JPH11296804A - 磁気カードの記録再生方法とそれに用いられる磁気カード - Google Patents
磁気カードの記録再生方法とそれに用いられる磁気カードInfo
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- JPH11296804A JPH11296804A JP10097074A JP9707498A JPH11296804A JP H11296804 A JPH11296804 A JP H11296804A JP 10097074 A JP10097074 A JP 10097074A JP 9707498 A JP9707498 A JP 9707498A JP H11296804 A JPH11296804 A JP H11296804A
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】 より優れたセキュリティ効果を有する磁気カ
ードの記録再生方法および磁気カード。 【解決手段】 記録電流iの波形の変化率を変化させ2
種類以上の記録信号iを得る手段を備える。磁気カード
1の情報記録領域5では,初期情報としての情報を2種
類以上の記録密度で長手方向に磁気的記録手段により,
情報記録領域51,52とを磁気バーコード等で形成す
る。次に,磁気カード1を使用する毎にカードリーダー
で信号の有無及び記録密度の異なる2種類以上の信号レ
ベルを読取り,情報記録領域51−1,51−2を夫々
消去する。該消去処理後の情報記録領域の信号レベルを
読取る。消去処理前後の情報記録領域との比較チェック
後,この情報を使用する。該工程を使用毎に行い,同様
のチェックを行う。この結果,Baフェライトカードに
おいて,記録の消去した所,記録信号は消去前の10%
以下の出力に消去され,使用できなくなる。
ードの記録再生方法および磁気カード。 【解決手段】 記録電流iの波形の変化率を変化させ2
種類以上の記録信号iを得る手段を備える。磁気カード
1の情報記録領域5では,初期情報としての情報を2種
類以上の記録密度で長手方向に磁気的記録手段により,
情報記録領域51,52とを磁気バーコード等で形成す
る。次に,磁気カード1を使用する毎にカードリーダー
で信号の有無及び記録密度の異なる2種類以上の信号レ
ベルを読取り,情報記録領域51−1,51−2を夫々
消去する。該消去処理後の情報記録領域の信号レベルを
読取る。消去処理前後の情報記録領域との比較チェック
後,この情報を使用する。該工程を使用毎に行い,同様
のチェックを行う。この結果,Baフェライトカードに
おいて,記録の消去した所,記録信号は消去前の10%
以下の出力に消去され,使用できなくなる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は,磁気カードの記録
再生方法(システム)およびそれに用いられる磁気カー
ドに関し,特に,セキュリティに優れた磁気カードの記
録再生方法およびこの磁気カード記録再生方法に用いら
れる磁気カードに関するものである。
再生方法(システム)およびそれに用いられる磁気カー
ドに関し,特に,セキュリティに優れた磁気カードの記
録再生方法およびこの磁気カード記録再生方法に用いら
れる磁気カードに関するものである。
【0002】
【従来の技術】乗車券,テレホンカード,プリペイドカ
ードなどの金券として利用されている磁気カード類は,
カードを利用する毎に所定の装置で,カードに設けられ
た磁気記録層に残金等の所定の情報を書き換えることに
より使用されている。これらのカードには,偽造防止の
策として,磁気記録層に保護層を設ける,あるいは磁気
記録層を多層にする,または使用毎にカードにパンチ穴
を開ける等の工夫が施されている。
ードなどの金券として利用されている磁気カード類は,
カードを利用する毎に所定の装置で,カードに設けられ
た磁気記録層に残金等の所定の情報を書き換えることに
より使用されている。これらのカードには,偽造防止の
策として,磁気記録層に保護層を設ける,あるいは磁気
記録層を多層にする,または使用毎にカードにパンチ穴
を開ける等の工夫が施されている。
【0003】ところが,磁気カードの普及と共に,磁気
カードの情報を再生,記録する装置技術も発達し,磁気
カードに記録した情報を容易に読み取り,さらには情報
を書き込むことまで可能となった。具体的には,磁気記
録カードの使用毎に,新しい情報を含む全情報が,旧情
報の上にオーバーライトされる形で書き換えられるた
め,カードの情報を記録,再生する装置があれば,容易
に情報の書換えが行え,これにより,カードの偽造が容
易に行えることになり,近年磁気カードの偽造が目だっ
て増えてきた。
カードの情報を再生,記録する装置技術も発達し,磁気
カードに記録した情報を容易に読み取り,さらには情報
を書き込むことまで可能となった。具体的には,磁気記
録カードの使用毎に,新しい情報を含む全情報が,旧情
報の上にオーバーライトされる形で書き換えられるた
め,カードの情報を記録,再生する装置があれば,容易
に情報の書換えが行え,これにより,カードの偽造が容
易に行えることになり,近年磁気カードの偽造が目だっ
て増えてきた。
【0004】この原因として,磁性層の保磁力が2〜3
kOeと低いことにあると考えられる。つまり,保磁力
が低いと従来の磁気記録,再生装置で容易に情報の書換
えができ,カードの偽造が可能となる。
kOeと低いことにあると考えられる。つまり,保磁力
が低いと従来の磁気記録,再生装置で容易に情報の書換
えができ,カードの偽造が可能となる。
【0005】そこで,本発明者らは,上記問題点を鑑み
調査を進めた結果,優れたセキュリティ効果を有する磁
気記録方式および磁気カードとその製造方法を提案して
いる(特願平6−143695号,特願平6−2160
39号,特願平6−296795号,特願平6−297
228号,特願平6−320091号,特願平6−32
7255号,特願平7−312849,特願平8−18
6384号,特願平8−186407号,特願平8−1
87864号,特願平8−187865号,及び特願平
8−209241号)。これら磁気記録カードに関する
発明は,磁気記録が容易であり,かつ保磁力が高い磁気
記緑材料を用いており,これにより情報の記録は容易に
行えるが,記録した情報の消去,書き換えが困難となる
ため,従来のような偽造を目的とした情報消去,書き込
みが不可能である磁気カードを得るものである。
調査を進めた結果,優れたセキュリティ効果を有する磁
気記録方式および磁気カードとその製造方法を提案して
いる(特願平6−143695号,特願平6−2160
39号,特願平6−296795号,特願平6−297
228号,特願平6−320091号,特願平6−32
7255号,特願平7−312849,特願平8−18
6384号,特願平8−186407号,特願平8−1
87864号,特願平8−187865号,及び特願平
8−209241号)。これら磁気記録カードに関する
発明は,磁気記録が容易であり,かつ保磁力が高い磁気
記緑材料を用いており,これにより情報の記録は容易に
行えるが,記録した情報の消去,書き換えが困難となる
ため,従来のような偽造を目的とした情報消去,書き込
みが不可能である磁気カードを得るものである。
