JPH11296925A - 光磁気記録媒体、再生方法及び再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 再生信号振幅を低下させることなく光の回折
限界以下の周期の信号が高速で再生可能となり、記録密
度並びに転送速度を大幅に向上できる光磁気記録媒体、
再生方法及び小型化可能な再生装置を提供する。 【解決手段】 少なくとも第１、第２の磁性層を有する
光磁気記録媒体であって、該第１の磁性層１１は周囲温
度近傍において該第２の磁性層１２に比べて相対的に磁
壁抗磁力が小さく磁壁移動度の大きな垂直磁化膜からな
り、第２の磁性層１２は垂直磁化膜であり、第１磁性層
１１及び第２磁性層１２は磁気的に結合していることを
特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気光学効果を利
用してレーザー光により情報の記録再生を行う光磁気記
録媒体等に関し、更に詳しくは媒体の高密度記録化を可
能とする光磁気記録媒体、再生方法および再生装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】書き換え可能な高密度記録方式として、
半導体レーザーの熱エネルギーを用いて、磁性薄膜に磁
区を書き込んで情報を記録し、磁気光学効果を用いて、
この情報を読み出す光磁気記録媒体が注目されている。
また、近年この光磁気記録媒体の記録密度を高めて更に
大容量の記録媒体とする要求が高まっている。光磁気記
録媒体等の光ディスクの線記録密度は、再生光学系のレ
ーザー波長および対物レンズの開口数に大きく依存す
る。すなわち、再生光学系のレーザー波長λと対物レン
ズの開口数ＮＡが決まるとビームウェストの径が決まる
ため、信号再生時の空間周波数は２ＮＡ／λ程度が検出
可能な限界となってしまう。

【０００３】したがって、従来の光ディスクで高密度化
を実現するためには、再生光学系のレーザー波長を短く
し、対物レンズの開口数ＮＡを大きくする必要がある。
しかしながら、レーザー波長や対物レンズの開口数の改
善にも限度がある。このため、記録媒体の構成や読み取
り方法を工夫し、記録密度を改善する技術が開発されて
いる。

【０００４】例えば、特開平３−９３０５８号において
は、磁気的に結合される再生層と記録保持層とを有して
なる多層膜の、記録保持層に信号記録を行うとともに、
再生層の磁化の向きを揃えた後、レーザー光を照射して
加熱し、再生層の昇温領域に、記録保持層に記録された
信号を転写しながら読み取る信号再生方法が提案されて
いる。

【０００５】この方法によれば、再生用のレーザーのス
ポット径に対して、このレーザーによって加熱されて転
写温度に達し信号が検出される領域は、より小さな領域
に限定できるため、再生時の符号間干渉を減少させ、光
の回折限界以下の周期の信号が再生可能となる。

【０００６】

【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、特
開平３−９３０５８号記載の光磁気再生方法では、再生
用のレーザーのスポット径に対して、有効に使用される
信号検出領域が小さくなるため、再生信号振幅が大幅に
低下し、十分な再生出力が得られない欠点を有してい
る。

【０００７】また、再生層の磁化をレーザー光が照射す
る前に一方向に揃えなければならない。そのため、従来
の装置に再生層の初期化用磁石を追加することが必要と
なる。このため前記再生方法は、光磁気記録装置が複雑
化し、コストが高くなる、小型化が難しい等の問題点を
有している。

【０００８】本発明は、この様な従来技術の課題を解決
すべくなされたものである。すなわち本発明の目的は、
再生信号振幅を低下させることなく光の回折限界以下の
周期の信号が高速で再生可能となり、記録密度並びに転
送速度を大幅に向上でき、再生装置の小型化も可能な光
磁気記録媒体、再生方法および再生装置を提供すること
にある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】前記の目的は以下の手段
によって達成される。

【００１０】すなわち、本発明は、少なくとも第１、第
２の磁性層を有する光磁気記録媒体であって、該第１の
磁性層は、周囲温度近傍において該第２の磁性層に比べ
て相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度の大きな垂直
磁化膜からなり、第２の磁性層は垂直磁化膜であり、第
１磁性層及び第２磁性層は磁気的に結合していることを
特徴とする光磁気記録媒体を提案するものであり、各情
報トラック間における第１の磁性層の膜面方向の交換結
合力が情報トラック内における交換結合力より小さいこ
と、該第１磁性層と該第２磁性層が室温において交換結
合していること、該第１磁性層と該第２磁性層との間に
第３の磁性層を設けた光磁気記録媒体で、これらの磁性
層は互いに室温において交換結合しており、該第３磁性
層は該第１磁性層より低いキュリー温度を有しているこ
と、該第１磁性層と該第２磁性層が静磁結合しているこ
とを含む。

【００１１】また本発明は、前記の光磁気記録媒体から
記録情報を再生する方法であって、光ビームを該媒体に
対して相対的に移動させながら前記第１の磁性層の側か
ら照射し、該媒体上に該光ビームのスポットの移動方向
に対して勾配を有する温度分布を形成し、該温度分布を
少なくとも第１磁性層に形成されていた磁壁を温度が高
い方向へ移動させようとする該磁壁に生じる力が第２磁
性層から生じる結合力より大きくなる温度よりも高い温
度領域を有する温度分布とすることによって該第１の磁
性層に形成されていた磁壁を移動させ、該光ビームの反
射光の偏光面の変化を検出して記録情報を再生すること
を特徴とする再生方法を提案するものであり、前記第２
磁性層から生じる結合力が磁気的結合力、交換結合力、
静磁結合力であることを含む。

【００１２】また、本発明は、前記の光磁気記録媒体か
ら記録情報を再生する方法であって、光ビームを該媒体
に対して相対的に移動させながら前記第１の磁性層の側
から照射し、該媒体上に該光ビームのスポットの移動方
向に対して勾配を有する温度分布を形成し、該温度分布
を少なくとも第１磁性層及び第３磁性層に形成されてい
た磁壁を温度が高い方向へ移動させようとする該磁壁に
生じる力が第２磁性層から生じる交換結合力より大きく
なる温度よりも高い温度領域を有する温度分布とするこ
とによって該第１の磁性層及び第３磁性層に形成されて
いた磁壁を移動させ、該光ビームの反射光の偏光面の変
化を検出して記録情報を再生することを特徴とする再生
方法を提案するものである。

【００１３】更に本発明は、前記の光磁気記録媒体から
記録情報を再生する再生装置であって、光ビームのスポ
ットの移動方向に対して勾配を有する温度分布を形成で
きる加熱手段を有することを特徴とする再生装置を提案
するものである。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明を図面を参照して詳
細に説明する。

【００１５】図１は、本発明の光磁気記録媒体およびそ
の再生方法における作用を説明するための模式図であ
る。図１（ａ）は、本発明の光磁気記録媒体の模式的断
面図である。この媒体の磁性層は、第１の磁性層１１、
第２の磁性層１２が順次積層されてなる。各層中の矢印
１４は原子スピンの向きを表している。スピンの向きが
相互に逆向きの領域の境界部には磁壁１５が形成されて
いる。

