JPH11282161A - 電子線レジスト材料の製造方法及びレジストパターンの形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レジスト現像時の膨潤の発生を抑制し、解像
度を高めることができるレジスト材料の製造方法を提供
する。 【解決手段】 電子線に感光するネガ型感光性高分子材
料を有機溶剤中に分散させ、放置して、該感光性高分子
材料の一部を沈殿させる。沈殿させる工程で得られた上
澄み液または沈殿成分から、電子線レジスト材料を得
る。上澄み液には、比較的低分子量の成分が溶解してい
る。沈殿成分には、比較的高分子量の成分が含まれてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子線レジスト材
料の製造方法及びそれを用いたレジストパターンの形成
方法に関し、特に解像度を高めることが可能な電子線レ
ジスト材料の製造方法及びそれを用いたレジストパター
ンの形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路装置の高集積化に伴い、
リソグラフィ時のパターンの微細化に加え、高精度化が
要求されている。フォトリソグラフィの原図として使用
されるフォトマスクの製造においても、高精度のパター
ン形成技術が要求される。

【０００３】クロロメチル化ポリスチレンをベースとし
た電子線重合型レジスト材料が、フォトマスクの製造に
広く使用されている。電子線重合型レジスト材料は、化
学増幅型レジストのような露光後のベーキング工程を必
要としないため、高精度のパターンを再現性よく形成す
ることができる。さらに、強い電子吸引性の官能器を持
っているため、高い感度を有する。

【０００４】このレジスト材料は、有機溶剤で現像する
ことができるネガ型レジスト材料である。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】クロロメチル化ポリス
チレンをベースとしたレジスト材料に電子線を照射する
と、樹脂が相互に結合してゲル状態になり、現像液に溶
けださなくなる。このレジスト膜に選択的に電子線を照
射することにより、現像液に溶ける部分と溶けない部分
とを画定することができる。ただし、ゲル化した樹脂の
内部に現像液がしみ込むことは避けられないので、現像
中にレジスト材料が膨潤を起こし、高い解像度を得るこ
とが困難である。

【０００６】本発明の目的は、レジスト現像時の膨潤の
発生を抑制し、解像度を高めることができるレジスト材
料の製造方法を提供することである。

【０００７】本発明の他の目的は、このレジスト材料の
製造方法により製造したレジスト材料を用いてレジスト
パターンを形成する方法を提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の一観点による
と、電子線に感光するネガ型感光性高分子材料を有機溶
剤中に分散させ、放置して、該感光性高分子材料の一部
を沈殿させる工程と、前記沈殿させる工程で得られた上
澄み液から、電子線レジスト材料を得る工程とを有する
電子線レジスト材料の製造方法が提供される。

【０００９】本発明の他の観点によると、電子線に感光
するネガ型感光性高分子材料を有機溶剤中に分散させ、
放置して、該感光性高分子材料の一部を沈殿させる工程
と、前記沈殿させる工程で得られた上澄み液から、電子
線レジスト材料を得る工程と、前記電子線レジスト材料
をレジスト溶媒に溶解させ、レジスト原料液を得る工程
と、前記レジスト原料液を処理基板の表面上に塗布し、
レジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜を電子線
で部分的に露光する工程と、前記レジスト膜を現像する
工程とを有するレジストパターンの形成方法が提供され
る。

【００１０】上澄み液には、比較的低分子量の成分が溶
解している。この上澄み液からレジスト材料を作製する
ことにより、レジスト材料の平均分子量及び分子量分散
度を小さくすることができる。このレジスト材料を用い
ることにより、パターニングの解像度を高めることがで
きる。

【００１１】

【発明の実施の形態】図１を参照して、本発明の実施例
によるレジスト材料の製造方法を説明する。クロロメチ
ル化スチレンとクロロスチレンとの共重合体レジスト材
料Ｏ（日本ゼオン社製 ＺＥＮ）の粉末２０ｇを、メチ
ルイソブチルケトン５００ｇとイソプロパノール２００
ｇとを混合した有機溶剤と共にナス型フラスコ中に投入
し、７０℃の湯浴で１０分間加熱する。フラスコを振っ
てレジスト材料を有機溶剤中に分散させ、レジスト材料
の分散液１を得る。

