JPH1129528A - ヒドロ芳香族カルボン酸ｔ‐ブチルエステル類の製造方法 - Google Patents
ヒドロ芳香族カルボン酸ｔ‐ブチルエステル類の製造方法Info
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- JPH1129528A JPH1129528A JP9181306A JP18130697A JPH1129528A JP H1129528 A JPH1129528 A JP H1129528A JP 9181306 A JP9181306 A JP 9181306A JP 18130697 A JP18130697 A JP 18130697A JP H1129528 A JPH1129528 A JP H1129528A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【解決手段】対応する芳香族カルボン酸t-ブチルエステ
ル類の芳香核に水素化金属触媒の存在下で水素添加し
て、一般式IIのヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステ
ル類を製造する方法。 （Ｘ−）ｍＺ２［−ＣＯ−Ｏ−Ｃ（ＣＨ３）３］ｎ…
［II］ ［Ｘは水酸基、カレボキシル基、Ｃ１〜８のアルキル
基、Ｃ５〜６のシクロアルキル基、Ｃ１〜８のハロゲン
化アルキル基または−ＯＲ基（ＲはＣ１〜１８のアルキ
ル基またはＣ５〜１２のシクロアルキル基である）であ
り、Ｚ２は （Ｙは酸素、カルボニル基または （Ｒ１とＲ２は独立して水素、ハロゲン、Ｃ１〜６のア
ルキル基またはＣ１〜６のハロゲン化アルキル基）であ
る）のヒドロ芳香環含有基、ｍは０〜４の整数、ｎは１
〜４の整数である］ 【効果】高品質高収率で得られ、このt-ブチルエステル
類製品はArFまたはKrFエキシマレジスト等の各種放射線
使用の化学増幅型レジスト用の溶解抑制剤として、また
酸によりt-ブチルエステル基を容易に脱離させヒドロ芳
香族カルボン酸類を用いる各種合成品の中間体として有
用である。
ル類の芳香核に水素化金属触媒の存在下で水素添加し
て、一般式IIのヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステ
ル類を製造する方法。 （Ｘ−）ｍＺ２［−ＣＯ−Ｏ−Ｃ（ＣＨ３）３］ｎ…
［II］ ［Ｘは水酸基、カレボキシル基、Ｃ１〜８のアルキル
基、Ｃ５〜６のシクロアルキル基、Ｃ１〜８のハロゲン
化アルキル基または−ＯＲ基（ＲはＣ１〜１８のアルキ
ル基またはＣ５〜１２のシクロアルキル基である）であ
り、Ｚ２は （Ｙは酸素、カルボニル基または （Ｒ１とＲ２は独立して水素、ハロゲン、Ｃ１〜６のア
ルキル基またはＣ１〜６のハロゲン化アルキル基）であ
る）のヒドロ芳香環含有基、ｍは０〜４の整数、ｎは１
〜４の整数である］ 【効果】高品質高収率で得られ、このt-ブチルエステル
類製品はArFまたはKrFエキシマレジスト等の各種放射線
使用の化学増幅型レジスト用の溶解抑制剤として、また
酸によりt-ブチルエステル基を容易に脱離させヒドロ芳
香族カルボン酸類を用いる各種合成品の中間体として有
用である。
Description
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は、アルゴンフルオライド
（ＡｒＦ）またはクリプトンフルオライド（ＫｒＦ）エ
キシマレジスト等で代表される、各種放射線を使用する
化学増幅型レジスト用の溶解抑制剤として好適な3,3',
4,4'- ジシクロヘキシルテトラカルボン酸t-ブチルエス
テル等のヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類の
製造方法に関する。
（ＡｒＦ）またはクリプトンフルオライド（ＫｒＦ）エ
キシマレジスト等で代表される、各種放射線を使用する
化学増幅型レジスト用の溶解抑制剤として好適な3,3',
4,4'- ジシクロヘキシルテトラカルボン酸t-ブチルエス
テル等のヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類の
製造方法に関する。
【０００２】
【発明の技術的背景】アルゴンフルオライド（ＡｒＦ）
またはクリプトンフルオライド（ＫｒＦ）エキシマレジ
スト用の溶解抑制剤としては、短波長紫外線領域にある
ＡｒＦまたはＫｒＦレーザーに対する透過性（透明性）
に優れ、しかも現像時に画像部の耐エッチング性を向上
させるような化合物が求められている。
またはクリプトンフルオライド（ＫｒＦ）エキシマレジ
スト用の溶解抑制剤としては、短波長紫外線領域にある
ＡｒＦまたはＫｒＦレーザーに対する透過性（透明性）
に優れ、しかも現像時に画像部の耐エッチング性を向上
させるような化合物が求められている。
【０００３】従来、耐エッチング性の高い溶解抑制剤と
してベンゼン環含有の有機化合物が知られているが、短
波長紫外線領域にあるＡｒＦまたはＫｒＦレーザーに対
する透過性が低い。特にＡｒＦレーザーに対する透過性
が低いため、ベンゼン環含有有機化合物は、ＡｒＦエキ
シマレジスト用の溶解抑制剤として使用することは困難
である。
してベンゼン環含有の有機化合物が知られているが、短
波長紫外線領域にあるＡｒＦまたはＫｒＦレーザーに対
する透過性が低い。特にＡｒＦレーザーに対する透過性
が低いため、ベンゼン環含有有機化合物は、ＡｒＦエキ
シマレジスト用の溶解抑制剤として使用することは困難
である。
【０００４】また、上記の耐エッチング性と透明性を備
えた溶解抑制剤の材料として、脂環式有機化合物が提案
されている。特にヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエス
テルが望ましいが、ヒドロ芳香環に直接結合したカルボ
キシル基をt-ブチルエステル化するのは難しいため、こ
のような有機化合物の検討は殆どなされていない。特に
ヒドロ芳香環に複数のt-ブチルエステル基が結合した化
合物は、その合成が極めて困難になるため、検討されて
いない。
えた溶解抑制剤の材料として、脂環式有機化合物が提案
されている。特にヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエス
テルが望ましいが、ヒドロ芳香環に直接結合したカルボ
キシル基をt-ブチルエステル化するのは難しいため、こ
のような有機化合物の検討は殆どなされていない。特に
ヒドロ芳香環に複数のt-ブチルエステル基が結合した化
合物は、その合成が極めて困難になるため、検討されて
いない。
【０００５】本願発明者らは、脂環式有機化合物の合成
法について鋭意研究し、3,3',4,4'-ビフェニルテトラカ
ルボン酸メチルエステルのメチル基とt-ブチルアルコー
ルのt-ブチル基とをエステル交換して3,3',4,4'-ビフェ
ニルテトラカルボン酸t-ブチルエステルを調製し、次い
で、そのエステルの芳香核に、貴金属担持触媒の存在下
で、水素添加するという簡単な操作により、3,3',4,4'-
ジシクロヘキシルテトラカルボン酸t-ブチルエステル
（新規物質）を、高収率、高純度で合成することができ
ることを見出し、本発明を完成するに至った。
法について鋭意研究し、3,3',4,4'-ビフェニルテトラカ
ルボン酸メチルエステルのメチル基とt-ブチルアルコー
ルのt-ブチル基とをエステル交換して3,3',4,4'-ビフェ
ニルテトラカルボン酸t-ブチルエステルを調製し、次い
で、そのエステルの芳香核に、貴金属担持触媒の存在下
で、水素添加するという簡単な操作により、3,3',4,4'-
ジシクロヘキシルテトラカルボン酸t-ブチルエステル
（新規物質）を、高収率、高純度で合成することができ
ることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００６】
【化２５】
【０００７】
【発明の目的】本発明は、上記のような従来技術に伴う
問題を解決しようとするものであって、特に3,3',4,4'-
ジシクロヘキシルテトラカルボン酸t-ブチルエステル等
のヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類を、簡単
な操作により、高収率、高純度で合成することができ
る、ヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類の製造
方法を提供することを目的としている。
問題を解決しようとするものであって、特に3,3',4,4'-
ジシクロヘキシルテトラカルボン酸t-ブチルエステル等
のヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類を、簡単
な操作により、高収率、高純度で合成することができ
る、ヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類の製造
方法を提供することを目的としている。
【０００８】
【発明の概要】本発明に係るヒドロ芳香族カルボン酸t-
ブチルエステル類の製造方法は、下記一般式［Ｉ］
ブチルエステル類の製造方法は、下記一般式［Ｉ］
【０００９】
【化２６】
【００１０】［式中、Ｘは、水酸基、カルボキシル基、
炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数５〜６のシ
クロアルキル基、炭素原子数１〜８のハロゲン化アルキ
ル基、または−ＯＲ基（Ｒは、炭素原子数１〜１８のア
ルキル基または炭素原子数５〜１２のシクロアルキル基
である）であり、Ｚ1 は、
炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数５〜６のシ
クロアルキル基、炭素原子数１〜８のハロゲン化アルキ
ル基、または−ＯＲ基（Ｒは、炭素原子数１〜１８のア
ルキル基または炭素原子数５〜１２のシクロアルキル基
である）であり、Ｚ1 は、
【００１１】
【化２７】
【００１２】（Ｙは、酸素原子、カルボニル基、または
下記式
下記式
【００１３】
【化２８】
【００１４】（Ｒ1 およびＲ2 は、それぞれ独立して水
素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜６のアルキル
基、または炭素原子数１〜６のハロゲン化アルキル基で
ある）で表わされる基である）で表わされる芳香環含有
基であり、ｍは、０または１〜４の整数であり、ｎは、
１〜４の整数である］で表わされる芳香族カルボン酸t-
ブチルエステル類の芳香核を、水素化金属触媒の存在下
で、水素添加することにより、下記一般式［II］
素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜６のアルキル
基、または炭素原子数１〜６のハロゲン化アルキル基で
ある）で表わされる基である）で表わされる芳香環含有
基であり、ｍは、０または１〜４の整数であり、ｎは、
１〜４の整数である］で表わされる芳香族カルボン酸t-
ブチルエステル類の芳香核を、水素化金属触媒の存在下
で、水素添加することにより、下記一般式［II］
【００１５】
【化２９】
【００１６】［式中、Ｘは、水酸基、カルボキシル基、
炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数５〜６のシ
クロアルキル基、炭素原子数１〜８のハロゲン化アルキ
ル基、または−ＯＲ基（Ｒは、炭素原子数１〜１８のア
ルキル基または炭素原子数５〜１２のシクロアルキル基
である）であり、Ｚ2 は、
炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数５〜６のシ
クロアルキル基、炭素原子数１〜８のハロゲン化アルキ
ル基、または−ＯＲ基（Ｒは、炭素原子数１〜１８のア
ルキル基または炭素原子数５〜１２のシクロアルキル基
である）であり、Ｚ2 は、
【００１７】
【化３０】
【００１８】（Ｙは、酸素原子、カルボニル基、または
下記式
下記式
【００１９】
【化３１】
【００２０】（Ｒ1 およびＲ2 は、それぞれ独立して水
素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜６のアルキル
基、または炭素原子数１〜６のハロゲン化アルキル基で
ある）で表わされる基である）で表わされるヒドロ芳香
環含有基であり、ｍは、０または１〜４の整数であり、
ｎは、１〜４の整数である］で表わされるヒドロ芳香族
カルボン酸t-ブチルエステル類を得ることを特徴として
いる。
素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜６のアルキル
基、または炭素原子数１〜６のハロゲン化アルキル基で
ある）で表わされる基である）で表わされるヒドロ芳香
環含有基であり、ｍは、０または１〜４の整数であり、
ｎは、１〜４の整数である］で表わされるヒドロ芳香族
カルボン酸t-ブチルエステル類を得ることを特徴として
いる。
【００２１】上記ヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエス
テル類の製造方法としては、次の４つの製造方法が好ま
しい。 （１）下記一般式［Ｉ］
テル類の製造方法としては、次の４つの製造方法が好ま
しい。 （１）下記一般式［Ｉ］
【００２２】
【化３２】