【００１６】図１（ｂ）は、本発明の光磁気記録媒体に
形成される温度分布を示すグラフである。この温度分布
は、再生用に照射されている光ビーム自身によって媒体
上に誘起されるものでもよいが、望ましくは別の加熱手
段を併用して、再生用の光ビームのスポットの手前側か
ら温度を上昇させ、スポットの後方に温度のピークが来
るような温度分布を形成する。

【００１７】ここで位置Ｘｓにおいては、媒体温度が第
１磁性層に形成されていた磁壁を温度が高い方向へ移動
させようとする該磁壁に生じる力が第２磁性層から生じ
る磁気的結合力より大きくなる温度Ｔｓ（臨界温度）に
なっている。

【００１８】図１（ｃ）は、図１（ｂ）の温度分布に対
応する第１の磁性層の磁壁エネルギー密度σ１の分布を
示すグラフである。この様にＸ方向に磁壁エネルギー密
度σ１の勾配があると、位置ｘに存在する各層の磁壁に
対して下記式から求められる力Ｆ１が作用する。力Ｆ１
＝δσ／δｘこの力Ｆ１は、磁壁エネルギー密度の低い
方に磁壁を移動させるように作用する。第１の磁性層
は、磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きいので、単独
では、この力Ｆ１によって容易に磁壁が移動する。

【００１９】容易に磁壁が移動するためには各情報トラ
ック間で互いに磁気的に分離されており、各トラック上
に形成された第１磁性層の磁区が閉じた磁壁を有さない
構造となっていることが必要である。

【００２０】例えば本発明の媒体は、図９（ａ）に断面
形状で示した様に、基板９１上に、誘電体層９２、磁性
層９３、誘電体層９４が積層され、基板９１の案内溝を
深さ１０００オングストロームの矩形に形成してある。
このため、ランド９６上に積層された磁性層９３は、案
内溝９５の部分でほぼ分離されている。なお実際には、
段差部にも多少膜が堆積して磁性層が繋がってしまう
が、他の部分と比較して膜厚が非常に薄くなるので、段
差部での磁気的結合は無視できる。交換結合力は磁性膜
の膜面内方向にも作用しているので、このことは各情報
トラック間における第１の磁性層の膜面方向の交換結合
力が情報トラック内における交換結合力よりも小さいこ
とを意味する。本発明において、各情報トラック間で互
いに磁気的に分離されるとは、この様な状態も含まれ
る。このランド９６上に幅いっぱいに反転磁区を形成す
ると、図９（ｂ）に示す様に、ランド９６上の磁区の境
界部に、閉じていない磁壁９７が形成される。このよう
な磁壁９７は、トラック方向に移動させても、トラック
側部の磁壁９７の生成・消滅を伴わないので、容易に移
動させることができる。磁気的に分離する他の方法とし
ては、トラッキング用の溝を有する基板を用いた場合は
溝部の磁性が消失するような処理を行ってもよい。１例
としてはレーザービーム照射によるアニールがある。こ
のアニール処理は磁性層の膜面方向の交換結合力を小さ
くすることになる。

【００２１】位置Ｘｓより手前（図では右側）の領域で
は、まだ媒体温度がＴｓより低く、磁壁抗磁力の大きな
第２の磁性層と交換結合しているために、第２の磁性層
中の磁壁の位置に対応した位置に第１の磁性層中の磁壁
も固定されている。

【００２２】本発明においては、図１（ａ）に示す様
に、磁壁１５が媒体の位置Ｘｓにあると、媒体温度が温
度Ｔｓまで上昇し、第１の磁性層と第２の磁性層との間
の交換結合力が弱くなり、第１磁性層に形成されている
磁壁を磁壁エネルギー密度の小さな方向へ移動させよう
とする力より小さくなる。交換結合力をあらかじめ弱く
することによりこの現象を起こさせることが可能であ
る。交換結合力を低減する方法として、第２磁性層の成
膜前に第１磁性層の表面を微量酸素雰囲気や微量水分雰
囲気にさらしたり、第２磁性層の成膜時の圧力を高くし
たりすることが挙げられる。また第１の磁性層成膜終了
直前にアルゴン等のスパッタ用不活性ガスに窒素や酸素
を添加して成膜しても良い。また、第１磁性層成膜後酸
素プラズマにさらしても良い。非磁性層を薄く第１磁性
層の上に形成しても良い。希土類の元素のみを薄く第１
磁性層の上に形成してもよい。または、第２の磁性層の
成膜時のスパッタ圧力を高くしてもよい。

【００２３】この結果、第１の磁性層中の磁壁１５は、
破線矢印１７で示した様に、より温度が高く磁壁エネル
ギー密度の小さな領域へと“瞬間的”に移動する。

【００２４】再生用の光ビームのスポット１６の下を磁
壁１５が通過すると、スポット内の第１の磁性層の原子
スピンは全て一方向に揃う。そして、媒体の移動に伴っ
て磁壁１５が位置Ｘｓに来る度に、スポットの下を磁壁
１５が瞬間的に移動しスポット内の原子スピンの向きが
反転して全て一方向に揃う。この結果、図１（ａ）に示
す様に、再生信号振幅は記録されている磁壁の間隔（即
ち記録マーク長）によらず、常に一定かつ最大の振幅に
なり、光学的な回折限界に起因した波形干渉等の問題か
ら完全に解放されるのである。

【００２５】但し、磁壁の移動速度は無限大ではないか
ら、スポットの下を磁壁が通過するのに要する時間τ
が、最短記録マーク長相当の距離を媒体が移動するのに
要する時間ｔｍｉｎよりも長くならないようにする必要
がある（図２参照）。

【００２６】図３は、上述の原理作用による本発明と、
通常の従来法とを比較する模式図である。この図におい
て（ａ１）〜（ａ７）、および（ｂ１）〜（ｂ７）は、
記録マーク長の異なる磁区３３が形成された情報トラッ
ク３６上を、再生用スポット３１が移動する状態を示
す。また（ａ８）および（ｂ８）は、得られる再生信号
のグラフである。

【００２７】従来の再生方法においては、再生用スポッ
ト３１自体が情報トラック３６上のひとつの磁区内に完
全に入った状態（ｂ２）でないと、再生信号の最大振幅
が得られない（ｂ８）。一方、本発明においては、再生
用スポット３１と温度プロファイルを同方向３２に相対
移動させ、再生用スポット３１の直前部分が臨界温度Ｔ
ｓになる様にしてある。したがって、再生用スポット３
１が磁壁３４に差掛る直前において、磁壁３４の部分の
温度が臨界温度Ｔｓとなり、磁壁３４が逆方向３５に移
動し、再生用スポット３１が記録マーク内に完全に入っ
た状態（ａ２）となり、瞬時に再生信号の最大振幅が得
られる（ａ８）。

