JPH11282155A - Photosensitive resin composition and production of solder resist using that - Google Patents

Photosensitive resin composition and production of solder resist using that

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JPH11282155A
JPH11282155A JP10081841A JP8184198A JPH11282155A JP H11282155 A JPH11282155 A JP H11282155A JP 10081841 A JP10081841 A JP 10081841A JP 8184198 A JP8184198 A JP 8184198A JP H11282155 A JPH11282155 A JP H11282155A
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JP
Japan
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photosensitive resin
weight
resin composition
compound
parts
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JP10081841A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiroyuki Kawakami
広幸 川上
Shinji Tsuchikawa
信次 土川
Fumihiko Ota
文彦 太田
Hiroshi Nishizawa
▲廣▼ 西澤
Teruki Aizawa
輝樹 相沢
Shunichi Numata
俊一 沼田
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Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photosensitive resin compsn. excellent in heat resistance, adhesion property and moisture resistance (PCT resistance) and to provide a producing method of a substrate having a solder resist excellent in workability and photosensitive characteristics. SOLUTION: This photosensitive resin compsn. contains (A) a polyimide or its precursor obtd. by the reaction of a tetracarboxylic acid dianhydride or its deriv. and a diamine compd., (B) a photopolymerizable unsatd. compd. having at least one ethylene-type unsatd. group at the molecular end, (C) a compd. having a dihydrobenzoxazine ring, and (D) a photopolymn. initiator which produces free radicals by irradiation of actinic rays. A soln. of the photosensitive resin compsn. above described is applied on a substrate, dried, exposed according to an image and developed by using an alkali aq. soln. as a developer containing 0.1 to 50 wt.% surfactant or org. solvent and 0.01 to 30 wt.% inorg. alkali compd.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、感光性樹脂組成物
及びこれを用いたソルダーレジストを有する基板の製造
法に関する。
The present invention relates to a photosensitive resin composition and a method for producing a substrate having a solder resist using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、電子機器の小型化、軽量化、多機
能化、高信頼化、低価格化に対応して、プリント配線板
では、部品穴を使わず導体パターンの表面で部品と基板
との電気的接続を行う部品搭載方法(この方法は表面実
装方式と呼ばれる)が急激に伸展している。プリント配
線板の製造には、従来からはんだ付け位置の限定及び配
線の保護の目的で感光性ソルダーレジストが用いられて
いるが、表面実装方式を用いるプリント配線板に使用さ
れる感光性ソルダーレジストには、従来以上に耐熱性、
耐湿性及び密着性が要求されるところ、従来のエポキシ
樹脂を主成分とする感光性ソルダーレジストでは、耐熱
性、耐湿性及び密着性が不十分であり、プレッシャー・
クッカー・テスト(以下PCTと略す)を行うと、レジ
ストにふくれや剥がれが生じてしまう問題がある。
2. Description of the Related Art In recent years, in response to the miniaturization, weight reduction, multi-functionality, high reliability, and low price of electronic devices, printed wiring boards do not use component holes but use components and substrates on the surface of conductive patterns. A component mounting method for making an electrical connection with the device (this method is called a surface mounting method) is rapidly expanding. Conventionally, in the manufacture of printed wiring boards, photosensitive solder resist has been used for the purpose of limiting soldering positions and protecting wiring, but photosensitive solder resist used for printed wiring boards using a surface mounting method has been used. Is more heat resistant than before,
Where moisture resistance and adhesiveness are required, conventional solder resists mainly composed of epoxy resin have insufficient heat resistance, moisture resistance and adhesiveness, resulting in pressure
When the cooker test (hereinafter abbreviated as PCT) is performed, there is a problem that the resist is blistered or peeled off.

【0003】一方、半導体分野では、耐熱性、耐湿性及
び密着性に優れる感光性ポリイミド樹脂が配線保護のた
め使用されている。しかし、感光性ポリイミドは、像形
成時にはポリイミドの前駆体のポリアミド酸の形態で用
いること、また、溶媒として高沸点の含窒素系極性溶媒
を用いることから、上記の優れた特性の硬化膜を得るに
は、通常300℃以上の高温乾燥及び硬化を必要とす
る。そのため、基板等の耐熱性の点から、プリント配線
板には使用できないという問題があった。
On the other hand, in the field of semiconductors, photosensitive polyimide resins having excellent heat resistance, moisture resistance and adhesion are used for protecting wiring. However, photosensitive polyimide is used in the form of a polyamic acid as a polyimide precursor at the time of image formation, and since a high-boiling nitrogen-containing polar solvent is used as a solvent, a cured film having the above excellent characteristics is obtained. Requires high temperature drying and curing, usually at 300 ° C. or higher. Therefore, there is a problem that it cannot be used for a printed wiring board from the viewpoint of heat resistance of a substrate or the like.

【0004】そこで、ポリイミド前駆体に、特殊なモノ
マーや非含窒素系極性溶媒を使用することによって、低
温硬化可能な感光性樹脂組成物が開発されている。しか
し、この感光性樹脂組成物は、低温硬化性、耐熱性及び
密着性等に優れるもの、耐湿性がまだ不十分である。
Accordingly, a photosensitive resin composition which can be cured at a low temperature by using a special monomer or a non-nitrogen-containing polar solvent as a polyimide precursor has been developed. However, this photosensitive resin composition is excellent in low-temperature curability, heat resistance, adhesion and the like, but is still insufficient in moisture resistance.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】請求項1記載の発明
は、耐熱性、密着性及び耐湿性(耐PCT性)に優れる
感光性樹脂組成物を提供するものである。請求項2記載
の発明は、請求項1記載の発明に加えて、より耐湿性
(耐PCT性)に優れる感光性樹脂組成物を提供するも
のである。請求項3記載の発明は、低温硬化性、耐熱
性、密着性及び耐湿性(耐PCT性)に優れる感光性樹
脂組成物を提供するものである。請求項4記載の発明
は、請求項3記載の発明に加えて、より低温硬化性に優
れる感光性樹脂組成物を提供するものである。請求項5
記載の発明は、請求項4記載の発明に加えて、より耐湿
性(耐PCT性)に優れる感光性樹脂組成物を提供する
ものである。請求項6記載の発明は、作業性及び感光特
性に優れるソルダーレジストを有する基板の製造法を提
供するものである。請求項7記載の発明は、請求項6記
載の発明に加えて、耐熱性、密着性、耐湿性及び電気特
性等のソルダーレジストに必要な諸特性に優れるソルダ
ーレジストを有する基板の製造法を提供するものであ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The first aspect of the present invention provides a photosensitive resin composition having excellent heat resistance, adhesion and moisture resistance (PCT resistance). The invention of claim 2 provides a photosensitive resin composition having more excellent moisture resistance (PCT resistance) in addition to the invention of claim 1. The third aspect of the present invention provides a photosensitive resin composition having excellent low-temperature curability, heat resistance, adhesion, and moisture resistance (PCT resistance). A fourth aspect of the present invention provides a photosensitive resin composition having excellent low-temperature curability in addition to the third aspect of the present invention. Claim 5
The invention described above provides, in addition to the invention described in claim 4, a photosensitive resin composition having more excellent moisture resistance (PCT resistance). The invention described in claim 6 provides a method for manufacturing a substrate having a solder resist excellent in workability and photosensitive characteristics. The invention according to claim 7 provides, in addition to the invention according to claim 6, a method for manufacturing a substrate having a solder resist excellent in various properties required for the solder resist, such as heat resistance, adhesion, moisture resistance, and electrical characteristics. Is what you do.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、(A)テトラ
カルボン酸二無水物又はその誘導体とジアミン化合物と
を反応させて得られるポリイミド又はその前駆体、
(B)末端にエチレン性不飽和基を少なくとも1個有す
る光重合性不飽和化合物、(C)ジヒドロベンゾオキサ
ジン環含有化合物及び(D)活性光の照射により遊離ラ
ジカルを生成する光重合開始剤を含有してなる感光性樹
脂組成物に関する。
The present invention provides (A) a polyimide or a precursor thereof obtained by reacting a tetracarboxylic dianhydride or a derivative thereof with a diamine compound;
(B) a photopolymerizable unsaturated compound having at least one ethylenically unsaturated group at a terminal, (C) a dihydrobenzoxazine ring-containing compound, and (D) a photopolymerization initiator that generates free radicals upon irradiation with active light. The present invention relates to a photosensitive resin composition contained therein.

【0007】また、本発明は、(A)成分のポリイミド
前駆体又はその誘導体を(A)成分及び(B)成分の総
量100重量部に対して20〜95重量部、(B)成分
の光重合性不飽和化合物を(A)成分及び(B)成分の
総量100重量部に対して5〜80重量部、(C)成分
のジヒドロベンゾオキサジン環含有化合物を(A)成分
及び(B)成分の総量100重量部に対して0.05〜
40重量部、(D)成分の光重合開始剤を(A)成分及
び(B)成分の総量100重量部に対して0.01〜2
0重量部含有する上記感光性樹脂組成物に関する。
The present invention also provides a polyimide precursor (A) or a derivative thereof in an amount of 20 to 95 parts by weight based on 100 parts by weight of the total of the components (A) and (B), The polymerizable unsaturated compound is 5-80 parts by weight based on 100 parts by weight of the total of the components (A) and (B), and the dihydrobenzoxazine ring-containing compound of the component (C) is the components (A) and (B). 0.05 to 100 parts by weight of the total amount of
40 parts by weight, the photopolymerization initiator of the component (D) is used in an amount of 0.01 to 2 with respect to 100 parts by weight of the total amount of the components (A) and (B).
The present invention relates to the photosensitive resin composition containing 0 parts by weight.

【0008】また、本発明は、これらの感光性樹脂組成
物において、(A)成分が、さらに非含窒素系溶媒を含
有する感光性樹脂組成物に関し、また、その非含窒素系
溶媒が、ラクトン類、脂環式ケトン類又はエーテル類で
ある感光性樹脂組成物に関する。また、本発明は、これ
らの感光性樹脂組成物において、ジヒドロベンゾオキサ
ジン環含有化合物が、対応するフェノール性水酸基を有
する化合物、ホルムアルデヒド及び1級アミンを反応さ
せてなる感光性樹脂組成物に関する。
[0008] The present invention also relates to a photosensitive resin composition in which the component (A) further contains a non-nitrogen-containing solvent in these photosensitive resin compositions. The present invention relates to a photosensitive resin composition which is a lactone, an alicyclic ketone or an ether. The present invention also relates to a photosensitive resin composition obtained by reacting a compound having a corresponding phenolic hydroxyl group, formaldehyde and a primary amine in these photosensitive resin compositions with a dihydrobenzoxazine ring-containing compound.

