JPH11297789A - 処理装置 - Google Patents
処理装置Info
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- JPH11297789A JPH11297789A JP10114157A JP11415798A JPH11297789A JP H11297789 A JPH11297789 A JP H11297789A JP 10114157 A JP10114157 A JP 10114157A JP 11415798 A JP11415798 A JP 11415798A JP H11297789 A JPH11297789 A JP H11297789A
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- substrate
- wafer
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- mounting surface
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板を昇降ピンと共に速く下降させても基板
の位置ずれが発生しない処理装置を提供する。 【解決手段】 ウェハＷを支持した状態で昇降可能な昇
降ピン４５と，ウェハＷを載置自在かつ加熱可能な載置
台３６を加熱処理装置２５に備える。載置台３６の中央
部には排気口４２が設けられている。昇降ピン４５の上
部側面には真空吸引口５３が設けられている。ウェハＷ
を昇降ピン４５と共に下降させる際，ウェハＷの下面と
載置面５０との間の雰囲気を排気口４２と真空吸引口５
３から排気する。
の位置ずれが発生しない処理装置を提供する。 【解決手段】 ウェハＷを支持した状態で昇降可能な昇
降ピン４５と，ウェハＷを載置自在かつ加熱可能な載置
台３６を加熱処理装置２５に備える。載置台３６の中央
部には排気口４２が設けられている。昇降ピン４５の上
部側面には真空吸引口５３が設けられている。ウェハＷ
を昇降ピン４５と共に下降させる際，ウェハＷの下面と
載置面５０との間の雰囲気を排気口４２と真空吸引口５
３から排気する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，基板を支持する昇
降ピンと基板を載置する載置台とを備えた処理装置に関
する。
降ピンと基板を載置する載置台とを備えた処理装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造におけるフ
ォトレジスト工程においては，半導体ウェハ（以下，
「ウェハ」と称する。）等の基板の表面にレジスト液を
塗布してレジスト膜を形成し，この基板に対して所定の
パターンを露光した後，現像液を供給して現像処理を行
っている。このような一連の処理を行うにあたっては，
従来から塗布現像処理装置が使用されている。
ォトレジスト工程においては，半導体ウェハ（以下，
「ウェハ」と称する。）等の基板の表面にレジスト液を
塗布してレジスト膜を形成し，この基板に対して所定の
パターンを露光した後，現像液を供給して現像処理を行
っている。このような一連の処理を行うにあたっては，
従来から塗布現像処理装置が使用されている。
【０００３】この塗布現像処理装置には塗布現像処理に
必要な一連の処理，例えばウェハとレジストとの定着性
を向上させる疎水化処理，ウェハを加熱する加熱処理，
ウェハを冷却する冷却処理等の各処理を行ういわゆるオ
ーブン型の各種処理装置が個別に備えられている。
必要な一連の処理，例えばウェハとレジストとの定着性
を向上させる疎水化処理，ウェハを加熱する加熱処理，
ウェハを冷却する冷却処理等の各処理を行ういわゆるオ
ーブン型の各種処理装置が個別に備えられている。
【０００４】かかるオーブン型の処理装置には，ウェハ
を水平に載置自在かつ載置したウェハを所定温度で処理
可能な載置台と，ウェハを支持した状態で載置台上を昇
降自在な複数の昇降ピンとが備えられている。このよう
な構成により，ウェハが昇降ピンに支持されると，ウェ
ハは昇降ピンと共に下降して載置台上に載置され，その
後，各処理装置ごとの所定の処理が施される。
を水平に載置自在かつ載置したウェハを所定温度で処理
可能な載置台と，ウェハを支持した状態で載置台上を昇
降自在な複数の昇降ピンとが備えられている。このよう
な構成により，ウェハが昇降ピンに支持されると，ウェ
ハは昇降ピンと共に下降して載置台上に載置され，その
後，各処理装置ごとの所定の処理が施される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらウェハを
支持した昇降ピンを下降させてウェハを下降させる際
に，ウェハの下面と載置台との間の雰囲気がウェハによ
って圧縮される格好となり，この圧縮された雰囲気は外
側に向けて流出しようとする。特に昇降ピンの下降速度
を速くすると，ウェハの下面と載置台との間の雰囲気は
急激に圧縮されるために，上述した外側に流出しようと
する勢いが強くなる。このような雰囲気の流出が偏る
