JPH11307456A - 半導体基板表面処理装置における排気装置 - Google Patents
半導体基板表面処理装置における排気装置Info
- Publication number
- JPH11307456A JPH11307456A JP10894498A JP10894498A JPH11307456A JP H11307456 A JPH11307456 A JP H11307456A JP 10894498 A JP10894498 A JP 10894498A JP 10894498 A JP10894498 A JP 10894498A JP H11307456 A JPH11307456 A JP H11307456A
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- heating furnace
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 12
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- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 8
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 abstract description 2
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体基板表面処理装置における加熱炉１か
らの排気ガスを、当該排気ガス中の粉末状生成物を捕集
するトラップ４を備えた排気ダクト管３を介してドライ
ポンプ２に導いて排気する場合に、前記排気ガス中の粉
末状生成物が塊の状態になって前記トラップ４に詰まる
ことを低減する。 【手段】 前記排気ダクト管３のうち前記トラップ３よ
り上流側の部分に、立ち上がり部３ｂ又は立ち下がり部
３ａを設けて、この立ち上がり部３ｂ又は立ち下がり部
３ａにおいて、前記粉末状生成物の塊を、受けボックス
５に入るように捕集する。
らの排気ガスを、当該排気ガス中の粉末状生成物を捕集
するトラップ４を備えた排気ダクト管３を介してドライ
ポンプ２に導いて排気する場合に、前記排気ガス中の粉
末状生成物が塊の状態になって前記トラップ４に詰まる
ことを低減する。 【手段】 前記排気ダクト管３のうち前記トラップ３よ
り上流側の部分に、立ち上がり部３ｂ又は立ち下がり部
３ａを設けて、この立ち上がり部３ｂ又は立ち下がり部
３ａにおいて、前記粉末状生成物の塊を、受けボックス
５に入るように捕集する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップの製
造に際して使用するシリコンウエハー等の半導体基板を
加熱炉中に入れて、その表面に、不純物を拡散すると
か、或いは、酸化膜等の各種膜の形成する等の表面処理
を行う装置において、前記加熱炉内の排気を行うための
装置に関するものである。
造に際して使用するシリコンウエハー等の半導体基板を
加熱炉中に入れて、その表面に、不純物を拡散すると
か、或いは、酸化膜等の各種膜の形成する等の表面処理
を行う装置において、前記加熱炉内の排気を行うための
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、前記半導体基板表面処理装置に
おいては、加熱炉内における一部のガスを、ドライポン
プにて排気しながら半導体基板の表面処理を行うが、前
記加熱炉からの排気ガス中には、表面処理の際に発生す
る粉末状の生成物を含んでいるから、この排気ガスをそ
のままドライポンプに吸引することは、ドライポンプに
おける耐久性が、前記粉末状の生成物のために急激に低
下することになる。
おいては、加熱炉内における一部のガスを、ドライポン
プにて排気しながら半導体基板の表面処理を行うが、前
記加熱炉からの排気ガス中には、表面処理の際に発生す
る粉末状の生成物を含んでいるから、この排気ガスをそ
のままドライポンプに吸引することは、ドライポンプに
おける耐久性が、前記粉末状の生成物のために急激に低
下することになる。
【０００３】そこで、従来は、前記加熱炉からドライポ
ンプに至る排気ダクト管の途中に、多孔板を内蔵したト
ラップを設けて、このトラップにおいて、前記加熱炉か