【0006】また,これらの従来の発明における高保磁
力でかつ着磁性の良好な磁性層としては,一般式Rx T
100-x-y My (但し,RはSmを必須成分とするYを含
む希土類元素から選択された少なくとも1種,Tは,C
oを主成分とする遷移金属Fe,Co,Niの内から選
択された少なくとも1種,Mは,Si,Ti,Al,G
a,V,Cr,Mn,Cu,Zr,Nb,Mo,Pd,
Hf,Ta,W,Pt,およびAuの内の少なくとも1
種の元素で表され,Rの組成値xは16.0〜22.0
at%,Mの組成値yは0〜30.0at%である。)
で示される合金粉末が適当である。
力でかつ着磁性の良好な磁性層としては,一般式Rx T
100-x-y My (但し,RはSmを必須成分とするYを含
む希土類元素から選択された少なくとも1種,Tは,C
oを主成分とする遷移金属Fe,Co,Niの内から選
択された少なくとも1種,Mは,Si,Ti,Al,G
a,V,Cr,Mn,Cu,Zr,Nb,Mo,Pd,
Hf,Ta,W,Pt,およびAuの内の少なくとも1
種の元素で表され,Rの組成値xは16.0〜22.0
at%,Mの組成値yは0〜30.0at%である。)
で示される合金粉末が適当である。
【0007】上記の高保磁力カードを用いたカードシス
テムを運用する場合,同じ磁気情報を記録した低保磁力
カードを使用した場合,磁気情報を読みとる際に,低保
磁力上の磁気記録は消去でき,高保磁力カード上の記録
は消去されない適当な電流で消磁処理を行い,カードを
判別する方式が考えられる。
テムを運用する場合,同じ磁気情報を記録した低保磁力
カードを使用した場合,磁気情報を読みとる際に,低保
磁力上の磁気記録は消去でき,高保磁力カード上の記録
は消去されない適当な電流で消磁処理を行い,カードを
判別する方式が考えられる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】この方式は,高保磁力
カード上の信号強度を減衰させる適当な電流を印加し
て,印加前後の出力差からカードの正当性を判別する方
法であったが,この場合,処理前後の出力差が十分に得
られない場合がある欠点が合った。
カード上の信号強度を減衰させる適当な電流を印加し
て,印加前後の出力差からカードの正当性を判別する方
法であったが,この場合,処理前後の出力差が十分に得
られない場合がある欠点が合った。
【0009】そこで,本発明の技術的課題は,より高い
セキュリティの磁気カードと磁気記録再生方法とを提供
することにある。
セキュリティの磁気カードと磁気記録再生方法とを提供
することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明者らは,これらの
問題の検討を進めた結果,2種類以上の異なる記録密度
(1種以上の記録波形)で記録した場合,2種類以上の
記録再生出力を得られることを発見し,本発明をなすに
至ったものである。
問題の検討を進めた結果,2種類以上の異なる記録密度
(1種以上の記録波形)で記録した場合,2種類以上の
記録再生出力を得られることを発見し,本発明をなすに
至ったものである。
【0011】即ち,本発明によれば,非磁性基体上の少
なくとも一部に磁気記録層を有し,前記磁気記録層に対
して磁気ヘッドを用いて情報を記録又は再生する磁気カ
ードの記録再生方法において,前記磁性層の磁気記録領
域に,記録電流の波形の立ち上がり時間,及び立ち下が
り(減衰)時間の内の少なくとも一方が,前記記録電流
の波形の半周期の40〜100%である波形を有する前
記記録電流で記録することを特徴とする磁気カードの記
録再生方法が得られる。
なくとも一部に磁気記録層を有し,前記磁気記録層に対
して磁気ヘッドを用いて情報を記録又は再生する磁気カ
ードの記録再生方法において,前記磁性層の磁気記録領
域に,記録電流の波形の立ち上がり時間,及び立ち下が
り(減衰)時間の内の少なくとも一方が,前記記録電流
の波形の半周期の40〜100%である波形を有する前
記記録電流で記録することを特徴とする磁気カードの記
録再生方法が得られる。
【0012】また,本発明によれば,非磁性基体上の少
なくとも一部に磁気記録層を有し,前記磁気記録層に対
して磁気ヘッドを用いて情報を記録又は再生する磁気カ
ードの記録再生方法において,前記磁性層の磁気記録領
域に,前記記録電流の波形の立ち上がり時間及び立ち下
がり(減衰)時間の内の少なくとも一方が,前記記録電
流の波形の半周期の40%以下であり,且つ前記記録電
流の波形の極大をなす部分の変化時間が当該記録電流の
波形の1周期の80%以下である波形を有する前記記録
電流で記録することを特徴とする磁気カードの記録再生
方法が得られる。
なくとも一部に磁気記録層を有し,前記磁気記録層に対
して磁気ヘッドを用いて情報を記録又は再生する磁気カ
ードの記録再生方法において,前記磁性層の磁気記録領
域に,前記記録電流の波形の立ち上がり時間及び立ち下
がり(減衰)時間の内の少なくとも一方が,前記記録電
流の波形の半周期の40%以下であり,且つ前記記録電
流の波形の極大をなす部分の変化時間が当該記録電流の
波形の1周期の80%以下である波形を有する前記記録
電流で記録することを特徴とする磁気カードの記録再生
方法が得られる。
【0013】また,本発明によれば,任意時間におい
て,前記した一つの磁気カードの記録再生方法を用いる
部分と前記したもう一つの磁気カードの記録再生方法を
用いる部分とを備えていることを特徴とする磁気カード
の記録再生方法が得られる。
て,前記した一つの磁気カードの記録再生方法を用いる
部分と前記したもう一つの磁気カードの記録再生方法を
用いる部分とを備えていることを特徴とする磁気カード
の記録再生方法が得られる。
【0014】また,本発明によれば,前記磁気カードの
記録再生方法おいて,磁気情報が記録されている部分の
磁気情報を読み込んだ際,記録波形または,かつ,記録
密度を変化させ記録した2種類以上の再生出力差を検出
し,磁気情報に付加することを特徴とする磁気カードの
記録再生方法が得られる。
記録再生方法おいて,磁気情報が記録されている部分の
磁気情報を読み込んだ際,記録波形または,かつ,記録
密度を変化させ記録した2種類以上の再生出力差を検出
し,磁気情報に付加することを特徴とする磁気カードの
記録再生方法が得られる。
【0015】また,本発明によれば,前記磁気カードの
記録再生方法において,磁気情報が記録されている部分
に一方向磁界を印加処理し,磁気情報を読み込んだ際,
印加処理後の磁気情報の再生出力差を検出することを特
徴とした磁気カードの記録再生方法が得られる。
記録再生方法において,磁気情報が記録されている部分
に一方向磁界を印加処理し,磁気情報を読み込んだ際,
印加処理後の磁気情報の再生出力差を検出することを特
徴とした磁気カードの記録再生方法が得られる。
【0016】また,本発明によれば,前記磁気カードの
記録再生方法において,磁気情報が記録されている部分
に一方向磁界を印加処理をすることにより,磁気情報を
読み込んだ際,処理前後の記録情報再生出力差を検知す
ることを特徴とする磁気カードの記録再生方法が得られ
る。
記録再生方法において,磁気情報が記録されている部分
に一方向磁界を印加処理をすることにより,磁気情報を
読み込んだ際,処理前後の記録情報再生出力差を検知す
