JPH11307938A - コア基板、コア基板の製造方法及び多層プリント配線板 - Google Patents
コア基板、コア基板の製造方法及び多層プリント配線板Info
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Abstract
板、コア基板の製造方法を提供する。 【解決手段】 規則的に配列した開口12aを有するレ
ジスト12を形成し(B)、開口12aにめっきを施し
スルーホールとして機能する導電柱14を形成し
(C)、導電柱14を樹脂16で固めてコア基板を形成
する(E)。ここで、レジスト12に設ける開口12a
は、スルーホール形成の際に用いたドリルによる通孔よ
りも小径に形成できるため、該小径の開口12a内に形
成した導電柱14を用いることで微細なピッチで上下の
接続を取ることができる。また、導電柱14を規則的に
配列してあるため、コア基板30に反り等を発生させ
ず、生産性が高い。
Description
とバイアホール及び導体回路とを交互に積層してなる多
層プリント配線板用のコア基板、該コア基板の製造方
法、及び、当該コア基板を用いる多層プリント配線板に
関するものである。
は、図9(A)に示すようにコア基板230の両面に層
間樹脂絶縁層250と導体層258とを積層して成り、
層間樹脂絶縁層に形成したバイアホール260にて上下
層の接続を行っている。ここで、コア基板230として
は、ガラス繊維に樹脂を含浸させてたプリプレグを複数
枚積層した樹脂基板を用いている。コア基板230に設
けられる上下層の接続用のスルーホール236は、ドリ
ルで穿設された通孔316内にめっき膜318を析出さ
せることにより形成されている。
−B横断面、即ち、コア基板230の上面を図9(B)
に示す。スルーホール236の周囲にはランド236a
が周設され、該ランド236aには、半円状のパッド2
36bが取り付けらている。そして、該半円状のパッド
236bに、図9(A)に示すようにバイアホール26
0が接続されている。
は、0.3mm径以下のスルーホールを形成することがで
きなかった。即ち、ドリルでは、0.3mm以下の通孔を
穿設することが困難であるため、これがスルーホールを
直径を決定し、コア基板のファインピッチ化を阻む原因
となっていた。
6aにパッド236bを付加する構成では、他のスルー
ホール236に配設されたランド及びパッドとの絶縁を
保つために、スルーホール相互の間隔を広げざるを得
ず、この点からもスルーホールのファインピッチを行い
得なかった。
なされたものであり、その目的とするところは、微細な
ピッチで上下の接続を取り得るコア基板及びコア基板の
製造方法を提供することにある。
なされたものであり、その目的とするところは、微細な
ピッチで上下の接続を取り得るコア基板を用い、廉価に
構成できる多層プリント配線板を提供することにある。
上記目的を達成するため、規則的に配列した導体柱を樹
脂で固定してなることを技術的特徴とする。
て、前記導電柱の径は、0.25mm以下で0.05mm以
上であることを技術的特徴とする。
おいて、前記樹脂は、熱可塑性樹脂であることを技術的
特徴とする。
いて、前記導電柱をコア基板の水平方向に対して対称に
なるように規則的に配列したことを技術的特徴とする。
以下の(a)〜(d)の工程を含むことを技術的特徴と
する。 (a)導電体の上に規則的に配列した開口を有するレジ
ストを形成する工程、(b)前記開口にめっきを施し導
電柱を形成する工程、(c)前記レジストを除去する工
程、(d)前記導電柱間に樹脂を充填する工程。
とバイアホール及び導体回路とを交互に積層してなる多
層プリント配線板であって、前記コア基板が規則的に配
列した導体柱を樹脂で固定してなり、前記コア基板の前
記導電柱の直上に前記バイアホールが形成されているこ
とを技術的特徴とする。
基板の導体柱の内の幾つかが使用されていないことを技
術的特徴とする。
ての機能を有する導体柱を樹脂で固定してなり、ドリル
により通孔を穿設してスルーホールを形成する必要がな
いため、導電柱を用いることで微細なピッチで上下の接
続を取ることができる。また、導電柱を規則的に配列し
てあるため、コア基板に反り等を発生させず、生産性が
高い。
25mm以下である。ここで、0.25mmを越える場合
は、ドリルによりスルーホールを形成することが可能で