【００１２】分散液１を、室温で２４時間放置する。な
お、レジスト材料を分離するのに十分な時間であれば、
２４時間以下でもよい。放置時間は、６時間以上とする
ことが好ましく、２４時間以上とすることがより好まし
い。レジスト材料中の分子量の比較的大きな成分が沈殿
し、分散液１が沈殿物２と上澄み液３に分離する。傾斜
法により上澄み液３を取り出し、ロータリエバポレータ
で有機溶剤を蒸発させた後、ベンゼンに溶解させて凍結
乾燥させ、比較的低分子量の粉末状のレジスト材料Ｌを
得る。

【００１３】上記有機溶剤と同一組成の有機溶剤を用い
て沈殿物２の分離（分別）を２回以上行い、沈殿成分４
を得る。このときの上澄み液は廃棄する。ロータリエバ
ポレータを用いて沈殿成分４内の有機溶剤を蒸発させた
後、ベンゼンに溶解させて凍結乾燥させ、比較的高分子
量の粉末状のレジスト材料Ｈを得る。このようにして、
初期のレジスト材料Ｏを、低分子量のレジスト材料Ｌと
高分子量のレジスト材料Ｈとに分別することができる。

【００１４】初期のレジスト材料Ｏ、低分子量のレジス
ト材料Ｌ、及び高分子量のレジスト材料Ｈの各々を、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶
解させ、スピン塗布により０．３μｍの厚さのレジスト
膜が得られるように粘度を調整したレジスト液を作製す
る。

【００１５】図２は、低分子量のレジスト材料Ｌ、及び
高分子量のレジスト材料Ｈの分子量分布をゲルパーミエ
ーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）により測定した結
果を示す。横軸は分子量を表し、縦軸はＧＰＣによる測
定強度を、ピーク値を１００％としたときの相対値で表
す。図中の曲線Ｌ及びＨは、それぞれ低分子量のレジス
ト材料Ｌ及び高分子量のレジスト材料Ｈの測定結果を示
す。

【００１６】低分子量のレジスト材料Ｌの重量平均分子
量Ｍｗは約８００００、数平均分子量Ｍｎは約５３００
０であった。また、高分子量のレジスト材料Ｈの重量平
均分子量Ｍｗは約１７００００、数平均分子量Ｍｎは約
１０００００であった。Ｍｗ／Ｍｎによりレジスト材料
の分子量の分散度を評価することができる。低分子量の
レジスト材料Ｌ及び高分子量のレジスト材料Ｈの分子量
の分散度Ｍｗ／Ｍｎは、それぞれ約１．５及び１．７で
あった。なお、初期のレジスト材料Ｏの重量平均分子量
Ｍｗは約１５００００であり、分子量の分散度Ｍｗ／Ｍ
ｎは約１．８であった。

【００１７】図３は、初期のレジスト材料Ｏ、低分子量
のレジスト材料Ｌ、及び高分子量のレジスト材料Ｈの各
々から作製したレジスト液を用いて形成したレジスト膜
の残膜率曲線を示す。横軸は、電子線の照射量を単位μ
Ｃ／ｃｍ² で表し、縦軸は現像後に露光部分に残ったレ
ジスト膜の厚さを、現像前の膜厚で正規化した値（残膜
率）で示す。図中の記号□、○、及び◆は、それぞれ高
分子量のレジスト材料Ｈ、低分子量のレジスト材料Ｌ、
初期のレジスト材料Ｏに対応する。

【００１８】なお、初期のレジスト膜の厚さは０．５μ
ｍであり、レジスト膜の露光は、ベクタスキャン型電子
ビーム露光装置を用い、加速電圧を２０ｋｅＶとして行
った。現像は、基板を５００ｒｐｍで回転させながら、
エチルセルソルブと酢酸イソアミルとを混合した現像液
を用いて行った。現像後、エチルセルソルブで１０秒間
のリンスを行い、基板を２０００ｒｐｍで回転させてエ
チルセルソルブを除去し、乾燥させた。