らの排気ガス中に含まれている粉末状生成物を捕集する
ように構成している。
ンプに至る排気ダクト管の途中に、多孔板を内蔵したト
ラップを設けて、このトラップにおいて、前記加熱炉か
らの排気ガス中に含まれている粉末状生成物を捕集する
ように構成している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記加熱炉か
らの排気ガス中における粉末状生成物を、前記トラップ
内において確実に捕集するには、当該トラップ内の多孔
板における孔を小さくする必要があるが、前記排気ガス
中における粉末状生成物は塊に成長し易くて、この粉末
状生成物の塊が、トラップ内に来たとき、直ちに、この
トラップ内の多孔板における孔を詰めることにより、排
気量の低減又は排気の不能が発生するから、従来の装置
では、前記トラップにおける詰まりのために、半導体基
板に対する表面処理を短い時間の間隔で頻繁に停止しな
ければならず、このために、表面処理の作業能率が低下
すると言う言う問題があった。
らの排気ガス中における粉末状生成物を、前記トラップ
内において確実に捕集するには、当該トラップ内の多孔
板における孔を小さくする必要があるが、前記排気ガス
中における粉末状生成物は塊に成長し易くて、この粉末
状生成物の塊が、トラップ内に来たとき、直ちに、この
トラップ内の多孔板における孔を詰めることにより、排
気量の低減又は排気の不能が発生するから、従来の装置
では、前記トラップにおける詰まりのために、半導体基
板に対する表面処理を短い時間の間隔で頻繁に停止しな
ければならず、このために、表面処理の作業能率が低下
すると言う言う問題があった。
【０００５】本発明は、この問題を解消した排気装置を
提供することを技術的課題とするものである。
提供することを技術的課題とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため本発明は、「半導体基板表面処理装置における加
熱炉からドライポンプに至る排気ダクト管の途中に、多
孔板を内蔵したトラップを設けて成る排気装置におい
て、前記排気ダクト管のうち前記トラップより上流側の
部分に、当該排気ダクト管の下から上向きへの立ち上が
り部、又は上から下向きへの立ち下がり部を設け、この
立ち上がり部又は立ち下がり部の下端に、粉末状生成物
の受けボックスを着脱自在に装着する。」と言う構成に
した。
るため本発明は、「半導体基板表面処理装置における加
熱炉からドライポンプに至る排気ダクト管の途中に、多
孔板を内蔵したトラップを設けて成る排気装置におい
て、前記排気ダクト管のうち前記トラップより上流側の
部分に、当該排気ダクト管の下から上向きへの立ち上が
り部、又は上から下向きへの立ち下がり部を設け、この
立ち上がり部又は立ち下がり部の下端に、粉末状生成物
の受けボックスを着脱自在に装着する。」と言う構成に
した。
【０００７】
【発明の作用・効果】このように、排気ダクト管のうち
トラップより上流側の部分に、当該排気ダクト管の下か
ら上向きへの立ち上がり部、又は上から下向きへの立ち
下がり部を設け、この立ち上がり部又は立ち下がり部の
下端に、粉末状生成物の受けボックスを着脱自在に装着
したことにより、加熱炉からの排気ガス中に含まれてい
る粉末状生成物が塊に成長した場合に、この粉末状生成
物の塊は、排気ダクト管中における立ち上がり部、又は
立ち下がり部の部分に来たとき、その重量によって排気
ガスから分離しながら下方に落下して、受けボックス内
に入ることになる。
トラップより上流側の部分に、当該排気ダクト管の下か
ら上向きへの立ち上がり部、又は上から下向きへの立ち
下がり部を設け、この立ち上がり部又は立ち下がり部の
下端に、粉末状生成物の受けボックスを着脱自在に装着
したことにより、加熱炉からの排気ガス中に含まれてい
る粉末状生成物が塊に成長した場合に、この粉末状生成
物の塊は、排気ダクト管中における立ち上がり部、又は
立ち下がり部の部分に来たとき、その重量によって排気
ガスから分離しながら下方に落下して、受けボックス内
に入ることになる。
【０００８】これにより、排気ガス中の粉末状生成物
が、多孔板を内蔵したトラップ内に、塊の状態で入るこ
とを確実に少なくできるのである。従って、トラップ
に、粉末状生成物による詰まりが発生することを大幅に
低減でき、前記トラップにおける詰まりのために半導体
基板に対する表面処理を停止する時間の間隔を長くでき
