JPH11307879A - 波長可変レーザー - Google Patents
波長可変レーザーInfo
- Publication number
- JPH11307879A JPH11307879A JP12393398A JP12393398A JPH11307879A JP H11307879 A JPH11307879 A JP H11307879A JP 12393398 A JP12393398 A JP 12393398A JP 12393398 A JP12393398 A JP 12393398A JP H11307879 A JPH11307879 A JP H11307879A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wavelength
- laser
- light
- wavelength tunable
- optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 7
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 51
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 20
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 19
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 12
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 12
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 9
- 239000000835 fiber Substances 0.000 abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- -1 phosphorus compound Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Mounting And Adjusting Of Optical Elements (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型で製造容易、かつ広範な波長可変範囲で
高出力を得ることが可能な波長可変レーザーを実現する
ことを課題とする。 【解決手段】 中心軸５上にレーザー素子１、レーザー
側レンズ１０、波長可変光バンドパスフィルタ２、ハー
フミラー３、ファイバ側レンズ１１、ファイバ４が配置
された構成である。波長可変光バンドパスフィルタ２
は、絶縁体である弾性支持薄膜２０１、反射部２０２に
形成されたファブリ・ペロー開口部２０３、駆動用電極
２０４、変位センサ用電極２０５、ギャップ保持用スペ
ーサ２０６にて構成される。ファブリ・ペロー開口部２
０３には誘電体多層膜による反射ミラー２０７が形成さ
れる。
高出力を得ることが可能な波長可変レーザーを実現する
ことを課題とする。 【解決手段】 中心軸５上にレーザー素子１、レーザー
側レンズ１０、波長可変光バンドパスフィルタ２、ハー
フミラー３、ファイバ側レンズ１１、ファイバ４が配置
された構成である。波長可変光バンドパスフィルタ２
は、絶縁体である弾性支持薄膜２０１、反射部２０２に
形成されたファブリ・ペロー開口部２０３、駆動用電極
２０４、変位センサ用電極２０５、ギャップ保持用スペ
ーサ２０６にて構成される。ファブリ・ペロー開口部２
０３には誘電体多層膜による反射ミラー２０７が形成さ
れる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、連続的な発振波長
可変動作を可能とし、安定したシングルモード発振を行
うため波長可変レーザーの技術に関する。
可変動作を可能とし、安定したシングルモード発振を行
うため波長可変レーザーの技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年盛んに行われている、１本のファイ
バに複数の波長の光を伝送する波長多重伝送では、光源
用として複数の異なる波長のレーザー光源を必要として
いる。またこれらの光源は、良好な伝送品質を確保する
ために極めて正確に制御する必要がある。
バに複数の波長の光を伝送する波長多重伝送では、光源
用として複数の異なる波長のレーザー光源を必要として
いる。またこれらの光源は、良好な伝送品質を確保する
ために極めて正確に制御する必要がある。
【０００３】現状、これらの光源は、レーザー素子の共
振器長を変えることで製造を行っているが、製造歩留ま
りの悪いこと、波長が固定されているために保守対応時
に再度レーザー素子を製造する必要があるなどの問題点
が存在する。上記の問題点は、外部共振器型レーザーを
用いることにより解決する。外部共振器型レーザーの従
来例を図９に示す。
振器長を変えることで製造を行っているが、製造歩留ま
りの悪いこと、波長が固定されているために保守対応時
に再度レーザー素子を製造する必要があるなどの問題点
が存在する。上記の問題点は、外部共振器型レーザーを
用いることにより解決する。外部共振器型レーザーの従
来例を図９に示す。
【０００４】上記従来例では、半導体レーザー素子１ａ
の外部に、回折格子１ｂを配置し、回折格子１ｂを回転
させることで、波長選択を行い、レーザーの発振波長を
可変させている。ここで、１ｃはレンズ、１ｄは光ファ
イバを示している。
の外部に、回折格子１ｂを配置し、回折格子１ｂを回転
させることで、波長選択を行い、レーザーの発振波長を
可変させている。ここで、１ｃはレンズ、１ｄは光ファ
イバを示している。
【０００５】しかしながら、この従来例では、波長の選
択分解能が回折格子１ｂのピッチに依存し、段階的な波
長可変動作となるため、無段階の波長可変動作を行うこ
とは不可能である。更に波長可変範囲を大きく設定する
場合、回折格子１ｂの大きさが大きくなるために小型
化、低価格化が困難となる欠点がある。
択分解能が回折格子１ｂのピッチに依存し、段階的な波
長可変動作となるため、無段階の波長可変動作を行うこ
とは不可能である。更に波長可変範囲を大きく設定する
場合、回折格子１ｂの大きさが大きくなるために小型
化、低価格化が困難となる欠点がある。
【０００６】これらの問題を解決するために、マイクロ
マシン技術で形成した可変ミラーを用いた可変共振器型
波長可変レーザーが提案されている（Ｏｐｔｏｎｅｗｓ
（１９９７）Ｎｏ．２，ｐ１２２）。提案されている構
成を図９に示す。
マシン技術で形成した可変ミラーを用いた可変共振器型
波長可変レーザーが提案されている（Ｏｐｔｏｎｅｗｓ
（１９９７）Ｎｏ．２，ｐ１２２）。提案されている構
成を図９に示す。
【０００７】上記提案では、マイクロマシンで形成した
可変ミラー（反射ミラー）２ｂをレーザー素子２ａの後
方に素子端面と平行に配置し外部共振器を形成してい
る。可変ミラー２ｂを中心軸方向に前後に動かすこと
で、共振器長が変わり、レーザーの発振波長が変化す
る。ここで、２ｃはレンズ、２ｄは光ファイバをそれぞ
れ示している。
可変ミラー（反射ミラー）２ｂをレーザー素子２ａの後
方に素子端面と平行に配置し外部共振器を形成してい
る。可変ミラー２ｂを中心軸方向に前後に動かすこと
で、共振器長が変わり、レーザーの発振波長が変化す