【００１９】電子線の照射量を増加させると、レジスト
膜中において重合反応が進み残膜率が増加する。高分子
量のレジスト材料Ｈを用いた場合には、照射量を２μＣ
／ｃｍ² 以上にするとレジスト膜が現像液にほとんど溶
解しないことがわかる。低分子量のレジスト材料Ｌを用
いた場合に、照射量１５μＣ／ｃｍ² 以上の領域におい
て、残膜率が約９０％で飽和している。これは、現像液
が強力であるため、電子線で露光した部分においても、
全膜厚の約１０％程度の上層部分が現像液に溶解してし
まうためと考えられる。

【００２０】レジストの解像力は、通常γ値で評価され
る。以下、γ値の定義について簡単に説明する。まず、
各露光量における現像後の残膜量（レジスト残膜厚）を
測定する。レジスト初期膜厚に対する残膜量の割合（残
膜率）を縦軸とし、露光量を横軸（対数目盛り）とする
グラフ（図３に相当）に表す。残膜率曲線の立ち上がる
点における露光量をＤｉ、残膜率曲線の傾斜部の延長線
と残膜率の飽和した部分（ほぼ水平の部分）の延長線と
の交点における露光量をＤ０とすると、γ値は、

【００２１】

【数１】γ＝１／｜ｌｏｇ（Ｄ０／Ｄｉ）｜ で定義される。

【００２２】レジストの解像度が高い場合とは、現像液
中でのレジスト膜の膨潤が少なく、しかも高いコントラ
ストを持っている場合をいう。コントラストは、電子線
の照射量の差によるレジストの溶解性の変化の程度に相
当する。コントラストが高い場合には、照射量のわずか
な差でも大きな溶解性の変化が現れる。

【００２３】レジストのγ値は、低分子量のレジスト材
料Ｌを用いた場合に最も大きく、初期のレジスト材料を
Ｏを用いた場合に最も小さい。低分子量のレジスト材料
Ｌまたは高分子量のレジスト材料Ｈを用いた場合に大き
なγ値が得られるのは、図１に示す分別処理により、樹
脂の分子量の分散度が小さくなったためと考えられる。
高解像度を得るためには、低分子量のレジスト材料Ｌを
用いることが好ましい。

【００２４】十分な解像度、すなわち十分大きなγ値を
得るためには、ポリスチレン換算によるＧＰＣ測定にお
ける分子量分散度Ｍｗ／Ｍｎを、１．７以下とすること
が好ましく、１．５以下とするこがより好ましい。

【００２５】また、重量平均分子量Ｍｗが大きくなると
高感度になるが、現像時の膨潤が大きくなってしまう。
逆に、重量平均分子量Ｍｗが小さくなると、感度が低下
するが、膨潤は小さくなる。十分な感度を有し、膨潤の
小さなレジスト材料を得るためには、重量平均分子量Ｍ
ｗを６００００〜１２００００とすることが好ましい。

【００２６】重量平均分子量Ｍｗ及び分子量分散度Ｍｗ
／Ｍｎは、図１で説明した分別処理において使用する有
機溶剤を適当に選択することにより制御可能である。例
えば、有機溶剤として高極性のものを使用すると、本実
施例で用いた無極性のレジスト材料が溶剤に親和しなく
なるため、溶解しにくくなる。その結果、低分子量のレ
ジスト材料Ｌの重量平均分子量Ｍｗ及び分子量分散度Ｍ
ｗ／Ｍｎが共に小さくなる。また、高分子量のレジスト
材料Ｈの重量平均分子量Ｍｗは小さくなり、分子量分散
度Ｍｗ／Ｍｎは大きくなる。

【００２７】有機溶剤としてメチルイソブチルケトンと
イソプロピルアルコールとの混合液を使用する場合に
は、イソプロピルアルコールの含有量を増加させること
により、有機溶剤の極性を高くすることができる。両者
の混合比を変えることにより、好ましい重量平均分子量
Ｍｗ及び分子量分散度Ｍｗ／Ｍｎを有するレジスト材料
を得ることができる。上述の好ましい重量平均分子量Ｍ
ｗ及び分子量分散度Ｍｗ／Ｍｎを有するレジスト材料得
るためには、メチルイソブチルケトンとイソプロピルア
ルコールとの重量比を１：３〜３：１とすることが好ま
しい。メチルイソブチルケトンの混合比率を高くする
と、レジスト材料が溶けすぎ、沈澱成分からの収率が低
くなるとともに、上澄み液による分別効果が小さくな
る。イソプロピルアルコールの混合比率を高くすると、
その逆になり、上澄み液からの収率が低くなると共に、
沈澱成分による分別効果が小さくなる。

