JPH11285541A - 健康維持用具及びその製造方法 - Google Patents
健康維持用具及びその製造方法Info
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- JPH11285541A JPH11285541A JP8685498A JP8685498A JPH11285541A JP H11285541 A JPH11285541 A JP H11285541A JP 8685498 A JP8685498 A JP 8685498A JP 8685498 A JP8685498 A JP 8685498A JP H11285541 A JPH11285541 A JP H11285541A
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- titanium oxide
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- sintered body
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Abstract
(57)【要約】
【課題】従来の半導体系の健康維持用具に比べ、より改
善された健康維持用具を提供する。 【解決手段】酸化チタンの部分還元焼結体の表面に半導
体膜が積層形成されてなる。半導体膜はｐ型半導体膜が
好ましく、通常シリコン系又はゲルマニウム系が使用さ
れる。酸化チタンの部分還元焼結体はＴｉＯ2-X式で表
され、かつ０＜Ｘ＜０．５であることが好ましく、半導
体薄膜の膜厚は１ｎｍ〜５００ｎｍであることが好まし
い。製造は、酸化チタン粉末にバインダを加えて加圧成
型し、それを真空雰囲気、不活性雰囲気又は還元性雰囲
気中において５００〜１１００℃で焼成した後、得られ
た酸化チタンの部分還元焼結体表面にｐ型半導体膜を形
成することにより行う。
善された健康維持用具を提供する。 【解決手段】酸化チタンの部分還元焼結体の表面に半導
体膜が積層形成されてなる。半導体膜はｐ型半導体膜が
好ましく、通常シリコン系又はゲルマニウム系が使用さ
れる。酸化チタンの部分還元焼結体はＴｉＯ2-X式で表
され、かつ０＜Ｘ＜０．５であることが好ましく、半導
体薄膜の膜厚は１ｎｍ〜５００ｎｍであることが好まし
い。製造は、酸化チタン粉末にバインダを加えて加圧成
型し、それを真空雰囲気、不活性雰囲気又は還元性雰囲
気中において５００〜１１００℃で焼成した後、得られ
た酸化チタンの部分還元焼結体表面にｐ型半導体膜を形
成することにより行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、健康維持用具に係
り、特に改善された酸化チタン系の健康維持用具に関す
るものである。
り、特に改善された酸化チタン系の健康維持用具に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】本発明
者は、前に基材の強誘電体の表面にｎ型半導体膜とｐ型
半導体膜を重ねてコーティングした複合治療器を開発
（特開平８−１０３３９号公報）したが、その製造は工
程数が多く、手間がかかりコスト高となっていた。本発
明者はさらに研究を進めた結果、基材に部分還元酸化チ
タン焼結体を採用すると治療効果の健康維持用具を完成
できることを見いだした。酸化チタンは通常ＴｉＯ２の
分子式をもち、禁制帯巾（バンドギャップ）３．０еＶ
の白色固体であるが、この酸化チタンを真空中で５００
〜１１００℃、又は、水素気流中で５００〜１１００℃
に加熱するか、あるいは酸化チタンに少量の炭素化合物
を混合して成型したものを真空中で５００〜１１００℃
に加熱すると、酸化チタンの酸素が部分的に失われて灰
色〜黒色となり、ＴｉＯ2-X式で表される（ただし、０
＜Ｘ＜０．５）チタンの低次酸化物となる。これは酸素
チタンの電子構造に変化を来して酸素の欠陥順位が生
じ、可視光線の吸収が起こり黒色になるためと推察され
る。なお、一般に酸化チタンは遠赤外線の放射効率が高
い物質であるが、黒体輻射の理論から黒色の部分還元酸
化チタンは遠赤外線放射効率が更に高くなるものと考え
られる。
者は、前に基材の強誘電体の表面にｎ型半導体膜とｐ型
