JPH1031813A - 磁気カードとその製造方法 - Google Patents
磁気カードとその製造方法Info
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- JPH1031813A JPH1031813A JP8187865A JP18786596A JPH1031813A JP H1031813 A JPH1031813 A JP H1031813A JP 8187865 A JP8187865 A JP 8187865A JP 18786596 A JP18786596 A JP 18786596A JP H1031813 A JPH1031813 A JP H1031813A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 情報の記録は容易に行えるが，記録した情報
の消去，書換えが困難又は不可能であるため，偽造を目
的とした情報消去，書き込みが不可能であり，特殊な磁
気記録再生装置を用いずに，優れた偽造防止効果を有
し，さらに，保磁力が高いため一度記録した情報の消
去，書換えが困難又は不可能である磁気カードとその製
造方法を提供すること。 【解決手段】 基板上に磁気記録及び再生を行う磁性層
を備えた磁気カードにおいて，前記磁性層はスパッタ法
を用いて形成された磁性薄膜であり，前記磁性薄膜は，
一般式，Ｒx Ｔ100-x-y Ｍy （但し，Ｒは，smを必須成
分としてY を含む希土類元素の内の１種以上，T はCoを
主成分とする遷移金属(Fe,Co,Ni)の内の１種以上，M は
Si,Ti,Al,Ga,V,Cr,Mn,Cu,Zr,Nb,Mo,Pd,Hf,Ta,W,Pt,Auの
内の１種以上）で表され，Ｒの組成値x は16.0〜22.0(a
t%) ，Ｍの組成値y は0 ≦y ＜30(at%) の範囲である。
の消去，書換えが困難又は不可能であるため，偽造を目
的とした情報消去，書き込みが不可能であり，特殊な磁
気記録再生装置を用いずに，優れた偽造防止効果を有
し，さらに，保磁力が高いため一度記録した情報の消
去，書換えが困難又は不可能である磁気カードとその製
造方法を提供すること。 【解決手段】 基板上に磁気記録及び再生を行う磁性層
を備えた磁気カードにおいて，前記磁性層はスパッタ法
を用いて形成された磁性薄膜であり，前記磁性薄膜は，
一般式，Ｒx Ｔ100-x-y Ｍy （但し，Ｒは，smを必須成
分としてY を含む希土類元素の内の１種以上，T はCoを
主成分とする遷移金属(Fe,Co,Ni)の内の１種以上，M は
Si,Ti,Al,Ga,V,Cr,Mn,Cu,Zr,Nb,Mo,Pd,Hf,Ta,W,Pt,Auの
内の１種以上）で表され，Ｒの組成値x は16.0〜22.0(a
t%) ，Ｍの組成値y は0 ≦y ＜30(at%) の範囲である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，磁気カード及びそ
の製造方法に関し，特に，記録した所定の情報を消去あ
るいは上書き等の書換えが困難もしくは不可能である，
偽造防止に優れた磁気カード及びソノ製造方法に関す
る。
の製造方法に関し，特に，記録した所定の情報を消去あ
るいは上書き等の書換えが困難もしくは不可能である，
偽造防止に優れた磁気カード及びソノ製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】乗車券，テレホンカード，プリペイドカ
ードなどの金券として利用されている磁気カード類は，
カードを利用する毎に所定の装置で，カードに設けられ
た磁気記録層に残金等の所定の情報を書き換えることに
より使用されている。これらのカードには，偽造防止の
策として，磁気記録層に保護層を設ける，あるいは磁気
記録層を多層にする，または使用毎にカードにパンチ穴
を開ける等の工夫が施されている。
ードなどの金券として利用されている磁気カード類は，
カードを利用する毎に所定の装置で，カードに設けられ
た磁気記録層に残金等の所定の情報を書き換えることに
より使用されている。これらのカードには，偽造防止の
策として，磁気記録層に保護層を設ける，あるいは磁気
記録層を多層にする，または使用毎にカードにパンチ穴
を開ける等の工夫が施されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが，磁気カード
