JPH1128667A - サンドブラスト用プラスチック研磨材およびそれを用いたプラズマディスプレイパネル基板のサンドブラスト加工法、並びにサンドブラスト廃材の処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、サンドブラスト用プラスチック研磨
材、特にバリアリブやプライミングリブを形成するサン
ドブラスト加工に使用するプラスチック研磨材、それを
用いたサンドブラスト加工法、並びにサンドブラスト廃
材の処理方法を提供すること。 【解決手段】有機溶媒または水／有機溶剤の混合液に可
溶で、平均粒径５〜１００μｍのプラスチック粒子から
なることを特徴とするサンドブラスト用プラスチック研
磨材、該サンドブラスト用プラスチック研磨材を用いた
プラズマディスプレイパネル基板のサンドブラスト加工
法、並びにサンドブラスト廃材の処理方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、サンドブラスト用プラ
スチック研磨材およびそれを用いたプラズマディスプレ
イパネル基板のサンドブラスト加工法、並びにサンドブ
ラスト加工で発生したサンドブラスト廃材の処理方法に
関し、さらに詳しくは、プラズマディスプレイパネルの
バリアリブ及び／またはプライミングリブ等からなるセ
ル構造またはライン構造を作成するためのサンドブラス
ト加工に使用するプラスチック研磨材およびそれを用い
たプラズマディスプレイパネル基板のサンドブラスト加
工法、並びに該サンドブラスト加工で発生したサンドブ
ラスト廃材の処理方法に関する。

【０００２】

【従来技術】従来、ガラス、大理石、プラスチック、陶
磁器、皮革、木質材等の基材の表面に図柄を形成する加
工方法としてサンドブラスト加工法が知られている。前
記加工法にあっては基材の表面にサンドブラストレジス
トを設け、レジストの露出部に研磨材等を吹き付けて選
択的に研削して図柄を形成している。特にサンドブラス
トレジストとして耐サンドブラスト性感光性樹脂を使用
し、ホトリソグラフィー手段によりサンドブラスト用マ
スクパターンを形成したのち、その露出部分に研磨材等
を吹き付けて加工する方法は微細加工ができるところか
ら金属パターンと絶縁パターンが混在する回路基板の形
成、特にプラズマディスプレイ（以下ＰＤＰという）の
金属配線パターンやセラミック、蛍光体等の絶縁パター
ンの形成に応用されている。

【０００３】ところで、ＰＤＰはガラスのような基材上
にバリアリブ及びプライミングリブからなるセル構造ま
たはライン構造を形成し、そのセル構造内またはライン
構造間に電極、蛍光体層を設け、さらに放電ガスを封入
した表示素子を形成して製造されている。前記セル構造
またはライン構造は、例えば特開平２−３０１９３４号
公報等にみるように低融点ガラスフリットなどの無機粉
末を主成分または成分としこれに適当なビヒクルを添加
した組成物を基板上に塗布、乾燥してペースト層とし、
その上に耐サンドブラスト性感光性樹脂組成物層を設け
たのち、リソグラフィー手段でセル画定用マスクパター
ンに形成し、それをマスクとしてサンドブラスト加工
し、耐サンドブラスト性感光性樹脂組成物層を剥離除去
し、次いで焼成することで形成されるが、そのサンドブ
ラスト加工では従来ガラスビーズ、ＳｉＣ、ＳｉＯ₂、
Ａｌ₂Ｏ₃、ＺｒＯ₂等の２〜５００μｍ程度の無機微粒
子の研磨材が使用されてきた。ところが、前記無機微粒
子の研磨材を使用すると、サンドブラスト加工時に研磨
材微粒子とともに、電極材、蛍光体成分、バリアリブ材
およびプライミングリブ材等の研削粉末が大量に発生
し、その分粒が困難なことからそのまま廃材として廃棄
し環境上大きな問題となっていた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】こうした現状に鑑み、
本発明者等は鋭意研究を続けた結果、特定なプラスチッ
ク粒子を研磨材として使用しサンドブラスト加工するこ
とで、良好なサンドブラスト性能が得られる上にサンド
ブラスト廃材中の研磨材が容易に除去でき、研削廃材の
再利用が可能な上に、サンドブラスト廃材の廃棄による
環境問題も回避できることを見出して、本発明を完成し
たものである。

【０００５】すなわち、本発明は、良好なサンドブラス
ト性能を有し、かつサンドブラスト廃材の再利用が可能
なサンドブラスト用プラスチック研磨材を提供すること
を目的とする。

【０００６】また、本発明は、上記サンドブラスト用プ
ラスチック研磨材を用いたＰＤＰ基板のサンドブラスト
加工法を提供することを目的とする。

【０００７】さらに、本発明は、サンドブラスト加工で
発生したサンドブラスト廃材の処理方法を提供すること
を目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、有機溶媒または水／有機溶剤の混合液に可溶で、
平均粒径５〜１００μｍのプラスチック粒子からなるサ
ンドブラスト用プラスチック研磨材および該サンドブラ
スト用プラスチック研磨材を用いたＰＤＰ基板のサンド
ブラスト加工法、並びにサンドブラスト廃材の処理方法
に係る。