半導体膜を重ねてコーティングした複合治療器を開発
（特開平８−１０３３９号公報）したが、その製造は工
程数が多く、手間がかかりコスト高となっていた。本発
明者はさらに研究を進めた結果、基材に部分還元酸化チ
タン焼結体を採用すると治療効果の健康維持用具を完成
できることを見いだした。酸化チタンは通常ＴｉＯ２の
分子式をもち、禁制帯巾（バンドギャップ）３．０еＶ
の白色固体であるが、この酸化チタンを真空中で５００
〜１１００℃、又は、水素気流中で５００〜１１００℃
に加熱するか、あるいは酸化チタンに少量の炭素化合物
を混合して成型したものを真空中で５００〜１１００℃
に加熱すると、酸化チタンの酸素が部分的に失われて灰
色〜黒色となり、ＴｉＯ2-X式で表される（ただし、０
＜Ｘ＜０．５）チタンの低次酸化物となる。これは酸素
チタンの電子構造に変化を来して酸素の欠陥順位が生
じ、可視光線の吸収が起こり黒色になるためと推察され
る。なお、一般に酸化チタンは遠赤外線の放射効率が高
い物質であるが、黒体輻射の理論から黒色の部分還元酸
化チタンは遠赤外線放射効率が更に高くなるものと考え
られる。
【０００３】
【課題を解決するための手段】本発明は上記従来技術の
課題を、上記新知見に基づいて解決するもので、下記構
成の発明である。 （１）酸化チタンの部分還元焼結体の表面に半導体膜が
積層形成されてなることを特徴とする健康維持用具。 （２）酸化チタンの部分還元焼結体の表面にｐ型半導体
膜が積層形成されてなることを特徴とする健康維持用
具。 （３）半導体が、シリコン又はゲルマニウムのうちの１
種であることを特徴とする前記（１）項又は（２）項記
載の健康維持用具。 （４）酸化チタンの部分還元焼結体がＴｉＯ2-X式で表
され、かつ０＜Ｘ＜０．５であるチタン低次酸化物焼結
体であることを特徴とする（１）項〜（３）項のいずれ
か１項に記載の健康維持用具。 （５）半導体薄膜の膜厚が１ｎｍ〜５００ｎｍであるこ
とを特徴とする（１）項〜（４）項のいずれか１項に記
載の健康維持用具。 （６）酸化チタン粉末にバインダを加えて加圧成型し、
それを真空雰囲気、不活性雰囲気又は還元性雰囲気中に
おいて５００〜１１００℃で焼成した後、得られた酸化
チタンの部分還元焼結体表面にｐ型半導体膜を形成する
ことを特徴とする健康維持用具の製造方法。 （７）酸化チタン粉末に、焼成時に還元作用を発揮する
バインダを加えて加圧成型し、それを焼成した後、得ら
れた酸化チタンの部分還元焼結体表面にｐ型半導体膜を
形成することを特徴とする医療用具の製造方法。 （８）バインダが、ワニス類、澱粉類又はポリビニルア
ルコールから選ばれるいずれか１種又は２種以上である
ことを特徴とする（６）項又は（７）項に記載の健康維
持用具の製造方法。 （９）得られた酸化チタンの部分還元焼結体が、ＴｉＯ
2-X式で表され、かつ０＜Ｘ＜０．５であるチタン低次
酸化物であることを特徴とする（６）項〜（８）項のい
ずれか１項に記載の健康維持用具の製造方法。
課題を、上記新知見に基づいて解決するもので、下記構
成の発明である。 （１）酸化チタンの部分還元焼結体の表面に半導体膜が
積層形成されてなることを特徴とする健康維持用具。 （２）酸化チタンの部分還元焼結体の表面にｐ型半導体
膜が積層形成されてなることを特徴とする健康維持用
具。 （３）半導体が、シリコン又はゲルマニウムのうちの１
種であることを特徴とする前記（１）項又は（２）項記
載の健康維持用具。 （４）酸化チタンの部分還元焼結体がＴｉＯ2-X式で表
され、かつ０＜Ｘ＜０．５であるチタン低次酸化物焼結
体であることを特徴とする（１）項〜（３）項のいずれ
か１項に記載の健康維持用具。 （５）半導体薄膜の膜厚が１ｎｍ〜５００ｎｍであるこ
とを特徴とする（１）項〜（４）項のいずれか１項に記
載の健康維持用具。 （６）酸化チタン粉末にバインダを加えて加圧成型し、
それを真空雰囲気、不活性雰囲気又は還元性雰囲気中に
おいて５００〜１１００℃で焼成した後、得られた酸化
チタンの部分還元焼結体表面にｐ型半導体膜を形成する
ことを特徴とする健康維持用具の製造方法。 （７）酸化チタン粉末に、焼成時に還元作用を発揮する
バインダを加えて加圧成型し、それを焼成した後、得ら
れた酸化チタンの部分還元焼結体表面にｐ型半導体膜を
形成することを特徴とする医療用具の製造方法。 （８）バインダが、ワニス類、澱粉類又はポリビニルア
