JPH11299878A - 消臭剤 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、悪臭成分の除去に優れた効果を発
揮し、その効果が長期的に持続するという特性を備えた
消臭剤を提供することを課題とする。 【解決手段】 本発明の消臭剤は、（ａ）ヒドラジド化
合物と（ｂ）硫酸エステル型陰イオン界面活性剤及びス
ルホン酸型陰イオン界面活性剤から選ばれる少なくとも
１種の陰イオン界面活性剤とを含有するものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、消臭剤に関する。
より詳しくは、本発明は、各種悪臭成分の除去に優れた
効果を発揮し、その効果が長期的に持続するという特性
を備えた消臭剤に関する。

【０００２】

【発明が解決しようとする課題】たばこの煙、建材用の
塗料、接着剤等に含まれるホルムアルデヒドが、人体に
悪影響を与えることは、既によく知られた事実である。
特に新築建造物において、建材等に含まれる塗料、接着
剤等から放散するホルムアルデヒドがシックハウス症候
群を引き起こし、大きな社会問題となっている。更に、
ホルムアルデヒドの放散は、新築時のみに止まらず、築
後数年〜十数年を経過しても継続することが確認されて
いる。

【０００３】一方、アジピン酸ジヒドラジド等に代表さ
れるヒドラジド化合物がホルムアルデヒドの除去効果を
有していることも公知である（特開平８−２８０７８１
号公報及び特開平１０−３６６８１号公報）。ヒドラジ
ド化合物を用いて、合板等の建材を処理する場合には、
該ヒドラジド化合物を水に溶解又は分散させ、これを建
材に塗布する方法が一般的に採用されている。しかしな
がら、このような方法では、経時的にホルムアルデヒド
の除去効果が低下し、優れた除去効果を長期に亘って発
現し得ない。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題を
解決すべく鋭意研究を重ねた結果、各種の悪臭成分の除
去に優れた効果を発揮し、しかもその効果が長期的に持
続するという特性を備えた新規消臭剤を開発することに
成功した。本発明は、斯かる知見に基づき完成されたも
のである。

【０００５】即ち、本発明は、（ａ）ヒドラジド化合物
並びに（ｂ）硫酸エステル型陰イオン界面活性剤及びス
ルホン酸型陰イオン界面活性剤から選ばれる少なくとも
１種の陰イオン界面活性剤を含有する消臭剤に係る。

【０００６】本発明によれば、本発明消臭剤を合板等の
建材に塗布又は含浸することにより、著しく長期間に亘
って、該建材から放散されるホルムアルデヒド等の悪臭
成分に対して顕著な除去効果を発現し得る。

【０００７】また、本発明消臭剤によれば、消臭が要求
される基剤への消臭性成分の均一な塗布又は含浸が可能
であり、そのため基材に塗布又は含浸した場合に消臭性
能のバラツキが非常に少ない。

【０００８】更に本発明消臭剤は、塗布する基材の性能
には何らの影響も与えないという利点を有している。

【０００９】

【発明の実施の形態】本発明の消臭剤は、（ａ）ヒドラ
ジド化合物並びに（ｂ）硫酸エステル型陰イオン界面活
性剤及びスルホン酸型陰イオン界面活性剤から選ばれる
少なくとも１種の陰イオン界面活性剤を含有するもので
ある。

【００１０】（ａ）成分であるヒドラジド化合物として
は特に制限されず、従来公知のものが使用できるが、例
えば、分子中に１個のヒドラジド基を有するモノヒドラ
ジド化合物、分子中に２個のヒドラジド基を有するジヒ
ドラジド化合物、分子中に３個以上のヒドラジド基を有
するポリヒドラジド化合物等を挙げることができる。

【００１１】モノヒドラジド化合物の具体例としては、
例えば、一般式 Ｒ−ＣＯ−ＮＨＮＨ₂ （１） 〔式中、Ｒは水素原子、アルキル基又は置換基を有する
ことのあるアリール基を示す。〕で表されるモノヒドラ
ジド化合物を挙げることができる。

【００１２】上記一般式（１）において、Ｒで示される
アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ
−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘ
キシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニ
ル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基等の炭素数１〜
１２の直鎖状アルキル基を挙げることができる。アリー
ル基としては、例えば、フェニル基、ビフェニル基、ナ
フチル基等を挙げることができ、これらの中でもフェニ
ル基が好ましい。またアリール基の置換基としては、例
えば、水酸基、弗素、塩素、臭素等のハロゲン原子、メ
チル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル
基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチ
ル基等の炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖状のアルキル基
等を挙げることができる。