【００２８】また、従来の再生方法においては、磁区３
３がスポット径よりも狭い場合には、再生用スポット３
１全体が磁区内に納まらず（ｂ３〜ｂ７）、得られる再
生信号も不明瞭となる（ｂ８）。一方、本発明において
は、再生用スポット３１が記録マークの磁壁にほぼ差掛
った段階で、磁壁が逆方向後方に逐次移動するので（ａ
３〜ａ７）、極めて明瞭な再生信号が得られる（ａ
８）。

【００２９】以上、第１の磁性層、第２の磁性層を有す
る本発明の光磁気記録媒体について説明したが、本発明
においては、図４に示す様に、第３の非磁性層４３を第
１の磁性層４１と第２の磁性層４２との間に設けてもよ
い。この第３の非磁性層４３は、交換結合をしない厚さ
を有し、且つ少なくともＴｓ温度以上の温度において、
第２磁性層から第１磁性層に働く静磁結合力が第１磁性
層に形成された磁壁を磁壁エネルギー密度が小さくなる
方向へ移動させようとする該磁壁に働く力より小さくな
るような厚さを有する。

【００３０】図４（ａ）（ｂ）に示す様に、この第３の
非磁性層を有する光磁気記録媒体においても同様に、位
置Ｘｓで温度Ｔｓとすることによって、第１の磁性層と
第２の磁性層との間の磁気的結合を弱くし、第１の磁性
層中の磁壁を移動できる。

【００３１】図４（ｃ）は、上述の温度分布に対応した
第１の磁性層の磁壁エネルギーσ１の分布を示すグラフ
である。この様にＸ方向に磁壁エネルギー密度σ１の勾
配があると、力Ｆ１が作用し、この力Ｆ１は、磁壁エネ
ルギーの低い方に磁壁を移動させるのである。

【００３２】一方、記録を高速で読み出すためには、磁
壁を高速で移動させる必要がある。そのために、磁壁に
大きな力を作用させる必要がある。一般に、磁壁エネル
ギー密度の温度依存性は、キュリー温度に近づく程大き
くなる。従って、キュリー温度近傍の温度範囲で温度勾
配を与えた方が、Ｘ方向の磁壁エネルギー密度の勾配を
大きくすることができ、磁壁に大きな力を作用させるこ
とができる。しかし、第１の磁性層からの反射光の偏光
面の変化を検出するためには、再生用の光ビームのスポ
ットの照射領域においては、第１の磁性層のキュリー温
度よりも充分に低い温度になっている必要がある。そこ
で非磁性層は熱伝導率が大きい金属よりは熱伝導率が小
さい非金属が望ましい。

【００３３】また、本発明においては、図５に示す様
に、第３の磁性層５３を第１の磁性層５１と第２の磁性
層５２との間に設けてもよい。この第３の磁性層５３
は、該第１の磁性層よりも低いキュリー温度を有し、か
つ少なくとも臨界温度Ｔｓ以上の温度において、該第２
の磁性層に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さな垂直磁化
膜からなるものである。この第３の磁性層は、更に第１
の磁性層中の磁壁を移動させるのに充分な力を誘発する
ためのものである。

【００３４】図５（ａ）（ｂ）に示す様に、この第３の
磁性層を有する光磁気記録媒体においても同様に、位置
Ｘｓで臨界温度Ｔｓとすることによって、第３の磁性層
と第２の磁性層との間の交換結合力を低減し、第１及び
第３の磁性層中の磁壁を移動できる。

【００３５】図５（ｃ）は、上述の温度分布に対応した
第１の磁性層の磁壁エネルギー密度σ１および第３の磁
性層の磁壁エネルギー密度σ３の分布を示すグラフであ
る。この様にｘ方向に磁壁エネルギー密度σ１の勾配が
あると、先に説明したと同様に位置ｘに存在する各層の
磁壁に対して力Ｆｉが作用し、この力Ｆｉは、磁壁エネ
ルギーの低い方に磁壁を移動させるのである。

【００３６】一方、記録を高速で読み出すためには、磁
壁を高速で移動させる必要がある。そのために、磁壁に
大きな力を作用させる必要がある。一般に、磁壁エネル
ギー密度の温度依存性は、キュリー温度に近づく程大き
くなる。従って、キュリー温度近傍の温度範囲で温度勾
配を与えた方が、ｘ方向の磁壁エネルギー密度の勾配を
大きくすることができ、磁壁に大きな力を作用させるこ
とができる。しかし、第１の磁性層からの反射光の偏光
面の変化を検出するためには、再生用の光ビームのスポ
ットの照射領域においては、第１の磁性層のキュリー温
度よりも充分に低い温度になっている必要がある。

【００３７】ここで図５に示した様に、第１の磁性層よ
りキュリー温度の低い第３の磁性層５３を、第１の磁性
層の光ビームの入射側と反対側に隣接して設ければ、再
生用の光ビームのスポットの照射領域において、第１の
磁性層のキュリー温度よりは充分低く、かつ第３の磁性
層のキュリー温度近傍の温度範囲で温度勾配を与えるこ
とができる。

【００３８】この結果、第３の磁性層中の磁壁に大きな
力が作用し、第１の磁性層中の磁壁にも、第３の磁性層
との交換相互作用による力が付加されて、大きな力が作
用するのである。

【００３９】また更に、第３の磁性層に、第２の磁性層
に近づく程キュリー温度が低くなるような膜厚方向のキ
ュリー温度の勾配をつければ、Ｘ方向の温度勾配に伴っ
て、Ｘ方向に順次キュリー温度直下の第３の磁性層の構
成部を形成できるので、磁壁を移動させる必要のあるＸ
方向の範囲全般に渡って、比較的大きな力を作用させる
ことが可能になる。該温度勾配を付ける場合、多層磁性
層にして不連続にしてもよいし、連続的に組成を変えて
キュリー温度の勾配をつけてもよい。

【００４０】以下、本発明を適用した実施態様について
図面を参照しながら説明する。

【００４１】図６は、本発明の光磁気記録媒体の層構成
の一実施態様を示す模式的断面図である。この態様にお
いては、透明基板６５上に、誘電体層６４、第１の磁性
層６１、第２の磁性層６２、誘電体層６３が順次積層さ
れている。

【００４２】透明基板６５としては、例えば、ポリカー
ボネート、ガラス等を用いることができる。誘電体層６
４としては、例えば、Ｓｉ₃ Ｎ₄ 、ＡｌＮ、ＳｉＯ₂ 、
ＳｉＯ、ＺｎＳ、ＭｇＦ₂ などの透明誘電材料が使用で
きる。最後に保護膜として再び形成される誘電体層６３
も同様のものを用いることができる。これら各層は、例
えばマグネトロンスパッタ装置による連続スパッタリン
グ、または連続蒸着等によって被着形成できる。特に各
磁性層は、真空を破ることなく連続成膜されることで、
互いに交換結合をしている。