ルコールから選ばれるいずれか１種又は２種以上である
ことを特徴とする（６）項又は（７）項に記載の健康維
持用具の製造方法。 （９）得られた酸化チタンの部分還元焼結体が、ＴｉＯ
2-X式で表され、かつ０＜Ｘ＜０．５であるチタン低次
酸化物であることを特徴とする（６）項〜（８）項のい
ずれか１項に記載の健康維持用具の製造方法。
【０００４】
【発明の実施の形態】本発明で使用される部分還元酸化
チタンの製造は、例えば、粉末酸化チタン（ＴｉＯ２：
ルチル型又はアナターゼ型）を、真空中又は不活性雰囲
気中であるいは還元性雰囲気中で５００〜１１００℃に
加熱することによって実施できる。好ましくは、６００
〜９００℃に加熱する。不活性雰囲気としては、窒素ガ
ス雰囲気、アルゴンガス雰囲気等であり、また還元性雰
囲気としては、水素ガス雰囲気、一酸化炭素ガス雰囲気
等がある。本発明に係る酸化チタンの部分還元焼結体
は、以上によって得られた部分還元焼結体粉末を加圧成
形しても得られ、また加圧成形後、加熱して再焼結して
も得られる。また、酸化チタン粉末にバインダを加えて
加圧成型したものを、上記雰囲気中で加熱処理すること
によっても部分還元焼結体が得られる。バインダとして
は、ワニス類、澱粉類又はポリビニルアルコール等が使
用できる。それら酸化チタンの加熱温度及び加熱時間の
程度によって、生成するＴｉＯ2- X式で表される部分還
元酸化チタンのＸが０＜Ｘ＜０．５に変化する。また、
酸化チタンの色調も白色〜灰色〜黒色に変化する。な
お、上記における真空度は、１０−２〜１０−６ｍｍＨ
ｇが好ましい。
チタンの製造は、例えば、粉末酸化チタン（ＴｉＯ２：
ルチル型又はアナターゼ型）を、真空中又は不活性雰囲
気中であるいは還元性雰囲気中で５００〜１１００℃に
加熱することによって実施できる。好ましくは、６００
〜９００℃に加熱する。不活性雰囲気としては、窒素ガ
ス雰囲気、アルゴンガス雰囲気等であり、また還元性雰
囲気としては、水素ガス雰囲気、一酸化炭素ガス雰囲気
等がある。本発明に係る酸化チタンの部分還元焼結体
は、以上によって得られた部分還元焼結体粉末を加圧成
形しても得られ、また加圧成形後、加熱して再焼結して
も得られる。また、酸化チタン粉末にバインダを加えて
加圧成型したものを、上記雰囲気中で加熱処理すること
によっても部分還元焼結体が得られる。バインダとして
は、ワニス類、澱粉類又はポリビニルアルコール等が使
用できる。それら酸化チタンの加熱温度及び加熱時間の
程度によって、生成するＴｉＯ2- X式で表される部分還
元酸化チタンのＸが０＜Ｘ＜０．５に変化する。また、
酸化チタンの色調も白色〜灰色〜黒色に変化する。な
お、上記における真空度は、１０−２〜１０−６ｍｍＨ
ｇが好ましい。
【０００５】通常、酸化チタン（ＴｉＯ２）は、禁制帯
巾、３．０ｅＶの化合物であるが、これは部分還元して
行くと結合している酸素が徐々に離れて行き、酸素の欠
陥準位が発生して、光が吸収され、黒色となる。また、
酸化チタンは遠赤外線放射効率が高いが、酸化チタンが
部分還元されると遠赤外線放射の波長領域が広くなる。
一方、身体の各臓器に有効に働く波長領域は各種臓器に
よって異なると考えられので、単純なＴｉＯ２よりも部
分還元されたＴｉＯ２-X（０＜Ｘ＜０．５）の方が幅広
い波長領域に対応でき、有効率が高くなると推測され
る。しかし、還元が進み、Ｔｉ２Ｏ3の結晶組成になる
と構造も変わり、禁制帯巾は一定となり、身体に対する
有効性も落ちてくる。したがって、本発明は、ＴｉＯ
２-X（０＜Ｘ＜０．５）の部分還元酸化チタンに、ｐ型
シリコン薄膜又はｐ型ゲルマニウム薄膜をコーティング
した、巾広い各種臓器に有効に働く健康維持用具を提供
するものである。
巾、３．０ｅＶの化合物であるが、これは部分還元して
行くと結合している酸素が徐々に離れて行き、酸素の欠
陥準位が発生して、光が吸収され、黒色となる。また、
酸化チタンは遠赤外線放射効率が高いが、酸化チタンが
部分還元されると遠赤外線放射の波長領域が広くなる。
一方、身体の各臓器に有効に働く波長領域は各種臓器に
よって異なると考えられので、単純なＴｉＯ２よりも部
分還元されたＴｉＯ２-X（０＜Ｘ＜０．５）の方が幅広
い波長領域に対応でき、有効率が高くなると推測され
る。しかし、還元が進み、Ｔｉ２Ｏ3の結晶組成になる