の普及と共に，磁気カードの情報を再生，記録する装置
技術も発達し，磁気カードに記録した情報を容易に読み
取り，さらには情報を書き込むことまで可能となった。
具体的には，磁気記録カードの使用毎に，新しい情報を
含む全情報が，旧情報の上にオーバーライトされる形で
書き換えられるため，カードの情報を記録，再生する装
置があれば，容易に情報の書換えが行え，これにより，
カードの偽造が容易に行えることになり，近年磁気カー
ドの偽造が目だって増えてきた。
の普及と共に，磁気カードの情報を再生，記録する装置
技術も発達し，磁気カードに記録した情報を容易に読み
取り，さらには情報を書き込むことまで可能となった。
具体的には，磁気記録カードの使用毎に，新しい情報を
含む全情報が，旧情報の上にオーバーライトされる形で
書き換えられるため，カードの情報を記録，再生する装
置があれば，容易に情報の書換えが行え，これにより，
カードの偽造が容易に行えることになり，近年磁気カー
ドの偽造が目だって増えてきた。
【０００４】この原因として，磁性層の保磁力が２〜３
ｋＯｅと低いことにあると考えられる。つまり，保磁力
が低いと従来の磁気記録，再生装置で容易に情報の書換
えができ，カードの偽造が可能となる。
ｋＯｅと低いことにあると考えられる。つまり，保磁力
が低いと従来の磁気記録，再生装置で容易に情報の書換
えができ，カードの偽造が可能となる。
【０００５】そこで，本発明の技術的課題は，かかる現
状に鑑み，情報の記録は容易に行えるが，記録した情報
の消去，書換えが困難（不可能）であるため，従来の様
な偽造を目的とした情報消去，書き込みが不可能である
磁気カードとその製造方法を提供することにある。
状に鑑み，情報の記録は容易に行えるが，記録した情報
の消去，書換えが困難（不可能）であるため，従来の様
な偽造を目的とした情報消去，書き込みが不可能である
磁気カードとその製造方法を提供することにある。
【０００６】また，本発明の他の技術的課題は，従来の
ものと比較し，特殊な磁気記録再生装置を用いずに，優
れた偽造防止効果を有する磁気記録カードとその製造方
法を提供することにある。
ものと比較し，特殊な磁気記録再生装置を用いずに，優
れた偽造防止効果を有する磁気記録カードとその製造方
法を提供することにある。
【０００７】更に，本発明の別の技術的課題は，保磁力
が高いため一度記録した情報の消去，書換えが困難又は
不可能である磁気カードとその製造方法を提供すること
にある。
が高いため一度記録した情報の消去，書換えが困難又は
不可能である磁気カードとその製造方法を提供すること
にある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは，第一に初
期情報記録する際，長手方向に一箇所以上の未記録部分
を残し記録を行い，更にその後，順次新しい情報を記録
する際には既存の情報を消去することなく，未記録部分
に新規情報を記録する方法を検討した。その結果，特別
な磁気記録，再生装置を用いる必要がなく，また，優れ
た偽造防止効果を有する磁気カードとその製造方法を見
いだし，本発明を為すに至ったものである。
期情報記録する際，長手方向に一箇所以上の未記録部分
を残し記録を行い，更にその後，順次新しい情報を記録
する際には既存の情報を消去することなく，未記録部分
に新規情報を記録する方法を検討した。その結果，特別
な磁気記録，再生装置を用いる必要がなく，また，優れ
た偽造防止効果を有する磁気カードとその製造方法を見
いだし，本発明を為すに至ったものである。
【０００９】本発明によれば，基板上に磁気記録及び再
生を行う磁性層を備えた磁気カードにおいて，前記磁性
層は，スパッタ法を用いて形成された磁性薄膜であり，
前記磁性薄膜は，一般式，Ｒx Ｔ100-x-y Ｍy （但し，
Ｒは，Ｓｍを必須成分としてＹを含む希土類元素の内か
ら選択された少なくとも１種，Ｔは，Ｃｏを主成分とす
る遷移金属（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）の内から選択された少
なくとも１種，Ｍは，Ｓｉ，Ｔｉ，Ａ１，Ｇａ，Ｖ，Ｃ
ｒ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｈｆ，Ｔ
ａ，Ｗ，Ｐｔ，およびＡｕの内から選択された少なくと
も１種）で表され，Ｒの組成値は１６．０〜２２．０，
Ｍの組成値ｙは０≦ｙ＜３０（いずれもａｔ％）の範囲
