JPH11310462A - 窒化アルミニウム質焼結体及びその製造方法 - Google Patents
窒化アルミニウム質焼結体及びその製造方法Info
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- JPH11310462A JPH11310462A JP10119761A JP11976198A JPH11310462A JP H11310462 A JPH11310462 A JP H11310462A JP 10119761 A JP10119761 A JP 10119761A JP 11976198 A JP11976198 A JP 11976198A JP H11310462 A JPH11310462 A JP H11310462A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】窒化アルミニウム質焼結体の強度、靱性を向上
させる。 【解決手段】窒化アルミニウム粉末に周期律表第３ａ族
元素の酸化物の中から選ばれる少なくとも一種以上と、
第２ａ族元素の炭酸塩の中から選ばれる少なくとも一種
以上とを合量で０．１〜３０重量％含み、Ｓｉ、第４ａ
族元素、第５ａ族元素、第６ａ族元素の窒化物、炭化
物、ケイ化物、硼化物の中から選ばれる少なくとも一種
以上を０．１〜３０重量％含み、さらに第６ａ族元素の
酸化物の中から選ばれる少なくとも一種以上を０．１〜
５重量％含有する。
させる。 【解決手段】窒化アルミニウム粉末に周期律表第３ａ族
元素の酸化物の中から選ばれる少なくとも一種以上と、
第２ａ族元素の炭酸塩の中から選ばれる少なくとも一種
以上とを合量で０．１〜３０重量％含み、Ｓｉ、第４ａ
族元素、第５ａ族元素、第６ａ族元素の窒化物、炭化
物、ケイ化物、硼化物の中から選ばれる少なくとも一種
以上を０．１〜３０重量％含み、さらに第６ａ族元素の
酸化物の中から選ばれる少なくとも一種以上を０．１〜
５重量％含有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気自動車、ハイ
ブリッド車、新幹線、地下鉄、通勤電車、エレベータ、
ロボット、クレーンや空調装置等に搭載されるパワーデ
バイスであるIGBT(Insulated Gate Bipolar Transisto
r) や、半導体素子が収容搭載される半導体素子収納用
パッケージや、半導体素子の他にコンデンサや抵抗体等
の各種電子部品が搭載される混成集積回路装置等で、大
電流を流すことが可能な低抵抗配線導体を有する放熱配
線基板などを製造するのに不可欠な高熱伝導性を有する
と同時に高強度、高靭性をも併せ持つ窒化アルミニウム
質焼結体及びその製造方法に関するものである。
ブリッド車、新幹線、地下鉄、通勤電車、エレベータ、
ロボット、クレーンや空調装置等に搭載されるパワーデ
バイスであるIGBT(Insulated Gate Bipolar Transisto
r) や、半導体素子が収容搭載される半導体素子収納用
パッケージや、半導体素子の他にコンデンサや抵抗体等
の各種電子部品が搭載される混成集積回路装置等で、大
電流を流すことが可能な低抵抗配線導体を有する放熱配
線基板などを製造するのに不可欠な高熱伝導性を有する
と同時に高強度、高靭性をも併せ持つ窒化アルミニウム
質焼結体及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】パワーデバイスは、最も歴史のある半導
体素子であるが、近年、高耐圧化、大電流化、高速・高
周波化、高機能化が著しく進み、IGBT、GTO(Gate Turn
Off thyrister)、IPM(Intelligent Power Module) 、パ
ワーMOS FET 等の高速のMOS 系パワーデバイスが出現す
るに至った。これらのパワーデバイスは、自動車、イン
バータ電車、ストロボ、電子レンジ、ゴルフカート等に
広く利用されている。しかしながら、環境問題を背景に
ハイブリッド車、電気自動車が一般に普及しつつある昨
今では、これらのパワーデバイス、特にIGBTの冷却性能
の向上が要求されている。
体素子であるが、近年、高耐圧化、大電流化、高速・高
周波化、高機能化が著しく進み、IGBT、GTO(Gate Turn
Off thyrister)、IPM(Intelligent Power Module) 、パ
ワーMOS FET 等の高速のMOS 系パワーデバイスが出現す
るに至った。これらのパワーデバイスは、自動車、イン
バータ電車、ストロボ、電子レンジ、ゴルフカート等に
広く利用されている。しかしながら、環境問題を背景に
ハイブリッド車、電気自動車が一般に普及しつつある昨
今では、これらのパワーデバイス、特にIGBTの冷却性能
の向上が要求されている。
【０００３】これらのパワーデバイスにおいて、半導体
素子を実装するための放熱配線基板用材料としては、
「機能性セラミックスの進歩(1985)」第39〜45頁に示されてい
るようにアルミナセラミックスや炭化珪素質セラミック
スが、また「絶縁・誘電セラミックス(1985)」第49〜64頁に示
されているように窒化アルミニウム質セラミックスが使
用されてきた。
素子を実装するための放熱配線基板用材料としては、
「機能性セラミックスの進歩(1985)」第39〜45頁に示されてい
るようにアルミナセラミックスや炭化珪素質セラミック