【００２８】次に、図４を参照して、上記実施例で作製
した低分子量のレジスト材料Ｌを用いてレジストパター
ンを形成する方法を説明する。

【００２９】図４（Ａ）に示すように、石英基板１０の
表面上にＣｒ膜１１が形成されたマスク基板を準備す
る。図４（Ｂ）に示すように、Ｃｒ膜１１の表面上に、
上述の実施例で得られたレジスト材料Ｌからなるレジス
ト原料液をスピン塗布し、厚さ３００ｎｍのレジスト膜
１２を形成する。１２０℃で１５分間のプリベークを行
う。レジスト膜１２の所望の領域を、電子線で露光す
る。この露光は、例えば直接描画法により行う。

【００３０】図４（Ｃ）に示すように、レジスト膜１２
を現像し、レジストパターン１２ａを得る。現像液とし
て、例えば、図１の分別処理で用いた有機溶剤と同一組
成のものを用いる。レジスト膜１２を構成するレジスト
材料は、図１に示す上澄み液３から作製されたものであ
るため、この有機溶剤に容易に溶解する。従って、この
有機溶剤を現像液として用いることにより、レジスト膜
１２の非露光部分を容易に溶解させることができる。

【００３１】図４（Ｄ）に示すように、レジストパター
ン１２ａをマスクとしてＣｒ膜１１をエッチングし、Ｃ
ｒパターン１１ａを形成する。Ｃｒ膜１１のエッチング
は、例えば、エッチャントとして硝酸第２セリウムアン
モニウムと加塩素酸水との混合液を用いたウェットエッ
チ、またはエッチングガスとしてトリクロロメタン、四
塩化炭素、塩素、または塩化メチレン等を用いたドライ
エッチにより行う。図４（Ｅ）に示すように、酸素プラ
ズマを用いたドライアッシングにより、レジストパター
ン１２ａを除去する。このようにして、石英基板１０の
表面上にＣｒパターン１１ａが形成されたフォトマスク
が得られる。

【００３２】次に、図５（Ａ）及び５（Ｂ）を参照し
て、初期のレジスト材料Ｏ及び低分子量のレジスト材料
Ｌを用いてレジストパターンを形成し、そのコントラス
トを評価した結果について説明する。図５（Ａ）は、初
期のレジスト材料Ｏを用いて形成されたレジストパター
ンの部分断面図を示し、図５（Ｂ）は、低分子量のレジ
スト材料Ｌを用いて形成されたレジストパターンの部分
断面図を示す。

【００３３】基板２０の表面上に遮光膜２１が形成され
ている。基板２０は、厚さ２．３ｍｍの合成石英ガラス
である。遮光膜２１は、厚さ６０ｎｍのクロム膜と厚さ
３０ｎｍの酸化クロム膜とがこの順番に積層された積層
構造を有し、スパッタリングにより成膜されたものであ
る。レジスト膜２２、２３の厚さは共に３００ｎｍであ
る。

【００３４】図５（Ａ）の場合の露光量は、４．０μＣ
／ｃｍ² 、図５（Ｂ）の場合の露光量は１２．０μＣ／
ｃｍ² である。現像は、酢酸イソアミルとエチルセルソ
ルブとの混合液を６０秒間スプレー状に吹きつけること
により行った。現像後、エチルセルソルブでリンスを行
い、スピン乾燥した。

【００３５】図５（Ｂ）に示すレジストパターン２３の
端部は、図５（Ａ）に示すレジストパターン２２の端部
よりも切り立っており、コントラストの高いパターンが
得られていることが分かる。

【００３６】上記実施例では、低分子量のレジスト材料
Ｌを用いることにより、コントラストの高いパターンを
得ることができることを示した。図３に示すように、高
分子量のレジスト材料Ｈのγ値は１．８６であり、初期
のレジスト材料Ｏのγ値よりも高い。すなわち、高分子
量のレジスト材料Ｈを用いても、初期のレジスト材料Ｏ
を用いる場合に比べて、コントラストの高いパターンを
得ることができる。