であることを特徴とする磁気カードが得られる。
生を行う磁性層を備えた磁気カードにおいて，前記磁性
層は，スパッタ法を用いて形成された磁性薄膜であり，
前記磁性薄膜は，一般式，Ｒx Ｔ100-x-y Ｍy （但し，
Ｒは，Ｓｍを必須成分としてＹを含む希土類元素の内か
ら選択された少なくとも１種，Ｔは，Ｃｏを主成分とす
る遷移金属（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）の内から選択された少
なくとも１種，Ｍは，Ｓｉ，Ｔｉ，Ａ１，Ｇａ，Ｖ，Ｃ
ｒ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｈｆ，Ｔ
ａ，Ｗ，Ｐｔ，およびＡｕの内から選択された少なくと
も１種）で表され，Ｒの組成値は１６．０〜２２．０，
Ｍの組成値ｙは０≦ｙ＜３０（いずれもａｔ％）の範囲
であることを特徴とする磁気カードが得られる。
【００１０】また，本発明によれば，前記磁気カードを
製造する方法において，前記磁性薄膜を基板温度１２０
℃以下のスパッタで形成することを特徴とする磁気カー
ドの製造方法が得られる。
製造する方法において，前記磁性薄膜を基板温度１２０
℃以下のスパッタで形成することを特徴とする磁気カー
ドの製造方法が得られる。
【００１１】本発明の磁気カードは，従来のものと比較
し，高保磁力で，かつ着磁性に優れた特性を有するもの
である。
し，高保磁力で，かつ着磁性に優れた特性を有するもの
である。
【００１２】本発明における上記磁気カードの保磁力
は，記録情報の消去あるいは上書きが困難（不可能）で
あるために，３．０ｋＯｅ以上で，かつ保磁力を有効に
発現するために保磁力の１／２以下の印加磁界で飽和磁
化の２５％以上の磁化を有することが好ましい。
は，記録情報の消去あるいは上書きが困難（不可能）で
あるために，３．０ｋＯｅ以上で，かつ保磁力を有効に
発現するために保磁力の１／２以下の印加磁界で飽和磁
化の２５％以上の磁化を有することが好ましい。
【００１３】ここで，本発明において，上記組成の限定
埋由は，一般式，Ｒx Ｔ100-x-y Ｍy において，ｘが１
６．０ａｔ％以下では保磁力が低下し，２２．０ａｔ％
以上では磁化が低下し好ましくないからであり，また，
Ｍは３０ａｔ％以上であると保磁力の低下が見られ好ま
しくないからである。更に，スパッタを行う際，基板温
度が１２０℃以上の場合は，保磁力の低下が起こり好ま
しくない。
埋由は，一般式，Ｒx Ｔ100-x-y Ｍy において，ｘが１
６．０ａｔ％以下では保磁力が低下し，２２．０ａｔ％
以上では磁化が低下し好ましくないからであり，また，
Ｍは３０ａｔ％以上であると保磁力の低下が見られ好ま
しくないからである。更に，スパッタを行う際，基板温
度が１２０℃以上の場合は，保磁力の低下が起こり好ま
しくない。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下，本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１５】（第１の実施の形態）種々組成のＳｍ−Ｃ
ｏ合金ターゲットを用い，Ａｒガス圧２０ｍＴｏｒｒ，
基板温度２５℃で，ポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）の基体上に下記表１に示す組成の磁性層をスパッタ
により形成し磁気カードを作製した。得られた磁気カー
ドの磁気特性を振動試料型磁力計（Ｖ．Ｓ．Ｍ）を用い
て測定した。その結果を下記表１に示した。
ｏ合金ターゲットを用い，Ａｒガス圧２０ｍＴｏｒｒ，
基板温度２５℃で，ポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）の基体上に下記表１に示す組成の磁性層をスパッタ
により形成し磁気カードを作製した。得られた磁気カー
ドの磁気特性を振動試料型磁力計（Ｖ．Ｓ．Ｍ）を用い
て測定した。その結果を下記表１に示した。
【００１６】
【表１】 Ｓｍ値１６．０ａｔ％以上，２２．０ａｔ％以下で保磁
力が大きくかつ着磁性の良好な結果が得られた。
力が大きくかつ着磁性の良好な結果が得られた。
【００１７】さらに各カードに対し，従来のリーダライ
タ（記録磁界，５ｋＧ）を用い，ＦＭ方式で記録し，再
生を行ったところ，いずれのカードでも良好な記録信号
が検出された。次に，この磁気ヘッドを用い記録信号の