るから、表面処理の作業能率を向上できるのであり、し
かも、本発明は、排気ダクト管の途中に、下端に受けボ
ックスを備えた立ち上がり部又は立ち下がり部を設ける
だけで良く、その構造がきわめて簡単であるから、装置
の大幅な価格アップと、大型化とを招来することがない
と言う効果を有する。
が、多孔板を内蔵したトラップ内に、塊の状態で入るこ
とを確実に少なくできるのである。従って、トラップ
に、粉末状生成物による詰まりが発生することを大幅に
低減でき、前記トラップにおける詰まりのために半導体
基板に対する表面処理を停止する時間の間隔を長くでき
るから、表面処理の作業能率を向上できるのであり、し
かも、本発明は、排気ダクト管の途中に、下端に受けボ
ックスを備えた立ち上がり部又は立ち下がり部を設ける
だけで良く、その構造がきわめて簡単であるから、装置
の大幅な価格アップと、大型化とを招来することがない
と言う効果を有する。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
１及び図２の図面について説明する。この図において、
符号１は、半導体基板表面処理装置における加熱炉を、
符号２は、排気用のドライポンプを各々示し、前記加熱
炉１と前記ドライポンプ２との間を、排気ダクト管３を
介して接続することにより、前記加熱炉１からの排気ガ
スを、前記ドライポンプ２に吸引したのち大気中に排気
するように構成されている。
１及び図２の図面について説明する。この図において、
符号１は、半導体基板表面処理装置における加熱炉を、
符号２は、排気用のドライポンプを各々示し、前記加熱
炉１と前記ドライポンプ２との間を、排気ダクト管３を
介して接続することにより、前記加熱炉１からの排気ガ
スを、前記ドライポンプ２に吸引したのち大気中に排気
するように構成されている。
【００１０】また、符号４は、前記排気ダクト管３の途
中に設けたトラップを示し、このトラップ４は、以下に
述べるように構成されている。すなわち、上面を開放し
たケース４ａの上部側面に排気ガス入口４ｂを、前記ケ
ース４ａの底面に排気ガス出口４ｃを設け、且つ、前記
ケース４ａ内に、前記排気ガス出口４ｃに連通するパイ
プ４ｄを上向きに突出し、更に、前記ケース４ａ内に
は、下端に切欠孔４ｅ′を備えた筒体４ｅを、前記パイ
プ４ｄに被嵌するように着脱自在に挿入し、この筒体４
ｅ内に、小孔を多数個穿設した二枚の多孔板４ｆ，４ｇ
を挿入したのち、前記ケース４ａ上面に蓋板４ｈを、図
示しないボルト等にて着脱自在に取付けることにより、
前記加熱炉１からの排気ガスが、排気ガス入口４ｂ及び
切欠孔４ｅ′を通って筒体４ｅ内に流入し、この筒体４
ｅ内における二枚の多孔板４ｆ，４ｇにおける小孔を通
過したのちパイプ４ｄを経て排気ガス出口４ｃからドラ
イポンプ２に向かって流出し、その間において、この排
気ガス中に含まれている粉末状生成物を捕集するように
構成されている。
中に設けたトラップを示し、このトラップ４は、以下に
述べるように構成されている。すなわち、上面を開放し
たケース４ａの上部側面に排気ガス入口４ｂを、前記ケ
ース４ａの底面に排気ガス出口４ｃを設け、且つ、前記
ケース４ａ内に、前記排気ガス出口４ｃに連通するパイ
プ４ｄを上向きに突出し、更に、前記ケース４ａ内に
は、下端に切欠孔４ｅ′を備えた筒体４ｅを、前記パイ
プ４ｄに被嵌するように着脱自在に挿入し、この筒体４
ｅ内に、小孔を多数個穿設した二枚の多孔板４ｆ，４ｇ
を挿入したのち、前記ケース４ａ上面に蓋板４ｈを、図
示しないボルト等にて着脱自在に取付けることにより、
前記加熱炉１からの排気ガスが、排気ガス入口４ｂ及び
切欠孔４ｅ′を通って筒体４ｅ内に流入し、この筒体４
ｅ内における二枚の多孔板４ｆ，４ｇにおける小孔を通
過したのちパイプ４ｄを経て排気ガス出口４ｃからドラ
イポンプ２に向かって流出し、その間において、この排
気ガス中に含まれている粉末状生成物を捕集するように
構成されている。
【００１１】そして、前記加熱炉１からドライポンプ２
に至る排気ダクト管３のうち前記トラップ４よりも上流
側の部分に、上から下向きの立ち下がり部３ａを設け
て、この立ち下がり部３ａの下端に、透明体製の受けボ
ックス５を、螺合等にて着脱自在に装着する。この構成
において、半導体基板表面処理装置における加熱炉１か
らの排気ガスは、排気ダクト管３を通ってドライポンプ
２に吸引されて排気される。
に至る排気ダクト管３のうち前記トラップ４よりも上流