と構造も変わり、禁制帯巾は一定となり、身体に対する
有効性も落ちてくる。したがって、本発明は、ＴｉＯ
２-X（０＜Ｘ＜０．５）の部分還元酸化チタンに、ｐ型
シリコン薄膜又はｐ型ゲルマニウム薄膜をコーティング
した、巾広い各種臓器に有効に働く健康維持用具を提供
するものである。
【０００６】前記部分還元酸化チタン焼結体表面へのシ
リコン系、ゲルマニウム系等のｐ型半導体薄膜のコーテ
ィングは、スパッタリング、ＣＶＤ，ＭＯＣＶＤ、塗布
等の方法で実施でき、その膜厚は１ｎｍ〜５００ｎｍが
好ましく、特に５０〜２００ｎｍが好ましい。膜厚が１
ｎｍ未満では波動放射による臓器患部の治癒効果が充分
でなく、また５００ｎｍを越えると半導体の波動放射に
よる治癒効果のみで、内部の前記部分還元酸化チタンに
よる広い波長領域の遠赤外線放射効果が外部に出にくく
なる。製品の形状については、図１に示すごとき（ａ）
円錐柱（上部円錐下部短円柱）、（ｂ）球面柱（上部半
球面下部短円柱）、（ｃ）円盤、（ｄ）球体、（ｅ）不
定形塊体等であってよい。
リコン系、ゲルマニウム系等のｐ型半導体薄膜のコーテ
ィングは、スパッタリング、ＣＶＤ，ＭＯＣＶＤ、塗布
等の方法で実施でき、その膜厚は１ｎｍ〜５００ｎｍが
好ましく、特に５０〜２００ｎｍが好ましい。膜厚が１
ｎｍ未満では波動放射による臓器患部の治癒効果が充分
でなく、また５００ｎｍを越えると半導体の波動放射に
よる治癒効果のみで、内部の前記部分還元酸化チタンに
よる広い波長領域の遠赤外線放射効果が外部に出にくく
なる。製品の形状については、図１に示すごとき（ａ）
円錐柱（上部円錐下部短円柱）、（ｂ）球面柱（上部半
球面下部短円柱）、（ｃ）円盤、（ｄ）球体、（ｅ）不
定形塊体等であってよい。
【０００７】
【実施例】実施例１：市販の酸化チタン（ＴｉＯ２）
（平均粒径０．６μｍのルチル型：古河機械金属社製）
粉末にバイダとしてのシリコンワニス２％を加え、良く
撹拌した後、型枠に入れて約１，０００ｋｇｆ／ｃｍ２
の圧力でプレス成形し、図１（ａ）にその外観斜視図を
示す、直径６ｍｍ、高さ３ｍｍ（円柱高さ２ｍｍ）の円
錐柱（上部円錐下部短円柱）の成型体を得た。この成型
体を真空中で１０００℃、２時間加熱焼結したところ、
黒色の部分還元酸化チタン（ＴｉＯ1.91）焼結体が得ら
れた。この黒色の部分還元酸化チタン焼結体にｐ型半導
体シリコン膜（厚さ１００ｎｍ）をコーティングし、そ
れの各種臓器等に対する微弱磁気波動を測定したとこ
ろ、表１に示す結果が得られた。
（平均粒径０．６μｍのルチル型：古河機械金属社製）
粉末にバイダとしてのシリコンワニス２％を加え、良く
撹拌した後、型枠に入れて約１，０００ｋｇｆ／ｃｍ２
の圧力でプレス成形し、図１（ａ）にその外観斜視図を
示す、直径６ｍｍ、高さ３ｍｍ（円柱高さ２ｍｍ）の円
錐柱（上部円錐下部短円柱）の成型体を得た。この成型
体を真空中で１０００℃、２時間加熱焼結したところ、
黒色の部分還元酸化チタン（ＴｉＯ1.91）焼結体が得ら
れた。この黒色の部分還元酸化チタン焼結体にｐ型半導
体シリコン膜（厚さ１００ｎｍ）をコーティングし、そ
れの各種臓器等に対する微弱磁気波動を測定したとこ
ろ、表１に示す結果が得られた。
【０００８】
【表１】
【０００９】比較例１：市販の酸化チタン（ＴｉＯ２）
（平均粒径０．６μｍのルチル型：古河機械金属社製）
粉末にバイダとしてのシリコンワニス２％を加え、良く
撹拌した後、型枠に入れて約１，０００ｋｇｆ／ｃｍ２
の圧力でプレス成形し、実施例１に記載のものと同じ図
１（ａ）図示の円錐柱の成型体を得た。この成型体を空
気中で１０００℃、２時間加熱して焼結したところ、白
色の酸化チタン（ＴｉＯ２）焼結体が得られた。この白
色の酸化チタン焼結体に硼素２００ａｔ．ｐｐｍドープ
のｐ型半導体シリコン膜（厚さ１００ｎｍ）をコーティ
ングし、それの各種臓器等に対する微弱磁気波動を測定
したところ、表１に示す結果が得られた。
（平均粒径０．６μｍのルチル型：古河機械金属社製）
粉末にバイダとしてのシリコンワニス２％を加え、良く
撹拌した後、型枠に入れて約１，０００ｋｇｆ／ｃｍ２
の圧力でプレス成形し、実施例１に記載のものと同じ図
１（ａ）図示の円錐柱の成型体を得た。この成型体を空
気中で１０００℃、２時間加熱して焼結したところ、白