と，載置台の所定位置に載置されるべきウェハに位置ず
れが起こる場合があった。
支持した昇降ピンを下降させてウェハを下降させる際
に，ウェハの下面と載置台との間の雰囲気がウェハによ
って圧縮される格好となり，この圧縮された雰囲気は外
側に向けて流出しようとする。特に昇降ピンの下降速度
を速くすると，ウェハの下面と載置台との間の雰囲気は
急激に圧縮されるために，上述した外側に流出しようと
する勢いが強くなる。このような雰囲気の流出が偏る
と，載置台の所定位置に載置されるべきウェハに位置ず
れが起こる場合があった。
【０００６】この場合，ウェハには均一な処理が行われ
ず，歩留まりの低下を招くおそれが生じる。そのため従
来では昇降ピンの下降速度を遅くして，ウェハの位置ず
れを防止するしかなかった。そのためスループットの向
上が図れなかった。
ず，歩留まりの低下を招くおそれが生じる。そのため従
来では昇降ピンの下降速度を遅くして，ウェハの位置ず
れを防止するしかなかった。そのためスループットの向
上が図れなかった。
【０００７】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり，支持ピンの下降速度を速くしても基板の位置ずれ
が生じない新しい処理装置を提供することを目的として
いる。
あり，支持ピンの下降速度を速くしても基板の位置ずれ
が生じない新しい処理装置を提供することを目的として
いる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に，請求項１に記載の処理装置は，基板を載置する載置
台と，この載置台の載置面から突出自在な昇降ピンとを
備え，前記載置台に載置された基板に対して所定の処理
を行う処理装置において，前記載置面には当該載置面の
中央部から周縁部にかけて放射状の溝が形成されたこと
を特徴としている。
に，請求項１に記載の処理装置は，基板を載置する載置
台と，この載置台の載置面から突出自在な昇降ピンとを
備え，前記載置台に載置された基板に対して所定の処理
を行う処理装置において，前記載置面には当該載置面の
中央部から周縁部にかけて放射状の溝が形成されたこと
を特徴としている。
【０００９】かかる構成によれば，基板が昇降ピンと共
に下降する際に，基板と載置面との間の圧縮された雰囲
気は，載置面に形成された溝に沿って流れながら放射状
に外部に排気される。従って，基板を支持した昇降ピン
の下降速度を速くしても，基板を所定位置からずらすよ
うな雰囲気の流れが発生しない。その結果，基板の位置
ずれを防止することが可能となる。
に下降する際に，基板と載置面との間の圧縮された雰囲
気は，載置面に形成された溝に沿って流れながら放射状
に外部に排気される。従って，基板を支持した昇降ピン
の下降速度を速くしても，基板を所定位置からずらすよ
うな雰囲気の流れが発生しない。その結果，基板の位置
ずれを防止することが可能となる。
【００１０】また請求項２に記載の処理装置は，基板を
載置する載置台と，この載置台の載置面から突出自在な
昇降ピンとを備え，前記載置台に載置された基板に対し
て所定の処理を行う処理装置において，前記載置台の載
置面に開口した吸引口と，基板を支持した状態で昇降ピ
ンが下降する際に，基板の下面と載置台の載置面との間
の雰囲気を前記吸引口から排気する排気手段とを備えた
ことを特徴としている。
載置する載置台と，この載置台の載置面から突出自在な
昇降ピンとを備え，前記載置台に載置された基板に対し
て所定の処理を行う処理装置において，前記載置台の載
置面に開口した吸引口と，基板を支持した状態で昇降ピ
ンが下降する際に，基板の下面と載置台の載置面との間
の雰囲気を前記吸引口から排気する排気手段とを備えた
ことを特徴としている。
【００１１】かかる構成によれば，排気手段により基板
と載置面との間の雰囲気を排気することができる。この
排気により基板と載置面との間の圧縮された雰囲気を積
極的に排出することができるために，基板を支持した昇
降ピンの下降速度を速くしても，基板の位置をずらすよ
うな雰囲気の流れが発生しなくなる。その結果，基板の
位置ずれを防止することが可能となる。
と載置面との間の雰囲気を排気することができる。この
排気により基板と載置面との間の圧縮された雰囲気を積
極的に排出することができるために，基板を支持した昇
降ピンの下降速度を速くしても，基板の位置をずらすよ
うな雰囲気の流れが発生しなくなる。その結果，基板の
位置ずれを防止することが可能となる。
【００１２】請求項３に記載の処理装置は，基板を載置
する載置台と，この載置台の載置面から突出自在な昇降
ピンとを備え，前記載置台に載置された基板に対して所
定の処理を行う処理装置において，前記載置面の中央部
から周縁部にかけて形成された放射状の溝と，前記載置
台の載置面に開口した吸引口と，基板を支持した状態で
昇降ピンが下降する際に，基板の下面と載置台の載置面
との間の雰囲気を前記吸引口から排気する排気手段とを
備えたことを特徴としている。
する載置台と，この載置台の載置面から突出自在な昇降
ピンとを備え，前記載置台に載置された基板に対して所
