JPH11307002A - クラスターの生成方法及びその装置 - Google Patents
クラスターの生成方法及びその装置Info
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- JPH11307002A JPH11307002A JP10116812A JP11681298A JPH11307002A JP H11307002 A JPH11307002 A JP H11307002A JP 10116812 A JP10116812 A JP 10116812A JP 11681298 A JP11681298 A JP 11681298A JP H11307002 A JPH11307002 A JP H11307002A
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- skimmer
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Abstract
(57)【要約】
【課題】生成されたクラスターのサイズ分布を狭くして
放出させることができるクラスター生成方法と、クラス
ター出口に所定形状のスキマーを配置すると共に実質的
なクラスター生成領域の長さを調整できるようにした独
立構成のクラスター生成装置を提供することにある。 【解決手段】マグネトロンスパッター法によりクラスタ
ー生成室１内で発生した蒸気を冷却ガスで冷却してクラ
スターを生成し、クラスター生成室のクラスター出口４
から放出させるクラスター生成方法とその装置におい
て、クラスター出口にスキマー３を配置して該クラスタ
ー出口から放出されるクラスターのサイズ分布を狭くす
る。
放出させることができるクラスター生成方法と、クラス
ター出口に所定形状のスキマーを配置すると共に実質的
なクラスター生成領域の長さを調整できるようにした独
立構成のクラスター生成装置を提供することにある。 【解決手段】マグネトロンスパッター法によりクラスタ
ー生成室１内で発生した蒸気を冷却ガスで冷却してクラ
スターを生成し、クラスター生成室のクラスター出口４
から放出させるクラスター生成方法とその装置におい
て、クラスター出口にスキマー３を配置して該クラスタ
ー出口から放出されるクラスターのサイズ分布を狭くす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マグネトロンスパ
ッタ法によるクラスターの生成方法とその装置に係り、
特に融点の高い金属あるいは誘電体についてのクラスタ
ー生成が可能な方法とそのための装置に関する。
ッタ法によるクラスターの生成方法とその装置に係り、
特に融点の高い金属あるいは誘電体についてのクラスタ
ー生成が可能な方法とそのための装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、マグネトロンスパッターガン
を使用し、アルゴンガス雰囲気中で金属あるいは誘電体
によるターゲットに電界を与え、発生する電子によりア
ルゴンをスパッタリングし、発生する蒸気をヘリウムガ
ス等で冷却して原子あるいは分子の集団（クラスター）
を生成し、このクラスターをイオン化して所望のエネル
ギーに加速し、固体表面に照射することが行われてい
る。
を使用し、アルゴンガス雰囲気中で金属あるいは誘電体
によるターゲットに電界を与え、発生する電子によりア
ルゴンをスパッタリングし、発生する蒸気をヘリウムガ
ス等で冷却して原子あるいは分子の集団（クラスター）
を生成し、このクラスターをイオン化して所望のエネル
ギーに加速し、固体表面に照射することが行われてい
る。
【０００３】クラスター生成部の基本的な構成として
は、アルゴンガス及びヘリウムガスが供給されるように
したクラスター生成室内にマグネトロンスパッター部を
配置し、該スパッター部に配置したターゲットの原子に
よりアルゴンをスパッタリングし、発生した蒸気を前記
ヘリウムガスで冷却してターゲットの原子を結合させて
クラスターを生成し、クラスター生成室の端部に設けた
スリット状のクラスター出口（絞り部）から放出される
ようになっている。
は、アルゴンガス及びヘリウムガスが供給されるように
したクラスター生成室内にマグネトロンスパッター部を
配置し、該スパッター部に配置したターゲットの原子に
よりアルゴンをスパッタリングし、発生した蒸気を前記
ヘリウムガスで冷却してターゲットの原子を結合させて
クラスターを生成し、クラスター生成室の端部に設けた
スリット状のクラスター出口（絞り部）から放出される
ようになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来のクラ
スターイオンビーム注入技術は、クラスター生成部にお
けるクラスター出口がスリット状をなしているため、出
