JPH11288625A - 導電性フィルムおよびその製造方法 - Google Patents
導電性フィルムおよびその製造方法Info
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- JPH11288625A JPH11288625A JP10548598A JP10548598A JPH11288625A JP H11288625 A JPH11288625 A JP H11288625A JP 10548598 A JP10548598 A JP 10548598A JP 10548598 A JP10548598 A JP 10548598A JP H11288625 A JPH11288625 A JP H11288625A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高価な製造設備を使用しなくても安価に成膜
できるゾル−ゲル法を利用して、耐熱性の低い有機フィ
ルムの表面にＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2系薄膜を被着して形成
される導電性フィルムを製造できる方法を提供する。 【解決手段】 インジウムアルコキシドおよび錫アルコ
キシドを含む溶液を加水分解・重合させ、得られたＩｎ
2Ｏ3−ＳｎＯ2系ゾルを有機フィルムの表面に塗布して
ゲル膜を形成した後、ゲル膜に対し紫外光を照射してゲ
ル膜を結晶化させ、Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2系薄膜を有機フ
ィルムの表面に形成する。
できるゾル−ゲル法を利用して、耐熱性の低い有機フィ
ルムの表面にＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2系薄膜を被着して形成
される導電性フィルムを製造できる方法を提供する。 【解決手段】 インジウムアルコキシドおよび錫アルコ
キシドを含む溶液を加水分解・重合させ、得られたＩｎ
2Ｏ3−ＳｎＯ2系ゾルを有機フィルムの表面に塗布して
ゲル膜を形成した後、ゲル膜に対し紫外光を照射してゲ
ル膜を結晶化させ、Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2系薄膜を有機フ
ィルムの表面に形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、有機フィルムの
表面に導電性膜を被着して形成される導電性フィルム、
および、その導電性フィルムを製造するための製造方法
に関する。
表面に導電性膜を被着して形成される導電性フィルム、
および、その導電性フィルムを製造するための製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】基材の表面に導電性膜を形成する方法に
は、物理的気相蒸着法、化学的気相蒸着法およびゾル−
ゲル法がある。このうち、物理的気相蒸着法は、スパッ
タリング法やＥＢ蒸着法などのように、ターゲットを気
化させて基材に成膜させる方法であり、化学的気相蒸着
法は、ＣＶＤ法、熱分解法などのように、金属有機化合
物を基材近傍で熱分解させて基材に成膜させる方法であ
る。また、ゾル−ゲル法は、金属有機化合物や金属塩、
例えばインジウムアルコキシド（Ｉｎアルコキシド）お
よび錫アルコキシド（Ｓｎアルコキシド）を含む溶液を
加水分解および重合させてゾルを形成し、そのゾルを基
材の表面に塗布してゲル膜を形成し、そのゲル膜を結晶
化させて、基材の表面に導電性膜を形成する方法であ
る。
は、物理的気相蒸着法、化学的気相蒸着法およびゾル−
ゲル法がある。このうち、物理的気相蒸着法は、スパッ
タリング法やＥＢ蒸着法などのように、ターゲットを気
化させて基材に成膜させる方法であり、化学的気相蒸着
法は、ＣＶＤ法、熱分解法などのように、金属有機化合
物を基材近傍で熱分解させて基材に成膜させる方法であ
る。また、ゾル−ゲル法は、金属有機化合物や金属塩、
例えばインジウムアルコキシド（Ｉｎアルコキシド）お
よび錫アルコキシド（Ｓｎアルコキシド）を含む溶液を
加水分解および重合させてゾルを形成し、そのゾルを基
材の表面に塗布してゲル膜を形成し、そのゲル膜を結晶
化させて、基材の表面に導電性膜を形成する方法であ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記した物理的気相蒸
着法や化学的気相蒸着法は、成膜のための装置構成が複
雑で、高価な製造設備が必要であり、製造コストが高く
なる、といった問題点がある。さらに、物理的気相蒸着
法では高真空を必要とし、また、化学的気相蒸着法では
基材が高温になるなどといった問題点がある。
着法や化学的気相蒸着法は、成膜のための装置構成が複
雑で、高価な製造設備が必要であり、製造コストが高く
なる、といった問題点がある。さらに、物理的気相蒸着
法では高真空を必要とし、また、化学的気相蒸着法では
基材が高温になるなどといった問題点がある。
【０００４】一方、ゾル−ゲル法によると、物理的気相
蒸着法や化学的気相蒸着法に比べて安価に成膜を行うこ
とができる。しかしながら、基材の表面に形成されたゲ
ル膜、例えばＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2系ゲル膜を結晶化させ
て基材上の薄膜に導電性を付与するためには、ゲル膜を
５００℃前後以上の高温で加熱処理して焼成することが
必要であった。このため、従来のゾル−ゲル法を利用し