定の処理を行う処理装置において，前記載置面の中央部
から周縁部にかけて形成された放射状の溝と，前記載置
台の載置面に開口した吸引口と，基板を支持した状態で
昇降ピンが下降する際に，基板の下面と載置台の載置面
との間の雰囲気を前記吸引口から排気する排気手段とを
備えたことを特徴としている。
【００１３】かかる構成によれば，基板が昇降ピンと共
に下降する際に，基板と載置面との間の圧縮された雰囲
気は溝に沿って放射状に排出されると共に排気手段で外
部に排気される。従って，基板の位置ずれをより確実に
防止することが可能となる。
に下降する際に，基板と載置面との間の圧縮された雰囲
気は溝に沿って放射状に排出されると共に排気手段で外
部に排気される。従って，基板の位置ずれをより確実に
防止することが可能となる。
【００１４】請求項４に記載の発明は，請求項２または
３に記載の処理装置において，前記昇降ピンの上部外周
には吸引口が設けられかつ当該昇降ピンの内部には前記
吸引口に通じる中空部が形成され，当該中空部は排気手
段に通じていることを特徴としている。
３に記載の処理装置において，前記昇降ピンの上部外周
には吸引口が設けられかつ当該昇降ピンの内部には前記
吸引口に通じる中空部が形成され，当該中空部は排気手
段に通じていることを特徴としている。
【００１５】かかる構成によれば，基板を昇降ピンと共
に下降させる際に，基板と載置面との間の圧縮された雰
囲気を昇降ピンの吸引口から中空部を通じて排気可能で
ある。従って，基板を昇降ピンと共に速く下降させて
も，基板に対する位置ずれが生じない。またこのように
昇降ピンに吸引口を形成すると，例えば載置台内にヒー
タを内蔵して基板を加熱する装置に適用するにあたり，
載置台の設計の自由度が大きくなる。
に下降させる際に，基板と載置面との間の圧縮された雰
囲気を昇降ピンの吸引口から中空部を通じて排気可能で
ある。従って，基板を昇降ピンと共に速く下降させて
も，基板に対する位置ずれが生じない。またこのように
昇降ピンに吸引口を形成すると，例えば載置台内にヒー
タを内蔵して基板を加熱する装置に適用するにあたり，
載置台の設計の自由度が大きくなる。
【００１６】ところで基板が昇降ピンと共に下降する際
に，載置台の溝に沿って流出する雰囲気は載置台中央部
付近よりも載置台周縁部付近の方が流量が大きくなる。
請求項５に記載の発明はこの点に着目してなされたもの
であり，この請求項５の発明は，請求項１，３または４
に記載の処理装置において，前記載置台の載置面に形成
された溝の溝幅は，当該載置面の中央部から周縁部にか
けて次第に広くなるように形成されたことを特徴として
いる。
に，載置台の溝に沿って流出する雰囲気は載置台中央部
付近よりも載置台周縁部付近の方が流量が大きくなる。
請求項５に記載の発明はこの点に着目してなされたもの
であり，この請求項５の発明は，請求項１，３または４
に記載の処理装置において，前記載置台の載置面に形成
された溝の溝幅は，当該載置面の中央部から周縁部にか
けて次第に広くなるように形成されたことを特徴として
いる。
【００１７】かかる構成によれば，溝幅は周辺部に行く
ほど広いので，その分多くの流量を外部に排出すること
が可能となる。従って，基板を所定位置からずらす雰囲
気をより円滑に外部に排出することができ，基板の位置
ずれをより確実に防止することが可能となる。
ほど広いので，その分多くの流量を外部に排出すること
が可能となる。従って，基板を所定位置からずらす雰囲
気をより円滑に外部に排出することができ，基板の位置
ずれをより確実に防止することが可能となる。
【００１８】請求項６に記載の発明は，請求項１，３，
４または５に記載の処理装置において，前記載置台の載
置面に形成された溝の深さは，当該載置面の中央部から
周縁部にかけて次第に深くなるように形成されたことを
特徴としている。
４または５に記載の処理装置において，前記載置台の載
置面に形成された溝の深さは，当該載置面の中央部から
周縁部にかけて次第に深くなるように形成されたことを
特徴としている。
【００１９】かかる構成によれば，溝の深さは周辺部に
行くほど深いために，その分多くの流量を外部に排出す
ることができる。従って請求項５の場合と同様に，基板
に位置ずれを生じさせる雰囲気をより円滑に排出するこ
とができ，基板の位置ずれをより確実に防止することが
可能となる。
行くほど深いために，その分多くの流量を外部に排出す
ることができる。従って請求項５の場合と同様に，基板
に位置ずれを生じさせる雰囲気をより円滑に排出するこ
とができ，基板の位置ずれをより確実に防止することが
可能となる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下，添付図面に基づき本発明の
好適な実施の形態について説明する。この実施の形態は
塗布現像処理装置内に組み込まれた加熱処理装置として
具体化されている。なお，図１〜図３は加熱処理装置を
有する塗布現像処理装置の外観を示しており，図１は平
面から，図２は正面から，そして図３は背面から見た様
子をそれぞれ示している。
好適な実施の形態について説明する。この実施の形態は
