JPH11282764A - メモリエラー箇所切り離し回路 - Google Patents

メモリエラー箇所切り離し回路

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JPH11282764A
JPH11282764A JP10083913A JP8391398A JPH11282764A JP H11282764 A JPH11282764 A JP H11282764A JP 10083913 A JP10083913 A JP 10083913A JP 8391398 A JP8391398 A JP 8391398A JP H11282764 A JPH11282764 A JP H11282764A
Authority
JP
Japan
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error
memory
circuit
cache memory
address
Prior art date
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Pending
Application number
JP10083913A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeharu Yui
丈晴 湯井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
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Publication of JPH11282764A publication Critical patent/JPH11282764A/ja
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  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Memory System Of A Hierarchy Structure (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 メモリエラー時におけるCPU動作の障害を
防止することを課題とする。 【解決手段】 キャッシュメモリ14にエラーがある場
合第1の信号を出力する第2の回路17、18、19を
設ける。エラーがあるアドレスとアドレスバスの値を比
較し、一致した時に第2の信号を出力する第3の回路2
1、22、23を設ける。第1、第2の信号に基づい
て、キャッシュメモリ14のエラーがあるアドレスにア
クセスが生じた時、メインメモリにアクセスするように
切り換えるスイッチ4、5、9、25を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、メモリのエラー
時における制御回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】記憶素子(以下、メモリという。)の一
形態としてキャッシュメモリがある。キャッシュメモリ
とは、メモリを階層構造にし、高速アクセスを実現する
ものである。すなわち、大容量、低速のメインメモリと
中央処理装置(以下、CPUという。)の間に小容量、
高速のキャッシュメモリを置き、CPUがアクセスした
データをキャッシュメモリに一時保存する。CPUが高
い確率でキャッシュメモリからアクセスできるように設
計されていれば、CPUは、ほぼキャッシュメモリのア
クセス時間に近い速度でメインメモリをアクセスしてい
ることと等価となる。ここで、一般に、従来のキャッシ
ュメモリ制御回路では、キャッシュメモリがエラーした
場合、即座にエラー箇所を切り離す機構は無く、パリテ
ィエラーとしてソフトウェアに通知していた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、CPU
は、キャッシュメモリのエラー箇所を即座に切り離さな
いため、ソフトウェアがそのエラー処理を行おうとし
て、命令フェッチのスタック、プログラムの暴走などの
CPUにとってより深刻な障害を引き起こす可能性があ
る。又、一般的なメモリのエラーがあった場合について
も同様である。従って、この発明は、メモリエラー時に
おけるCPU動作の障害を防止することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】第1のメモリにエラーが
ある場合第1の信号を出力する第1の回路を設ける。エ
ラーがあるアドレスとアドレスバスの値を比較し、一致
した時に第2の信号を出力する第2の回路を設ける。第
1、第2の信号に基づいて、第1のメモリのエラーがあ
るアドレスにアクセスが生じた時、第2のメモリにアク