る。ここで、２ｃはレンズ、２ｄは光ファイバをそれぞ
れ示している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記提
案では、可変ミラー２ｂとレーザー素子２ａの端面とを
平行に配置する必要があるため、製造が困難であるこ
と、外部共振器での損失が大きく、高出力が得られない
欠点がある。
案では、可変ミラー２ｂとレーザー素子２ａの端面とを
平行に配置する必要があるため、製造が困難であるこ
と、外部共振器での損失が大きく、高出力が得られない
欠点がある。
【０００９】本発明は、かかるべき従来例の欠点を克服
し、小型で製造容易、かつ広範な波長可変範囲で高出力
を得ることが可能な波長可変レーザーを実現することを
課題とする。
し、小型で製造容易、かつ広範な波長可変範囲で高出力
を得ることが可能な波長可変レーザーを実現することを
課題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明では、レーザー素子からの出射光を光ファイ
バに結合させる光路上に、レーザー素子からの出射光を
平行光に変換するレーザ側レンズと、その平行光の透過
中心波長調整機構を持つ波長可変光バンドパスフィルタ
と、その波長可変光バンドパスフィルタからの入射光の
一部を反射して前記レーザー素子へ帰還させるハーフミ
ラーとを含む外部共振器を配置した波長可変レーザーで
あって、前記ハーフミラーと光ファイバとの間に、ハー
フミラーからの入射光を前記光ファイバに結合する像変
換用のファイバ側レンズを配置した。その場合、像変換
用のファイバ側レンズに、光ファイバに結合すべき光の
波長変化による結合効率の低下を防ぐための非球面レン
ズを用いることもできる。また、本発明では、レーザー
素子からの出射光を光ファイバに結合させる光路上に、
前記レーザー素子からの出射光を平行光に変換するレー
ザ側レンズと、その平行光の透過中心波長調整機構を持
つ波長可変光バンドパスフィルタと、その波長可変光バ
ンドパスフィルタからの入射光の一部を反射してレーザ
ー素子へ帰還させるハーフミラーとを含む外部共振器を
配置した波長可変レーザーであって、波長可変光バンド
パスフィルタに、ファブリ・ペロー型マイクロマシン光
波長可変フィルタを用いる構成とした。その場合、ハー
フミラーと光ファイバとの間に、前記ハーフミラーから
の入射光を前記光ファイバに結合する像変換用のファイ
バ側レンズを配置する構成とすることもできる。ここ
で、光波長可変フィルタは、互いに間隔を有するように
配置された絶縁体からなる弾性支持薄膜と、それら弾性
支持薄膜の中央部に形成された反射部と、その反射部に
形成されたファブリ・ペロー開口部、駆動用電極及び変
位センサ用電極と、ファブリ・ペロー開口部に形成さ
れ、互いに間隔を有する形態で平行配置された誘電体多
層膜による一対の反射ミラーと、その一対の反射ミラー
の間隔を保持するために配置されたギャップ保持用スペ
ーサとを備え、駆動用電極に対する印可電圧に基づいて
一対の反射ミラー間の間隔を制御することにより透過中
心波長を変化させる機能を有する構成とすることもでき
る。駆動用電極としては、これを複数設けることもでき
る。また、変位センサ用電極間の静電容量を測定する手
段と、その測定値に基づいて前記反射ミラー間のギャッ
プ長をモニタし、目的とするギャップ長となるように駆
動用電極に対する印可電圧を制御する手段とを含む構成
とするのも大変好適である。変位センサ用電極として
は、これを複数設けることもできる。
め、本発明では、レーザー素子からの出射光を光ファイ
バに結合させる光路上に、レーザー素子からの出射光を
平行光に変換するレーザ側レンズと、その平行光の透過
中心波長調整機構を持つ波長可変光バンドパスフィルタ
と、その波長可変光バンドパスフィルタからの入射光の
一部を反射して前記レーザー素子へ帰還させるハーフミ
ラーとを含む外部共振器を配置した波長可変レーザーで
あって、前記ハーフミラーと光ファイバとの間に、ハー
フミラーからの入射光を前記光ファイバに結合する像変
換用のファイバ側レンズを配置した。その場合、像変換
用のファイバ側レンズに、光ファイバに結合すべき光の
波長変化による結合効率の低下を防ぐための非球面レン
ズを用いることもできる。また、本発明では、レーザー
素子からの出射光を光ファイバに結合させる光路上に、
前記レーザー素子からの出射光を平行光に変換するレー
ザ側レンズと、その平行光の透過中心波長調整機構を持
つ波長可変光バンドパスフィルタと、その波長可変光バ
ンドパスフィルタからの入射光の一部を反射してレーザ
ー素子へ帰還させるハーフミラーとを含む外部共振器を
配置した波長可変レーザーであって、波長可変光バンド
パスフィルタに、ファブリ・ペロー型マイクロマシン光
波長可変フィルタを用いる構成とした。その場合、ハー
フミラーと光ファイバとの間に、前記ハーフミラーから
の入射光を前記光ファイバに結合する像変換用のファイ
バ側レンズを配置する構成とすることもできる。ここ
で、光波長可変フィルタは、互いに間隔を有するように
配置された絶縁体からなる弾性支持薄膜と、それら弾性
支持薄膜の中央部に形成された反射部と、その反射部に
形成されたファブリ・ペロー開口部、駆動用電極及び変
位センサ用電極と、ファブリ・ペロー開口部に形成さ
れ、互いに間隔を有する形態で平行配置された誘電体多
層膜による一対の反射ミラーと、その一対の反射ミラー
の間隔を保持するために配置されたギャップ保持用スペ
ーサとを備え、駆動用電極に対する印可電圧に基づいて
一対の反射ミラー間の間隔を制御することにより透過中
心波長を変化させる機能を有する構成とすることもでき
る。駆動用電極としては、これを複数設けることもでき
る。また、変位センサ用電極間の静電容量を測定する手
段と、その測定値に基づいて前記反射ミラー間のギャッ
プ長をモニタし、目的とするギャップ長となるように駆
動用電極に対する印可電圧を制御する手段とを含む構成
とするのも大変好適である。変位センサ用電極として
は、これを複数設けることもできる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照し、本発明の好
適な実施の形態について説明する。図１は、本実施の形
態に係る波長可変レーザーの全体構成図であり、図２は
ファブリベロー型光波長可変フィルタの分解斜視図、図
３は同ファブリベロー型光波長可変フィルタの断面図、
図４は印可電圧とフィルタ中心波長の関係を示すグラフ
である。
適な実施の形態について説明する。図１は、本実施の形
態に係る波長可変レーザーの全体構成図であり、図２は
ファブリベロー型光波長可変フィルタの分解斜視図、図
３は同ファブリベロー型光波長可変フィルタの断面図、
図４は印可電圧とフィルタ中心波長の関係を示すグラフ
である。
【００１２】（実施の形態１）本実施の形態に係る波長
可変レーザーは、連続的な発振波長可変動作を可能と
し、かつ安定したシングルモード発振を行える構成とし
ている。具体的には図１に示すように、中心軸５上にレ
ーザー素子１、レーザー側レンズ１０、波長可変光バン
ドパスフィルタ２、ハーフミラー３、ファイバ側レンズ
１１、ファイバ４が配置された構成である。
可変レーザーは、連続的な発振波長可変動作を可能と
し、かつ安定したシングルモード発振を行える構成とし
ている。具体的には図１に示すように、中心軸５上にレ
ーザー素子１、レーザー側レンズ１０、波長可変光バン