【０００９】本発明のサンドブラスト用プラスチック研
磨材は上述のとおり有機溶媒または水／有機溶剤の混合
液に容易に溶解するが、無機粒子からなる研磨材と同等
のサンドブラスト性能を有する必要がある。かかる性能
を有するプラスチック粒子であれば特に限定するもので
はないが、好ましくはアクリロニトリル／塩素化ポリエ
チレン／スチレン樹脂などのプラスチック粒子がよい。
前記プラスチック粒子の粒径は被処理体の加工精度や厚
みにより適宜決められるが５〜１００μｍの範囲にある
ことが好ましい。前記範囲が５μｍ未満ではサンドブラ
スト加工に長時間を要し、また１００μｍを超えると微
細加工が困難となることがある。実用上は約１００μｍ
以下の粒径範囲のものを８０重量％以上含有するプラス
チック粒子が好ましい。前記プラスチック粒子を溶解す
る有機溶媒または水／有機溶剤の混合液としてはコス
ト、処理のし易さからケトン系溶剤、エステル系溶剤、
水／アルコール系溶剤が好ましい。具体的には、アセト
ン、メチルエチルケトン、酢酸エチル、水／メタノー
ル、水／エタノール、水／イソプロピルアルコールなど
の溶剤が挙げられる。前記プラスチック研磨材によるサ
ンドブラスト加工に当たっては切削性を向上させるため
前記粒径範囲で粒度の大きいプラスチック粒子で予め研
削しておき、仕上げとして粒度の小さいプラスチック粒
子を使用してもよい。このように本発明のプラスチック
研磨材は有機溶媒または水／有機溶剤の混合液に容易に
溶解するのでサンドブラスト加工後の廃材からバリアリ
ブ材及び／またはプライミングリブ材、電極材、蛍光体
等の無機成分の回収が容易で、しかも不純物の混入がな
いところから再利用が可能で、さらに廃材廃棄による環
境上の問題も起ることがない。

【００１０】本発明のサンドブラスト用プラスチック研
磨材を用いた具体的なサンドブラスト加工法の１例を以
下に示す。すなわち、（ｉ）ガラス等のＰＤＰ基板上に
無機粉末と適当なビヒクルとからなるペースト組成物を
スクリーン印刷法等により塗布、乾燥してペースト層を
形成する工程，（ｉｉ）前記ペースト層上に耐サンドブ
ラスト性感光性樹脂組成物溶液をアプリケーター、バー
コーター、ロールコーター、カーテンフローコーター等
を用いて塗布、乾燥して感光性樹脂層を形成する工程、
または（ｉｉｉ）前記ペースト層上にサンドブラスト用
下地材組成物層を設けたのち耐サンドブラスト性感光性
樹脂組成物層を形成する工程、（ｉｖ）形成された感光
性樹脂組成物層に所定のマスクパターンを備えたマスク
を密着させ、マスクパターンの上から活性光線を照射し
て露光、現像してサンドブラスト用マスクパターンを形
成する工程、（ｖ）サンドブラスト用マスクパターンを
介してプラスチック研磨材を吹き付け、露出している部
分を選択的に研削除去する工程。前記サンドブラスト加
工法において、サンドブラスト用下地材組成物層及び／
または耐サンドブラスト性感光性樹脂組成物層の形成を
ドライフィルムの貼り付けで形成してもよい。また、露
光を、マスクなしでアルゴンレーザー、ＹＡＧ−ＳＨＧ
レーザーなどにより直接描画してもよい。特にドライフ
ィルムの使用は位置合わせが容易であるところから精密
研削ができ好適である。

【００１１】上記ＰＤＰ基板上に塗布するペースト組成
物の無機粉末としては、具体的にホウ酸鉛ガラス、ホウ
酸亜鉛ガラスなどＳｉ、Ｂ、Ｐｂ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃ
ａ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ等の各種酸化物からなるガ
ラス類、酸化コバルト、酸化鉄、酸化クロム、酸化ニッ
ケル、酸化銅、酸化マンガン、酸化ネオジウム、酸化バ
ナジウム、酸化セリウム、チペークイエロー、酸化カド
ミウム、アルミナ、シリカ、マグネシア、スピネル、Ｙ
₂ＳｉＯ₅：Ｃｅ、ＣａＷＯ₄：Ｐｂ、ＢａＭｇＡｌ₁₄Ｏ
₂₃：Ｅｕ、ＺｎＳ：（Ａｇ，Ｃｄ）、Ｙ₂Ｏ₃：Ｅｕ、Ｙ
₂ＳｉＯ₅：Ｅｕ、Ｙ₃Ａｌ₅Ｏ₁₂：Ｅｕ、Ｚｎ₃（ＰＯ₄）
₂：Ｍｎ、ＹＢＯ₃：Ｅｕ、（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ₃：Ｅｕ、
ＧｄＢＯ₃：Ｅｕ、ＳｃＢＯ₃：Ｅｕ、ＬｕＢＯ₃：Ｅ
ｕ、Ｚｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎ、ＢａＡｌ₁₂Ｏ₁₉：Ｍｎ、Ｓｒ
Ａｌ₁₃Ｏ₁₉：Ｍｎ、ＣａＡｌ₁₂Ｏ₁₉：Ｍｎ、ＹＢＯ₃：
Ｔｂ、ＢａＭｇＡｌ₁₄Ｏ₂₃：Ｍｎ、ＬｕＢＯ₃：Ｔｂ、
ＧｄＢＯ₃：Ｔｂ、ＳｃＢＯ₃：Ｔｂ、Ｓｒ₆Ｓｉ₃Ｏ₃Ｃ
ｌ₄：Ｅｕ、ＺｎＯ：Ｚｎ、ＺｎＳ：（Ｃｕ，Ａｌ）、
ＺｎＳ：Ａｇ、Ｙ₂Ｏ₃Ｓ：Ｅｕ、ＺｎＳ：Ｚｎ、（Ｙ，
Ｃｄ）ＢＯ₃：Ｅｕ、ＢａＭｇＡｌ₁₂Ｏ₂₃：Ｅｕなどの
蛍光物質、鉄、ニッケル、銅、アルミニウム、銀、金な
どの導電性粒子が挙げられる。また、ビヒクルとして
は、セルロース、カルボキシメチルセルロース、ヒドロ
キシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロー
ス、メチルセルロース、エチルセルロース、エチルヒド
ロキシエチルセルロース、カルボキシメチルエチルセル
ロースや（メタ）アクリル酸エステル系重合物などの高
分子化合物が挙げられる。

【００１２】また、無機ペースト層上に塗布する耐サン
ドブラスト性感光性樹脂組成物としては、例えば、特開
平９−１２７６９２号公報に記載する少なくとも２個以
上のアクリロイル基又はメタクリロイル基を有する光重
合可能なウレタン（メタ）アクリレート化合物、酸価が
５０〜２５０ｍｇＫＯＨ／ｇのアルカリ可溶性高分子化
合物及び光重合開始剤、さらに必要に応じて有機溶剤に
可溶で光照射によりルイス酸を発生するルイス酸塩を含
有する感光性樹脂組成物が好適である。前記公報記載の
感光性樹脂組成物で形成した被膜は弾性、柔軟性が高
く、アルカリ現像性に優れている上に、被処理体への密
着性がよく、高い耐サンドブラスト性を示し、かつ静電
気が帯電しにくく放電、落雷が起ることがない。前記少
なくとも２個以上のアクリロイル基又はメタクリロイル
基を有する光重合可能なウレタン（メタ）アクリレート
化合物としては、ジオール化合物とジイソシアネート化
合物とが反応した末端イソシアネート基（−ＮＣＯ基）
を有する化合物と、ヒドロキシル基を有する（メタ）ア
クリレート化合物との反応生成物がよい。前記ジオール
化合物としては、末端に水酸基を有するポリエステル
類、ポリエーテル類等が挙げられるが、ポリエステル類
としては、ラクトン類が開環重合したポリエステル類、
ポリカーボネート類、エチレングリコール、プロピレン
グリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリ
コール、ジプロピレングリコール等のアルキレングリコ
ールと、マレイン酸、フマル酸、グルタル酸、アジピン
酸等のジカルボン酸との縮合反応で得られたポリエステ
ル類等が挙げられ、さらに、ポリエーテル類としては、
ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、
ポリテトラメチレングリコール、ポリペンタメチレング
リコール等を挙げることができる。また、ジオール化合
物と反応するジイソシアネート化合物としては、ジメチ
レンジイソシアネート、トリメチレンジイソシアネー
ト、テトラメチレンジイソシアネート、ペンタメチレン
ジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、
ヘプタメチレンジイソシアネート、２，２−ジメチルペ
ンタン−１，５−ジイソシアネート、オクタメチレンジ
イソシアネート、２，５−ジメチルヘキサン−１，６−
ジイソシアネート、２，２，４−トリメチルペンタン−
１，５−ジイソシアネート、ノナメチレンジイソシアネ
ート、２，２，４−トリメチルヘキサンジイソシアネー
ト、デカメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソ
シアネート等の脂肪族又は脂環式のジイソシアネート化
合物を挙げることができ、その化合物の単独又は２種以
上の混合物が使用できる。

【００１３】上記ヒドロキシル基を有する（メタ）アク
リレート化合物としては、ヒドロキシメチルアクリレー
ト、ヒドロキシメチルメタクリレート、２−ヒドロキシ
エチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレ
ート、３−ヒドロキシプロピルアクリレート、３−ヒド
ロキシプロピルメタクリレート、エチレングリコールモ
ノアクリレート、エチレングリコールモノメタクリレー
ト、グリセロールアクリレート、グリセロールメタクリ
レート、ジペンタエリトリトールモノアクリレート、ジ
ペンタエリトリトールモノメタクリレートを挙げること
ができ、その単独又は２種以上の混合物が使用できる。

【００１４】また、アルカリ可溶性高分子化合物として
はアクリル酸又はメタクリル酸の共重合体やカルボキシ
ル基含有セルロース樹脂等が好適である。前記アルカリ
可溶性高分子化合物の酸価は５０〜２５０ｍｇＫＯＨ／
ｇ、好ましくは８０〜２００ｍｇＫＯＨ／ｇの範囲がよ
い。酸価が５０ｍｇＫＯＨ／ｇ未満では現像不良を起こ
すことがあり、また、２５０ｍｇＫＯＨ／ｇを超える
と、柔軟性がなくなるとともに耐水性に劣るようにな
る。前記アクリル酸又はメタクリル酸の共重合体として
は、アクリル酸またはメタクリル酸／メチルアクリレー
ト、メチルメタクリレート、エチルアクリレートまたは
エチルメタクリレートの組み合わせが好ましく、特に好
ましくは前記組み合わせにさらに、ｎ−ブチルアクリレ
ートまたはｎ−ブチルメタクリレート／アクリロニトリ
ルまたはメタアクリロニトリルを組み合わせたものが挙
げられる。カルボキシル基含有セルロース樹脂として
は、ヒドロキシエチル・カルボキシメチルセルロース、
セルロースアセテートフタレート、ヒドロキシプロピル
メチルセルロースフタレートなどが好適であり、中でも
上記カルボキシ変性ウレタン（メタ）アクリレート化合
物との相容性がよく、ドライフィルムとしたときの被膜
形成能に優れ、アルカリ現像性も良好なことからセルロ
ースアセテートフタレート、ヒドロキシプロピルメチル
セルロースフタレートなどが好ましく用いられる。

【００１５】光重合開始剤としては、１−ヒドロキシシ
クロヘキシルフェニルケトン、２，２−ジメトキシ−
１，２−ジフェニルエタン−１−オン、２−メチル−１
−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノ
プロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミ
ノ−１−（４−モリフォリノフェニル）−ブタン−１−
オン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロ
パン−１−オン、２，４，６−トリメチルベンゾイルジ
フェニルホスフィンオキシド、１−［４−（２−ヒドロ
キシエトキシ）フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチ
ル−１−プロパン−１−オン、２，４−ジエチルチオキ
サントン、２−クロロチオキサントン、２，４−ジメチ
ルチオキサントン、３，３−ジメチル−４−メトキシベ
ンゾフェノン、ベンゾフェノン、１−クロロ−４−プロ
ポキシチオキサントン、１−（４−イソプロピルフェニ
ル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オ
ン、１−（４−ドデシルフェニル）−２−ヒドロキシ−
２−メチルプロパン−１−オン、４−ベンゾイル−４’
−メチルジメチルスルフィド、４−ジメチルアミノ安息
香酸、４−ジメチルアミノ安息香酸メチル、４−ジメチ
ルアミノ安息香酸エチル、４−ジメチルアミノ安息香酸
ブチル、４−ジメチルアミノ安息香酸−２−エチルヘキ
シル、４−ジメチルアミノ安息香酸−２−イソアミル、
２，２−ジエトキシアセトフェノン、ベンジルジメチル
ケタール、ベンジル−β−メトキシエチルアセタール、
１−フェニル−１，２−プロパンジオン−２−（ｏ−エ
トキシカルボニル）オキシム、ｏ−ベンゾイル安息香酸
メチル、ビス（４−ジメチルアミノフェニル）ケトン、
４，４’−ビスジエチルアミノベンゾフェノン、４，
４’−ジクロロベンゾフェノン、ベンジル、ベンゾイ
ン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエー
テル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾイン−
ｎ−ブチルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、
ベンゾインブチルエーテル、ｐ−ジメチルアミノアセト
フェノン、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルトリクロロアセトフェ
ノン、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルジクロロアセトフェノン、
チオキサントン、２−メチルチオキサントン、２−イソ
プロピルチオキサントン、ジベンゾスベロン、α，α−
ジクロロ−４−フェノキシアセトフェノン、ペンチル−
４−ジメチルアミノベンゾエート等を挙げることができ
る。前記化合物は単独でもまた２種以上を混合して用い
ることができる。

【００１６】上記に加えて、上記公報記載の感光性樹脂
組成物は感度を向上させ、現像時の膜減りや膨潤を防ぐ
ため光重合性単量体を含有することができるが、前記光
重合性単量体としては、アクリル酸、メタクリル酸、フ
マル酸、マレイン酸、フマル酸モノメチル、フマル酸モ
ノエチル、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒ
ドロキシエチルメタクリレート、エチレングリコールモ
ノメチルエーテルアクリレート、エチレングリコールモ
ノメチルエーテルメタクリレート等の単官能モノマー、
トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロ
ールプロパントリメタクリレート、テトラメチロールプ
ロパンテトラアクリレート、テトラメチロールプロパン
テトラメタクリレート、ペンタエリトリトールトリアク
リレート、ペンタエリトリトールトリメタクリレート、
ペンタエリトリトールテトラアクリレート、ペンタエリ
トリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリトリト
ールペンタアクリレート等の多官能モノマーを挙げるこ
とができる。これらの化合物の単独又は２種以上を混合
して使用できる。この他に被処理体に使用されている無
機粉末を含有させてもよい。

【００１７】上記耐サンドブラスト感光性樹脂組成物の
層の形成には該感光性樹脂組成物を任意の溶剤に溶解し
それをアプリケーター、バーコーター、ロールコータ
ー、カーテンフローコーター等の手段を用いてペースト
層の上に乾燥膜厚１０〜１００μｍとなるように塗布、
乾燥するか、または前記感光性組成物を支持フィルム上
に塗布し、その上に離型フィルムを配したドライフイル
ムとし、剥離フィルムを剥がし露出面をペースト層に貼
り付け押圧したのち支持フィルムを剥離するなどの方法
が挙げられる。前記耐サンドブラスト感光性樹脂組成物
層の形成に続いて耐サンドブラスト感光性樹脂組成物層
上に所定のマスクパターンを備えたマスクを密着し、そ
のマスクパターンの上から活性光線を照射し露光、現像
するか、またはネガマスクを介さずアルゴンレーザー、
ＹＡＧ−ＳＨＧレーザーなどにより直接描画露光し、現
像する方法でサンドブラスト用マスクパターンを形成で
きる。前記ドライフィルムの支持フィルムとしては膜厚
１５〜１２５μｍのポリエチレンテレフタレート、ポリ
エチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリ塩
化ビニル等の合成樹脂フィルムが挙げられ、また、離型
フィルムとしては、シリコーンをコーティングまたは焼
き付けした厚さ１５〜１２５μｍ程度のＰＥＴフィル
ム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム等
の未使用時に感光性樹脂組成物層を安定に保護するが、
使用時には容易に剥ぎ取れ、未使用時には剥がれない適
度の離型性を有するフィルムが使用される。さらに、露
光に使用する活性光線の光源としては、低圧水銀灯、高
圧水銀灯、超高圧水銀灯、アーク灯、キセノンランプ等
が挙げられる。

【００１８】上記溶剤としては、具体的にエチレングリ
コールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエ
チルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテ
ル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレン
グリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエ
チルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテ
ル、エチレングリコールジプロピルエーテル、プロピレ
ングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコー
ルモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロ
ピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテ
ル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレ
ングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコール
モノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチル
エーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテ
ル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレ
ングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ
エチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノプ
ロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブ
チルエーテルアセテート、エチレングリコールモノフェ
ニルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメ
チルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエ
チルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノプ
ロピルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノ
フェニルエーテルアセテート、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモ
ノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモ
ノプロピルエーテルアセテート、２−メトキシブチルア
セテート、３−メトキシブチルアセテート、４−メトキ
シブチルアセテート、２−メチル−３−メトキシブチル
アセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテー
ト、３−エチル−３−メトキシブチルアセテート、２−
エトキシブチルアセテート、４−エトキシブチルアセテ
ート、４−プロポキシブチルアセテート、２−メトキシ
ペンチルアセテート、３−メトキシペンチルアセテー
ト、４−メトキシペンチルアセテート、２−メチル−３
−メトキシペンチルアセテート、３−メチル−３−メト
キシペンチルアセテート、３−メチル−４−メトキシペ
ンチルアセテート、４−メチル−４−メトキシペンチル
アセテート、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチル
ケトン、メチルイソブチルケトン、エチルイソブチルケ
トン、テトラヒドロフラン、シクロペンタノン、シクロ
ヘキサノン、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチ
ル、プロピオン酸プロピル、プロピオン酸イソプロピ
ル、２−ヒドロキシプロピオン酸メチル、２−ヒドロキ
シプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチル−
３−メトキシプロピオネート、エチル−３−メトキシプ
ロピオネート、エチル−３−エトキシプロピオネート、
エチル−３−プロポキシプロピオネート、プロピル−３
−メトキシプロピオネート、イソプロピル−３−メトキ
シプロピオネート、エトキシ酢酸エチル、オキシ酢酸エ
チル、２−ヒドロキシ−３−メチルブタン酸メチル、乳
酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸イソプロピ
ル、乳酸ブチル、乳酸イソアミル、酢酸メチル、酢酸エ
チル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル、
酢酸イソアミル、炭酸メチル、炭酸エチル、炭酸プロピ
ル、炭酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチ
ル、ピルビン酸プロピル、ピルビン酸ブチル、アセト酢
酸メチル、アセト酢酸エチル、ベンジルメチルエーテ
ル、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、酢
酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレ
イン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、ベンゼン、トル
エン、キシレン、シクロヘキサノン、メタノール、エタ
ノール、プロパノール、ブタノール、ヘキサノール、シ
クロヘキサノール、エチレングリコール、ジエチレング
リコール、グリセリン等を挙げることができる。前記溶
剤は単独でもまた２種以上を混合して用いてもよい。

【００１９】また、現像に使用する現像液としては、リ
チウム、ナトリウム、カリウム、カルシウム等のアルカ
リ金属の水酸化物、炭酸塩、重炭酸塩、リン酸塩、ピロ
リン酸塩、ベンジルアミン、ブチルアミン等の第１級ア
ミン、ジメチルアミン、ジベンジルアミン、ジエタノー
ルアミン等の第２級アミン、トリメチルアミン、トリエ
チルアミン、トリエタノールアミン等の第３級アミン、
モルホリン、ピペラジン、ピリジン等の環状アミン、エ
チレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン等のポリアミ
ン、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチ
ルベンジルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルフェ
ニルベンジルアンモニウムヒドロキシド等のアンモニウ
ムヒドロキシド類、トリメチルスルホニウムヒドロキシ
ド、ジエチルメチルスルホニウムヒドロキシド、ジメチ
ルベンジルスルホニウムヒドロキシド等のスルホニウム
ヒドロキシド類からなる水溶液やコリン、ケイ酸塩含有
緩衝液など汎用のアルカリ現像液が好適に用いられる。

【００２０】耐サンドブラスト感光性樹脂組成物層の形
成に当たっては予めペースト層上にサンドブラスト用下
地材組成物層を設けておくのがよい。前記サンドブラス
ト用下地材組成物層を設ることで耐サンドブラスト性感
光性樹脂組成物の無機ペースト層への滲み込みが起ら
ず、絶縁層等の変色、絶縁抵抗値の変動等を防止するこ
とができる。前記サンドブラスト用下地材組成物として
は（メタ）アクリル酸を必須成分とする線状（メタ）ア
クリル共重合体のカルボキシル基の一部を熱重合性基ま
たは熱架橋性基を有する化合物と反応させて得た変性ア
クリル樹脂を含有するサンドブラスト用下地材組成物が
好適である。前記（メタ）アクリル酸を必須成分とする
線状（メタ）アクリル共重合体は（メタ）アクリル酸モ
ノマーと（メタ）アクリル酸モノマー以外のエチレン性
不飽和基を有する化合物とを光重合開始剤の存在下で７
０〜１２５℃で１〜１５時間程度重合させて製造でき
る。前記（メタ）アクリル酸モノマーとしては、具体的
にアクリル酸、メタクリル酸が挙げられ、また（メタ）
アクリル酸以外のエチレン性不飽和基を有する化合物と
しては、メチルアクリレート、メチルメタクリレート、
エチルアクリレート、エチルメタクリレート、イソブチ
ルアクリレート、イソブチルメタクリレート、２−ヒド
ロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタ
クリレート、エチレングリコールモノメチルエーテルア
クリレート、エチレングリコールモノメチルエーテルメ
タクリレート、グリセロールアクリレート、グリセロー
ルメタクリレート、アクリル酸アミド、メタクリル酸ア
ミド、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、２−エ
チルヘキシルアクリレート、２−エチルヘキシルメタク
リレート、ベンジルアクリレート、ベンジルメタクリレ
ート、エチレングリコールモノアクリレート、エチレン
グリコールモノメタクリレート、トリエチレングリコー
ルモノアクリレート、トリエチレングリコールモノメタ
クリレート、テトラエチレングリコールモノアクリレー
ト、テトラエチレングリコールモノメタクリレート、ブ
チレングリコールモノアクリレート、ブチレングリコー
ルモノメタクリレート、プロピレングリコールモノアク
リレート、プロピレングリコールモノメタクリレート等
が挙げられる。前記（メタ）アクリル酸以外のエチレン
性不飽和基を有する化合物は単独でもまた２種以上を混
合して用いてもよい。この線状（メタ）アクリル共重合
体と反応する熱重合性基または熱架橋性基を有する化合
物としてはグリシジル基を有する（メタ）アクリル酸エ
ステル；脂環式エポキシ基を有する（メタ）アクリル酸
エステル；ビニルイソシアネート化合物；ヒドロキシア
ルキル（メタ）メチルアクリレートとジメチレンジイソ
シアネート、トリメチレンジイソシアネート、テトラメ
チレンジイソシアネート、ペンタメチレンジイソシアネ
ート、ヘキサメチレンジイソシアネート、ヘプタメチレ
ンジイソシアネート、２，２−ジメチルペンタン−１，
５−ジイソシアネート、オクタメチレンジイソシアネー
ト、２，５−ジメチルヘキサン−１，６−ジイソシアネ
ート、２，２，４−トリメチルヘキサンジイソシアネー
ト、２，４，４−トリメチルヘキサンジイソシアネー
ト、デカメチレンジイソシアネートとの反応生成物等が
挙げられ、グリシジル基を有する（メタ）アクリル酸エ
ステルの具体例としてはグリシジルアクリレート、グリ
シジルメタクリレートが、またビニルイソシアネート化
合物の具体例としてはビニルイソシアネート、２−メタ
クリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロ
ペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネートなど
が挙げられる。中でも２−メタクリロイルオキシエチル
イソシアネートが好ましく用いられる。熱重合性基また
は熱架橋性基を有する化合物の反応率は線状（メタ）ア
クリル共重合体のカルボキシル基の５〜１００モル％、
好ましくは５０〜１００モル％の範囲がよい。反応率が
５モル％未満では耐サンドブラスト性感光性樹脂組成物
との密着性が低下し、また反応率が１００モル％を超え
ると耐サンドブラスト性感光性樹脂組成物の塗布におい
て溶剤や感光性樹脂の浸透が起ることがあり好ましくな
い。

【００２１】上記変性アクリル樹脂の重量平均分子量は
５，０００〜５００，０００、好ましくは８，０００〜
１００，０００の範囲がよく、また、その酸価は０〜２
２５ｍｇＫＯＨ／ｇ、好ましくは０〜１５０ｍｇＫＯＨ
／ｇの範囲がよい。前記重量平均分子量が５，０００未
満では下地組材成物の被膜形成能が悪く、また重量平均
分子量が５００，０００を超えると均一な膜厚を有する
下地層を形成できないことがある。さらに、酸価が２２
５ｍｇＫＯＨ／ｇを超えると柔軟性が低下したり、ある
いは耐サンドブラスト性を有する感光性樹脂組成物との
密着性が低下し、現像時に耐サンドブラスト性感光性樹
脂組成物の剥がれが発生し好ましくない。このサンドブ
ラスト用下地材組成物層の形成は上述の溶剤に溶解しそ
れを基材の上にアプリケータ、バーコーター、スピンナ
ー、カーテンフローコーターなどの塗布手段で塗布する
か、基材の上にスクリーン印刷するか、または耐サンド
ブラスト性感光性樹脂組成物層の形成のようにドライフ
ィルムとして貼り付けるのがよい。

【００２２】

【発明の実施の形態】次に実施例に基づいて本発明をさ
らに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって何
ら限定されるものではない。

【００２３】

【実施例】

実施例１ 以下に示す化合物をよく撹拌、混練し耐サンドブラスト
性感光性樹脂組成物の溶液を調製した。 ・ダイセル化学社製カルボキシル基含有ウレタン アクリレート「ＫＲＭ ７２２２」（重量平均分子量１万、 酸価２０ｍｇＫＯＨ／ｇ、酢酸エチル２０％含有溶剤） ３５重量部 ・日本合成化学社製カルボキシル基含有ウレタン アクリレート「紫光ＵＴ−２３１３」（重量平均分子量約２万、 酸価０ｍｇＫＯＨ／ｇ、酢酸エチル３０％含有溶剤） ３２重量部 ・セルロースアセテートフタレート「ＫＣ−７１」 （和光純薬社製：酸価１２０ｍｇＫＯＨ／ｇ、メチルエチル ケトン７５％含有溶剤） ３０重量部 ・２，４−ジエチルチオキサントン ２重量部 ・４−ジメチルアミノ安息香酸−２−イソアミル １重量部 ・ジメチルベンジルケタール ０．０５重量部 ・（η⁵−２，４−シクロペンタジエン−１−イル） ［（１，２，３，４，５，６−η）−（１−メチルエチル） ベンゼン］−アイアン（１＋）−ヘキサフルオロ ホスフェート（１−） ０．１重量部 ・酢酸エチル ３０重量部

【００２４】上記調製した耐サンドブラスト性感光性樹
脂組成物溶液をアプリケーターを用いて膜厚５０μｍの
ＰＥＴフィルム上に乾燥後の膜厚が３０μｍとなるよう
に塗布し、更に半乾燥状態で２５μｍのＰＥＴフィルム
を貼り合わせドライフィルムを形成した。

【００２５】次に、上記ドライフィルムのＰＥＴフィル
ムの片側を剥して除去した後、露出した感光性樹脂組成
物層面を、電極パターンを覆ってバリアリブ（ホウ珪酸
鉛ガラスフリット層）が設けられたプラズマディスプレ
イパネル基板上に、８０℃で密着し積層させ、さらに残
った側のＰＥＴフィルムを剥離し、ネガマスクを介し
て、超高圧水銀灯により１５０ｍＪ／ｃｍ²のエネルギ
ー量で照射し露光した。しかる後、０．２％炭酸ナトリ
ウム水溶液を用いて１．５ｋｇ／ｃｍ²のスプレー圧で
６０秒間スプレー現像した。水洗後、８０℃で１０分間
乾燥し、耐サンドブラスト性感光性樹脂組成物パターン
を完全硬化させた。得られたパターンを目視観察した
が、パターンに欠けや剥がれ等は見られなかった。次
に、得られたパターンを耐サンドブラストマスクとし、
研磨剤としてアクリロニトリル／塩素化ポリエチレン／
スチレン樹脂（平均粒径１０μｍ）を使用し、ブラスト
圧３ｋｇ／ｃｍ²で５分間サンドブラスト処理し、ガラ
ス層を１５０μｍ切削して電極パターンを表出させた。
その後、残存した耐サンドブラスト性感光性樹脂組成物
を剥離液としてトリエタノールアミン１０％水溶液を使
用して剥離した。表出電極パターンとガラス層の双方に
剥離残りが見られず、さらにガラスパターンに欠けや剥
がれが全く見れなかった。

【００２６】上記サンドブラスト処理により発生した切
削廃材１ｋｇをメチルエチルケトン溶液１０リットル中
に投入し、１時間撹拌し研磨材を溶解させ、残渣をフィ
ルターにて分離する工程を２回繰り返し、ホウ珪酸鉛ガ
ラスフリットを得た。該ホウ珪酸鉛ガラスフリットには
不純物等が見られずバリアリブ材として再利用が可能で
あった。

【００２７】実施例２ 実施例１と同様に形成した耐サンドブラスト性感光性樹
脂組成物のドライフィルムの片側を剥し露出した感光性
樹脂組成物層面を、電極パターンを覆ってバリアリブ
（ホウ珪酸鉛ガラスフリット層）が設けられたプラズマ
ディスプレイパネル基板上に、８０℃で密着し積層さ
せ、さらに残った側のＰＥＴフィルムを剥離し、ネガマ
スクを介して、超高圧水銀灯により１００ｍＪ／ｃｍ²
のエネルギー量で照射し露光した。しかる後、０．２％
炭酸ナトリウム水溶液を用いて１．５ｋｇ／ｃｍ²のス
プレー圧で６０秒間スプレー現像した。水洗後、８０℃
で１０分間乾燥し、さらに超高圧水銀灯を用いて２００
ｍＪ／ｃｍ²の紫外線を全面照射し、耐サンドブラスト
性感光性樹脂組成物パターンを完全硬化させた。得られ
たパターンを目視観察したが、パターンに欠けや剥がれ
等は見られなかった。

【００２８】次に、得られたパターンを耐サンドブラス
トマスクとし、ソアノールＤ２９０８（日本合成化学工
業（株）社製、エチレン／ビニルアルコール共重合樹
脂；平均粒径２５μｍ）研磨材を使用し、ブラスト圧３
ｋｇ／ｃｍ²で５分間サンドブラスト処理し、ガラス層
を１５０μｍ切削して電極パターンを表出した。その
後、残存した耐サンドブラスト性感光性樹脂組成物を剥
離液としてトリエタノールアミン１０％水溶液を使用し
て剥離した。電極パターンおよびガラス層の双方に剥離
残りが見られず、またガラスパターンに欠けや剥がれが
全く見られなかった。

【００２９】さらに、サンドブラスト処理で発生した切
削廃材１ｋｇを水／イソプロピルアルコール（５０／５
０重量比）溶液１０リットル中に投入し、１時間撹拌し
研磨材を溶解させフィルターでろ過する工程を２回繰り
返したところホウ珪酸鉛ガラスフリットが分離でき、不
純物等は見られずバリアリブ材として再利用が可能であ
った。

【００３０】比較例１ 実施例１と同様に形成した耐サンドブラスト性感光性樹
脂組成物のドライフィルムの片側を剥し露出した感光性
樹脂組成物層面を、電極パターンを覆ってバリアリブ
（ホウ珪酸鉛ガラスフリット層）が設けられたプラズマ
ディスプレイパネル基板上に、８０℃で密着し積層さ
せ、さらに残った側のＰＥＴフィルムを剥離し、ネガマ
スクを介して超高圧水銀灯により１００ｍＪ／ｃｍ²の
エネルギー量で照射し露光した。しかる後、０．２％炭
酸ナトリウム水溶液を用いて１．５ｋｇ／ｃｍ²のスプ
レー圧で６０秒間スプレー現像した。水洗後、８０℃で
１０分間乾燥し、さらに超高圧水銀灯を用いて２００ｍ
Ｊ／ｃｍ²の紫外線を全面照射し、耐サンドブラスト性
感光性樹脂組成物パターンを完全硬化させた。

【００３１】次に、得られたパターンを耐サンドブラス
トマスクとし、炭化珪素（平均粒径１０μｍ）研磨材を
使用し、ブラスト圧３ｋｇ／ｃｍ²で５分間サンドブラ
スト処理し、ガラス層を１５０μｍ切削して電極パター
ンを表出したが、サンドブラスト処理で発生したホウ珪
酸鉛ガラスフリットと炭化珪素との混合物である切削廃
材は分離することができず、再利用が不可能であった。

【００３２】

【発明の効果】本発明のサンドブラスト用プラスチック
研磨材は、有機溶剤または水／有機溶剤の混合液に可溶
である上にサンドブラスト性能も従来の研磨材と変わる
ことがない。そのため該研磨材を用いたサンドブラスト
加工で良好なバリアリブやプライミリングリブが形成で
きる上に、サンドブラスト廃材から研磨材が容易に除去
でき、バリアリブやプライミリングリブ材の再利用が可
能で、廃材の廃棄による環境問題の発生もない。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】有機溶媒または水／有機溶剤の混合液に可
   溶で、平均粒径５〜１００μｍのプラスチック粒子から
   なることを特徴とするサンドブラスト用プラスチック研
   磨材。
2. 【請求項２】プラスチック粒子がアクリロニトリル／塩
   素化ポリエチレン／スチレン樹脂粒子であることを特徴
   とする請求項１記載のサンドブラスト用プラスチック研
   磨材。
3. 【請求項３】有機溶媒または水／有機溶剤の混合液がケ
   トン系溶剤、エステル系溶剤または水／アルコール系溶
   剤であることを特徴とする請求項１記載のサンドブラス
   ト用プラスチック研磨材。
4. 【請求項４】プラズマディスプレイパネル基板上にペー
   スト組成物を塗布、乾燥してペースト層を形成し、その
   上に耐サンドブラスト用感光性樹脂組成物層を設けたの
   ち、活性光線を選択的に照射、現像してサンドブラスト
   用マスクパターンを形成し、その露出部分をサンドブラ
   スト用プラスチック研磨材で研削することを特徴とする
   プラズマディスプレイパネル基板のサンドブラスト加工
   法。
5. 【請求項５】ペースト層上にサンドブラスト用下地材組
   成物層を設けたのち耐サンドブラスト用感光性樹脂組成
   物層を形成することを特徴とする請求項４記載のプラズ
   マディスプレイパネル基板のサンドブラスト加工法。
6. 【請求項６】サンドブラスト用下地材組成物層及び／ま
   たは耐サンドブラスト用感光性樹脂組成物層をドライフ
   ィルムの貼り付けで形成することを特徴とする請求項４
   または５記載のプラズマディスプレイパネル基板のサン
   ドブラスト加工法。
7. 【請求項７】サンドブラスト加工で発生したサンドブラ
   スト廃材を有機溶剤または水／有機溶剤の混合液で処理
   しプラスチック研磨材を溶解除去することを特徴とする
   サンドブラスト廃材の処理方法。