【００２３】［式中、Ｘは、水酸基、カルボキシル基、
炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数５〜６のシ
クロアルキル基、炭素原子数１〜８のハロゲン化アルキ
ル基、または−ＯＲ基（Ｒは、炭素原子数１〜１８のア
ルキル基または炭素原子数５〜１２のシクロアルキル基
である）であり、Ｚ1 は、
炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数５〜６のシ
クロアルキル基、炭素原子数１〜８のハロゲン化アルキ
ル基、または−ＯＲ基（Ｒは、炭素原子数１〜１８のア
ルキル基または炭素原子数５〜１２のシクロアルキル基
である）であり、Ｚ1 は、
【００２４】
【化３３】
【００２５】で表わされる芳香環含有基であり、ｍは、
０または１〜４の整数であり、ｎは、１〜４の整数であ
る］で表わされる芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類
の芳香核に、貴金属触媒、貴金属担持触媒または貴金属
錯体触媒の存在下で、水素添加することにより、下記一
般式［II］
０または１〜４の整数であり、ｎは、１〜４の整数であ
る］で表わされる芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類
の芳香核に、貴金属触媒、貴金属担持触媒または貴金属
錯体触媒の存在下で、水素添加することにより、下記一
般式［II］
【００２６】
【化３４】
【００２７】［式中、Ｘは、水酸基、カルボキシル基、
炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数５〜６のシ
クロアルキル基、炭素原子数１〜８のハロゲン化アルキ
ル基、または−ＯＲ基（Ｒは、炭素原子数１〜１８のア
ルキル基または炭素原子数５〜１２のシクロアルキル基
である）であり、Ｚ2 は、
炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数５〜６のシ
クロアルキル基、炭素原子数１〜８のハロゲン化アルキ
ル基、または−ＯＲ基（Ｒは、炭素原子数１〜１８のア
ルキル基または炭素原子数５〜１２のシクロアルキル基
である）であり、Ｚ2 は、
【００２８】
【化３５】
【００２９】で表わされるヒドロ芳香環含有基であり、
ｍは、０または１〜４の整数であり、ｎは、１〜４の整
数である］で表わされるヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチ
ルエステル類を得ることを特徴とするヒドロ芳香族カル
ボン酸t-ブチルエステル類の製造方法。 （２）下記一般式［Ｉ］
ｍは、０または１〜４の整数であり、ｎは、１〜４の整
数である］で表わされるヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチ
ルエステル類を得ることを特徴とするヒドロ芳香族カル
ボン酸t-ブチルエステル類の製造方法。 （２）下記一般式［Ｉ］
【００３０】
【化３６】
【００３１】［式中、Ｘは、水酸基、カルボキシル基、
炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数５〜６のシ
クロアルキル基、炭素原子数１〜８のハロゲン化アルキ
ル基、または−ＯＲ基（Ｒは、炭素原子数１〜１８のア
ルキル基または炭素原子数５〜１２のシクロアルキル基
である）であり、Ｚ1 は、
炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数５〜６のシ
クロアルキル基、炭素原子数１〜８のハロゲン化アルキ
ル基、または−ＯＲ基（Ｒは、炭素原子数１〜１８のア
ルキル基または炭素原子数５〜１２のシクロアルキル基
である）であり、Ｚ1 は、
【００３２】
【化３７】
【００３３】で表わされる芳香環含有基であり、ｍは、
０または１〜４の整数であり、ｎは、１〜４の整数であ
る］で表わされる芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類
の芳香核に、貴金属触媒、貴金属担持触媒または貴金属
錯体触媒の存在下で、水素添加することにより、下記一
般式［II］
０または１〜４の整数であり、ｎは、１〜４の整数であ
る］で表わされる芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類
の芳香核に、貴金属触媒、貴金属担持触媒または貴金属
錯体触媒の存在下で、水素添加することにより、下記一
般式［II］
【００３４】
【化３８】
【００３５】［式中、Ｘは、水酸基、カルボキシル基、
炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数５〜６のシ
クロアルキル基、炭素原子数１〜８のハロゲン化アルキ
ル基、または−ＯＲ基（Ｒは、炭素原子数１〜１８のア
ルキル基または炭素原子数５〜１２のシクロアルキル基
である）であり、Ｚ2 は、
炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数５〜６のシ
クロアルキル基、炭素原子数１〜８のハロゲン化アルキ
ル基、または−ＯＲ基（Ｒは、炭素原子数１〜１８のア
ルキル基または炭素原子数５〜１２のシクロアルキル基
である）であり、Ｚ2 は、
【００３６】
【化３９】
【００３７】で表わされるヒドロ芳香環含有基であり、
ｍは、０または１〜４の整数であり、ｎは、１〜４の整
数である］で表わされるヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチ
ルエステル類を得ることを特徴とするヒドロ芳香族カル
ボン酸t-ブチルエステル類の製造方法。 （３）下記一般式［Ｉ］
ｍは、０または１〜４の整数であり、ｎは、１〜４の整
数である］で表わされるヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチ
ルエステル類を得ることを特徴とするヒドロ芳香族カル
ボン酸t-ブチルエステル類の製造方法。 （３）下記一般式［Ｉ］
【００３８】
【化４０】
【００３９】［式中、Ｘは、水酸基、カルボキシル基、
炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数５〜６のシ
クロアルキル基、炭素原子数１〜８のハロゲン化アルキ
ル基、または−ＯＲ基（Ｒは、炭素原子数１〜１８のア
ルキル基または炭素原子数５〜１２のシクロアルキル基
である）であり、Ｚ1 は、
炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数５〜６のシ
クロアルキル基、炭素原子数１〜８のハロゲン化アルキ
ル基、または−ＯＲ基（Ｒは、炭素原子数１〜１８のア
ルキル基または炭素原子数５〜１２のシクロアルキル基
である）であり、Ｚ1 は、
【００４０】
【化４１】
【００４１】（Ｙは、酸素原子、カルボニル基、または
下記式
下記式
【００４２】
【化４２】
【００４３】（Ｒ1 およびＲ2 は、それぞれ独立して水
素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜６のアルキル
基、または炭素原子数１〜６のハロゲン化アルキル基で
ある）で表わされる基である）で表わされる芳香環含有
基であり、ｍは、０または１〜４の整数であり、ｎは、
１〜４の整数である］で表わされる芳香族カルボン酸t-
ブチルエステル類の芳香核に、貴金属触媒、貴金属担持
触媒または貴金属錯体触媒の存在下で、水素添加するこ
とにより、下記一般式［II］
素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜６のアルキル
基、または炭素原子数１〜６のハロゲン化アルキル基で
ある）で表わされる基である）で表わされる芳香環含有
基であり、ｍは、０または１〜４の整数であり、ｎは、
１〜４の整数である］で表わされる芳香族カルボン酸t-
ブチルエステル類の芳香核に、貴金属触媒、貴金属担持
触媒または貴金属錯体触媒の存在下で、水素添加するこ
とにより、下記一般式［II］
【００４４】
【化４３】
【００４５】［式中、Ｘは、水酸基、カルボキシル基、
炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数５〜６のシ
クロアルキル基、炭素原子数１〜８のハロゲン化アルキ
ル基、または−ＯＲ基（Ｒは、炭素原子数１〜１８のア
ルキル基または炭素原子数５〜１２のシクロアルキル基
である）であり、Ｚ2 は、
炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数５〜６のシ
クロアルキル基、炭素原子数１〜８のハロゲン化アルキ
ル基、または−ＯＲ基（Ｒは、炭素原子数１〜１８のア
ルキル基または炭素原子数５〜１２のシクロアルキル基
である）であり、Ｚ2 は、
【００４６】
【化４４】
【００４７】（Ｙは、酸素原子、カルボニル基、または
下記式
下記式
【００４８】
【化４５】
【００４９】（Ｒ1 およびＲ2 は、それぞれ独立して水
素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜６のアルキル
基、または炭素原子数１〜６のハロゲン化アルキル基で
ある）で表わされる基である）で表わされるヒドロ芳香
環含有基であり、ｍは、０または１〜４の整数であり、
ｎは、１〜４の整数である］で表わされるヒドロ芳香族
カルボン酸t-ブチルエステル類を得ることを特徴とする
ヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類の製造方
法。 （４）下記一般式［Ｉ］
素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜６のアルキル
基、または炭素原子数１〜６のハロゲン化アルキル基で
ある）で表わされる基である）で表わされるヒドロ芳香
環含有基であり、ｍは、０または１〜４の整数であり、
ｎは、１〜４の整数である］で表わされるヒドロ芳香族
カルボン酸t-ブチルエステル類を得ることを特徴とする
ヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類の製造方
法。 （４）下記一般式［Ｉ］
【００５０】
【化４６】
【００５１】［式中、Ｘは、水酸基、カルボキシル基、
炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数５〜６のシ
クロアルキル基、炭素原子数１〜８のハロゲン化アルキ
ル基、または−ＯＲ基（Ｒは、炭素原子数１〜１８のア
ルキル基または炭素原子数５〜１２のシクロアルキル基
である）であり、Ｚ1 は、
炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数５〜６のシ
クロアルキル基、炭素原子数１〜８のハロゲン化アルキ
ル基、または−ＯＲ基（Ｒは、炭素原子数１〜１８のア
ルキル基または炭素原子数５〜１２のシクロアルキル基
である）であり、Ｚ1 は、
【００５２】
【化４７】
【００５３】で表わされる芳香環含有基であり、ｍは０
〜４の整数、ｎは１〜４の整数、かつ、ｍ＋ｎは６以下
の整数である］で表わされる芳香族カルボン酸t-ブチル
エステル類の芳香核に、貴金属触媒、貴金属担持触媒ま
たは貴金属錯体触媒の存在下で、水素添加することによ
り、下記一般式［II］
〜４の整数、ｎは１〜４の整数、かつ、ｍ＋ｎは６以下
の整数である］で表わされる芳香族カルボン酸t-ブチル
エステル類の芳香核に、貴金属触媒、貴金属担持触媒ま
たは貴金属錯体触媒の存在下で、水素添加することによ
り、下記一般式［II］
【００５４】
【化４８】
【００５５】［式中、Ｘは、水酸基、カルボキシル基、
炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数５〜６のシ
クロアルキル基、炭素原子数１〜８のハロゲン化アルキ
ル基、または−ＯＲ基（Ｒは、炭素原子数１〜１８のア
ルキル基または炭素原子数５〜１２のシクロアルキル基
である）であり、Ｚ2 は、
炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数５〜６のシ
クロアルキル基、炭素原子数１〜８のハロゲン化アルキ
ル基、または−ＯＲ基（Ｒは、炭素原子数１〜１８のア
ルキル基または炭素原子数５〜１２のシクロアルキル基
である）であり、Ｚ2 は、
【００５６】
【化４９】
【００５７】で表わされるヒドロ芳香環含有基であり、
ｍは０〜４の整数、ｎは１〜４の整数、かつ、ｍ＋ｎは
６以下の整数である］で表わされるヒドロ芳香族カルボ
ン酸t-ブチルエステル類を得ることを特徴としている。
ｍは０〜４の整数、ｎは１〜４の整数、かつ、ｍ＋ｎは
６以下の整数である］で表わされるヒドロ芳香族カルボ
ン酸t-ブチルエステル類を得ることを特徴としている。
【００５８】
【発明の具体的説明】以下、本発明に係るヒドロ芳香族
カルボン酸t-ブチルエステル類の製造方法について具体
的に説明する。
カルボン酸t-ブチルエステル類の製造方法について具体
的に説明する。
【００５９】本発明に係るヒドロ芳香族カルボン酸t-ブ
チルエステル類の製造方法では、芳香族カルボン酸t-ブ