ドパスフィルタ２、ハーフミラー３、ファイバ側レンズ
１１、ファイバ４が配置された構成である。
【００１３】レーザー素子１は、マルチモード発振型の
ファブリ・ペロー型レーザーであり、レーザー側レンズ
１０は、レーザー素子１からの出射光を平行光に変換す
る。光バンドパスフィルタ２は、透過中心波長調整機構
を持つ狭帯域の光バンドパスフィルタであり、図１に示
すとおり中心軸５に対して斜めに配置されている。ハー
フミラー３は、入射光の一部を反射、大部分を透過する
素子であり、中心軸５に対して垂直に配置されている。
レンズ１１は、平行光をファイバ４へ結合し、結合した
光はファイバ４へ入射する。
ファブリ・ペロー型レーザーであり、レーザー側レンズ
１０は、レーザー素子１からの出射光を平行光に変換す
る。光バンドパスフィルタ２は、透過中心波長調整機構
を持つ狭帯域の光バンドパスフィルタであり、図１に示
すとおり中心軸５に対して斜めに配置されている。ハー
フミラー３は、入射光の一部を反射、大部分を透過する
素子であり、中心軸５に対して垂直に配置されている。
レンズ１１は、平行光をファイバ４へ結合し、結合した
光はファイバ４へ入射する。
【００１４】レーザー素子１から出射した光は、レーザ
ー側レンズ１０にて平行光に変換された後、波長可変フ
ィルタ２にて波長選択される。波長選択された光の一部
はハーフミラー３にて反射し、再び波長可変フィルタ２
を透過し、レーザー側レンズ１０を経て、レーザー素子
１に帰還される。
ー側レンズ１０にて平行光に変換された後、波長可変フ
ィルタ２にて波長選択される。波長選択された光の一部
はハーフミラー３にて反射し、再び波長可変フィルタ２
を透過し、レーザー側レンズ１０を経て、レーザー素子
１に帰還される。
【００１５】帰還した光はレーザー素子１の内部にて光
増幅され、再び出射する。これを繰り返すことで、上記
の光学系の間で外部共振器が形成され、レーザー素子１
からの出射光は、波長可変光バンドパスフィルタ２の透
過中心波長にてシングルモード発振となる。シングルモ
ード発振した光は、ハーフミラー３にて大部分が透過
し、ファイバ側レンズ１１にて像変換された後、ファイ
バ４に結合する。
増幅され、再び出射する。これを繰り返すことで、上記
の光学系の間で外部共振器が形成され、レーザー素子１
からの出射光は、波長可変光バンドパスフィルタ２の透
過中心波長にてシングルモード発振となる。シングルモ
ード発振した光は、ハーフミラー３にて大部分が透過
し、ファイバ側レンズ１１にて像変換された後、ファイ
バ４に結合する。
【００１６】波長可変光バンドパスフィルタ２の透過中
心波長を変化させることで、レーザー素子１の発振中心
波長は変化し、ファイバ４へ出射される光の波長も変化
するため、波長可変レーザーとして機能する。
心波長を変化させることで、レーザー素子１の発振中心
波長は変化し、ファイバ４へ出射される光の波長も変化
するため、波長可変レーザーとして機能する。
【００１７】さらに、より具体的な実施の形態について
説明する。レーザー素子１は、インジウム・ガリウム・
砒素・リン系化合物半導体にて製造した、１５５０ｎｍ
を中心にマルチモード発振するファブリ・ペロー型レー
ザーである。
説明する。レーザー素子１は、インジウム・ガリウム・
砒素・リン系化合物半導体にて製造した、１５５０ｎｍ
を中心にマルチモード発振するファブリ・ペロー型レー
ザーである。
【００１８】レーザー側レンズ１０は、レーザー素子１
からの出射光をビーム径３００μｍの平行光に像変換
し、ファイバ側レンズ１１は平行光をファイバ４へ結合
するための像変換レンズである。本実施の形態では波長
変化による結合効率の低下を防ぐために、これらのレン
ズに非球面レンズを用いている。
からの出射光をビーム径３００μｍの平行光に像変換
し、ファイバ側レンズ１１は平行光をファイバ４へ結合
するための像変換レンズである。本実施の形態では波長
変化による結合効率の低下を防ぐために、これらのレン
ズに非球面レンズを用いている。
【００１９】光バンドパスフィルタ２は、透過中心波長
調整機構を持つ狭帯域の光バンドパスフィルタであり、
バンドパスフィルタからの反射迷光抑圧のために、中心
軸５に対して３度傾斜して配置されている。本実施の形
態では小型化、広範囲での波長可変を実現するために、
波長可変光バンドパスフィルタ２に、シリコンマイクロ
マシン技術にて製造したファブリ・ペロー型マイクロマ
シン光波長可変フィルタを用いている。マイクロマシン
光波長可変フィルタの構成の一例を図２、図３に示す。
調整機構を持つ狭帯域の光バンドパスフィルタであり、
バンドパスフィルタからの反射迷光抑圧のために、中心
軸５に対して３度傾斜して配置されている。本実施の形
態では小型化、広範囲での波長可変を実現するために、
波長可変光バンドパスフィルタ２に、シリコンマイクロ
マシン技術にて製造したファブリ・ペロー型マイクロマ
シン光波長可変フィルタを用いている。マイクロマシン
光波長可変フィルタの構成の一例を図２、図３に示す。
【００２０】図２は、本光波長可変フィルタの分解斜視
図である。本フィルタは絶縁体である弾性支持薄膜２０
１、反射部２０２に形成されたファブリ・ペロー開口部
２０３、駆動用電極２０４、変位センサ用電極２０５、
ギャップ保持用スペーサ２０６にて構成される。ファブ
リ・ペロー開口部２０３には誘電体多層膜による反射ミ
ラー２０７（図３参照）が形成されている。
図である。本フィルタは絶縁体である弾性支持薄膜２０
１、反射部２０２に形成されたファブリ・ペロー開口部
２０３、駆動用電極２０４、変位センサ用電極２０５、
ギャップ保持用スペーサ２０６にて構成される。ファブ
リ・ペロー開口部２０３には誘電体多層膜による反射ミ
ラー２０７（図３参照）が形成されている。
【００２１】図３は、本光波長可変フィルタの断面図で
ある。両対面の反射ミラー２０７はギャップ保持用スペ
ーサ２０６にて約７μｍの間隔を持つように保持されて
いる。また、反射ミラー２０７の反射率は９９％であ
る。駆動用電極２０４に電圧を加えないときのフィルタ
中心波長は１６００ｎｍ、フィルタの半値全幅は、レー
ザー素子１のモード間隔よりも狭い０．４μｍである。
またファブリ・ペローの次モードとの共振周期（ＦＳ
Ｒ）は、レーザー素子の発振範囲よりも広く、約２００
ｎｍである。本光波長可変フィルタの透過特性を図７に
示す。
ある。両対面の反射ミラー２０７はギャップ保持用スペ
ーサ２０６にて約７μｍの間隔を持つように保持されて
いる。また、反射ミラー２０７の反射率は９９％であ
る。駆動用電極２０４に電圧を加えないときのフィルタ
中心波長は１６００ｎｍ、フィルタの半値全幅は、レー
ザー素子１のモード間隔よりも狭い０．４μｍである。
またファブリ・ペローの次モードとの共振周期（ＦＳ
Ｒ）は、レーザー素子の発振範囲よりも広く、約２００
ｎｍである。本光波長可変フィルタの透過特性を図７に
示す。
【００２２】ハーフミラー３は、入射光の一部を反射、
大部分を透過する素子であり、中心軸５に対して垂直に
配置されている。本実施の形態では厚さ0．5ｍｍの平行
平板ガラスに誘電体多層膜によってハーフミラー３を形
成している。ハーフミラー３の反射率は８％、透過率は
９２％である。
大部分を透過する素子であり、中心軸５に対して垂直に
配置されている。本実施の形態では厚さ0．5ｍｍの平行
平板ガラスに誘電体多層膜によってハーフミラー３を形
成している。ハーフミラー３の反射率は８％、透過率は
９２％である。
【００２３】ファイバ４は、偏光保持型シングルモード