【００４３】また、この構成に、更にＡｌ、ＡｌＴａ、
ＡｌＴｉ、ＡｌＣｒ、Ｃｕなどからなる金属層を付加し
て、熱的な特性を調整してもよい。また、高分子樹脂か
らなる保護コートを付与してもよい。あるいは、成膜後
の基板を貼り合わせてもよい。

【００４４】上記媒体において、各磁性層６１、６２
は、種々の磁性材料によって構成することが考えられる
が、例えば、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈ
ｏなどの希土類金属元素の一種類あるいは二種類以上が
１０〜４０ａｔ％と、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉなどの鉄族元素
の一種類あるいは二種類以上が９０〜６０ａｔ％とで構
成される希土類−鉄族非晶質合金によって構成し得る。
また、耐食性向上などのために、これにＣｒ、Ｍｎ、Ｃ
ｕ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐｔ、Ｉｎなどの元素を少量添
加してもよい。

【００４５】重希土類−鉄族非晶質合金の場合、飽和磁
化は、希土類元素と鉄族元素との組成比により制御する
ことが可能である。また、キュリー温度も、組成比によ
り制御することが可能であるが、飽和磁化と独立に制御
するためには、鉄族元素として、Ｆｅの一部をＣｏで置
き換えた材料を用い、置換基を制御する方法がより好ま
しく利用できる。即ち、Ｆｅ １ａｔ％をＣｏで置換す
ることにより、６℃程度のキュリー温度上昇が見込める
ので、この関係を用いて所望のキュリー温度となるよう
にＣｏの添加量を調整する。また、Ｃｒ、Ｔｉなどの非
磁性元素を微量添加することにより、逆にキュリー温度
を低下させることも可能である。あるいはまた、二種類
以上の希土類元素を用いてそれらの組成比を調整するこ
とでもキュリー温度を制御できる。

【００４６】この他に、ガーネット、白金族−鉄族周期
構造膜、もしくは白金族−鉄族合金などの材料も使用可
能である。

【００４７】第１の磁性層としては、例えば、ＧｄＣ
ｏ、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ、ＮｄＧｄＦｅＣｏなどの
垂直磁気異方性の小さな希土類−鉄族非晶質合金や、ガ
ーネット等のバブルメモリ用材料が望ましい。

【００４８】第２の磁性層としては、例えば、ＴｂＦｅ
Ｃｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏなどの希土類−
鉄族非晶質合金や、Ｐｔ／Ｃｏ、Ｐｄ／Ｃｏなどの白金
族−鉄族周期構造膜など、垂直磁気異方性が大きく安定
に磁化状態が保持できるものが望ましい。

【００４９】本発明の光磁気記録媒体へのデータ信号の
記録は、媒体を移動させながら、第２の磁性層がキュリ
ー温度以上になるようなパワーのレーザー光を照射しな
がら外部磁界を変調して行うか、もしくは、一定方向の
磁界を印加しながらレーザーパワーを変調して行う。後
者の場合、光スポット内の所定領域のみが第２の磁性層
のキュリー温度近傍になる様にレーザー光の強度を調整
すれば、光スポットの径以下の記録磁区が形成でき、そ
の結果、光の回折限界以下の周期の信号を記録できる。

【００５０】更に、非磁性層を設けた媒体の構成を図７
に示す。この態様においては、透明基板７６上に、誘電
体層７５、第１の磁性層７１、非磁性層７４、第２の磁
性層７２、誘電体層７３が順次積層されている。各層の
材料、製造法に関しては、図５について述べたものと同
様である。

【００５１】

【実施例】以下に具体的な実施例をもって本発明を更に
詳細に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り以
下の実施例に限定されるものではない。

【００５２】まず、図６に示した様な第１、第２の磁性
層を有する光磁気記録媒体の実施例を以下に挙げる。

【００５３】＜実施例１＞直流マグネトロンスパッタリ
ング装置に、ＢドープしたＳｉ、及びＧｄ、Ｔｂ、Ｆ
ｅ、Ｃｏの各ターゲットを取り付け、トラッキング用の
案内溝の形成されたポリカーボネイト基板を基板ホルダ
ーに固定した後、１×１０^-5Ｐａ以下の高真空になるま
でチャンバー内をクライオポンプで真空排気した。真空
排気をしたままＡｒガスを０．３Ｐａとなるまでチャン
バー内に導入し、基板を回転させながら、干渉層である
ＳｉＮ層を８００オングストローム成膜した。引き続
き、第１の磁性層としてＧｄＣｏ層を３００オングスト
ロームを形成した後に、チャンバーに酸素ガスを微量導
入し１×１０^-2Ｐａの状態で２分間放置した。その後酸
素ガス供給をストップし一旦高真空まで排気した。その
後、第２の磁性層としてＴｂＦｅＣｏ層を８００オング
ストローム順次成膜した。最後に、保護層としてＳｉＮ
層を８００オングストローム成膜した。ＳｉＮ層成膜時
にはＡｒガスに加えてＮ₂ ガスを導入し、直流反応性ス
パッタにより成膜した。各磁性層は、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｆ
ｅ、Ｃｏの各ターゲットに直流パワーを印加して成膜し
た。

【００５４】各磁性層の組成は、全て補償組成近傍にな
るように調整し、キュリー温度は、第１の磁性層が３０
０℃以上、第２の磁性層が２００℃程度となるように設
定した。

【００５５】この媒体は、図９（ａ）に断面形状で示し
た様に、基板９１上に、誘電体層９２、磁性層９３、誘
電体層９４が積層され、基板９１の案内溝を深さ１００
０オングストロームの矩形に形成してある。このため、
ランド９６上に積層された磁性層９２は、案内溝９５の
部分でほぼ分離されている。なお実際には、段差部にも
多少膜が堆積して磁性層が繋がってしまうが、他の部分
と比較して膜厚が非常に薄くなるので、段差部での磁気
的結合は無視できる。本発明において、各情報トラック
間で互いに磁気的に分離されるとは、この様な状態も含
まれる。このランド９６上に幅いっぱいに反転磁区を形
成すると、図９（ｂ）に示す様に、ランド９６上の磁区
の境界部に、閉じていない磁壁９７が形成される。この
ような磁壁９７は、トラック方向に移動させても、トラ
ック側部の磁壁９７の生成・消滅を伴わないので、容易
に移動させることができる。

