JPH112828A - 液晶画像表示装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＩＰＳ方式の液晶画像表示装置の開口率を向
上させる。 【解決手段】 対向電極１１’の行（横）方向への液晶
セルの充放電電流の集中を回避するため、対向電極１
１’を厚い絶縁層２１を介して走査線８と信号線７上と
に格子状に配置する。これにより、対向電極１１’を細
くすることができて、開口率が向上する。また対向電極
１１’と絵素電極１７との間の表示に寄与する領域が拡
大し開口率が拡大する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はスイッチ素子として
薄膜半導体素子を用いて構成される液晶画像表示装置、
とりわけ視野角の拡大に関連した技術に深く関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】非晶質シリコンを半導体材料とする薄膜
トランジスタをスイッチ素子として単位絵素毎に内蔵し
たアクティブ型の液晶画像表示装置は、生産性向上の取
組も相まって基板サイズの拡大が急激に進展し、現状で
は 550×650 mm 以上の大きさのガラス基板の採用に
より画面サイズが２０型（５０ｃｍ）を越えるものまで
商品化されようとしている。

【０００３】図５はこのような液晶パネル１の斜視図を
示し、一方の透明性絶縁基板、例えばガラス基板２上に
は走査線と信号線との交点毎にスイッチ素子としての薄
膜トランジスタと絵素電極とが２次元のマトリクスに配
列されて画像表示部が構成されている。信号線７の先端
部に形成された端子電極５には、例えばフィルムキャリ
ア４を用いたＴＣＰ実装により信号線７に映像信号が供
給され、走査線８の先端部の端子電極２４（後述する
が、ここでは図示せず）には例えば半導体チップ３を直
接接続するＣＯＧ実装により走査線８に走査信号が供給
され、画像表示部に画像が表示される。ここでは便宜上
２種類の実装方式を同時に図示しているが、実際にはい
ずれかの方式が適宜選択して採用される。６は画像表示
部上に対向するもう１枚のガラス基板で、２枚のガラス
基板２，６によって挟持される厚さ数μｍの空間に液晶
が充填され光学素子として機能する。多くの場合、液晶
と接する対向ガラス基板６の内表面には単位絵素毎また
は信号線毎に対応した有機薄膜よりなる着色層が付与さ
れてカラー画像表示されるので、対向ガラス基板６は別
名カラーフィルタと称されることが多い。

【０００４】走査線８と走査線先端部の端子電極２４，
信号線７と信号線先端部の端子電極５は必ずしもそれぞ
れ同一の導電性部材で構成される必要はなく、走査線８
や信号線７への開口部形成と導電性薄膜の被着形成工程
が付加されれば選択の自由度は高い。

【０００５】図６はスイッチ素子として絶縁ゲート型ト
ランジスタ９を用いたアクティブ型液晶画像表示装置の
等価回路を示し、７は信号線、８は走査線、１０は液晶
セルである。実線で描かれた素子類は液晶画像表示装置
を構成する一方のガラス基板２上に形成され、点線で描
かれた全ての液晶セル１０に共通な対向電極１１は従来
の液晶画像表示装置ではもう一方の対向ガラス基板６上
に形成されていたが、後述するＩＰＳ方式の液晶画像表
示装置では同一のガラス基板２上に形成される。絶縁ゲ
ート型トランジスタ９のＯＦＦ抵抗あるいは液晶セル１
０の抵抗が低い場合や表示画像の階調性を重視する場合
には、負荷としての液晶セル１０の時定数を大きくする
ための補助の蓄積容量１２を液晶セル１０に並列に加え
るなどの回路的工夫が加味される。

【０００６】図７は液晶材料としてＴＮ（ツイスト・ネ
マチック）型のものを用い、上下の透明電極４１，４２
が形成された２枚のガラス板４３，４４で従来の液晶セ
ルを構成した場合の視野角の変化量を示した概念図で、
液晶分子５０の液晶セルの厚み方向の対称性の悪さが原
因で視野角が狭い欠点があった。

【０００７】これに対して図８に示したように、同じＴ
Ｎ型の液晶材を用いても１枚のガラス基板４５上に対向
して平行する櫛形の電極４７，４８を配置しすると、液
晶分子５０の液晶セルの厚み方向の対称性が良くなり視
野角が格段と拡大される。図８では下側の一方のガラス
基板４５面上で液晶分子５０が電圧の印加によって回転
することからこのような駆動方式をＩＰＳ（In Plain
Switchig）と称している。なお、４６は液晶セルを構
成するためのもう一方の対向ガラス基板またはカラーフ
ィルタである。