・ファイバで、ファイバ端面は反射を抑制するために中
心軸に対して５度の斜面となるように研磨されており、
端面には誘電体多層膜による反射防止コートが施されて
いる。ファイバ４の偏光保持面とレーザー素子１の出射
偏光は一致しており、ファイバ４を導波する光の偏光状
態は直線偏光が保持される。
・ファイバで、ファイバ端面は反射を抑制するために中
心軸に対して５度の斜面となるように研磨されており、
端面には誘電体多層膜による反射防止コートが施されて
いる。ファイバ４の偏光保持面とレーザー素子１の出射
偏光は一致しており、ファイバ４を導波する光の偏光状
態は直線偏光が保持される。
【００２４】（動作の説明）はじめに、本発明のシング
ルモード発振動作についての詳細を図1を用いて説明す
る。レーザー素子１から出射した光１０１は、レーザー
側レンズ１０にて平行光に変換された後、波長可変光バ
ンドパスフィルタ２を透過する際に、フィルタ透過中心
波長近傍の発振モードのみ透過する。その他の発振モー
ドはフィルタ２にて反射され、迷光１０５となる。
ルモード発振動作についての詳細を図1を用いて説明す
る。レーザー素子１から出射した光１０１は、レーザー
側レンズ１０にて平行光に変換された後、波長可変光バ
ンドパスフィルタ２を透過する際に、フィルタ透過中心
波長近傍の発振モードのみ透過する。その他の発振モー
ドはフィルタ２にて反射され、迷光１０５となる。
【００２５】波長可変光バンドパスフィルタ２を透過し
た光１０２は、ハーフミラー３にて、その光の一部が反
射する。反射した光１０４は、再び波長可変光バンドパ
スフィルタ２を透過し、レーザー側レンズ１０によって
像変換され、レーザー素子１に帰還する。帰還した光１
０４は、レーザー素子１の内部で光増幅され、レーザー
素子１の端面より再び光１０１として出射される。
た光１０２は、ハーフミラー３にて、その光の一部が反
射する。反射した光１０４は、再び波長可変光バンドパ
スフィルタ２を透過し、レーザー側レンズ１０によって
像変換され、レーザー素子１に帰還する。帰還した光１
０４は、レーザー素子１の内部で光増幅され、レーザー
素子１の端面より再び光１０１として出射される。
【００２６】これを繰り返すことで、レーザー素子１と
ハーフミラー３までの光学系によって外部共振器が形成
されるため、光１０２はフィルタ中心波長にて、きわめ
て線幅の細いシングルモード発振の光となる。シングル
モード発振の光１０３は、ハーフミラー３にてその大部
分が透過し、ファイバ側レンズ１１にて像変換された
後、ファイバ４に結合する。
ハーフミラー３までの光学系によって外部共振器が形成
されるため、光１０２はフィルタ中心波長にて、きわめ
て線幅の細いシングルモード発振の光となる。シングル
モード発振の光１０３は、ハーフミラー３にてその大部
分が透過し、ファイバ側レンズ１１にて像変換された
後、ファイバ４に結合する。
【００２７】次に、波長可変動作について図２、３を用
いて説明する。図３の駆動用電極（１）、（２）に電圧
を加えると、２つの駆動用電極（１）、（２）間にクー
ロン力が発生する。発生するクーロン力の方向は、２つ
の電極間の間隔が狭くなる方向である。よって電圧を加
えることにより、２つのミラーの間隔は狭くなる。
いて説明する。図３の駆動用電極（１）、（２）に電圧
を加えると、２つの駆動用電極（１）、（２）間にクー
ロン力が発生する。発生するクーロン力の方向は、２つ
の電極間の間隔が狭くなる方向である。よって電圧を加
えることにより、２つのミラーの間隔は狭くなる。
【００２８】印加電圧と２つのミラーの間隔変化（変位
量）は、下記（１）式（クーロンの法則）より、電圧の
自乗に比例し、電極の間隔の自乗に反比例する。 クーロン力：Ｆ＝ａＶ＾２／G＾２＝ｋδG （１） Ｖ：印加電圧 G：電極間隔 δG：変位量 ａ、ｋ：定数
量）は、下記（１）式（クーロンの法則）より、電圧の
自乗に比例し、電極の間隔の自乗に反比例する。 クーロン力：Ｆ＝ａＶ＾２／G＾２＝ｋδG （１） Ｖ：印加電圧 G：電極間隔 δG：変位量 ａ、ｋ：定数
【００２９】一方、２つのミラーの間隔とフィルタ透過
中心波長の変動量は下記（２）〜（４）式（ファブリ・
ペロー共振の式）より線形であり、ミラーの間隔が狭く
なると中心波長は短波長側にシフトする。 ｍ＝ｉｎｔ（２Ｌｃｏｓθ／λｃ） （２） ＦＳＲ＝２Ｌｃｏｓθ／ｍ（ｍ＋１） （３） λｐ＝２Ｌｃｏｓθ／ｍ （４） λｐ：フィルタ透過中心波長 ｍ：発振モード Ｌ：ミラーの間隔 θ：図１における中心軸５と光フィルタ中心軸との傾斜
角（図示例では３度） λｃ：波長可変帯域の中心波長（（最小波長＋最大波
長）／２）
中心波長の変動量は下記（２）〜（４）式（ファブリ・
ペロー共振の式）より線形であり、ミラーの間隔が狭く
なると中心波長は短波長側にシフトする。 ｍ＝ｉｎｔ（２Ｌｃｏｓθ／λｃ） （２） ＦＳＲ＝２Ｌｃｏｓθ／ｍ（ｍ＋１） （３） λｐ＝２Ｌｃｏｓθ／ｍ （４） λｐ：フィルタ透過中心波長 ｍ：発振モード Ｌ：ミラーの間隔 θ：図１における中心軸５と光フィルタ中心軸との傾斜
角（図示例では３度） λｃ：波長可変帯域の中心波長（（最小波長＋最大波
長）／２）
【００３０】本実施の形態（ＦＳＲ＝２００ｎｍ：ミラ
ーの間隔＝約７μｍ）は、１５００ｎｍ〜１６００ｎｍ
における波長可変動作の実現を目標としており、その際
に必要なミラー可動量は、上記（２）式より、１／４波
長（本実施の形態の場合は約０．４μｍ）である。これ
はミラーの間隔と比較して十分小さいため、無視して考
えることができる。
ーの間隔＝約７μｍ）は、１５００ｎｍ〜１６００ｎｍ
における波長可変動作の実現を目標としており、その際
に必要なミラー可動量は、上記（２）式より、１／４波
長（本実施の形態の場合は約０．４μｍ）である。これ
はミラーの間隔と比較して十分小さいため、無視して考
えることができる。
【００３１】上記前提条件においては上記（１）、
（４）式から、フィルタ透過中心波長変動量は印加電圧
の２乗に比例して変化する。印加電圧とフィルタ中心波
長の関係を図４に示す。
（４）式から、フィルタ透過中心波長変動量は印加電圧
の２乗に比例して変化する。印加電圧とフィルタ中心波
長の関係を図４に示す。
【００３２】駆動用電極への電圧印加によってフィルタ
の透過中心波長が変化すると、前述の外部共振器におけ
る共振波長が変化するため、ファイバ４に結合される光
の波長も変化し、波長可変フィルタとして動作する。
の透過中心波長が変化すると、前述の外部共振器におけ
る共振波長が変化するため、ファイバ４に結合される光
の波長も変化し、波長可変フィルタとして動作する。
【００３３】なお、本実施の形態においては波長可変光
バンドパスフィルタ２の透過中心波長、すなわち２つの
反射ミラー２０７の間隔が発振波長を決定付けるため、
環境変化などによる反射ミラー２０７の間隔の変化がな
いようにする必要がある。
バンドパスフィルタ２の透過中心波長、すなわち２つの
反射ミラー２０７の間隔が発振波長を決定付けるため、
環境変化などによる反射ミラー２０７の間隔の変化がな
いようにする必要がある。
【００３４】そこで、本実施の形態では駆動用電極２０
４の脇に取り付けられた２つの変位センサ用電極２０５
の間の静電容量を測定することでギャップ長をモニタ
し、フィードバックループを形成することで、発振波長
を安定に保持することが可能である。
４の脇に取り付けられた２つの変位センサ用電極２０５
の間の静電容量を測定することでギャップ長をモニタ