【００５６】この様にして得た光磁気記録媒体につい
て、記録再生特性を測定した。

【００５７】測定に用いた記録再生装置には、図１０に
示すように、一般的な光磁気ディスク記録再生装置の光
学系に、加熱用のレーザーが付加されている。１０１
は、記録再生用のレーザー光源で、波長は７８０ｎｍ
で、記録媒体に対してＰ偏向が入射する様に配置されて
いる。１０２は、加熱用のレーザー光源で、波長は１．
３μｍで、同じく記録媒体に対してＰ偏向が入射する様
に配置されている。１０３は、７８０ｎｍ光を１００％
透過し、１．３μｍ光を１００％反射するように設計さ
れたダイクロイックミラーである。１０４は、偏向ビー
ムスプリッタで、７８０ｎｍ光、１．３μｍ光、各々の
Ｐ偏向は７０〜８０％透過し、Ｓ偏向は１００％反射す
るよう設計されている。１．３μｍ光の光束径は、対物
レンズ８５の開口径よりも小さくなるようにしてあり、
全開口部を通過して集光される７８０ｎｍ光に比べて、
ＮＡが小さくなるようにしてある。また、１０７は、
１．３μｍ光が、信号検出系に洩れ込まないようにする
ために設けるもので、７８０ｎｍ光を１００％透過し、
１．３μｍ光を１００％反射するように設計されたダイ
クロイックミラーである。

【００５８】この光学系により、記録媒体１０６の記録
面上に、図１１（ａ）に示すように、案内溝１１４間の
ランド１０５上において、記録再生用のスポット１１１
と、加熱用のスポット１１２とを結像させることができ
る。加熱用のスポット１１２は、波長が長くＮＡが小さ
いので、記録再生用のスポット１１１よりも径が大きく
なる。これにより、移動している媒体の記録面上の記録
再生用のスポット１１１の領域に、図１１（ｂ）に示し
てあるような所望の温度勾配を容易に形成することがで
きる。ここで温度Ｔｓの等温線１１６も図示する。記録
再生は媒体を線速５ｍ／ｓｅｃで駆動して行なった。

【００５９】まず、記録再生用レーザーを８ｍＷでＤＣ
照射しながら磁界を±１５０ Ｏｅで変調することによ
り、第２の磁性層のキュリー温度以上に加熱した後の冷
却過程で、磁界の変調に対応した上向き磁化と下向き磁
化との繰返しパターンを形成した。尚、この時、加熱用
のレーザーを合わせて照射して、記録再生用レーザーの
記録パワーを低減させることも可能である。

【００６０】記録磁界の変調周波数は１〜１０ＭＨｚま
で変化させ、２．５〜０．２５μｍの範囲のマーク長の
パターンを記録した。

【００６１】再生時の記録再生用のレーザーのパワーは
１ｍＷとし、加熱用のレーザーを２０ｍＷのパワーで同
時に照射しながら、各マーク長のパターンについてＣ／
Ｎを測定した。この時の媒体面上の温度分布は図１１
（ｂ）に示すとおりである。

【００６２】この測定結果を図１２のグラフ線ａに示
す。また比較のため同図中の特開平３−９３０５８号に
記載の従来の超解像再生方法による測定結果をグラフ線
ｂとして示し、超解像現象の起こらない通常の再生方法
による測定結果をグラフ線ｃとして示す。

【００６３】本発明の再生方法によると、マーク長が短
くなっても再生用のスポット内の全磁区の反転が検出さ
れるので、光の回折限界以下の周期の信号が再生可能と
なるのみならず、Ｃ／Ｎのマーク長依存性がほとんどな
くなる。

【００６４】尚、本実施例の媒体において、第１の磁性
層の磁壁が、温度勾配によって移動する様子は、以下に
述べるように、偏光顕微鏡による直接観察で確認され
た。

【００６５】まず、実施例１と同様の構成で、磁性層の
積層順を逆にしたサンプルを作製した。このサンプルに
実施例１と同様の記録方法により、磁区パターンを形成
した。これを膜面側、即ち第１の磁性層側から偏光顕微
鏡で観察した。

【００６６】次に、このサンプルに加熱用の集光レーザ
ーを照射して、偏光顕微鏡の視野内で、実施例１とほぼ
同様の温度分布を形成した。

【００６７】この状態で、サンプルに５００Ｏｅ程度の
磁界を印加した。この結果、温度分布に対応した円形の
領域のみが、外部磁界の方向に配向するのが観察され
た。これは、この領域において、第１の磁性層と第２の
磁性層との間の交換結合が弱くなっていることを意味し
ている。

【００６８】次に、磁界の印加を停止して、トラック方
向にサンプルをゆっくりと移動させた。すると、トラッ
ク上に形成されている磁区の境界部が上述の円形の結合
力低下領域に入る度に、移動してきた磁区が円形領域の
中心方向に向かって拡大するのが観察された。

【００６９】加熱用のレーザーの照射を停止すると、第
２の磁性層に保存されていた磁区パターンが第１の磁性
層に転写されるのが観察された。

【００７０】以上より、第２の磁性層との結合力が低下
した領域において、第１の磁性層の磁壁が、温度勾配に
よって高温側へ移動することが確認された。

【００７１】＜実施例２＞実施例１と同様の成膜機、成
膜方法で、同様にポリカーボネイト基板上に薄膜を成膜
して光磁気記録媒体を作成した。但し本実施例において
は、以下の三点を変更した。

【００７２】第一に、成膜前の基板表面にＡｒイオンの
加速照射処理を加えたこと、第二に、干渉層であるＳｉ
Ｎ層を成膜した後の膜表面にＡｒイオンの加速照射処理
を加えたことである。これらの処理により、表面状態を
平滑化した。更に、第三に、第１の磁性層の膜厚を２０
００オングストロームに変更したことである。これらの
変更点は、それぞれ独立に、第１の磁性層の磁壁移動度
の向上に寄与する。

【００７３】この媒体の記録再生特性を実施例１と同様
の方法で測定したところ、実施例１と同様の良好な結果
が得られた。更に、再生時の媒体の線速度を２０ｍ／ｓ
ｅｃまで高速化して再生しても、再生特性は低下しなか
った。

【００７４】＜実施例３＞実施例１と同様の成膜機、成
膜方法で、同様にポリカーボネイト基板上に薄膜を成膜
して光磁気記録媒体を作製した。

【００７５】但し、本実施例においては、基板として、
プレピットが形成されており、案内溝の断面形状がＵ型
になっているものを用いた。このため、積層した磁性層
は、案内溝の部分で形状的に分断されていない。

【００７６】この媒体の、案内溝の部分に高出力のレー
ザーを照射し、案内溝の部分の磁性層を全面にアニール
した。この結果、案内溝の部分の磁性層が変質して面内
膜になり、案内溝を介して、互いに隣接するトラックの
磁性層の間の結合が分断された。この媒体の記録再生特
性を実施例１と同様の方法で測定したところ、実施例１
と同様の良好な結果が得られた。