【００１３】上記一般式（１）のモノヒドラジド化合物
としては、より具体的には、ラウリル酸ヒドラジド、サ
リチル酸ヒドラジド、ホルムヒドラジド、アセトヒドラ
ジド、プロピオン酸ヒドラジド、ｐ−ヒドロキシ安息香
酸ヒドラジド、ナフトエ酸ヒドラジド、３−ヒドロキシ
−２−ナフトエ酸ヒドラジド等を例示できる。

【００１４】ジヒドラジド化合物の具体例としては、例
えば、一般式 Ｈ₂ＮＨＮ−Ｘ−ＮＨＮＨ₂ （２） 〔式中Ｘは基−ＣＯ−又は基−ＣＯ−Ａ−ＣＯ−を示
す。Ａはアルキレン基又はアリーレン基を示す。〕で表
されるジヒドラジド化合物を挙げることができる。

【００１５】上記一般式（２）において、Ａで示される
アルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン
基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレ
ン基、ヘキサメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメ
チレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基、ウンデカ
メチレン基等の炭素数１〜１２の直鎖状アルキレン基を
挙げることができる。アリーレン基としては、例えば、
フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基、アント
リレン基、フェナントリレン基等を挙げることができ、
これらの中でもフェニレン基、ナフチレン基等が好まし
い。上記アルキレン基及びアリーレン基の置換基として
は、例えば、水酸基等を挙げることができる。

【００１６】上記一般式（２）のジヒドラジド化合物
は、具体的には、例えば、カルボヒドラジド、シュウ酸
ジヒドラジド、マロン酸ジヒドラジド、コハク酸ジヒド
ラジド、アジピン酸ジヒドラジド、アゼライン酸ジヒド
ラジド、セバシン酸ジヒドラジド、ドデカン二酸ジヒド
ラジド、マレイン酸ジヒドラジド、フマル酸ジヒドラジ
ド、ジグリコール酸ジヒドラジド、酒石酸ジヒドラジ
ド、リンゴ酸ジヒドラジド、イソフタル酸ジヒドラジ
ド、テレフタル酸ジヒドラジド、ダイマー酸ジヒドラジ
ド、２，６−ナフトエ酸ジヒドラジド等の２塩基酸ジヒ
ドラジド等が挙げられる。更に、特公平２−４６０７号
公報に記載の各種２塩基酸ジヒドラジド化合物、２，４
−ジヒドラジノ−６−メチルアミノ−ｓｙｍ−トリアジ
ン等も本発明のジヒドラジド化合物として用いることが
できる。

【００１７】ポリヒドラジド化合物としては、具体的に
は、ポリアクリル酸ヒドラジド等を例示できる。

【００１８】これらの中でも、ジヒドラジド化合物が好
ましく、カルボヒドラジドや２塩基酸ジヒドラジドが特
に好ましい。２塩基酸ジヒドラジドの中では、例えば、
アジピン酸ジヒドラジド、セバシン酸ヒドラジド、ドデ
カン二酸ジヒドラジド等がより一層好ましい。

【００１９】上記ヒドラジド化合物は、１種を単独で使
用でき又は２種以上を併用できる。

【００２０】本発明消臭剤におけるジヒドラジド化合物
の含有量は、その種類、併用する後記界面活性剤の種類
や含有量等に応じて広い範囲から適宜選択できるが、通
常本発明消臭剤全量の０．１〜５０重量％程度、好まし
くは０．５〜２０重量％程度とすればよい。

【００２１】本発明においては、特定の消臭性成分であ
るヒドラジド化合物と共に特定の陰イオン界面活性剤
（（ｂ）成分）を配合することを必須とする。（ｂ）成
分の陰イオン界面活性剤は、硫酸エステル型陰イオン界
面活性剤及びスルホン酸型陰イオン界面活性剤である。
これら以外の陰イオン界面活性剤、例えばポリオキシエ
チレンアルキルエーテル型非イオン界面活性剤では、本
発明の課題を解決し得ない（後記比較例１参照）。