塗布現像処理装置内に組み込まれた加熱処理装置として
具体化されている。なお，図１〜図３は加熱処理装置を
有する塗布現像処理装置の外観を示しており，図１は平
面から，図２は正面から，そして図３は背面から見た様
子をそれぞれ示している。
【００２１】この塗布現像処理装置１は図１に示すよう
に，例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から
塗布現像処理装置１に対して搬入出したり，カセットＣ
に対してウェハＷを搬入出したりするためのカセットス
テーション２と，塗布現像処理工程の中で１枚ずつウェ
ハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種処理装置を多段配
置している処理ステーション３と，この処理ステーショ
ン３に隣接して設けられる露光装置（図示せず）との間
でウェハＷの受け渡しをするためのインターフェイス部
４とを一体に接続した構成を有している。
に，例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から
塗布現像処理装置１に対して搬入出したり，カセットＣ
に対してウェハＷを搬入出したりするためのカセットス
テーション２と，塗布現像処理工程の中で１枚ずつウェ
ハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種処理装置を多段配
置している処理ステーション３と，この処理ステーショ
ン３に隣接して設けられる露光装置（図示せず）との間
でウェハＷの受け渡しをするためのインターフェイス部
４とを一体に接続した構成を有している。
【００２２】カセットステーション２では，載置部とな
るカセット載置台１０上の位置決め突起１０ａの位置に
複数個，例えば４個の各カセットＣがウェハＷの出入口
を処理ステーション３側に向けてＸ方向（図１中の上下
方向）一列に載置自在である。そして，このカセット配
列方向（Ｘ方向）及びカセットＣに収容されたウェハＷ
のウェハ配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能なウ
ェハ搬送体１５が搬送路１５ａに沿って移動自在であ
り，各カセットＣに選択的にアクセスできるようになっ
ている。
るカセット載置台１０上の位置決め突起１０ａの位置に
複数個，例えば４個の各カセットＣがウェハＷの出入口
を処理ステーション３側に向けてＸ方向（図１中の上下
方向）一列に載置自在である。そして，このカセット配
列方向（Ｘ方向）及びカセットＣに収容されたウェハＷ
のウェハ配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能なウ
ェハ搬送体１５が搬送路１５ａに沿って移動自在であ
り，各カセットＣに選択的にアクセスできるようになっ
ている。
【００２３】このウェハ搬送体１５はθ方向にも回転自
在に構成されており，後述するように処理ステーション
３側の第３の処理装置群Ｇ3の多段ユニット部に属する
アライメントユニット（ＡＬＩＭ）及びエクステンショ
ンユニット（ＥＸＴ）にもアクセスできるように構成さ
れている。
在に構成されており，後述するように処理ステーション
３側の第３の処理装置群Ｇ3の多段ユニット部に属する
アライメントユニット（ＡＬＩＭ）及びエクステンショ
ンユニット（ＥＸＴ）にもアクセスできるように構成さ
れている。
【００２４】処理ステーション３では，その中心部に主
搬送装置２０が配置されており，その周囲にはユニット
としての各種処理装置が１組または複数の組にわたって
多段集積配置されて処理装置群を構成している。この塗
布現像処理装置１においては，５つの処理装置群Ｇ1，
Ｇ2，Ｇ3，Ｇ4，Ｇ5が配置可能に構成されており，第１
及び第２の処理装置群Ｇ1，Ｇ2は塗布現像処理装置１正
面側に配置されており，第３の処理装置群Ｇ3はカセッ
トステーション２に隣接して配置されており，第４の処
理装置群Ｇ4はインターフェイス部４に隣接して配置さ
れており，破線で示した第５の処理装置群Ｇ5は背面側
に配置されている。
搬送装置２０が配置されており，その周囲にはユニット
としての各種処理装置が１組または複数の組にわたって
多段集積配置されて処理装置群を構成している。この塗
布現像処理装置１においては，５つの処理装置群Ｇ1，
Ｇ2，Ｇ3，Ｇ4，Ｇ5が配置可能に構成されており，第１
及び第２の処理装置群Ｇ1，Ｇ2は塗布現像処理装置１正
面側に配置されており，第３の処理装置群Ｇ3はカセッ
トステーション２に隣接して配置されており，第４の処
理装置群Ｇ4はインターフェイス部４に隣接して配置さ
れており，破線で示した第５の処理装置群Ｇ5は背面側
に配置されている。
【００２５】第１の処理装置群Ｇ1では図２に示すよう
に，カップＣＰ内でウェハＷをスピンチャックに載せて
所定の処理を行う２台のスピンナ型処理装置，例えばレ
ジスト塗布装置（ＣＯＴ）及び現像処理装置（ＤＥＶ）
が下から順に２段に重ねられている。そして第１の処理
装置群Ｇ1と同様に，第２の処理装置群Ｇ2においても，