口で絞られて放出されたクラスターが分散してしまい、
クラスターサイズ分布が拡がってしまうという欠点があ
った。
スターイオンビーム注入技術は、クラスター生成部にお
けるクラスター出口がスリット状をなしているため、出
口で絞られて放出されたクラスターが分散してしまい、
クラスターサイズ分布が拡がってしまうという欠点があ
った。
【０００５】また、アルゴンやヘリウムのガス圧、供給
量、マグネトロンのタイプ等の他の諸条件との兼ね合い
もあるが、実質的なクラスター生成領域であるマグネト
ロンスパッター部と前記出口との間の距離が一定である
と、クラスターのサイズ等を可変することができない。
量、マグネトロンのタイプ等の他の諸条件との兼ね合い
もあるが、実質的なクラスター生成領域であるマグネト
ロンスパッター部と前記出口との間の距離が一定である
と、クラスターのサイズ等を可変することができない。
【０００６】クラスター生成部で生成されたクラスター
は、通常、中性で生成されるが、従来は生成されたクラ
スターをイオン化して使用することだけを目的とし、ク
ラスター生成装置として独立させた構成のものはなかっ
た。しかし、用途によっては、中性、陽性、陰性のクラ
スターとして取り出せるようにすることも要請される。
は、通常、中性で生成されるが、従来は生成されたクラ
スターをイオン化して使用することだけを目的とし、ク
ラスター生成装置として独立させた構成のものはなかっ
た。しかし、用途によっては、中性、陽性、陰性のクラ
スターとして取り出せるようにすることも要請される。
【０００７】そこで、本発明の目的は、前記のような従
来の欠点を解消し、生成されたクラスターのサイズ分布
を狭くして放出させることができるクラスター生成方法
と、クラスター出口に所定形状のスキマーを配置すると
共に実質的なクラスター生成領域の長さを調整できるよ
うにした独立構成のクラスター生成装置を提供すること
にある。
来の欠点を解消し、生成されたクラスターのサイズ分布
を狭くして放出させることができるクラスター生成方法
と、クラスター出口に所定形状のスキマーを配置すると
共に実質的なクラスター生成領域の長さを調整できるよ
うにした独立構成のクラスター生成装置を提供すること
にある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者は、従来の前記
のような課題を有するクラスターの生成方法及びその装
置について鋭意検討した結果、クラスター生成室のクラ
スター出口に所定形状のスキマーを配置することにより
スキマーのサイズ分布を狭めることができること、ま
た、実質的なクラスター生成領域の長さを調整できるよ
うにすることにより、他の諸条件を適宜設定すれば、融
点の高い金属や誘電体であってもクラスターを生成でき
ると共に、中性、陽性、陰性のクラスターを生成でき、
クラスターの大きさも任意に設定できることを見出し、
本発明に到達した。
のような課題を有するクラスターの生成方法及びその装
置について鋭意検討した結果、クラスター生成室のクラ
スター出口に所定形状のスキマーを配置することにより
スキマーのサイズ分布を狭めることができること、ま
た、実質的なクラスター生成領域の長さを調整できるよ
うにすることにより、他の諸条件を適宜設定すれば、融
点の高い金属や誘電体であってもクラスターを生成でき
ると共に、中性、陽性、陰性のクラスターを生成でき、
クラスターの大きさも任意に設定できることを見出し、
本発明に到達した。
【０００９】本発明のクラスターの生成方法は、マグネ
トロンスパッター法によりクラスター生成室内で発生し
た蒸気を冷却ガスで冷却してクラスターを生成し、クラ
スター生成室のクラスター出口から放出させるクラスタ
ー生成方法において、クラスター出口にスキマーを配置
して該クラスター出口から放出されるクラスターのサイ
ズ分布を狭くすることを特徴とする。
トロンスパッター法によりクラスター生成室内で発生し
た蒸気を冷却ガスで冷却してクラスターを生成し、クラ
スター生成室のクラスター出口から放出させるクラスタ
ー生成方法において、クラスター出口にスキマーを配置
して該クラスター出口から放出されるクラスターのサイ
ズ分布を狭くすることを特徴とする。
【００１０】これにより、クラスター生成室からクラス
ター出口を介して真空側に放出されるクラスターはスキ
マーを通過することによりサイズ分布が狭くなり、シャ
ープなものとなる。
ター出口を介して真空側に放出されるクラスターはスキ
マーを通過することによりサイズ分布が狭くなり、シャ
ープなものとなる。
【００１１】本発明のクラスター生成装置は、クラスタ
ー生成室と該クラスター生成室内に配置されたマグネト
ロン型のスパッター部とを備えたクラスター生成装置で
あって、クラスター生成室のクラスター出口にスキマー
を配置して該出口から放出されるクラスターのサイズ分
布を狭くするように構成したことを特徴とする。これに