た成膜方法によっては、耐熱性の低い基材上に導電性膜
を形成することができず、有機フィルムの表面にＩｎ2
Ｏ3−ＳｎＯ2系薄膜を被着した導電性フィルムは、従来
のゾル−ゲル法によっては得られなかった。
蒸着法や化学的気相蒸着法に比べて安価に成膜を行うこ
とができる。しかしながら、基材の表面に形成されたゲ
ル膜、例えばＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2系ゲル膜を結晶化させ
て基材上の薄膜に導電性を付与するためには、ゲル膜を
５００℃前後以上の高温で加熱処理して焼成することが
必要であった。このため、従来のゾル−ゲル法を利用し
た成膜方法によっては、耐熱性の低い基材上に導電性膜
を形成することができず、有機フィルムの表面にＩｎ2
Ｏ3−ＳｎＯ2系薄膜を被着した導電性フィルムは、従来
のゾル−ゲル法によっては得られなかった。
【０００５】この発明は、以上のような事情に鑑みてな
されたものであり、高価な製造設備を使用しなくても安
価に成膜することができるゾル−ゲル法を利用して得ら
れる導電性フィルムを提供すること、ならびに、ゾル−
ゲル法を利用して、耐熱性の低い有機フィルムの表面に
Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2系薄膜を被着して形成される導電性
フィルムを製造することができる導電性フィルムの製造
方法を提供することを目的とする。
されたものであり、高価な製造設備を使用しなくても安
価に成膜することができるゾル−ゲル法を利用して得ら
れる導電性フィルムを提供すること、ならびに、ゾル−
ゲル法を利用して、耐熱性の低い有機フィルムの表面に
Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2系薄膜を被着して形成される導電性
フィルムを製造することができる導電性フィルムの製造
方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
有機フィルムの表面に、インジウムアルコキシドおよび
錫アルコキシドを含む溶液の加水分解・重合物を紫外光
の照射により結晶化させて得られるＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2
系薄膜を被着して、導電性フィルムを形成したことを特
徴とする。
有機フィルムの表面に、インジウムアルコキシドおよび
錫アルコキシドを含む溶液の加水分解・重合物を紫外光
の照射により結晶化させて得られるＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2
系薄膜を被着して、導電性フィルムを形成したことを特
徴とする。
【０００７】請求項２に係る発明は、インジウムアルコ
キシドおよび錫アルコキシドを含む溶液を加水分解・重
合させ、これによって得られたＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2系ゾ
ルを有機フィルムの表面に塗布して、有機フィルムの表
面にゲル膜を形成した後、そのゲル膜に対し紫外光を照
射してゲル膜を結晶化させ、Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2系薄膜
を有機フィルムの表面に形成することにより、導電性フ
ィルムを製造することを特徴とする。
キシドおよび錫アルコキシドを含む溶液を加水分解・重
合させ、これによって得られたＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2系ゾ
ルを有機フィルムの表面に塗布して、有機フィルムの表
面にゲル膜を形成した後、そのゲル膜に対し紫外光を照
射してゲル膜を結晶化させ、Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2系薄膜
を有機フィルムの表面に形成することにより、導電性フ
ィルムを製造することを特徴とする。
【０００８】請求項３に係る発明は、請求項２記載の製
造方法において、ゲル膜に対し紫外光を照射して結晶化
させる際の紫外光照射条件を、予め、ゲル膜に電極を取
り付けて紫外光照射を行いながら少なくともゲル膜の導
電性を測定して、最適条件を見い出すことにより決定す
ることを特徴とする。
造方法において、ゲル膜に対し紫外光を照射して結晶化
させる際の紫外光照射条件を、予め、ゲル膜に電極を取
り付けて紫外光照射を行いながら少なくともゲル膜の導
電性を測定して、最適条件を見い出すことにより決定す
ることを特徴とする。
【０００９】請求項１に係る発明の導電性フィルムは、
その導電性膜がＩｎアルコキシドおよび錫アルコキシド
を含む溶液の加水分解・重合物を結晶化させて得られる
Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2系薄膜で形成されているので、高価
な製造設備を使用しなくても、簡便に成膜することが可
能である。そして、加水分解・重合物の結晶化は、紫外
光の照射によって行われるので、従来のゾル−ゲル法に
よった場合のように５００℃前後以上といった高温での
加熱処理を行う必要が無く、このため、耐熱性の低い有
機フィルム上への導電性Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2系薄膜の形
成も可能になる。
その導電性膜がＩｎアルコキシドおよび錫アルコキシド
を含む溶液の加水分解・重合物を結晶化させて得られる
Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2系薄膜で形成されているので、高価
な製造設備を使用しなくても、簡便に成膜することが可
能である。そして、加水分解・重合物の結晶化は、紫外
光の照射によって行われるので、従来のゾル−ゲル法に
よった場合のように５００℃前後以上といった高温での
加熱処理を行う必要が無く、このため、耐熱性の低い有
機フィルム上への導電性Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2系薄膜の形
成も可能になる。
【００１０】請求項２に係る発明の製造方法によると、
ＩｎアルコキシドおよびＳｎアルコキシドを含む溶液を
加水分解・重合させて得られるＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2系ゾ
ルを有機フィルムの表面に塗布してゲル膜を形成した
後、ゲル膜に対して紫外光を照射することにより、ゲル
膜が結晶化されてＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2系薄膜に導電性が
付与される。したがって、ゲル膜の結晶化のために高温
での加熱処理を行う必要が無いので、耐熱性の低い有機
フィルム上への導電性Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2系薄膜の形成
が可能になる。
ＩｎアルコキシドおよびＳｎアルコキシドを含む溶液を
加水分解・重合させて得られるＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2系ゾ
ルを有機フィルムの表面に塗布してゲル膜を形成した
後、ゲル膜に対して紫外光を照射することにより、ゲル
膜が結晶化されてＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2系薄膜に導電性が
付与される。したがって、ゲル膜の結晶化のために高温
での加熱処理を行う必要が無いので、耐熱性の低い有機
フィルム上への導電性Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2系薄膜の形成
が可能になる。
【００１１】請求項３に係る発明の製造方法では、ゲル
膜に電極を取り付けてゲル膜に対して紫外光を照射しな
がらゲル膜の導電性を測定することにより、最適条件が
予め見い出されて、ゲル膜を結晶化させる際の紫外光照
射条件が決定されるので、紫外光照射によるゲル膜の結
晶化が良好に行われ、高導電性のＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2系
薄膜が得られる。
膜に電極を取り付けてゲル膜に対して紫外光を照射しな
がらゲル膜の導電性を測定することにより、最適条件が
予め見い出されて、ゲル膜を結晶化させる際の紫外光照
射条件が決定されるので、紫外光照射によるゲル膜の結
晶化が良好に行われ、高導電性のＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2系
薄膜が得られる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
について説明する。
について説明する。
【００１３】この発明に係る導電性フィルムは、有機フ
ィルムの表面に導電性のＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2系薄膜を被
着して形成されている。有機フィルム上に形成されるＩ
ｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2系薄膜は、Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2系ゾルを
有機フィルムの表面に塗布して、有機フィルムの表面に
ゲル膜を形成した後、そのゲル膜に対し紫外光を照射し
てゲル膜を結晶化させることにより得られる。
ィルムの表面に導電性のＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2系薄膜を被
着して形成されている。有機フィルム上に形成されるＩ
ｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2系薄膜は、Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2系ゾルを
有機フィルムの表面に塗布して、有機フィルムの表面に
ゲル膜を形成した後、そのゲル膜に対し紫外光を照射し
てゲル膜を結晶化させることにより得られる。
【００１４】Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2系ゾルは、Ｉｎアルコ
キシドおよびＳｎアルコキシドを出発原料とし、それら
のアルコキシドを含む溶液を加水分解および重合させて
調製される。ＩｎアルコキシドおよびＳｎアルコキシド
としては、特に限定されないが、それぞれアルコキシル
基の炭素数が１〜５であるものが好適に使用される。例
えば、Ｉｎアルコキシドとしては、Ｉｎメトキシド、Ｉ
ｎエトキシド、Ｉｎプロポキシド、Ｉｎブトキシドおよ
びＩｎペントキシドが使用される。また、Ｓｎアルコキ
シドとしては、Ｓｎメトキシド、Ｓｎエトキシド、Ｓｎ
プロポキシド、ＳｎブトキシドおよびＳｎペントキシド
が使用される。ＩｎアルコキシドおよびＳｎアルコキシ