チルエステル類の芳香核に、水素化金属触媒たとえば貴
金属触媒、貴金属担持触媒または貴金属錯体触媒の存在
下で、水素添加することにより、ヒドロ芳香族カルボン
酸t-ブチルエステル類を得る。また、必要に応じて溶媒
が用いられる。
チルエステル類の製造方法では、芳香族カルボン酸t-ブ
チルエステル類の芳香核に、水素化金属触媒たとえば貴
金属触媒、貴金属担持触媒または貴金属錯体触媒の存在
下で、水素添加することにより、ヒドロ芳香族カルボン
酸t-ブチルエステル類を得る。また、必要に応じて溶媒
が用いられる。
【００６０】芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類 本発明で用いられる芳香族カルボン酸t-ブチルエステル
類は、下記の一般式［Ｉ］で表わされる。
類は、下記の一般式［Ｉ］で表わされる。
【００６１】
【化５０】
【００６２】一般式［Ｉ］において、Ｘは、水酸基、カ
ルボキシル基、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原
子数５〜６のシクロアルキル基、炭素原子数１〜８のハ
ロゲン化アルキル基、または−ＯＲ基（Ｒは、炭素原子
数１〜１８のアルキル基または炭素原子数５〜１２のシ
クロアルキル基である）である。
ルボキシル基、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原
子数５〜６のシクロアルキル基、炭素原子数１〜８のハ
ロゲン化アルキル基、または−ＯＲ基（Ｒは、炭素原子
数１〜１８のアルキル基または炭素原子数５〜１２のシ
クロアルキル基である）である。
【００６３】上記炭素原子数１〜８のアルキル基として
は、具体的には、メチル基、エチル基、n-プロピル基、
イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル
基、n-ペンチル基、イソペンチル基、t-ペンチル基、ネ
オペンチル基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基、t-ヘキ
シル基、イソヘプチル基、t-オクチル基などが挙げられ
る。
は、具体的には、メチル基、エチル基、n-プロピル基、
イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル
基、n-ペンチル基、イソペンチル基、t-ペンチル基、ネ
オペンチル基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基、t-ヘキ
シル基、イソヘプチル基、t-オクチル基などが挙げられ
る。
【００６４】上記炭素原子数５〜６のシクロアルキル基
としては、具体的には、シクロペンチル基、シクロヘキ
シル基が挙げられる。また炭素原子数１〜８のハロゲン
化アルキル基の具体例としては、上記炭素原子数１〜８
のアルキル基の具体例において、その水素原子の一部ま
たは全部が、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロ
ゲン原子で置換させている基が挙げられる。
としては、具体的には、シクロペンチル基、シクロヘキ
シル基が挙げられる。また炭素原子数１〜８のハロゲン
化アルキル基の具体例としては、上記炭素原子数１〜８
のアルキル基の具体例において、その水素原子の一部ま
たは全部が、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロ
ゲン原子で置換させている基が挙げられる。
【００６５】また、上記−ＯＲ基のＲとしては、具体的
には、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピ
ル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基、n-ペン
チル基、イソペンチル基、t-ペンチル基、ネオペンチル
基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基、t-ヘキシル基、n-
ヘプチル基、イソヘプチル基、n-オクチル基、t-オクチ
ル基、n-ノニル基、n-デシル基、n-ウンデシル基、n-ド
デシル基、n-トリデシル基、n-テトラデシル基、n-ペン
タデシル基、n-ヘキサデシル基、n-ヘプタデシル基、n-
オクタデシル基などの炭素原子数１〜１８のアルキル
基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオク
チル基、シクロドデシル基、ボルニル基、4-メチルシク
ロヘキシル基などの炭素原子数５〜１２のシクロアルキ
ル基が挙げられる。
には、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピ
ル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基、n-ペン
チル基、イソペンチル基、t-ペンチル基、ネオペンチル
基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基、t-ヘキシル基、n-
ヘプチル基、イソヘプチル基、n-オクチル基、t-オクチ
ル基、n-ノニル基、n-デシル基、n-ウンデシル基、n-ド
デシル基、n-トリデシル基、n-テトラデシル基、n-ペン
タデシル基、n-ヘキサデシル基、n-ヘプタデシル基、n-
オクタデシル基などの炭素原子数１〜１８のアルキル
基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオク
チル基、シクロドデシル基、ボルニル基、4-メチルシク
ロヘキシル基などの炭素原子数５〜１２のシクロアルキ
ル基が挙げられる。
【００６６】上記Ｚ1 は、ビフェニル構造体、ナフタリ
ン核、両側にベンゼン核が配されている炭化水素構造
体、またはベンゼン核からなる芳香環含有基であり、こ
れらの基は、それぞれ下記の式で表わされる。
ン核、両側にベンゼン核が配されている炭化水素構造
体、またはベンゼン核からなる芳香環含有基であり、こ
れらの基は、それぞれ下記の式で表わされる。
【００６７】
【化５１】
【００６８】上記式中のＹは、酸素原子、カルボニル
基、または下記式で表わされる基である。
基、または下記式で表わされる基である。
【００６９】
【化５２】
【００７０】この式において、Ｒ1 およびＲ2 は、それ
ぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜
６のアルキル基、または炭素原子数１〜６のハロゲン化
アルキル基である。
ぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜
６のアルキル基、または炭素原子数１〜６のハロゲン化
アルキル基である。
【００７１】上記ハロゲン原子としては、具体的には、
フッ素原子、塩素原子、臭素原子などが挙げられる。ま
た、炭素原子数１〜６のアルキル基としては、具体的に
は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、
イソブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、n-ヘキ
シル基、イソヘキシル基などが挙げられる。
フッ素原子、塩素原子、臭素原子などが挙げられる。ま
た、炭素原子数１〜６のアルキル基としては、具体的に
は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、
イソブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、n-ヘキ
シル基、イソヘキシル基などが挙げられる。
【００７２】また、炭素原子数１〜６のハロゲン化アル
キル基の具体例としては、上記炭素原子数１〜６のアル
キル基の具体例において、その水素原子の一部または全
部がフッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子
で置換されている基が挙げられる。
キル基の具体例としては、上記炭素原子数１〜６のアル
キル基の具体例において、その水素原子の一部または全
部がフッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子
で置換されている基が挙げられる。
【００７３】ｍは、０または１〜４の整数であり、ｎ
は、１〜４の整数である。上記一般式［Ｉ］で表わされ
る芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類のうち、芳香環
含有基（Ｚ1 ）がビフェニル構造体からなる、芳香族カ
ルボン酸t-ブチルエステル類としては、具体的には、3,
3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸t-ブチルエステ
ル、2,2'- ビフェニルジカルボン酸t-ブチルエステル、
3,3'- ビフェニルジカルボン酸t-ブチルエステル、4,4'
- ビフェニルジカルボン酸t-ブチルエステル、2-ビフェ
ニルカルボン酸t-ブチルエステル、3-ビフェニルカルボ
ン酸t-ブチルエステル、4-ビフェニルカルボン酸t-ブチ
ルエステル、4,4'- ジヒドロキシ-3- ビフェニルカルボ
ン酸t-ブチルエステル、4,4'- ジヒドロキシ-3,3'-ビフ
ェニルジカルボン酸t-ブチルエステル、4-ヒドロキシ-
4'-ビフェニルカルボン酸t-ブチルエステル、2-ヒドロ
キシ-3- ビフェニルカルボン酸t-ブチルエステル、4-ヒ
ドロキシ-3- ビフェニルカルボン酸t-ブチルエステル、
4-カルボキシ-4'-ビフェニルカルボン酸t-ブチルエステ
ル、3,3'- ジカルボキシ-4,4'-ビフェニルジカルボン酸
t-ブチルエステルなどが挙げられる。
は、１〜４の整数である。上記一般式［Ｉ］で表わされ
る芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類のうち、芳香環
含有基（Ｚ1 ）がビフェニル構造体からなる、芳香族カ
ルボン酸t-ブチルエステル類としては、具体的には、3,
3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸t-ブチルエステ
ル、2,2'- ビフェニルジカルボン酸t-ブチルエステル、
3,3'- ビフェニルジカルボン酸t-ブチルエステル、4,4'
- ビフェニルジカルボン酸t-ブチルエステル、2-ビフェ
ニルカルボン酸t-ブチルエステル、3-ビフェニルカルボ
ン酸t-ブチルエステル、4-ビフェニルカルボン酸t-ブチ
ルエステル、4,4'- ジヒドロキシ-3- ビフェニルカルボ
ン酸t-ブチルエステル、4,4'- ジヒドロキシ-3,3'-ビフ
ェニルジカルボン酸t-ブチルエステル、4-ヒドロキシ-
4'-ビフェニルカルボン酸t-ブチルエステル、2-ヒドロ
キシ-3- ビフェニルカルボン酸t-ブチルエステル、4-ヒ
ドロキシ-3- ビフェニルカルボン酸t-ブチルエステル、
4-カルボキシ-4'-ビフェニルカルボン酸t-ブチルエステ
ル、3,3'- ジカルボキシ-4,4'-ビフェニルジカルボン酸
t-ブチルエステルなどが挙げられる。
【００７４】また、式中の芳香環含有基（Ｚ1 ）がナフ
タリン核からなる、芳香族カルボン酸t-ブチルエステル
類としては、具体的には、1-ナフタレンカルボン酸t-ブ
チルエステル、2-ナフタレンカルボン酸t-ブチルエステ
ル、1,4-ナフタレンジカルボン酸t-ブチルエステル、1,
5-ナフタレンジカルボン酸t-ブチルエステル、2,3-ナフ
タレンジカルボン酸t-ブチルエステル、2,6-ナフタレン
ジカルボン酸t-ブチルエステル、1-ヒドロキシ-2- ナフ
タレンカルボン酸t-ブチルエステル、1-ヒドロキシ-4-
ナフタレンカルボン酸t-ブチルエステル、1-ヒドロキシ
-5- ナフタレンカルボン酸t-ブチルエステル、2-ヒドロ
キシ-3- ナフタレンカルボン酸t-ブチルエステル、2-ヒ
ドロキシ-6- ナフタレンカルボン酸t-ブチルエステル、
1-カルボキシ-4- ナフタレンカルボン酸t-ブチルエステ
ル、2-カルボキシ-6- ナフタレンカルボン酸t-ブチルエ
ステル、1-カルボキシ-5- ナフタレンカルボン酸t-ブチ
ルエステル、2-カルボキシ-3- ナフタレンカルボン酸t-
ブチルエステルなどが挙げられる。
タリン核からなる、芳香族カルボン酸t-ブチルエステル
類としては、具体的には、1-ナフタレンカルボン酸t-ブ
チルエステル、2-ナフタレンカルボン酸t-ブチルエステ
ル、1,4-ナフタレンジカルボン酸t-ブチルエステル、1,
5-ナフタレンジカルボン酸t-ブチルエステル、2,3-ナフ
タレンジカルボン酸t-ブチルエステル、2,6-ナフタレン
ジカルボン酸t-ブチルエステル、1-ヒドロキシ-2- ナフ
タレンカルボン酸t-ブチルエステル、1-ヒドロキシ-4-
ナフタレンカルボン酸t-ブチルエステル、1-ヒドロキシ
-5- ナフタレンカルボン酸t-ブチルエステル、2-ヒドロ
キシ-3- ナフタレンカルボン酸t-ブチルエステル、2-ヒ
ドロキシ-6- ナフタレンカルボン酸t-ブチルエステル、
1-カルボキシ-4- ナフタレンカルボン酸t-ブチルエステ
ル、2-カルボキシ-6- ナフタレンカルボン酸t-ブチルエ