より、中性、陽性あるいは陰性のクラスターを生成で
き、クラスターはスキマーを通過するためサイズ分布が
狭くなり、シャープなものとなって、その後のクラスタ
ーのイオンビーム化等の利用に有利である。
ー生成室と該クラスター生成室内に配置されたマグネト
ロン型のスパッター部とを備えたクラスター生成装置で
あって、クラスター生成室のクラスター出口にスキマー
を配置して該出口から放出されるクラスターのサイズ分
布を狭くするように構成したことを特徴とする。これに
より、中性、陽性あるいは陰性のクラスターを生成で
き、クラスターはスキマーを通過するためサイズ分布が
狭くなり、シャープなものとなって、その後のクラスタ
ーのイオンビーム化等の利用に有利である。
【００１２】さらに、本発明の他の態様は、上記クラス
ター生成装置において、スパッター部がクラスター生成
室内で移動できるようになっていてスキマーとの間の距
離を調整し得るように構成されていることを特徴とす
る。これにより、実質的なスキマー生成領域を調整で
き、供給されるガスの流量やスパッタリングレートを可
変調整することで、生成されるスキマーの大きさを設定
することができる。
ター生成装置において、スパッター部がクラスター生成
室内で移動できるようになっていてスキマーとの間の距
離を調整し得るように構成されていることを特徴とす
る。これにより、実質的なスキマー生成領域を調整で
き、供給されるガスの流量やスパッタリングレートを可
変調整することで、生成されるスキマーの大きさを設定
することができる。
【００１３】また、本発明の他の態様は、上記クラスタ
ー生成装置において、スキマーは内端側を狭搾した筒状
形状をなしていることを特徴とする。これにより、スキ
マーのサイズ分布を効率的にシャープ化することができ
る。
ー生成装置において、スキマーは内端側を狭搾した筒状
形状をなしていることを特徴とする。これにより、スキ
マーのサイズ分布を効率的にシャープ化することができ
る。
【００１４】更に、本発明の別の態様のものは、上記ク
ラスター生成装置において、スキマーの外側に第２のス
キマーが配置されていることを特徴とする。これによ
り、クラスターは２段のスキマーで絞られ、サイズ分布
がシャープ化される。
ラスター生成装置において、スキマーの外側に第２のス
キマーが配置されていることを特徴とする。これによ
り、クラスターは２段のスキマーで絞られ、サイズ分布
がシャープ化される。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明に係るクラスターの生成方
法及びその装置の実施形態を図１に基づいて説明する。
本発明のクラスター生成装置は、クラスター生成室１と
該クラスター生成室内に配置されたマグネトロンスパッ
ター部２とを備え、クラスター生成室１のクラスター出
口４にスキマー３を配置して該出口から放出されるクラ
スターＣのサイズ分布を狭くするように構成されてお
り、マグネトロンスパッター部２はクラスター生成室１
内で移動できるようになっていて前記スキマー３との間
の距離を調整し得るように構成されている。
法及びその装置の実施形態を図１に基づいて説明する。
本発明のクラスター生成装置は、クラスター生成室１と
該クラスター生成室内に配置されたマグネトロンスパッ
ター部２とを備え、クラスター生成室１のクラスター出
口４にスキマー３を配置して該出口から放出されるクラ
スターＣのサイズ分布を狭くするように構成されてお
り、マグネトロンスパッター部２はクラスター生成室１
内で移動できるようになっていて前記スキマー３との間
の距離を調整し得るように構成されている。
【００１６】クラスター生成室１は前壁６及び後壁７を
設けた筒状体５で形成され、実質上のクラスター生成領
域の外周は内外二重筒で構成されており、インレット８
及びアウトレット９を通じて循環する冷却水により冷却
される。前記前壁６にクラスター出口４が設けられ、該
出口に筒状体の内端側を狭窄した形状のスキマー３が設
けられている。
設けた筒状体５で形成され、実質上のクラスター生成領
域の外周は内外二重筒で構成されており、インレット８
及びアウトレット９を通じて循環する冷却水により冷却
される。前記前壁６にクラスター出口４が設けられ、該
出口に筒状体の内端側を狭窄した形状のスキマー３が設
けられている。
【００１７】マグネトロンスパッター部２は保持パイプ
１０で保持され、該保持パイプ１０は前記後壁７に設け
た軸受部１１でスライド自在に支持されている。軸受部
１１はウイルソンシール１２で放電防止され、軸受部内
部はバキューム口１３を介して吸気することにより真空
状態が保持されている。
１０で保持され、該保持パイプ１０は前記後壁７に設け
た軸受部１１でスライド自在に支持されている。軸受部
１１はウイルソンシール１２で放電防止され、軸受部内
部はバキューム口１３を介して吸気することにより真空