【００３７】初期のレジスト材料Ｏには、高分子量の成
分と低分子量の成分の双方が含まれている。露光領域と
非露光領域との境界には、高分子量の成分は十分にゲル
化され、低分子量の成分は十分にゲル化されていない領
域が存在すると考えられる。この領域においては、低分
子量の成分が膨潤し、現像液中に溶け出そうとする。し
かし、高分子量の成分と低分子量の成分とが相互に密着
し合っているため、低分子量の成分が現像液中に溶けだ
すことができない。このため、膨潤した低分子量の成分
がレジスト膜中に残ってしまうと考えられる。

【００３８】高分子量のレジスト材料Ｈは、膨潤の原因
となる低分子量の成分をほとんど含まない。このため、
高分子量のレジスト材料Ｈを使用することにより、膨潤
の少ないパターンを形成することができる。

【００３９】高分子量のレジスト材料Ｈを用い、図４に
示す方法と同様の方法でレジストパターンを形成したと
ころ、図５（Ｂ）に示すパターンに近い良好なレジスト
パターンを得ることができた。

【００４０】高分子量のレジスト材料Ｈを用いる場合に
は、低分子量のレジスト材料Ｌを用いる場合に比べて、
より少ない電子線照射量でも現像を行うことができる。
電子線露光装置によっては、電子線照射量を多くするこ
とが困難な場合がある。このような場合には、高分子量
のレジスト材料Ｈを使用することが好ましい。

【００４１】γ値が大きく、かつ膨潤の少ないレジスト
材料を得るためには、図１に示す有機溶剤として、高分
子量のレジスト材料Ｈの分子量分散度Ｍｗ／Ｍｎが１．
７以下となり、重量平均分子量Ｍｗが１２００００〜１
８００００となるようなものを選択することが好まし
い。

【００４２】なお、図１では、有機溶剤による分別を３
回繰り返し、最後の分別で得られた沈殿成分から高分子
量のレジスト材料Ｈを生成したが、分別の回数は３回に
限らない。分別回数は、１回または２回でもよいし、４
回以上でもよい。分別回数を増やすと、図２に示す分子
量分布のすそ引きが少なくなるが、一般的には１〜２回
で十分であろう。また、濾過により高分子量のレジスト
材料Ｈと低分子量のレジスト材料Ｌとに分離できる場合
もある。

【００４３】上記のように、高分子量のレジスト材料Ｈ
または低分子量のレジスト材料Ｌを用いると、初期レジ
スト材料Ｏを用いる場合に比べてコントラストの高いレ
ジストパターンを形成することができる。特に、濾過感
度を望む場合には、高分子量のレジスト材料Ｈを用いる
のが好ましく、超高解像度を望む場合には低分子量のレ
ジスト材料Ｌを用いるのが好ましい。

【００４４】上記実施例では、初期のレジスト材料とし
て、日本ゼオン社製のＺＥＮレジスト材料を用いた場合
を説明したが、他のスチレン系重合体からなるレジスト
材料を用いてもよい。例えば、ポリスチレン、ハロゲン
化ポリスチレン、ハロアルキル化ポリスチレン、及びこ
れらの共重合体を用いることができる。また、他のネガ
型レジスト材料を用いてもよい。

【００４５】また、上記実施例では、分別処理を行うた
めの有機溶剤として、メチルイソブチルケトンとイソプ
ロピルアルコールとの混合液を用いたが、その他の有機
溶剤を用いてもよい。

【００４６】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。

【００４７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
レジスト材料から好ましい分子量を持つ成分のみを分離
することにより、レジストの解像度を高めることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例によるレジスト材料の製造方法
を説明するための図である。

【図２】実施例による方法で分別された低分子量のレジ
スト材料と高分子量のレジスト材料の各々の分子量の分
布をＧＰＣ法で測定した結果を示すグラフである。

【図３】実施例による方法で分別された低分子量のレジ
スト材料、高分子量のレジスト材料、及び当所のレジス
ト材料を用いて形成したレジスト膜の残膜率を、電子線
照射量の関数として示すグラフである。