し、フィードバックループを形成することで、発振波長
を安定に保持することが可能である。
【００３５】（実施の形態２）次に、本発明の他の実施
の形態について、図５を参照して説明する。本実施の形
態では、波長可変光バンドパスフィルタにマイクロマシ
ン型ファブリ・ペロー光フィルタに代わり、誘電体多層
膜にて形成される狭帯域光バンドパスフィルタ２１と、
その狭帯域光バンドパスフィルタ２１を回転駆動するた
めの駆動部２２から構成されている。
の形態について、図５を参照して説明する。本実施の形
態では、波長可変光バンドパスフィルタにマイクロマシ
ン型ファブリ・ペロー光フィルタに代わり、誘電体多層
膜にて形成される狭帯域光バンドパスフィルタ２１と、
その狭帯域光バンドパスフィルタ２１を回転駆動するた
めの駆動部２２から構成されている。
【００３６】狭帯域光バンドパスフィルタ２１は、厚さ
０．３ｍｍのガラス上に誘電体多層膜にて狭帯域光バン
ドパスフィルタを形成したもので、フィルタの中心波長
は、フィルタへの光線の入射角が５度のときに１６００
ｎｍ、半値全幅は０．４ｎｍである。
０．３ｍｍのガラス上に誘電体多層膜にて狭帯域光バン
ドパスフィルタを形成したもので、フィルタの中心波長
は、フィルタへの光線の入射角が５度のときに１６００
ｎｍ、半値全幅は０．４ｎｍである。
【００３７】駆動部２２は、モータを用いた回転機構及
びロータリーエンコーダを用いた回転角検出機構からな
り、狭帯域光バンドパスフィルタ２１の光線入射角を５
度から５０度まで可変させる機能を持つ。また、ロータ
リーエンコーダーにて光線入射角を検出することが可能
である。
びロータリーエンコーダを用いた回転角検出機構からな
り、狭帯域光バンドパスフィルタ２１の光線入射角を５
度から５０度まで可変させる機能を持つ。また、ロータ
リーエンコーダーにて光線入射角を検出することが可能
である。
【００３８】誘電体多層膜にて形成した狭帯域光バンド
パスフィルタ２１の光線入射角とフィルタ中心波長の関
係は、下記（５）式で表わされる。 λｐ＝ｘｃｏｓθ λｐ：フィルタ中心波長 θ：光線入射角 ｘ：定数
パスフィルタ２１の光線入射角とフィルタ中心波長の関
係は、下記（５）式で表わされる。 λｐ＝ｘｃｏｓθ λｐ：フィルタ中心波長 θ：光線入射角 ｘ：定数
【００３９】本実施の形態では、１５００ｎｍ〜１６０
０ｎｍにおける波長可変動作の実現を目標としており、
その際に必要な入射角変動量は、本実施の形態で用いた
誘電体多層膜の場合、約３８度であった。
０ｎｍにおける波長可変動作の実現を目標としており、
その際に必要な入射角変動量は、本実施の形態で用いた
誘電体多層膜の場合、約３８度であった。
【００４０】狭帯域光バンドパスフィルタ２１への光線
入射角と中心波長の関係の一例を図６に示す。なお、狭
帯域光バンドパスフィルタ２１の中心波長を変化させる
ことによるレーザー発振波長の変化の動作については、
マイクロマシン型ファブリ・ペロー光フィルタを用いた
場合と同一である。
入射角と中心波長の関係の一例を図６に示す。なお、狭
帯域光バンドパスフィルタ２１の中心波長を変化させる
ことによるレーザー発振波長の変化の動作については、
マイクロマシン型ファブリ・ペロー光フィルタを用いた
場合と同一である。
【００４１】
【発明の効果】本発明の第１の技術的効果は、波長可変
範囲が広範であるにも関わらず小型であり、かつ連続的
な波長可変動作が可能であることである。その理由は、
波長選択素子に、マイクロマシンを用いたファブリ・ペ
ロー型波長可変フィルタを用いているからである。
範囲が広範であるにも関わらず小型であり、かつ連続的
な波長可変動作が可能であることである。その理由は、
波長選択素子に、マイクロマシンを用いたファブリ・ペ
ロー型波長可変フィルタを用いているからである。
【００４２】第２の技術的効果は、高出力なことであ
る。その理由は、外部共振器を形成している光学系の中
に、像変換用のレンズが含まれており、共振器部分での
光学的損失が小さいためである。
る。その理由は、外部共振器を形成している光学系の中
に、像変換用のレンズが含まれており、共振器部分での
光学的損失が小さいためである。
【００４３】第３の技術的効果は、製造が容易なことで
ある。その理由は、波長選択素子に透過型の光フィルタ
を用いているために、光学素子の位置、角度ずれによる
損失増加が少ないためである。
ある。その理由は、波長選択素子に透過型の光フィルタ
を用いているために、光学素子の位置、角度ずれによる
損失増加が少ないためである。
【００４４】第４の技術的効果は、環境変化に対して波
長シフトが発生しないことである。その理由は、波長可
変フィルタの透過中心波長について、位置検出によるメ
カニカルなフィードバックをかけることが可能なためで
ある。
長シフトが発生しないことである。その理由は、波長可
変フィルタの透過中心波長について、位置検出によるメ
カニカルなフィードバックをかけることが可能なためで
ある。
【図１】本発明の実施の形態１に係る波長可変レーザー
の全体構成図である。
の全体構成図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る波長可変レーザー
のファブリ・ペロー型光波長可変フィルタの分解斜視図
である。
のファブリ・ペロー型光波長可変フィルタの分解斜視図
である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る波長可変レーザー
のファブリ・ペロー型光波長可変フィルタの断面図であ
る。
のファブリ・ペロー型光波長可変フィルタの断面図であ
る。
【図４】本発明実施の形態１に係る波長可変レーザーの
印加電圧とフィルタ中心波長の関係を示すグラフであ
る。
印加電圧とフィルタ中心波長の関係を示すグラフであ
る。
【図５】本発明の実施の形態２に係る波長可変レーザー
の全体構成図である。
の全体構成図である。
【図６】本発明の実施の形態２に係る波長可変レーザー
の光線入射角とフィルタ中心波長の関係を示すグラフで
ある。
の光線入射角とフィルタ中心波長の関係を示すグラフで
ある。
【図７】本発明の実施の形態１に係るファブリ・ペロー
型光波長可変フィルタの透過特性の一例を示すグラフで
ある。
型光波長可変フィルタの透過特性の一例を示すグラフで
ある。
【図８】従来の波長可変レーザーの一例を示す構成図で
ある。
ある。
【図９】従来の波長可変レーザーの別の一例を示す構成
図である。
図である。
１ レーザー素子 ２ 波長可変光バンドパスフィルタ ３ ハーフミラー ４ 光ファイバ ５ 中心軸 １０ レーザー側レンズ １１ ファイバ側レンズ ２１ 狭帯域光バンドパスフィルタ ２２ 駆動部 １０１ レーザー素子からの出射光 １０２ バンドパスフィルタを透過した光 １０３ ハーフミラーを透過した光 １０４ ハーフミラーで反射した光 １０５ バンドパスフィルタで反射した光 ２０１ 弾性支持薄膜 ２０２ 反射部 ２０３ ファブリ・ペロー ２０４ 駆動用電極 ２０５ 変位センサ用電極 ２０６ ギャップ保持用スペーサ １ａ レーザー素子 １ｂ 回折格子 １ｃ レンズ １ｄ 光ファイバ ２ａ レーザー素子 ２ｂ 反射ミラー ２ｃ レンズ ２ｄ 光ファイバ
Claims (8)
- 【請求項１】 レーザー素子からの出射光を光ファイバ
に結合させる光路上に、前記レーザー素子からの出射光
を平行光に変換するレーザ側レンズと、その平行光の透
過中心波長調整機構を持つ波長可変光バンドパスフィル