【０００８】図９はＩＰＳ方式による液晶画像表示装置
を構成するアクティブ基板の単位絵素の平面図、図１０
は図９のＡ−Ａ’線上の断面図を示し、その製造工程を
以下に簡単に記載する。

【０００９】先ず、図１０（ａ）に示したように耐熱性
と透明性が高い絶縁性基板としてのガラス基板２、例え
ばコーニング社製の商品名１７３７の一主面上に、例え
ばＳＰＴなどの真空製膜装置を用いて膜厚 0.2 μｍ
程度の第１の金属層として、例えばＣｒ薄膜を被着し、
微細加工技術により走査線も兼ねるゲート電極８と対向
電極１１とを選択的に形成する。

【００１０】次に、図１０（ｂ）に示したようにガラス
基板２の全面にＰＣＶＤ装置を用いてゲート絶縁層とな
る第１のシリコン窒化層（ＳｉＮｘ）１３、不純物をほ
とんど含まず絶縁ゲート型トランジスタのチャネルとな
る第１の非晶質シリコン層（ａ−Ｓｉ）１４および第２
のシリコン窒化層１５の３種類の薄膜層を、例えば膜厚
0.3-0.05-0.1 μｍで順次被着し、微細加工技術によ
りゲート電極８上の第２のシリコン窒化層１５を選択的
に残して１５’とし、第１の非晶質シリコン層１４を露
出する。

【００１１】次に、同じくＰＣＶＤ装置を用いて全面に
不純物として、例えば燐を含む第２の非晶質シリコン層
１６を例えば 0.05 μｍの膜厚で被着し、図示はしな
いが走査線８への電気的接続に必要なガラス基板２の周
辺部での走査線８上の選択的開口部形成を行った後、図
１０（ｃ）に示したようにＳＰＴなどの真空製膜装置を
用いて膜厚 0.3 μｍ程度の第２の金属層として、例
えばＡＬ薄膜を被着し、微細加工技術により信号線（ソ
ース配線）７と絵素（ドレイン）電極１７とを選択的に
形成する。この時には、前記電極や配線を形成するため
に用いられた感光性樹脂パターンとＡＬ薄膜層とをマス
クとして第２と第１の非晶質シリコン層１６，１４をも
除去して第１のシリコン窒化層１３を露出させる。絶縁
ゲート型トランジスタがオフセット構造とならないため
にはソース・ドレイン配線（電極）７，１７はゲート電
極８と一部平面的に重なった位置関係で形成される。な
お、走査線８上の開口部を含んで信号線７と同時にゲー
ト配線（図示せず）を作製することも一般的である。

【００１２】この状態でもアクティブ基板として動作は
可能であるが、液晶セルに直流成分が侵入して高温動作
あるいは長期連続動作に対して液晶が劣化し、黒く着色
する信頼性上の課題を回避するため、図１０（ｄ）に示
したようにさらにガラス基板２の全面に透明性の絶縁
層、例えば第３のシリコン窒化層１８をやはりＰＣＶＤ
装置を用いて 0.3 μｍ程度被着してアクティブ基板
として完成する。もちろん、走査線８や信号線７に電気
信号を供給できるようにガラス基板２の周辺部にて走査
線８や信号線７の端子電極上のパシベーション絶縁層で
ある第３のシリコン窒化層１８は選択的に除去されて端
子電極は露出している。

【００１３】なお上記した製造工程では理解を容易にす
るため、液晶画像表示装置としての構成は最低限度の構
成因子について説明している。そのため、例えば絶縁ゲ
ート型トランジスタの耐熱性を高めるにソース・ドレイ
ン配線７、１７と不純物を含みソース・ドレインとなる
第２の非晶質シリコン層１６’との間にＣｒ，Ｍｏ，Ｔ
ｉあるいはこれらのシリサイドなどの耐熱バリア金属を
介在させる技術や、ゲート金属層８を多層化して抵抗値
を下げたり、あるいは走査線８と信号線７との間の層間
短絡を防止する技術などについては説明を省略した。ま
た液晶セルを構成するスペーサやシール材について、さ
らに液晶セルとして動作させるために必要な配向膜、偏
光板などの部材についても、および裏面光源などの光学
素子として必要な構成因子についても説明を省略してい
る。