ることを特徴とする磁気カードの記録再生方法が得られ
る。
【0017】また,本発明によれば,前記いずれかの磁
気カードの記録再生方法において,少なくとも1種類以
上の方式を組み合わせ,磁気情報に付加することを特徴
とする磁気カードの記録再生方法が得られる。
気カードの記録再生方法において,少なくとも1種類以
上の方式を組み合わせ,磁気情報に付加することを特徴
とする磁気カードの記録再生方法が得られる。
【0018】また,本発明によれば,前記磁気カードの
記録再生方法において,2種類以上の記録密度で記録す
ることを特徴とする磁気カードの記録再生方法が得られ
る。
記録再生方法において,2種類以上の記録密度で記録す
ることを特徴とする磁気カードの記録再生方法が得られ
る。
【0019】また,本発明によれば,前記磁気カードの
記録再生方法おいて,磁気情報が記録されている部分の
磁気情報を読み込んだ際,記録波形または,かつ,記録
密度を変化させ記録した2種類以上の再生出力差を検出
し,磁気情報に付加することを特徴とする磁気カードの
記録再生方法が得られる。
記録再生方法おいて,磁気情報が記録されている部分の
磁気情報を読み込んだ際,記録波形または,かつ,記録
密度を変化させ記録した2種類以上の再生出力差を検出
し,磁気情報に付加することを特徴とする磁気カードの
記録再生方法が得られる。
【0020】また,本発明によれば,前記磁気カードの
記録再生方法において,磁気情報が記録されている部分
に一方向磁界を印加処理し,磁気情報を読み込んだ際,
印加処理後の磁気情報の再生出力差を検出することを特
徴とする磁気カードの記録再生方法が得られる。
記録再生方法において,磁気情報が記録されている部分
に一方向磁界を印加処理し,磁気情報を読み込んだ際,
印加処理後の磁気情報の再生出力差を検出することを特
徴とする磁気カードの記録再生方法が得られる。
【0021】また,本発明によれば,前記磁気カードの
記録再生方法において,磁気情報が記録されている部分
に一方向磁界を印加処理をすることにより,磁気情報を
読み込んだ際,処理前後の記録情報再生出力差を検知す
ることを特徴とする磁気カードの記録再生方法が得られ
る。
記録再生方法において,磁気情報が記録されている部分
に一方向磁界を印加処理をすることにより,磁気情報を
読み込んだ際,処理前後の記録情報再生出力差を検知す
ることを特徴とする磁気カードの記録再生方法が得られ
る。
【0022】また,本発明によれば,前記いずれかの磁
気カードの記録再生方法において,少なくとも1種類以
上の方式を組み合わせ,磁気情報に付加することを特徴
とする磁気カードの記録再生方法が得られる。
気カードの記録再生方法において,少なくとも1種類以
上の方式を組み合わせ,磁気情報に付加することを特徴
とする磁気カードの記録再生方法が得られる。
【0023】また,本発明によれば,前記いずれかの磁
気カードの記録再生方法において磁気記録層の一部,あ
るいは全ての情報が消去不可能又は困難であることを特
徴とする磁気カードの記録再生方法が得られる。
気カードの記録再生方法において磁気記録層の一部,あ
るいは全ての情報が消去不可能又は困難であることを特
徴とする磁気カードの記録再生方法が得られる。
【0024】また,本発明によれば,前記いずれかの磁
気カードの記録再生方法において,保磁力が4kOe以
上である磁性粉を使用していることを特徴とする磁気カ
ードの記録再生方法が得られる。
気カードの記録再生方法において,保磁力が4kOe以
上である磁性粉を使用していることを特徴とする磁気カ
ードの記録再生方法が得られる。
【0025】また,本発明によれば,前記いずれかの磁
気カードの記録再生方法において,当該磁気カードの磁
気記録層には,一般式Rx T100-x-y My (但し,Rは
Smを必須成分とするYを含む希土類元素から選択され
た少なくとも1種,Tは,Coを主成分とする遷移金属
Fe,Co,Niの内から選択された少なくとも1種,
Mは,Si,Ti,A1,Ga,V,Cr,Mn,C
u,Zr,Nb,Mo,Pd,Hf,Ta,W,Pt,
およびAuの内の少なくとも1種の元素で表され,Rの
組成値xは16.0〜22.0at%,Mの組成値yは
0,30.0at%である。)で示される合金粉末を使
用していることを特徴とする磁気カードの記録再生方法
が得られる。
気カードの記録再生方法において,当該磁気カードの磁
気記録層には,一般式Rx T100-x-y My (但し,Rは
Smを必須成分とするYを含む希土類元素から選択され
た少なくとも1種,Tは,Coを主成分とする遷移金属
Fe,Co,Niの内から選択された少なくとも1種,
Mは,Si,Ti,A1,Ga,V,Cr,Mn,C
u,Zr,Nb,Mo,Pd,Hf,Ta,W,Pt,
およびAuの内の少なくとも1種の元素で表され,Rの
組成値xは16.0〜22.0at%,Mの組成値yは
0,30.0at%である。)で示される合金粉末を使
用していることを特徴とする磁気カードの記録再生方法
が得られる。
【0026】さらに,本発明によれば,前記いずれかの
磁気カードの記録再生方法に用いられることを特徴とす
る磁気カードが得られる。
磁気カードの記録再生方法に用いられることを特徴とす
る磁気カードが得られる。
【0027】
【発明の実施の形態】以下,本発明の実施の形態による
磁気カードの記録再生方法およびこの磁気カードの記録
再生方法に用いられた磁気カードについて図面を参照し
て説明する。
磁気カードの記録再生方法およびこの磁気カードの記録
再生方法に用いられた磁気カードについて図面を参照し
て説明する。
【0028】まず,本発明者が見い出した本発明の特徴
を詳細に述べる。保磁力の高い(HcJ ≧4kOe)磁
性粉を磁性層とする磁気カードの場合,磁気情報を記録
する際,記録減磁などの問題が生じ,磁気情報の記録が
困難になる傾向にあるが,更に高記録密度や記録波形が
パルス波形で記録する際にも,記録減磁,自己減磁等の
影響により記録が困難になる傾向がある。そこでこれら
の問題の検討を進めた結果,磁気カードに記録情報を記
録する際,記録電流波形の時間及び周期がコントロール
されながら記録される結果,2種類のトラックを持つ磁
気記録領域になる。その後,一方向磁界を印加処理し,
処理前後の磁気情報の再生出力差が検知される。
を詳細に述べる。保磁力の高い(HcJ ≧4kOe)磁
性粉を磁性層とする磁気カードの場合,磁気情報を記録
する際,記録減磁などの問題が生じ,磁気情報の記録が
困難になる傾向にあるが,更に高記録密度や記録波形が
パルス波形で記録する際にも,記録減磁,自己減磁等の
影響により記録が困難になる傾向がある。そこでこれら
の問題の検討を進めた結果,磁気カードに記録情報を記
録する際,記録電流波形の時間及び周期がコントロール
されながら記録される結果,2種類のトラックを持つ磁
気記録領域になる。その後,一方向磁界を印加処理し,
処理前後の磁気情報の再生出力差が検知される。
【0029】具体的には,2種類以上の異なる記録密度
(1種類以上の記録波形)で記録する手段を用いてい
る。すなわち,情報記録領域は,初期情報としての情報
を2種類以上の記録密度で長手方向に磁気的に記録する
ための一方の手段による情報記録領域と他方の手段によ
る情報記録領域を備えている。これにより,2種類以上
の記録再生出力を得られることを発見した。