セスするように切り換えるスイッチを設ける。
【0005】
【発明の実施の形態】図1はこの発明の一実施の形態を
示す図である。1はCPUのライト信号やリード信号で
ある制御バス、2は制御バス1の信号を処理するアクセ
ス受信回路、3はアクセス受信回路2から出力されるキ
ャッシュメモリ起動信号、4、5はゲートである。6は
キャッシュメモリアクセス制御信号7を出力するキャッ
シュメモリアクセス制御回路、8はアクセス受信回路2
から出力されるメインメモリ起動信号、9はゲート、1
0はメインメモリ制御信号11を出力するメインメモリ
アクセス制御回路である。
【0006】12はアドレスバス、14はキャッシュメ
モリ、15はアドレスデコーダ、16はデータバス、1
7はキャッシュメモリ14からの出力データのパリティ
をチェックするパリティチェック回路である。18はパ
リティチェック回路17の出力であるパリティエラー信
号をエラーフラグレジスタ19に書き込むライト制御回
路、20はエラーフラグレジスタ19の出力であるパリ
ティエラー発生通知信号である。21はアドレスバス1
2とパリティエラー発生通知信号20を入力とし、イン
デックスレジスタ22にアドレスを書き込むアドレスラ
イト回路、23はインデックスレジスタ22とアドレス
バス12の値を比較する比較回路である。24は比較回
路23の出力であるインデックス一致通知信号、25は
ゲート、26はバッファ27の制御信号である。
【0007】次に一実施の形態の構成について述べる。
制御バス1はアクセス受信回路2に入力される。アクセ
ス受信回路2の出力キャッシュメモリ起動信号3はアン
ドゲート4、5の一方に入力される。アンドゲート4の
出力はキャッシュメモリアクセス制御回路6に入力され
る。キャッシュメモリアクセス制御回路6の出力キャッ
シュメモリ制御信号7とアドレスバス12はキャッシュ
メモリ14に入力される。アドレスバス12はアドレス
デコーダ15に入力され、アドレスデコーダ15の出力
はキャッシュメモリ14に入力される。
【0008】キャッシュメモリ14の出力が接続される
データバス16はパリティチェック回路17に入力され
る。パリティチェック回路17の出力はライト制御回路
18に入力される。ライト制御回路18の出力はエラー
フラグレジスタ19に入力される。エラーフラグレジス
タ19の出力であるパリティエラー発生通知信号20
は、アドレスライト回路21とアンドゲート25の一方
に入力される。アドレスライト回路21にはアドレスバ
ス12も入力される。アドレスライト回路21の出力は
インデックスレジスタ22に入力され、インデックスレ
ジスタ22の出力とアドレスバス12は比較回路23に
入力される。又、インデックスレジスタ22の出力はバ
ッファ27に入力され、バッファ27の出力はデータバ
ス16に接続される。更に、バッファ27の制御信号2
6としてアクセス受信回路2の出力が入力される。
【0009】比較回路23の出力インデックス一致通知
信号24はアンドゲート25の他方に入力される。アン
ドゲート25の出力は、アンドゲート4の他方である負
論理入力に接続されると共に、アンドゲート5の他方に
入力される。
【0010】アクセス受信回路2の出力メインメモリ起
動信号8はオアゲート9の一方に入力され、他方には、
アンドゲート5の出力が入力される。オアゲート9の出
力はメインメモリアクセス制御回路10に入力され、メ
インメモリ制御回路10の出力はメインメモリ制御信号
11となる。
【0011】次に、図1を参照しながら動作について説
明する。まず、キャッシュメモリ14にパリティエラー
が発生していない正常動作について説明する。アクセス
受信回路2が制御バス1からメモリへのアクセスを関知
し、キャッシュメモリ14へのアクセスと判断したらキ
ャッシュメモリ起動信号3を、図示しないメインメモリ
へのアクセスと判断したらメインメモリ起動信号8を出
力する。
【0012】メインメモリアクセス制御回路10はメイ
ンメモリ起動信号8に基づいて、メインメモリ制御信号
11を出力する。
【0013】キャッシュメモリ起動信号3は、正常アク
セスの場合、キャッシュメモリアクセス制御回路6に通
知される。その後、キャッシュメモリアクセス制御回路
6はキャッシュメモリ制御信号7を起動し、キャッシュ
メモリ14は、アドレスバス12とアドレスデコーダ1
5に従い、データをデータバス16に出力する。
【0014】ついで、キャッシュメモリ14にエラーが
あった場合について説明する。キャッシュメモリ14の
出力はデータバス16に出力されるがこのデータはパリ
ティチェック回路17にてチェックされる。パリティチ
ェック回路17はキャッシュメモリ14がアクセスされ
るたびに出力データのパリティチェックを行い、エラー
があると、ライト制御回路18はエラーフラグレジスタ
19にエラーがあることを記憶させる。