【0009】また、本発明は、これらの感光性樹脂組成
物のうちのいずれかの溶液を基板上に塗布し、乾燥後、
像的に露光し、次いで界面活性剤又は有機溶剤を0.1
〜50重量%及び無機アルカリ性化合物を0.01〜3
0重量%含有するアルカリ性水溶液を現像液に用いて、
現像を行うことを特徴とするソルダーレジストを有する
基板の製造法に関する。また、本発明は、この製造法に
おいて、現像後に活性光を照射する工程と後加熱する工
程を含むソルダーレジストを有する基板の製造法に関す
る。
Further, the present invention provides a method for applying a solution of any of these photosensitive resin compositions on a substrate and drying the solution.
Imagewise exposure, then add surfactant or organic solvent to 0.1
To 50% by weight and an inorganic alkaline compound in an amount of 0.01 to 3%.
Using an alkaline aqueous solution containing 0% by weight as a developer,
The present invention relates to a method for producing a substrate having a solder resist, which is characterized by performing development. The present invention also relates to a method for manufacturing a substrate having a solder resist, which includes a step of irradiating active light after development and a step of post-heating in this manufacturing method.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】以下、本発明の感光性樹脂組成物
について詳細に説明する。本発明の感光性樹脂組成物に
おいて、(A)成分であるポリイミド又はその前駆体の
原料となるテトラカルボン酸二無水物は、例えば、一般
式(I)
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the photosensitive resin composition of the present invention will be described in detail. In the photosensitive resin composition of the present invention, the polyimide as the component (A) or the tetracarboxylic dianhydride as a raw material of the precursor thereof may be, for example, a compound represented by the general formula (I)

【化1】 (式中、R1は炭素原子数が2〜240、好ましくは4
〜60、特に好ましくは4〜30の4価の有機基、さら
に具体的には、テトラカルボン酸二無水物の残基を示
し、好ましくはベンゼン環等の芳香族基を含む基であ
る)で表され、その誘導体としては、炭素数1〜4のア
ルキル基を有するモノアルキルエステル又はジアルキル
エステルがある。
Embedded image (Wherein R 1 has 2 to 240 carbon atoms, preferably 4 carbon atoms)
To 60, particularly preferably a 4 to 30 tetravalent organic group, more specifically a residue of a tetracarboxylic dianhydride, preferably a group containing an aromatic group such as a benzene ring). The derivatives thereof include monoalkyl esters and dialkyl esters having an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

【0011】また、(A)成分であるポリイミド又はそ
の前駆体の原料となるジアミン化合物としては、例え
ば、一般式(II)
The diamine compound used as a raw material for the polyimide (A) or its precursor is, for example, a compound represented by the following general formula (II):

【化2】 (式中、R2は炭素原子数が2〜240、好ましくは2
〜60、特に好ましくは2〜30の2価の有機基、さら
に具体的には、ジアミン化合物の残基を示し、好ましく
はベンゼン環等の芳香族基を含む基である)で表され
る。
Embedded image (Wherein R 2 has 2 to 240 carbon atoms, preferably 2
To 60, particularly preferably 2 to 30 divalent organic groups, more specifically, a residue of a diamine compound, preferably a group containing an aromatic group such as a benzene ring).

【0012】前記テトラカルボン酸二無水物としては、
特に制限は無く、例えば、ピロメリット酸、3,3′,
4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、3,
3′,4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸、2,
3′,3,4′−ビフェニルテトラカルボン酸、2,
3′,4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸、3,
3′,4,4′−ジフェニルエーテルテトラカルボン
酸、1,2,5,6−ナフタレンテトラカルボン酸、
2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸、1,
4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸、2,3,
5,6,−ピリジンテトラカルボン酸、3,4,9,1
0−ペリレンテトラカルボン酸、3,3′,4,4′−
ジフェニルスルホンテトラカルボン酸、m−ターフェニ
ル−3,3′,4,4′−テトラカルボン酸、p−ター
フェニル−3,3′,4,4′−テトラカルボン酸、
1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビ
ス(2,3−又は3,4−ジカルボキシフェニル)プロ
パン、2,2−ビス(2,3−又は3,4−ジカルボキ
シフェニル)プロパン、2,2−ビス〔4′−(2,3
−又は3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル〕プ
ロパン、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−
2,2−ビス〔4′−(2,3−又は3,4−ジカルボ
キシフェノキシ)フェニル〕プロパン、2,3,6,7
−アントラセンテトラカルボン酸、1,2,7,8−フ
ェナンスレンテトラカルボン酸、4,4′−ビス(2,
3−ジカルボキシフェノキシ)ジフェニルメタン等の芳
香族テトラカルボン酸の二無水物、下記一般式(III)
The tetracarboxylic dianhydride includes:
There is no particular limitation, for example, pyromellitic acid, 3,3 ′,
4,4'-benzophenonetetracarboxylic acid, 3,
3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid, 2,
3 ', 3,4'-biphenyltetracarboxylic acid, 2,
3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid, 3,
3 ', 4,4'-diphenylethertetracarboxylic acid, 1,2,5,6-naphthalenetetracarboxylic acid,
2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic acid, 1,
4,5,8-naphthalenetetracarboxylic acid, 2,3
5,6, -pyridinetetracarboxylic acid, 3,4,9,1
0-perylenetetracarboxylic acid, 3,3 ', 4,4'-
Diphenylsulfonetetracarboxylic acid, m-terphenyl-3,3 ', 4,4'-tetracarboxylic acid, p-terphenyl-3,3', 4,4'-tetracarboxylic acid,
1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2,2-bis (2,3- or 3,4-dicarboxyphenyl) propane, 2,2-bis (2,3- or 3,4 -Dicarboxyphenyl) propane, 2,2-bis [4 '-(2,3
-Or 3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl] propane, 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-
2,2-bis [4 '-(2,3- or 3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl] propane, 2,3,6,7
-Anthracenetetracarboxylic acid, 1,2,7,8-phenanthrenetetracarboxylic acid, 4,4'-bis (2,
Dianhydride of aromatic tetracarboxylic acid such as 3-dicarboxyphenoxy) diphenylmethane; the following general formula (III)

【化3】 (式中、R3及びR4は一価の炭化水素基を示し、それぞ
れ同一でも異なっていてもよく、kは1以上の整数であ
る)で表わされる芳香族テトラカルボン酸二無水物、シ
クロブテンテトラカルボン酸、ブタンテトラカルボン酸
等の脂肪族テトラクルボン酸の二無水物などが挙げら
れ、これらは単独又は2種以上を組み合わせて使用され
る。
Embedded image (Wherein, R 3 and R 4 represent a monovalent hydrocarbon group, and may be the same or different, and k is an integer of 1 or more). Examples thereof include dianhydrides of aliphatic tetracuronic acids such as butenetetracarboxylic acid and butanetetracarboxylic acid, and these are used alone or in combination of two or more.

【0013】前記ジアミン化合物としては、特に制限は
なく、例えば、2,2−ビス−[4−(4−アミノフェ
ノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス−[3−
(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、ビス
[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、
ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルホ
ン、2,2−ビス−[4−(4−アミノフェノキシ)フ
ェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス−[4
−(3−アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロ
プロパン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)]ビフ
ェニル、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)]ビフェ
ニル、ビス[1−(4−アミノフェノキシ)]ビフェニ
ル、ビス[1−(3−アミノフェノキシ)]ビフェニ
ル、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]メ
タン、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]
メタン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニ
ル]エーテル、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フ
ェニル]エーテル、ビス[4−(4−アミノフェノキ
シ)]ベンゾフェノン、ビス[4−(3−アミノフェノ
キシ)]ベンゾフェノン、ビス[4−(4−アミノフェ
ノキシ)]ベンズアニリド、ビス[4−(3−アミノフ
ェノキシ)]ベンズアニリド、9,9−ビス[4−(4
−アミノフェノキシ)フェニル]フルオレン、9,9−
ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]フルオ
レン、4,4′−(又は3,4′−、3,3′−、2,
4′−、2,2′−)ジアミノジフェニルエーテル、
4,4′−(又は3,4′−、−3,3′−、2,4′
−、2,2′−)ジアミノジフェニルメタン、4,4′
−(又は3,4′−、3,3′−、2,4′−、2,
2′−)ジアミノジフェニルスルホン、4,4′−(又
は3,4′−、3,3′−、2,4′−、2,2′−)
ジアミノジフェニルスルフィド、p−フェニレンジアミ
ン、m−フェニレンジアミン、p−キシリレンジアミ
ン、mーキシリレンジアミン、o−トリジン、o−トリ
ジンスルホン、4,4′−メチレン−ビス−(2,6−
ジエチルアニリン)、4,4′−メチレン−ビス−
(2,6−ジイソプロピルアニリン)、2,4−ジアミ
ノメシチレン、1,5−ジアミノナフタレン、4,4′
−ベンゾフェノンジアミン、1,1,1,3,3,3−
ヘキサフルオロ−2,2−ビス(4−アミノフェニル)
プロパン、3,3′−ジメチル−4,4′−ジアミノジ
フェニルメタン、3,3′,5,5′−テトラメチル−
4,4′−ジアミノジフェニルメタン、2,2−ビス
(4−アミノフェニル)プロパン、ベンジジン、2,6
−ジアミノピリジン、3,3′−ジメトキシベンジジ
ン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、
1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、4,
4′−[1,4−フェニレンビス(1−メチルエチリデ
ン)]ビスアニリン、4,4′−[1,3−フェニレン
ビス(1−メチルエチリデン)]ビスアニリン、3,5
−ジアミノ安息香酸等の芳香族ジアミン、エチレンジア
ミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミ
ン、1,2−ジアミノシクロヘキサン、下記一般式(I
V)
The diamine compound is not particularly restricted but includes, for example, 2,2-bis- [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane and 2,2-bis- [3-
(4-aminophenoxy) phenyl] propane, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone,
Bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 2,2-bis- [4- (4-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 2,2-bis- [4
-(3-Aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, bis [4- (4-aminophenoxy)] biphenyl, bis [4- (3-aminophenoxy)] biphenyl, bis [1- (4-aminophenoxy)] Biphenyl, bis [1- (3-aminophenoxy)] biphenyl, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] methane, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl]
Methane, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ether, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] ether, bis [4- (4-aminophenoxy)] benzophenone, bis [4- (3- Aminophenoxy)] benzophenone, bis [4- (4-aminophenoxy)] benzanilide, bis [4- (3-aminophenoxy)] benzanilide, 9,9-bis [4- (4
-Aminophenoxy) phenyl] fluorene, 9,9-
Bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] fluorene, 4,4 '-(or 3,4'-, 3,3'-, 2,
4 '-, 2,2'-) diaminodiphenyl ether,
4,4'- (or 3,4'-, -3,3'-, 2,4 '
-, 2,2 '-) diaminodiphenylmethane, 4,4'
-(Or 3,4'-, 3,3'-, 2,4'-, 2,
2'-) diaminodiphenyl sulfone, 4,4'- (or 3,4'-, 3,3'-, 2,4'-, 2,2'-)
Diaminodiphenyl sulfide, p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, p-xylylenediamine, m-xylylenediamine, o-tolidine, o-tolidine sulfone, 4,4'-methylene-bis- (2,6-
Diethylaniline), 4,4'-methylene-bis-
(2,6-diisopropylaniline), 2,4-diaminomesitylene, 1,5-diaminonaphthalene, 4,4 ′
-Benzophenone diamine, 1,1,1,3,3,3-
Hexafluoro-2,2-bis (4-aminophenyl)
Propane, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3 ', 5,5'-tetramethyl-
4,4'-diaminodiphenylmethane, 2,2-bis (4-aminophenyl) propane, benzidine, 2,6
-Diaminopyridine, 3,3'-dimethoxybenzidine, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene,
1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 4,
4 '-[1,4-phenylenebis (1-methylethylidene)] bisaniline, 4,4'-[1,3-phenylenebis (1-methylethylidene)] bisaniline, 3,5
Aromatic diamines such as diaminobenzoic acid, ethylenediamine, tetramethylenediamine, hexamethylenediamine, 1,2-diaminocyclohexane, and a compound represented by the following general formula (I
V)

【化4】 (式中、R5及びR6は炭素原子数1〜30の二価の炭化
水素基を示し、それぞれ同一でも異なっていてもよく、
7及びR8は一価の炭化水素基を示し、それぞれ同一で
も異なっていてもよく、mは1以上の整数である)で表
わされるジアミノポリシロキサン、1,3−ビス(アミ
ノメチル)シクロヘキサン、サン テクノケミカル(株)
製 ジェファーミン D−230、D−400、D−2
000、D−4000、ED−600、ED−900、
ED−2001、EDR−148等のポリオキシアルキ
レンジアミン等の脂肪族ジアミン等が挙げられる。これ
らは単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。
Embedded image (Wherein, R 5 and R 6 each represent a divalent hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms, which may be the same or different,
R 7 and R 8 each represent a monovalent hydrocarbon group, and may be the same or different, and m is an integer of 1 or more), 1,3-bis (aminomethyl) cyclohexane , Sun Techno Chemical Co., Ltd.
Jeffamine D-230, D-400, D-2
000, D-4000, ED-600, ED-900,
Examples thereof include aliphatic diamines such as polyoxyalkylenediamines such as ED-2001 and EDR-148. These are used alone or in combination of two or more.