状態が保持されている。
【００１８】後壁７からはガイドバー１４が延設され、
該ガイドバー１４にリニアモーション１５がスライド自
在に保持されており、該リニアモーション１５に前記マ
グネトロンスパッター部２の保持パイプ１０の後端が固
定されている。リニアモーション１５はスクリュー軸１
６と噛合しており、ノブ１７を回転させることにより前
後方向に移動し、保持パイプ１０の先端のマグネトロン
スパッター部２を移動させてスキマー３との間の距離、
即ち、実質上のクラスター生成領域の長短を調整できる
ようになっている。
該ガイドバー１４にリニアモーション１５がスライド自
在に保持されており、該リニアモーション１５に前記マ
グネトロンスパッター部２の保持パイプ１０の後端が固
定されている。リニアモーション１５はスクリュー軸１
６と噛合しており、ノブ１７を回転させることにより前
後方向に移動し、保持パイプ１０の先端のマグネトロン
スパッター部２を移動させてスキマー３との間の距離、
即ち、実質上のクラスター生成領域の長短を調整できる
ようになっている。
【００１９】実施例では前記スキマー３の外側に断面
「ハ」の字型の第２のスキマー３１が配置されている。
なお、１８は開閉ノブ１９によって開閉するシャッタ
ー、Ｐは真空領域を示す。
「ハ」の字型の第２のスキマー３１が配置されている。
なお、１８は開閉ノブ１９によって開閉するシャッタ
ー、Ｐは真空領域を示す。
【００２０】マグネトロンスパッター部２は、図２に示
す通り、磁性筐体２１内にマグネット２１が配置される
と共に磁性筐体２１の前面側にターゲットＴが固定さ
れ、前記保持パイプ１０の内部を通した循環パイプ２４
を介して筐体内部に冷却水Ｗを循環させてるようになっ
ている。前記保持パイプ１０の内部には電源ワイヤ２３
及びアルゴン供給パイプ２５が通され、アルゴンガスＡ
ｒが効率的にマグネトロンスパッター部２の周辺に供給
されるようになっている。冷却媒体たるヘリウムガス
は、通常、前記後壁７に設けた供給口２０からクラスタ
ー生成室１内に供給される。
す通り、磁性筐体２１内にマグネット２１が配置される
と共に磁性筐体２１の前面側にターゲットＴが固定さ
れ、前記保持パイプ１０の内部を通した循環パイプ２４
を介して筐体内部に冷却水Ｗを循環させてるようになっ
ている。前記保持パイプ１０の内部には電源ワイヤ２３
及びアルゴン供給パイプ２５が通され、アルゴンガスＡ
ｒが効率的にマグネトロンスパッター部２の周辺に供給
されるようになっている。冷却媒体たるヘリウムガス
は、通常、前記後壁７に設けた供給口２０からクラスタ
ー生成室１内に供給される。
【００２１】前記のような構成において、クラスター生
成室１でアルゴンがターゲットＴをスパッターし、放出
されたターゲット原子は、プラズマ化される過程でイオ
ン化されると共にヘリウムで冷却されることにより、原
子が集団化して中性のクラスターや陽性あるいは陰性の
クラスターＣが生成される。生成されたクラスターＣ
は、クラスター出口４から真空Ｐ側に吸引されて放出さ
れるが、スキマー３を通過させることにより、クラスタ
ーのサイズ分布が狭くなり、更に必要に応じて設けられ
ている第２のスキマー３１で絞られてよりシャープ化す
ることができる。
成室１でアルゴンがターゲットＴをスパッターし、放出
されたターゲット原子は、プラズマ化される過程でイオ
ン化されると共にヘリウムで冷却されることにより、原
子が集団化して中性のクラスターや陽性あるいは陰性の
クラスターＣが生成される。生成されたクラスターＣ
は、クラスター出口４から真空Ｐ側に吸引されて放出さ
れるが、スキマー３を通過させることにより、クラスタ
ーのサイズ分布が狭くなり、更に必要に応じて設けられ
ている第２のスキマー３１で絞られてよりシャープ化す
ることができる。
【００２２】マグネトロンスパッター部２を移動させ
て、実質的なクラスター生成領域の長さを調整すること
により、アルゴンやヘリウムの流量、マグネトロンのタ
イプの選定、スパッターレート等の他の諸条件を適宜設
定すれば、融点の高い金属や誘電体であってもクラスタ
ーを生成できると共に、中性、陽性、陰性のクラスター
を生成でき、クラスターの大きさも任意に設定できる。
て、実質的なクラスター生成領域の長さを調整すること
により、アルゴンやヘリウムの流量、マグネトロンのタ
イプの選定、スパッターレート等の他の諸条件を適宜設
定すれば、融点の高い金属や誘電体であってもクラスタ
ーを生成できると共に、中性、陽性、陰性のクラスター
を生成でき、クラスターの大きさも任意に設定できる。
【００２３】
【発明の効果】本発明のクラスターの生成方法によれ
ば、クラスター生成室からクラスター出口を介して真空
側に放出されるクラスターはスキマーを通過することに
よりサイズ分布が狭くなり、シャープ化することができ
る。
ば、クラスター生成室からクラスター出口を介して真空