【００１４】図９に示した金属よりなる絵素（ドレイ
ン）電極１７と対向電極１１とを同一の基板上で櫛形状
に対向させるＩＰＳ方式の単位絵素は、従来の透明絵素
電極と同じく透明な対向電極とを別々の透明基板上でサ
ンドイッチ状に対向させる単位絵素と比較すると開口率
は前者で４０％以下、後者で６０％以上と圧倒的に低
く、明るい画像が得られない。その理由は、１）絵素電
極１７と対向電極１１とが金属薄膜で構成される、２）
絵素電極１７と対向電極１１そのものは表示に寄与せ
ず、絵素電極１７と対向電極１１との間の透明領域が表
示に寄与するからであり、したがって高い開口率を得る
ためには絵素電極１７と対向電極１１とをできるだけ微
細化する必要がある。

【００１５】絵素電極１７を微細化することは露光機の
解像力限界と食刻精度の問題であるが、対向電極１１は
液晶セルを充放電する電流が行（横）方向に絵素毎に積
算されていくので表示画素数の増大および表示画面の拡
大に対しては極めて重要な意味を持っている。対向電極
の抵抗値による電圧降下の増大を防止する意味で、少な
くとも対向電極１１を行（横）方向に細長に、図９では
上下方向にパターン幅を細くすることには設計上の限界
が存在する。

【００１６】液晶セルの時定数を長くするために補助容
量１２を導入した場合には、補助容量１２を充放電する
電流も加算されるので対向電極１１のパターン幅を逆に
上下方向に広げる必要がある。なお、図９では絵素（ド
レイン）電極１７と対向電極１１とがゲート絶縁層およ
び第１と第２の非晶質シリコン層とを介して重なった領
域１９が補助容量１２を構成している。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】視野角は広いが開口率
が低く明るい画像が得にくいＩＰＳ方式の液晶画像表示
装置は、結局は裏面光源を強力にして明るい画像を得る
ことで実用化することが優先され、消費電力の観点から
も大きな課題を有している。

【００１８】本発明は上記した現状に鑑みなされたもの
で、開口率の高いＩＰＳ方式の液晶画像表示装置を提供
することを目的とする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明は、一主面上に絶
縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジ
スタのドレインに接続された絵素電極と、前記絵素電極
とは所定の距離を隔てて形成された対向電極とを少なく
とも各々１個は有する単位絵素が二次元のマトリクスに
配列された第１の透明性絶縁基板と、第２の透明性絶縁
基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる
液晶画像表示装置において、前記第１の透明性絶縁基板
上に形成された厚い透明絶縁層を介して走査線上と信号
線上とに格子状の対向電極が形成されることを特徴とす
るものである。

【００２０】このように、行（横）方向への充放電電流
の集中を回避するために対向電極が十字状に形成される
結果、充放電電流は上下左右方向に分散して流れるので
対向電極のパターン幅を狭めることが可能となる。また
厚い絶縁層を介して走査線や信号線上に形成されるの
で、対向電極の実効的な抵抗値の低減に加えて表示に寄
与する領域が拡大し、さらに開口率が高くなる。

【００２１】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、一主面上に絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁
ゲート型トランジスタのドレインに接続された絵素電極
と、前記絵素電極とは所定の距離を隔てて形成された対
向電極とを少なくとも各々１個は有する単位絵素が二次
元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、
第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液
晶を充填してなる液晶画像表示装置において、前記第１
の透明性絶縁基板上に形成された厚い透明絶縁層を介し
て前記走査線上と前記信号線上とに格子状の対向電極が
形成されるとともに、走査線と信号線の端子電極形成位
置上の前記厚い透明絶縁層に形成された開口部を含んで
走査線と信号線の端子電極が前記対向電極と同一工程で
形成されてなることを特徴とするものである。

【００２２】本発明の請求項２に記載の発明は、透明性
絶縁基板上に、１層以上の第１の金属層よりなる絶縁ゲ
ート型トランジスタのゲートを兼ねる走査線を形成する
工程と、少なくともゲート絶縁層とチャネルとなる半導
体層とソース・ドレインとなる不純物を含む半導体層と
を形成する工程と、１層以上の第２の金属層よりなる信
号（ソース）線とドレイン電極とを形成する工程と、全
面に厚い透明絶縁層を形成する工程と、走査線と信号線
の端子電極形成位置上の前記厚い透明絶縁層に開口部を
形成する工程と、前記走査線上の開口部内の絶縁層を除
去して走査線を選択的に露出する工程と、前記厚い絶縁
層上で走査線上と信号線上とに格子状の対向電極と、前
記開口部を含んで走査線と信号線の端子電極とを１層以
上の第３の金属層で形成する工程とを含むことを特徴と
するものである。

【００２３】このように対向電極を厚い透明絶縁層を介
して走査線を信号線上とに格子状に配置することによ
り、対向電極の行方向への液晶セルの充放電電流の集中
を回避できるので、対向電極を細くすることができ、開
口率を向上できる。また、絵素電極と対向電極との間の
表示に寄与する領域が拡大されてさらに開口率を向上で
きる。また透明絶縁層への開口部形成を合理化できるた
め、従来の製造方法に比較して製造工程が長くなる欠点
を補える。

【００２４】以下本発明の実施形態について図１〜図４
を参照しながら説明する。なお、便宜上従来例と同一ま
たは相当する部位には同じ符号を付与する。 （実施の形態）図１は本発明の実施形態によるアクティ
ブ基板の単位絵素の平面配置図、図２、図３はその製造
工程図であり、図２（ａ）〜（ｃ）、図３（ａ），
（ｂ）は図１のＢ−Ｂ’線上の断面図、図３（ｃ）は図
１のＣ−Ｃ’線上の断面図を示す。本発明による液晶画
像表示装置用半導体装置は、従来とほぼ同一の製造工程
を経て作製されるが、製造工程が増加しないよう一部製
造工程が合理化されており、図２、図３に示した図１の
Ｂ−Ｂ’線上の断面図を参照しながら製造工程の詳細に
ついて記述する。

【００２５】先ず、図２（ａ）に示したようにガラス基
板２の一主面上に、例えばＳＰＴなどの真空製膜装置を
用いて膜厚 0.2 μｍ程度の第１の金属層例えば、Ｃ
ｒ薄膜を被着し微細加工技術により走査線も兼ねるゲー
ト電極８と蓄積電極２０とを選択的に形成する。

【００２６】次に、図２（ｂ）に示したようにガラス基
板２の全面にＰＣＶＤ装置を用いてゲート絶縁層となる
第１のシリコン窒化層（ＳｉＮｘ）１３、不純物をほと
んど含まず絶縁ゲート型トランジスタのチャネルとなる
第１の非晶質シリコン層（ａ−Ｓｉ）１４および第２の
シリコン窒化層１５の３種類の薄膜層を、例えば膜厚0.
3-0.05-0.1 μｍで順次被着し、微細加工技術によりゲ
ート電極８上の第２のシリコン窒化層を選択的に残して
１５’とし、第１の非晶質シリコン層１４を露出する。

【００２７】次に、図２（ｃ）に示したように同じくＰ
ＣＶＤ装置を用いて全面に不純物として、例えば燐を含
む第２の非晶質シリコン層１６を例えば 0.05 μｍの
膜厚で被着する。ここまでは、従来例と全く同一の製造
工程である。

【００２８】次なる工程では従来例と異なり、信号線と
ドレイン電極の形成がなされる。そのためには図３
（ａ）に示したように、ＳＰＴなどの真空製膜装置を用
いて膜厚0.3 μｍ程度の第２の金属層として例えばＡ
Ｌ薄膜を被着し、微細加工技術により信号線（ソース配
線）７とドレイン電極１７とを選択的に形成する。この
時には、ＡＬ薄膜および前記電極を形成するために用い
られた感光性樹脂パターンをマスクとして第２と第１の
非晶質シリコン層１６，１４をも除去して第１のシリコ
ン窒化層１３を露出させる。

【００２９】なお、第２の金属層を１層以上とする理由
は、ひとつには薄膜トランジスタの耐熱性を高めるため
にバリア金属層を介在させる結果、信号線の低抵抗のた
めにはバリア金属層＋Ａｌ層で２層構成になることが挙
げられる。ふたつには図４（ｂ）にも示したように開口
部２３内で露出している信号線７の表面が、ゲート絶縁
層１３の除去時に不要な反応で除去または変質されない
ように適当な金属でカバーする結果、信号線７としては
バリア金属層＋Ａｌ層＋適当な金属層という３層構成に
なりうるからである。

【００３０】そして図３（ｂ）と図４（ａ），（ｂ）に
示したように全面に透明性の高い絶縁層２１を厚く、例
えば２〜３μｍ程度被着し、画像表示部外の領域で走査
線８と信号線７の端子電極を形成する位置に開口部２
２，２３を形成して信号線７を一部露出する。この時に
透明絶縁層２１に感光性（例えば日本合成ゴム製の商品
名オプトマー：ＰＣ３０２）のものを用いれば写真食刻
工程の合理化が出来ることは言うまでもない。さらに開
口部２２内のゲート絶縁層１３を選択的に除去して走査
線８を部分的に露出した後、第３の金属層として例えば
膜厚 0.3 μｍ程度のＡＬ薄膜を被着し、微細加工技
術により開口部２２，２３を含んで走査線８の端子電極
２４と信号線７の端子電極５と、走査線８上と信号線７
上とに格子状の対向電極１１’を形成して本発明の実施
形態による画像表示装置用半導体装置が完成する。

【００３１】図４は画像表示部外に形成される端子電極
の平面図とそのＤ−Ｄ’，Ｅ−Ｅ’線上の断面図を示し
たもので、図４（ａ）は走査線８側の端子電極２４、図
４（ｂ）は信号線７側の端子電極５に対応している。

【００３２】なお、絶縁層２１をこのように厚く被着す
る必然性は、対向電極１１’が絶縁層２１を介して走査
線８や信号線７と形成する静電容量を無視できるだけ小
さくしたいためで、なぜならこれらの静電容量は全て走
査線８や信号線７の負荷容量を増大させて、結局は駆動
回路の消費電力を増大させるからである。ちなみに一般
的なシリコン窒化層を用いてこのように厚い膜厚の絶縁
層を形成することは、製膜に要する時間、膜内部に発生
する内部応力などの観点からは実用に耐えられず、上記
したように塗布・硬化型の樹脂が最適と思われる。

【００３３】対向電極１１’の形成に当たり、絶縁ゲー
ト型トランジスタ９上にも対向電極１１’を延長して形
成すると光シールド機能が付与されることは言うまでも
ないだろう。また対向電極１１’を反射率の低い金属、
例えばＣｒ，Ｔｉ，Ｍｏなどで形成または積層化すると
これらの電極からの反射光が低減して表示画像のコント
ラスト比が向上することも明かであり、従来のカラーフ
ィルタで用いられたＢＭ（ブラック・マトリス）機能を
アクティブ基板２上に形成することも可能となる。

【００３４】従来の製造方法では、ゲート絶縁層である
第１のシリコン窒化層１３に開口部を形成して走査線の
端子電極を形成するとともに、パシベーション絶縁層で
ある第３のシリコン窒化層１８に開口部を形成して走査
線と信号線の端子電極を露出させていた。すなわち２回
の開口部形成工程が必要であったが、本発明の実施形態
による製造方法では製造工程の増加を回避するため、走
査線８への端子電極２４の形成に当たり、厚い透明絶縁
層２１に形成された開口部２２を形成し、開口部２２内
のゲート絶縁層である第１のシリコン窒化層１３を除去
してから第３の金属層で走査線８の端子電極２４と信号
線７の端子電極５とを形成することにより、絶縁層への
開口部形成は１回で済ませることが可能である。

【００３５】なお、図４において詳細は省略するが、走
査線８の端子電極２４と信号線７の端子電極５とを独立
させず細いパターン２５で接続しておけば、走査線８と
信号線７とが短絡されるので、液晶セル化工程での静電
気対策となることは言うまでもないだろう。

【００３６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によるＩＰ
Ｓ型の液晶画像表示装置においては、対向電極の行方向
への液晶セルの充放電電流の集中を回避するため、対向
電極を厚い絶縁層を介して走査線と信号線上とに格子状
に形成している。このため、液晶セルの充放電電流は周
囲方向に分散して対向電極の抵抗値は著しく低下したの
と等価の効果があり、単位絵素間で対向電極を接続する
対向電極のパターン幅を細くすることができて開口率が
向上する。

【００３７】また、厚い絶縁層を介して対向電極を走査
線上と信号線上とに配置することで絵素電極と対向電極
との間の表示に寄与する領域が拡大され、やはり開口率
が向上する。

【００３８】加えて、厚い絶縁層に平坦性が付加される
と、厚く平坦な絶縁層上に対向電極が存在するため、配
向膜の配向処理が均一化され易くコントラスト比が向上
する効果も期待できる。

【００３９】金属よりなる対向電極を付加するため、従
来の製造方法に比較して製造工程が長くなる欠点は絶縁
層への開口部形成を合理化することで補われており、工
業的にも価値のある発明と言える。

【００４０】以上の説明からも明らかなように、厚い絶
縁層の導入に関わるデバイス構造と製造方法が発明の主
眼点であり、配線材料の差異は何等本発明の制約を受け
ず、走査線や信号線の材料や構成あるいは積層化に関し
ても、また蓄積容量の有無や構成に関しても全く同様に
本発明の制約を受けないことは明白であろう。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態によるアクティブ基板の単位
絵素の平面図

【図２】本発明の実施形態による製造工程断面図で、図
１のＢ−Ｂ’線上の断面図

【図３】図２に続く製造工程断面図で、図１のＢ−Ｂ’
およびＣ−Ｃ’線上の断面図

【図４】本発明の実施形態によるアクティブ基板の端子
電極部の平面図および断面図

【図５】液晶パネルの斜視図

【図６】アクティブ型液晶画像表示装置の等価回路図

【図７】従来方式のＴＮ液晶セルの視野角依存性を説明
する概念図

【図８】ＩＰＳ方式のＴＮ液晶セルの視野角依存性を説
明する基本原理図

【図９】従来のＩＰＳ方式によるアクティブ基板の単位
絵素の平面図

【図１０】図９のＡ−Ａ’線上の工程断面図

【符号の説明】

１ 液晶パネル ２ （アクティブ）ガラス基板 ３ 半導体チップ ４ フィルムキャリア ５ 信号線の端子電極 ６ 対向ガラス基板（カラーフィルタ） ７ 信号線（ソース配線） ８ 走査線（ゲート電極） ９ 絶縁ゲート型トランジスタ １０ 液晶セル １１，１１’ 対向電極 １２ 液晶セル １３ 第１のシリコン窒化層（ゲート絶縁層） １４ 第１の非晶質シリコン層 １５ 第２のシリコン窒化層（エッチング・ストッパ） １６ （不純物を含む）第２の非晶質シリコン層 １７，１７’ ドレイン（絵素）電極 １８ 第３のシリコン窒化層（パシベーション絶縁層） ２０ 蓄積電極 ２１ 厚い透明絶縁層 ２２ 走査線への接続のための開口部 ２３ 信号線への接続のための開口部 ２４ 走査線の端子電極 ２５ 静電気対策の短絡線

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一主面上に絶縁ゲート型トランジスタ
   と、前記絶縁ゲート型トランジスタのドレインに接続さ
   れた絵素電極と、前記絵素電極とは所定の距離を隔てて
   形成された対向電極とを少なくとも各々１個は有する単
   位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性
   絶縁基板と、第２の透明性絶縁基板またはカラーフィル
   タとの間に液晶を充填してなる液晶画像表示装置におい
   て、前記第１の透明性絶縁基板上に形成された厚い透明
   絶縁層を介して前記走査線上と前記信号線上とに格子状
   の対向電極が形成されるとともに、走査線と信号線の端
   子電極形成位置上の前記厚い透明絶縁層に形成された開
   口部を含んで走査線と信号線の端子電極が前記対向電極
   と同一工程で形成されてなることを特徴とする液晶画像
   表示装置。
2. 【請求項２】 透明性絶縁基板上に、１層以上の第１の
   金属層よりなる絶縁ゲート型トランジスタのゲートを兼
   ねる走査線を形成する工程と、少なくともゲート絶縁層
   とチャネルとなる半導体層とソース・ドレインとなる不
   純物を含む半導体層とを形成する工程と、１層以上の第
   ２の金属層よりなる信号（ソース）線とドレイン電極と
   を形成する工程と、全面に厚い透明絶縁層を形成する工
   程と、走査線と信号線の端子電極形成位置上の前記厚い
   透明絶縁層に開口部を形成する工程と、前記走査線上の
   開口部内の絶縁層を除去して走査線を選択的に露出する
   工程と、前記厚い絶縁層上で走査線上と信号線上とに格
   子状の対向電極と、前記開口部を含んで走査線と信号線
   の端子電極とを１層以上の第３の金属層で形成する工程
   とを含む画像表示用半導体装置の製造方法。