【００２２】硫酸エステル型陰イオン界面活性剤として
は、公知のものを使用でき、例えば、一般式 （Ｒ¹ＯＳＯ₃）_nＭ （３） 〔式中、Ｒ¹は炭素数６〜３０のアルキル基又は置換基
として水酸基を有することのある炭素数１２〜１８のア
ルケニル基を示す。Ｍは１価又は２価の陽イオンを示
す。ｎは１又は２を示す。但し、Ｍが１価の陽イオンを
示す時、ｎは１であり、Ｍが２価の陽イオンを示す時、
ｎは２である。〕で表される高級アルコール硫酸エステ
ル塩、一般式 （Ｒ²Ｒ³ＣＨＯＳＯ₃）_nＭ （４） 〔式中、Ｍ及びｎは上記に同じ。Ｒ²及びＲ³は同一又は
異なって、炭素数１〜２０のアルキル基を示す。〕で表
されるオレフィン硫酸エステル塩、一般式 （Ｒ²Ｒ³ＣＨＯ(ＣＨ₂ＣＨ₂)_mＳＯ₃)_nＭ （５） 〔式中、Ｒ²、Ｒ³、ｎ及びＭは上記に同じ。ｍは２〜４
の整数を示す。〕で表されるアルキルエーテル硫酸エス
テル、一般式 （Ｒ⁴Ｏ(ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ)_mＳＯ₃)_nＭ （６） 〔式中、Ｍ、ｎ及びｍは上記に同じ。Ｒ⁴は炭素数６〜
３０のアルキル基又は置換基として炭素数７〜１０のア
ルキル基を有することのあるフェニル基を示す。〕で表
されるアルキルエーテル硫酸エステル塩等を挙げること
ができる。

【００２３】上記一般式（３）において、Ｒ¹で示され
る炭素数６〜３０のアルキル基としては、例えば、ヘキ
シル基、オクチル基、ドデシル基、ヘキサデシル基、オ
クタデシル基、基−ＣＨ₂(ＣＨ₂)₂₄ＣＨ₃、基−ＣＨ
₂(ＣＨ₂)₂₈ＣＨ₃等の直鎖状アルキル基を例示できる。
これらの中でも、炭素数１２〜２０程度のものが好まし
い。また、置換基として水酸基を有してもよい炭素数１
２〜１８のアルケニル基としては、例えば、基−ＣＨ
₂(ＣＨ₂)₇ＣＨ＝ＣＨ(ＣＨ₂)₇ＣＨ₃、基−ＣＨ₂(ＣＨ₂)
₇ＣＨ＝ＣＨＣＨ₂ＣＨ(ＯＨ)(ＣＨ₂)₅ＣＨ₃、基−ＣＨ₂
(ＣＨ₂)₇ＣＨ＝ＣＨＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨ(ＣＨ₂)₄ＣＨ₃、基
−ＣＨ₂(ＣＨ₂)₇ＣＨ＝ＣＨＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨＣＨ₂ＣＨ
＝ＣＨＣＨ₂ＣＨ₃等の直鎖状アルケニル基を例示でき
る。これらの中でも、基−ＣＨ₂(ＣＨ₂)₇ＣＨ＝ＣＨ(Ｃ
Ｈ₂)₇ＣＨ₃が好ましい。

【００２４】上記一般式（４）及び一般式（５）におい
てＲ²及びＲ³で示される炭素数１〜２０のアルキル基と
しては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル
基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチ
ル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル
基、基−ＣＨ₂ＣＨ₂Ｃ(Ｃ₂Ｈ₅)Ｈ(ＣＨ₂)₃ＣＨ₃、ノニ
ル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシ
ル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル
基、ヘプタデシル基等の直鎖状又は分岐鎖状アルキル基
を例示できる。尚、一般式（５）におけるＲ²及びＲ³と
しては、炭素数２以上の直鎖状アルキル基が好ましい。

【００２５】上記一般式（６）においてＲ⁴で示される
炭素数６〜３０のアルキル基としては、上記Ｒ¹で示さ
れる炭素数６〜３０のアルキル基と同様のものを例示で
きる。また、Ｒ⁴で示されるフェニル基の置換基である
炭素数７〜１０のアルキル基としては、ヘプチル基、オ
クチル基、ノニル基、デシル基等であり、炭素数８及び
９のアルキル基が好ましい。

【００２６】更に上記一般式（３）乃至（６）におい
て、Ｍで示される１価の陽イオンとしては、例えば、ナ
トリウム、カリウム等のアルカリ金属イオン、アンモニ
ウムイオン等を挙げることができる。これらの中でも、
ナトリウムイオンが好ましい。また、Ｍで示される２価
の陽イオンとしては、例えば、マグネシウム、カルシウ
ム等のアルカリ土類金属のイオン、亜鉛イオン等を挙げ
ることができる。