【0015】アドレスライト回路21は、パリティエラ
ー発生通知信号20があると、アドレスバス12の値を
インデックスレジスタ22に書き込む。比較回路23は
インデックスレジスタ22の値とアドレスバス12の値
を比較し、一致するとインデックス一致通知信号24を
出力する。
【0016】パリティエラー発生通知信号20とインデ
ックス一致通知信号24によりキャッシュメモリアクセ
ス制御回路6とメインメモリアクセス制御回路10はキ
ャッシュメモリ14にエラーが起きていることを知るこ
とができる。更に、パリティエラー発生発生通知信号2
0とインデックス一致通知信号24はゲート25、4、
5、9を通り、図示しないCPUがキャッシュメモリ1
4のエラー箇所にアクセスした時、キャッシュメモリ起
動信号3をメインメモリ制御信号に切り換える。すなわ
ち、キャッシュメモリ14からエラーが起きている箇所
を切り離す。そして、エラーを起こしている箇所へは、
図示しないメインメモリがアクセスされるようにする。
メモリエラー検出単位はキャッシュメモリ14のアドレ
ス単位で行うことができる。
【0017】又、インデックスレジスタ22の出力と、
パリティエラー発生通知信号20はバッファ27を通
し、データバス16へ接続されている。更に、バッファ
27は、アクセス受信回路2からのバッファ制御信号2
7により制御されているので、キャッシュメモリ14の
どの箇所にエラーがあったのか後で知ることができる。
【0018】以上のように、一実施の形態では、キャッ
シュメモリのエラー箇所を即座に切り離すため、命令フ
ェッチのスタック、プログラムの暴走などのCPUにと
って深刻な障害を回避することができる。
【0019】又、キャッシュメモリ14を一般的なメモ
リとし、図示しないメイン・メモリをバック・アップ・
メモリとすれば、一般的なメモリがエラーしてもバック
・アップ・メモリに切り換えられる。すなわち、CPU
がメモリを有するシステムにおいて、メモリにエラーが
生じても、CPUは暴走などの深刻な障害を回避でき、
通常の動作を継続できる。
【0020】
【発明の効果】以上のように、メモリエラー時における
CPU動作の障害を防止することができる。更に、バッ
ファを設けたので、エラーのあった箇所のアドレスが分
かり、障害検索に役立つ。
【図面の簡単な説明】
【図1】一実施の形態を示す図である。
【符号の説明】
2…アクセス受信回路 6…キャッシュメモリアクセス制御回路 10…メインメモリアクセス制御回路 14…キャッシュメモリ 15…アドレスデコーダ 17…パリティチェック回路 18…ライト制御回路 19…エラーフラグレジスタ 21…アドレスライト回路 22…インデックスレジスタ 23…比較回路 27…バッファ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 中央処理装置が第1のメモリへアクセス
    を行い、前記第1のメモリにエラーがあるアドレスへの
    アクセスを第2のメモリへ切り換える回路において、 前記第1のメモリにエラーがある場合第1の信号を出力
    する第1の回路と、 前記エラーがあるアドレスとアドレスバスの値を比較
    し、一致した時に第2の信号を出力する第2の回路と、 前記第1、第2の信号に基づいて、前記第1のメモリの
    エラーがあるアドレスにアクセスが生じた時、第2のメ
    モリにアクセスするように切り換えるスイッチと、 を設けたことを特徴とするメモリーエラー箇所切り離し
    回路。
  2. 【請求項2】 前記回路からの出力を制御信号とし、前
    記エラーがあるアドレスと前記第1の信号をデータバス
    へ出力するバッファを設けたことを特徴とする請求項1
    記載のメモリーエラー箇所切り離し回路。
JP10083913A 1998-03-30 1998-03-30 メモリエラー箇所切り離し回路 Pending JPH11282764A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPWO2008155805A1 (ja) * 2007-06-20 2010-08-26 富士通株式会社 キャッシュメモリ装置、演算処理装置及びその制御方法
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US9330791B2 (en) 2013-11-18 2016-05-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory systems and methods of managing failed memory cells of semiconductor memories

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