ステル、1-カルボキシ-5- ナフタレンカルボン酸t-ブチ
ルエステル、2-カルボキシ-3- ナフタレンカルボン酸t-
ブチルエステルなどが挙げられる。
【００７５】また、式中の芳香環含有基（Ｚ1 ）が両側
にベンゼン核に配されている炭化水素構造体からなる、
芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類としては、具体的
には4,4'-(ジ-t- ブトキシカルボニル）ジフェニルエー
テル、2-フェノキシ安息香酸t-ブチルエステル、3-フェ
ノキシ安息香酸t-ブチルエステル、4-フェノキシ安息香
酸t-ブチルエステル等のジフェニルエーテル構造体から
なる芳香環含有基を有する芳香族カルボン酸t-ブチルエ
ステル類；4,4'-(ヘキサフルオロイソプロピリデン）ジ
フタル酸テトラ-t- ブチルエステル等の4,4'-(ヘキサフ
ルオロイソプロピリデン）ジベンゼン核からなる芳香環
含有基を有する芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類；
3,3',4,4'-（テトラ-t- ブトキシカルボニル）ベンゾフ
ェノン、4,4'-（ジ-t-ブトキシカルボニル）ベンゾフェ
ノン、4-t-ブトキシカルボニルベンゾフェノン等のベン
ゾフェノン構造体からなる芳香環含有基を有する芳香族
カルボン酸t-ブチルエステル類などが挙げられる。
にベンゼン核に配されている炭化水素構造体からなる、
芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類としては、具体的
には4,4'-(ジ-t- ブトキシカルボニル）ジフェニルエー
テル、2-フェノキシ安息香酸t-ブチルエステル、3-フェ
ノキシ安息香酸t-ブチルエステル、4-フェノキシ安息香
酸t-ブチルエステル等のジフェニルエーテル構造体から
なる芳香環含有基を有する芳香族カルボン酸t-ブチルエ
ステル類；4,4'-(ヘキサフルオロイソプロピリデン）ジ
フタル酸テトラ-t- ブチルエステル等の4,4'-(ヘキサフ
ルオロイソプロピリデン）ジベンゼン核からなる芳香環
含有基を有する芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類；
3,3',4,4'-（テトラ-t- ブトキシカルボニル）ベンゾフ
ェノン、4,4'-（ジ-t-ブトキシカルボニル）ベンゾフェ
ノン、4-t-ブトキシカルボニルベンゾフェノン等のベン
ゾフェノン構造体からなる芳香環含有基を有する芳香族
カルボン酸t-ブチルエステル類などが挙げられる。
【００７６】さらに、式中の芳香環含有基（Ｚ1 ）がベ
ンゼン核からなる、芳香族カルボン酸t-ブチルエステル
類としては、具体的には、安息香酸t-ブチルエステル、
フタル酸ジt-ブチルエステル、イソフタル酸ジt-ブチル
エステル、テレフタル酸ジt-ブチルエステル、トリメリ
ット酸トリt-ブチルエステル、ピロメリット酸テトラt-
ブチルエステル、o-トルイル酸t-ブチルエステル、m-ト
ルイル酸t-ブチルエステル、p-トルイル酸t-ブチルエス
テル、p-t-ブチル安息香酸t-ブチルエステル、4-メトキ
シ安息香酸t-ブチルエステル、2-フルオロ安息香酸t-ブ
チルエステル4-t-ブチルフタル酸ジt-ブチルエステル、
5-t-ブチルイソフタル酸ジt-ブチルエステル、4-n-アミ
ル安息香酸t-ブチルエステル、2-トリフルオロメチル安
息香酸t-ブチルエステル、4-トリフルオロメチル安息香
酸t-ブチルエステル、4-トリフルオロメチルフタル酸ジ
t-ブチルエステル、4-アセチル安息香酸ジt-ブチルエス
テル、4-ヒドロキシ安息香酸ジt-ブチルエステル、2-ヒ
ドロキシ安息香酸ジt-ブチルエステル、6-ヒドロキシ-
イソフタル酸ジt-ブチルエステル、2-カルボキシ安息香
酸ジt-ブチルエステル、3-カルボキシ安息香酸ジt-ブチ
ルエステル、4-カルボキシ安息香酸ジt-ブチルエステル
などが挙げられる。
ンゼン核からなる、芳香族カルボン酸t-ブチルエステル
類としては、具体的には、安息香酸t-ブチルエステル、
フタル酸ジt-ブチルエステル、イソフタル酸ジt-ブチル
エステル、テレフタル酸ジt-ブチルエステル、トリメリ
ット酸トリt-ブチルエステル、ピロメリット酸テトラt-
ブチルエステル、o-トルイル酸t-ブチルエステル、m-ト
ルイル酸t-ブチルエステル、p-トルイル酸t-ブチルエス
テル、p-t-ブチル安息香酸t-ブチルエステル、4-メトキ
シ安息香酸t-ブチルエステル、2-フルオロ安息香酸t-ブ
チルエステル4-t-ブチルフタル酸ジt-ブチルエステル、
5-t-ブチルイソフタル酸ジt-ブチルエステル、4-n-アミ
ル安息香酸t-ブチルエステル、2-トリフルオロメチル安
息香酸t-ブチルエステル、4-トリフルオロメチル安息香
酸t-ブチルエステル、4-トリフルオロメチルフタル酸ジ
t-ブチルエステル、4-アセチル安息香酸ジt-ブチルエス
テル、4-ヒドロキシ安息香酸ジt-ブチルエステル、2-ヒ
ドロキシ安息香酸ジt-ブチルエステル、6-ヒドロキシ-
イソフタル酸ジt-ブチルエステル、2-カルボキシ安息香
酸ジt-ブチルエステル、3-カルボキシ安息香酸ジt-ブチ
ルエステル、4-カルボキシ安息香酸ジt-ブチルエステル
などが挙げられる。
【００７７】水素化金属触媒 本発明で用いられる水素化金属触媒としては、貴金属触
媒、貴金属担持触媒および貴金属錯体触媒が好ましい。
特に貴金属担持触媒が触媒の価格、回収等の点から工業
的に好ましい。
媒、貴金属担持触媒および貴金属錯体触媒が好ましい。
特に貴金属担持触媒が触媒の価格、回収等の点から工業
的に好ましい。
【００７８】貴金属触媒、貴金属担持触媒および貴金属
錯体触媒の貴金属触媒成分としては、具体的には、ロジ
ウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、パラジウム（Ｐ
ｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金
（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）が挙げられる。
錯体触媒の貴金属触媒成分としては、具体的には、ロジ
ウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、パラジウム（Ｐ
ｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金
（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）が挙げられる。
【００７９】また、貴金属担持触媒に用いられる担体と
しては、具体的には、カーボン、アルミナ、シリカなど
が挙げられる。本発明においては、ロジウムカーボン、
パラジウムカーボン、ルテニウムカーボン、ロジウムア
ルミナ、パラジウムアルミナ、ルテニウムアルミナ等の
貴金属担持触媒が好ましく用いられる。
しては、具体的には、カーボン、アルミナ、シリカなど
が挙げられる。本発明においては、ロジウムカーボン、
パラジウムカーボン、ルテニウムカーボン、ロジウムア
ルミナ、パラジウムアルミナ、ルテニウムアルミナ等の
貴金属担持触媒が好ましく用いられる。
【００８０】上記のような水素化金属触媒は、芳香族カ
ルボン酸t-ブチルエステル類の使用量１００重量部に対
して、０．１〜５０重量部、好ましくは１〜２０重量部
の量で用いられる。
ルボン酸t-ブチルエステル類の使用量１００重量部に対
して、０．１〜５０重量部、好ましくは１〜２０重量部
の量で用いられる。
【００８１】溶 媒 本発明においては、反応温度で融解する芳香族カルボン
酸t-ブチルエステル類を原料とする場合、溶媒を用いる
必要はないが、反応温度で融解しない芳香族カルボン酸
t-ブチルエステル類を原料として用いる場合、その芳香
族カルボン酸t-ブチルエステル類を溶解することができ
る溶媒が用いられる。
酸t-ブチルエステル類を原料とする場合、溶媒を用いる
必要はないが、反応温度で融解しない芳香族カルボン酸
t-ブチルエステル類を原料として用いる場合、その芳香
族カルボン酸t-ブチルエステル類を溶解することができ
る溶媒が用いられる。
【００８２】このような溶媒としては、具体的には、テ
トラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジオキソラン、ジオキサ
ン等のエーテル類；メタノール、イソプロピルアルコー
ル、ブタノール等のアルコール類；エチレングリコール
等の多価アルコール類；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエ
ステル類などが挙げられる。これらの溶媒は、原料の溶
解性や反応性に合わせ、適宜用いれば良いが、反応性の
特に悪いものには、t-ブタノールが、反応速度を高める
ため好ましく使用される。
トラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジオキソラン、ジオキサ
ン等のエーテル類；メタノール、イソプロピルアルコー
ル、ブタノール等のアルコール類；エチレングリコール
等の多価アルコール類；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエ
ステル類などが挙げられる。これらの溶媒は、原料の溶
解性や反応性に合わせ、適宜用いれば良いが、反応性の
特に悪いものには、t-ブタノールが、反応速度を高める
ため好ましく使用される。
【００８３】上記のような溶媒は、芳香族カルボン酸t-
ブチルエステル類使用量の０〜５０倍、好ましくは０〜
１０倍の量で用いられる。水素添加の反応条件 上記芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類の芳香核に水
素添加する反応条件については、反応温度は、室温〜２
００℃、好ましくは５０〜１５０℃であり、反応圧力
は、常圧〜１００ｋｇ／ｃｍ2 、好ましくは３０〜７０
ｋｇ／ｃｍ2 、より好ましくは５０ｋｇ／ｃｍ2 程度で
あり、反応時間は、反応温度と反応圧力により異なる
が、数十分〜数十時間、好ましくは数十分〜数時間であ
る。
ブチルエステル類使用量の０〜５０倍、好ましくは０〜
１０倍の量で用いられる。水素添加の反応条件 上記芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類の芳香核に水
素添加する反応条件については、反応温度は、室温〜２
００℃、好ましくは５０〜１５０℃であり、反応圧力
は、常圧〜１００ｋｇ／ｃｍ2 、好ましくは３０〜７０
ｋｇ／ｃｍ2 、より好ましくは５０ｋｇ／ｃｍ2 程度で
あり、反応時間は、反応温度と反応圧力により異なる
が、数十分〜数十時間、好ましくは数十分〜数時間であ
る。
【００８４】上記一般式［Ｉ］で表わされる芳香族カル
ボン酸t-ブチルエステル類の芳香核に、上記のような反
応条件で、水素添加すると、下記一般式［II］で表わさ
れるヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類が生成
する。この反応収率は、水添前の物質によって異なる
が、５０〜１００％である。
ボン酸t-ブチルエステル類の芳香核に、上記のような反
応条件で、水素添加すると、下記一般式［II］で表わさ
れるヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類が生成
する。この反応収率は、水添前の物質によって異なる
が、５０〜１００％である。
【００８５】水素添加後の工程および製品 上記水素添加後、触媒の除去、溶媒の除去ないし生成物
の濃縮の工程を経て、得られた下記一般式［II］で表わ
されるヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類をそ
のまま製品とすることができる。
の濃縮の工程を経て、得られた下記一般式［II］で表わ
されるヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類をそ
のまま製品とすることができる。
【００８６】また、上記工程を経た後、さらに溶媒を添
加して再結晶するか、あるいは蒸留することにより、ヒ
ドロ芳香族カルボン酸エステル類を精製し、この精製品
を製品とすることもできる。
加して再結晶するか、あるいは蒸留することにより、ヒ
ドロ芳香族カルボン酸エステル類を精製し、この精製品
を製品とすることもできる。
【００８７】この製品性状は、結晶、または塊状固体、
アメ状固体あるいは液状である。
アメ状固体あるいは液状である。
【００８８】
【化５３】
【００８９】一般式［II］中、Ｘ、ｍおよびｎは、それ
ぞれ前記一般式［Ｉ］のＸ、ｍ、ｎと同じである。Ｚ2
は、ジシクロヘキシル構造体、デカヒドロナフタリン
核、両側にシクロヘキサン環が配されている炭化水素構
造体、またはベンゼン核からなるヒドロ芳香族含有基で
あり、これらの基は、それぞれ下記の式で表わされる。
ぞれ前記一般式［Ｉ］のＸ、ｍ、ｎと同じである。Ｚ2
は、ジシクロヘキシル構造体、デカヒドロナフタリン
核、両側にシクロヘキサン環が配されている炭化水素構
造体、またはベンゼン核からなるヒドロ芳香族含有基で
あり、これらの基は、それぞれ下記の式で表わされる。
【００９０】
【化５４】