タと、その波長可変光バンドパスフィルタからの入射光
の一部を反射して前記レーザー素子へ帰還させるハーフ
ミラーとを含む外部共振器を配置した波長可変レーザー
であって、前記ハーフミラーと光ファイバとの間に、前
記ハーフミラーからの入射光を前記光ファイバに結合す
る像変換用のファイバ側レンズを配置したことを特徴と
する、波長可変レーザー。 - 【請求項２】 前記像変換用のファイバ側レンズに、光
ファイバに結合すべき光の波長変化による結合効率の低
下を防ぐための非球面レンズを用いたことを特徴とす
る、請求項１に記載の波長可変レーザー。 - 【請求項３】 レーザー素子からの出射光を光ファイバ
に結合させる光路上に、前記レーザー素子からの出射光
を平行光に変換するレーザ側レンズと、その平行光の透
過中心波長調整機構を持つ波長可変光バンドパスフィル
タと、その波長可変光バンドパスフィルタからの入射光
の一部を反射して前記レーザー素子へ帰還させるハーフ
ミラーとを含む外部共振器を配置した波長可変レーザー
であって、前記波長可変光バンドパスフィルタに、ファ
ブリ・ペロー型マイクロマシン光波長可変フィルタを用
いたことを特徴とする、波長可変レーザー。 - 【請求項４】 前記ハーフミラーと光ファイバとの間
に、前記ハーフミラーからの入射光を前記光ファイバに
結合する像変換用のファイバ側レンズを配置したことを
特徴とする、請求項３に記載の波長可変レーザー。 - 【請求項５】 前記光波長可変フィルタは、互いに間隔
を有するように配置された絶縁体からなる弾性支持薄膜
と、それら弾性支持薄膜の中央部に形成された反射部
と、その反射部に形成されたファブリ・ペロー開口部、
駆動用電極及び変位センサ用電極と、前記ファブリ・ペ
ロー開口部に形成され、互いに間隔を有する形態で平行
配置された誘電体多層膜による一対の反射ミラーと、そ
の一対の反射ミラーの間隔を保持するために配置された
ギャップ保持用スペーサとを備え、前記駆動用電極に対
する印可電圧に基づいて前記一対の反射ミラー間の間隔
を制御することにより透過中心波長を変化させる機能を
有することを特徴とする、請求項３に記載の波長可変レ
ーザー。 - 【請求項６】 前記駆動用電極を複数設けたことを特徴
とする、請求項５に記載の波長可変レーザー。 - 【請求項７】 前記変位センサ用電極間の静電容量を測
定する手段と、その測定値に基づいて前記反射ミラー間
のギャップ長をモニタし、目的とするギャップ長となる
ように前記駆動用電極に対する印可電圧を制御する手段
とを含むことを特徴とする、請求項５又は６に記載の波
長可変レーザー。 - 【請求項８】 前記変位センサ用電極を複数設けたこと
を特徴とする、請求項７に記載の波長可変レーザー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12393398A JP3450180B2 (ja) | 1998-04-20 | 1998-04-20 | 波長可変レーザー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12393398A JP3450180B2 (ja) | 1998-04-20 | 1998-04-20 | 波長可変レーザー |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11307879A true JPH11307879A (ja) | 1999-11-05 |
| JP3450180B2 JP3450180B2 (ja) | 2003-09-22 |
Family
ID=14872955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12393398A Expired - Fee Related JP3450180B2 (ja) | 1998-04-20 | 1998-04-20 | 波長可変レーザー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3450180B2 (ja) |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004101512A (ja) * | 2002-08-03 | 2004-04-02 | Dr Johannes Heidenhain Gmbh | 位置測定装置 |
| WO2004100331A1 (ja) * | 2003-05-09 | 2004-11-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | 半導体レーザ装置 |
| JP2004348136A (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 外部共振器半導体レーザーおよびその製造方法 |
| WO2005013446A1 (ja) * | 2003-07-31 | 2005-02-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | 半導体レーザ装置 |
| JP2007194366A (ja) * | 2006-01-18 | 2007-08-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザモジュール |
| JP2008176186A (ja) * | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Seiko Epson Corp | レーザ光源装置およびそれを用いたモニタ装置ならびに画像表示装置 |
| US8059277B2 (en) | 2007-08-27 | 2011-11-15 | Axsun Technologies, Inc. | Mode hopping swept frequency laser for FD OCT and method of operation |
| WO2012044049A3 (ko) * | 2010-09-29 | 2012-07-19 | 주식회사 포벨 | 펄스로 구동하는 파장 변환형 반도체 레이저 |
| JP2012220656A (ja) * | 2011-04-07 | 2012-11-12 | Seiko Epson Corp | 波長可変干渉フィルター、光モジュール、および光分析装置 |
| JP2012234208A (ja) * | 2012-08-23 | 2012-11-29 | Seiko Epson Corp | 波長可変フィルタ |
| JP2012238008A (ja) * | 2012-07-06 | 2012-12-06 | Seiko Epson Corp | 波長可変フィルタ |
| JP2012247800A (ja) * | 2012-08-23 | 2012-12-13 | Seiko Epson Corp | 波長可変フィルタ |
| JP2013033257A (ja) * | 2012-08-23 | 2013-02-14 | Seiko Epson Corp | 波長可変フィルタ |
| JP2014098723A (ja) * | 2008-05-15 | 2014-05-29 | Axsun Technologies Inc | 一体型クロックを備えた光コヒーレンストモグラフィ用レーザ光源 |