【００２７】上記一般式（３）の高級アルコール硫酸エ
ステル塩の具体例としては、例えば、ラウリルアルコー
ル硫酸エステル塩（例えばＣ₁₂Ｈ₂₅ＯＳＯ₃Ｎａ）、ラ
ウリルアルコール硫酸エステル塩（Ｃ₁₂Ｈ₂₅ＯＳＯ₃ ^-・
ＮＨ₄ ⁺）、セチル硫酸エステル塩（例えばＣ₁₆Ｈ₃₃ＯＳ
Ｏ₃Ｎａ）、ステアリル硫酸エステル塩（例えばＣ₁₈Ｈ
₃₇ＯＳＯ₃Ｎａ）、オレイル硫酸エステル塩（例えばＣ
₁₈Ｈ₃₅ＯＳＯ₃Ｎａ）、チーグラーアルコール硫酸エス
テル塩（例えばＣ₁₂Ｈ₂₅ＯＳＯ₃ＮａとＣ₁₄Ｈ₂₉ＯＳＯ₃
Ｎａとの混合物）、オキソアルコール硫酸エステル塩等
を例示できる。

【００２８】上記一般式（４）のオレフィン硫酸エステ
ル塩の具体例としては、例えば、７−エチル−２−メチ
ル−ウンデカン−４−硫酸エステル塩、ウンデカン−６
−硫酸エステル塩、トリデカン−７−硫酸エステル塩、
ペンタデカン−８−硫酸エステル塩、ヘプタデカン−９
−硫酸エステル塩、ノナデカン−１０−硫酸エステル
塩、ウンデカン−２−硫酸エステル塩、トリデカン−２
−硫酸エステル塩、ペンタデカン−２−硫酸エステル
塩、ヘプタデカン−２−硫酸エステル塩、ノナデカン−
２−硫酸エステル塩、ペンタデカン−２−硫酸エステル
塩、ペンタデカン−４−硫酸エステル塩、ペンタデカン
−６−硫酸エステル塩、ペンタデカン−８−硫酸エステ
ル塩等を例示できる。

【００２９】上記一般式（５）のアルキルエーテル硫酸
エステル塩の具体例としては、例えば、ウンデカン−６
−トリオキシエチレン硫酸エステル塩、ウンデカン−６
−ペンチルオキシエチレン硫酸エステル塩、ウンデカン
−６−デシルオキシエチレン硫酸エステル塩、トリデカ
ン−７−トリオキシエチレン硫酸エステル塩、トリデカ
ン−７−ペンチルオキシエチレン硫酸エステル塩、トリ
デカン−７−デシルオキシエチレン硫酸エステル塩、ペ
ンタデカン−８−トリオキシエチレン硫酸エステル塩、
ペンタデカン−８−ペンチルオキシエチレン硫酸エステ
ル塩、ペンタデカン−８−デシルオキシエチレン硫酸エ
ステル塩、ヘプタデカン−９−トリオキシエチレン硫酸
エステル塩、ヘプタデカン−９−ペンチルオキシエチレ
ン硫酸エステル塩、ヘプタデカン−９−デシルオキシエ
チレン硫酸エステル塩、ノナデカン−１０−トリオキシ
エチレン硫酸エステル塩、ノナデカン−１０−ペンチル
オキシエチレン硫酸エステル塩、ノナデカン−１０−デ
シルオキシエチレン硫酸エステル塩等を例示できる。

【００３０】上記一般式（６）のアルキルエーテル硫酸
エステル塩の具体例としては、例えば、ラウリルエーテ
ル硫酸エステル塩、トリオキシエチレンオクタデシルエ
ーテル硫酸エステル塩、ペンチルオキシエチレンオクタ
デシルエーテル硫酸エステル塩、デシルオキシエチレン
オクタデシルエーテル硫酸エステル塩、ポリオキシエチ
レンアルキルエーテル硫酸エステル塩等を例示できる。

【００３１】スルホン酸型陰イオン界面活性剤として
は、公知のものを使用でき、例えば、一般式 （Ｒ¹ＳＯ₃）_nＭ （７） 〔式中、Ｒ¹、Ｍ及びｎは上記に同じ。〕で表されるア
ルキルスルホン酸塩、一般式 （Ｒ²Ｒ³ＣＨＳＯ₃）_nＭ （８） 〔式中、Ｒ²、Ｒ³、Ｍ及びｎは上記に同じ。〕で表され
るアルキルスルホン酸塩、一般式