【００９１】（Ｙは、前記一般式［Ｉ］のＹと同じ基で
ある。） 一般式［II］で表わされるヒドロ芳香族カルボン酸t-ブ
チルエステル類としては、具体的には、3,3',4,4'-ビフ
ェニルテトラカルボン酸t-ブチルエステルの水添物（＝
3,3',4,4'-ジシクロヘキシルテトラカルボン酸t-ブチル
エステル）、4,4'- ビフェニルジカルボン酸t-ブチルエ
ステルの水添物（＝4,4'- ジシクロヘキシルジカルボン
酸t-ブチルエステル）、4-ビフェニルカルボン酸t-ブチ
ルエステルの水添物（＝4-ジシクロヘキシルカルボン酸
t-ブチルエステル）、2,2'- ビフェニルジカルボン酸t-
ブチルエステルの水添物、3,3'- ビフェニルジカルボン
酸t-ブチルエステルの水添物、2-ビフェニルカルボン酸
t-ブチルエステルの水添物、3-ビフェニルカルボン酸t-
ブチルエステルの水添物、4,4'- ジヒドロキシ-3,3'-ビ
フェニルジカルボン酸t-ブチルエステルの水添物、4,4'
- ジヒドロキシ-3- ビフェニルカルボン酸t-ブチルエス
テルの水添物、4-ヒドロキシ-4'-ビフェニルカルボン酸
t-ブチルエステルの水添物、2-ヒドロキシ-3- ビフェニ
ルカルボン酸t-ブチルエステルの水添物、4-ヒドロキシ
-3- ビフェニルカルボン酸t-ブチルエステルの水添物、
4-カルボキシ-4'-ビフェニルカルボン酸t-ブチルエステ
ルの水添物、3,3'- ジカルボキシ-4,4'-ビフェニルジカ
ルボン酸t-ブチルエステルの水添物等のビフェニル構造
体からなる芳香環含有基を有する芳香族カルボン酸t-ブ
チルエステル類の水添物；2,6-ナフタレンジカルボン酸
t-ブチルエステルの水添物（＝2,7-デカヒドロナフタレ
ンジカルボン酸t-ブチルエステル）、1-ナフタレンカル
ボン酸t-ブチルエステルの水添物（＝1-デカヒドロナフ
タレンカルボン酸t-ブチルエステル）、2-ナフタレンカ
ルボン酸t-ブチルエステルの水添物（＝2-デカヒドロナ
フタレンカルボン酸t-ブチルエステル）、1,4-ナフタレ
ンジカルボン酸t-ブチルエステルの水添物（＝1,4-デカ
ヒドロナフタレンジカルボン酸t-ブチルエステル）、1,
5-ナフタレンジカルボン酸t-ブチルエステルの水添物、
2,3-ナフタレンジカルボン酸t-ブチルエステルの水添
物、1-ヒドロキシ-2- ナフタレンカルボン酸t-ブチルエ
ステルの水添物、1-ヒドロキシ-4- ナフタレンカルボン
酸t-ブチルエステルの水添物、1-ヒドロキシ-5- ナフタ
レンカルボン酸t-ブチルエステルの水添物、2-ヒドロキ
シ-3- ナフタレンカルボン酸t-ブチルエステルの水添
物、2-ヒドロキシ-6- ナフタレンカルボン酸t-ブチルエ
ステルの水添物、1-カルボキシ-4- ナフタレンカルボン
酸t-ブチルエステルの水添物、1-カルボキシ-5- ナフタ
レンカルボン酸t-ブチルエステルの水添物、2-カルボキ
シ-3- ナフタレンカルボン酸t-ブチルエステルの水添
物、2-カルボキシ-6- ナフタレンカルボン酸t-ブチルエ
ステルの水添物等のナフタリン核からなる芳香環含有基
を有する芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類の水添
物；4,4'-(ジ-t- ブトキシカルボニル）ジフェニルエー
テルの水添物（＝4,4'-(ジ-t- ブトキシカルボニル）ジ
シクロヘキシルエーテル）、2-フェノキシ安息香酸t-ブ
チルエステルの水添物、3-フェノキシ安息香酸t-ブチル
エステルの水添物、4-フェノキシ安息香酸t-ブチルエス
テルの水添物等のジフェニルエーテル構造体からなる芳
香環含有基を有する芳香族カルボン酸t-ブチルエステル
類；4,4'-(ヘキサフルオロイソプロピリデン）ジフタル
酸テトラt-ブチルエステルの水添物（＝4,4'-(ヘキサフ
ルオロイソプロピリデン）-1,1',2,2'- ジシクロヘキシ
ルテトラカルボン酸t-ブチルエステル）等の4,4'-(ヘキ
サフルオロイソプロピリデン）ジベンゼン核からなる芳
香環含有基を有する芳香族カルボン酸t-ブチルエステル
類の水添物；3,3',4,4'-（テトラ-t- ブトキシカルボニ
ル）ベンゾフェノンの水添物、4,4'-（ジ-t-ブトキシカ
ルボニル）ベンゾフェノンの水添物、4-t-ブトキシカル
ボニルベンゾフェノンの水添物等のベンゾフェノン構造
体からなる芳香環含有基を有する芳香族カルボン酸t-ブ
チルエステル類の水添物；安息香酸t-ブチルエステルの
水添物（＝シクロヘキサンカルボン酸t-ブチルエステ
ル）、フタル酸ジ-t- ブチルエステルの水添物（＝1,2-
シクロヘキサンジカルボン酸t-ブチルエステル）、イソ
フタル酸ジ-t- ブチルエステルの水添物、（＝1,3-シク
ロヘキサンジカルボン酸t-ブチルエステル）、テレフタ
ル酸ジ-t- ブチルエステルの水添物（＝1,4-シクロヘキ
サンジカルボン酸t-ブチルエステル）、トリメリット酸
トリ-t- ブチルエステルの水添物（＝1,2,4-シクロヘキ
サントリカルボン酸t-ブチルエステル）、ピロメリット
酸テトラ-t- ブチルエステルの水添物（＝1,2,4,5-シク
ロヘキサンテトラカルボン酸t-ブチルエステル）、o-ト
ルイル酸t-ブチルエステルの水添物（＝2-メチル-1- シ
クロヘキサンカルボン酸t-ブチルエステル）、m-トルイ
ル酸t-ブチルエステルの水添物（＝3-メチル-1- シクロ
ヘキサンカルボン酸t-ブチルエステル）、p-トルイル酸
t-ブチルエステルの水添物（＝4-メチル-1- シクロヘキ
サンカルボン酸t-ブチルエステル）、p-t-ブチル安息香
酸t-ブチルエステルの水添物（＝4-t-ブチルシクロヘキ
サンカルボン酸t-ブチルエステル）、4-メトキシ安息香
酸t-ブチルエステルの水添物（＝4-メトキシ-1- シクロ
ヘキサンカルボン酸t-ブチルエステル）、2-フルオロ安
息香酸t-ブチルエステルの水添物（＝2-フルオロ-1- シ
クロヘキサンカルボン酸t-ブチルエステル）、4-t-ブチ
ルフタル酸ジt-ブチルエステルの水添物、5-t-ブチルイ
ソフタル酸ジt-ブチルエステルの水添物、4-n-アミル安
息香酸t-ブチルエステルの水添物、2-トリフルオロメチ
ル安息香酸t-ブチルエステルの水添物、4-トリフルオロ
メチル安息香酸t-ブチルエステルの水添物、4-トリフル
オロメチルフタル酸ジt-ブチルエステルの水添物、4-ア
セチル安息香酸ジt-ブチルエステルの水添物、4-ヒドロ
キシ安息香酸ジt-ブチルエステルの水添物、2-ヒドロキ
シ安息香酸ジt-ブチルエステルの水添物、6-ヒドロキシ
- イソフタル酸ジt-ブチルエステルの水添物、2-カルボ
キシ安息香酸ジt-ブチルエステルの水添物、3-カルボキ
シ安息香酸ジt-ブチルエステルの水添物、4-カルボキシ
安息香酸ジt-ブチルエステルの水添物等のベンゼン核か
らなる芳香環含有基を有する芳香族カルボン酸t-ブチル
エステル類の水添物が挙げられる。
ある。） 一般式［II］で表わされるヒドロ芳香族カルボン酸t-ブ
チルエステル類としては、具体的には、3,3',4,4'-ビフ
ェニルテトラカルボン酸t-ブチルエステルの水添物（＝
3,3',4,4'-ジシクロヘキシルテトラカルボン酸t-ブチル
エステル）、4,4'- ビフェニルジカルボン酸t-ブチルエ
ステルの水添物（＝4,4'- ジシクロヘキシルジカルボン
酸t-ブチルエステル）、4-ビフェニルカルボン酸t-ブチ
ルエステルの水添物（＝4-ジシクロヘキシルカルボン酸
t-ブチルエステル）、2,2'- ビフェニルジカルボン酸t-
ブチルエステルの水添物、3,3'- ビフェニルジカルボン
酸t-ブチルエステルの水添物、2-ビフェニルカルボン酸
t-ブチルエステルの水添物、3-ビフェニルカルボン酸t-
ブチルエステルの水添物、4,4'- ジヒドロキシ-3,3'-ビ
フェニルジカルボン酸t-ブチルエステルの水添物、4,4'
- ジヒドロキシ-3- ビフェニルカルボン酸t-ブチルエス
テルの水添物、4-ヒドロキシ-4'-ビフェニルカルボン酸
t-ブチルエステルの水添物、2-ヒドロキシ-3- ビフェニ
ルカルボン酸t-ブチルエステルの水添物、4-ヒドロキシ
-3- ビフェニルカルボン酸t-ブチルエステルの水添物、
4-カルボキシ-4'-ビフェニルカルボン酸t-ブチルエステ
ルの水添物、3,3'- ジカルボキシ-4,4'-ビフェニルジカ
ルボン酸t-ブチルエステルの水添物等のビフェニル構造
体からなる芳香環含有基を有する芳香族カルボン酸t-ブ
チルエステル類の水添物；2,6-ナフタレンジカルボン酸
t-ブチルエステルの水添物（＝2,7-デカヒドロナフタレ
ンジカルボン酸t-ブチルエステル）、1-ナフタレンカル
ボン酸t-ブチルエステルの水添物（＝1-デカヒドロナフ
タレンカルボン酸t-ブチルエステル）、2-ナフタレンカ
ルボン酸t-ブチルエステルの水添物（＝2-デカヒドロナ
フタレンカルボン酸t-ブチルエステル）、1,4-ナフタレ
ンジカルボン酸t-ブチルエステルの水添物（＝1,4-デカ
ヒドロナフタレンジカルボン酸t-ブチルエステル）、1,
5-ナフタレンジカルボン酸t-ブチルエステルの水添物、
2,3-ナフタレンジカルボン酸t-ブチルエステルの水添
物、1-ヒドロキシ-2- ナフタレンカルボン酸t-ブチルエ
ステルの水添物、1-ヒドロキシ-4- ナフタレンカルボン
酸t-ブチルエステルの水添物、1-ヒドロキシ-5- ナフタ
レンカルボン酸t-ブチルエステルの水添物、2-ヒドロキ
シ-3- ナフタレンカルボン酸t-ブチルエステルの水添
物、2-ヒドロキシ-6- ナフタレンカルボン酸t-ブチルエ
ステルの水添物、1-カルボキシ-4- ナフタレンカルボン
酸t-ブチルエステルの水添物、1-カルボキシ-5- ナフタ
レンカルボン酸t-ブチルエステルの水添物、2-カルボキ
シ-3- ナフタレンカルボン酸t-ブチルエステルの水添
物、2-カルボキシ-6- ナフタレンカルボン酸t-ブチルエ
ステルの水添物等のナフタリン核からなる芳香環含有基
を有する芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類の水添
物；4,4'-(ジ-t- ブトキシカルボニル）ジフェニルエー
テルの水添物（＝4,4'-(ジ-t- ブトキシカルボニル）ジ
シクロヘキシルエーテル）、2-フェノキシ安息香酸t-ブ
チルエステルの水添物、3-フェノキシ安息香酸t-ブチル
エステルの水添物、4-フェノキシ安息香酸t-ブチルエス
テルの水添物等のジフェニルエーテル構造体からなる芳
香環含有基を有する芳香族カルボン酸t-ブチルエステル
類；4,4'-(ヘキサフルオロイソプロピリデン）ジフタル
酸テトラt-ブチルエステルの水添物（＝4,4'-(ヘキサフ
ルオロイソプロピリデン）-1,1',2,2'- ジシクロヘキシ
ルテトラカルボン酸t-ブチルエステル）等の4,4'-(ヘキ
サフルオロイソプロピリデン）ジベンゼン核からなる芳
香環含有基を有する芳香族カルボン酸t-ブチルエステル
類の水添物；3,3',4,4'-（テトラ-t- ブトキシカルボニ
ル）ベンゾフェノンの水添物、4,4'-（ジ-t-ブトキシカ
ルボニル）ベンゾフェノンの水添物、4-t-ブトキシカル
ボニルベンゾフェノンの水添物等のベンゾフェノン構造
体からなる芳香環含有基を有する芳香族カルボン酸t-ブ
チルエステル類の水添物；安息香酸t-ブチルエステルの
水添物（＝シクロヘキサンカルボン酸t-ブチルエステ
ル）、フタル酸ジ-t- ブチルエステルの水添物（＝1,2-
シクロヘキサンジカルボン酸t-ブチルエステル）、イソ
フタル酸ジ-t- ブチルエステルの水添物、（＝1,3-シク
ロヘキサンジカルボン酸t-ブチルエステル）、テレフタ
ル酸ジ-t- ブチルエステルの水添物（＝1,4-シクロヘキ
サンジカルボン酸t-ブチルエステル）、トリメリット酸
トリ-t- ブチルエステルの水添物（＝1,2,4-シクロヘキ
サントリカルボン酸t-ブチルエステル）、ピロメリット
酸テトラ-t- ブチルエステルの水添物（＝1,2,4,5-シク
ロヘキサンテトラカルボン酸t-ブチルエステル）、o-ト
ルイル酸t-ブチルエステルの水添物（＝2-メチル-1- シ
クロヘキサンカルボン酸t-ブチルエステル）、m-トルイ
ル酸t-ブチルエステルの水添物（＝3-メチル-1- シクロ
ヘキサンカルボン酸t-ブチルエステル）、p-トルイル酸
t-ブチルエステルの水添物（＝4-メチル-1- シクロヘキ
サンカルボン酸t-ブチルエステル）、p-t-ブチル安息香
酸t-ブチルエステルの水添物（＝4-t-ブチルシクロヘキ
サンカルボン酸t-ブチルエステル）、4-メトキシ安息香
酸t-ブチルエステルの水添物（＝4-メトキシ-1- シクロ
ヘキサンカルボン酸t-ブチルエステル）、2-フルオロ安
息香酸t-ブチルエステルの水添物（＝2-フルオロ-1- シ
クロヘキサンカルボン酸t-ブチルエステル）、4-t-ブチ
ルフタル酸ジt-ブチルエステルの水添物、5-t-ブチルイ
ソフタル酸ジt-ブチルエステルの水添物、4-n-アミル安
息香酸t-ブチルエステルの水添物、2-トリフルオロメチ
ル安息香酸t-ブチルエステルの水添物、4-トリフルオロ
メチル安息香酸t-ブチルエステルの水添物、4-トリフル
オロメチルフタル酸ジt-ブチルエステルの水添物、4-ア
セチル安息香酸ジt-ブチルエステルの水添物、4-ヒドロ
キシ安息香酸ジt-ブチルエステルの水添物、2-ヒドロキ
シ安息香酸ジt-ブチルエステルの水添物、6-ヒドロキシ
- イソフタル酸ジt-ブチルエステルの水添物、2-カルボ
キシ安息香酸ジt-ブチルエステルの水添物、3-カルボキ
シ安息香酸ジt-ブチルエステルの水添物、4-カルボキシ
安息香酸ジt-ブチルエステルの水添物等のベンゼン核か
らなる芳香環含有基を有する芳香族カルボン酸t-ブチル
エステル類の水添物が挙げられる。
【００９２】ところで、本願発明者らは、たとえば3,
3',4,4'-ジシクロヘキシルテトラカルボン酸t-ブチルエ
ステル（新規物質）の合成ルートとして、3,3',4,4'-ジ
シクロヘキシルテトラカルボン酸を、ＳＯＣｌ2 の存在
下で酸クロライド化し、次いで、カリウムt-ブトキシド
（(ＣＨ3)3ＣＯＫ）を反応させて3,3',4,4'-ジシクロヘ
キシルテトラカルボン酸t-ブチルエステルを合成するル
ートを検討したが、この合成ルートでは、3,3',4,4'-ジ
シクロヘキシルテトラカルボン酸t-ブチルエステルの収
率は、１８．５％で非常に低く、得られた製品は、黄色
く着色していた。
3',4,4'-ジシクロヘキシルテトラカルボン酸t-ブチルエ
ステル（新規物質）の合成ルートとして、3,3',4,4'-ジ
シクロヘキシルテトラカルボン酸を、ＳＯＣｌ2 の存在
下で酸クロライド化し、次いで、カリウムt-ブトキシド
（(ＣＨ3)3ＣＯＫ）を反応させて3,3',4,4'-ジシクロヘ
キシルテトラカルボン酸t-ブチルエステルを合成するル
ートを検討したが、この合成ルートでは、3,3',4,4'-ジ
シクロヘキシルテトラカルボン酸t-ブチルエステルの収
率は、１８．５％で非常に低く、得られた製品は、黄色
く着色していた。
【００９３】また、3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボ
ン酸２無水物に、硫酸の存在下でメタノールを反応させ
てメチルエステル化した後、芳香核を還元（水素添加）
し、次いで、t-ブチルアルコールと反応させてエステル
交換させる合成ルートを検討したが、エステル交換が３
置換体以上進まず、目的とする3,3',4,4'-ジシクロヘキ
シルテトラカルボン酸t-ブチルエステルを合成すること
ができなかった。これは、t-ブチル基が立体的に非常に
「嵩高い」ため、隣接するカルボン酸へのt-ブチルエス
テル基の導入が、立体障害により阻害されるためと思わ
れる。
ン酸２無水物に、硫酸の存在下でメタノールを反応させ
てメチルエステル化した後、芳香核を還元（水素添加）
し、次いで、t-ブチルアルコールと反応させてエステル
交換させる合成ルートを検討したが、エステル交換が３
置換体以上進まず、目的とする3,3',4,4'-ジシクロヘキ
シルテトラカルボン酸t-ブチルエステルを合成すること
ができなかった。これは、t-ブチル基が立体的に非常に
「嵩高い」ため、隣接するカルボン酸へのt-ブチルエス
テル基の導入が、立体障害により阻害されるためと思わ
れる。
【００９４】このように、シクロヘキシルカルボン酸類
へのt-ブチルエステル基の導入は、t-ブチル基が３級で
あり「嵩高い」ため、１級であるメチル基や、２級のイ
ソプロピル基等に比べ、立体障害が大きくなり、非常に
困難であった。
へのt-ブチルエステル基の導入は、t-ブチル基が３級で
あり「嵩高い」ため、１級であるメチル基や、２級のイ
ソプロピル基等に比べ、立体障害が大きくなり、非常に
困難であった。
【００９５】一方、芳香族カルボン酸エステル類の水素
添加によるヒドロ芳香族カルボン酸エステル類の合成法
も知られているが、水素添加に際しても、アルキルエス
テル基の「嵩高さ」が問題となる。つまり、メチルエス
テル基の場合は、容易に水素添加できるが、アルキルエ
ステル基が大きくなるにつれ、その「嵩高さ」のため水
素添加は困難となる。3,3',4,4'-ビフェニルテトラカル
ボン酸の場合、メチルエステルでは、容易に水素添加で
きたが、n-ヘキシルエステルでは、いかなる反応条件で
も水素添加できなかった。また、更にt-ブチルエステル
基は、酸や熱により容易に分解し、イソブチレンになる
ため、t-ブチルエステル類の水素添加は、非常な困難が
予測される。
添加によるヒドロ芳香族カルボン酸エステル類の合成法
も知られているが、水素添加に際しても、アルキルエス
テル基の「嵩高さ」が問題となる。つまり、メチルエス
テル基の場合は、容易に水素添加できるが、アルキルエ
ステル基が大きくなるにつれ、その「嵩高さ」のため水
素添加は困難となる。3,3',4,4'-ビフェニルテトラカル
ボン酸の場合、メチルエステルでは、容易に水素添加で
きたが、n-ヘキシルエステルでは、いかなる反応条件で
も水素添加できなかった。また、更にt-ブチルエステル
基は、酸や熱により容易に分解し、イソブチレンになる
ため、t-ブチルエステル類の水素添加は、非常な困難が
予測される。
【００９６】このように、ヒドロ芳香族カルボン酸t-ブ
チルエステルの合成が困難であったため、ヒドロ芳香族
カルボン酸t-ブチルエステルは、ＡｒＦまたはＫｒＦエ
キシマレジスト材料として有望にもかかわらず、本願発
明者の知りうる限りでは、これまで検討されていなかっ
た。
チルエステルの合成が困難であったため、ヒドロ芳香族
カルボン酸t-ブチルエステルは、ＡｒＦまたはＫｒＦエ
キシマレジスト材料として有望にもかかわらず、本願発
明者の知りうる限りでは、これまで検討されていなかっ
た。
【００９７】このような状況を踏まえ、本願発明者ら
が、ヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類の合成
法を鋭意研究した結果、反応条件を慎重に選ぶことによ
り、芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類の水素添加に
より、ヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類を高
収率、高純度で合成できることを見出し、本発明を完成
するに至った。
が、ヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類の合成
法を鋭意研究した結果、反応条件を慎重に選ぶことによ
り、芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類の水素添加に
より、ヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類を高
収率、高純度で合成できることを見出し、本発明を完成
するに至った。
【００９８】
【発明の効果】本発明によれば、高品質のヒドロ芳香族
カルボン酸t-ブチルエステル類が高収率で得られる。
カルボン酸t-ブチルエステル類が高収率で得られる。
【００９９】このヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエス
テル類製品は、アルゴンフルオライド（ＡｒＦ）または
クリプトンフルオライド（ＫｒＦ）エキシマレジスト用
の溶解抑制剤として非常に有用である。さらには、Ａｒ
Ｆ、ＫｒＦ以外の、電子線、Ｘ線、紫外線等を含む各種
放射線レジスト用の溶解抑制剤としても有用である。
テル類製品は、アルゴンフルオライド（ＡｒＦ）または
クリプトンフルオライド（ＫｒＦ）エキシマレジスト用
の溶解抑制剤として非常に有用である。さらには、Ａｒ
Ｆ、ＫｒＦ以外の、電子線、Ｘ線、紫外線等を含む各種
放射線レジスト用の溶解抑制剤としても有用である。
【０１００】また、このヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチ
ルエステル類は、酸によりt-ブチルエステル基を容易に
脱離させることができるので、ヒドロ芳香族カルボン酸
類を用いる各種合成品の中間体、たとえば医農薬品、機
能性色素、機能性材料、ポリエステル、ポリイミド、ポ
リアミド等の樹脂、各種添加剤の中間体として有用であ
る。
ルエステル類は、酸によりt-ブチルエステル基を容易に
脱離させることができるので、ヒドロ芳香族カルボン酸
類を用いる各種合成品の中間体、たとえば医農薬品、機
能性色素、機能性材料、ポリエステル、ポリイミド、ポ
リアミド等の樹脂、各種添加剤の中間体として有用であ
る。
【０１０１】
【実施例】以下、本発明を実施例により説明するが、本
発明は、これら実施例に限定されるものではない。
発明は、これら実施例に限定されるものではない。
【０１０２】
【実施例１】 ［2,7-デカヒドロナフタレンジカルボン酸t-ブチルエス
テルの製造］原料として2,6-ナフタレンジカルボン酸t-
ブチルエステル２５ｇ、溶媒としてテトラヒドロフラン
２００ｇおよび貴金属担持触媒として５％ロジウムカー
ボン２ｇ（５０％ウェット品）を、撹拌付き５００ｍｌ
容量のステンレス製オートクレーブに仕込み、温度１０
０℃、水素圧力２０ｋｇ／ｃｍ2 Ｇの条件下で、４時間
半、撹拌した。
テルの製造］原料として2,6-ナフタレンジカルボン酸t-
ブチルエステル２５ｇ、溶媒としてテトラヒドロフラン
２００ｇおよび貴金属担持触媒として５％ロジウムカー
ボン２ｇ（５０％ウェット品）を、撹拌付き５００ｍｌ
容量のステンレス製オートクレーブに仕込み、温度１０
０℃、水素圧力２０ｋｇ／ｃｍ2 Ｇの条件下で、４時間
半、撹拌した。
【０１０３】反応終了後、得られた反応混合物を常温ま
で冷却してオートクレーブから取り出し、触媒を濾別し
た後、溶媒を留去して、下式で表わされる2,7-デカヒド
ロナフタレンジカルボン酸t-ブチルエステル２５．２ｇ
を白色塊状固体として得た。この2,7-デカヒドロナフタ
レンジカルボン酸t-ブチルエステルの純度は、高速液体
クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ、ＲＩ検出器）で測定し
た結果、９６．８％であった。
で冷却してオートクレーブから取り出し、触媒を濾別し
た後、溶媒を留去して、下式で表わされる2,7-デカヒド
ロナフタレンジカルボン酸t-ブチルエステル２５．２ｇ
を白色塊状固体として得た。この2,7-デカヒドロナフタ
レンジカルボン酸t-ブチルエステルの純度は、高速液体
クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ、ＲＩ検出器）で測定し
た結果、９６．８％であった。
【０１０４】
【化５５】
【０１０５】なお上記2,7-デカヒドロナフタレンジカル
ボン酸t-ブチルエステルの同定は、Ｈ1 −ＮＭＲ、マス
スペクトル、赤外線吸収スペクトルにより行なった。以
下にその測定データを示す。 （１）Ｈ1-ＮＭＲ（６０ＭＨｚ）
ボン酸t-ブチルエステルの同定は、Ｈ1 −ＮＭＲ、マス
スペクトル、赤外線吸収スペクトルにより行なった。以
下にその測定データを示す。 （１）Ｈ1-ＮＭＲ（６０ＭＨｚ）
【０１０６】
【表１】
【０１０７】（２）マススペクトル（ＤＩ法） 分子イオンピーク（ｍ／ｅ）：３３８ フラグメントピーク ：２８３、２２７、２０８ （３）赤外線吸収スペクトル Ｃ＝Ｏ ：１７２０ｃｍ-1 Ｃ−Ｏ−Ｃ ：１１６０ｃｍ-1
【０１０８】
【実施例２】 ［3,3',4,4'-ジシクロヘキシルテトラカルボン酸t-ブチ
ルエステルの製造］原料として3,3',4,4'-ビフェニルテ
トラカルボン酸t-ブチルエステル３０ｇ、溶媒としてテ
トラヒドロフラン２００ｇおよび貴金属担持触媒として
５％ロジウムカーボン３ｇ（５０％ウェット品）を、撹
拌付き５００ｍｌ容量のステンレス製オートクレーブに
仕込み、温度１００℃、水素圧力３０ｋｇ／ｃｍ2 Ｇの
条件下で、３０分間、撹拌した。
ルエステルの製造］原料として3,3',4,4'-ビフェニルテ
トラカルボン酸t-ブチルエステル３０ｇ、溶媒としてテ
トラヒドロフラン２００ｇおよび貴金属担持触媒として
５％ロジウムカーボン３ｇ（５０％ウェット品）を、撹
拌付き５００ｍｌ容量のステンレス製オートクレーブに
仕込み、温度１００℃、水素圧力３０ｋｇ／ｃｍ2 Ｇの
条件下で、３０分間、撹拌した。
【０１０９】反応終了後、得られた反応混合物を常温ま
で冷却してオートクレーブから取り出し、触媒を濾別し
た後、溶媒を留去して、下式で表わされる3,3',4,4'-ジ
シクロヘキシルテトラカルボン酸t-ブチルエステル３
０．１ｇを白色塊状として得た。
で冷却してオートクレーブから取り出し、触媒を濾別し
た後、溶媒を留去して、下式で表わされる3,3',4,4'-ジ
シクロヘキシルテトラカルボン酸t-ブチルエステル３
０．１ｇを白色塊状として得た。
【０１１０】この3,3',4,4'-ジシクロヘキシルテトラカ
ルボン酸t-ブチルエステルの純度は、高速液体クロマト
グラフィー（ＨＰＬＣ、ＲＩ検出器）で測定した結果、
９５．１％であった。
ルボン酸t-ブチルエステルの純度は、高速液体クロマト
グラフィー（ＨＰＬＣ、ＲＩ検出器）で測定した結果、
９５．１％であった。
【０１１１】
【化５６】
【０１１２】なお上記3,3',4,4'-ジシクロヘキシルテト
ラカルボン酸t-ブチルエステルの同定は、Ｈ1 −ＮＭ
Ｒ、マススペクトル、赤外線吸収スペクトルにより行な
った。以下にその測定データを示す。 （１）Ｈ1-ＮＭＲ（６０ＭＨｚ）
ラカルボン酸t-ブチルエステルの同定は、Ｈ1 −ＮＭ
Ｒ、マススペクトル、赤外線吸収スペクトルにより行な
った。以下にその測定データを示す。 （１）Ｈ1-ＮＭＲ（６０ＭＨｚ）
【０１１３】
【表２】
【０１１４】（２）マススペクトル（ＤＩ法） 分子イオンピーク（ｍ／ｅ）：５６６（微弱） フラグメントピーク ：３３４、３０７ （３）赤外線吸収スペクトル Ｃ＝Ｏ ：１７１０ｃｍ-1 Ｃ−Ｏ−Ｃ ：１１６０ｃｍ-1
【０１１５】
【実施例３】 ［1,3-シクロヘキサンジカルボン酸t-ブチルエステルの
製造］原料としてイソフタル酸ジt-ブチルエステル２０
ｇ、溶媒としてテトラヒドロフラン２００ｇおよび貴金
属担持触媒として５％ロジウムカーボン２ｇ（５０％ウ
ェット品）を、撹拌付き５００ｍｌ容量のステンレス製
オートクレーブに仕込み、温度１００℃、水素圧力５０
ｋｇ／ｃｍ2 Ｇの条件下で、２０分間、撹拌した。
製造］原料としてイソフタル酸ジt-ブチルエステル２０
ｇ、溶媒としてテトラヒドロフラン２００ｇおよび貴金
属担持触媒として５％ロジウムカーボン２ｇ（５０％ウ
ェット品）を、撹拌付き５００ｍｌ容量のステンレス製
オートクレーブに仕込み、温度１００℃、水素圧力５０
ｋｇ／ｃｍ2 Ｇの条件下で、２０分間、撹拌した。
【０１１６】反応終了後、得られた反応混合物を常温ま
で冷却してオートクレーブから取り出し、触媒を濾別し
た後、溶媒を留去して、下式で表わされる1,3-シクロヘ
キサンジカルボン酸t-ブチルエステル２０．１ｇを無色
透明液体として得た。
で冷却してオートクレーブから取り出し、触媒を濾別し
た後、溶媒を留去して、下式で表わされる1,3-シクロヘ
キサンジカルボン酸t-ブチルエステル２０．１ｇを無色
透明液体として得た。
【０１１７】この1,3-シクロヘキサンジカルボン酸t-ブ
チルエステルの純度は、高速液体クロマトグラフィー
（ＨＰＬＣ、ＲＩ検出器）で測定した結果、９６．７％
であった。
チルエステルの純度は、高速液体クロマトグラフィー
（ＨＰＬＣ、ＲＩ検出器）で測定した結果、９６．７％
であった。
【０１１８】
【化５７】
【０１１９】なお上記1,3-シクロヘキサンジカルボン酸
t-ブチルエステルの同定は、Ｈ1 −ＮＭＲ、マススペク
トル、赤外線吸収スペクトルにより行なった。以下にそ
の測定データを示す。 （１）Ｈ1-ＮＭＲ（６０ＭＨｚ）
t-ブチルエステルの同定は、Ｈ1 −ＮＭＲ、マススペク
トル、赤外線吸収スペクトルにより行なった。以下にそ
の測定データを示す。 （１）Ｈ1-ＮＭＲ（６０ＭＨｚ）
【０１２０】
【表３】
【０１２１】（２）マススペクトル（ＤＩ法） 分子イオンピーク（ｍ／ｅ）：検出不能 フラグメントピーク ：２１１、１７３、１５５ （３）赤外線吸収スペクトル Ｃ＝Ｏ ：１７３０ｃｍ-1 Ｃ−Ｏ−Ｃ ：１１６０ｃｍ-1
【０１２２】
【実施例４】 ［2-トリフルオロメチルシクロヘキサンカルボン酸t-ブ
チルエステルの製造］原料として2-トリフルオロメチル
安息香酸t-ブチルエステル２０ｇ、溶媒としてt-ブタノ
ール２００ｇおよび貴金属担持触媒として５％ロジウム
カーボン４ｇ（５０％ウェット品）を、撹拌付き５００
ｍｌ容量のステンレス製オートクレーブに仕込み、温度
１００℃、水素圧力１００ｋｇ／ｃｍ2 Ｇの条件下で、
３０分間、撹拌した。
チルエステルの製造］原料として2-トリフルオロメチル
安息香酸t-ブチルエステル２０ｇ、溶媒としてt-ブタノ
ール２００ｇおよび貴金属担持触媒として５％ロジウム
カーボン４ｇ（５０％ウェット品）を、撹拌付き５００
ｍｌ容量のステンレス製オートクレーブに仕込み、温度
１００℃、水素圧力１００ｋｇ／ｃｍ2 Ｇの条件下で、
３０分間、撹拌した。
【０１２３】反応終了後、得られた反応混合物を常温ま
で冷却してオートクレーブから取り出し、触媒を濾別し
た後、溶媒を留去して、下式で表わされる2-トリフルオ
ロメチルシクロヘキサンカルボン酸t-ブチルエステル２
０．１ｇを無色透明液体として得た。
で冷却してオートクレーブから取り出し、触媒を濾別し
た後、溶媒を留去して、下式で表わされる2-トリフルオ
ロメチルシクロヘキサンカルボン酸t-ブチルエステル２
０．１ｇを無色透明液体として得た。
【０１２４】この2-トリフルオロメチルシクロヘキサン
カルボン酸t-ブチルエステルの純度は、高速液体クロマ
トグラフィー（ＨＰＬＣ、ＲＩ検出器）で測定した結
果、９９．９％であった。
カルボン酸t-ブチルエステルの純度は、高速液体クロマ
トグラフィー（ＨＰＬＣ、ＲＩ検出器）で測定した結
果、９９．９％であった。
【０１２５】
【化５８】
【０１２６】なお上記2-トリフルオロメチルシクロヘキ
サンカルボン酸t-ブチルエステルの同定は、Ｈ1 −ＮＭ
Ｒ、マススペクトル、赤外線吸収スペクトルにより行な
った。以下にその測定データを示す。 （１）Ｈ1-ＮＭＲ（６０ＭＨｚ）
サンカルボン酸t-ブチルエステルの同定は、Ｈ1 −ＮＭ
Ｒ、マススペクトル、赤外線吸収スペクトルにより行な
った。以下にその測定データを示す。 （１）Ｈ1-ＮＭＲ（６０ＭＨｚ）
【０１２７】
【表４】
【０１２８】（２）マススペクトル（ＤＩ法） 分子イオンピーク（ｍ／ｅ）：検出不能 フラグメントピーク ：２２４、２０９、１７９ （３）赤外線吸収スペクトル Ｃ＝Ｏ ：１７３０ｃｍ-1 Ｃ−Ｏ−Ｃ ：１１４０ｃｍ-1
【０１２９】
【実施例５】 ［4-メトキシ-1- シクロヘキサンカルボン酸t-ブチルエ
ステルの製造］原料として4-メトキシ安息香酸t-ブチル
エステル２０ｇ、溶媒としてテトラヒドロフラン２００
ｇおよび貴金属担持触媒として５％ロジウムカーボン２
ｇ（５０％ウェット品）を、撹拌付き５００ｍｌ容量の
ステンレス製オートクレーブに仕込み、温度１００℃、
水素圧力５０ｋｇ／ｃｍ2 Ｇの条件下で、２時間、撹拌
した。
ステルの製造］原料として4-メトキシ安息香酸t-ブチル
エステル２０ｇ、溶媒としてテトラヒドロフラン２００
ｇおよび貴金属担持触媒として５％ロジウムカーボン２
ｇ（５０％ウェット品）を、撹拌付き５００ｍｌ容量の
ステンレス製オートクレーブに仕込み、温度１００℃、
水素圧力５０ｋｇ／ｃｍ2 Ｇの条件下で、２時間、撹拌
した。
【０１３０】反応終了後、得られた反応混合物を常温ま
で冷却してオートクレーブから取り出し、触媒を濾別し
た後、溶媒を留去して、下式で表わされる4-メトキシ-1
- シクロヘキサンカルボン酸t-ブチルエステル１９．７
ｇを無色透明液体として得た。
で冷却してオートクレーブから取り出し、触媒を濾別し
た後、溶媒を留去して、下式で表わされる4-メトキシ-1
- シクロヘキサンカルボン酸t-ブチルエステル１９．７
ｇを無色透明液体として得た。
【０１３１】この4-メトキシ-1- シクロヘキサンカルボ
ン酸t-ブチルエステルの純度は、高速液体クロマトグラ
フィー（ＨＰＬＣ、ＲＩ検出器）で測定した結果、８
８．３％であった。
ン酸t-ブチルエステルの純度は、高速液体クロマトグラ
フィー（ＨＰＬＣ、ＲＩ検出器）で測定した結果、８
８．３％であった。
【０１３２】
【化５９】
【０１３３】なお上記4-メトキシ-1- シクロヘキサンカ
ルボン酸t-ブチルエステルの同定は、Ｈ1 −ＮＭＲ、マ
ススペクトル、赤外線吸収スペクトルにより行なった。
以下にその測定データを示す。 （１）Ｈ1-ＮＭＲ（６０ＭＨｚ）
ルボン酸t-ブチルエステルの同定は、Ｈ1 −ＮＭＲ、マ
ススペクトル、赤外線吸収スペクトルにより行なった。
以下にその測定データを示す。 （１）Ｈ1-ＮＭＲ（６０ＭＨｚ）
【０１３４】
【表５】
【０１３５】（２）マススペクトル（ＤＩ法） 分子イオンピーク（ｍ／ｅ）：検出不能 フラグメントピーク ：１５９、１４１、１２６ （３）赤外線吸収スペクトル Ｃ＝Ｏ ：１７３０ｃｍ-1 Ｃ−Ｏ−Ｃ ：１１５０ｃｍ-1
【０１３６】
【実施例６】 ［4,4'-(ジ-t-ブトキシカルボニル）ジシクロヘキシル
エーテルの製造］原料として4,4'-(ジ-t-ブトキシカル
ボニル）ジフェニルエーテル２０ｇ、溶媒としてt-ブタ
ノール２００ｇおよび貴金属担持触媒として５％ロジウ
ムカーボン４ｇ（５０％ウェット品）を、撹拌付き５０
０ｍｌ容量のステンレス製オートクレーブに仕込み、温
度７０℃、水素圧力５０ｋｇ／ｃｍ2 Ｇの条件下で、２
０分間、撹拌した。
エーテルの製造］原料として4,4'-(ジ-t-ブトキシカル
ボニル）ジフェニルエーテル２０ｇ、溶媒としてt-ブタ
ノール２００ｇおよび貴金属担持触媒として５％ロジウ
ムカーボン４ｇ（５０％ウェット品）を、撹拌付き５０
０ｍｌ容量のステンレス製オートクレーブに仕込み、温
度７０℃、水素圧力５０ｋｇ／ｃｍ2 Ｇの条件下で、２
０分間、撹拌した。
【０１３７】反応終了後、得られた反応混合物を常温ま
で冷却してオートクレーブから取り出し、触媒を濾別し
た後、溶媒を留去して、下式で表わされる4,4'-(ジ-t-
ブトキシカルボニル）ジシクロヘキシルエーテル１９．
７ｇを無色透明液体として得た。
で冷却してオートクレーブから取り出し、触媒を濾別し
た後、溶媒を留去して、下式で表わされる4,4'-(ジ-t-
ブトキシカルボニル）ジシクロヘキシルエーテル１９．
７ｇを無色透明液体として得た。
【０１３８】この4,4'-(ジ-t-ブトキシカルボニル）ジ
シクロヘキシルエーテルの純度は、高速液体クロマトグ
ラフィー（ＨＰＬＣ、ＲＩ検出器）で測定した結果、６
４．０％であった。
シクロヘキシルエーテルの純度は、高速液体クロマトグ
ラフィー（ＨＰＬＣ、ＲＩ検出器）で測定した結果、６
４．０％であった。
【０１３９】
【化６０】
【０１４０】なお上記4,4'-(ジ-t-ブトキシカルボニ
ル）ジシクロヘキシルエーテルの同定は、Ｈ1 −ＮＭ
Ｒ、マススペクトル、赤外線吸収スペクトルにより行な
った。以下にその測定データを示す。 （１）Ｈ1-ＮＭＲ（６０ＭＨｚ）
ル）ジシクロヘキシルエーテルの同定は、Ｈ1 −ＮＭ
Ｒ、マススペクトル、赤外線吸収スペクトルにより行な
った。以下にその測定データを示す。 （１）Ｈ1-ＮＭＲ（６０ＭＨｚ）
【０１４１】
【表６】
【０１４２】（２）マススペクトル（ＤＩ法） 分子イオンピーク（ｍ／ｅ）：検出不能 フラグメントピーク ：３２６、３０９、２７０ （３）赤外線吸収スペクトル Ｃ＝Ｏ ：１７３０ｃｍ-1 Ｃ−Ｏ−Ｃ ：１１５０ｃｍ-1
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ０７Ｃ 69/757 Ｃ０７Ｃ 69/757 Ｃ // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００
Claims (9)
- 【請求項１】下記一般式［Ｉ］ 【化１】 ［式中、Ｘは、水酸基、カルボキシル基、炭素原子数１
〜８のアルキル基、炭素原子数５〜６のシクロアルキル
基、炭素原子数１〜８のハロゲン化アルキル基、または
−ＯＲ基（Ｒは、炭素原子数１〜１８のアルキル基また
は炭素原子数５〜１２のシクロアルキル基である）であ
り、 Ｚ1 は、 【化２】 （Ｙは、酸素原子、カルボニル基、または下記式 【化３】 （Ｒ1 およびＲ2 は、それぞれ独立して水素原子、ハロ
ゲン原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、または炭素
原子数１〜６のハロゲン化アルキル基である）で表わさ
れる基である）で表わされる芳香環含有基であり、 ｍは、０または１〜４の整数であり、 ｎは、１〜４の整数である］で表わされる芳香族カルボ
ン酸t-ブチルエステル類の芳香核を、水素化金属触媒の
存在下で、水素添加することにより、下記一般式［II］ 【化４】 ［式中、Ｘは、水酸基、カルボキシル基、炭素原子数１
〜８のアルキル基、炭素原子数５〜６のシクロアルキル
基、炭素原子数１〜８のハロゲン化アルキル基、または
−ＯＲ基（Ｒは、炭素原子数１〜１８のアルキル基また
は炭素原子数５〜１２のシクロアルキル基である）であ
り、 Ｚ2 は、 【化５】 （Ｙは、酸素原子、カルボニル基、または下記式 【化６】 （Ｒ1 およびＲ2 は、それぞれ独立して水素原子、ハロ
ゲン原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、または炭素
原子数１〜６のハロゲン化アルキル基である）で表わさ
れる基である）で表わされるヒドロ芳香環含有基であ
り、 ｍは、０または１〜４の整数であり、 ｎは、１〜４の整数である］で表わされるヒドロ芳香族
カルボン酸t-ブチルエステル類を得ることを特徴とする
ヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類の製造方
法。 - 【請求項２】下記一般式［Ｉ］ 【化７】 ［式中、Ｘは、水酸基、カルボキシル基、炭素原子数１
〜８のアルキル基、炭素原子数５〜６のシクロアルキル
基、炭素原子数１〜８のハロゲン化アルキル基、または
−ＯＲ基（Ｒは、炭素原子数１〜１８のアルキル基また
は炭素原子数５〜１２のシクロアルキル基である）であ
り、Ｚ1 は、 【化８】 で表わされる芳香環含有基であり、 ｍは、０または１〜４の整数であり、 ｎは、１〜４の整数である］で表わされる芳香族カルボ
ン酸t-ブチルエステル類の芳香核に、貴金属触媒、貴金
属担持触媒または貴金属錯体触媒の存在下で、水素添加
することにより、下記一般式［II］ 【化９】 ［式中、Ｘは、水酸基、カルボキシル基、炭素原子数１
〜８のアルキル基、炭素原子数５〜６のシクロアルキル
基、炭素原子数１〜８のハロゲン化アルキル基、または
−ＯＲ基（Ｒは、炭素原子数１〜１８のアルキル基また
は炭素原子数５〜１２のシクロアルキル基である）であ
り、Ｚ2 は、 【化１０】 で表わされるヒドロ芳香環含有基であり、 ｍは、０または１〜４の整数であり、 ｎは、１〜４の整数である］で表わされるヒドロ芳香族
カルボン酸t-ブチルエステル類を得ることを特徴とする
請求項１に記載のヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエス
テル類の製造方法。 - 【請求項３】下記一般式［Ｉ］ 【化１１】 ［式中、Ｘは、水酸基、カルボキシル基、炭素原子数１
〜８のアルキル基、炭素原子数５〜６のシクロアルキル
基、炭素原子数１〜８のハロゲン化アルキル基、または
−ＯＲ基（Ｒは、炭素原子数１〜１８のアルキル基また
は炭素原子数５〜１２のシクロアルキル基である）であ
り、Ｚ1 は、 【化１２】 で表わされる芳香環含有基であり、 ｍは、０または１〜４の整数であり、 ｎは、１〜４の整数である］で表わされる芳香族カルボ
ン酸t-ブチルエステル類の芳香核に、貴金属触媒、貴金
属担持触媒または貴金属錯体触媒の存在下で、水素添加
することにより、下記一般式［II］ 【化１３】 ［式中、Ｘは、水酸基、カルボキシル基、炭素原子数１
〜８のアルキル基、炭素原子数５〜６のシクロアルキル
基、炭素原子数１〜８のハロゲン化アルキル基、または
−ＯＲ基（Ｒは、炭素原子数１〜１８のアルキル基また
は炭素原子数５〜１２のシクロアルキル基である）であ
り、Ｚ2 は、 【化１４】 で表わされるヒドロ芳香環含有基であり、 ｍは、０または１〜４の整数であり、 ｎは、１〜４の整数である］で表わされるヒドロ芳香族
カルボン酸t-ブチルエステル類を得ることを特徴とする
請求項１に記載のヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエス
テル類の製造方法。 - 【請求項４】下記一般式［Ｉ］ 【化１５】 ［式中、Ｘは、水酸基、カルボキシル基、炭素原子数１
〜８のアルキル基、炭素原子数５〜６のシクロアルキル
基、炭素原子数１〜８のハロゲン化アルキル基、または
−ＯＲ基（Ｒは、炭素原子数１〜１８のアルキル基また
は炭素原子数５〜１２のシクロアルキル基である）であ
り、 Ｚ1 は、 【化１６】 （Ｙは、酸素原子、カルボニル基、または下記式 【化１７】 （Ｒ1 およびＲ2 は、それぞれ独立して水素原子、ハロ
ゲン原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、または炭素
原子数１〜６のハロゲン化アルキル基である）で表わさ
れる基である）で表わされる芳香環含有基であり、 ｍは、０または１〜４の整数であり、 ｎは、１〜４の整数である］で表わされる芳香族カルボ
ン酸t-ブチルエステル類の芳香核に、貴金属触媒、貴金
属担持触媒または貴金属錯体触媒の存在下で、水素添加
することにより、下記一般式［II］ 【化１８】 ［式中、Ｘは、水酸基、カルボキシル基、炭素原子数１
〜８のアルキル基、炭素原子数５〜６のシクロアルキル
基、炭素原子数１〜８のハロゲン化アルキル基、または
−ＯＲ基（Ｒは、炭素原子数１〜１８のアルキル基また
は炭素原子数５〜１２のシクロアルキル基である）であ
り、 Ｚ2 は、 【化１９】 （Ｙは、酸素原子、カルボニル基、または下記式 【化２０】 （Ｒ1 およびＲ2 は、それぞれ独立して水素原子、ハロ
ゲン原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、または炭素
原子数１〜６のハロゲン化アルキル基である）で表わさ
れる基である）で表わされるヒドロ芳香環含有基であ
り、 ｍは、０または１〜４の整数であり、 ｎは、１〜４の整数である］で表わされるヒドロ芳香族
カルボン酸t-ブチルエステル類を得ることを特徴とする
請求項１に記載のヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエス
テル類の製造方法。 - 【請求項５】下記一般式［Ｉ］ 【化２１】 ［式中、Ｘは、水酸基、カルボキシル基、炭素原子数１
〜８のアルキル基、炭素原子数５〜６のシクロアルキル
基、炭素原子数１〜８のハロゲン化アルキル基、または
−ＯＲ基（Ｒは、炭素原子数１〜１８のアルキル基また
は炭素原子数５〜１２のシクロアルキル基である）であ
り、 Ｚ1 は、 【化２２】 で表わされる芳香環含有基であり、 ｍは０〜４の整数、ｎは１〜４の整数、かつ、ｍ＋ｎは
６以下の整数である］で表わされる芳香族カルボン酸t-
ブチルエステル類の芳香核に、貴金属触媒、貴金属担持
触媒または貴金属錯体触媒の存在下で、水素添加するこ
とにより、下記一般式［II］ 【化２３】 ［式中、Ｘは、水酸基、カルボキシル基、炭素原子数１
〜８のアルキル基、炭素原子数５〜６のシクロアルキル
基、炭素原子数１〜８のハロゲン化アルキル基、または
−ＯＲ基（Ｒは、炭素原子数１〜１８のアルキル基また
は炭素原子数５〜１２のシクロアルキル基である）であ
り、 Ｚ2 は、 【化２４】 で表わされるヒドロ芳香環含有基であり、 ｍは０〜４の整数、ｎは１〜４の整数、かつ、ｍ＋ｎは
６以下の整数である］で表わされるヒドロ芳香族カルボ
ン酸t-ブチルエステル類を得ることを特徴とするヒドロ
芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類の製造方法。 - 【請求項６】前記一般式［Ｉ］で表わされる芳香族カル
ボン酸t-ブチルエステル類が、 3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸t-ブチルエステ
ル、 4,4'- ビフェニルジカルボン酸t-ブチルエステル、また
は4-ビフェニルカルボン酸t-ブチルエステルであること
を特徴とする請求項２に記載のヒドロ芳香族カルボン酸
t-ブチルエステル類の製造方法。 - 【請求項７】前記一般式［Ｉ］で表わされる芳香族カル
ボン酸t-ブチルエステル類が、 2,6-ナフタレンジカルボン酸t-ブチルエステル、 1-ナフタレンカルボン酸t-ブチルエステル、 2-ナフタレンカルボン酸t-ブチルエステル、または1,4-
ナフタレンジカルボン酸t-ブチルエステルであることを
特徴とする請求項３に記載のヒドロ芳香族カルボン酸t-
ブチルエステル類の製造方法。 - 【請求項８】前記一般式［Ｉ］で表わされる芳香族カル
ボン酸t-ブチルエステル類が、 4,4'-(ジ-t- ブトキシカルボニル）ジフェニルエーテ
ル、または4,4'-(ヘキサフルオロイソプロピリデン）ジ
フタル酸テトラt-ブチルエステルであることを特徴とす
る請求項４に記載のヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエ
ステル類の製造方法。 - 【請求項９】前記一般式［Ｉ］で表わされる芳香族カル
ボン酸t-ブチルエステル類が、 安息香酸t-ブチルエステル、 フタル酸ジt-ブチルエステル、 イソフタル酸ジt-ブチルエステル、 テレフタル酸ジt-ブチルエステル、 トリメリット酸トリt-ブチルエステル、 ピロメリット酸テトラt-ブチルエステル、 o-トルイル酸t-ブチルエステル、 m-トルイル酸t-ブチルエステル、 p-トルイル酸t-ブチルエステル、 p-t-ブチル安息香酸t-ブチルエステル、 4-メトキシ安息香酸t-ブチルエステル、または2-フルオ
ロ安息香酸t-ブチルエステルであることを特徴とする請
求項５に記載のヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステ
ル類の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9181306A JPH1129528A (ja) | 1997-07-07 | 1997-07-07 | ヒドロ芳香族カルボン酸ｔ‐ブチルエステル類の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9181306A JPH1129528A (ja) | 1997-07-07 | 1997-07-07 | ヒドロ芳香族カルボン酸ｔ‐ブチルエステル類の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1129528A true JPH1129528A (ja) | 1999-02-02 |
Family
ID=16098376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9181306A Pending JPH1129528A (ja) | 1997-07-07 | 1997-07-07 | ヒドロ芳香族カルボン酸ｔ‐ブチルエステル類の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1129528A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006188521A (ja) * | 2004-12-31 | 2006-07-20 | Oxeno Olefinchemie Gmbh | 脂環式カルボン酸またはその誘導体の製法 |
| WO2015013184A1 (en) | 2013-07-22 | 2015-01-29 | Takasago International Corp.(USA) | Derivatives of 2,2,6-trimethylcyclohexane-carboxylate |
| US20150056557A1 (en) * | 2013-08-23 | 2015-02-26 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemically amplified positive-type photosensitive resin composition and method for producing resist pattern using the same |
| BE1028077B1 (fr) * | 2020-03-05 | 2022-03-09 | Sumitomo Chemical Co | Composition de résist et procédé de production de motif de résist |
| CN116178143A (zh) * | 2021-11-26 | 2023-05-30 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种1,4-萘二甲酸/酯、1,4-萘二甲酸衍生物及其制备方法和应用 |
-
1997
- 1997-07-07 JP JP9181306A patent/JPH1129528A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006188521A (ja) * | 2004-12-31 | 2006-07-20 | Oxeno Olefinchemie Gmbh | 脂環式カルボン酸またはその誘導体の製法 |
| WO2015013184A1 (en) | 2013-07-22 | 2015-01-29 | Takasago International Corp.(USA) | Derivatives of 2,2,6-trimethylcyclohexane-carboxylate |
| US20150056557A1 (en) * | 2013-08-23 | 2015-02-26 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemically amplified positive-type photosensitive resin composition and method for producing resist pattern using the same |
| US9323152B2 (en) * | 2013-08-23 | 2016-04-26 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd | Chemically amplified positive-type photosensitive resin composition and method for producing resist pattern using the same |
| BE1028077B1 (fr) * | 2020-03-05 | 2022-03-09 | Sumitomo Chemical Co | Composition de résist et procédé de production de motif de résist |
| CN116178143A (zh) * | 2021-11-26 | 2023-05-30 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种1,4-萘二甲酸/酯、1,4-萘二甲酸衍生物及其制备方法和应用 |
| CN116178143B (zh) * | 2021-11-26 | 2024-10-01 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种1,4-萘二甲酸/酯、1,4-萘二甲酸衍生物及其制备方法和应用 |
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