色の酸化チタン（ＴｉＯ２）焼結体が得られた。この白
色の酸化チタン焼結体に硼素２００ａｔ．ｐｐｍドープ
のｐ型半導体シリコン膜（厚さ１００ｎｍ）をコーティ
ングし、それの各種臓器等に対する微弱磁気波動を測定
したところ、表１に示す結果が得られた。
【００１０】比較例２：酸化チタン（Ｔｉ２Ｏ3）微粉
末にバイダとしてのシリコンワニス２％を加え、良く撹
拌した後、型枠に入れて約１，０００ｋｇｆ／ｃｍ２の
圧力でプレス成形し、実施例１に記載のものと同じ図１
（ａ）図１の円錐柱の成型体を得た。この成型体を窒素
雰囲気中で１０００℃、２時間加熱して焼結したとこ
ろ、灰色の酸化チタン（Ｔｉ２Ｏ3）焼結体が得られ
た。この灰色の酸化チタン焼結体にｐ型半導体シリコン
膜（厚さ１００ｎｍ）をコーティングし、それの各種臓
器等に対する微弱磁気波動を測定したところ、表１に示
す結果が得られた。
末にバイダとしてのシリコンワニス２％を加え、良く撹
拌した後、型枠に入れて約１，０００ｋｇｆ／ｃｍ２の
圧力でプレス成形し、実施例１に記載のものと同じ図１
（ａ）図１の円錐柱の成型体を得た。この成型体を窒素
雰囲気中で１０００℃、２時間加熱して焼結したとこ
ろ、灰色の酸化チタン（Ｔｉ２Ｏ3）焼結体が得られ
た。この灰色の酸化チタン焼結体にｐ型半導体シリコン
膜（厚さ１００ｎｍ）をコーティングし、それの各種臓
器等に対する微弱磁気波動を測定したところ、表１に示
す結果が得られた。
【００１１】実施例２：市販の酸化チタン（ＴｉＯ２）
（平均粒径０．６μｍのルチル型：古河機械金属社製）
粉末にバイダとしてのシリコンワニス３％を加え、良く
撹拌した後、型枠に入れて約６００ｋｇｆ／ｃｍ２の圧
力でプレス成形し、図１（ｂ）にその外観斜視図を示
す、直径８ｍｍ、高さ１．５ｍｍの円柱の上面に直径８
ｍｍ、高さ１．５ｍｍの半球体が形成されてなる半球面
柱（上部半球面下部短円柱）の成型体を得た。この成型
体を真空中で１０５０℃、２時間加熱焼結したところ、
黒色の部分還元酸化チタン（ＴｉＯ1.86）焼結体が得ら
れた。この黒色の部分還元酸化チタン焼結体にｐ型半導
体ゲルマニウム（アルミニウム１００ａｔ．ｐｐｍ含
有）をスパッタリング法で厚さ１００ｎｍにコーティン
グし、得られた製品の各種臓器等に対する微弱磁気波動
を測定したところ、表１に示す結果が得られた。
（平均粒径０．６μｍのルチル型：古河機械金属社製）
粉末にバイダとしてのシリコンワニス３％を加え、良く
撹拌した後、型枠に入れて約６００ｋｇｆ／ｃｍ２の圧
力でプレス成形し、図１（ｂ）にその外観斜視図を示
す、直径８ｍｍ、高さ１．５ｍｍの円柱の上面に直径８
ｍｍ、高さ１．５ｍｍの半球体が形成されてなる半球面
柱（上部半球面下部短円柱）の成型体を得た。この成型
体を真空中で１０５０℃、２時間加熱焼結したところ、
黒色の部分還元酸化チタン（ＴｉＯ1.86）焼結体が得ら
れた。この黒色の部分還元酸化チタン焼結体にｐ型半導
体ゲルマニウム（アルミニウム１００ａｔ．ｐｐｍ含
有）をスパッタリング法で厚さ１００ｎｍにコーティン
グし、得られた製品の各種臓器等に対する微弱磁気波動
を測定したところ、表１に示す結果が得られた。
【００１２】比較例３：実施例２で得られた図１（ｂ）
に示す黒色の部分還元酸化チタン（ＴｉＯ1.86）焼結体
のみからなるもの、すなわち実施例２において、ｐ型半
導体ゲルマニウム膜の無いもの、について、各種臓器等
に対する微弱磁気波動を測定し表２に結果を示した。
に示す黒色の部分還元酸化チタン（ＴｉＯ1.86）焼結体
のみからなるもの、すなわち実施例２において、ｐ型半
導体ゲルマニウム膜の無いもの、について、各種臓器等
に対する微弱磁気波動を測定し表２に結果を示した。
【００１３】
【表２】
【００１４】実施例３：市販の酸化チタン（ＴｉＯ２）
（平均粒径０．６μｍのルチル型：古河機械金属社製）
粉末にバイダとしてのシリコンワニス２％を加え、良く
撹拌した後、型枠に入れて約１，０００ｋｇｆ／ｃｍ２
の圧力でプレス成形し、実施例１に記載のものと同じ図
１（ａ）図示の円錐柱の成型体を得た。この成型体を真
空中で９００〜１１００℃、２時間加熱焼結したとこ
ろ、黒色の部分還元酸化チタン（ＴｉＯ1.85〜1.95）焼
結体が得られた。なお、このように部分還元酸化チタン
の還元状態に差があるのは加熱温度に差異があるのと同