【００７７】また、上述のアニール処理を施さずに、上
記の媒体の記録再生特性を実施例１と同様の方法で測定
したところ、実施例１の結果に比べてノイズが上昇した
が、光の回折限界以下の周期の信号の再生は、十分可能
であった。この媒体では、閉じた磁壁で囲まれた磁区が
存在するので、この磁区を拡大させる方向に磁壁を移動
させる時に動作が不安定になりノイズが上昇した。

【００７８】なお、隣接するトラックの磁性層との間の
結合を分断する別の方法として、エッチング処理による
パターニングを行ってもよい。

【００７９】＜実施例４＞実施例１の媒体を用いて、実
施例１とほぼ同様の記録再生装置で記録再生特性を評価
した。但し、記録再生用のスポットと、加熱用のスポッ
トとの位置関係を図１３のように変更した。即ち、加熱
用レーザーによって誘起される温度分布の、媒体の移動
方向に対して前方の斜面に、記録再生用のスポットが配
置されるようにした。

【００８０】媒体が移動して、図中Ｓで示した位置を通
過すると、第１の磁性層と第２の磁性層とが再び強く結
合して、第１の磁性層に第２の磁性層の磁化配向状態が
転写される。第２の磁性層の磁壁がＳで示した位置を通
過すると、第１の磁性層のＳで示した位置に磁壁が残さ
れ、この磁壁が瞬間的に後方に移動する。記録再生用の
スポットを、上述のように配置しておくと、この時の磁
壁の移動が検出される。

【００８１】この配置にすると、Ｓで示した臨界温度Ｔ
ｓの等温線の形状と、磁界変調方式で形成された磁区の
磁壁の形状とがほぼ整合するので、磁壁の移動がより安
定に行われるようになる。

【００８２】＜比較例１＞実施例１の媒体を用いて、加
熱用のレーザーが付加されていない通常の光磁気ディス
ク記録再生装置によって、記録再生特性を測定した。

【００８３】加熱用のレーザーが照射されていない他
は、実施例１と同様の方法で再生特性を調べたところ、
再生パワーを３ｍＷ程度まで増大させることにより、良
好なＣ／Ｎが得られた。但し、実施例１の結果と比較す
ると、各マーク長において、５ｄＢ程度Ｃ／Ｎが低かっ
た。これは、再生用スポットの前部においては媒体の温
度が上昇しないので、再生用スポットの途中から磁壁の
移動が起こり、実施例１のようには、スポット全域を有
効に使用できないためである。

【００８４】次に、図７に示した様な第１、第２の磁性
層及び非磁性層を有する光磁気記録媒体の実施例を以下
に挙げる。

【００８５】＜実施例５＞直流マグネトロンスパッタリ
ング装置に、ＢドープしたＳｉ、及びＧｄ、Ｔｂ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｃｒの各ターゲットを取り付け、トラッキン
グ用の案内溝の形成されたポリカーボネイト基板を基板
ホルダーに固定した後、１×１０^-5Ｐａ以下の高真空に
なるまでチャンバー内をクライオポンプで真空排気し
た。真空排気をしたままＡｒガスを０．３Ｐａとなるま
でチャンバー内に導入し、基板を回転させながら、干渉
層であるＳｉＮ層を８００オングストローム成膜した。
引き続き、第１の磁性層としてＧｄＣｏＣｒ層を３００
オングストローム、非磁性層としてＳｉＮ層を１００オ
ングストローム、第２の磁性層としてＴｂＦｅＣｏ層を
１５００オングストローム順次成膜した。最後に保護層
としてＳｉＮ層を８００オングストローム成膜した。Ｓ
ｉＮ層成膜時にはＡｒガスに加えてＮ₂ ガスを導入し、
直流反応性スパッタにより成膜した。各磁性層は、Ｇ
ｄ、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｒの各ターゲットに直流パワ
ーを印加して成膜した。

【００８６】各磁性層の組成は、全て補償組成近傍にな
るように調整し、キュリー温度は、第１の磁性層が３０
０℃以上、第２の磁性層が２００℃程度となるように設
定した。この媒体は、実施例１と同様に、図９に示した
様な断面形状を有する。

【００８７】この様にして得た光磁気記録媒体につい
て、実施例１と同様にして記録再生特性を測定した。た
だし、記録時のＤＣ照射レーザーパワーは１０ｍＷと
し、再生時の加熱用レーザーパワーは２５ｍＷとした。
この測定結果は、実施例１と同様に、図１２のグラフ線
ａの良好な結果が得られた。

【００８８】また更に、再生時の媒体の線速度を２０ｍ
／ｓｅｃまで高速化して再生しても再生特性は低下しな
かった。

【００８９】尚、第１の磁性層の磁壁が、温度勾配によ
って移動する様子は、実施例１と同様に偏光顕微鏡によ
る直接観察で確認された。

【００９０】＜実施例６＞実施例５と同様の成膜機、成
膜方法で、同様にポリカーボネイト基板上に薄膜を成膜
して光磁気記録媒体を作成した。

【００９１】但し、本実施例においては、基板として、
プレピットが形成されており、案内溝の断面形状がＵ型
になっているものを用いた。このため、積層した磁性層
は、案内溝の部分で形状的に分断されていない。

【００９２】これらのサンプルの、案内溝の部分に高出
力のレーザーを照射し、案内溝の部分の磁性層を全面ア
ニールした。この結果、案内溝の部分の磁性層が磁気的
に変質し、案内溝を介して互いに隣接するトラックの磁
性層の間の結合が分断された。

【００９３】次に、記録再生特性を実施例５と同様の方
法で測定したところ、線速５ｍ／ｓｅｃにおいて、実施
例５と同様の良好な結果が得られた。

【００９４】以上挙げた実施例に本発明は限定されるも
のでない。他の実施可能な例として、光ヘッドは従来の
ままにして、媒体上の温度分布を別の手段でつい調整す
る方法も考えられる。例えば、磁界変調記録に用いる浮
上ヘッドのコアを熱源として流用したり、その他適当な
発熱体を媒体の再生用レーザー照射領域の近くに配置す
ることが考えられる。但し、この場合、磁壁の移動開始
位置となる温度の位置と、再生用スポットとの位置関係
が再生信号の周波数に近い周波数で変動することがない
ように注意する必要がある。