２台のスピンナ型処理装置，例えばレジスト塗布装置
（ＣＯＴ）及び現像処理装置（ＤＥＶ）が下から順に２
段に重ねられている。
に，カップＣＰ内でウェハＷをスピンチャックに載せて
所定の処理を行う２台のスピンナ型処理装置，例えばレ
ジスト塗布装置（ＣＯＴ）及び現像処理装置（ＤＥＶ）
が下から順に２段に重ねられている。そして第１の処理
装置群Ｇ1と同様に，第２の処理装置群Ｇ2においても，
２台のスピンナ型処理装置，例えばレジスト塗布装置
（ＣＯＴ）及び現像処理装置（ＤＥＶ）が下から順に２
段に重ねられている。
【００２６】第３の処理装置群Ｇ3では図３に示すよう
に，ウェハＷを載置台に載せて所定の処理を行うオーブ
ン型の処理ユニット，例えば冷却処理を行う冷却処理装
置（ＣＯＬ），ウェハＷの位置合わせを行うアライメン
ト装置（ＡＬＩＭ），ウェハＷを待機させるエクステン
ション装置（ＥＸＴ），レジストとウェハＷとの定着性
を高めるための疎水化処理装置（ＡＤ），さらに加熱処
理を行う本実施の形態である加熱処理装置２５等が例え
ば８段に重ねられて配置している。
に，ウェハＷを載置台に載せて所定の処理を行うオーブ
ン型の処理ユニット，例えば冷却処理を行う冷却処理装
置（ＣＯＬ），ウェハＷの位置合わせを行うアライメン
ト装置（ＡＬＩＭ），ウェハＷを待機させるエクステン
ション装置（ＥＸＴ），レジストとウェハＷとの定着性
を高めるための疎水化処理装置（ＡＤ），さらに加熱処
理を行う本実施の形態である加熱処理装置２５等が例え
ば８段に重ねられて配置している。
【００２７】そして，インタフェイス部４の中央部には
ウェハ搬送体３０が設けられている。このウェハ搬送体
３０はＸ方向，Ｚ方向（垂直方向）の移動及びθ方向の
回転が自在にできるように構成されており，処理ステー
ション３側の第４の処理装置群Ｇ4に属するエクステン
ションユニット（ＥＸＴ）や露光装置（図示せず）側の
ウェハ受け渡し台（図示せず）にもアクセスできるよう
に構成されている。
ウェハ搬送体３０が設けられている。このウェハ搬送体
３０はＸ方向，Ｚ方向（垂直方向）の移動及びθ方向の
回転が自在にできるように構成されており，処理ステー
ション３側の第４の処理装置群Ｇ4に属するエクステン
ションユニット（ＥＸＴ）や露光装置（図示せず）側の
ウェハ受け渡し台（図示せず）にもアクセスできるよう
に構成されている。
【００２８】塗布現像処理装置１は以上のように構成さ
れている。次に，塗布現像処理装置１に組み込まれた加
熱処理装置２５について説明する。
れている。次に，塗布現像処理装置１に組み込まれた加
熱処理装置２５について説明する。
【００２９】加熱処理装置２５には図４に示すように，
ケーシング３０内部にウェハＷを加熱する加熱手段（図
示せず）を内蔵した載置台３６が備えられている。
ケーシング３０内部にウェハＷを加熱する加熱手段（図
示せず）を内蔵した載置台３６が備えられている。
【００３０】載置台３６の周縁部には図４及び図５に示
すように，ウェハＷの裏面を支持するプロキシミティピ
ン３８が例えば６個設けられており，載置台３６の中央
部には排気口４２が設けられている。また，載置台３６
には孔４３が例えば３箇所穿設されており，加熱処理装
置２５にはこの孔４３を通過自在な３本の昇降ピン４５
が設けられている。これら各昇降ピン４５はシリンダ４
６の作動により，載置台３６の上面である載置面５０か
ら出没自在であり，ウェハＷを支持した状態で昇降自在
である。
すように，ウェハＷの裏面を支持するプロキシミティピ
ン３８が例えば６個設けられており，載置台３６の中央
部には排気口４２が設けられている。また，載置台３６
には孔４３が例えば３箇所穿設されており，加熱処理装
置２５にはこの孔４３を通過自在な３本の昇降ピン４５
が設けられている。これら各昇降ピン４５はシリンダ４
６の作動により，載置台３６の上面である載置面５０か
ら出没自在であり，ウェハＷを支持した状態で昇降自在
である。
【００３１】載置面５０には中央部から周縁部にかけて
放射状に穿設された溝５１が例えば６本穿設されてい
る。これらの溝５１は互いに略同一の形状を有してお
り，各溝５１の幅及び深さは載置面５０の中央部から周
縁部にかけて均等となるように形成され，かつ各溝５１
は等間隔に形成されている。
放射状に穿設された溝５１が例えば６本穿設されてい
る。これらの溝５１は互いに略同一の形状を有してお
り，各溝５１の幅及び深さは載置面５０の中央部から周
縁部にかけて均等となるように形成され，かつ各溝５１
は等間隔に形成されている。
【００３２】そして上記昇降ピン４５は図６に示すよう
に，その内部に中空形状の中空部５２を有しており，昇
降ピン４５の上部外周には真空吸引口５３が設けられて
いる。さらに排気口４２と中空部５２とは図７に示すよ
うに，排気管５５にそれぞれ通じている。排気管５５の
一端には排気装置５７が接続されている。
に，その内部に中空形状の中空部５２を有しており，昇
降ピン４５の上部外周には真空吸引口５３が設けられて
いる。さらに排気口４２と中空部５２とは図７に示すよ
うに，排気管５５にそれぞれ通じている。排気管５５の