(1種類以上の記録波形)で記録する手段を用いてい
る。すなわち,情報記録領域は,初期情報としての情報
を2種類以上の記録密度で長手方向に磁気的に記録する
ための一方の手段による情報記録領域と他方の手段によ
る情報記録領域を備えている。これにより,2種類以上
の記録再生出力を得られることを発見した。
【0030】また,2種類以上の異なる記録波形(1種
類以上の記録密度)でこれら情報記録領域をそれぞれ記
録した場合においても,2種類以上の記録再生出力を得
られることを発見した。そこで特願平9−25028号
と組み合わせることによりさらに高いセキュリティを得
ることが出来る。
類以上の記録密度)でこれら情報記録領域をそれぞれ記
録した場合においても,2種類以上の記録再生出力を得
られることを発見した。そこで特願平9−25028号
と組み合わせることによりさらに高いセキュリティを得
ることが出来る。
【0031】よって,本発明によれば,磁気カードに記
録情報を記録するときの記録電流波形をコントロール
し,2種類以上の記録密度で記録(1種類以上の記録波
形),または,2種類以上の記録波形で記録(1種類以
上の記録密度)後,記録密度または,情報記録時の記
録波形の違いによる磁気情報の再生出力差を検知するこ
と,一方向磁界を印加処理後,さらに,処理後の記録
密度または,情報記録時の記録波形の違いによる磁気情
報の再生出力差を検知すること,処理前後の磁気情報
の再生出力差を検知することの項目を少なくとも1種類
以上組み合わせることにより高セキュリティ(特に,カ
ードおよび情報の真贋判定に効果大)の磁気カード,お
よび磁気記録再生方法を得ることができる。
録情報を記録するときの記録電流波形をコントロール
し,2種類以上の記録密度で記録(1種類以上の記録波
形),または,2種類以上の記録波形で記録(1種類以
上の記録密度)後,記録密度または,情報記録時の記
録波形の違いによる磁気情報の再生出力差を検知するこ
と,一方向磁界を印加処理後,さらに,処理後の記録
密度または,情報記録時の記録波形の違いによる磁気情
報の再生出力差を検知すること,処理前後の磁気情報
の再生出力差を検知することの項目を少なくとも1種類
以上組み合わせることにより高セキュリティ(特に,カ
ードおよび情報の真贋判定に効果大)の磁気カード,お
よび磁気記録再生方法を得ることができる。
【0032】以下に詳細な説明をする。
【0033】基体の一部あるいは全面に磁気記録層を有
した磁気カードに,磁気ヘッドを用いて所定の情報を記
録するときに,記録電流波形のピークからピークへの変
化時間が記録電流の1周期の80%以下,かつ,立ち上
がり,または,かつ,立ち下がり(減衰)時間が記録電
流の半周期の40%以下である記録電流で2種類以上の
記録密度(1種類以上の記録波形)または,2種類以上
の記録波形(1種類以上の記録密度)で記録した磁気カ
ードである。この記録を行った磁気カードは2種類以上
の記録密度(1種類以上の記録波形)または,2種類以
上の記録波形(1種類以上の記録密度)で記録している
ため,それに対応した2種類以上の再生出力を得ること
が出来,この再生出力差を検知する。この記録を行った
磁気カードに,一方向磁界(消磁磁界)の印加処理を施
すと,磁気カードに記録された磁気記録の再生出力は変
化する(記録後と比較し,減少あるいは増加)。そし
て,この処理後,記録密度または,記録波形の変化に対
応する磁気情報の再生出力差を検知する(処理前の再生
出力差と同等である必要はない。さらに,この印加処理
前後の再生出力差を検知する磁気記録再生方法である。
また,磁気カードに用いられる磁性粉の保磁力は4kO
e以上である(保磁力が4kOe以下の場合,消去処理
により再生出力は検出されない)。
した磁気カードに,磁気ヘッドを用いて所定の情報を記
録するときに,記録電流波形のピークからピークへの変
化時間が記録電流の1周期の80%以下,かつ,立ち上
がり,または,かつ,立ち下がり(減衰)時間が記録電
流の半周期の40%以下である記録電流で2種類以上の
記録密度(1種類以上の記録波形)または,2種類以上
の記録波形(1種類以上の記録密度)で記録した磁気カ
ードである。この記録を行った磁気カードは2種類以上
の記録密度(1種類以上の記録波形)または,2種類以
上の記録波形(1種類以上の記録密度)で記録している
ため,それに対応した2種類以上の再生出力を得ること
が出来,この再生出力差を検知する。この記録を行った
磁気カードに,一方向磁界(消磁磁界)の印加処理を施
すと,磁気カードに記録された磁気記録の再生出力は変
化する(記録後と比較し,減少あるいは増加)。そし
て,この処理後,記録密度または,記録波形の変化に対
応する磁気情報の再生出力差を検知する(処理前の再生
出力差と同等である必要はない。さらに,この印加処理
前後の再生出力差を検知する磁気記録再生方法である。
また,磁気カードに用いられる磁性粉の保磁力は4kO
e以上である(保磁力が4kOe以下の場合,消去処理
により再生出力は検出されない)。
【0034】即ち,本発明は,媒体の記録減磁を積極的
に利用し,消去処理を行うことにより出力が増加する現
象を記録再生方法に取り入れたものである。さらに,記
録減磁の影響の少ない記録密度,記録波形の場合は,消
去処理を行うことにより出力は減少する。この出力の低
下率も記録密度,記録波形によって異なる。この様に,
記録密度,記録波形により出力が増減率が変化する媒体
は,他には無いため,他の媒体での記録密度,記録波形
の組み合わせにより偽造,変造は不可能であり,磁気カ
ードおよび情報の真贋判定が容易であり,高いセキュリ
ティが得られる。 以下,本発明の実施の形態による磁
気カードの記録再生方法についての具体例を挙げて説明
する。
に利用し,消去処理を行うことにより出力が増加する現
象を記録再生方法に取り入れたものである。さらに,記
録減磁の影響の少ない記録密度,記録波形の場合は,消
去処理を行うことにより出力は減少する。この出力の低
下率も記録密度,記録波形によって異なる。この様に,
記録密度,記録波形により出力が増減率が変化する媒体
は,他には無いため,他の媒体での記録密度,記録波形
の組み合わせにより偽造,変造は不可能であり,磁気カ
ードおよび情報の真贋判定が容易であり,高いセキュリ
ティが得られる。 以下,本発明の実施の形態による磁
気カードの記録再生方法についての具体例を挙げて説明
する。
【0035】(例1)10kOe磁場印加後の保磁力が
14kOeのSm−Co−Al合金粉末を用い,ポリウ
レタン樹脂,塩化ビニル−酢酸ビニル共重合樹脂および
溶剤に分散させ磁性塗料を作製した。作製した磁性塗料
を,PET(ポリエチレンテレフタレート)の基体上に
塗布して,磁性層を形成した磁気カードを得た。
14kOeのSm−Co−Al合金粉末を用い,ポリウ
レタン樹脂,塩化ビニル−酢酸ビニル共重合樹脂および
溶剤に分散させ磁性塗料を作製した。作製した磁性塗料
を,PET(ポリエチレンテレフタレート)の基体上に
塗布して,磁性層を形成した磁気カードを得た。
【0036】作製された磁気カードに記録する時の記録
電流波形を図1に示す。
電流波形を図1に示す。
【0037】図1において,記録電流波形のピークから
ピークへの変化時間をtP ,ピークの立ち上がり時間を
tS ,記録電流波形の1周期をTとする。記録電流波形
の変化率2tP /TS ,立ち下がり率2tS /Tをそれ
ぞれ0〜100%,0〜80%に変化させて磁気カード
に書き込み,その磁気カードの再生出力電圧VR を測定
した。さらに,この磁気カードに一方向磁界(消磁磁
界)を印加し,磁気記録情報の消去を行った。この消磁
処理を行った磁気カードの再生出力電圧VE を測定し
た。また,この時の記録密度は,210BPIである。
ピークへの変化時間をtP ,ピークの立ち上がり時間を
tS ,記録電流波形の1周期をTとする。記録電流波形
の変化率2tP /TS ,立ち下がり率2tS /Tをそれ
ぞれ0〜100%,0〜80%に変化させて磁気カード
に書き込み,その磁気カードの再生出力電圧VR を測定
した。さらに,この磁気カードに一方向磁界(消磁磁
界)を印加し,磁気記録情報の消去を行った。この消磁
処理を行った磁気カードの再生出力電圧VE を測定し
た。また,この時の記録密度は,210BPIである。
【0038】測定した結果を下記表1に示す。測定の結
果,変化率2tP /T≦80%さらに立ち上がり率2t
S /T≦40%の磁気カードの再生出力電圧VR は約
4.0V以下であった。この結果より,記録電流波形を
制御(記録電流波形の変化率を2tP /T≦80%に,
さらに立ち上がり率を2tS /T≦40%に)すること
により,磁気カードの再生出力電圧を制御できることが
確認された。消磁磁界印加後は,全部の磁気カードの再
生出力電圧VE とも約4.20[V]と一定になった。
よって,記録電流波形の変化率を2tP /T≦80%
に,さらに立ち上がり率を2tS /T≦40%で記録し
たカードの,再生出力電圧VE は増加したが,他の磁気
カードについては変化がなかった。
果,変化率2tP /T≦80%さらに立ち上がり率2t
S /T≦40%の磁気カードの再生出力電圧VR は約
4.0V以下であった。この結果より,記録電流波形を
制御(記録電流波形の変化率を2tP /T≦80%に,
さらに立ち上がり率を2tS /T≦40%に)すること
により,磁気カードの再生出力電圧を制御できることが
確認された。消磁磁界印加後は,全部の磁気カードの再
生出力電圧VE とも約4.20[V]と一定になった。
よって,記録電流波形の変化率を2tP /T≦80%
に,さらに立ち上がり率を2tS /T≦40%で記録し
たカードの,再生出力電圧VE は増加したが,他の磁気
カードについては変化がなかった。
【0039】これら実験の結果より,本発明の磁気カー
ドに,記録電流波形の変化率を2tP /T≦80%に,
さらに立ち上がり率を2tS /T≦40%で情報を記録
し,その後に一方向磁界(消磁磁界)を印加すると,情
報を記録した後の再生出力電圧より,消磁磁界印加後の
再生出力電圧が増加することが確認された。
ドに,記録電流波形の変化率を2tP /T≦80%に,
さらに立ち上がり率を2tS /T≦40%で情報を記録
し,その後に一方向磁界(消磁磁界)を印加すると,情
報を記録した後の再生出力電圧より,消磁磁界印加後の
再生出力電圧が増加することが確認された。
【0040】
【表1】
【0041】(例2)例1の結果より,記録電流波形パ
ルス波形で変化率を2tP /T=10%(2tP /T≦
80%)に,立ち下がり率を2tS /T=10%(2t
S /T≦40%)の条件で記録密度を,80BPI,1
20BPI,160BPI,200BPI,250BP
I,350BPIと変化させ磁気カードに記録を行っ
た。120BPIでの記録波形を図2に示す。磁気カー
ドは例1と同様のカードである。その磁気カードの再生
出力電圧VR を測定した。さらに,この磁気カードに一
方向磁界(消磁磁界)を印加し,磁気記録情報の消去を
行った。この消磁処理を行った磁気カードの再生出力電
圧VE 測定した。これらの消去前の再生出力電圧の記録
密度特性を,図3に示す。消去後の再生出力電圧の記録
密度特性を図4,図5に示す。比較例としてBaフェラ
イト(HcJ =3.0kOe)を同様の条件で塗工し,
記録した磁気カードの再生出力を示した。
ルス波形で変化率を2tP /T=10%(2tP /T≦
80%)に,立ち下がり率を2tS /T=10%(2t
S /T≦40%)の条件で記録密度を,80BPI,1
20BPI,160BPI,200BPI,250BP
I,350BPIと変化させ磁気カードに記録を行っ
た。120BPIでの記録波形を図2に示す。磁気カー
ドは例1と同様のカードである。その磁気カードの再生
出力電圧VR を測定した。さらに,この磁気カードに一
方向磁界(消磁磁界)を印加し,磁気記録情報の消去を
行った。この消磁処理を行った磁気カードの再生出力電
圧VE 測定した。これらの消去前の再生出力電圧の記録
密度特性を,図3に示す。消去後の再生出力電圧の記録
密度特性を図4,図5に示す。比較例としてBaフェラ
イト(HcJ =3.0kOe)を同様の条件で塗工し,
記録した磁気カードの再生出力を示した。
【0042】本発明の例の磁気カードでは,消去処理前
の再生出力は,記録密度の増加に伴い減少しているのが
わかる。この結果より,記録密度を制御することによ
り,再生出力電圧を自由に変化させることができる。次
に,消去処理後の再生出力であるが,200BPI以下
の記録密度では,消去処理前の再生出力より減少してい
るが,200BPI以上の記録密度では増加しているの
がわかる。
の再生出力は,記録密度の増加に伴い減少しているのが
わかる。この結果より,記録密度を制御することによ
り,再生出力電圧を自由に変化させることができる。次
に,消去処理後の再生出力であるが,200BPI以下
の記録密度では,消去処理前の再生出力より減少してい
るが,200BPI以上の記録密度では増加しているの
がわかる。
【0043】一方,比較例の磁気カードでは,消去処理
前の再生出力は,記録密度の増加に伴い若干減少傾向で
あるが350BPIで約10%の減少とほとんど減少し
ないのがわかる。消去処理後は再生出力は全て消去され
る。
前の再生出力は,記録密度の増加に伴い若干減少傾向で
あるが350BPIで約10%の減少とほとんど減少し
ないのがわかる。消去処理後は再生出力は全て消去され
る。
【0044】これら実験の結果より,本発明の磁気カー
ドに,記録電流波形の変化率を2tP /T≦80%に,
さらに立ち上がり率を2tS /T≦40%で,記録密度
を変化させて情報を記録することにより再生出力電圧を
変化させられることが確認された。その後に一方向磁界
(消磁磁界)を印加すると,200BPI以下の記録密
度では,消去処理前の再生出力より減少し,200BP
I以上の記録密度では増加することが確認された。
ドに,記録電流波形の変化率を2tP /T≦80%に,
さらに立ち上がり率を2tS /T≦40%で,記録密度
を変化させて情報を記録することにより再生出力電圧を
変化させられることが確認された。その後に一方向磁界
(消磁磁界)を印加すると,200BPI以下の記録密
度では,消去処理前の再生出力より減少し,200BP
I以上の記録密度では増加することが確認された。
【0045】(例3)例1と同様のカードに記録密度
を,80BPI,160BPI,350BPIで,記録
波形をパルス波形(2tP /T=10%,2tS /T=
10%)と鋸波(2tP /T=100%,2tS /T=
50%)で磁気カードに記録を行った。その磁気カード
の再生出力電圧VR を測定した。さらに,この磁気カー
ドに一方向磁界(消磁磁界)を印加し,磁気記録情報の
消去を行った。この消磁処理を行った磁気カードの再生
出力電圧VE 測定した。これらの消去前後の再生出力電
圧を下記表2に示す。
を,80BPI,160BPI,350BPIで,記録
波形をパルス波形(2tP /T=10%,2tS /T=
10%)と鋸波(2tP /T=100%,2tS /T=
50%)で磁気カードに記録を行った。その磁気カード
の再生出力電圧VR を測定した。さらに,この磁気カー
ドに一方向磁界(消磁磁界)を印加し,磁気記録情報の
消去を行った。この消磁処理を行った磁気カードの再生
出力電圧VE 測定した。これらの消去前後の再生出力電
圧を下記表2に示す。
【0046】消去前の再生出力は鋸波の方が高い。これ
は,パルス波より鋸波の方が記録減磁の影響が少ないと
考えられる。350BPIの時の出力増加率もパルス波
の方が大きくなっている。よって,記録波形を変化させ
ることでも,再生出力電圧を変化させられることがわか
った。
は,パルス波より鋸波の方が記録減磁の影響が少ないと
考えられる。350BPIの時の出力増加率もパルス波
の方が大きくなっている。よって,記録波形を変化させ
ることでも,再生出力電圧を変化させられることがわか
った。
【0047】
【表2】
【0048】(例4)10kOe磁場印加後の保磁力H
cが,それぞれ14kOe,7kOe,4.5kOe,
3kOeの粉末を作製した。保磁力Hc=14kOeと
7kOeの粉末はSm−Co−Al合金の磁性粉末。保
磁力Hc=4.5kOeと3kOeの粉末は,Baフェ
ライト粉末である。
cが,それぞれ14kOe,7kOe,4.5kOe,
3kOeの粉末を作製した。保磁力Hc=14kOeと
7kOeの粉末はSm−Co−Al合金の磁性粉末。保
磁力Hc=4.5kOeと3kOeの粉末は,Baフェ
ライト粉末である。
【0049】これら3種の粉末を用い,ウレタン系樹脂
・塩化ビニル−酢酸ビニル共重合樹脂などと混合し磁性
塗料を作製した。作製した磁性塗料を,PET(ポリエ
チレンテレフタレート)の基体上に塗布して,磁性層を
形成した磁気カードを得た。
・塩化ビニル−酢酸ビニル共重合樹脂などと混合し磁性
塗料を作製した。作製した磁性塗料を,PET(ポリエ
チレンテレフタレート)の基体上に塗布して,磁性層を
形成した磁気カードを得た。
【0050】作製したそれぞれの磁気カードに,記録情
報を記録電流波形(パルス波)の変化率を2tP /T=
0%,40%,80%に,さらに立ち上がり率を2tS
/T=0%,20%,記録密度を210BPIで記録
し,再生出力電庄を測定した。その後,一方向磁界(消
磁磁界)を印加してから,また再生出力電圧を測定し
た。
報を記録電流波形(パルス波)の変化率を2tP /T=
0%,40%,80%に,さらに立ち上がり率を2tS
/T=0%,20%,記録密度を210BPIで記録
し,再生出力電庄を測定した。その後,一方向磁界(消
磁磁界)を印加してから,また再生出力電圧を測定し
た。
【0051】情報を記録後の再生出力電圧VR と,消磁
磁界印加後の再生出力電圧VE の測定結果,および再生
出力電圧の増加率(VE −VR )/VR を下記表3に示
す。表3より,保磁力が3kOeの粉末では,消磁磁界
を印加すると再生出力信号は検出されず,記録情報は消
去されることがわかった。以上の結果より,保磁力が4
kOe以上である磁性粉を使用していることにより,記
録情報が消去されることなく検出されることを特徴とす
る磁気カードが得られ,消磁磁界を印加後の再生出力電
圧が変化することが確認された。
磁界印加後の再生出力電圧VE の測定結果,および再生
出力電圧の増加率(VE −VR )/VR を下記表3に示
す。表3より,保磁力が3kOeの粉末では,消磁磁界
を印加すると再生出力信号は検出されず,記録情報は消
去されることがわかった。以上の結果より,保磁力が4
kOe以上である磁性粉を使用していることにより,記
録情報が消去されることなく検出されることを特徴とす
る磁気カードが得られ,消磁磁界を印加後の再生出力電
圧が変化することが確認された。
【0052】
【表3】
【0053】(例5)例3と同様にして,10kOe磁
場印加後の保磁力Hcが,それぞれ14kOe,7kO
e,4.5kOe,3kOeの粉末を作製した。保磁力
Hc=14kOeと7kOeの粉末はSm−Co−Al
合金の磁性粉末。保磁力Hc=4.5kOeと3kOe
の粉末は,Baフェライト粉末である。
場印加後の保磁力Hcが,それぞれ14kOe,7kO
e,4.5kOe,3kOeの粉末を作製した。保磁力
Hc=14kOeと7kOeの粉末はSm−Co−Al
合金の磁性粉末。保磁力Hc=4.5kOeと3kOe
の粉末は,Baフェライト粉末である。
【0054】これら3種の粉末を用い,ウレタン系樹脂
・塩化ビニル−酢酸ビニル共重合樹脂などと混合し磁性
塗料を作製した。作製した磁性塗料を,PET(ポリエ
チレンテレフタレート)の基体上に塗布して,磁性層を
形成した磁気カードを得た。
・塩化ビニル−酢酸ビニル共重合樹脂などと混合し磁性
塗料を作製した。作製した磁性塗料を,PET(ポリエ
チレンテレフタレート)の基体上に塗布して,磁性層を
形成した磁気カードを得た。
【0055】作製したそれぞれの磁気カードに,記録情
報を記録電流波形(パルス波)の変化率を2tP /T=
10%に,さらに立ち上がり率を2tS /T=10%で
記録密度を80,160,350BPIで記録し,再生
出力電圧を測定した。その後,一方向磁界(消磁磁界)
を印加してから,また再生出力電圧を測定した。記録波
形は図2に示す。
報を記録電流波形(パルス波)の変化率を2tP /T=
10%に,さらに立ち上がり率を2tS /T=10%で
記録密度を80,160,350BPIで記録し,再生
出力電圧を測定した。その後,一方向磁界(消磁磁界)
を印加してから,また再生出力電圧を測定した。記録波
形は図2に示す。
【0056】情報を記録後の再生出力電圧VR と,消磁
磁界印加後の再生出力電圧VE の測定結果,および再生
出力電圧の増加率(VE −VR )/VR を下記表4に示
す。表4より,保磁力が3kOeの粉末では,消磁磁界
を印加すると再生出力信号は検出されず,記録情報は消
去されることがわかった。保磁力が4.5kOe,7.
0kOe,14.0kOeと増加するに従い消去処理前
後の再生出力の差は,小さくなり7.0kOe,14.
0kOeでは,記録密度により消去処理後の再生出力は
増加する場合がある。以上の結果より,保磁力が4kO
e以上である磁性粉を使用していることにより,記録情
報が消去されることなく記録密度によって異なる出力が
検出されることを特徴とする磁気カードが得られ,消磁
磁界を印加後の再生出力電圧も同様に記録密度によって
変化することが確認された。
磁界印加後の再生出力電圧VE の測定結果,および再生
出力電圧の増加率(VE −VR )/VR を下記表4に示
す。表4より,保磁力が3kOeの粉末では,消磁磁界
を印加すると再生出力信号は検出されず,記録情報は消
去されることがわかった。保磁力が4.5kOe,7.
0kOe,14.0kOeと増加するに従い消去処理前
後の再生出力の差は,小さくなり7.0kOe,14.
0kOeでは,記録密度により消去処理後の再生出力は
増加する場合がある。以上の結果より,保磁力が4kO
e以上である磁性粉を使用していることにより,記録情
報が消去されることなく記録密度によって異なる出力が
検出されることを特徴とする磁気カードが得られ,消磁
磁界を印加後の再生出力電圧も同様に記録密度によって
変化することが確認された。
【0057】
【表4】
【0058】(例6)次に,2種類の記録密度で記録す
る手段により,実際に磁気カードを得た。
る手段により,実際に磁気カードを得た。
【0059】例1と同様にSm−Co−Al合金を水素
吸蔵・粉砕・熱処理して,10kOe磁場印加後の保磁
力が14kOeの磁性粉末を製造した。この粉末を用
い,ウレタン系樹脂・塩化ビニル−酢酸ビニル共重合樹
脂などと混合し磁性塗料を作製した。作製した磁性塗料
を,PET(ポリエチレンテレフタレート)の基体上に
塗布して,磁性層を形成し,さらにその上に保護層を形
成した磁気カードを得た。比較例として保磁力が3.0
kOeのBaフェライト粉末を上記と同様の方式で磁気
カードを作製した。
吸蔵・粉砕・熱処理して,10kOe磁場印加後の保磁
力が14kOeの磁性粉末を製造した。この粉末を用
い,ウレタン系樹脂・塩化ビニル−酢酸ビニル共重合樹
脂などと混合し磁性塗料を作製した。作製した磁性塗料
を,PET(ポリエチレンテレフタレート)の基体上に
塗布して,磁性層を形成し,さらにその上に保護層を形
成した磁気カードを得た。比較例として保磁力が3.0
kOeのBaフェライト粉末を上記と同様の方式で磁気
カードを作製した。
【0060】図6は,後述する図7の長手方向から見た
VI−VI線断面図である。2はPET,3は磁性層,4は
保護層である。図7は,本発明の例による磁気カードを
説明するための磁性層の面からみた平面図である。磁気
カード1の磁性層3には磁気カード1の長手方向での両
端間にのびたストライプ状の情報記録トラック5が設け
られている。情報記録領域5は,図8では便宜的に明瞭
に目視でき得るように記載したが,実際には目視できな
い形態で設けられることが望ましい。
VI−VI線断面図である。2はPET,3は磁性層,4は
保護層である。図7は,本発明の例による磁気カードを
説明するための磁性層の面からみた平面図である。磁気
カード1の磁性層3には磁気カード1の長手方向での両
端間にのびたストライプ状の情報記録トラック5が設け
られている。情報記録領域5は,図8では便宜的に明瞭
に目視でき得るように記載したが,実際には目視できな
い形態で設けられることが望ましい。
【0061】本発明の特徴としては,情報記録領域5
は,初期情報としての情報を2種類以上の記録密度で長
手方向に磁気的に記録するための一方のトラック手段と
しての情報記録領域51と他方のトラック手段としての
情報記録領域52を備えていることである。従って,情
報記録領域51と情報記録領域52とは記録密度が異な
り,2種類の斜線で示した。(情報記録領域の情報は,
磁気バーコード等で形成しても良い)。
は,初期情報としての情報を2種類以上の記録密度で長
手方向に磁気的に記録するための一方のトラック手段と
しての情報記録領域51と他方のトラック手段としての
情報記録領域52を備えていることである。従って,情
報記録領域51と情報記録領域52とは記録密度が異な
り,2種類の斜線で示した。(情報記録領域の情報は,
磁気バーコード等で形成しても良い)。
【0062】磁気カード1を使用する毎にカードリーダ
ーで信号の有無及び記録密度の異なる2種類以上の信号
レベルを読み取り,図8の(2)に示すように,情報記
録領域51−1と情報記録領域51−2を消去する(こ
れは使用度数によって異なる場合がある)。この消去処
理後の情報記録領域51−1と情報記録領域52−1の
信号レベルを読み取る。また,この消去処理前後の51
−1と51−2との比較しチェックを行った後,この情
報を使用する。この工程を使用毎に行い,同様のチェッ
クを行う。
ーで信号の有無及び記録密度の異なる2種類以上の信号
レベルを読み取り,図8の(2)に示すように,情報記
録領域51−1と情報記録領域51−2を消去する(こ
れは使用度数によって異なる場合がある)。この消去処
理後の情報記録領域51−1と情報記録領域52−1の
信号レベルを読み取る。また,この消去処理前後の51
−1と51−2との比較しチェックを行った後,この情
報を使用する。この工程を使用毎に行い,同様のチェッ
クを行う。
【0063】この結果,Baフェライトカードの場合,
記録の消去(図8の(2))を行ったところ,記録信号
は消去前の10%以下の出力に消去されて,使用できな
くなった。また,本発明カードの場合,初期状態とは,
全く異なる記録情報を得ることが出来た。この本発明の
磁気カードを図8の(3)に示すように,最終状態にし
た後,磁気ヘッドを用い,全ての記録信号を消去し,図
8の(1)の状態に戻そうと試みたが,90(%)以上
の出力が残留し,記録信号は,消去されなかった。さら
に,6Tの磁界中で消磁を行い,図8の(1)の状態に
戻した場合でも,次の処理である図8の(2)の消去で
記録信号は10%以下の出力に消去されて使用できなく
なった。
記録の消去(図8の(2))を行ったところ,記録信号
は消去前の10%以下の出力に消去されて,使用できな
くなった。また,本発明カードの場合,初期状態とは,
全く異なる記録情報を得ることが出来た。この本発明の
磁気カードを図8の(3)に示すように,最終状態にし
た後,磁気ヘッドを用い,全ての記録信号を消去し,図
8の(1)の状態に戻そうと試みたが,90(%)以上
の出力が残留し,記録信号は,消去されなかった。さら
に,6Tの磁界中で消磁を行い,図8の(1)の状態に
戻した場合でも,次の処理である図8の(2)の消去で
記録信号は10%以下の出力に消去されて使用できなく
なった。
【0064】以上のことより,本発明の磁気カードおよ
び磁気記録方式を用いることにより,優れたセキュリテ
ィが得られる。
び磁気記録方式を用いることにより,優れたセキュリテ
ィが得られる。
【0065】また,上記例では,磁気記録層が1層であ
るが,多層であっても良く,磁気カードの製造方式も限
定されるものではない。
るが,多層であっても良く,磁気カードの製造方式も限
定されるものではない。
【0066】しかも,磁気ヘッドの構造等により,再生
出力変化の仕方等は,影響されるが,本方式の原理は,
左右されるものではない。
出力変化の仕方等は,影響されるが,本方式の原理は,
左右されるものではない。
【0067】
【発明の効果】本発明によれば,磁気カードに記録情報
を記録するときの記録電流波形をコントロールし,2種
類以上の記録密度(1種類以上の記録波形)または,2
種類以上の記録波形(1種類以上の記録密度)で記録
後,記録密度または情報記録時の記録波形の違いによ
る再生出力差を検知すること,一方向磁界を印加処理
後,さらに,処理後の記録密度または情報記録時の記
録波形の違いによる磁気情報の再生出力差を検知するこ
と,処理前後の再生出力差を検知することの項目を少
なくとも1種類以上組み合わせることにより高セキュリ
ティの磁気カード,および磁気記録再生方法(特にカー
ドおよび情報の真贋判定に効果大)を得ることが出来
る。従って,セキュリティ上極めて有益である。
を記録するときの記録電流波形をコントロールし,2種
類以上の記録密度(1種類以上の記録波形)または,2
種類以上の記録波形(1種類以上の記録密度)で記録
後,記録密度または情報記録時の記録波形の違いによ
る再生出力差を検知すること,一方向磁界を印加処理
後,さらに,処理後の記録密度または情報記録時の記
録波形の違いによる磁気情報の再生出力差を検知するこ
と,処理前後の再生出力差を検知することの項目を少
なくとも1種類以上組み合わせることにより高セキュリ
ティの磁気カード,および磁気記録再生方法(特にカー
ドおよび情報の真贋判定に効果大)を得ることが出来
る。従って,セキュリティ上極めて有益である。
【図1】(a)〜(e)は,本発明の実施の形態の磁気
カードの記録再生方法に係る記録電流iの波形図であ
る。
カードの記録再生方法に係る記録電流iの波形図であ
る。
【図2】図1の磁気カードの記録再生方法に係る記録電
流iの波形を説明するための図である。
流iの波形を説明するための図である。
【図3】本発明の例による磁気カードの記録再生方法に
係る消去処理前の例および比較例の記録密度と出力との
関係を示す図である。
係る消去処理前の例および比較例の記録密度と出力との
関係を示す図である。
【図4】本発明の例による磁気カードの記録再生方法に
係る消去処理前後の例の記録密度と出力との関係を示す
図である。
係る消去処理前後の例の記録密度と出力との関係を示す
図である。
【図5】本発明の例による磁気カードの記録再生方法に
係る消去処理前後の比較例の記録密度と出力との関係を
示す図である。
係る消去処理前後の比較例の記録密度と出力との関係を
示す図である。
【図6】本発明の実施の形態に係る磁気カードの記録再
生方法に用いられた磁気カード1の断面図である。
生方法に用いられた磁気カード1の断面図である。
【図7】図6の磁気カード1の平面図である。
【図8】図7の磁気カード1において,磁性層3の一部
に形成された磁気記録領域としてのストライプ状の情報
記録トラック5に係る記録信号の波形の状態を説明する
ための図である。
に形成された磁気記録領域としてのストライプ状の情報
記録トラック5に係る記録信号の波形の状態を説明する
ための図である。
1 磁気カード 2 PET 3 磁性層 4 保護層 5 ストライプ状の情報記録トラック tP 記録電流波形の変化時間 ts 記録電流波形の立ち上がり時間 T 記録電流波形の周期 ip 記録電流波形の記録電流
Claims (16)
- 【請求項1】 非磁性基体上の少なくとも一部に磁気記
録層を有し,前記磁気記録層に対して磁気ヘッドを用い
て情報を記録又は再生する磁気カードの記録再生方法に
おいて,前記磁性層の磁気記録領域に,記録電流の波形
の立ち上がり時間,及び立ち下がり(減衰)時間の内の
少なくとも一方が,前記記録電流の波形の半周期の40
〜100%である波形を有する前記記録電流で記録する
ことを特徴とする磁気カードの記録再生方法。 - 【請求項2】 非磁性基体上の少なくとも一部に磁気記
録層を有し,前記磁気記録層に対して磁気ヘッドを用い
て情報を記録又は再生する磁気カードの記録再生方法に
おいて,前記磁性層の磁気記録領域に,前記記録電流の
波形の立ち上がり時間及び立ち下がり(減衰)時間の内
の少なくとも一方が,前記記録電流の波形の半周期の4
0%以下であり,且つ前記記録電流の波形の極大をなす
部分の変化時間が当該記録電流の波形の1周期の80%
以下である波形を有する前記記録電流で記録することを
特徴とする磁気カードの記録再生方法。 - 【請求項3】 任意時間において,請求項1記載の磁気
カードの記録再生方法を用いる部分と請求項2記載の磁
気カードの記録再生方法を用いる部分とを備えているこ
とを特徴とする磁気カードの記録再生方法。 - 【請求項4】 請求項3記載の磁気カードの記録再生方
法おいて,磁気情報が記録されている部分の磁気情報を
読み込んだ際,記録波形または,かつ,記録密度を変化
させ記録した2種類以上の再生出力差を検出し,磁気情
報に付加することを特徴とする磁気カードの記録再生方
法。 - 【請求項5】 請求項3記載の磁気カードの記録再生方
法において,磁気情報が記録されている部分に一方向磁
界を印加処理し,磁気情報を読み込んだ際,印加処理後
の磁気情報の再生出力差を検出することを特徴とした磁
気カードの記録再生方法。 - 【請求項6】 請求項3記載の磁気カードの記録再生方
法において,磁気情報が記録されている部分に一方向磁
界を印加処理をすることにより,磁気情報を読み込んだ
際,処理前後の記録情報再生出力差を検知することを特
徴とする磁気カードの記録再生方法。 - 【請求項7】 請求項4〜6のいずれかに記載の磁気カ
ードの記録再生方法において,少なくとも1種類以上の
方式を組み合わせ,磁気情報に付加することを特徴とす
る磁気カードの記録再生方法。 - 【請求項8】 請求項2記載の磁気カードの記録再生方
法において,2種類以上の記録密度で記録することを特
徴とする磁気カードの記録再生方法。 - 【請求項9】 請求項8記載の磁気カードの記録再生方
法おいて,磁気情報が記録されている部分の磁気情報を
読み込んだ際,記録波形または,かつ,記録密度を変化
させ記録した2種類以上の再生出力差を検出し,磁気情
報に付加することを特徴とする磁気カードの記録再生方
法。 - 【請求項10】 請求項8記載の磁気カードの記録再生
方法において,磁気情報が記録されている部分に一方向
磁界を印加処理し,磁気情報を読み込んだ際,印加処理
後の磁気情報の再生出力差を検出することを特徴とする
磁気カードの記録再生方法。 - 【請求項11】 請求項8記載の磁気カードの記録再生
方法において,磁気情報が記録されている部分に一方向
磁界を印加処理をすることにより,磁気情報を読み込ん
だ際,処理前後の記録情報再生出力差を検知することを
特徴とする磁気カードの記録再生方法。 - 【請求項12】 請求項9〜11の内のいずれかに記載
の磁気カードの記録再生方法において,少なくとも1種
類以上の方式を組み合わせ,磁気情報に付加することを
特徴とする磁気カードの記録再生方法。 - 【請求項13】 請求項1〜12の内のいずれかに記載
の磁気カードの記録再生方法において磁気記録層の一
部,あるいは全ての情報が消去不可能又は困難であるこ
とを特徴とする磁気カードの記録再生方法。 - 【請求項14】 請求項1〜12の内のいずれかに記載
の磁気カードの記録再生方法において,保磁力が4kO
e以上である磁性粉を使用していることを特徴とする磁
気カードの記録再生方法。 - 【請求項15】 請求項1〜12の内のいずれかに記載
の磁気カードの記録再生方法において,当該磁気カード
の磁気記録層には,一般式Rx T100-x-y My (但し,
RはSmを必須成分とするYを含む希土類元素から選択
された少なくとも1種,Tは,Coを主成分とする遷移
金属Fe,Co,Niの内から選択された少なくとも1
種,Mは,Si,Ti,A1,Ga,V,Cr,Mn,
Cu,Zr,Nb,Mo,Pd,Hf,Ta,W,P
t,およびAuの内の少なくとも1種の元素で表され,
Rの組成値xは16.0〜22.0at%,Mの組成値
yは0,30.0at%である。)で示される合金粉末
を使用していることを特徴とする磁気カードの記録再生
方法。 - 【請求項16】 請求項1乃至15の内のいずれかに記
載の磁気カードの記録再生方法に用いられることを特徴
とする磁気カード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10097074A JPH11296804A (ja) | 1998-04-09 | 1998-04-09 | 磁気カードの記録再生方法とそれに用いられる磁気カード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10097074A JPH11296804A (ja) | 1998-04-09 | 1998-04-09 | 磁気カードの記録再生方法とそれに用いられる磁気カード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11296804A true JPH11296804A (ja) | 1999-10-29 |
Family
ID=14182503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10097074A Withdrawn JPH11296804A (ja) | 1998-04-09 | 1998-04-09 | 磁気カードの記録再生方法とそれに用いられる磁気カード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11296804A (ja) |
-
1998
- 1998-04-09 JP JP10097074A patent/JPH11296804A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050705 |