側に放出されるクラスターはスキマーを通過することに
よりサイズ分布が狭くなり、シャープ化することができ
る。
【００２４】本発明のクラスター生成装置によれば、タ
ーゲットの素材（アルミニウム，珪素，鉄，コバルトな
ど）の種類に応じて中性、陽性あるいは陰性のクラスタ
ーを生成でき、クラスターはスキマーを通過するからサ
イズ分布が狭くなり、シャープなものとなって、その後
のクラスターのイオンビーム化等の利用に有利である。
ーゲットの素材（アルミニウム，珪素，鉄，コバルトな
ど）の種類に応じて中性、陽性あるいは陰性のクラスタ
ーを生成でき、クラスターはスキマーを通過するからサ
イズ分布が狭くなり、シャープなものとなって、その後
のクラスターのイオンビーム化等の利用に有利である。
【００２５】また、別の態様のものにおいては、実質的
なスキマー生成領域を調整でき、供給されるガスの流量
やスパッタリングレートを可変調整することで、生成さ
れるスキマーの大きさを適宜設定することができる。
なスキマー生成領域を調整でき、供給されるガスの流量
やスパッタリングレートを可変調整することで、生成さ
れるスキマーの大きさを適宜設定することができる。
【００２６】更に別の態様のものにおいては、スキマー
のサイズ分布を効率的にシャープ化することができ、ま
た、他の態様のものにおいては、クラスターは２段のス
キマーで絞られ、サイズ分布をよりシャープ化すること
ができる。
のサイズ分布を効率的にシャープ化することができ、ま
た、他の態様のものにおいては、クラスターは２段のス
キマーで絞られ、サイズ分布をよりシャープ化すること
ができる。
【図１】 本発明のクラスター生成装置を示す断面図。
【図２】 マグネトロンスパッター部の断面図。
１： クラスター生成室 ２： マグネトロンスパッター部 ３： スキマー ３１： 第２のスキマー ４： クラスター出口
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年３月２９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】本発明のクラスターの生成方法は、マグネ
トロンスパッター法によりクラスター生成室内で発生し
た蒸気を冷却ガスで冷却してクラスターを生成し、クラ
スター生成室のクラスター出口から放出させるクラスタ
ー生成方法において、クラスター出口にスキマーを配置
し、スパッター部をクラスター生成室内で移動して該ス
パッター部と該スキマーとの間の距離を調整して、中
性、陽性又は陰性の任意の大きさのクラスターを生成
し、該クラスター出口から放出されるクラスターのサイ
ズ分布を狭くすることを特徴とする。
トロンスパッター法によりクラスター生成室内で発生し
た蒸気を冷却ガスで冷却してクラスターを生成し、クラ
スター生成室のクラスター出口から放出させるクラスタ
ー生成方法において、クラスター出口にスキマーを配置
し、スパッター部をクラスター生成室内で移動して該ス
パッター部と該スキマーとの間の距離を調整して、中
性、陽性又は陰性の任意の大きさのクラスターを生成
し、該クラスター出口から放出されるクラスターのサイ
ズ分布を狭くすることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】これにより、実質的なスキマー生成領域を
調整でき、供給されるガスの流量やスパッタリングレー
トを可変調整することで、中性、陽性あるいは陰性のク
ラスターを生成でき、生成されるクラスターの大きさを
設定することができる。また、クラスター生成室からク
ラスター出口を介して真空側に放出されるクラスターは
スキマーを通過することによりサイズ分布が狭くなり、
シャープなものとなる。
調整でき、供給されるガスの流量やスパッタリングレー
トを可変調整することで、中性、陽性あるいは陰性のク
ラスターを生成でき、生成されるクラスターの大きさを
設定することができる。また、クラスター生成室からク
ラスター出口を介して真空側に放出されるクラスターは
スキマーを通過することによりサイズ分布が狭くなり、
シャープなものとなる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】本発明のクラスター生成装置は、クラスタ
ー生成室と該クラスター生成室内に配置されたマグネト
ロンスパッター部とを備えたクラスター生成装置であっ
て、クラスター生成室のクラスター出口にスキマーを配
置し、該スパッター部がクラスター生成室内で移動して
該スパッター部と該スキマーとの間の距離が調整し得る
ように構成され、中性、陽性又は陰性の任意の大きさの
クラスターを生成し、該クラスター出口から放出される
クラスターのサイズ分布を狭くするように構成したこと
を特徴とする。これにより、実質的なスキマー生成領域
を調整でき、供給されるガスの流量やスパッタリングレ