消去を行ったところ，Ｓｍ値１５．２ａｔ％と２３．０
ａｔ％のカードでは，記録信号が消去前の１０％以下の
出力に減衰し消去され易く，その他のカードでは，記録
信号は消去前の３０％以上の出力で残留し消去され難か
った。
タ（記録磁界，５ｋＧ）を用い，ＦＭ方式で記録し，再
生を行ったところ，いずれのカードでも良好な記録信号
が検出された。次に，この磁気ヘッドを用い記録信号の
消去を行ったところ，Ｓｍ値１５．２ａｔ％と２３．０
ａｔ％のカードでは，記録信号が消去前の１０％以下の
出力に減衰し消去され易く，その他のカードでは，記録
信号は消去前の３０％以上の出力で残留し消去され難か
った。
【００１８】（第２の実施の形態）Ｓｍ−Ｃｏ合金ター
ゲットを用い，Ａｒガス圧２０ｍＴｏｒｒ，基板温度５
〜１３０℃で，ＰＥＴ基体上にＳｍ１９．１ｘａｔ％，
Ｃｏ８０．９ａｔ％の組成の磁性層をスパッタにより形
成し磁気カードを作製した。磁気カードの磁気特性を
Ｖ．Ｓ．Ｍを用いて測定した結果を下記表２に示した。
基板温度１２０℃以下で保磁力が大きくかつ着磁性の良
好な結果が得られた。
ゲットを用い，Ａｒガス圧２０ｍＴｏｒｒ，基板温度５
〜１３０℃で，ＰＥＴ基体上にＳｍ１９．１ｘａｔ％，
Ｃｏ８０．９ａｔ％の組成の磁性層をスパッタにより形
成し磁気カードを作製した。磁気カードの磁気特性を
Ｖ．Ｓ．Ｍを用いて測定した結果を下記表２に示した。
基板温度１２０℃以下で保磁力が大きくかつ着磁性の良
好な結果が得られた。
【００１９】
【表２】
【００２０】（第３の実施の形態）種々組成のＳｍ−Ｃ
ｏ合金ターゲットを用い，第１の実施の形態と同様の方
法で，ＰＥＴ基体上に下記表３に示す組成の磁性層を形
成し磁気カードを作製した。得られた磁気カードの磁気
特性をＶ．Ｓ．Ｍを用いて測定した。その結果を下記表
３に示した。
ｏ合金ターゲットを用い，第１の実施の形態と同様の方
法で，ＰＥＴ基体上に下記表３に示す組成の磁性層を形
成し磁気カードを作製した。得られた磁気カードの磁気
特性をＶ．Ｓ．Ｍを用いて測定した。その結果を下記表
３に示した。
【００２１】
【表３】
【００２２】上記表３に示した元素を添加した場合でも
良好な結果が得られた。さらに，第９の実施形態と同様
の方法で，各カードに記録を施し，消去を行ったとこ
ろ，全てのカードにおいて記録信号が消去前の３０％以
上の出力で残留し消去され難かった。
良好な結果が得られた。さらに，第９の実施形態と同様
の方法で，各カードに記録を施し，消去を行ったとこ
ろ，全てのカードにおいて記録信号が消去前の３０％以
上の出力で残留し消去され難かった。
【００２３】尚，添加元素を，２種類以上添加しても，
良好な結果が得ることは容易に推測される。
良好な結果が得ることは容易に推測される。
【００２４】（第４の実施の形態）種々組成のＳｍ−Ｃ
ｏ−（Ａｌ，Ｃｒ）合金ターゲットを用い，第１の実施
の形態と同様の方法で，ＰＥＴ基体上に下記表４に示す
組成の磁性層を形成し磁気カードを作製した。得られた
磁気カードの磁気特性をＶ．Ｓ．Ｍを用いて測定した。
その結果を下記表４に示した。
ｏ−（Ａｌ，Ｃｒ）合金ターゲットを用い，第１の実施
の形態と同様の方法で，ＰＥＴ基体上に下記表４に示す
組成の磁性層を形成し磁気カードを作製した。得られた
磁気カードの磁気特性をＶ．Ｓ．Ｍを用いて測定した。
その結果を下記表４に示した。
【００２５】
【表４】
【００２６】Ａｌ，Ｃｒ，Ｗを２．５ａｔ％以上添加し
た磁性粉末では保磁力の低下が見られた。また，Ｓｉ，
Ｔｉ，Ｇａ，Ｖ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｐ
ｄ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｗを添加した場合も，
２．５ａｔ％未満の添加で同様に良好な同様な結果が得
られた。
た磁性粉末では保磁力の低下が見られた。また，Ｓｉ，
Ｔｉ，Ｇａ，Ｖ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｐ
ｄ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｗを添加した場合も，
２．５ａｔ％未満の添加で同様に良好な同様な結果が得
られた。
【００２７】
【発明の効果】以上，説明した通り，本発明では，保磁
力３．５ｋＯｅ以上でかつ保磁力の１／２以下の印加磁