【図４】実施例による方法で得られたレジスト材料を用
いてフォトマスクを作製する方法を説明するための、フ
ォトマスク基板の断面図である。

【図５】初期レジスト材料を用いた場合と低分子量レジ
スト材料を用いた場合のレジストパターンの部分断面図
である。

【符号の説明】

１ レジスト材料分散液 ２ 沈殿物 ３ 上澄み液 ４ 沈殿成分 １０ 石英基板 １１ Ｃｒ膜 １２ レジスト膜 ２０ 基板 ２１ 遮光膜 ２２、２３ レジストパターン Ｏ 初期のレジスト材料 Ｌ 低分子量のレジスト材料 Ｈ 高分子量のレジスト材料

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 星野 栄一 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 山本 祐一 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 渡部 慶二 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電子線に感光するネガ型感光性高分子材
   料を有機溶剤中に分散させ、放置して、該感光性高分子
   材料の一部を沈殿させる工程と、 前記沈殿させる工程で得られた上澄み液から、電子線レ
   ジスト材料を得る工程とを有する電子線レジスト材料の
   製造方法。
2. 【請求項２】 前記感光性高分子材料が、クロロメチル
   化スチレンとクロロスチレンとの共重合体である請求項
   １に記載の電子線レジスト材料の製造方法。
3. 【請求項３】 前記電子線レジスト材料の重量平均分子
   量をＭｗ、数平均分子量をＭｎとしたとき、Ｍｗ／Ｍｎ
   が１．７以下となるように、前記有機溶剤を選択する請
   求項２に記載の電子線レジスト材料の製造方法。
4. 【請求項４】 前記有機溶剤が、メチルイソブチルケト
   ンとイソプロピルアルコールとを含む混合液である請求
   項１〜３のいずれかに記載の電子線レジスト材料の製造
   方法。
5. 【請求項５】 電子線に感光するネガ型感光性高分子材
   料を有機溶剤中に分散させ、放置して、該感光性高分子
   材料の一部を沈殿させる工程と、 前記沈殿させる工程で得られた上澄み液から、電子線レ
   ジスト材料を得る工程と、 前記電子線レジスト材料をレジスト溶媒に溶解させ、レ
   ジスト原料液を得る工程と、 前記レジスト原料液を処理基板の表面上に塗布し、レジ
   スト膜を形成する工程と、 前記レジスト膜を電子線で部分的に露光する工程と、 前記レジスト膜を現像する工程とを有するレジストパタ
   ーンの形成方法。
6. 【請求項６】 前記レジスト膜を現像する工程におい
   て、前記有機溶剤と同一組成の現像液を用いて現像を行
   う請求項５に記載のレジストパターンの形成方法。
7. 【請求項７】 前記感光性高分子材料が、クロロメチル
   化スチレンとクロロスチレンとの共重合体である請求項
   ６に記載のレジストパターンの形成方法。
8. 【請求項８】 前記有機溶剤が、メチルイソブチルケト
   ンとイソプロピルアルコールとを含む混合液である請求
   項５〜７のいずれかに記載のレジストパターンの形成方
   法。
9. 【請求項９】 電子線に感光するネガ型感光性高分子材
   料を有機溶剤中に分散させ、放置して、該感光性高分子
   材料の一部を沈殿させる工程と、 前記沈殿させる工程で得られた沈殿成分から、電子線レ
   ジスト材料を得る工程とを有する電子線レジスト材料の
   製造方法。
10. 【請求項１０】 前記感光性高分子材料が、クロロメチ
    ル化スチレンとクロロスチレンとの共重合体である請求
    項９に記載の電子線レジスト材料の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記電子線レジスト材料の重量平均分
    子量をＭｗ、数平均分子量をＭｎとしたとき、Ｍｗ／Ｍ
    ｎが１．７以下となるように、前記有機溶剤を選択する
    請求項１０に記載の電子線レジスト材料の製造方法。
12. 【請求項１２】 電子線に感光するネガ型感光性高分子
    材料を有機溶剤中に分散させ、放置して、該感光性高分
    子材料の一部を沈殿させる工程と、 前記沈殿させる工程で得られた沈殿成分から、電子線レ
    ジスト材料を得る工程と、 前記電子線レジスト材料を処理基板の表面に塗布し、レ
    ジスト膜を形成する工程と、 前記レジスト膜を電子線により部分的に露光する工程
    と、 露光されたレジスト膜を現像する工程とを有するレジス
    トパターンの形成方法。