ートを可変調整することで、中性、陽性あるいは陰性の
クラスターを生成でき、生成されるクラスターの大きさ
を設定することができる。また、クラスター生成室から
クラスター出口を介して真空側に放出されるクラスター
はスキマーを通過することによりサイズ分布が狭くな
り、シャープなものとなって、その後のクラスターのイ
オンビーム化等の利用に有利である。
ー生成室と該クラスター生成室内に配置されたマグネト
ロンスパッター部とを備えたクラスター生成装置であっ
て、クラスター生成室のクラスター出口にスキマーを配
置し、該スパッター部がクラスター生成室内で移動して
該スパッター部と該スキマーとの間の距離が調整し得る
ように構成され、中性、陽性又は陰性の任意の大きさの
クラスターを生成し、該クラスター出口から放出される
クラスターのサイズ分布を狭くするように構成したこと
を特徴とする。これにより、実質的なスキマー生成領域
を調整でき、供給されるガスの流量やスパッタリングレ
ートを可変調整することで、中性、陽性あるいは陰性の
クラスターを生成でき、生成されるクラスターの大きさ
を設定することができる。また、クラスター生成室から
クラスター出口を介して真空側に放出されるクラスター
はスキマーを通過することによりサイズ分布が狭くな
り、シャープなものとなって、その後のクラスターのイ
オンビーム化等の利用に有利である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】また、本発明の他の態様は、上記クラスタ
ー生成装置において、スキマーは内端側を狭搾した筒状
形状をなしていることを特徴とする。これにより、クラ
スターのサイズ分布を効率的にシャープ化することがで
きる。
ー生成装置において、スキマーは内端側を狭搾した筒状
形状をなしていることを特徴とする。これにより、クラ
スターのサイズ分布を効率的にシャープ化することがで
きる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２０】マグネトロンスパッター部２は、図２に示
す通り、磁性筐体２２内にマグネット２１が配置される
と共に磁性筐体２２の前面側にターゲットＴが固定さ
れ、前記保持パイプ１０の内部を通した循環パイプ２４
を介して筐体内部に冷却水Ｗを循環させてるようになっ
ている。前記保持パイプ１０の内部には電源ワイヤ２３
及びアルゴン供給パイプ２５が通され、アルゴンガスＡ
ｒが効率的にマグネトロンスパッター部２の周辺に供給
されるようになっている。冷却媒体たるヘリウムガス
は、通常、前記後壁７に設けた供給口２０からクラスタ
ー生成室１内に供給される。
す通り、磁性筐体２２内にマグネット２１が配置される
と共に磁性筐体２２の前面側にターゲットＴが固定さ
れ、前記保持パイプ１０の内部を通した循環パイプ２４
を介して筐体内部に冷却水Ｗを循環させてるようになっ
ている。前記保持パイプ１０の内部には電源ワイヤ２３
及びアルゴン供給パイプ２５が通され、アルゴンガスＡ
ｒが効率的にマグネトロンスパッター部２の周辺に供給
されるようになっている。冷却媒体たるヘリウムガス
は、通常、前記後壁７に設けた供給口２０からクラスタ
ー生成室１内に供給される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２５】また、別の態様のものにおいては、実質的
なクラスター生成領域を調整でき、供給されるガスの流
量やスパッタリングレートを可変調整することで、生成
されるクラスターの大きさを適宜設定することができ
る。
なクラスター生成領域を調整でき、供給されるガスの流
量やスパッタリングレートを可変調整することで、生成
されるクラスターの大きさを適宜設定することができ
る。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２６】更に別の態様のものにおいては、クラスタ
ーのサイズ分布を効率的にシャープ化することができ、
また、他の態様のものにおいては、クラスターは２段の
スキマーで絞られ、サイズ分布をよりシャープ化するこ
とができる。
ーのサイズ分布を効率的にシャープ化することができ、
また、他の態様のものにおいては、クラスターは２段の
スキマーで絞られ、サイズ分布をよりシャープ化するこ
とができる。
Claims (5)
- 【請求項１】 マグネトロンスパッター法によりクラス
ター生成室内で発生した蒸気を冷却ガスで冷却してクラ
スターを生成し、クラスター生成室のクラスター出口か
ら放出させるクラスター生成方法において、クラスター
出口にスキマーを配置して該クラスター出口から放出さ
れるクラスターのサイズ分布を狭くすることを特徴とす
るクラスターの生成方法。 - 【請求項２】 クラスター生成室と該クラスター生成室
内に配置されたマグネトロンスパッター部とを備えたク
ラスター生成装置であって、クラスター生成室のクラス
ター出口にスキマーを配置して該出口から放出されるク
ラスターのサイズ分布を狭くするように構成したことを
特徴とするクラスター生成装置。 - 【請求項３】 スパッター部がクラスター生成室内で移
動できるように構成されていると共に、スキマーとの間
の距離を調整し得るように構成されていることを特徴と
する請求項２記載のクラスター生成装置。 - 【請求項４】 スキマーの形状が、内端側を狭搾した筒
状形状であることを特徴とする請求項２記載のクラスタ
ー生成装置。 - 【請求項５】 スキマーの外側に第２のスキマーが配置
されていることを特徴とする請求項２記載のクラスター
生成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10116812A JP2957161B1 (ja) | 1998-04-27 | 1998-04-27 | クラスターの生成方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10116812A JP2957161B1 (ja) | 1998-04-27 | 1998-04-27 | クラスターの生成方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2957161B1 JP2957161B1 (ja) | 1999-10-04 |
| JPH11307002A true JPH11307002A (ja) | 1999-11-05 |
Family
ID=14696265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10116812A Expired - Fee Related JP2957161B1 (ja) | 1998-04-27 | 1998-04-27 | クラスターの生成方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2957161B1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003092033A1 (fr) * | 2002-04-23 | 2003-11-06 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Generateur de faisceaux utilisant une molecule metallique polynucleaire |
| JP2007087972A (ja) * | 2007-01-05 | 2007-04-05 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 分子ビーム装置 |
| JP2007134346A (ja) * | 2007-01-10 | 2007-05-31 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 分子ビーム装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5493139B1 (ja) | 2013-05-29 | 2014-05-14 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ナノクラスター生成装置 |
-
1998
- 1998-04-27 JP JP10116812A patent/JP2957161B1/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003092033A1 (fr) * | 2002-04-23 | 2003-11-06 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Generateur de faisceaux utilisant une molecule metallique polynucleaire |
| JP2007087972A (ja) * | 2007-01-05 | 2007-04-05 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 分子ビーム装置 |
| JP2007134346A (ja) * | 2007-01-10 | 2007-05-31 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 分子ビーム装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2957161B1 (ja) | 1999-10-04 |
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