【００３２】

【化２】

【００３３】〔式中、Ｒ¹、Ｍ及びｎは上記に同じ。〕
で表されるアルキルベンゼンスルホン酸塩、一般式

【００３４】

【化３】

【００３５】〔式中、Ｍ及びｎは上記に同じ。Ｒ⁵は炭
素数１〜６のアルキル基を示す。ｌは１又は２を示
す。〕で表されるアルキルナフタレンスルホン酸塩、一
般式

【００３６】

【化４】

【００３７】〔式中、Ｍ及びｎは上記に同じ。Ｒ⁶及び
Ｒ⁷は同一又は異なって、炭素数１〜１５のアルキル基
を示す。〕で表されるスルホコハク酸エステル塩等を挙
げることができる。

【００３８】上記一般式（７）及び一般式（９）におい
て、Ｒ¹で示される炭素数６〜３０のアルキル基及び置
換基として水酸基を有することのある炭素数１２〜１８
のアルケニル基としては、一般式（３）におけるそれら
と同様のものを挙げることができる。

【００３９】上記一般式（８）において、Ｒ²及びＲ³で
示される炭素数１〜２０のアルキル基としては、一般式
（４）におけるそれらと同様のものを挙げることができ
る。

【００４０】上記一般式（１０）において、Ｒ⁵で示さ
れる炭素数１〜６のアルキル基としては、例えば、メチ
ル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル
基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチ
ル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等の直鎖又は分
岐鎖状のアルキル基を挙げることができる。これらの中
でも、炭素数３〜４のアルキル基が好ましい。

【００４１】上記一般式（１１）において、Ｒ⁶及びＲ⁷
で示される炭素数１〜１５のアルキル基としては、例え
ば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プ
ロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｔｅｒｔ
−ブチル基、ｎ−ペンチル基、 ｎ−ヘキシル基、ｎ−
ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、２−エチ
ルヘキシル基、１−メチル−４−エチルヘキシル基、１
−メチル−４−エチルオクチル基等の直鎖又は分岐鎖状
のアルキル基を挙げることができる。

【００４２】また、上記一般式（７）乃至（１１）にお
いて、Ｍで示される１価の陽イオンとしては、例えば、
ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属イオン、アンモ
ニウムイオン等を挙げることができる。これらの中で
も、ナトリウムイオンが好ましい。また、Ｍで示される
２価の陽イオンとしては、例えば、マグネシウム、カル
シウム等のアルカリ土類金属のイオン、亜鉛イオン等を
挙げることができる。

【００４３】上記一般式（７）のアルキルスルホン酸塩
の具体例としては、例えば、デシルスルホン酸塩、ドデ
シルスルホン酸塩、テトラデシルスルホン酸塩、ヘキサ
デシルスルホン酸塩、オクタデシルスルホン酸塩等を挙
げることができる。

【００４４】上記一般式（８）のアルキルスルホン酸塩
の具体例としては、例えば、ウンデカン−６−スルホン
酸塩、トリデカン−７−スルホン酸塩、ペンタデカン−
８−スルホン酸塩、ヘプタデカン−９−スルホン酸塩、
ノナデカン−１０−スルホン酸塩、ウンデカン−２−ス
ルホン酸塩、トリデカン−２−スルホン酸塩、ペンタデ
カン−２−スルホン酸塩、ヘプタデカン−２−スルホン
酸塩、ノナデカン−２−スルホン酸塩、ペンタデカン−
２−スルホン酸塩、ペンタデカン−４−スルホン酸塩、
ペンタデカン−６−スルホン酸塩、ペンタデカン−８−
スルホン酸塩、等を挙げることができる。

【００４５】上記一般式（９）のアルキルベンゼンスル
ホン酸塩の具体例としては、例えば、ドデシルベンゼン
スルホン酸塩、デシルベンゼンスルホン酸塩、テトラデ
シルベンゼンスルホン酸塩、ヘキサデシルベンゼンスル
ホン酸塩、オクタデシルベンゼンスルホン酸塩、メチル
ヘキサデシルベンゼンスルホン酸塩、メチルテトラデシ
ルベンゼンスルホン酸塩、メチルドデシルベンゼンスル
ホン酸塩、メチルデシルベンゼンスルホン酸塩等を挙げ
ることができる。