側の部分に、上から下向きの立ち下がり部３ａを設け
て、この立ち下がり部３ａの下端に、透明体製の受けボ
ックス５を、螺合等にて着脱自在に装着する。この構成
において、半導体基板表面処理装置における加熱炉１か
らの排気ガスは、排気ダクト管３を通ってドライポンプ
２に吸引されて排気される。
【００１２】この排気ガス中に含まれている粉末状の生
成物は、排気ガスが排気ダクト管３内を流れるとき塊に
成長するが、この粉末状生成物の塊は、前記排気ダクト
管３の途中に設けた立ち下がり部３ａに来たとき、その
重量によって排気ガスから分離しながら下方に落下し
て、受けボックス５内に入るように捕集されることにな
るから、排気ガス中の粉末状生成物が、多孔板４ｆ，４
ｇを内蔵したトラップ４内に、塊の状態で入ることを確
実に少なくでき、ひいては、前記トラップに粉末状生成
物による詰まりが発生することを大幅に低減できるので
ある。
成物は、排気ガスが排気ダクト管３内を流れるとき塊に
成長するが、この粉末状生成物の塊は、前記排気ダクト
管３の途中に設けた立ち下がり部３ａに来たとき、その
重量によって排気ガスから分離しながら下方に落下し
て、受けボックス５内に入るように捕集されることにな
るから、排気ガス中の粉末状生成物が、多孔板４ｆ，４
ｇを内蔵したトラップ４内に、塊の状態で入ることを確
実に少なくでき、ひいては、前記トラップに粉末状生成
物による詰まりが発生することを大幅に低減できるので
ある。
【００１３】なお、前記受けボックス５内に捕集された
粉末状生成物は、当該粉末状生成物が適宜量溜まった時
点で、受けボックス５を取り外すことによって除去する
もので、この受けボックス５を透明体製にすることによ
り、その内部に溜まる粉末状生成物の量を常時監視する
ことができる。そして、本発明は、前記したように、排
気ダクト管３のうちトラップ４よりも上流側の部分に、
上から下向きの立ち下がり部３ａを設けて、この立ち下
がり部３ａの下端に受けボックス５を着脱自在に装着す
る場合に限らず、図３に示す第２の実施の形態のよう
に、排気ダクト管３のうちトラップ４よりも上流側の部
分に、下から上向きの立ち上がり部３ｂを設けて、この
立ち上がり部３ｂの下端に受けボックス５を着脱自在に
装着するとか、或いは、図４に示す第３の実施の形態の
ように、排気ダクト管３のうちトラップ４よりも上流側
の部分に、上から下向きの立ち下がり部３ａ′と下から
上向きの立ち上がり部３ｂ′とを設けて、これら立ち下
がり部３ａ′から立ち上がり部３ｂ′の屈曲部の下端に
受けボックス５を着脱自在に装着すると言う構成にして
も良くことは言うまでもない。
粉末状生成物は、当該粉末状生成物が適宜量溜まった時
点で、受けボックス５を取り外すことによって除去する
もので、この受けボックス５を透明体製にすることによ
り、その内部に溜まる粉末状生成物の量を常時監視する
ことができる。そして、本発明は、前記したように、排
気ダクト管３のうちトラップ４よりも上流側の部分に、
上から下向きの立ち下がり部３ａを設けて、この立ち下
がり部３ａの下端に受けボックス５を着脱自在に装着す
る場合に限らず、図３に示す第２の実施の形態のよう
に、排気ダクト管３のうちトラップ４よりも上流側の部
分に、下から上向きの立ち上がり部３ｂを設けて、この
立ち上がり部３ｂの下端に受けボックス５を着脱自在に
装着するとか、或いは、図４に示す第３の実施の形態の
ように、排気ダクト管３のうちトラップ４よりも上流側
の部分に、上から下向きの立ち下がり部３ａ′と下から
上向きの立ち上がり部３ｂ′とを設けて、これら立ち下
がり部３ａ′から立ち上がり部３ｂ′の屈曲部の下端に
受けボックス５を着脱自在に装着すると言う構成にして
も良くことは言うまでもない。
【図１】本発明の第１の実施の形態を示す縦断正面図で
ある。
ある。
【図２】本発明の実施の形態におけるトラップの分解断
面図である。
面図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態を示す縦断正面図で
ある。
ある。
【図４】本発明の第３の実施の形態を示す縦断正面図で
ある。
ある。
１ 加熱炉 ２ ドライポンプ ３ 排気ダクト管 ４ トラップ ４ｆ，４ｇ 多孔板 ３ａ，３ａ′ 立ち下がり部 ３ｂ，３ｂ′ 立ち上がり部 ５ 受けボックス
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板表面処理装置における加熱炉か
らドライポンプに至る排気ダクト管の途中に、多孔板を
内蔵したトラップを設けて成る排気装置において、 前記排気ダクト管のうち前記トラップより上流側の部分
に、当該排気ダクト管の下から上向きへの立ち上がり
部、又は上から下向きへの立ち下がり部を設け、この立
ち上がり部又は立ち下がり部の下端に、粉末状生成物の
受けボックスを着脱自在に装着したことを特徴とする半
導体基板表面処理装置における排気装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10894498A JPH11307456A (ja) | 1998-04-20 | 1998-04-20 | 半導体基板表面処理装置における排気装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10894498A JPH11307456A (ja) | 1998-04-20 | 1998-04-20 | 半導体基板表面処理装置における排気装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11307456A true JPH11307456A (ja) | 1999-11-05 |
Family
ID=14497615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10894498A Pending JPH11307456A (ja) | 1998-04-20 | 1998-04-20 | 半導体基板表面処理装置における排気装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11307456A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008098283A (ja) * | 2006-10-10 | 2008-04-24 | Tokyo Electron Ltd | 排気系、捕集ユニット及びこれを用いた処理装置 |
| JP2008270508A (ja) * | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| CN102654117A (zh) * | 2011-03-04 | 2012-09-05 | 中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司 | 一种真空泵用排气装置 |
| WO2014066067A1 (en) * | 2012-10-26 | 2014-05-01 | Applied Materials, Inc. | Substrate process chamber exhaust |
-
1998
- 1998-04-20 JP JP10894498A patent/JPH11307456A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008098283A (ja) * | 2006-10-10 | 2008-04-24 | Tokyo Electron Ltd | 排気系、捕集ユニット及びこれを用いた処理装置 |
| JP2008270508A (ja) * | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| CN102654117A (zh) * | 2011-03-04 | 2012-09-05 | 中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司 | 一种真空泵用排气装置 |
| CN102654117B (zh) * | 2011-03-04 | 2014-10-22 | 中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司 | 一种真空泵用排气装置 |
| WO2014066067A1 (en) * | 2012-10-26 | 2014-05-01 | Applied Materials, Inc. | Substrate process chamber exhaust |
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