一バッチで同時に還元されたものでないためである。こ
の黒色の部分還元酸化チタン焼結体にｐ型半導体シリコ
ン膜（厚さ１００ｎｍ±２０ｎｍ）をコーティングし、
それらを市販の絆創膏で経絡部及び患部（圧痛部位）に
円錐部を押当てるようにして貼付けた。それによる治療
結果を表３に示した。
（平均粒径０．６μｍのルチル型：古河機械金属社製）
粉末にバイダとしてのシリコンワニス２％を加え、良く
撹拌した後、型枠に入れて約１，０００ｋｇｆ／ｃｍ２
の圧力でプレス成形し、実施例１に記載のものと同じ図
１（ａ）図示の円錐柱の成型体を得た。この成型体を真
空中で９００〜１１００℃、２時間加熱焼結したとこ
ろ、黒色の部分還元酸化チタン（ＴｉＯ1.85〜1.95）焼
結体が得られた。なお、このように部分還元酸化チタン
の還元状態に差があるのは加熱温度に差異があるのと同
一バッチで同時に還元されたものでないためである。こ
の黒色の部分還元酸化チタン焼結体にｐ型半導体シリコ
ン膜（厚さ１００ｎｍ±２０ｎｍ）をコーティングし、
それらを市販の絆創膏で経絡部及び患部（圧痛部位）に
円錐部を押当てるようにして貼付けた。それによる治療
結果を表３に示した。
【００１５】
【表３】
【００１６】本実施例は一般人から選んだ各種年齢の男
女について、実際の治療例として行ったもので、４０人
のうち著効Ａが２４名、有効Ｂが９名、やや有効Ｃが５
名、無効が２名となった。著効と有効の合計は３３名
で、有効率８２．５％、さらに著効３点、有効２点、や
や有効１点、無効０点として加重方式で効果を積算し、
患者数で除した値を効果係数として算出すると、本実施
例では２．３８となり、実施例１，２の結果とほぼ同じ
結果を得た。
女について、実際の治療例として行ったもので、４０人
のうち著効Ａが２４名、有効Ｂが９名、やや有効Ｃが５
名、無効が２名となった。著効と有効の合計は３３名
で、有効率８２．５％、さらに著効３点、有効２点、や
や有効１点、無効０点として加重方式で効果を積算し、
患者数で除した値を効果係数として算出すると、本実施
例では２．３８となり、実施例１，２の結果とほぼ同じ
結果を得た。
【００１７】以上のごとく、本発明者らの実験によれ
ば、本発明に係る黒色の部分還元酸化チタン焼結体の還
元率については、ＴｉＯ２とＴｉ２Ｏ3の間が優良であ
ると認識されたので、ＴｉＯ2-xとした場合、０＜ｘ＜
０．５となる。また、ＴｉnＯ2n -1とした場合は、２．
０＜ｎ＜∝となる。
ば、本発明に係る黒色の部分還元酸化チタン焼結体の還
元率については、ＴｉＯ２とＴｉ２Ｏ3の間が優良であ
ると認識されたので、ＴｉＯ2-xとした場合、０＜ｘ＜
０．５となる。また、ＴｉnＯ2n -1とした場合は、２．
０＜ｎ＜∝となる。
【００１８】他の実験として、上記実施例１、比較例
１，２で得られた黒色部分還元酸化チタン焼結体及び白
色酸化チタン焼結体の表面に、スパッタリング法によっ
てｐ型アモルファスシリコンを蒸着した。このシリコン
を蒸着した黒色部分還元酸化チタン及び白色酸化チタン
焼結体を夫々痛む部分に貼付したところ、黒色の方が大
きい効果が認められた。しかし、表１に示すごとく、Ｔ
ｉ２Ｏ3（ＴｉＯ1.5）まで還元されると、比較例２に示
すごとく、効果が低下してくる。したがって、ＴｉＯ
2-xとした場合、０＜ｘ＜０．５であることが好まし
く、特にＸ＝０．０５〜０．３が最も望ましい結果とな
る。
１，２で得られた黒色部分還元酸化チタン焼結体及び白
色酸化チタン焼結体の表面に、スパッタリング法によっ
てｐ型アモルファスシリコンを蒸着した。このシリコン
を蒸着した黒色部分還元酸化チタン及び白色酸化チタン
焼結体を夫々痛む部分に貼付したところ、黒色の方が大
きい効果が認められた。しかし、表１に示すごとく、Ｔ
ｉ２Ｏ3（ＴｉＯ1.5）まで還元されると、比較例２に示
すごとく、効果が低下してくる。したがって、ＴｉＯ
2-xとした場合、０＜ｘ＜０．５であることが好まし
く、特にＸ＝０．０５〜０．３が最も望ましい結果とな
る。
【００１９】なお、上記の実施例１、比較例１〜２及び
他の実験においては、シリコン系半導体の代わりにゲル
マニウム系半導体を蒸着してもほぼ同じ効果が得られ
た。膜の厚さは１ｎｍ〜５００ｎｍが好ましく、膜厚が
１ｎｍ未満では効果が充分でなく、５００ｎｍを越える
と半導体の効果だけで、部分還元酸化チタンの効果が出