【００４６】上記一般式（１０）のアルキルナフタレン
スルホン酸塩の具体例としては、例えば、１，４−ジイ
ソプロピルナフタレンスルホン酸、１，４−ジイソブチ
ルナフタレンスルホン酸塩、１，４−ｎ−ブチルナフタ
レンスルホン酸塩、イソプロピルナフタレンスルホン酸
塩、ジ−ｎ−オクチルナフタレンスルホン酸塩、ジ−ｎ
−ドデシルナフタレンスルホン酸塩等を挙げることがで
きる。

【００４７】上記一般式（１１）のスルホコハク酸エス
テル塩の具体例としては、例えば、スルホコハク酸ジ−
２−エチルヘキシルエステル塩、スルホコハク酸ジオク
チルエステル塩、スルホコハク酸ジ−ｎ−ペンチルエス
テル塩、スルホコハク酸ジ−ｎ−ヘキシルエステル塩、
スルホコハク酸ジ−ｎ−ヘプチルエステル塩、スルホコ
ハク酸ジ−ｎ−オクチルエステル塩、スルホコハク酸ジ
−ｎ−ノニルエステル塩、スルホコハク酸モノエチルモ
ノドデシルエステル塩、スルホコハク酸モノブチルモノ
ドデシルエステル塩、スルホコハク酸モノ−２−エチル
ヘキシル−モノ−１−メチルベンジルエステル塩、スル
ホコハク酸モノ−２−エチルヘキシル−モノ−１−メチ
ル−４−エチルヘキシルエステル塩、スルホコハク酸ジ
−１−メチルブチルエステル塩、スルホコハク酸ジ−
１，3−ジメチルブチルエステル塩等を挙げることがで
きる。

【００４８】本発明消臭剤における上記陰イオン界面活
性剤の含有量は、その種類、併用するヒドラジド化合物
の種類や含有量等に応じて広い範囲から適宜選択できる
が、通常本発明消臭剤全量の０．００１〜１０重量％程
度、好ましくは０．００５〜１重量％程度とすればよ
い。

【００４９】本発明消臭剤の一実施態様は、上記（ａ）
成分であるヒドラジド化合物と（ｂ）成分である陰イオ
ン界面活性剤とを、水及び／又は有機溶剤に溶解、分散
又は乳化させてなるものである。

【００５０】本発明においては、ヒドラジド化合物と陰
イオン界面活性剤とを溶解、分散又は乳化させる媒体と
して、水、有機溶媒及びこれらの混合溶媒を使用でき
る。有機溶剤としては特に制限されず、上記有効成分に
悪影響を与えないものであれば公知のものがいずれも使
用できるが、例えば、炭素数１〜８程度の直鎖又は分岐
鎖状の脂肪族飽和アルコール類、シクロペンタノール、
シクロヘキサノール等の脂環式アルコール類、エチレン
グリコール等の多価アルコール類、炭素数１〜８程度の
鎖状又は分岐鎖状又は環状の脂肪族炭化水素類、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、アルキ
ル部分が炭素数１〜８程度の直鎖又は分岐鎖状アルキル
であるジアルキルエーテル類、ジアリールエーテル類、
テトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エーテル類、
ケトン類、エステル類、アセトニトリル等のニトリル
類、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の
極性溶媒、リン酸エステル類等を挙げることができる。
これらの中でも、炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖状の脂
肪族飽和アルコール類及び芳香族炭化水素類が好まし
い。斯かる有機溶剤は、１種を単独で使用でき、又は２
種以上を併用できる。

【００５１】本発明消臭剤には、その効果が損なわれな
い範囲内で、必要に応じて酸化防止剤、紫外線吸収剤、
帯電防止剤、難燃剤、殺菌剤、防カビ剤、防虫剤、顔
料、着色剤、着香料等の一般的な添加剤が配合されてい
てもよい。

【００５２】本発明消臭剤は、通常の混合手段により、
所定量の（ａ）成分及び（ｂ）成分を水及び／又は有機
溶剤と混合することにより製造できる。

【００５３】本発明消臭剤を基材に適用するに際して
は、通常の塗布又は含浸方法が採用できる。基材は、木
材、紙、繊維、金属、セラミックス、無機繊維、合成樹
脂等の材料の１種又は２種以上で構成されたものであ
り、具体的には、ベニア板、ＭＤＦ合板（中質繊維
板）、化粧板、不織布、天井材、フィルム、フィルタ
ー、合成樹脂シート（例えばアクリル樹脂シート）等を
挙げることができる。