ドはそれぞれ、１種類のものを使用するようにしてもよ
いし、２種以上のものを組み合わせて使用するようにし
てもよい。アルコキシドのうちのＩｎアルコキシドとＳ
ｎアルコキシドとの含有割合は、得ようとするＩｎ2Ｏ3
−ＳｎＯ2のうちの酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）と酸化
錫（ＳｎＯ2）との割合に合わせ、Ｉｎアルコキシド／
Ｓｎアルコキシドの混合モル比を、例えば９７／３〜８
０／２０の範囲とする。
キシドおよびＳｎアルコキシドを出発原料とし、それら
のアルコキシドを含む溶液を加水分解および重合させて
調製される。ＩｎアルコキシドおよびＳｎアルコキシド
としては、特に限定されないが、それぞれアルコキシル
基の炭素数が１〜５であるものが好適に使用される。例
えば、Ｉｎアルコキシドとしては、Ｉｎメトキシド、Ｉ
ｎエトキシド、Ｉｎプロポキシド、Ｉｎブトキシドおよ
びＩｎペントキシドが使用される。また、Ｓｎアルコキ
シドとしては、Ｓｎメトキシド、Ｓｎエトキシド、Ｓｎ
プロポキシド、ＳｎブトキシドおよびＳｎペントキシド
が使用される。ＩｎアルコキシドおよびＳｎアルコキシ
ドはそれぞれ、１種類のものを使用するようにしてもよ
いし、２種以上のものを組み合わせて使用するようにし
てもよい。アルコキシドのうちのＩｎアルコキシドとＳ
ｎアルコキシドとの含有割合は、得ようとするＩｎ2Ｏ3
−ＳｎＯ2のうちの酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）と酸化
錫（ＳｎＯ2）との割合に合わせ、Ｉｎアルコキシド／
Ｓｎアルコキシドの混合モル比を、例えば９７／３〜８
０／２０の範囲とする。
【００１５】アルコキシドを溶解させる溶剤としては、
メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールな
どのアルコール類、２−メトキシエタノール、２−エト
キシエタノールなどのアルコキシアルコール、酢酸エチ
ルなどの有機酸エステル、アセトニトリル、アセトンや
メチルエチルケトンなどのケトン類、テトラヒドラフラ
ン（ＴＨＦ）やジオキサンなどのシクロエーテル、Ｎ，
Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）などの酸アミド、
炭化水素、芳香族などが使用され、特に限定されない
が、ＤＭＦが好適に使用される。また、Ｉｎ2Ｏ3−Ｓｎ
Ｏ2系ゾルの調製方法も特に限定されないが、アルコキ
シドを含む溶液の加水分解には、例えばアルコキシドの
０．０５モル倍〜２モル倍の水が用いられ、より好まし
くは、０．５モル倍〜１．５モル倍の水が用いられる。
この加水分解には、酸触媒および／または塩基触媒を用
いるようにしてもよく、好ましくは、塩酸などの鉱酸や
酢酸などの有機酸が用いられる。
メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールな
どのアルコール類、２−メトキシエタノール、２−エト
キシエタノールなどのアルコキシアルコール、酢酸エチ
ルなどの有機酸エステル、アセトニトリル、アセトンや
メチルエチルケトンなどのケトン類、テトラヒドラフラ
ン（ＴＨＦ）やジオキサンなどのシクロエーテル、Ｎ，
Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）などの酸アミド、
炭化水素、芳香族などが使用され、特に限定されない
が、ＤＭＦが好適に使用される。また、Ｉｎ2Ｏ3−Ｓｎ
Ｏ2系ゾルの調製方法も特に限定されないが、アルコキ
シドを含む溶液の加水分解には、例えばアルコキシドの
０．０５モル倍〜２モル倍の水が用いられ、より好まし
くは、０．５モル倍〜１．５モル倍の水が用いられる。
この加水分解には、酸触媒および／または塩基触媒を用
いるようにしてもよく、好ましくは、塩酸などの鉱酸や
酢酸などの有機酸が用いられる。
【００１６】アルコキシドを含む溶液の加水分解によっ
てＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2系ゾルが調製されると、そのゾル
を有機フィルムの表面に塗布し、それを乾燥させて有機
フィルムの表面にゲル膜を形成する。有機フィルムとし
ては、例えばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、
ポリイミド、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ＰＥＥ
Ｋ（ポリエーテルエーテルケトン）、ＰＣ（ポリカーボ
ネート）、アクリル等の樹脂フィルムが使用される。有
機フィルムの表面にＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2系ゾルを塗布す
る方法は、特に限定されず、通常行われるディップコー
ト法、スピンコート法、フローコート法、スプレイコー
ト法などが用いられる。
てＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2系ゾルが調製されると、そのゾル
を有機フィルムの表面に塗布し、それを乾燥させて有機
フィルムの表面にゲル膜を形成する。有機フィルムとし
ては、例えばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、
ポリイミド、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ＰＥＥ