【００９５】次に、図８に示した様な第１〜第３の磁性
層を有する光磁気記録媒体の実施例を以下に挙げる。

【００９６】＜実施例７＞直流マグネトロンスパッタリ
ング装置に、ＢドープしたＳｉ、及びＧｄ、Ｔｂ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｃｒの各ターゲットを取り付け、トラッキン
グ用の案内溝の形成されたポリカーボネイト基板を基板
ホルダーに固定した後、１×１０^-5Ｐａ以下の高真空に
なるまでチャンバー内をクライオポンプで真空排気し
た。真空排気をしたままＡｒガスを０．３Ｐａとなるま
でチャンバー内に導入し、基板を回転させながら、干渉
層であるＳｉＮ層を８００オングストローム成膜した。
引き続き、第１の磁性層としてＧｄＣｏＣｒ層を３００
オングストローム、第３の磁性層としてＧｄＦｅＣｒ層
を３００オングストロームを形成した後に、チャンバー
に酸素ガスを微量導入し１×１０^-2Ｐａの状態で２分間
放置した。その後酸素ガス供給をストップし一旦高真空
まで排気した。その後、第２の磁性層としてＴｂＦｅＣ
ｏ層を１０００オングストローム順次成膜した。最後
に、保護層としてＳｉＮ層を８００オングストローム成
膜した。ＳｉＮ層成膜時にはＡｒガスに加えてＮ₂ ガス
を導入し、直流反応性スパッタにより成膜した。各磁性
層は、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｒの各ターゲットに
直流パワーを印加して成膜した。

【００９７】各磁性層の組成は、全て補償組成近傍にな
るように調整し、キュリー温度は、第１の磁性層が３０
０℃以上、第３の磁性層が１７０℃、第２の磁性層が２
００℃程度となるように設定した。この媒体は、実施例
１と同様に、図９に示した様な断面形状を有する。

【００９８】この様にして得た光磁気記録媒体につい
て、実施例１と同様にして記録再生特性を測定した。た
だし、記録時のＤＣ照射レーザーパワーは１０ｍＷと
し、再生時の加熱用レーザーパワーは２５ｍＷとした。
この測定結果は、実施例１と同様に、図１２のグラフ線
ａの良好な結果が得られた。

【００９９】また更に、再生時の媒体の線速度を２０ｍ
／ｓｅｃまで高速化して再生しても再生特性は低下しな
かった。

【０１００】尚、第１の磁性層の磁壁が、温度勾配によ
って移動する様子は、実施例１と同様に偏光顕微鏡によ
る直接観察で確認された。

【０１０１】＜実施例８＞実施例７と同様の成膜機、成
膜方法で、同様にポリカーボネイト基板上に薄膜を成膜
して光磁気記録媒体を作成した。

【０１０２】但し、本実施例においては、第３の磁性層
内を、第１の磁性層の側から順に、第１、第２、及び第
３の構成層で形成し、各構成層のキュリー温度を順に、
１８０℃、１６０℃、１４０℃とし、膜厚を順に、２０
０オングストローム、４００オングストローム、８００
オングストロームとして、第３の磁性層中で、膜厚方向
に段階的なキュリー温度の勾配を持つようにした。材料
としては、ＧｄＦｅＣｏＣｒを用いた。

【０１０３】また、第１の磁性層は、キュリー温度３０
０℃のＧｄＦｅＣｏＣｒ層を２００オングストローム、
第２の磁性層は、キュリー温度２００℃のＴｂＦｅＣｏ
Ｃｒ層を１０００オングストロームとした。

【０１０４】各磁性層の組成は、補償組成近傍になるよ
うに、希土類元素と鉄族元素の組成比を調整し、Ｃｏ及
びＣｒの添加量を調整して、キュリー温度を上記のよう
に設定した。

【０１０５】この媒体の記録再生特性を実施例５と同様
の方法で測定したところ、実施例５と同様の良好な結果
が得られた。更に、再生時の媒体の線速度を３０ｍ／ｓ
ｅｃまで高速化して再生しても、再生特性は低下しなか
った。

【０１０６】本実施例においては、再生時に、媒体の記
録面上の記録再生用のスポットの領域に、１２０℃から
１８０℃程度のトラック方向の温度勾配を形成した。こ
の場合、１２０℃から１４０℃の領域では、第３の磁性
層の第３の構成層の磁壁に大きな力が作用し、１４０℃
から１６０℃の領域では、第３の磁性層の第２の構成層
の磁壁に大きな力が作用し、１６０℃から１８０℃の領
域では、第３の磁性層の第１の構成層の磁壁に大きな力
が作用する。このため、記録再生用のスポットの領域全
域に渡って、第１の磁性層から第３の磁性層にかけて存
在している磁壁を、比較的大きな力で移動させることが
でき、本発明の再生動作を、より安定に、また高速に行
なうことができるようになった。

【０１０７】＜実施例９＞実施例７と同様の成膜機、成
膜方法で、同様にポリカーボネイト基板上に薄膜を成膜
して光磁気記録媒体を作成した。

【０１０８】但し、本実施例においては、基板として、
プレピットが形成されており、案内溝の断面形状がＵ型
になっているものを用いた。このため、積層した磁性層
は、案内溝の部分で形状的に分断されていない。

【０１０９】磁性層その他の構成は、第３の磁性層の組
成比を次に述べるように変化させた他は、実施例５と同
様にした。第３の磁性層は、ＧｄＦｅＣｒのＧｄの組成
比を調整して、室温において鉄族元素副格子磁化優勢な
組成にしたサンプル（１）と、室温において希土類元素
副格子磁化優勢で、キュリー温度以下の温度に補償温度
が存在する組成にしたサンプル（２）と、室温において
希土類元素副格子磁化優勢で、キュリー温度以下の温度
に補償温度が存在しない組成にしたサンプル（３）とを
作製した。各サンプルのキュリー温度は、Ｃｒ添加量を
調整して、全て１７０℃に合わせた。

【０１１０】これらのサンプルの、案内溝の部分に高出
力のレーザーを照射し、案内溝の部分の磁性層を全面ア
ニールした。この結果、案内溝の部分の磁性層が磁気的
に変質し、案内溝を介して互いに隣接するトラックの磁
性層の間の結合が分断された。

【０１１１】次に、記録再生特性を実施例５と同様の方
法で測定したところ、線速５ｍ／ｓｅｃにおいて、各サ
ンプルとも実施例７と同様の良好な結果が得られた。

【０１１２】しかし、線速を３０ｍ／ｓｅｃまで高速化
して再生すると、サンプル（１）では、Ｃ／Ｎが５ｄＢ
程度低下した。これに対し、サンプル（２）では、Ｃ／
Ｎの低下はほとんど見られず、また、サンプル（３）で
は、２ｄＢ程度しか低下しなかった。

【０１１３】これは、室温において、希土類元素副格子
磁化優勢な組成のもの、中でもキュリー温度以下に補償
温度を有する組成のものの方が、キュリー温度近傍にお
ける、磁壁エネルギーの温度依存性が大きく、温度勾配
によって、より大きな力を磁壁に作用させることができ
るためであると考えられる。

【０１１４】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の光
磁気記録媒体、再生方法、および再生装置によれば、再
生信号振幅を低下させることなく光の回折限界以下の周
期の信号が高速で再生可能となり、記録密度並びに転送
速度を大幅に向上でき、再生装置の小型化も可能であ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（ａ）〜（ｃ）は第１及び第２の磁性層を
有する光磁気記録媒体を使用した場合の本発明の再生方
法の概念を模式的に示した図であり、（ａ）は、再生状
態における媒体の断面を示し、各磁性層のスピンの配向
状態を模式的に示した断面図、（ｂ）は、（ａ）に示さ
れている位置における媒体上の温度分布を示したグラフ
であり、（ｃ）は、同様の位置における磁壁エネルギー
密度の分布及びそれに伴って磁壁に作用する力の分布を
模式的に示したグラフである。