ある。他方、導電柱の径は、0.05mm以上である。こ
れは、コア基板の厚み(例えば、0.3mm)の分の高さ
の導電柱を、レジストの開口内に形成する際に、開口の
径が0.05mm以下であると、めっき液の回り込みが悪
く導電柱の形成が困難なためである。
る樹脂が、熱可塑性であるため、誘電率等の電気特性が
良好であり、高周波用の多層プリント配線板に用いるこ
とが可能となる。
板の水平方向に対して対称になるように規則的に配列し
てあるため、コア基板に反り等を発生させることがな
い。
的に配列した開口を有するレジストを形成し、開口にめ
っきを施しスルーホールとして機能する導電柱を規則的
に配列させて形成し、導電柱を樹脂で固めてコア基板を
形成する。ここで、レジストに設ける開口は、スルーホ
ール形成の際に用いたドリルによる通孔よりも小径に形
成できるため、該小径の開口内に形成した導電柱を用い
ることで、微細なピッチで上下の接続を取ることができ
る。また、導電柱を規則的に配列してあるため、コア基
板に反り等を発生させず、生産性が高い。
基板が導体柱を樹脂で固定してなり、ドリルにより通孔
を穿設してスルーホールを形成する必要がないため、微
細なピッチで上下の接続を取ることができる。ここで、
導電柱により微細なピッチで上下の接続をとっても、コ
ア基板上にバイアホールとの接続用のパッドを形成して
は、該パッドを設けることで導電柱を微細なピッチで設
けられなくなる。このため、請求項6の構成では、コア
基板の導電柱の直上にバイアホールを形成することで、
パッドをなくし、微細なピッチで上下の接続を取ること
を可能にする。また、導電柱を規則的に配列してあるた
め、反り等を発生させない。特に、規則的に配列した導
体柱を樹脂で固定した汎用のコア基板を用いるため、廉
価に構成することができる。
基板の導体柱の内の幾つかを使用しないことで、汎用の
コア基板を用いることが可能になり、廉価に構成するこ
とができる。
層プリント配線板及び該多層プリント配線板に用いるコ
ア基板について図を参照して説明する。図2(F)は1
実施態様に係るコア基板の断面を示し、図8は、該コア
基板のA矢視、即ち、平面図である。コア基板30は、
円柱条の導電柱14を樹脂16により固定してなる。該
導電柱14は、従来技術のコア基板のスルーホールの機
能を果たし、コア基板の水平方向に対して対称になるよ
うに規則的に配列され、これにより、熱膨張率の異なる
導電柱と樹脂からなるコア基板がヒートサイクルに晒さ
れた際に反りが発生しないよう構成されている。このコ
ア基板30は、汎用品として設計されている。即ち、従
来技術のコア基板は、各多層プリント配線板毎に専用設
計していたのに対して、本実施形態のコア基板は、種々
の多層プリント配線板に用い得るように設計されてい
る。
ている。そして、導電柱14は、直径0.1mmに形成さ
れている。ここで、該導電柱14は、0.25mm以下で
0.05mm以上であることが望ましい。これは、0.2
5mmを越える場合は、従来技術のようにドリルによりス
ルーホールを形成することが可能であるからである。他
方、導電柱の径は、0.05mm以上であることが望まし
い。これは、コア基板の厚み(0.3mm)の分の高さの
導電柱を、後述するようにレジストの開口内に形成する
際に、開口径が0.05mm以下であると、めっき液の回
り込みが悪く導電柱の形成が困難なためである。
えば、ポリテトラフルオロエチレン)等の熱可塑性樹脂
を用いることが望ましい。これは、熱可塑性樹脂は、誘
電率等の電気特性が良好であり、高周波用の多層プリン
ト配線板に好適に用い得るためである。
ント配線板の断面を示している。多層コア基板30の表
面及び裏面にビルドアップ配線層90A、90Bが形成
されている。該ビルトアップ層90A、90Bは、バイ
アホール60及び導体回路58の形成された層間樹脂絶
縁層50と、バイアホール160及び導体回路158の
形成された層間樹脂絶縁層150と、からなる。
ず)へ接続するための半田バンプ76Uが形成され、裏
面側には、マザーボードのバンプ(図示せず)へ接続す
るための半田バンプ76Dが形成されている。多層プリ
ント配線板内では、ICチップへ接続する半田バンプ7
6Uからの導体回路が、マザーボード側へ接続する半田
バンプ76Dへ接続されている。表側のビルトアップ層