界で飽和磁化の２５％以上の磁化を有する磁性層が，情
報の記録は容易に行えるが，記録した情報の消去，書換
えが困難又は不可能であることに着目したもので，磁気
記録媒体の面内長手方向に磁気記録をする方法におい
て，第一に初期情報記録する際，長手方向に一箇所以上
の未記録部分を残し記録を行い，更にその後，順次新し
い情報を記録する際には，既存の情報を消去することな
く，未記録部分に新規情報を記録することができる。従
って，本発明によれば，情報の記録は容易に行えるが，
記録した情報の消去，書換えが困難又は不可能であるた
め，偽造を目的とした情報消去，書き込みが不可能であ
る磁気記録用カードが得られる。
力３．５ｋＯｅ以上でかつ保磁力の１／２以下の印加磁
界で飽和磁化の２５％以上の磁化を有する磁性層が，情
報の記録は容易に行えるが，記録した情報の消去，書換
えが困難又は不可能であることに着目したもので，磁気
記録媒体の面内長手方向に磁気記録をする方法におい
て，第一に初期情報記録する際，長手方向に一箇所以上
の未記録部分を残し記録を行い，更にその後，順次新し
い情報を記録する際には，既存の情報を消去することな
く，未記録部分に新規情報を記録することができる。従
って，本発明によれば，情報の記録は容易に行えるが，
記録した情報の消去，書換えが困難又は不可能であるた
め，偽造を目的とした情報消去，書き込みが不可能であ
る磁気記録用カードが得られる。
【００２８】従って，本発明は工業上極めて有益であ
る。
る。
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に磁気記録及び再生を行う磁性層
を備えた磁気カードにおいて，前記磁性層は，スパッタ
法を用いて形成された磁性薄膜であり，前記磁性薄膜
は，一般式，Ｒx Ｔ100-x-y Ｍy （但し，Ｒは，Ｓｍを
必須成分としてＹを含む希土類元素の内から選択された
少なくとも１種，Ｔは，Ｃｏを主成分とする遷移金属
（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）の内から選択された少なくとも１
種，Ｍは，Ｓｉ，Ｔｉ，Ａ１，Ｇａ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，
Ｃｕ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｐ
ｔ，およびＡｕの内から選択された少なくとも１種）で
表され，Ｒの組成値は１６．０〜２２．０，Ｍの組成値
ｙは０≦ｙ＜３０（いずれもａｔ％）の範囲であること
を特徴とする磁気カード。 - 【請求項２】 請求項１記載の磁気カードを製造する方
法において，前記磁性薄膜を基板温度１２０℃以下のス
パッタで形成することを特徴とする磁気カードの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8187865A JPH1031813A (ja) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | 磁気カードとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8187865A JPH1031813A (ja) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | 磁気カードとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1031813A true JPH1031813A (ja) | 1998-02-03 |
Family
ID=16213576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8187865A Withdrawn JPH1031813A (ja) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | 磁気カードとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1031813A (ja) |
-
1996
- 1996-07-17 JP JP8187865A patent/JPH1031813A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20031007 |