一端には排気装置５７が接続されている。
【００３３】本発明の実施の形態にかかる加熱処理装置
２５は以上のように構成されている。次に，加熱処理装
置２５の作用効果について説明する。
２５は以上のように構成されている。次に，加熱処理装
置２５の作用効果について説明する。
【００３４】現像処理装置（ＤＥＶ）において現像処理
が終了したウェハＷは主搬送装置２０により加熱処理装
置２５に搬送される。そしてこのウェハＷは図８に示す
ように，上昇した昇降ピン４５によって水平に支持され
る。次いで，排気装置５７を作動させた後に昇降ピン４
５を図９に示すように下降させる。
が終了したウェハＷは主搬送装置２０により加熱処理装
置２５に搬送される。そしてこのウェハＷは図８に示す
ように，上昇した昇降ピン４５によって水平に支持され
る。次いで，排気装置５７を作動させた後に昇降ピン４
５を図９に示すように下降させる。
【００３５】この際，ウェハＷと載置面５０との間の雰
囲気は下降するウェハＷにより圧縮されるために外部に
流出しようとする。このような雰囲気の流出が偏ると，
載置台３６の所定位置に載置されるはずのウェハＷに位
置ずれが起こるおそれが生じたが，本実施の形態にかか
る加熱処理装置２５ではこのような雰囲気を載置面５０
の溝５１に沿って均等に外部に排出することができる。
囲気は下降するウェハＷにより圧縮されるために外部に
流出しようとする。このような雰囲気の流出が偏ると，
載置台３６の所定位置に載置されるはずのウェハＷに位
置ずれが起こるおそれが生じたが，本実施の形態にかか
る加熱処理装置２５ではこのような雰囲気を載置面５０
の溝５１に沿って均等に外部に排出することができる。
【００３６】このため，ウェハＷと載置面５０との間の
圧縮された雰囲気によりウェハＷが所定位置からずれて
載置されることがなく，ウェハＷを昇降ピン４５と共に
速く下降させた場合でも，ウェハＷの位置ずれを防止す
ることが可能となる。
圧縮された雰囲気によりウェハＷが所定位置からずれて
載置されることがなく，ウェハＷを昇降ピン４５と共に
速く下降させた場合でも，ウェハＷの位置ずれを防止す
ることが可能となる。
【００３７】また加熱処理装置２５では，圧縮された雰
囲気を溝５１に沿って外部に排出するのと同時に，この
雰囲気を排気装置５７の作動により排気口４２から排気
可能である。このため，ウェハＷと載置面５０との間の
雰囲気は積極的に排気されて，ウェハＷの位置ずれを起
こすような流れが発生しなくなる。その結果，ウェハＷ
を速く下降させた場合でも，ウェハＷの位置ずれを防止
することが可能となる。
囲気を溝５１に沿って外部に排出するのと同時に，この
雰囲気を排気装置５７の作動により排気口４２から排気
可能である。このため，ウェハＷと載置面５０との間の
雰囲気は積極的に排気されて，ウェハＷの位置ずれを起
こすような流れが発生しなくなる。その結果，ウェハＷ
を速く下降させた場合でも，ウェハＷの位置ずれを防止
することが可能となる。
【００３８】さらに加熱処理装置２５では，ウェハＷの
下降により圧縮された雰囲気を，昇降ピン４５に設けら
れた真空吸引口５３から中空部５２を通じて排気するこ
とが可能である。かかる真空吸引口５３からの排気を上
記排気口４２からの排気と溝５１に沿った排出と同時に
行うことにより，ウェハＷと載置面５０との間の雰囲気
はさらに外部に排気されるために，ウェハＷを速く下降
させた場合でもウェハＷの位置ずれをより確実に防止す
ることが可能となる。また昇降ピン４５に真空吸引口５
３を設けているので，例えば載置台３６にヒータを内蔵
するのが容易である。
下降により圧縮された雰囲気を，昇降ピン４５に設けら
れた真空吸引口５３から中空部５２を通じて排気するこ
とが可能である。かかる真空吸引口５３からの排気を上
記排気口４２からの排気と溝５１に沿った排出と同時に
行うことにより，ウェハＷと載置面５０との間の雰囲気
はさらに外部に排気されるために，ウェハＷを速く下降
させた場合でもウェハＷの位置ずれをより確実に防止す
ることが可能となる。また昇降ピン４５に真空吸引口５
３を設けているので，例えば載置台３６にヒータを内蔵
するのが容易である。
【００３９】その後，所定の加熱処理が施されたウェハ
Ｗは昇降ピン４５に支持された状態で上昇し，主搬送装
置２０により次の冷却処理装置（ＣＯＬ）に搬送され
る。
Ｗは昇降ピン４５に支持された状態で上昇し，主搬送装
置２０により次の冷却処理装置（ＣＯＬ）に搬送され
る。
【００４０】以上のように本実施の形態では，ウェハＷ
の下降により圧縮された雰囲気を溝５１に沿って排出す
ると共に，この圧縮された雰囲気を排気口４２及び真空
吸引口５３から積極的に排気することができる。従っ
て，ウェハＷの位置ずれを防止することが可能である。
その結果，ウェハＷの面内温度分布が均一化し，均一な
加熱処理を施すことが可能となる。
の下降により圧縮された雰囲気を溝５１に沿って排出す
ると共に，この圧縮された雰囲気を排気口４２及び真空
吸引口５３から積極的に排気することができる。従っ
て，ウェハＷの位置ずれを防止することが可能である。
その結果，ウェハＷの面内温度分布が均一化し，均一な