| JP2014517522A (ja) * | 2011-05-17 | 2014-07-17 | レッドシフト システムズ コーポレーション | 熱光学可変レーザシステム |
| CN105453351A (zh) * | 2013-08-05 | 2016-03-30 | 浜松光子学株式会社 | 波长可变光源 |
| JP2016528733A (ja) * | 2013-07-30 | 2016-09-15 | ラッシュミア・テクノロジー・リミテッド | 光学ソース |
| JPWO2017022142A1 (ja) * | 2015-08-04 | 2017-11-30 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| JP2019029428A (ja) * | 2017-07-27 | 2019-02-21 | 昭和オプトロニクス株式会社 | 外部共振器型半導体レーザ装置 |
| CN111487260A (zh) * | 2019-01-25 | 2020-08-04 | 株式会社迪思科 | 检查装置 |
| US12498319B2 (en) | 2023-05-12 | 2025-12-16 | Redshift Bioanalytics, Inc. | Matched optical filter |
-
1998
- 1998-04-20 JP JP12393398A patent/JP3450180B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004101512A (ja) * | 2002-08-03 | 2004-04-02 | Dr Johannes Heidenhain Gmbh | 位置測定装置 |
| US7693206B2 (en) | 2003-05-09 | 2010-04-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor laser device including laser array or stack first collimator, path rotator, and an optical element |
| US8477824B2 (en) | 2003-05-09 | 2013-07-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor laser apparatus having collimator lens and path rotator |
| WO2004100331A1 (ja) * | 2003-05-09 | 2004-11-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | 半導体レーザ装置 |
| JP2004348136A (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 外部共振器半導体レーザーおよびその製造方法 |
| WO2005013446A1 (ja) * | 2003-07-31 | 2005-02-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | 半導体レーザ装置 |
| JP2007194366A (ja) * | 2006-01-18 | 2007-08-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザモジュール |
| JP2008176186A (ja) * | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Seiko Epson Corp | レーザ光源装置およびそれを用いたモニタ装置ならびに画像表示装置 |
| US8059277B2 (en) | 2007-08-27 | 2011-11-15 | Axsun Technologies, Inc. | Mode hopping swept frequency laser for FD OCT and method of operation |
| US9337619B2 (en) | 2007-08-27 | 2016-05-10 | Axsun Technologies Llc | Swept frequency laser for FD OCT with intracavity element and method of operation |
| US9791261B2 (en) | 2008-05-15 | 2017-10-17 | Axsun Technologies, Inc. | Optical coherence tomography laser with integrated clock |
| US10184783B2 (en) | 2008-05-15 | 2019-01-22 | Axsun Technologies, Inc. | Optical coherence tomography laser with integrated clock |
| US9417051B2 (en) | 2008-05-15 | 2016-08-16 | Axsun Technologies Llc | Optical coherence tomography laser with integrated clock |
| JP2014098723A (ja) * | 2008-05-15 | 2014-05-29 | Axsun Technologies Inc | 一体型クロックを備えた光コヒーレンストモグラフィ用レーザ光源 |
| KR101179202B1 (ko) | 2010-09-29 | 2012-09-03 | 주식회사 포벨 | 펄스로 구동하는 파장 변환형 반도체 레이저 |
| WO2012044049A3 (ko) * | 2010-09-29 | 2012-07-19 | 주식회사 포벨 | 펄스로 구동하는 파장 변환형 반도체 레이저 |
| JP2012220656A (ja) * | 2011-04-07 | 2012-11-12 | Seiko Epson Corp | 波長可変干渉フィルター、光モジュール、および光分析装置 |
| US9482857B2 (en) | 2011-04-07 | 2016-11-01 | Seiko Epson Corporation | Tunable interference filter, optical module, and photometric analyzer |
| US10348053B2 (en) | 2011-05-17 | 2019-07-09 | Redshift Bioanalytics, Inc. | Thermo-optically tunable laser system |
| JP2014517522A (ja) * | 2011-05-17 | 2014-07-17 | レッドシフト システムズ コーポレーション | 熱光学可変レーザシステム |
| US10720754B2 (en) | 2011-05-17 | 2020-07-21 | Redshift Bioanalytics, Inc. | Thermo-optically tunable laser system |