90Aと裏側のビルトアップ層90Bとは、コア基板3
0に形成された導電柱14を介して接続されている。
は、導体層24を介してバイアホール60が接続されて
いる。そして、層間樹脂絶縁層50に配設される導体回
路58は、図中に示さないバイアホール60へ接続され
ている。該導体回路58は、また、上層のバイアホール
160へ接続され、該バイアホール160、或いは、バ
イアホール160(図中に示さない)へ接続された導体
回路158に半田バンプ76U、76Dが形成されてい
る。
アホールの機能を果たす導電柱14の直上にバイアホー
ル60を形成することで、図9(B)を参照して上述し
た従来技術のバイアホール接続用のパッドをなくしてい
る。即ち、コア基板30の表面にパッドを設けないこと
で、微細なピッチで導電柱を配設し、上下の接続を取っ
ている。また、図7中の左端の導電柱14αには、導体
層24及び導体回路25が接続されておらず、使用され
ないブランイドとなっている。このように、コア基板の
幾つかの導電柱を使用しないことで、汎用のコア基板3
0にて種々の多層プリント配線板を形成できるように
し、同形状のコア基板の生産数を多くすることで生産性
を高め、コア基板、即ち、多層プリント配線板の製造コ
ストを低減している。
造方法について図1を参照して具体的に説明する。先
ず、図1(A)に示すように銅箔10の上に市販の厚さ
0.3mmのレジストフィルム11を密着させる。次に、
図8を参照して上述した規則的に配列された導電柱を形
成し得る0.1mmφの黒円が印刷されたフォトマスクフ
ィルム(図示せず)を密着させ、超高圧水銀灯により5
00mJ/cm2 で露光する。これをDMTG溶液でスプレ
ー現像することにより、図1(B)に示すようにフォト
マスクフィルムに相当する寸法精度に優れた0.1mmφ
の開口(導電柱形成用開口)12aを有する厚さ0.3
mmのレジスト12を形成する。引き続き、下記条件で銅
箔10に電流を流し、開口12a内に電解銅めっきを施
し、高さ0.3mmの導電柱14を形成する。なお、レジ
スト12に設ける開口12aは、従来技術で用いられて
いたスルーホール形成の際に用いたドリルによる通孔よ
りも小径に形成できるため、該小径の開口12a内に導
電柱14を形成することで微細なピッチで上下の接続を
取ることが可能となる。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 180 g/l 硫酸銅 80 g/l 添加剤(アトテックジャパン製、商品名:カパラシドGL) 1 ml/l 〔電解めっき条件〕 電流密度 1A/dm2 温度 室温
する(図1(D))。その後、熱可塑性樹脂であるフッ
素材脂(ポリテトラフルオロエチレン等)16を可塑温
度である370°C程度まで加熱して該導電柱14へ塗
布・充填し、冷却させて硬化させる。ここで、該コア基
板の用いられる多層プリント配線板は、該フッ素樹脂の
可塑温度以下の300°C未満で用いられる。本実施形
態では、導電柱14を固定する樹脂としてフッ素樹脂を
用いるが、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイ
ミドトリアジン樹脂等の種々の樹脂を用いることがで
き、更に、これら樹脂に樹脂粒子等の粒子を含ませるこ
とも可能である。
脂16を研磨し、導電柱14を露出させることで上層
(導体層24)との接続を確実にする。同様に、下部の
銅箔10を研磨し、導電柱14を露出させることで下層
(導体層24)との接続を確実にする。なお、本実施形
態では、下部の銅箔10を研磨により一旦剥離している
が、該銅箔10をエッチングすることで後述する導体層
24を形成することも可能である。
ト配線板の製造方法について説明する。なお、以下に述
べる方法は、セミアディティブ法による多層プリント配
線板の製造方法に関するものであるが、本発明における
多層プリント配線板の製造方法では、フルアディティブ
法やマルチラミネーション法、ピンラミネーション法を
採用することができる。先ず、本実施形態の多層プリン
ト配線板の製造方法に用いるA.無電解めっき用接着
剤、B.層間樹脂絶縁剤、C.樹脂充填剤の組成につい
て説明する。
成物(上層用接着剤) 〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
(日本化薬製、分子量2500)の25%アクリル化物
を80wt%の濃度でDMDGに溶解させた樹脂液を35
重量部、感光性モノマー(東亜合成製、アロニックスM
315)3. 15重量部、消泡剤(サンノプコ製、S−
65)0. 5重量部、NMP3. 6重量部を攪拌混合し
て得る。
(PES)12重量部、エポキシ樹脂粒子(三洋化成
製、ポリマーポール)の平均粒径1. 0μmのものを
7. 2重量部、平均粒径0. 5μmのものを3. 09重
量部、を混合した後、さらにNMP30重量部を添加
し、ビーズミルで攪拌混合して得る。
(四国化成製、2E 4MZ−CN )2重量部、光開
始剤(チバガイギー製、イルガキュア I−907)2
重量部、光増感剤(日本化薬製、DETX−S)0. 2
重量部、NMP1. 5重量部を攪拌混合して得る。
(下層用接着剤) 〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
(日本化薬製、分子量2500)の25%アクリル化物
を80wt%の濃度でDMDGに溶解させた樹脂液を35
重量部、感光性モノマー(東亜合成製、アロニックスM
315)4重量部、消泡剤(サンノプコ製、S−65)
0. 5重量部、NMP3. 6重量部を攪拌混合して得
る。
(PES)12重量部、エポキシ樹脂粒子(三洋化成
製、ポリマーポール)の平均粒径0. 5μmのものを1
4. 49重量部、を混合した後、さらにNMP30重量
部を添加し、ビーズミルで攪拌混合して得る。
(四国化成製、2E 4MZ−CN)2重量部、光開始
剤(チバガイギー製、イルガキュア I−907)2重
量部、光増感剤(日本化薬製、DETX−S)0. 2重
量部、NMP1. 5重量部を攪拌混合して得る。
(油化シェル製、エピコート828)100重量部、表
面に平均粒径1. 5μmのAl2 O3 球状粒子150重
量部、N−メチルピロリドン(NMP)30重量部、レ
ベリング剤(サンノプコ製、ペレノールS4)1. 5重
量部を攪拌混合し、その混合物の粘度を23±1℃で4
5, 000〜49, 000cps に調整する。
(四国化成製、2E 4MZ−CN)6. 5重量部。
いて図2乃至図9を参照して説明する。 (1)先ず、図2(F)に示すコア基板30の両面に無
電解めっき及び電解めっきを行うことによりめっき銅膜
22を形成する(図2(G))。次に、パターン状にエ
ッチングすることで、導電柱14の直上にバイアホール
との接続用の導体層24と所定パターンの導体回路25
とを形成する(図1(H))。
後、酸化浴(黒化浴)として、NaOH(10g/
l)、NaClO2 (40g/l)、Na3 O4 (6g
/l)、還元浴として、NaOH(10g/l)、Na
BH4 (6g/l)を用いた酸化−還元処理により、図
2(I)に示すように導体層24及び導体回路25の表
面に粗化層26を設ける。 (3)上述したCの樹脂充填剤調製用の原料組成物を混
合混練して樹脂充填剤を得る。
を行い、充填剤40を基板30の表面へ塗布する(図2
(J)参照)。その後に充填剤40を熱硬化させる。
を、#400のベルト研磨紙(三共理化学製)を用いた
ベルトサンダー研磨により、導体層24及び導体回路2
5の表面に樹脂充填剤が残らないように研磨し、次い
で、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くための
バフ研磨をSiC砥粒にて行う。このような一連の研磨
を基板の他方の面についても同様に行う。次いで、10
0℃で1時間、150℃で1時間の加熱処理を行って樹
脂充填剤40を硬化させる。このようにして、導体層2
4及び導体回路25の上面の粗化層を除去して、基板3
0の両面を図3(K)に示すように平滑化する。
24及び導体回路25上面に図3(L)に示すように、
厚さ2. 5μmのCu−Ni−P合金からなる粗化層
(凹凸層)42を形成し、さらに、粗化層42の表面に
厚さ0. 3μmのSn層(図示せず)を設ける。その形
成方法は以下のようである。基板30を酸性脱脂してソ
フトエッチングし、次いで、塩化パラジウムと有機酸か
らなる触媒溶液で処理して、Pd触媒を付与し、この触
媒を活性化した後、硫酸銅8g/l、硫酸ニッケル0.
6g/l、クエン酸15g/l、次亜リン酸ナトリウム
29g/l、ホウ酸31g/l、界面活性剤0. 1g/
l、pH=9からなる無電解めっき浴にてめっきを施
し、導体回路24上面にCu−Ni−P合金の粗化層4
2を形成する。ついで、ホウフッ化スズ0. 1mol /
l、チオ尿素1. 0mol /l、温度50℃、pH=1.
2の条件でCu−Sn置換反応させ、粗化層42の表面
に厚さ0.3μmのSn層を設ける。
調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度1. 5 Pa ・s
に調整して層間樹脂絶縁剤(下層用)を得る。次いで、
上述した組成物Aの無電解めっき用接着剤調製用の原料
組成物を攪拌混合し、粘度7Pa・sに調整して無電解め
っき用接着剤溶液(上層用)を得る。
(L))の両面に、図3(M)に示すように上記(7)
で得られた粘度1. 5Pa・sの層間樹脂絶縁剤(下層
用)44を調製後24時間以内にロールコータで塗布
し、水平状態で20分間放置してから、60℃で30分
の乾燥(プリベーク)を行う。次いで、上記(7)で得
られた粘度7Pa・sの感光性の接着剤溶液(上層用)4
6を調製後24時間以内に塗布し、水平状態で20分間
放置してから、60℃で30分の乾燥(プリベーク)を
行い、厚さ35μmの接着剤層50を形成する。
た基板30の両面に、85μmφの黒円が印刷されたフ
ォトマスクフィルム(図示せず)を密着させ、超高圧水
銀灯により500mJ/cm2 で露光する。これをDMTG
溶液でスプレー現像し、さらに、当該基板を超高圧水銀
灯により3000mJ/cm2 で露光し、100℃で1時
間、120℃で1時間、その後150℃で3時間の加熱
処理(ポストベーク)をすることにより、図4(N)に
示すようにフォトマスクフィルムに相当する寸法精度に
優れた85μmφの開口(バイアホール形成用開口)4
8を有する厚さ35μmの層間樹脂絶縁層(2層構造)
50を形成する。なお、バイアホールとなる開口48に
は、スズめっき層を部分的に露出させる。
を、クロム酸に19分間浸漬し、層間樹脂絶縁層50の
表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することに
より、図4(O)に示すように当該層間樹脂絶縁層50
の表面を粗化面51とし、その後、中和溶液(シプレイ
社製)に浸漬してから水洗いする。さらに、粗面化処理
(粗化深さ3μm)した該基板30の表面に、パラジウ
ム触媒(アトテック製)を付与することにより、層間樹
脂絶縁層50の表面およびバイアホール用開口48の内
壁面に触媒核を付ける。
水溶液中に基板を浸漬して、図4(P)に示すように粗
面全体に厚さ0. 6μmの無電解銅めっき膜52を形成
する。 〔無電解めっき水溶液〕 EDTA 150 g/l 硫酸銅 20 g/l HCHO 30 ml /l NaOH 40 g/l α、α’−ビピリジル 80 mg /l PEG 0. 1 g/l 〔無電解めっき条件〕70℃の液温度で30分
けた後、マスクを載置して、100 mJ /cm2 で露光、
0. 8%炭酸ナトリウムで現像処理し、図5(Q)に示
すように厚さ15μmのめっきレジスト54を設ける。
と同様の条件に従い電解銅めっきを施し、厚さ15μm
の電解めっき銅膜56を形成する(図5(R))。
Hで剥離除去した後、そのめっきレジスト56下の無電
解めっき膜52を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチン
グ処理して溶解除去し、図5(S)で示すように無電解
銅めっき膜52と電解銅めっき膜56からなる厚さ15
μmの導体回路58及びバイアホール60を形成する。
さらに、70℃で800g/lのクロム酸に3分間浸漬
して、導体回路58、バイアホール60間の無電解めっ
き用接着剤層表面を1μmエッチング処理し、表面のパ
ラジウム触媒を除去する。
を、硫酸銅8g/l、硫酸ニッケル0.6g/l、クエ
ン酸15g/l、次亜リン酸ナトリウム29g/l、ホ
ウ酸31g/l、界面活性剤0.1g/lからなるpH
=9の無電解めっき液に浸漬し、図6(T)に示すよう
に該導体回路58及びバイアホール60の表面に厚さ3
μmの銅−ニッケル−リンからなる粗化層62を形成す
る。ついで、ホウフッ化スズ0.1mol/l、チオ尿
素1.0mol/l、温度50℃、pH=1.2の条件
でCu−Sn置換反応させ、粗化層62の表面に0.3
μmの厚さのSn層を設ける(Sn層については図示し
ない)。
すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層150とバ
イアホール160及び導体回路158を形成する(図6
(U))。
部分に対応する開口部71を設けた(開口径200μ
m)ソルダーレジスト層(厚み20μm)70を形成し
た後、ソルダーレジスト層を補強用の樹脂組成物をソル
ダーレジストの開口群の周囲に塗布し、厚さ40μmの
補強層78を形成する。
ルめっき液に20分間浸漬して、開口部71に厚さ5μ
mのニッケルめっき層72を形成し、さらに、その基板
30を、無電解金めっき液に浸漬して、ニッケルめっき
層上に厚さ0.03μmの金めっき層74を形成する。
の開口部71に、はんだペーストを印刷して、200℃
でリフローすることによりはんだバンプ76U、76D
を形成し、はんだパンプを有するプリント配線板を製造
する。
法では、コア基板の導電柱14の直上にバイアホール6
0を形成することで、コア基板30表面のバイアホール
60との接続用パッドをなくし、微細なピッチで導電柱
14を配設して上下の接続を取っている。また、導電柱
14を規則的に配列してあるため、コア基板30に反り
等を発生させず、生産性が高い。
電柱を用いることで微細なピッチで上下の接続を取るこ
とができる。また、導電柱を規則的に配列してあるた
め、コア基板に反り等を発生させず、生産性が高い。
る樹脂が、熱可塑性であるため、誘電率等の電気特性が
良好であり、高周波用の多層プリント配線板に用いるこ
とが可能となる。
板の水平方向に対して対称になるように規則的に配列し
てあるため、コア基板に反り等を発生させることがな
い。
ストに設けた小径の開口内に形成した導電柱を用いるこ
とで、微細なピッチで上下の接続を取ることができる。
また、導電柱を規則的に配列してあるため、コア基板に
反り等を発生させず、生産性が高い。
基板が導体柱を樹脂で固定してなるため、微細なピッチ
で上下の接続を取ることができる。更に、コア基板の導
電柱の直上にバイアホールを形成するため、微細なピッ
チで上下の接続を取ることが可能である。また、導電柱
を規則的に配列してあるため、反り等を発生させしな
い。特に、規則的に配列した導体柱を樹脂で固定した汎
用のコア基板を用いるため、廉価に構成することができ
る。
基板の導体柱の内の幾つかを使用しないことで、汎用の
コア基板を用いることが可能になり、廉価に構成するこ
とができる。
(D)、図1(E)は、本発明の1実施形態に係るコア
基板の製造方法の工程図である。
(I)、図2(J)は、本発明の1実施形態に係る多層
プリント配線板の製造方法の工程図である。
の1実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法の工
程図である。
明の1実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法の
工程図である。
明の1実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法の
工程図である。
態に係る多層プリント配線板の製造方法の工程図であ
る。
の製造方法の断面図である。
ある。
線板の断面図であり、図9(B)は、図9(A)のB−
B横断面図である。
Claims (7)
- 【請求項1】 規則的に配列した導体柱を樹脂で固定し
てなることを特徴とする多層プリント配線板用のコア基
板。 - 【請求項2】 前記導電柱の径は、0.25mm以下で
0.05mm以上であることを特徴とする請求項1のコア
基板。 - 【請求項3】 前記樹脂は、熱可塑性樹脂であることを
特徴とする請求項1又は2のコア基板。 - 【請求項4】 前記導電柱をコア基板の水平方向に対し
て対称になるように規則的に配列したことを特徴とする
請求項1〜3のいずれか1に記載のコア基板。 - 【請求項5】 以下の(a)〜(d)の工程を含むこと
を特徴とする多層プリント配線板用のコア基板の製造方
法。 (a)導電体の上に規則的に配列した開口を有するレジ
ストを形成する工程、(b)前記開口にめっきを施し導
電柱を形成する工程、(c)前記レジストを除去する工
程、(d)前記導電柱間に樹脂を充填する工程。 - 【請求項6】 コア基板に、層間樹脂絶縁層とバイアホ
ール及び導体回路とを交互に積層してなる多層プリント
配線板であって、前記コア基板が規則的に配列した導体
柱を樹脂で固定してなり、前記コア基板の前記導電柱の
直上に前記バイアホールが形成されていることを特徴と
する多層プリント配線板。 - 【請求項7】 前記コア基板の導体柱の内の幾つかが使
用されていないことを特徴とする請求項6の多層プリン
ト配線板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10124207A JPH11307938A (ja) | 1998-04-18 | 1998-04-18 | コア基板、コア基板の製造方法及び多層プリント配線板 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP10124207A JPH11307938A (ja) | 1998-04-18 | 1998-04-18 | コア基板、コア基板の製造方法及び多層プリント配線板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11307938A true JPH11307938A (ja) | 1999-11-05 |
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ID=14879651
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| JP10124207A Pending JPH11307938A (ja) | 1998-04-18 | 1998-04-18 | コア基板、コア基板の製造方法及び多層プリント配線板 |
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|---|---|
| JP (1) | JPH11307938A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006196785A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Dainippon Printing Co Ltd | 電子部品内蔵プリント配線板及びその製造方法 |
| US7371682B2 (en) | 2003-06-13 | 2008-05-13 | Tdk Corporation | Production method for electronic component and electronic component |
| EP2700090A1 (en) * | 2011-04-21 | 2014-02-26 | Tessera, Inc. | Interposer having molded low cte dielectric |
| JP2023028871A (ja) * | 2021-08-20 | 2023-03-03 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板及びその製造方法 |
| WO2026061105A1 (zh) * | 2024-09-23 | 2026-03-26 | 华为技术有限公司 | 封装基板及其制备方法、半导体堆叠结构、电子设备 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6144881U (ja) * | 1984-08-27 | 1986-03-25 | 日本電気株式会社 | プリント配線板 |
| JPS61179597A (ja) * | 1985-02-04 | 1986-08-12 | 沖電気工業株式会社 | 多層配線形成方法 |
| JPH0513960A (ja) * | 1990-08-28 | 1993-01-22 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 多層配線基板の製造方法 |
| JPH08139450A (ja) * | 1994-11-07 | 1996-05-31 | Toshiba Corp | 印刷配線板の製造方法 |
| JPH09241419A (ja) * | 1996-03-06 | 1997-09-16 | Hitachi Ltd | 無溶剤組成物ならびに多層配線基板、およびそれらの製造方法 |
| JPH09266375A (ja) * | 1996-03-27 | 1997-10-07 | Ibiden Co Ltd | 多層プリント配線板の製造方法 |
| JPH1050882A (ja) * | 1996-08-02 | 1998-02-20 | Toppan Printing Co Ltd | チップキャリア並びにその製造装置及び製造方法 |
| JPH1075063A (ja) * | 1996-09-02 | 1998-03-17 | Oki Purintetsudo Circuit Kk | ポスト接続型プリント配線板の製造方法 |
-
1998
- 1998-04-18 JP JP10124207A patent/JPH11307938A/ja active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6144881U (ja) * | 1984-08-27 | 1986-03-25 | 日本電気株式会社 | プリント配線板 |
| JPS61179597A (ja) * | 1985-02-04 | 1986-08-12 | 沖電気工業株式会社 | 多層配線形成方法 |
| JPH0513960A (ja) * | 1990-08-28 | 1993-01-22 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 多層配線基板の製造方法 |
| JPH08139450A (ja) * | 1994-11-07 | 1996-05-31 | Toshiba Corp | 印刷配線板の製造方法 |
| JPH09241419A (ja) * | 1996-03-06 | 1997-09-16 | Hitachi Ltd | 無溶剤組成物ならびに多層配線基板、およびそれらの製造方法 |
| JPH09266375A (ja) * | 1996-03-27 | 1997-10-07 | Ibiden Co Ltd | 多層プリント配線板の製造方法 |
| JPH1050882A (ja) * | 1996-08-02 | 1998-02-20 | Toppan Printing Co Ltd | チップキャリア並びにその製造装置及び製造方法 |
| JPH1075063A (ja) * | 1996-09-02 | 1998-03-17 | Oki Purintetsudo Circuit Kk | ポスト接続型プリント配線板の製造方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7371682B2 (en) | 2003-06-13 | 2008-05-13 | Tdk Corporation | Production method for electronic component and electronic component |
| JP2006196785A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Dainippon Printing Co Ltd | 電子部品内蔵プリント配線板及びその製造方法 |
| EP2700090A1 (en) * | 2011-04-21 | 2014-02-26 | Tessera, Inc. | Interposer having molded low cte dielectric |
| JP2014512695A (ja) * | 2011-04-21 | 2014-05-22 | テセラ インコーポレイテッド | 成形された低cte誘電体を有するインターポーザ |
| JP2023028871A (ja) * | 2021-08-20 | 2023-03-03 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板及びその製造方法 |
| WO2026061105A1 (zh) * | 2024-09-23 | 2026-03-26 | 华为技术有限公司 | 封装基板及其制备方法、半导体堆叠结构、电子设备 |
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