加熱処理を施すことが可能となる。
【００４１】なお上記の実施の形態では，載置面５０に
は中央部から周縁部にかけて幅と深さが均一な溝５１が
形成されている例を挙げて説明したが，本発明はこのよ
うな例には限定されない。即ち図１１に示すように，載
置面５０の中央部から周縁部にかけて幅が次第に広くな
ると共に深さも次第に深くなるような溝６６を形成した
載置台６７を用いてもよい。
は中央部から周縁部にかけて幅と深さが均一な溝５１が
形成されている例を挙げて説明したが，本発明はこのよ
うな例には限定されない。即ち図１１に示すように，載
置面５０の中央部から周縁部にかけて幅が次第に広くな
ると共に深さも次第に深くなるような溝６６を形成した
載置台６７を用いてもよい。
【００４２】この載置台６７によれば，ウェハＷが下降
する際に載置台６７の中央部近傍よりも流量が多くなる
周縁部近傍の雰囲気をより多く外部に排出することが可
能となる。そのため，上記載置台３６を使用する場合よ
りも下降したウェハＷにより圧縮された雰囲気をより円
滑に外部に排出することが可能となる。従って，ウェハ
Ｗの位置ずれをより確実に防止することが可能となる。
する際に載置台６７の中央部近傍よりも流量が多くなる
周縁部近傍の雰囲気をより多く外部に排出することが可
能となる。そのため，上記載置台３６を使用する場合よ
りも下降したウェハＷにより圧縮された雰囲気をより円
滑に外部に排出することが可能となる。従って，ウェハ
Ｗの位置ずれをより確実に防止することが可能となる。
【００４３】さらに上記の実施の形態では，ウェハＷを
昇降ピン４５と共に下降させた際に生じる圧縮された雰
囲気を溝５１から排出すると共に排気口４２から積極的
に排気する例を挙げて説明したが，載置台３６の載置面
５０に溝５１のみを形成し，上記圧縮された雰囲気を溝
５１だけから外部に排出させてもよいし，溝５１を形成
せずに排気口４２だけから外部に排気するようにしても
よい。このように溝５１や排気口４２を各々独立に適用
しても，ウェハＷの位置ずれを防止できる。
昇降ピン４５と共に下降させた際に生じる圧縮された雰
囲気を溝５１から排出すると共に排気口４２から積極的
に排気する例を挙げて説明したが，載置台３６の載置面
５０に溝５１のみを形成し，上記圧縮された雰囲気を溝
５１だけから外部に排出させてもよいし，溝５１を形成
せずに排気口４２だけから外部に排気するようにしても
よい。このように溝５１や排気口４２を各々独立に適用
しても，ウェハＷの位置ずれを防止できる。
【００４４】また加熱処理装置２５を用いた例を挙げて
説明したが，本発明は例えば冷却処理装置（ＣＯＬ）や
疎水化処理装置（ＡＤ）等の処理装置に対しても適用可
能である。さらに，基板としてウェハＷを用いた例を挙
げて説明したが，本発明はかかる例には限定されず，例
えばＬＣＤ基板を使用する場合についても適用が可能で
ある。
説明したが，本発明は例えば冷却処理装置（ＣＯＬ）や
疎水化処理装置（ＡＤ）等の処理装置に対しても適用可
能である。さらに，基板としてウェハＷを用いた例を挙
げて説明したが，本発明はかかる例には限定されず，例
えばＬＣＤ基板を使用する場合についても適用が可能で
ある。
【００４５】
【発明の効果】請求項１〜６に記載の発明によれば，基
板を昇降ピンと共に速く下降させた場合にも，基板の位
置ずれが起こらない。従って，基板に対して均一な処理
を施すことが可能である。
板を昇降ピンと共に速く下降させた場合にも，基板の位
置ずれが起こらない。従って，基板に対して均一な処理
を施すことが可能である。
【００４６】特に請求項２〜６に記載の発明によれば，
基板を昇降ピンと共に加工させる際に，基板と載置面と
の間の雰囲気を排気手段により積極的に排気することが
できる。従って，基板の位置ずれを生じさせるような雰
囲気の流れが生じなくなり，基板の位置ずれを防止する
ことが可能となる。
基板を昇降ピンと共に加工させる際に，基板と載置面と
の間の雰囲気を排気手段により積極的に排気することが
できる。従って，基板の位置ずれを生じさせるような雰
囲気の流れが生じなくなり，基板の位置ずれを防止する
ことが可能となる。
【００４７】特に請求項３に記載の発明によれば，基板
を昇降ピンと共に下降させる際に，基板と載置面との間
の圧縮された雰囲気を積極的に排気しながら載置面に形
成された溝からも排出させることができる。従って，基
板の位置ずれをより確実に防止することが可能となる。
を昇降ピンと共に下降させる際に，基板と載置面との間
の圧縮された雰囲気を積極的に排気しながら載置面に形
成された溝からも排出させることができる。従って，基
板の位置ずれをより確実に防止することが可能となる。
【００４８】特に請求項４に記載の発明によれば，下降
する基板と載置面間の圧縮された雰囲気を昇降ピンの吸
引口から中空部を通じて積極的に排気することができ
る。また，昇降ピンに吸引口を形成しているので，載置
台に加熱機構や冷却機構を内蔵させることが容易であ
る。
する基板と載置面間の圧縮された雰囲気を昇降ピンの吸
引口から中空部を通じて積極的に排気することができ
る。また，昇降ピンに吸引口を形成しているので，載置