| US11283236B2 (en) | 2011-05-17 | 2022-03-22 | Redshift Bioanalytics, Inc. | Thermo-optically tunable laser system |
| US9742148B2 (en) | 2011-05-17 | 2017-08-22 | Redshift Bioanalytics, Inc. | Thermo-optically tunable laser system |
| JP2012238008A (ja) * | 2012-07-06 | 2012-12-06 | Seiko Epson Corp | 波長可変フィルタ |
| JP2013033257A (ja) * | 2012-08-23 | 2013-02-14 | Seiko Epson Corp | 波長可変フィルタ |
| JP2012247800A (ja) * | 2012-08-23 | 2012-12-13 | Seiko Epson Corp | 波長可変フィルタ |
| JP2012234208A (ja) * | 2012-08-23 | 2012-11-29 | Seiko Epson Corp | 波長可変フィルタ |
| JP2016528733A (ja) * | 2013-07-30 | 2016-09-15 | ラッシュミア・テクノロジー・リミテッド | 光学ソース |
| US10243327B2 (en) | 2013-07-30 | 2019-03-26 | Rushmere Technology Limited | Optical source |
| CN105453351A (zh) * | 2013-08-05 | 2016-03-30 | 浜松光子学株式会社 | 波长可变光源 |
| CN105453351B (zh) * | 2013-08-05 | 2019-03-29 | 浜松光子学株式会社 | 波长可变光源 |
| JPWO2017022142A1 (ja) * | 2015-08-04 | 2017-11-30 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| JP2019029428A (ja) * | 2017-07-27 | 2019-02-21 | 昭和オプトロニクス株式会社 | 外部共振器型半導体レーザ装置 |
| CN111487260A (zh) * | 2019-01-25 | 2020-08-04 | 株式会社迪思科 | 检查装置 |
| JP2020118597A (ja) * | 2019-01-25 | 2020-08-06 | 株式会社ディスコ | 検査装置 |
| US12498319B2 (en) | 2023-05-12 | 2025-12-16 | Redshift Bioanalytics, Inc. | Matched optical filter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3450180B2 (ja) | 2003-09-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3450180B2 (ja) | 波長可変レーザー | |
| JP7295127B2 (ja) | 外部キャビティ量子カスケード・レーザ | |
| US6205159B1 (en) | Discrete wavelength liquid crystal tuned external cavity diode laser | |
| JP2528533B2 (ja) | 同調可能なオプチカル・フイルタ | |
| CN113381295B (zh) | 可调谐激光器组件、稳定激光器和成像系统 | |
| JP5832295B2 (ja) | 周波数調整可能なレーザーデバイス | |
| US20020149850A1 (en) | Tunable optical filter | |
| KR20120089312A (ko) | 패브리-페로 간섭계를 구비하는 튜닝가능한 스펙트럼 필터 | |
| CN101896849B (zh) | 具有包括楔的气隙标准具的外腔可调谐激光器 | |
| JPH10341057A (ja) | 外部共振器型波長可変半導体レーザー光源およびその波長可変方法 | |
| JPH11163450A (ja) | 波長可変光源 | |
| WO2011134177A1 (zh) | 可调谐激光器 | |
| JP2000353856A (ja) | 半導体レーザモジュ−ル | |
| JPH0799359A (ja) | 外部共振器型周波数可変半導体レーザ光源 | |
| CN100355163C (zh) | 谐振器 | |
| US20070127539A1 (en) | Narrow band laser with wavelength stability | |
| JP3033417B2 (ja) | 波長可変光フイルタ | |
| US20150010026A1 (en) | Mems based swept laser source | |
| JPH04146681A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| CN105453351A (zh) | 波长可变光源 | |
| JPH09129982A (ja) | 外部共振器型ｌｄ光源 | |
| JP2002353555A (ja) | 外部共振器型波長可変半導体レーザ | |
| JPH01101421A (ja) | 可変干渉装置 | |
| JPH051989B2 (ja) | ||
| JP2741060B2 (ja) | 多重反射干渉器及びそれを用いた安定化レーザ光源 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 4 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070711 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080711 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 6 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090711 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 7 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100711 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110711 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110711 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120711 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120711 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130711 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |