始ビットが最上位ビットになるように１
   ワード分のビット数（Ｌ）のデータ幅を有する測定対象
   記憶領域（Ｑ）に入れ、測定するのが１のランである場
   合はその測定対象のビット列（Ｘ）の各ビットを反転し
   て測定開始ビットが最上位ビットになるように測定対象
   記憶領域（Ｑ）に入れ、測定対象記憶領域（Ｑ）内のビ
   ット列が２進数の数を表しているとみなしてそのビット
   列が表す数を浮動小数点数（Ｙ）に変換し、測定対象記
   憶領域（Ｑ）内のビット列の最上位ビットの値が１であ
   る場合には部分ランレングス（Ｗ）の値を０とし、測定
   対象記憶領域（Ｑ）内のビット列が表す数が０である場
   合には測定対象のビット列（Ｘ）のビット数（Ｎ）を部
   分ランレングス（Ｗ）とし、測定対象記憶領域（Ｑ）内
   のビット列の最上位ビットの値が１でなく、且つ、測定
   対象記憶領域（Ｑ）内のビット列が表す数が０でない場
   合は、浮動小数点数（Ｙ）の指数（Ｅ）のバイアス値
   （Ｂ）に１ワード分のビット数（Ｌ）を加えさらにその
   値から１を減じて定めた固定値（Ｇ）から浮動小数点数
   （Ｙ）の指数（Ｅ）を減じて部分ランレングス（Ｗ）と
   し、部分ランレングス（Ｗ）が測定対象のビット列
   （Ｘ）のビット数（Ｎ）よりも大きい場合には測定対象
   のビット列（Ｘ）のビット数（Ｎ）を部分ランレングス
   （Ｗ）とすることを特徴とする部分ランレングス測定方
   法。
2. 【請求項２】 予め定めたビット数の範囲内でイメージ
   データから抽出した測定対象のビット列（Ｘ）と測定す
   るのが０のビットのランか又は１のビットのランかを示
   す測定情報（Ｃ）とイメージデータから抽出したビット
   列（Ｘ）のビット数（Ｎ）を入力し、測定情報（Ｃ）に
   応じて測定対象のビット列（Ｘ）に値が０のビットが何
   ビット連続するか又は値が１のビットが何ビット連続す
   るかを測定する部分ランレングス測定方法において、測
   定するのが０のランの場合は入力したビット列（Ｘ）を
   測定開始ビットが最上位ビットになるように１ワード分
   のビット数（Ｌ）のデータ幅を有する測定対象記憶領域
   （Ｑ）に入れ、測定するのが１のランである場合はその
   測定対象のビット列（Ｘ）の各ビットを反転して測定開
   始ビットが最上位ビットになるように測定対象記憶領域
   （Ｑ）に入れ、測定対象記憶領域（Ｑ）の測定対象ビッ
   ト列（Ｘ）を入れなかった部分のビットの値を０にし、
   測定対象記憶領域（Ｑ）内のビット列が２進数の数を表
   しているとみなしてそのビット列が表す数を浮動小数点
   数（Ｙ）に変換し、測定対象記憶領域（Ｑ）内のビット
   列の最上位ビットの値が１である場合には部分ランレン
   グス（Ｗ）の値を０とし、測定対象記憶領域（Ｑ）内の
   ビット列が表す数が０である場合には測定対象のビット
   列（Ｘ）のビット数（Ｎ）を部分ランレングス（Ｗ）と
   し、測定対象記憶領域（Ｑ）内のビット列の最上位ビッ
   トの値が１でなく、且つ、測定対象記憶領域（Ｑ）内の
   ビット列が表す数が０でない場合は、浮動小数点数
   （Ｙ）の指数（Ｅ）のバイアス値（Ｂ）に１ワード分の
   ビット数（Ｌ）を加えさらにその値から１を減じて定め
   た固定値（Ｇ）から浮動小数点数（Ｙ）の指数（Ｅ）を
   減じて部分ランレングス（Ｗ）とすることを特徴とする
   部分ランレングス測定方法。