Ｋ（ポリエーテルエーテルケトン）、ＰＣ（ポリカーボ
ネート）、アクリル等の樹脂フィルムが使用される。有
機フィルムの表面にＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2系ゾルを塗布す
る方法は、特に限定されず、通常行われるディップコー
ト法、スピンコート法、フローコート法、スプレイコー
ト法などが用いられる。
【００１７】有機フィルムの表面にゲル膜が形成される
と、そのゲル膜に対して紫外光を照射する。紫外光の光
源としては、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、エキシ
マランプ、ＡｒＦエキシマレーザ、ＫｒＦエキシマレー
ザ、シンクロトロン放射光などが使用される。また、こ
れらの光源のうちの２つもしくはそれ以上のものを組み
合わせて使用することも可能である。また、紫外光の波
長は、３６０ｎｍ以下であることが好ましい。そして、
ゲル膜に対して紫外光が照射されることにより、ゲル膜
を形成しているＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2が結晶化され、薄膜
に導電性が付与されて、有機フィルムの表面に導電性の
Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2系薄膜が形成される。
と、そのゲル膜に対して紫外光を照射する。紫外光の光
源としては、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、エキシ
マランプ、ＡｒＦエキシマレーザ、ＫｒＦエキシマレー
ザ、シンクロトロン放射光などが使用される。また、こ
れらの光源のうちの２つもしくはそれ以上のものを組み
合わせて使用することも可能である。また、紫外光の波
長は、３６０ｎｍ以下であることが好ましい。そして、
ゲル膜に対して紫外光が照射されることにより、ゲル膜
を形成しているＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2が結晶化され、薄膜
に導電性が付与されて、有機フィルムの表面に導電性の
Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2系薄膜が形成される。
【００１８】有機フィルムの表面に形成されたゲル膜に
対し紫外光を照射して結晶化させる際のエネルギー密
度、ショット数などの紫外光照射条件は、予め実験によ
り最適条件を見い出して決定しておくようにするとよ
い。このための実験は、例えば次のようにして行われ
る。まず、有機フィルムの表面にＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2ゾ
ルを塗布した後、それを乾燥させて、有機フィルム上に
Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2ゲル膜を形成し、その有機フィルム
を、例えば２ｃｍ×２ｃｍの大きさに切断した後、図１
に平面図を示すように、スパッタリングなどによりゲル
膜１の表面に一対の白金電極２、３を形成する。そし
て、ゲル膜１に対して紫外光照射を行いながら、ゲル膜
１の導電性（電極２、３間の抵抗値）や光の透過率、表
面温度などを測定し、良好な導電性が得られかつ有機フ
ィルムにダメージが与えられることの無いような最適条
件を見い出すことにより、紫外光照射条件を決定する。
対し紫外光を照射して結晶化させる際のエネルギー密
度、ショット数などの紫外光照射条件は、予め実験によ
り最適条件を見い出して決定しておくようにするとよ
い。このための実験は、例えば次のようにして行われ
る。まず、有機フィルムの表面にＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2ゾ
ルを塗布した後、それを乾燥させて、有機フィルム上に
Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2ゲル膜を形成し、その有機フィルム
を、例えば２ｃｍ×２ｃｍの大きさに切断した後、図１
に平面図を示すように、スパッタリングなどによりゲル
膜１の表面に一対の白金電極２、３を形成する。そし
て、ゲル膜１に対して紫外光照射を行いながら、ゲル膜
１の導電性（電極２、３間の抵抗値）や光の透過率、表
面温度などを測定し、良好な導電性が得られかつ有機フ
ィルムにダメージが与えられることの無いような最適条
件を見い出すことにより、紫外光照射条件を決定する。
【００１９】
【実施例】次に、この発明を具体的に適用した実施例に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００２０】〔Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2系ゾルの調製例〕ト
リ-ｔ-ブトキシインジウムとテトラ-ｓ-ブトキシ錫と
を、その混合モル比が９０：１０となるようにＤＭＦに
溶解させた後、その溶液に添加したときにＩｎ2Ｏ3およ
びＳｎＯ2の固形分濃度が５重量％となるように１Ｎ塩
酸−ＤＭＦ混合液（（Ｉｎ＋Ｓｎ）／Ｈ2Ｏのモル比は
１）を調製し、その塩酸−ＤＭＦ混合液をアルコキシド
の溶液に添加した。これにより、均質なＩｎ2Ｏ3−Ｓｎ
Ｏ2ゾルを得た。
リ-ｔ-ブトキシインジウムとテトラ-ｓ-ブトキシ錫と
を、その混合モル比が９０：１０となるようにＤＭＦに
溶解させた後、その溶液に添加したときにＩｎ2Ｏ3およ
びＳｎＯ2の固形分濃度が５重量％となるように１Ｎ塩