台に加熱機構や冷却機構を内蔵させることが容易であ
る。
【００４９】さらに請求項５，６に記載の発明によれ
ば，下降する基板により圧縮された雰囲気を排気する
際，載置台の中央部付近よりも流量の多い周縁部付近の
雰囲気を円滑に排気することが可能となる。
ば，下降する基板により圧縮された雰囲気を排気する
際，載置台の中央部付近よりも流量の多い周縁部付近の
雰囲気を円滑に排気することが可能となる。
【図１】本発明の実施の形態に係る加熱処理装置を有す
る塗布現像処理装置の平面図である。
る塗布現像処理装置の平面図である。
【図２】図１の塗布現像処理装置の正面図である。
【図３】図１の塗布現像処理装置の背面図である。
【図４】本実施の形態に係る加熱処理装置を側面から見
た説明図である。
た説明図である。
【図５】図４の加熱処理装置に装備された載置台の平面
図である。
図である。
【図６】図４の加熱処理装置に装備された昇降ピンの構
成を示す斜視図である。
成を示す斜視図である。
【図７】図４の加熱処理装置に配管された排気管を側面
から見た説明図である。
から見た説明図である。
【図８】昇降ピンがウェハを支持した様子を示す説明図
である。
である。
【図９】図８の昇降ピンが下降する様子を示す説明図で
ある。
ある。
【図１０】図９の昇降ピンの下降が終了した様子を示す
説明図である。
説明図である。
【図１１】図５の載置台の変更例を示す図である。
１ 塗布現像処理装置 ２５ 加熱処理装置 ３６ 載置台 ４２ 排気口 ４５ 昇降ピン ５０ 載置面 ５２ 中空部 ５３ 真空吸引口 Ｗ ウェハ
Claims (6)
- 【請求項１】 基板を載置する載置台と，この載置台の
載置面から突出自在な昇降ピンとを備え，前記載置台に
載置された基板に対して所定の処理を行う処理装置にお
いて，前記載置面には当該載置面の中央部から周縁部に
かけて放射状の溝が形成されたことを特徴とする，処理
装置。 - 【請求項２】 基板を載置する載置台と，この載置台の
載置面から突出自在な昇降ピンとを備え，前記載置台に
載置された基板に対して所定の処理を行う処理装置にお
いて，前記載置台の載置面に開口した吸引口と，基板を
支持した状態で昇降ピンが下降する際に，基板の下面と
載置台の載置面との間の雰囲気を前記吸引口から排気す
る排気手段とを備えたことを特徴とする，処理装置。 - 【請求項３】 基板を載置する載置台と，この載置台の
載置面から突出自在な昇降ピンとを備え，前記載置台に
載置された基板に対して所定の処理を行う処理装置にお
いて，前記載置面の中央部から周縁部にかけて形成され
た放射状の溝と，前記載置台の載置面に開口した吸引口
と，基板を支持した状態で昇降ピンが下降する際に，基
板の下面と載置台の載置面との間の雰囲気を前記吸引口
から排気する排気手段とを備えたことを特徴とする，処
理装置。 - 【請求項４】 前記昇降ピンの上部外周には吸引口が設
けられかつ当該昇降ピンの内部には前記吸引口に通じる
中空部が形成され，当該中空部は排気手段に通じている
ことを特徴とする，請求項２または３に記載の処理装
置。 - 【請求項５】 前記載置台の載置面に形成された溝の溝
幅は，当該載置面の中央部から周縁部にかけて次第に広
くなるように形成されたことを特徴とする，請求項１，
３または４に記載の処理装置。 - 【請求項６】 前記載置台の載置面に形成された溝の深
さは，当該載置面の中央部から周縁部にかけて次第に深
くなるように形成されたことを特徴とする，請求項１，
３，４または５に記載の処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10114157A JPH11297789A (ja) | 1998-04-09 | 1998-04-09 | 処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10114157A JPH11297789A (ja) | 1998-04-09 | 1998-04-09 | 処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11297789A true JPH11297789A (ja) | 1999-10-29 |
Family
ID=14630591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10114157A Pending JPH11297789A (ja) | 1998-04-09 | 1998-04-09 | 処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11297789A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1998
- 1998-04-09 JP JP10114157A patent/JPH11297789A/ja active Pending
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