【0014】本発明におけるポリイミド前駆体は、前記
テトラカルボン酸二無水物と前記ジアミン化合物を有機
溶媒中で反応させることにより得られるが、それらの使
用割合は、テトラカルボン酸二無水物/ジアミン化合物
が1.1/1.0〜1.0/1.1(モル比)の範囲と
することが好ましい。この範囲を超えると、ポリイミド
前駆体の分子量が成長しないため、耐熱性等が低下する
傾向がある。
The polyimide precursor according to the present invention is obtained by reacting the tetracarboxylic dianhydride with the diamine compound in an organic solvent. Is preferably in the range of 1.1 / 1.0 to 1.0 / 1.1 (molar ratio). If it exceeds this range, the molecular weight of the polyimide precursor does not grow, so that heat resistance and the like tend to decrease.

【0015】本発明のポリイミド前駆体を生成する反応
に使用する溶媒としては、非含窒素系極性溶媒が好まし
く、その具体例としては、γ−ブチロラクトン、γ−バ
レロラクトン、γ−カプロラクトン、γ−ヘプタラクト
ン、α−アセチル−γ−ブチロラクトン、ε−カプロラ
クトン等のラクトン類、ジオキサン、1,2−ジメトキ
シメタン、ジエチレングリコールジメチル(又はジエチ
ル、ジプロピル、ジブチル)エーテル、トリエチレング
リコールジメチル(又はジエチル、ジプロピル、ジブチ
ル)エーテル、テトラエチレングリコール(又はジエチ
ル、ジプロピル、ジブチル)エーテル等のエーテル類、
エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカ
ーボネート類、メチルエチルケトン、メチルイソブチル
ケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン等のケトン
類、ブタノール、オクチルアルコール、エチレングリコ
ール、グリセリン、ジエチレングリコールジメチル(又
はモノメチル)エーテル、トリエチレングリコールジメ
チル(又はモノメチル)エーテル、テトラエチレングリ
コールジメチル(又はモノメチル)エーテル等のアルコ
ール類、フェノール、クレゾール、キシレノール等のフ
ェノール類、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセロソル
ブアセテート、ブチルセロソルブアセテート等のエステ
ル類、トルエン、キシレン、ジエチルベンゼン、シクロ
ヘキサン等の炭化水素類、トリクロロエタン、テトラク
ロロエタン、モノクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水
素類等を用いることができるが、高揮発性であって低温
硬化性を付与できるγ−ブチロラクトンが最も好まし
い。
The solvent used in the reaction for producing the polyimide precursor of the present invention is preferably a non-nitrogen-containing polar solvent, and specific examples thereof include γ-butyrolactone, γ-valerolactone, γ-caprolactone, and γ-caprolactone. Lactones such as heptalactone, α-acetyl-γ-butyrolactone, ε-caprolactone, dioxane, 1,2-dimethoxymethane, diethylene glycol dimethyl (or diethyl, dipropyl, dibutyl) ether, triethylene glycol dimethyl (or diethyl, dipropyl, Ethers such as dibutyl) ether and tetraethylene glycol (or diethyl, dipropyl, dibutyl) ether;
Carbonates such as ethylene carbonate and propylene carbonate, ketones such as methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone and acetophenone, butanol, octyl alcohol, ethylene glycol, glycerin, diethylene glycol dimethyl (or monomethyl) ether, triethylene glycol dimethyl (or monomethyl) Alcohols such as ether and tetraethylene glycol dimethyl (or monomethyl) ether; phenols such as phenol, cresol and xylenol; esters such as ethyl acetate, butyl acetate, ethyl cellosolve acetate and butyl cellosolve acetate; toluene, xylene, diethylbenzene and cyclohexane Hydrocarbons such as trichloroethane, tetrachloroethane, mono It can be used halogenated hydrocarbons such as chlorobenzene and the like, can impart low-temperature curability a highly volatile γ- butyrolactone being most preferred.

【0016】非含窒素系極性溶媒の使用量は、生成する
ポリイミド前駆体の1〜10倍(重量比)とすることが
好ましい。1倍未満では、合成時の粘度が高すぎて、撹
拌不能により合成が困難となる傾向があり、10倍を超
えると、反応速度が低下する傾向がある。
The amount of the non-nitrogen-containing polar solvent used is preferably 1 to 10 times (weight ratio) the polyimide precursor to be produced. If it is less than 1 time, the viscosity at the time of synthesis tends to be too high and the synthesis tends to be difficult due to inability to stir. If it exceeds 10 times, the reaction rate tends to decrease.

【0017】テトラカルボン酸二無水物とジアミン化合
物の反応は、80℃以下で行うことが好ましく、0〜5
0℃で行うことが特に好ましい。これによりポリアミド
酸が生成する。また、このポリアミド酸は一部イミド化
していてもよく、これらを総称してポリイミド樹脂前駆
体という。従って、反応温度は250℃まで昇温しても
よい。ポリイミド前駆体は液晶配向膜用組成物の溶剤に
可溶性であることが好ましい。この前駆体は、基板上に
液晶配向膜形成性樹脂の層を形成するとき、すなわち、
液晶配向膜用組成物を塗布し、加熱乾燥するときに、完
全にイミド化されポリイミド樹脂とされることが好まし
い。また、前記ポリイミド樹脂前駆体は液晶配向膜用組
成物の溶剤に可溶であるならば、予め、イミド化してお
くことができる。イミド化には、前記の反応を120〜
250℃で行う熱イミド化、脱水剤の存在下に反応させ
る化学イミド化がある。脱水剤としては、無水酢酸、無
水プロピオン酸、無水安息香酸等の酸無水物、ジシクロ
ヘキシルカルボジイミド等のカルボジイミド化合物等が
好ましく、テトラカルボン酸二無水物1モルに対して1
〜8モル使用することが好ましい。また、このとき、脱
水触媒としてピリジン、イソキノリン、トリメチルアミ
ン、アミノピリジン、イミダゾール等を必要に応じて使
用することができる。脱水触媒はテトラカルボン酸二無
水物1モルに対して1〜8モル使用することが好まし
い。
The reaction between the tetracarboxylic dianhydride and the diamine compound is preferably carried out at 80 ° C. or lower.
It is particularly preferred to carry out at 0 ° C. This produces polyamic acid. The polyamic acid may be partially imidized, and these are collectively referred to as a polyimide resin precursor. Therefore, the reaction temperature may be raised to 250 ° C. The polyimide precursor is preferably soluble in the solvent of the composition for a liquid crystal alignment film. This precursor, when forming a layer of the liquid crystal alignment film-forming resin on the substrate, namely,
It is preferable that when the composition for a liquid crystal alignment film is applied and heated and dried, it is completely imidized to be a polyimide resin. The polyimide resin precursor can be imidized in advance if it is soluble in the solvent of the composition for a liquid crystal alignment film. For imidation, the above reaction is carried out at 120-
There are thermal imidization performed at 250 ° C. and chemical imidization performed in the presence of a dehydrating agent. As the dehydrating agent, acid anhydrides such as acetic anhydride, propionic anhydride and benzoic anhydride, carbodiimide compounds such as dicyclohexylcarbodiimide and the like are preferable, and 1 to 1 mol of tetracarboxylic dianhydride is preferable.
It is preferable to use up to 8 mol. At this time, pyridine, isoquinoline, trimethylamine, aminopyridine, imidazole and the like can be used as a dehydration catalyst as required. The dehydration catalyst is preferably used in an amount of 1 to 8 mol per 1 mol of tetracarboxylic dianhydride.

【0018】(B)成分であるエチレン性不飽和基を少
なくとも1個有する光重合性不飽和化合物としては特に
制限は無く、例えば、アクリル酸メチル、メタクリル酸
メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、アク
リル酸ブチル、メタクリル酸ブチル、アクリル酸2−エ
チルヘキシル、メタクリル酸2−エチルヘキシル、ペン
テニルアクリレート、ペンテニルメタクリレート、ベン
ジルアクリレート、ベンジルメタクリレート、テトラヒ
ドロフルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリル
メタクリレート、ポリエチレングリコール(メタ)アク
リレート(エチレン基の和が2〜14のもの)、ポリプ
ロピレングリコールジ(メタ)アクリレート(プロピレ
ン基の和が2〜14のもの)、トリメチロールプロパン
ジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレ
ート、トリメチロールプロパンジメタクリレート、トリ
メチロールプロパントリメタクリレート、トリメチロー
ルプロパンエトキシトリアクリレート、トリメチロール
プロパンエトキシトリメタクリレート、トリメチロール
プロパンプロポキシトリアクリレート、トリメチロール
プロパンプロポキシトリメタクリレート、テトラメチロ
ールメタンテトラアクリレート、テトラメチロールメタ
ンテトラメタクリレート、1,4−ブタンジオールジア
クリレート、1,6−ヘキサンジオールジアクリレー
ト、1,4−ブタンジオールジメタクリレート、1,6
−ヘキサンジオールジメタクリレート、ペンタエリスリ
トールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラ
アクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレー
ト、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペ
ンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリ
スリトールペンタメタクリレート、ジペンタエリスリト
ールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキ
サメタクリレート、スチレン、ジビニルベンゼン、4−
ビニルトルエン、4−ビニルピリジン、N−ビニルピロ
リドン、2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒド
ロキシエチルメタクリレート、1,3−アクリロイルオ
キシ−2−ヒドロキシプロパン、1,2−メタクリロイ
ルオキシ−2−ヒドロキシプロパン、メチレンビスアク
リルアミド、N,N−ジメチルアクリルアミド,N−メ
チロールアクリルアミド、トリス(β−ヒドロキシエチ
ル)イソシアヌレートのトリアクリレート、下記一般式
(V)
The photopolymerizable unsaturated compound having at least one ethylenically unsaturated group as the component (B) is not particularly limited, and examples thereof include methyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl acrylate, ethyl methacrylate, Butyl acrylate, butyl methacrylate, 2-ethylhexyl acrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, pentenyl acrylate, pentenyl methacrylate, benzyl acrylate, benzyl methacrylate, tetrahydrofurfuryl acrylate, tetrahydrofurfuryl methacrylate, polyethylene glycol (meth) acrylate (ethylene Groups having a sum of 2 to 14), polypropylene glycol di (meth) acrylate (having a sum of 2 to 14 propylene groups), trimethylolpropane diacrylate, Limethylolpropane triacrylate, trimethylolpropane dimethacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, trimethylolpropaneethoxytriacrylate, trimethylolpropaneethoxytrimethacrylate, trimethylolpropanepropoxytriacrylate, trimethylolpropanepropoxytrimethacrylate, tetramethylolmethanetetra Acrylate, tetramethylolmethanetetramethacrylate, 1,4-butanediol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, 1,4-butanediol dimethacrylate, 1,6
-Hexanediol dimethacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, pentaerythritol tetramethacrylate, dipentaerythritol pentaacrylate, dipentaerythritol pentamethacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, dipentaerythritol hexamethacrylate, Styrene, divinylbenzene, 4-
Vinyltoluene, 4-vinylpyridine, N-vinylpyrrolidone, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 1,3-acryloyloxy-2-hydroxypropane, 1,2-methacryloyloxy-2-hydroxypropane, methylene Bisacrylamide, N, N-dimethylacrylamide, N-methylolacrylamide, triacrylate of tris (β-hydroxyethyl) isocyanurate, the following general formula (V)

【化5】 (式中、R9は水素又はメチル基を示し、q及びrは1
以上の整数である)で表わされる化合物、グリシジル基
含有化合物にα,β−不飽和カルボン酸を付加して得ら
れる化合物、例えば、トリメチロールプロパントリグリ
シジルエーテルトリ(メタ)アクリレート、ビスフェノ
ールAジグリシジルエーテルジ(メタ)アクリレート
等、多価カルボン酸、例えば、無水フタル酸等と水酸基
及びエチレン性不飽和基を有する物資、例えば、β−ヒ
ドロキシエチル(メタ)アクリレート等とのエステル化
物、トリレンジイソシアネートと2−ヒドロキシエチル
(メタ)アクリル酸エステルとの反応物やトリメチルヘ
キサンジイソシアネートとシクロヘキサンジメタノール
と2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリル酸エステルと
の反応物等のウレタン(メタ)アクリレート、ジアミン
とイソシアネート化合物とエチレン性不飽和二重結合を
有するモノイソシアネート化合物との反応物等の、尿素
結合含有化合物等が挙げられる。これらは単独で又は2
種類以上を組み合わせて使用することができる。
Embedded image (Wherein R 9 represents hydrogen or a methyl group, and q and r represent 1
Or a compound obtained by adding an α, β-unsaturated carboxylic acid to a glycidyl group-containing compound, for example, trimethylolpropane triglycidyl ether tri (meth) acrylate, bisphenol A diglycidyl. Esterified products of polyhydric carboxylic acids such as ether di (meth) acrylate, for example, phthalic anhydride and the like, and a compound having a hydroxyl group and an ethylenically unsaturated group, for example, β-hydroxyethyl (meth) acrylate, and tolylene diisocyanate Of urethane (meth) acrylate, diamine and isocyanate, such as a reaction product of trimethylhexane diisocyanate, cyclohexane dimethanol and 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, and a reaction product of trimethylhexane diisocyanate, cyclohexane dimethanol and 2-hydroxyethyl (meth) acrylate. And the reaction product of a monoisocyanate compound having an ethylenically unsaturated double bond, a urea bond-containing compounds, and the like. These can be used alone or 2
More than one type can be used in combination.

【0019】ポリイミド前駆体とエチレン性不飽和基を
少なくとも1個有する光重合性不飽和化合物の使用量
は、(A)成分であるポリイミド前駆体及び(B)成分
であるエチレン性不飽和基を少なくとも1個有する光重
合性不飽和化合物の総量を100重量部として、ポリイ
ミド前駆体95〜20重量部及びエチレン性不飽和基を
少なくとも1個有する光重合性不飽和化合物5〜80重
量部が好ましい。ポリイミド前駆体が多すぎると光感度
が劣る傾向があり、ポリイミド前駆体が少なすぎると硬
化膜の耐熱性や機械特性が劣る傾向がある。
The amounts of the polyimide precursor and the photopolymerizable unsaturated compound having at least one ethylenically unsaturated group are determined based on the amount of the polyimide precursor (A) and the amount of the ethylenically unsaturated group (B). Assuming that the total amount of the photopolymerizable unsaturated compound having at least one is 100 parts by weight, 95 to 20 parts by weight of the polyimide precursor and 5 to 80 parts by weight of the photopolymerizable unsaturated compound having at least one ethylenically unsaturated group are preferable. . If the amount of the polyimide precursor is too large, the photosensitivity tends to be inferior, and if the amount of the polyimide precursor is too small, the heat resistance and mechanical properties of the cured film tend to be inferior.

【0020】本発明の(C)成分であるジヒドロベンゾ
オキサジン環含有化合物の合成は、フェノール性水酸基
を有する化合物と1級アミンとの混合物を70℃以上に
加熱したホルムアルデヒド中に添加して、70〜110
℃、好ましくは、90〜100℃で20〜120分反応
させ、その後120℃以下の温度で減圧乾燥することに
より合成することができる。フェノール性水酸基を有す
る化合物のフェノール性水酸基のすべてが第1級アミン
とホルムアルデヒドと反応し、ジヒドロベンゾオキサジ
ン環を形成するようにしたものが好ましい。
The dihydrobenzoxazine ring-containing compound as the component (C) of the present invention is synthesized by adding a mixture of a compound having a phenolic hydroxyl group and a primary amine to formaldehyde heated to 70 ° C. or higher. ~ 110
C., preferably at 90 to 100.degree. C. for 20 to 120 minutes, followed by drying under reduced pressure at a temperature of 120.degree. C. or less. It is preferable that all the phenolic hydroxyl groups of the compound having a phenolic hydroxyl group react with the primary amine and formaldehyde to form a dihydrobenzoxazine ring.

【0021】フェノール性水酸基を有する化合物として
は、特に制限は無く、ビスフェノールA、ビスフェノー
ルF、ビスフェノールE、ビフェノール等のビスフェノ
ール化合物、トリスフェノール化合物、テトラフェノー
ル化合物、フェノール樹脂等を挙げることができる。こ
のフェノール樹脂としてはフェノール若しくはキシレノ
ール、t−ブチルフェノール、オクチルフェノール等の
アルキルフェノールなどの1価のフェノール化合物、レ
ゾルシノール、ビスフェノールA等の多価フェノール化
合物などのフェノール化合物とホルムアルデヒドを反応
させて得られるノボラック樹脂若しくはレゾール樹脂、
フェノール変性キシレン樹脂、メラミンフェノール樹
脂、ポリブタジエン変性フェノール樹脂等がある。1級
アミンとしては、特に制限は無く、メチルアミン、シク
ロヘキシルアミン、アニリン、置換アニリン等を挙げる
ことができる。ホルムアルデヒドは、ホルマリン、ポリ
パラホルムアルデヒドの形態で使用しても良い。
The compound having a phenolic hydroxyl group is not particularly limited, and examples thereof include bisphenol compounds such as bisphenol A, bisphenol F, bisphenol E, and biphenol, trisphenol compounds, tetraphenol compounds, and phenol resins. Examples of the phenolic resin include a phenolic compound such as phenol or xylenol, t-butylphenol, a monohydric phenol compound such as alkylphenol such as octylphenol, resorcinol, and a novolak resin obtained by reacting a phenol compound such as a polyhydric phenol compound such as bisphenol A with formaldehyde. Resole resin,
There are phenol-modified xylene resin, melamine phenol resin, polybutadiene-modified phenol resin and the like. The primary amine is not particularly limited, and examples thereof include methylamine, cyclohexylamine, aniline, and substituted aniline. Formaldehyde may be used in the form of formalin or polyparaformaldehyde.

【0022】ジヒドロベンゾオキサジン環含有化合物の
使用量は、(A)成分であるポリイミド前駆体の固形分
及び(B)成分であるエチレン性不飽和基を少なくとも
1個有する光重合性不飽和化合物の総量を100重量部
として、0.1〜40重量部である。この使用量が0.
1重量部未満だと耐湿性が劣る傾向があり、40重量部
を超えると、感光性樹脂組成物の保存安定性が劣る傾向
がある。また、本発明の感光性樹脂組成物には、必要に
応じて、光重合開始剤を含有することができる。
The amount of the dihydrobenzoxazine ring-containing compound used depends on the solid content of the polyimide precursor as the component (A) and the amount of the photopolymerizable unsaturated compound having at least one ethylenically unsaturated group as the component (B). The total amount is 0.1 to 40 parts by weight based on 100 parts by weight. This usage amount is 0.
If it is less than 1 part by weight, the moisture resistance tends to be inferior, and if it exceeds 40 parts by weight, the storage stability of the photosensitive resin composition tends to be inferior. In addition, the photosensitive resin composition of the present invention may contain a photopolymerization initiator, if necessary.

【0023】(D)成分である光重合開始剤としては、
特に制限はなく、例えば、ミヒラーズケトン、ベンゾイ
ンメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾ
インイソプロピルエーテル、2−t−ブチルアントラキ
ノン、2−エチルアントラキノン、4,4′−ビス(ジ
エチルアミノ)ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベン
ゾフェノン、チオキサントン、2,4−ジエチルチオキ
サントン、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフ
ェノン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケト
ン、2−メチル−〔4−(メチルチオ)フェニル〕−2
−モルフォリノ−1−プロパノン、ベンジルジフェニル
ジスルフィド、フェナンスレンキノン、2−イソプロピ
ルチオキサントン、リボフラビンテトラブチレート、
2,6−ビス(p−ジエチルアミノベンザル)−4−メ
チル−4−アザシクロヘキサノン、N−エチル−N−
(p−クロロフェニル)グリシン、N−フェニルジエタ
ノールアミン、2−(o−エトキシカルボニル)オキシ
イミノ−1,3−ジフェニルプロパンジオン、1−フェ
ニル−2−(o−エトキシカルボニル)オキシイミノプ
ロパン−1−オン、3,3′,4,4′−テトラ(tー
ブチルパーオキシカルボニル)ベンゾフェノン、3,3
−カルボニルビス(7−ジエチルアミノクマリン)、ビ
ス(シクロペンタジエニル)−ビス−〔2,6−ジフル
オロ−3−(ピリ−1−イル)フェニル〕チタニウム、
3,3′−ジメトキシ−4,4′−ジアザドビフェニ
ル、3,5−ビス(4−ジエチルアミノベンジリデン)
−1−メチル−4−アザシクロヘキサノン、4−メチル
−7−ジエチルアミノクマリン、4,6−ジメチル−7
−エチルアミノクマリン、7−ジエチルアミノ−3−テ
ノニルクマリン、ベンジルジメチルケタール、2−ベン
ジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフ
ェニル)−ブタン−1−オン、4−ジエチルアミノ安息
香酸エチル、1,3−ジフェニルプロパントリオン−2
−(o−エトキシカルボニル)オキシム、N−(4−シ
アノフェニル)グリシン、1,7−ビス(9−アクリジ
ニル)ヘプタン等が挙げられる。これらは単独又は2種
類以上を組み合わせて使用することもできる。
As the photopolymerization initiator as the component (D),
There is no particular limitation, for example, Michler's ketone, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, 2-t-butylanthraquinone, 2-ethylanthraquinone, 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone, acetophenone, benzophenone, thioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone, 2-methyl- [4- (methylthio) phenyl] -2
Morpholino-1-propanone, benzyldiphenyl disulfide, phenanthrenequinone, 2-isopropylthioxanthone, riboflavin tetrabutyrate,
2,6-bis (p-diethylaminobenzal) -4-methyl-4-azacyclohexanone, N-ethyl-N-
(P-chlorophenyl) glycine, N-phenyldiethanolamine, 2- (o-ethoxycarbonyl) oxyimino-1,3-diphenylpropanedione, 1-phenyl-2- (o-ethoxycarbonyl) oxyiminopropan-1-one, 3,3 ', 4,4'-tetra (t-butylperoxycarbonyl) benzophenone, 3,3
-Carbonylbis (7-diethylaminocoumarin), bis (cyclopentadienyl) -bis- [2,6-difluoro-3- (pyr-1-yl) phenyl] titanium,
3,3'-dimethoxy-4,4'-diazadobiphenyl, 3,5-bis (4-diethylaminobenzylidene)
-1-methyl-4-azacyclohexanone, 4-methyl-7-diethylaminocoumarin, 4,6-dimethyl-7
-Ethylaminocoumarin, 7-diethylamino-3-thenonylcoumarin, benzyldimethylketal, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butan-1-one, ethyl 4-diethylaminobenzoate , 1,3-diphenylpropanetrione-2
-(O-ethoxycarbonyl) oxime, N- (4-cyanophenyl) glycine, 1,7-bis (9-acridinyl) heptane and the like. These can be used alone or in combination of two or more.

【0024】光重合開始剤の使用量は、ポリイミド前駆
体の樹脂分に対して、0.01〜30重量%とすること
が好ましく、0.05〜10重量%とすることがより好
ましい。この使用量が、0.01重量%未満では、光感
度が劣る傾向があり、30重量%を超えると、フィルム
の機械特性等が劣る傾向がある。
The use amount of the photopolymerization initiator is preferably 0.01 to 30% by weight, more preferably 0.05 to 10% by weight, based on the resin content of the polyimide precursor. If the amount is less than 0.01% by weight, the light sensitivity tends to be poor, and if it exceeds 30% by weight, the mechanical properties of the film tend to be inferior.

【0025】また、本発明の感光性樹脂組成物には、必
要に応じて、アジド化合物を含有することができる。
The photosensitive resin composition of the present invention can contain an azide compound, if necessary.

【0026】アジド化合物として、例えば、As the azide compound, for example,

【化6】 Embedded image

【化7】 等が挙げられる。これらは単独で又は2種類以上を組み
合わせて使用することもできる。
Embedded image And the like. These can be used alone or in combination of two or more.

【0027】アジド化合物の使用量は、ポリイミド前駆
体の樹脂分に対して、0.01〜30重量%とすること
が好ましい。この使用量が、0.01重量%未満では、
光感度が劣る傾向があり、30重量%を超えると、フィ
ルムの機械特性等が劣る傾向がある。
The amount of the azide compound used is preferably 0.01 to 30% by weight based on the resin content of the polyimide precursor. If this amount is less than 0.01% by weight,
Photosensitivity tends to be inferior, and when it exceeds 30% by weight, mechanical properties of the film tend to be inferior.

【0028】また、本発明の感光性樹脂組成物には、保
存時の安定性を高めるために、ラジカル重合禁止剤又は
ラジカル重合抑制剤を含有することもできる。ラジカル
重合禁止剤又はラジカル重合抑制剤としては、例えば、
ヒドロキノン、ヒドロキノンモノメチルエーテル、ベン
ゾキノン、ジフェニル−p−ベンゾキノン、ピロガロー
ル、フェノチアジン、カテコール、レゾルシノール、オ
ルトジニトロベンゼン、パラジニトロベンゼン、メタジ
ニトロベンゼン、フェナントラキノン、N−フェニル−
1−ナフチルアミン、N−フェニル−2−ナフチルアミ
ン、クペロン、フェノチアジン、2,5−トルキノン、
タンニン酸、パラベンジルアミノフェノール、ニトロソ
アミン類等が挙げられる。これらは単独で又は2種類以
上を組み合わせて使用することができる。ラジカル重合
禁止剤又はラジカル重合抑制剤の使用量は、ポリイミド
前駆体の樹脂分に対して、0.01〜30重量%とする
ことが好ましい。この使用量が、0.01重量%未満で
は、保存安定性が劣る傾向があり、30重量%を超える
と、光感度及びフィルムの機械特性等が劣る傾向があ
る。
Further, the photosensitive resin composition of the present invention may contain a radical polymerization inhibitor or a radical polymerization inhibitor in order to enhance the stability during storage. As the radical polymerization inhibitor or the radical polymerization inhibitor, for example,
Hydroquinone, hydroquinone monomethyl ether, benzoquinone, diphenyl-p-benzoquinone, pyrogallol, phenothiazine, catechol, resorcinol, orthodinitrobenzene, paradinitrobenzene, metadinitrobenzene, phenanthraquinone, N-phenyl-
1-naphthylamine, N-phenyl-2-naphthylamine, cuperon, phenothiazine, 2,5-toluquinone,
Examples include tannic acid, parabenzylaminophenol, nitrosamines and the like. These can be used alone or in combination of two or more. The amount of the radical polymerization inhibitor or the radical polymerization inhibitor used is preferably 0.01 to 30% by weight based on the resin content of the polyimide precursor. If the amount is less than 0.01% by weight, the storage stability tends to be inferior, and if it exceeds 30% by weight, the photosensitivity and the mechanical properties of the film tend to be inferior.

【0029】本発明の感光性樹脂組成物は、その硬化性
を向上させるために、ブロックポリイソシアネート化合
物又はビスマレイミド化合物を添加することもできる。
The photosensitive resin composition of the present invention may contain a blocked polyisocyanate compound or a bismaleimide compound in order to improve the curability.

【0030】ブロックポリイソシアネート化合物として
は、トリレンジイソシアネート、ジフエニルメタンジイ
ソシアネート、ナフタレンジイソシアネート、キシリレ
ンジイソシアネート、ジフエニルスルホンジイソシアネ
ート、トリフエニルメタンジイソシアネート、へキサメ
チレンジイソシアネート、3−イソシアネートメチル−
3,5,5−トリメチルシクロヘキシルイソシアネー
ト、3−イソシアネートエチル−3,5,5一トリメチ
ルシクロヘキシルイソシアネート、3−イソシアネート
エチル−3,5,5−トリエチルシクロヘキシルイソシ
アネート、ジフエニルプロパンジイソシアネート、フエ
ニレンジイソシアネート、シクロヘキシリレンジイソシ
アネート、3,3′−ジイソシアネートジプロピルエー
テル、トリフェニルメタントリイソシアネート、ジフエ
ニルエーテル−4,4′−ジイソシアネート等のポリイ
ソシアネートをフェノール、キシレノール等のフェノー
ル類、オキシム類、イミド類、メルカプタン類、アルコ
ール類、ε−カプロラクタム、エチレンイミン、α−ピ
ロリドン、マロン酸ジエチル、亜硫酸水素ナトリウム、
ホウ酸などでブロック化したものなどが挙げられる。こ
れらは単独で又は2揮以上組み合わせて用いられる。市
販品としては、例えば、住友バイエルウレタン(株)製デ
スモジュール BL3175、APステーブル、AP−
12ステーブル、CTステーブル、BL1100、BL
1190、BL1265、AP−2170ステーブル、
BL4165、TPLS−2759、デスモカップ 1
1、12、クレラン UT、UI、U12、TPKL5
−2668、TPLS−2727、デスモサーム 21
70、2265、日立化成工業(株)製 WD 2502
等を使用することができる。これらは単独で又は2種類
以上を組み合わせて使用することができる。
Examples of the blocked polyisocyanate compound include tolylene diisocyanate, diphenyl methane diisocyanate, naphthalene diisocyanate, xylylene diisocyanate, diphenyl sulfone diisocyanate, triphenyl methane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, and 3-isocyanatomethyl-isocyanate.
3,5,5-trimethylcyclohexyl isocyanate, 3-isocyanatoethyl-3,5,5-trimethylcyclohexyl isocyanate, 3-isocyanatoethyl-3,5,5-triethylcyclohexyl isocyanate, diphenylpropane diisocyanate, phenylene diisocyanate, cyclohexyl Polyisocyanates such as silylene diisocyanate, 3,3'-diisocyanate dipropyl ether, triphenylmethane triisocyanate, diphenyl ether-4,4'-diisocyanate, and phenols such as phenol and xylenol, oximes, imides, and mercaptans , Alcohols, ε-caprolactam, ethyleneimine, α-pyrrolidone, diethyl malonate, sodium bisulfite,
Those blocked with boric acid or the like can be mentioned. These are used alone or in combination of two or more. As commercially available products, for example, Desmodur BL3175, AP Stable, AP-
12 stable, CT stable, BL1100, BL
1190, BL1265, AP-2170 stable,
BL4165, TPLS-2759, Desmo Cup 1
1, 12, Cleran UT, UI, U12, TPKL5
-2668, TPLS-2727, Desmosam 21
70, 2265, WD 2502 manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.
Etc. can be used. These can be used alone or in combination of two or more.

【0031】ブロックポリイソシアネート化合物の添加
方法としては、添加するブロックポリイソシアネート化
合物を予め感光性樹脂組成物に含まれる溶媒と同一の溶
媒び溶解してから添加することができ、直接感光性樹脂
組成物に添加することもできる。ブロックポリイソシア
ネート化合物は、(A)成分及び(B)成分の合計量1
00重量部に対して、0.1〜50重量部とすることが
好ましく、0.5〜40重量部とすることが特に好まし
い。ブロックポリイソシアネート化合物が少なすぎる
と、硬化性の向上が不十分になり、多すぎると組成物の
粘度安定性が劣る傾向がある。
As a method of adding the blocked polyisocyanate compound, the block polyisocyanate compound to be added can be dissolved in the same solvent as the solvent contained in the photosensitive resin composition in advance and then added. It can also be added to objects. The blocked polyisocyanate compound has a total amount of component (A) and component (B) of 1
The amount is preferably from 0.1 to 50 parts by weight, particularly preferably from 0.5 to 40 parts by weight, based on 00 parts by weight. If the amount of the blocked polyisocyanate compound is too small, the curability will be insufficiently improved, and if it is too large, the viscosity stability of the composition tends to be poor.

【0032】ビスマレイミド化合物としては、例えば、
4,4′−(又は3,4′−、−3,3′−、2,4′
−、2,2′−)ジアミノジフェニルエーテル)、4,
4′−(又は3,4′−、−3,3′−、2,4′−、
2,2′−)ジアミノジフェニルメタン、4,4′−
(又は3,4′−、−3,3′−、2,4′−、2,
2′−)ジアミノジフェニルスルホン、4,4′−(又
は3,4′−、−3,3′−、2,4′−、2,2′
−)ジアミノジフェニルスルフィド、パラフェニレンジ
アミン、メタフェニレンジアミン、p−キシリレンジア
ミン、mーキシリレンジアミン、o−トリジン、o−ト
リジンスルホン、4,4′−メチレン−ビス−(2,6
−ジエチルアニリン)、4,4′−メチレン−ビス−
(2,6−ジイソプロピルアニリン)、2,4−ジアミ
ノメシチレン、1,5−ジアミノナフタレン、4,4′
−ベンゾフェノンジアミン、ビス〔4−(4′−アミノ
フェノキシ)フェニル〕スルホン、1,1,1,3,
3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビス(4−アミノフ
ェニル)プロパン、2,2−ビス〔4−(4′−アミノ
フェノキシ)フェニル〕プロパン、3,3′−ジメチル
−4,4′−ジアミノジフェニルメタン、3,3′,
5,5′−テトラメチル−4,4′−ジアミノジフェニ
ルメタン、ビス〔4−(3′−アミノフェノキシ)フェ
ニル〕スルホン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)
プロパン、3,5−ジアミノ安息香酸等の芳香族ジアミ
ンのビスマレイミド化物を使用することができる。これ
らは単独で又は2種類以上を組み合わせて使用すること
ができる。
As the bismaleimide compound, for example,
4,4'- (or 3,4'-, -3,3'-, 2,4 '
-, 2,2'-) diaminodiphenyl ether), 4,
4 '-(or 3,4'-, -3,3'-, 2,4'-,
2,2 '-) diaminodiphenylmethane, 4,4'-
(Or 3,4'-, -3,3'-, 2,4'-, 2,
2 '-) diaminodiphenyl sulfone, 4,4'- (or 3,4'-, -3,3'-, 2,4'-, 2,2'
-) Diaminodiphenyl sulfide, paraphenylenediamine, metaphenylenediamine, p-xylylenediamine, m-xylylenediamine, o-tolidine, o-tolidinesulfone, 4,4'-methylene-bis- (2,6
-Diethylaniline), 4,4'-methylene-bis-
(2,6-diisopropylaniline), 2,4-diaminomesitylene, 1,5-diaminonaphthalene, 4,4 ′
-Benzophenonediamine, bis [4- (4'-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 1,1,1,3
3,3-hexafluoro-2,2-bis (4-aminophenyl) propane, 2,2-bis [4- (4'-aminophenoxy) phenyl] propane, 3,3'-dimethyl-4,4 ' -Diaminodiphenylmethane, 3,3 ',
5,5'-tetramethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, bis [4- (3'-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 2,2-bis (4-aminophenyl)
Bismaleimidated aromatic diamines such as propane and 3,5-diaminobenzoic acid can be used. These can be used alone or in combination of two or more.

【0033】ビスマレイミド化合物の添加方法として
は、添加するビスマレイミド化合物を予め感光性樹脂組
成物に含まれる溶媒と同一の溶媒び溶解してから添加す
ることができ、直接感光性樹脂組成物に添加することも
できる。ビスマレイミド化合物は、(A)成分及び
(B)成分の合計量100重量部に対して、0.1〜5
0重量部とすることが好ましく、0.5〜40重量部と
することが特に好ましい。ビスマレイミド化合物が少な
すぎると、硬化性の向上が不十分になりやすく、多すぎ
ると組成物の粘度安定性が劣る傾向がある。
The bismaleimide compound can be added by dissolving the bismaleimide compound in the same solvent as the solvent contained in the photosensitive resin composition in advance and then adding the bismaleimide compound directly to the photosensitive resin composition. It can also be added. The bismaleimide compound is used in an amount of 0.1 to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the total of the components (A) and (B).
It is preferably 0 parts by weight, particularly preferably 0.5 to 40 parts by weight. If the amount of the bismaleimide compound is too small, the curability is likely to be insufficiently improved. If the amount is too large, the viscosity stability of the composition tends to be poor.

【0034】ビスマレイミド化合物を添加する際は、そ
の硬化性を向上させるために重合開始剤として有機過酸
化物を添加することもできる。有機過酸化物としては、
例えば、1,1−ビス(t−ブチルパーオキシ)−3,
3,5−トリメチルイシクロヘキサン、1,1−ビス
(t−ブチルパーオキシ)シクロヘキサン、t−ブチル
パーオキシ−3,3,5−トリメチルヘキサノエート、
t−ブチルパーオキシイソプロピルカーボネート、2,
5−ジメチル−2,5−ジ(ベンゾイルパーオキシ)ヘ
キサン、t−ブチルパーオキシベンゾエート、ジクミル
パーオキサイド、2,5−ジメチル−2,5−ジ(t−
ブチルパーオキシ)ヘキサン、t−ブチルパーオキシ
(2−エチルヘキサノエート)、ジ−t−ブチルハイド
ロパーオキサイド、t−ブチルパーオクトエート、ベン
ゾイルパーオキサイド等を用いることができる。これら
は単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することが
できる。有機化酸化物は、ビスマレイミド化合物100
重量部に対して、0.001〜10重量部とすることが
好ましい。有機化酸化物が少なすぎると、硬化性の向上
が不十分になりやすく、多すぎると組成物の粘度安定性
が劣る傾向がある。
When a bismaleimide compound is added, an organic peroxide can be added as a polymerization initiator in order to improve the curability. As organic peroxides,
For example, 1,1-bis (t-butylperoxy) -3,
3,5-trimethylicyclohexane, 1,1-bis (t-butylperoxy) cyclohexane, t-butylperoxy-3,3,5-trimethylhexanoate,
t-butyl peroxyisopropyl carbonate, 2,
5-dimethyl-2,5-di (benzoylperoxy) hexane, t-butylperoxybenzoate, dicumyl peroxide, 2,5-dimethyl-2,5-di (t-
(Butylperoxy) hexane, t-butylperoxy (2-ethylhexanoate), di-t-butylhydroperoxide, t-butylperoctoate, benzoyl peroxide, and the like can be used. These can be used alone or in combination of two or more. The organic oxide is a bismaleimide compound 100
It is preferably 0.001 to 10 parts by weight based on parts by weight. If the amount of the organic oxide is too small, the curability is likely to be insufficiently improved. If the amount is too large, the viscosity stability of the composition tends to be poor.

【0035】本発明の感光性樹脂組成物は、塗布法、浸
漬法、スプレー法、スクリーン印刷法、回転塗布法によ
ってシリコンウェハー、金属基板、セラミック基板、銅
張積層板等の基板上に塗布され、溶剤の大部分を加熱乾
燥することによって粘着性のない塗膜とすることができ
る。この塗膜上に、所望のパターンが描かれたマスクを
通して活性光線又は化学線を照射後、未照射部を適当な
現像液で溶解除去することによって、ソルダーレジスト
を製造することができる。
The photosensitive resin composition of the present invention is applied onto a substrate such as a silicon wafer, a metal substrate, a ceramic substrate, or a copper-clad laminate by a coating method, a dipping method, a spray method, a screen printing method, or a spin coating method. By heating and drying most of the solvent, a coating film having no tackiness can be obtained. After irradiating the coating film with actinic rays or actinic rays through a mask on which a desired pattern is drawn, the unirradiated portion is dissolved and removed with an appropriate developer to produce a solder resist.

【0036】本発明の感光性樹脂組成物に照射する活性
光線又は化学線としては、例えば、超高圧水銀灯を用い
るコンタクト/プロキシミテイ露光機、ミラープロジェ
クション露光機、i−線ステッパ、g−線ステッパ、そ
の他の紫外線、可視光線、X線、電子線等を使用するこ
とができる。
As the actinic ray or actinic ray for irradiating the photosensitive resin composition of the present invention, for example, a contact / proximity exposure machine using a super-high pressure mercury lamp, a mirror projection exposure machine, an i-line stepper, a g-line stepper And other ultraviolet rays, visible rays, X-rays, and electron beams.

【0037】現像液に用いられる界面活性剤又は有機溶
剤は、水と良く混合して均一な現像液となるものでも良
く、また、水とほとんど混合せず不均一な現像液となる
ものでも良い。このような界面活性剤又は有機溶剤とし
ては、例えば、ブチルカルビトール、N,N−ジメチル
アセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、メチル
セロソルブ、エチルセロソルブ、3−メチル−3−メト
キシブチルアセテート、ヘプタン酸ジエタノールアミ
ド、ポリオキシエチレン−p−クミルフェニルエーテル
等を用いることができ、特にポリオキシエチレン−p−
クミルフェニルエーテルが好ましい。界面活性剤又は有
機溶剤は、現像液中に0.1〜50重量%含有されるこ
とが好ましい。
The surfactant or the organic solvent used in the developer may be a well-mixed one with water to form a uniform developer, or a surfactant which is hardly mixed with water and becomes a non-uniform developer. . Examples of such a surfactant or organic solvent include butyl carbitol, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, heptanoic acid Diethanolamide, polyoxyethylene-p-cumylphenyl ether and the like can be used.
Cumyl phenyl ether is preferred. The surfactant or the organic solvent is preferably contained in the developer in an amount of 0.1 to 50% by weight.

【0038】また、現像液に用いるアルカリ成分として
は、炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、四ホウ酸ナト
リウム等が、0.01〜30重量%の範囲で用いること
ができる。
As the alkali component used in the developer, sodium carbonate, sodium hydroxide, sodium tetraborate and the like can be used in the range of 0.01 to 30% by weight.

【0039】また、現像に用いる際の現像液の温度は、
感光層の現像性によって調節される。また、この現像液
中には、他の界面活性剤、消泡剤等を混入させても良
い。
The temperature of the developing solution used for development is
It is controlled by the developability of the photosensitive layer. Further, other surfactants, antifoaming agents and the like may be mixed in the developer.

【0040】現像後は、必要に応じて、水又は貧溶媒で
リンスを行ない、室温以上で100℃前後以下の温度で
乾燥し、パターンを安定なものとすることが好ましい。
更に、現像後、耐湿熱性、はんだ耐熱性、耐薬品性等を
向上させる目的で、高圧水銀灯による紫外線照射や、加
熱を行なうこともできる。紫外線照射時の紫外線照射量
は、0.2〜10J/cm2とすることが好ましく、照射の
際の温度は、60〜150℃とすることが好ましい。加
熱温度は、150〜250℃とすることが好ましく、加
熱時間は、15〜120分とすることが好ましい。これ
ら紫外線照射と加熱は、どちらが先でも良いが、紫外線
照射を先に、加熱をその後に行うことがより好ましい。
After development, it is preferable to rinse with water or a poor solvent, if necessary, and to dry the pattern at a temperature of room temperature or higher and about 100 ° C. or lower to stabilize the pattern.
Further, after the development, ultraviolet irradiation by a high-pressure mercury lamp or heating may be performed for the purpose of improving wet heat resistance, solder heat resistance, chemical resistance, and the like. It is preferable that the amount of ultraviolet irradiation at the time of ultraviolet irradiation is 0.2 to 10 J / cm 2, and the temperature at the time of irradiation is 60 to 150 ° C. The heating temperature is preferably from 150 to 250 ° C., and the heating time is preferably from 15 to 120 minutes. Either of the ultraviolet irradiation and the heating may be performed first, but it is more preferable that the ultraviolet irradiation is performed first and the heating is performed thereafter.

【0041】また、このレリーフパターンを、加熱する
ことによってパターン化された高耐熱性ポリイミドを形
成することができる。この時の加熱温度は、80〜45
0℃とすることが好ましく、80℃〜250℃とするこ
とがより好ましい。この加熱温度が、80℃未満及び4
50℃を超えると、ポリイミド膜の機械特性及び熱特性
が低下する傾向がある。また、この時の加熱時間は、
0.05〜10時間とすることが好ましい。この加熱時
間が、0.05時間未満及び10時間を超えると、ポリ
イミド膜の機械特性及び熱特性が低下する傾向がある。
このようにして本発明の感光性樹脂組成物は、各種保護
膜、絶縁膜等に使用することができる。
By heating this relief pattern, a patterned high heat-resistant polyimide can be formed. The heating temperature at this time is 80 to 45
The temperature is preferably set to 0 ° C, more preferably from 80 ° C to 250 ° C. When the heating temperature is less than 80 ° C. and 4
If it exceeds 50 ° C., the mechanical properties and thermal properties of the polyimide film tend to decrease. The heating time at this time is
It is preferable to set it to 0.05 to 10 hours. If the heating time is less than 0.05 hours or more than 10 hours, the mechanical properties and thermal properties of the polyimide film tend to decrease.
Thus, the photosensitive resin composition of the present invention can be used for various protective films, insulating films, and the like.

【0042】[0042]

【作用】本発明おける感光性樹脂組成物には、ジヒドロ
ベンゾオキサジン環含有化合物が含有されるので、ま
た、従って、その光硬化物にもジヒドロベンゾオキサジ
ン環含有化合物が含まれる。その化合物は加熱される
と、ジヒドロベンゾオキサジン環が解裂し、水酸基とア
ミノ基が生成して、ヒンダードフェノール化合物にな
り、酸化防止剤として機能する。これにより、上記の光
硬化物が金属銅(例えば、回路板の配線部等の銅)に接
触する場合、加熱等により溶け出す銅イオンの酸化が防
止され、光硬化物と銅の界面での酸化銅の生成が抑制さ
れ、密着性が保たれる。
Since the photosensitive resin composition of the present invention contains a compound containing a dihydrobenzoxazine ring, the photocured product thereof also contains a compound containing a dihydrobenzoxazine ring. When the compound is heated, the dihydrobenzoxazine ring is cleaved, and a hydroxyl group and an amino group are formed to become a hindered phenol compound, which functions as an antioxidant. Thereby, when the above-mentioned photocured material comes into contact with metallic copper (for example, copper in a wiring portion of a circuit board, etc.), oxidation of copper ions dissolved by heating or the like is prevented, and an interface between the photocured product and copper is prevented. The generation of copper oxide is suppressed, and the adhesion is maintained.

【0043】[0043]

【実施例】以下、本発明を実施例により詳細に説明す
る。 合成例1(ポリイミド前駆体溶液の合成) 撹拌機、温度計、窒素導入管及び冷却水を備えた100
mlフラスコに、(B)成分としての2,2′−ビス(4
−(4−アミノフェノキシ)フェニル)プロパン8.2
11g(0.02モル)及びγ−ブチロラクトン44.
739gを仕込んだ後、4,4′−ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸二無水物6.702g(0.0208モ
ル)を少量ずつ添加した。添加後、45℃で約5時間反
応を続けた後、室温に冷却して、不揮発分25重量%の
ポリイミド前駆体溶液(PI−1)を得た.得られたポ
リイミド前駆体溶液の重量平均分子量は84,000で
あった。なお、重量平均分子量は、ゲル浸透クロマトグ
ラフィー法(GPC、装置は(株)日立製作所製)を用い
て、標準ポリスチレン換算により求めた。また、得られ
たポリイミド前駆体を乾燥させたものを、KBr法によ
り、赤外吸収スペクトル(日本電子(株)製、JIR−1
00型)を測定したところ、いずれも、1600cm-1
近にアミド基のC=O吸収と、3300cm-1付近にN−
Hの吸収が確認された。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below in detail with reference to embodiments. Synthesis Example 1 (Synthesis of Polyimide Precursor Solution) 100 equipped with a stirrer, thermometer, nitrogen inlet tube and cooling water
In a ml flask, 2,2'-bis (4
-(4-Aminophenoxy) phenyl) propane 8.2
11 g (0.02 mol) and γ-butyrolactone
After charging 739 g, 6.702 g (0.0208 mol) of 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride was added little by little. After the addition, the reaction was continued at 45 ° C. for about 5 hours, and then cooled to room temperature to obtain a polyimide precursor solution (PI-1) having a nonvolatile content of 25% by weight. The weight average molecular weight of the obtained polyimide precursor solution was 84,000. The weight average molecular weight was determined by gel permeation chromatography (GPC, apparatus manufactured by Hitachi, Ltd.) in terms of standard polystyrene. The dried polyimide precursor was subjected to an infrared absorption spectrum (manufactured by JEOL Ltd., JIR-1) by the KBr method.
00-inch) was measured, both, the C = O absorption of the amide group near 1600 cm -1, around 3300 cm -1 N-
H absorption was confirmed.

【0044】合成例2(光重合性不飽和化合物の合成) 撹拌機、温度計、窒素導入管、滴下ロート及び冷却管を
備えた1リットルフラスコに、トリメチルヘキサメチレ
ンジイソシアネート210g(1.00モル)及びトル
エン137.3gを仕込んだ後、70℃に昇温し、70
〜75℃保ちながら、シクロヘキサンジメタノール72
g(0.50モル)及び2−ヒドロキシエチルメタクリ
レート130g(1.00モル)を少量ずつ滴下した。
滴下後、70℃で約5時間反応を続けた後、室温に冷却
して光重合性不飽和化合物(M−1)を得た。
Synthesis Example 2 (Synthesis of Photopolymerizable Unsaturated Compound) 210 g (1.00 mol) of trimethylhexamethylene diisocyanate was placed in a 1-liter flask equipped with a stirrer, thermometer, nitrogen inlet tube, dropping funnel and cooling tube. And 137.3 g of toluene, and then heated to 70 ° C.
Cyclohexane dimethanol 72
g (0.50 mol) and 130 g (1.00 mol) of 2-hydroxyethyl methacrylate were added dropwise little by little.
After the dropwise addition, the reaction was continued at 70 ° C. for about 5 hours, and then cooled to room temperature to obtain a photopolymerizable unsaturated compound (M-1).

【0045】合成例3(ジヒドロベンゾオキサジン環含
有化合物の合成) 〈フェノールノボラック樹脂の合成〉フェノール190
g、ホルマリン(37%水溶液)100g及びしゅう酸
0.4gを5リットルフラスコに仕込み、還流温度で
約6時間反応させた。引続き、内部を6.66×103P
a以下に減圧してから未反応のフェノール及び縮合水を
除去した。得られた樹脂は、軟化点84℃(環球法)、
3〜多核体/2核体比:82/18(GPCによるピー
ク面積比)であった。
Synthesis Example 3 (Synthesis of Compound Containing Dihydrobenzoxazine Ring) <Synthesis of Phenol Novolak Resin> Phenol 190
g, formalin (37% aqueous solution) 100 g and oxalic acid 0.4 g were charged into a 5-liter flask and reacted at a reflux temperature for about 6 hours. 6.66 × 10 3 P inside
After reducing the pressure to below a, unreacted phenol and condensed water were removed. The obtained resin has a softening point of 84 ° C (ring and ball method),
The ratio was 3 to polynuclear / binuclear: 82/18 (peak area ratio by GPC).

【0046】〈ジヒドロベンゾオキサジン環の導入)上
記により合成したフェノールノボラック樹脂170g
(水酸基1.6モル相当)をアニリン140g(1.6
モル)と混合し、80℃で5時間撹拌して均一な混合溶
液を調製した。別に、500mlフラスコ中に、ホルマリ
ン259gを仕込み、90℃まで加熱した後、ここへ前
記で調製したフェノールノボラックとアニリンの混合溶
液を30分間かけて少しずつ添加した。添加終了後、3
0分間還流温度に保ち、然る後に100℃で2時間6.
66×103Pa以下に減圧して縮合水を除去し、反応し
得る水酸基の全てにジヒドロベンゾオキサジン環が導入
された化合物(R−1)を合成した。過剰のアニリンや
ホルマリンは乾燥中に除かれ、この化合物の終了は、3
34gであった。これは、フェノールノボラック樹脂の
水酸基のうち1.4モルが反応し、ジヒドロベンゾオキ
サジン環化したことを示している。
<Introduction of Dihydrobenzoxazine Ring> 170 g of phenol novolak resin synthesized as described above
(Corresponding to 1.6 moles of hydroxyl groups) to 140 g of aniline (1.6
Mol.) And stirred at 80 ° C for 5 hours to prepare a uniform mixed solution. Separately, 259 g of formalin was charged into a 500 ml flask, heated to 90 ° C., and the mixed solution of phenol novolak and aniline prepared above was added little by little over 30 minutes. After completion of addition, 3
5. Keep at reflux temperature for 0 minutes, then at 100 ° C. for 2 hours
The condensation water was removed by reducing the pressure to 66 × 10 3 Pa or less, and a compound (R-1) in which a dihydrobenzoxazine ring was introduced into all of the reactive hydroxyl groups was synthesized. Excess aniline and formalin are removed during drying and the end of the compound is 3
34 g. This indicates that 1.4 moles of the hydroxyl groups of the phenol novolak resin reacted and were cyclized with dihydrobenzoxazine.

【0047】合成例4(ジヒドロベンゾオキサジン環含
有化合物の合成) 撹拌機、温度計、窒素導入管、滴下ロート及び冷却管を
備えた1リットルフラスコに、ビスフェノールF 20
0g、メチルエチルケトン230gを仕込み、溶解後、
ホルマリン143gを加えて撹拌した。次いで、溶液を
60℃に加熱し、アニリン82gを45分間かけて少量
づつ滴下した。滴下終了後、7時間還流下反応を続け
た。この後、100℃で1時間6.66×103Pa以下
の減圧度で濃縮を行い、所望のジヒドロベンゾオキサジ
ン環が導入された化合物(R−2)300gを得た。
Synthesis Example 4 (Synthesis of Dihydrobenzoxazine Ring-Containing Compound) Bisphenol F20 was placed in a 1-liter flask equipped with a stirrer, thermometer, nitrogen inlet tube, dropping funnel and cooling tube.
0 g and 230 g of methyl ethyl ketone were charged and dissolved.
143 g of formalin was added and stirred. Next, the solution was heated to 60 ° C., and 82 g of aniline was added dropwise in small portions over 45 minutes. After completion of the dropwise addition, the reaction was continued under reflux for 7 hours. Thereafter, the mixture was concentrated at 100 ° C. for 1 hour at a reduced pressure of 6.66 × 10 3 Pa or less to obtain 300 g of a compound (R-2) into which a desired dihydrobenzoxazine ring was introduced.

【0048】実施例1〜7、比較例1 撹拌機、冷却管及び温度計を備えたフラスコに、合成例
1〜4で得られたポリイミド前駆体溶液(PI−1)、
光重合性不飽和化合物(M−1)、ジヒドロベンゾオキ
サジン環含有化合物(R−1、R−2)、光開始剤であ
るベンジルジメチルケタール(チバガイギー社製 I−
651)及びビクトリアピュアブルー(染料)を表1に
示す重量比で配合し、撹拌混合した後、フィルター濾過
し、均一な感光性樹脂組成物溶液(PPI−1〜PPI
−7)を得た。
Examples 1 to 7, Comparative Example 1 The polyimide precursor solution (PI-1) obtained in Synthesis Examples 1 to 4 was placed in a flask equipped with a stirrer, cooling tube and thermometer.
Photopolymerizable unsaturated compound (M-1), dihydrobenzoxazine ring-containing compounds (R-1, R-2), benzyldimethyl ketal as a photoinitiator (I-
651) and Victoria Pure Blue (dye) were blended in the weight ratio shown in Table 1, stirred and mixed, filtered through a filter, and mixed with a uniform photosensitive resin composition solution (PPI-1 to PPI-1).
-7) was obtained.

【0049】[0049]

【表1】 [Table 1]

【0050】銅箔18μmの銅張積層板(日立化成工業
(株)製、MCL E−679)を、住友スリーエム社製
スコッチブライトで研磨した後水洗し、80℃で15分
管乾燥した。この試験基板に、アプリケータを用いて上
記感光性樹脂組成物溶液(PPI−1〜PPI−4)を
均一に塗布した。次いで、ホットプレートを用いて、9
0℃で480秒間加熱し、約20μmの塗膜を形成し
た。
A copper-clad laminate of 18 μm copper foil (Hitachi Chemical Industries, Ltd.)
MCL E-679) manufactured by Sumitomo 3M Limited was polished with Scotch Bright, washed with water, and dried at 80 ° C. for 15 minutes. The photosensitive resin composition solution (PPI-1 to PPI-4) was uniformly applied to the test substrate using an applicator. Then, using a hot plate, 9
Heating was performed at 0 ° C. for 480 seconds to form a coating film of about 20 μm.

【0051】このようにして得られた感光性樹脂組成物
の層を形成した試験基板について、現像性、保存安定
性、はんだ耐熱性及び耐PCT性を以下の方法で評価し
た。評価結果を表2及び表3に示す。 (1)現像性 上記で得られた感光性樹脂組成物の層を形成した試験基
板を、ヘプタン酸ジエタノールアミド 5重量%、炭酸
ナトリウム 0.5重量%を含有するアルカリ水溶液を
用いて、45℃で60秒間スプレー現像した。現像性
は、30倍に拡大して残存する樹脂を目視で評価した。
評価の基準は以下の通りである。 ○:現像性の良好なもの(基板表面上に樹脂が全く残ら
ないもの) ×:現像性の不良なもの(基板表面上に樹脂が少し残る
もの) (2)保存安定性 上記で得られた感光性樹脂組成物を室温(23℃)で1
週間保存した後、(1)と同じ方法で試験基板を作製
し、現像性を評価した。評価の基準は以下の通りであ
る。 ○:保存安定性の良好なもの(基板表面上に樹脂が全く
残らないもの) ×:保存安定性の不良なもの(基板表面上に樹脂が少し
でも残るもの)
The test substrate on which the layer of the photosensitive resin composition thus obtained was formed was evaluated for developability, storage stability, solder heat resistance and PCT resistance by the following methods. The evaluation results are shown in Tables 2 and 3. (1) Developability The test substrate on which the layer of the photosensitive resin composition obtained above was formed was subjected to 45 ° C. using an alkaline aqueous solution containing 5% by weight of heptanoic acid diethanolamide and 0.5% by weight of sodium carbonate. For 60 seconds. The developability was evaluated by visual observation of the resin remaining after being magnified 30 times.
The evaluation criteria are as follows. :: good developability (no resin left on substrate surface) ×: poor developability (residual resin left on substrate surface) (2) Storage stability Obtained above The photosensitive resin composition is heated at room temperature (23 ° C.) to 1
After storing for a week, a test substrate was prepared in the same manner as in (1), and the developability was evaluated. The evaluation criteria are as follows. :: Good storage stability (no resin left on the substrate surface) ×: Poor storage stability (a little resin left on the substrate surface)