【図２】スポットの下を磁壁が通過するのに要する時間
τと、最短記録マーク長相当の距離を媒体が移動するの
に要する時間ｔ ｍｉｎとの関係を示すグラフである。

【図３】図３（ａ）（ｂ）は本発明の方法と通常の従来
法とを比較する模式図である。

【図４】図４（ａ）〜（ｃ）は第１及び第２の磁性層と
その間に非磁性層を有する光磁気記録媒体を使用した場
合の本発明の再生方法の概念を模式的に示した図であ
り、（ａ）は再生状態における媒体の各磁性層のスピン
の配向状態を模式的に示した断面図であり、（ｂ）は
（ａ）に示されている位置における媒体上の温度分布を
示したグラフであり、（ｃ）は同様の位置における磁壁
エネルギー密度の分布及びそれに伴って磁壁に作用する
力の分布を模式的に示したグラフである。

【図５】図５（ａ）〜（ｃ）は第１〜第３の磁性層を有
する光磁気記録媒体を使用した場合の本発明の再生方法
の概念を模式的に示した図であり、（ａ）は再生状態に
おける媒体の各磁性層のスピンの配向状態を模式的に示
した断面図であり、（ｂ）は（ａ）に示されている位置
における媒体上の温度分布を示したグラフであり、
（ｃ）は同様の位置における磁壁エネルギー密度の分布
及びそれに伴って磁壁に作用する力の分布を模式的に示
したグラフである。

【図６】本発明の光磁気記録媒体の層構成の一実施態様
を示す模式的断面図である。

【図７】本発明の光磁気記録媒体の層構成の一実施態様
を示す模式的断面図である。

【図８】本発明の光磁気記録媒体の層構成の一実施態様
を示す模式的断面図である。

【図９】図９（ａ）（ｂ）は実施例における光磁気記録
媒体の断面形状を示す図である。

【図１０】実施例において用いた記録再生装置を示す模
式図である。

【図１１】実施例における再生状態を示す模式図であ
る。

【図１２】実施例において得られたＣ／Ｎを示すグラフ
である。

【図１３】実施例における再生状態を示す模式図であ
る。

【符号の説明】

１１、４１、５１、６１、７１、８１ 第１の磁性層 １２、４２、５２、６２、７２、８２ 第２の磁性層 １３ 媒体の移動方向 １４ 原子スピンの向き １５、３４、９７、１１３、１３３ 磁壁 １６、３１、１１１、１３１ 再生用スポット １７、３５ 磁壁の移動方向 ３２ 再生スポット及び温度プロファイルの移動方向 ３３ 磁区 ３６ 情報トラック ４３、７４ 非磁性層 ５３、８４ 第３の磁性層 ６３、６４、７３、７５、８３、８５、９２、９４
誘電体層 ６５、７６、８６ 透明基板 ９１ 基板 ９３ 磁性層 ９５、１１４、１３４ 案内溝 ９６、１１５、１３５ ランド １０１ 記録再生用レーザー光源 １０２ 加熱再生用レーザー光源 １０３、１０７ ダイクロイックミラー １０４ 偏向ビームスプリッタ １０６ 記録媒体 １１２、１３２ 加熱用スポット １１６、１３６ 温度Ｔｓの等温線

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも第１、第２の磁性層を有する
   光磁気記録媒体であって、該第１の磁性層は、周囲温度
   近傍において該第２の磁性層に比べて相対的に磁壁抗磁
   力が小さく磁壁移動度の大きな垂直磁化膜からなり、第
   ２の磁性層は垂直磁化膜であり、第１磁性層及び第２磁
   性層は磁気的に結合していることを特徴とする光磁気記
   録媒体。
2. 【請求項２】 各情報トラック間における第１の磁性層
   の膜面方向の交換結合力が情報トラック内における交換
   結合力よりも小さい請求項１記載の光磁気記録媒体。
3. 【請求項３】 該第１磁性層と該第２磁性層が室温にお
   いて交換結合している請求項１または請求項２記載の光
   磁気記録媒体。
4. 【請求項４】 該第１磁性層と該第２磁性層との間に第
   ３の磁性層を設けた光磁気記録媒体で、これらの磁性層
   は互いに室温において交換結合しており、該第３磁性層
   は該第１磁性層より低いキュリー温度を有している請求
   項２または請求項３記載の光磁気記録媒体。
5. 【請求項５】 該第１磁性層と該第２磁性層が静磁結合
   している請求項１または請求項２記載の光磁気記録媒
   体。
6. 【請求項６】 請求項１〜３及び５のうちいずれか１項
   に記載の光磁気記録媒体から記録情報を再生する方法で
   あって、光ビームを該媒体に対して相対的に移動させな
   がら前記第１の磁性層の側から照射し、該媒体上に該光
   ビームのスポットの移動方向に対して勾配を有する温度
   分布を形成し、該温度分布を少なくとも第１磁性層に形
   成されていた磁壁を温度が高い方向へ移動させようとす
   る該磁壁に生じる力が第２磁性層から生じる結合力より
   大きくなる温度よりも高い温度領域を有する温度分布と
   することによって該第１の磁性層に形成されていた磁壁
   を移動させ、該光ビームの反射光の偏光面の変化を検出
   して記録情報を再生することを特徴とする再生方法。
7. 【請求項７】 前記第２磁性層から生じる結合力が磁気
   的結合力、交換結合力、静磁結合力のいずれかである請
   求項６に記載の再生方法。
8. 【請求項８】 請求項２または請求項４に記載の光磁気
   記録媒体から記録情報を再生する方法であって、光ビー
   ムを該媒体に対して相対的に移動させながら前記第１の
   磁性層の側から照射し、該媒体上に該光ビームのスポッ
   トの移動方向に対して勾配を有する温度分布を形成し、
   該温度分布を少なくとも第１磁性層及び第３磁性層に形
   成されていた磁壁を温度が高い方向へ移動させようとす
   る該磁壁に生じる力が第２磁性層から生じる交換結合力
   より大きくなる温度よりも高い温度領域を有する温度分
   布とすることによって該第１の磁性層及び第３磁性層に
   形成されていた磁壁を移動させ、該光ビームの反射光の
   偏光面の変化を検出して記録情報を再生することを特徴
   とする再生方法。
9. 【請求項９】 請求項１〜５の何れか１項に記載の光磁
   気記録媒体から記録情報を再生する再生装置であって、
   光ビームのスポットの移動方向に対して勾配を有する温
   度分布を形成できる加熱手段を有することを特徴とする
   再生装置。