酸−ＤＭＦ混合液（（Ｉｎ＋Ｓｎ）／Ｈ2Ｏのモル比は
１）を調製し、その塩酸−ＤＭＦ混合液をアルコキシド
の溶液に添加した。これにより、均質なＩｎ2Ｏ3−Ｓｎ
Ｏ2ゾルを得た。
【００２１】〔紫外光照射条件の決定例（１）〕ＰＥＴ
フィルムの表面にＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2ゾルをスピンコー
ト法により塗布した後、塗布膜を１００℃の温度で乾燥
させて、ＰＥＴフィルム上にゲル膜を形成し、ＰＥＴフ
ィルムを２ｃｍ×２ｃｍの大きさに切断した後、図１に
示すようにゲル膜１の表面に一対の白金電極２、３を形
成した。そして、ゲル膜１に、ＡｒＦエキシマレーザ
（１９３ｎｍ）を２０ｍＪ／cm2のエネルギー密度で照
射しながら、電極２、３間の抵抗値を測定した。この結
果、ショット数の増加と共に抵抗値が下がり、８ショッ
トの時に電極２、３間の抵抗値が最も低くなった。さら
にレーザー光の照射を続けると、電極２、３間の抵抗値
は上がり、また、ＰＥＴフィルム上のＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ
2薄膜にクラックが発生した。このように、レーザー光
の照射は８ショットが最適であり、レーザー光を照射し
過ぎると、Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2薄膜の導電性が悪くな
り、また、薄膜にクラックが発生して好ましくないこと
が分かった。このときの測定結果を表１および図２に示
す。
フィルムの表面にＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2ゾルをスピンコー
ト法により塗布した後、塗布膜を１００℃の温度で乾燥
させて、ＰＥＴフィルム上にゲル膜を形成し、ＰＥＴフ
ィルムを２ｃｍ×２ｃｍの大きさに切断した後、図１に
示すようにゲル膜１の表面に一対の白金電極２、３を形
成した。そして、ゲル膜１に、ＡｒＦエキシマレーザ
（１９３ｎｍ）を２０ｍＪ／cm2のエネルギー密度で照
射しながら、電極２、３間の抵抗値を測定した。この結
果、ショット数の増加と共に抵抗値が下がり、８ショッ
トの時に電極２、３間の抵抗値が最も低くなった。さら
にレーザー光の照射を続けると、電極２、３間の抵抗値
は上がり、また、ＰＥＴフィルム上のＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ
2薄膜にクラックが発生した。このように、レーザー光
の照射は８ショットが最適であり、レーザー光を照射し
過ぎると、Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2薄膜の導電性が悪くな
り、また、薄膜にクラックが発生して好ましくないこと
が分かった。このときの測定結果を表１および図２に示
す。
【００２２】
【表１】
【００２３】〔紫外光照射条件の決定例（２）〕ポリイ
ミドフィルムの表面に、上記した決定例（１）と同様に
Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2ゾルをスピンコート法により塗布し
た後、塗布膜を１００℃の温度で乾燥させて、ＰＥＴフ
ィルム上にゲル膜を形成し、ポリイミドフィルムを２ｃ
ｍ×２ｃｍの大きさに切断した後、図１に示すようにゲ
ル膜１の表面に一対の白金電極２、３を形成した。そし
て、ゲル膜１に、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）
を２０ｍＪ／cm2のエネルギー密度で照射しながら、電
極２、３間の抵抗値を測定した。この結果、ショット数
の増加と共に抵抗値が下がり、８ショットの時に電極
２、３間の抵抗値が最も低くなった。さらにレーザー光
の照射を続けると、電極２、３間の抵抗値は上がり、ま
た、ポリイミドフィルム上のＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ 2薄膜に
クラックが発生した。このように、レーザー光の照射は
８ショットが最適であり、レーザー光を照射し過ぎる
と、Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2薄膜の導電性が悪くなり、ま
た、薄膜にクラックが発生して好ましくないことが分か
った。このときの測定結果を表２および図３に示す。
ミドフィルムの表面に、上記した決定例（１）と同様に
Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2ゾルをスピンコート法により塗布し
た後、塗布膜を１００℃の温度で乾燥させて、ＰＥＴフ
ィルム上にゲル膜を形成し、ポリイミドフィルムを２ｃ
ｍ×２ｃｍの大きさに切断した後、図１に示すようにゲ
ル膜１の表面に一対の白金電極２、３を形成した。そし
て、ゲル膜１に、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）
を２０ｍＪ／cm2のエネルギー密度で照射しながら、電
極２、３間の抵抗値を測定した。この結果、ショット数
の増加と共に抵抗値が下がり、８ショットの時に電極
２、３間の抵抗値が最も低くなった。さらにレーザー光
の照射を続けると、電極２、３間の抵抗値は上がり、ま
た、ポリイミドフィルム上のＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ 2薄膜に
クラックが発生した。このように、レーザー光の照射は
８ショットが最適であり、レーザー光を照射し過ぎる
と、Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2薄膜の導電性が悪くなり、ま
た、薄膜にクラックが発生して好ましくないことが分か
った。このときの測定結果を表２および図３に示す。
【００２４】
【表２】
【００２５】〔導電性フィルムの製法例〕５種類の有機
フィルムの表面にそれぞれＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2ゾルをス
ピンコート法により塗布した後、塗布膜を１００℃の温
度で乾燥させて、それぞれの有機フィルム上にゲル膜を
形成した。そして、それぞれの有機フィルム上に形成さ
れたゲル膜に、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）を
２０ｍＪ／cm2のエネルギー密度で８ショット照射し
た。この結果を表３に示す。
フィルムの表面にそれぞれＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2ゾルをス
ピンコート法により塗布した後、塗布膜を１００℃の温
度で乾燥させて、それぞれの有機フィルム上にゲル膜を
形成した。そして、それぞれの有機フィルム上に形成さ
れたゲル膜に、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）を
２０ｍＪ／cm2のエネルギー密度で８ショット照射し
た。この結果を表３に示す。
【００２６】
【表３】
【００２７】表３に示した結果から分かるように、上記
した紫外光照射条件においては、ＰＥＴフィルムおよび
ポリイミドフィルムのそれぞれの表面にＩｎ2Ｏ3−Ｓｎ
Ｏ2薄膜を被着して形成されたフィルムに良好な導電性
が認められ、ＰＥＴフィルム上にＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2薄
膜を被着したフィルムの比抵抗値が６．３×１０-2Ω・
ｃｍであり、ポリイミドフィルム上にＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ
2薄膜を被着したフィルムの比抵抗値が６．２×１０-2
Ω・ｃｍであった。
した紫外光照射条件においては、ＰＥＴフィルムおよび
ポリイミドフィルムのそれぞれの表面にＩｎ2Ｏ3−Ｓｎ
Ｏ2薄膜を被着して形成されたフィルムに良好な導電性
が認められ、ＰＥＴフィルム上にＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2薄
膜を被着したフィルムの比抵抗値が６．３×１０-2Ω・
ｃｍであり、ポリイミドフィルム上にＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ
2薄膜を被着したフィルムの比抵抗値が６．２×１０-2
Ω・ｃｍであった。
【００２８】
【発明の効果】請求項１に係る発明によると、高価な製
造設備を使用しなくても安価に製造される導電性フィル
ムを提供することができる。
造設備を使用しなくても安価に製造される導電性フィル
ムを提供することができる。
【００２９】請求項２に係る発明の製造方法によると、
高価な製造設備を使用しなくても安価に成膜することが
できるゾル−ゲル法を利用して、耐熱性の低い有機フィ
ルム上に導電性Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2系薄膜を形成するこ
とができ、導電性フィルムを製造することができる。
高価な製造設備を使用しなくても安価に成膜することが
できるゾル−ゲル法を利用して、耐熱性の低い有機フィ
ルム上に導電性Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2系薄膜を形成するこ
とができ、導電性フィルムを製造することができる。
【００３０】請求項３に係る発明の製造方法では、紫外
光照射によるゲル膜の結晶化が良好に行われ、有機フィ
ルム上に高導電性のＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2系薄膜を形成し
て、良好な導電性フィルムを製造することができる。
光照射によるゲル膜の結晶化が良好に行われ、有機フィ
ルム上に高導電性のＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2系薄膜を形成し
て、良好な導電性フィルムを製造することができる。
【図１】有機フィルム上のゲル膜に対し紫外光を照射し
て結晶化させる際の紫外光照射条件を決定する実験につ
いて説明するためのフィルムの平面図である。
て結晶化させる際の紫外光照射条件を決定する実験につ
いて説明するためのフィルムの平面図である。
【図２】この発明の実施例に係る実験結果を示す図であ
る。
る。
【図３】同じく、この発明の実施例に係る実験結果を示
す図である。
す図である。
１ Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2ゲル膜 ２、３ 白金電極
Claims (3)
- 【請求項１】 有機フィルムの表面に、インジウムアル
コキシドおよび錫アルコキシドを含む溶液の加水分解・
重合物を紫外光の照射により結晶化させて得られるＩｎ
2Ｏ3−ＳｎＯ2系薄膜を被着して形成されたことを特徴
とする導電性フィルム。 - 【請求項２】 インジウムアルコキシドおよび錫アルコ
キシドを含む溶液を加水分解・重合させ、これによって
得られたＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2系ゾルを有機フィルムの表
面に塗布して、有機フィルムの表面にゲル膜を形成した
後、そのゲル膜に対し紫外光を照射してゲル膜を結晶化
させ、Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2系薄膜を有機フィルムの表面
に形成することを特徴とする導電性フィルムの製造方
法。 - 【請求項３】 ゲル膜に対し紫外光を照射して結晶化さ
せる際の紫外光照射条件が、予め、ゲル膜に電極を取り
付けて紫外光照射を行いながら少なくともゲル膜の導電
性を測定して、最適条件を見い出すことにより決定され
る請求項２記載の導電性フィルムの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10548598A JPH11288625A (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 導電性フィルムおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10548598A JPH11288625A (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 導電性フィルムおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11288625A true JPH11288625A (ja) | 1999-10-19 |
Family
ID=14408902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10548598A Pending JPH11288625A (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 導電性フィルムおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11288625A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6576302B1 (en) | 1999-02-25 | 2003-06-10 | Agency Of Industrial Science And Technology | Method for producing a metal oxide and method for forming a minute pattern |
| JP2006202756A (ja) * | 2006-01-20 | 2006-08-03 | Nitto Denko Corp | 透明導電積層体 |
| JP2013235858A (ja) * | 2004-11-24 | 2013-11-21 | Ncc Nano Llc | ナノ材料組成物の電気的使用、めっき的使用および触媒的使用 |
| US8597475B2 (en) | 2002-04-08 | 2013-12-03 | Nitto Denko Corporation | Transparent conductive laminate and process of producing the same |
-
1998
- 1998-03-31 JP JP10548598A patent/JPH11288625A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6576302B1 (en) | 1999-02-25 | 2003-06-10 | Agency Of Industrial Science And Technology | Method for producing a metal oxide and method for forming a minute pattern |
| US8597475B2 (en) | 2002-04-08 | 2013-12-03 | Nitto Denko Corporation | Transparent conductive laminate and process of producing the same |
| JP2013235858A (ja) * | 2004-11-24 | 2013-11-21 | Ncc Nano Llc | ナノ材料組成物の電気的使用、めっき的使用および触媒的使用 |
| JP2015072928A (ja) * | 2004-11-24 | 2015-04-16 | エヌシーシー ナノ， エルエルシー | ナノ材料組成物の電気的使用、めっき的使用および触媒的使用 |
| JP2015092498A (ja) * | 2004-11-24 | 2015-05-14 | エヌシーシー ナノ， エルエルシー | ナノ材料組成物の電気的使用、めっき的使用および触媒的使用 |
| JP2018081919A (ja) * | 2004-11-24 | 2018-05-24 | エヌシーシー ナノ， エルエルシー | ナノ材料組成物の電気的使用、めっき的使用および触媒的使用 |
| JP2006202756A (ja) * | 2006-01-20 | 2006-08-03 | Nitto Denko Corp | 透明導電積層体 |
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