にくくなった。さらに、詳細な検討によると、対象とす
る身体の部位によっても異なるが、膜厚としては５０〜
２００ｎｍが特に望ましい結果となった。
他の実験においては、シリコン系半導体の代わりにゲル
マニウム系半導体を蒸着してもほぼ同じ効果が得られ
た。膜の厚さは１ｎｍ〜５００ｎｍが好ましく、膜厚が
１ｎｍ未満では効果が充分でなく、５００ｎｍを越える
と半導体の効果だけで、部分還元酸化チタンの効果が出
にくくなった。さらに、詳細な検討によると、対象とす
る身体の部位によっても異なるが、膜厚としては５０〜
２００ｎｍが特に望ましい結果となった。
【００２０】次に、肩こり患者２７名に対して試験を行
った。実施例１のものを適用した１５名中、１２名が著
効と有効であり、それらを合わせた有効率は８０％であ
った。他方、酸化チタン（ＴｉＯ２）にシリコン薄膜を
着けた比較例１のものを適用した１２名では、著効と有
効が８名で有効率６７％となった。さらに著効３点、有
効２点、やや有効１点、無効０点という加重方式で効果
を積算し、患者数で除した値を効果係数として算出する
と、実施例１のものによれば、２．２０、比較例１のも
のによれば１．８３となった。以上の結果を表４に示
す。
った。実施例１のものを適用した１５名中、１２名が著
効と有効であり、それらを合わせた有効率は８０％であ
った。他方、酸化チタン（ＴｉＯ２）にシリコン薄膜を
着けた比較例１のものを適用した１２名では、著効と有
効が８名で有効率６７％となった。さらに著効３点、有
効２点、やや有効１点、無効０点という加重方式で効果
を積算し、患者数で除した値を効果係数として算出する
と、実施例１のものによれば、２．２０、比較例１のも
のによれば１．８３となった。以上の結果を表４に示
す。
【００２１】
【表４】
【００２２】さらに、腰痛患者１２名に対して試験を行
った。実施例１のものを適用した６名では有効率８３％
であるのに対して、比較例１のものを適用した６名で
は、有効率６７％に留まった。さらに著効３点、有効２
点、やや有効１点、無効０点とした場合の効果係数は実
施例１による場合は２．１７、比較例１による場合は
１．８３となった。以上の結果を表５に示した。
った。実施例１のものを適用した６名では有効率８３％
であるのに対して、比較例１のものを適用した６名で
は、有効率６７％に留まった。さらに著効３点、有効２
点、やや有効１点、無効０点とした場合の効果係数は実
施例１による場合は２．１７、比較例１による場合は
１．８３となった。以上の結果を表５に示した。
【００２３】
【表５】
【００２４】以上の実施例等から本発明品は従来の酸化
チタン（ＴｉＯ２）にシリコン薄膜を着けた比較例品よ
りも更に有効であることが解った。
チタン（ＴｉＯ２）にシリコン薄膜を着けた比較例品よ
りも更に有効であることが解った。
【００２５】
【発明の効果】上記のとおり、本発明の健康維持用具
は、多大な微弱磁気波動を放射し、また広範囲波長領域
の遠赤外線放射性能を有しているため、身体の各臓器に
有効に働く健康維持用具となる。
は、多大な微弱磁気波動を放射し、また広範囲波長領域
の遠赤外線放射性能を有しているため、身体の各臓器に
有効に働く健康維持用具となる。
【図１】本発明の健康維持用具の各種形状図を示す。
Claims (9)
- 【請求項１】酸化チタンの部分還元焼結体の表面に半導
体膜が積層形成されてなることを特徴とする健康維持用
具。 - 【請求項２】酸化チタンの部分還元焼結体の表面にｐ型
半導体膜が積層形成されてなることを特徴とする健康維
持用具。 - 【請求項３】半導体が、シリコン系又はゲルマニウム系
のうちの１種であることを特徴とする請求項１又は２記
載の健康維持用具。 - 【請求項４】酸化チタンの部分還元焼結体がＴｉＯ2-X
式で表され、かつ０＜Ｘ＜０．５であるチタン低次酸化
物焼結体であることを特徴とする請求項１〜３のいずれ
か１項に記載の健康維持用具。 - 【請求項５】半導体薄膜の膜厚が１ｎｍ〜５００ｎｍで
あることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記
載の健康維持用具。 - 【請求項６】酸化チタン粉末にバインダを加えて加圧成
型し、それを真空雰囲気、不活性雰囲気又は還元性雰囲
気中において５００〜１１００℃で焼成した後、得られ
た酸化チタンの部分還元焼結体表面にｐ型半導体膜を形
成することを特徴とする健康維持用具の製造方法。 - 【請求項７】酸化チタン粉末に、焼成時に還元作用を発
揮するバインダを加えて加圧成型し、それを焼成した
後、得られた酸化チタンの部分還元焼結体表面にｐ型半
導体膜を形成することを特徴とする医療用具の製造方
法。 - 【請求項８】バインダが、ワニス類、澱粉類又はポリビ
ニルアルコールから選ばれるいずれか１種又は２種以上
であることを特徴とする請求項６又は７に記載の健康維
持用具の製造方法。 - 【請求項９】得られた酸化チタンの部分還元焼結体が、
ＴｉＯ2-X式で表され、かつ０＜Ｘ＜０．５であるチタ
ン低次酸化物であることを特徴とする請求項６〜８のい
ずれか１項に記載の健康維持用具の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8685498A JPH11285541A (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 健康維持用具及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8685498A JPH11285541A (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 健康維持用具及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11285541A true JPH11285541A (ja) | 1999-10-19 |
Family
ID=13898411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8685498A Withdrawn JPH11285541A (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 健康維持用具及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11285541A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030003184A (ko) * | 2002-12-03 | 2003-01-09 | 박칠석 | 산화 티타늄 반도체 박막 피복 세라믹스를 이용한 경혈접촉 요법 |
| DE102008053890A1 (de) | 2007-10-31 | 2009-05-07 | Phild Co., Ltd. | Schmerzlindernde Zusammensetzung |
| JP2009279388A (ja) * | 2008-04-22 | 2009-12-03 | Takehiko Oki | 貼着型健康増進用具 |
| JP2012005768A (ja) * | 2010-06-28 | 2012-01-12 | Nippon Germanium Kenkyusho:Kk | 健康器具 |
-
1998
- 1998-03-31 JP JP8685498A patent/JPH11285541A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030003184A (ko) * | 2002-12-03 | 2003-01-09 | 박칠석 | 산화 티타늄 반도체 박막 피복 세라믹스를 이용한 경혈접촉 요법 |
| DE102008053890A1 (de) | 2007-10-31 | 2009-05-07 | Phild Co., Ltd. | Schmerzlindernde Zusammensetzung |
| JP2009279388A (ja) * | 2008-04-22 | 2009-12-03 | Takehiko Oki | 貼着型健康増進用具 |
| JP2012005768A (ja) * | 2010-06-28 | 2012-01-12 | Nippon Germanium Kenkyusho:Kk | 健康器具 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050607 |