【００５４】本発明消臭剤を基材へ塗布又は含浸するに
際しては、公知の方法が採用でき、例えば、刷毛塗り、
スプレー塗布、浸漬等の方法を挙げることができる。本
発明消臭剤の塗布又は含浸量は特に制限されず、有効成
分である（ａ）成分や（ｂ）成分の種類や含有量、塗布
又は含浸しようとする基材の用途等に応じて広い範囲か
ら適宜選択できるが、通常、消臭剤が単位面積（１ｃｍ
²）当り、１ｍｇ〜１ｇ程度、好ましくは１０ｍｇ〜１
００ｍｇ程度となるように塗布又は含浸すればよい。

【００５５】本発明消臭剤の基材への塗布又は含浸後
は、例えば、風乾、ドライヤー等を用いた乾燥、恒温機
等の乾燥機内での乾燥等の通常の方法に従って、乾燥を
実施すればよい。

【００５６】

【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げ、本発明を具
体的に説明する。

【００５７】実施例１ カルボヒドラジド（消臭性成分）及び下記の硫酸エステ
ル型又はスルホン酸型の陰イオン界面活性剤を水に溶解
して、本発明の消臭剤を製造した。

【００５８】尚、カルボヒドラジドの濃度は１重量％、
硫酸エステル型又はスルホン酸型陰イオン界面活性剤の
濃度は１重量％とした。

【００５９】Ｎｏ．１：ポリオキシエチレンアルキルエ
ーテル硫酸エステルナトリウム（硫酸エステル型陰イオ
ン界面活性剤、商品名；ニューカルゲンＡ−２８Ｂ、竹
本油脂（株）製） Ｎｏ．２：アルキルナフタレンスルホン酸ナトリウム
（スルホン酸型陰イオン界面活性剤、商品名；ニューカ
ルゲンＢＸ−Ｃ、竹本油脂（株）製）。

【００６０】比較例１ 陰イオン界面活性剤としてポリオキシエチレンアルキル
エーテル（ポリオキシエチレンアルキルエーテル型非イ
オン界面活性剤、商品名；ニューカルゲンＤ−１２０
８、竹本油脂（株）製）を用いる以外は実施例１と同様
にして消臭剤を製造した。

【００６１】比較例２ 陰イオン界面活性剤を使用しない以外は、実施例１と同
様にして消臭剤を製造した。

【００６２】試験例１ 実施例１及び比較例１〜２で得られた各種消臭剤につい
て、「日本農林規格・普通合板・ホルムアルデヒド放散
量」の測定法に準じ、下記の方法に従って、その消臭性
能を評価した。

【００６３】（１）試料の調製 市販の合板（ベニヤ板又はＭＤＦ合板）から、長さ１５
０ｍｍ、幅５０ｍｍの長方形状のものを１０片ずつ切り
取り、実施例１及び比較例１〜２で得られた各種消臭剤
に１５秒間浸漬した後取り出し、一晩風乾し、それぞれ
１０片の試料を作成した。

【００６４】尚、ベニヤ合板については、別途「吹付け
処理」を施した試料を調製し、それらのホルムアルデヒ
ド放出濃度（ｍｇ／リットル）を測定した。より具体的
には、上記所定寸法のベニヤ合板片に、噴霧器にて均一
に消臭剤をスプレー塗布し、これを試料片とした。

【００６５】（２）ホルムアルデヒドの捕集 ＪＳＩ Ｒ ３５０３に規定する大きさ２４０ｍｍのデ
シケーターの底部に、３００ｍｌの蒸留水を入れた直径
１２０ｍｍ、高さ６０ｍｍの結晶皿を置き、その上に支
持金具を用いて１０片の試験片をそれぞれ接触しないよ
うに固定してのに、室温（２０〜２５℃）で２４時間、
１ヵ月又は３ヵ月放置し、試験片である合板から放散す
るホルムアルデヒドを蒸留水に吸収させ、試料溶液とし
た。尚、下記表１において、経過期間の項で、「処理直
後」とあるのは「２４時間放置」を意味する。以下の表
においても、同じである。

【００６６】（３）ホルムアルデヒド濃度の定量 試料溶液中のホルムアルデヒド濃度（ｍｇ／リットル）
は、アセチルアセトン法により分光光度計又は光電比色
計を用いて比色定量した。比色定量は、「日本農林規格
・普通合板・ホルムアルデヒド放散量」に詳述されてい
る方法に従って実施した。

【００６７】結果（ホルムアルデヒド濃度（ｍｇ／リッ
トル）＝試料の合板から放出されるホルムアルデヒド濃
度）を、表１に示す。

【００６８】尚、ブランクとして、無処理の合板から放
出されるホルムアルデヒド濃度を併記する。

【００６９】

【表１】

【００７０】表１から、ヒドラジド化合物及び特定の陰
イオン界面活性剤を含有する本発明消臭剤が、長期間に
亘って、優れたホルムアルデヒド除去効果を発現するこ
とが明らかである。

【００７１】実施例２ 消臭性成分として、カルボヒドラジドに代えてアジピン
酸ジヒドラジドを使用する以外は、実施例１と同様にし
て、本発明の消臭剤を製造した。

【００７２】比較例３ 硫酸エステル型又はスルホン酸型陰イオン界面活性剤に
代えてポリオキシエチレンアルキルエーテル（ポリオキ
シエチレンアルキルエーテル型非イオン界面活性剤、商
品名；ニューカルゲンＤ−１２０８）を用いる以外は実
施例２と同様にして、消臭剤を製造した。

【００７３】比較例４ 界面活性剤を使用しない以外は、実施例２と同様にして
消臭剤を製造した。

【００７４】試験例２ 試験例１と同様にしてホルムアルデヒド放出濃度（ｍｇ
／リットル）を測定し、実施例２及び比較例３〜４で得
られた各種消臭剤の消臭性能を評価した。結果を表２に
示す。

【００７５】

【表２】

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （ａ）ヒドラジド化合物並びに（ｂ）硫
   酸エステル型陰イオン界面活性剤及びスルホン酸型陰イ
   オン界面活性剤から選ばれる少なくとも１種の陰イオン
   界面活性剤を含有する消臭剤。
2. 【請求項２】 （ａ）ヒドラジド化合物並びに（ｂ）硫
   酸エステル型陰イオン界面活性剤及びスルホン酸型陰イ
   オン界面活性剤から選ばれる少なくとも１種の陰イオン
   界面活性剤を、水及び／又は有機溶剤に溶解、分散又は
   乳化させてなる請求項１に記載の消臭剤。
3. 【請求項３】 （ａ）成分のヒドラジド化合物が一般式 Ｈ₂ＮＨＮ−Ｘ−ＮＨＮＨ₂ 〔式中Ｘは基−ＣＯ−又は基−ＣＯ−Ａ−ＣＯ−を示
   す。Ａはアルキレン基又はアリーレン基を示す。〕で表
   されるジヒドラジド化合物である請求項１又は請求項２
   に記載の消臭剤。
4. 【請求項４】 （ａ）成分のヒドラジド化合物がアジピ
   ン酸ジヒドラジド、セバシン酸ヒドラジド及びドデカン
   二酸ジヒドラジドからなる群より選ばれる少なくとも１
   種である請求項１又は請求項２に記載の消臭剤。
5. 【請求項５】 （ｂ）成分の硫酸エステル型陰イオン界
   面活性剤が一般式 （Ｒ⁴Ｏ(ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ)_mＳＯ₃)_nＭ 〔式中、Ｒ⁴は炭素数６〜３０のアルキル基又は置換基
   として炭素数７〜１０のアルキル基を有することのある
   フェニル基を示す。ｍは２〜４の整数を示す。Ｍは１価
   又は２価の陽イオンを示す。ｎは１又は２を示す。但
   し、Ｍが１価の陽イオンを示す時、ｎは１であり、Ｍが
   ２価の陽イオンを示す時、ｎは２である。〕で表される
   アルキルエーテル硫酸エステル塩である請求項１〜請求
   項４に記載の消臭剤。
6. 【請求項６】 （ｂ）成分のスルホン酸型陰イオン界面
   活性剤が一般式 【化１】 〔式中、Ｍ及びｎは上記に同じ。Ｒ⁵は炭素数１〜６の
   アルキル基を示す。ｌは１又は２を示す。〕で表される
   アルキルナフタレンスルホン酸塩である請求項１〜請求
   項４に記載の消臭剤。
7. 【請求項７】 消臭剤全量中に（ａ）成分を０．１〜５
   ０重量％、（ｂ）成分を０．００１〜１０重量％含有す
   る請求項１〜請求項６に記載の消臭剤。