【0052】(3)はんだ耐熱性 前述の銅厚18μmの銅張積層板(日立化成工業(株)
製、MCL E−679)を、住友スリーエム社製スコ
ッチブライトで研磨した後水洗し、80℃で15分間乾
燥した。この試験基板に、アプリケーターを用いて上記
感光性樹脂組成物(PPI−1〜PPI−4)を均一に
塗布した。次いで、ホットプレートを用いて、90℃で
480秒間加熱し、約20μmの塗膜を形成した。次
に、ネガマスクを感光性樹脂組成物の層の上から密着さ
せ、オーク製作所製、HMW−680型露光機を使用
し、500mJ/cm2の露光量で露光した。次いで、ネガマ
スクを剥離した後、現像液にポリオキシエチレン−p−
クミルフェニルエーテル 2重量%、炭酸ナトリウム
0.5重量%を含有するアルカリ水溶液を用いて、45
℃で60秒間スプレー現像した。現像後、80℃で10
分間加熱乾燥し、東芝電材社製紫外線照射装置を用いて
3J/cm2の量で紫外線を再照射し、その後、さらに乾燥
機中200℃で60分間加熱した(空気雰囲気中)。こ
のようにして得られた試験基板表面に、ロジン系フラッ
クスA−226(タムラ化研社製)を塗布し、260℃
のはんだ浴に180秒間浸漬し、その後、25℃のトリ
クレンに20秒間浸漬してフラックスを除去した。この
ような操作を行った後、感光性樹脂組成物層の外観を評
価した。評価基準は次のとおりである。 ○:はんだ耐熱性が良好なもの(感光性樹脂組成物層に
クラックや浮き、ハガレの発生が全く無いもの) ×:はんだ耐熱性が不良なもの(感光性樹脂組成物層に
クラックや浮き、ハガレの発生するもの)
(3) Solder heat resistance The above-mentioned copper-clad laminate having a copper thickness of 18 μm (Hitachi Chemical Industries, Ltd.)
MCL E-679) was polished with Scotch Bright manufactured by Sumitomo 3M Limited, washed with water, and dried at 80 ° C. for 15 minutes. The photosensitive resin compositions (PPI-1 to PPI-4) were uniformly applied to the test substrate using an applicator. Then, the mixture was heated at 90 ° C. for 480 seconds using a hot plate to form a coating film of about 20 μm. Next, a negative mask was brought into close contact with the photosensitive resin composition layer, and exposed with an exposure amount of 500 mJ / cm 2 using an HMW-680 type exposure machine manufactured by Oak Manufacturing Co., Ltd. Next, after the negative mask was peeled off, polyoxyethylene-p-
Cumyl phenyl ether 2% by weight, sodium carbonate
Using an aqueous alkali solution containing 0.5% by weight,
Spray developed at 60 ° C for 60 seconds. After development, 10
Then, the film was heated and dried again for 3 minutes and irradiated with ultraviolet rays at a dose of 3 J / cm 2 using an ultraviolet irradiation device manufactured by Toshiba Electric Materials Co., Ltd., and then further heated in a dryer at 200 ° C. for 60 minutes (in an air atmosphere). A rosin-based flux A-226 (manufactured by Tamura Kaken) is applied to the surface of the test substrate thus obtained,
Was immersed in a solder bath for 180 seconds, and then immersed in trichlene at 25 ° C. for 20 seconds to remove the flux. After performing such an operation, the appearance of the photosensitive resin composition layer was evaluated. The evaluation criteria are as follows. :: good solder heat resistance (no cracks or floating in the photosensitive resin composition layer, no peeling) ×: poor solder heat resistance (cracks or floating in the photosensitive resin composition layer, What causes peeling)

【0053】(4)耐PCT性 前述の銅厚18μmの銅張積層板(日立化成工業(株)
製、MCL E−679)を住友スリーエム社製スコッ
チブライトで研磨した後水洗し、80℃で15分間乾燥
した。この試験基板に、アプリケーターを用いて上記感
光性樹脂組成物溶液(PPI−1〜PPI−9)を均一
に塗布した。次いで、ホットプレートを用いて、90℃
で480秒間加熱し、約20μmの塗膜を形成した。次
に、オーク製作所製、HMW−680型露光機を使用
し、500mJ/cm2の露光量で露光した後、東芝電材社製
紫外線照射装置を用いて3J/cm2の量で再照射した。そ
の後、さらに乾燥機中所定温度で60分間加熱した(空
気雰囲気中)。このようにして得られた試験基板を、平
山製作所製PCT試験装置を用いて、121℃,2.0
13×105Paの条件で300時間までPCT処理を行
い、以下に示す方法で耐PCT性を評価した。耐PCT
性は、所定時間PCT処理した後の密着性を碁盤目試験
で評価した。なお、碁盤目試験は、カッタナイフで1mm
で100個のます目ができるように碁盤目状に傷をつ
け、これをJIS規格(JIS K5400)に準じて
セロテープで剥離し、100個のます目に対して、残存
したます目の個数で表す方法である。
(4) PCT Resistance The above-mentioned copper-clad laminate having a copper thickness of 18 μm (Hitachi Chemical Industry Co., Ltd.)
MCL E-679) was polished with Scotch Bright manufactured by Sumitomo 3M Limited, washed with water, and dried at 80 ° C. for 15 minutes. The photosensitive resin composition solution (PPI-1 to PPI-9) was uniformly applied to the test substrate using an applicator. Then, using a hot plate, 90 ° C
For 480 seconds to form a coating film of about 20 μm. Next, exposure was performed at an exposure of 500 mJ / cm 2 using an HMW-680 type exposure machine manufactured by Oak Manufacturing Co., Ltd., and then re-irradiated at an amount of 3 J / cm 2 using an ultraviolet irradiation apparatus manufactured by Toshiba Electric Materials Co., Ltd. Then, it was further heated in a dryer at a predetermined temperature for 60 minutes (in an air atmosphere). The test substrate thus obtained was subjected to a test at 121 ° C. and 2.0 ° C. using a PCT tester manufactured by Hirayama Seisakusho.
PCT treatment was performed for up to 300 hours under the condition of 13 × 10 5 Pa, and the PCT resistance was evaluated by the following method. PCT resistance
The adhesiveness was evaluated by a cross-cut test after the PCT treatment for a predetermined time. In addition, the cross cut test is 1 mm with a cutter knife.
Scratch in the shape of a grid so that 100 squares are formed, and peel off this with cellophane tape in accordance with JIS standard (JIS K5400). It is a way to represent.

【0054】[0054]

【表2】 [Table 2]

【0055】[0055]

【表3】 [Table 3]

【0056】[0056]

【発明の効果】請求項1記載の感光性樹脂組成物は、耐
熱性、密着性及び耐湿性(耐PCT性)に優れ、各種保
護膜、絶縁膜等、特にソルダーレジストに好適である。
請求項2記載の感光性樹脂組成物は、請求項1記載の効
果を奏し、さらに耐湿性に優れる。請求項3記載の感光
性樹脂組成物は、低温硬化性、耐熱性、密着性及び耐湿
性(耐PCT性)に優れる。請求項4記載の感光性樹脂
組成物は、請求項3記載の効果を奏し、さらに低温硬化
性に優れる。請求項5記載の感光性樹脂組成物は、請求
項3記載の効果を奏し、さらに耐湿性(耐PCT性)に
優れる。請求項6記載のソルダーレジストの製造法は、
作業性及び感光特性に優れる。請求項7記載のソルダー
レジストの製造法は、請求項6記載の効果を奏し、さら
に、耐熱性、密着性、耐湿性(耐PCT性)及び電気特
性等のソルダーレジストに必要な諸特性に優れる。
The photosensitive resin composition according to the first aspect is excellent in heat resistance, adhesion and moisture resistance (PCT resistance), and is suitable for various protective films, insulating films and the like, especially for solder resists.
The photosensitive resin composition according to the second aspect has the effects described in the first aspect, and is further excellent in moisture resistance. The photosensitive resin composition according to the third aspect is excellent in low-temperature curability, heat resistance, adhesion, and moisture resistance (PCT resistance). The photosensitive resin composition according to the fourth aspect has the effects described in the third aspect, and is further excellent in low-temperature curability. The photosensitive resin composition according to the fifth aspect has the effects described in the third aspect, and is further excellent in moisture resistance (PCT resistance). The method for producing a solder resist according to claim 6,
Excellent workability and photosensitive characteristics. The method for producing a solder resist according to the seventh aspect has the effects described in the sixth aspect, and is further excellent in various properties required for the solder resist, such as heat resistance, adhesion, moisture resistance (PCT resistance), and electrical properties. .

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI G03F 7/004 501 G03F 7/004 501 7/30 7/30 H05K 3/28 H05K 3/28 D (72)発明者 西澤 ▲廣▼ 茨城県日立市東町四丁目13番1号 日立化 成工業株式会社茨城研究所内 (72)発明者 相沢 輝樹 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館工場内 (72)発明者 沼田 俊一 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館工場内──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification symbol FI G03F 7/004 501 G03F 7/004 501 7/30 7/30 H05K 3/28 H05K 3/28 D (72) Inventor Nishizawa ▲ Hiro ▼ 4-3-1, Higashi-cho, Hitachi City, Ibaraki Prefecture Hitachi Chemical Co., Ltd.Ibaraki Research Laboratories (72) Inventor Teruki Aizawa 1500 Oji Ogawa, Shimodate City, Ibaraki Prefecture Hitachi Chemical Industry Co., Ltd. Shimodate Plant (72) Inventor Shunichi Numata 1500 Ogawa, Shimodate, Ibaraki Pref.Hitachi Chemical Industry Co., Ltd.

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (A)テトラカルボン酸二無水物又はそ
の誘導体とジアミン化合物とを反応させて得られるポリ
イミド又はその前駆体、(B)末端にエチレン性不飽和
基を少なくとも1個有する光重合性不飽和化合物、
(C)ジヒドロベンゾオキサジン環含有化合物及び
(D)活性光の照射により遊離ラジカルを生成する光重
合開始剤を含有してなる感光性樹脂組成物。
1. A polyimide or a precursor thereof obtained by reacting (A) a tetracarboxylic dianhydride or a derivative thereof with a diamine compound, and (B) a photopolymerization having at least one ethylenically unsaturated group at a terminal. Unsaturated compounds,
A photosensitive resin composition comprising (C) a dihydrobenzoxazine ring-containing compound and (D) a photopolymerization initiator that generates free radicals upon irradiation with actinic light.
【請求項2】 (A)成分のポリイミド又はその前駆体
を(A)成分及び(B)成分の総量100重量部に対し
て20〜95重量部、(B)成分の光重合性不飽和化合
物を(A)成分及び(B)成分の総量100重量部に対
して5〜80重量部、(C)成分のジヒドロベンゾオキ
サジン環含有化合物を(A)成分及び(B)成分の総量
100重量部に対して0.05〜40重量部、(D)成
分の光重合開始剤を(A)成分及び(B)成分の総量1
00重量部に対して0.01〜20重量部含有する請求
項1記載の感光性樹脂組成物。
2. The polyimide of the component (A) or its precursor is 20 to 95 parts by weight based on 100 parts by weight of the total of the components (A) and (B), and the photopolymerizable unsaturated compound of the component (B) 5 to 80 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the total of the components (A) and (B), and the dihydrobenzoxazine ring-containing compound of the component (C) as 100 parts by weight in total of the components (A) and (B) The photopolymerization initiator of the component (D) is used in an amount of 0.05 to 40 parts by weight based on the total amount of the component (A) and the component (B).
The photosensitive resin composition according to claim 1, which is contained in an amount of 0.01 to 20 parts by weight based on 00 parts by weight.
【請求項3】 さらに、非含窒素系溶媒を含む請求項1
又は2記載の感光性樹脂組成物。
3. The method according to claim 1, further comprising a non-nitrogen-containing solvent.
Or the photosensitive resin composition according to 2.
【請求項4】 非含窒素系溶媒が、ラクトン類、脂環式
ケトン類又はエーテル類である請求項3記載の感光性樹
脂組成物。
4. The photosensitive resin composition according to claim 3, wherein the non-nitrogen-containing solvent is a lactone, an alicyclic ketone or an ether.
【請求項5】 (C)成分のジヒドロベンゾオキサジン
環含有化合物が、対応するフェノール性水酸基を有する
化合物、ホルムアルデヒド及び1級アミンを反応させて
えられるものである請求項1、2、3又は4記載の感光
性樹脂組成物。
5. The dihydrobenzoxazine ring-containing compound as the component (C) is obtained by reacting a corresponding compound having a phenolic hydroxyl group, formaldehyde and a primary amine. The photosensitive resin composition as described in the above.
【請求項6】 請求項1〜5のいずれかに記載の感光性
樹脂組成物の溶液を基板上に塗布し、乾燥後、像的に露
光し、次いで界面活性剤又は有機溶剤を0.1〜50重
量%及び無機アルカリ性化合物を0.01〜30重量%
含有するアルカリ性水溶液を現像液に用いて、現像を行
うことを特徴とするソルダーレジストを有する基板の製
造法。
6. A solution of the photosensitive resin composition according to claim 1, which is applied on a substrate, dried, exposed imagewise, and then added with a surfactant or an organic solvent in an amount of 0.1%. -50% by weight and 0.01-30% by weight of inorganic alkaline compound
A method for producing a substrate having a solder resist, wherein development is performed using an alkaline aqueous solution contained in the developer.
【請求項7】 現像後に活性光を照射する工程と後加熱
する工程を含む請求項6記載のソルダーレジストを有す
る基板の製造法。
7. The method for producing a substrate having a solder resist according to claim 6, which comprises a step of irradiating active light after development and a step of post-heating.
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