スが、また「絶縁・誘電セラミックス(1985)」第49〜64頁に示
されているように窒化アルミニウム質セラミックスが使
用されてきた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の放熱配線基板用材料は、例えば100A以上もの大電流
を流すことが要求され、なおかつ、-40 ℃〜150 ℃の冷
熱環境で使用されるような配線基板、例えば、環境問題
への取り組みから登場を余儀なくされているハイブリッ
ド車、電気自動車、次期新幹線に使用される各種制御機
器などをはじめとする用途に使用するには、その破壊強
度、破壊靭性が十分とは言えなかった。
来の放熱配線基板用材料は、例えば100A以上もの大電流
を流すことが要求され、なおかつ、-40 ℃〜150 ℃の冷
熱環境で使用されるような配線基板、例えば、環境問題
への取り組みから登場を余儀なくされているハイブリッ
ド車、電気自動車、次期新幹線に使用される各種制御機
器などをはじめとする用途に使用するには、その破壊強
度、破壊靭性が十分とは言えなかった。
【０００５】もし、破壊強度、破壊靭性が十分とは言え
ない前記従来の放熱配線基板材料を上記の用途に使用し
た場合には、基板とその表面に形成した低抵抗配線導体
との間の熱膨張差に起因する熱応力により、特に低抵抗
配線導体端部近傍の基板に応力が集中して大きな残留応
力が生じていた。
ない前記従来の放熱配線基板材料を上記の用途に使用し
た場合には、基板とその表面に形成した低抵抗配線導体
との間の熱膨張差に起因する熱応力により、特に低抵抗
配線導体端部近傍の基板に応力が集中して大きな残留応
力が生じていた。
【０００６】その結果、放熱配線基板に冷熱サイクルや
外力が加わると前記残留応力と相まってきわめて大とな
り、破壊強度、破壊靭性が十分ではない放熱配線基板に
クラックを発生させたり、そのクラックが進展して配線
導体を断線する可能性があった。このことは、SHM 会
誌、Vol.14,No.1 の「高信頼性パワーモジュール材料と
放熱構造」に詳しく解説されている。この文献では、低
抵抗配線導体に用いる金属材料を限定する事により、放
熱配線基板に発生するクラックの発生を回避する手段が
提案されているが、これらの手法では、放熱配線基板の
構造が限定され、その適用範囲に制約があった。
外力が加わると前記残留応力と相まってきわめて大とな
り、破壊強度、破壊靭性が十分ではない放熱配線基板に
クラックを発生させたり、そのクラックが進展して配線
導体を断線する可能性があった。このことは、SHM 会
誌、Vol.14,No.1 の「高信頼性パワーモジュール材料と
放熱構造」に詳しく解説されている。この文献では、低
抵抗配線導体に用いる金属材料を限定する事により、放
熱配線基板に発生するクラックの発生を回避する手段が
提案されているが、これらの手法では、放熱配線基板の
構造が限定され、その適用範囲に制約があった。
【０００７】
【課題を解決する為の手段】本発明の窒化アルミニウム
質焼結体は、窒化アルミニウム粉末に周期律表第３ａ族
元素の酸化物の中から選ばれる少なくとも一種以上と、
第２ａ族元素の炭酸塩の中から選ばれる少なくとも一種
以上とを合量で０．１〜３０重量％含み、Ｓｉ、第４ａ
族元素、第５ａ族元素、第６ａ族元素の窒化物、炭化
物、ケイ化物、硼化物の中から選ばれる少なくとも一種
以上を０．１〜３０重量％含み、更に第６ａ族元素の酸
化物の中から選ばれる少なくとも一種以上を０．１〜５
重量％含む窒化アルミニウム質焼結体を特徴とする。
質焼結体は、窒化アルミニウム粉末に周期律表第３ａ族
元素の酸化物の中から選ばれる少なくとも一種以上と、
第２ａ族元素の炭酸塩の中から選ばれる少なくとも一種
以上とを合量で０．１〜３０重量％含み、Ｓｉ、第４ａ
族元素、第５ａ族元素、第６ａ族元素の窒化物、炭化
物、ケイ化物、硼化物の中から選ばれる少なくとも一種
以上を０．１〜３０重量％含み、更に第６ａ族元素の酸
化物の中から選ばれる少なくとも一種以上を０．１〜５
重量％含む窒化アルミニウム質焼結体を特徴とする。
【０００８】本発明が提案する窒化アルミニウム質焼結
体及びその製造方法によれば、従来の窒化アルミニウム
材料に比べ、遙かに高い破壊強度、破壊靭性を有する窒
化アルミニウム質焼結体が提供される。そのため、本発
明の窒化アルミニウム質焼結体を放熱配線基板材料など
に使用した場合、低抵抗配線導体と基板との間に両者の
熱膨張差に起因する熱応力が生じても、基板へのクラッ
クの発生やそのクラックの進展を防ぎ、低抵抗配線導体
に100A以上の大電流を流すことが可能で、しかも、-40
℃〜150 ℃の冷熱環境で繰り返し使用しても不具合の起
こらない高信頼性の放熱配線基板の提供が可能となる。
体及びその製造方法によれば、従来の窒化アルミニウム
材料に比べ、遙かに高い破壊強度、破壊靭性を有する窒
化アルミニウム質焼結体が提供される。そのため、本発
明の窒化アルミニウム質焼結体を放熱配線基板材料など
に使用した場合、低抵抗配線導体と基板との間に両者の
熱膨張差に起因する熱応力が生じても、基板へのクラッ
クの発生やそのクラックの進展を防ぎ、低抵抗配線導体
に100A以上の大電流を流すことが可能で、しかも、-40
℃〜150 ℃の冷熱環境で繰り返し使用しても不具合の起
こらない高信頼性の放熱配線基板の提供が可能となる。
【０００９】本発明の窒化アルミニウム質焼結体は、良
好な焼結性を保持したまま、硬質物質を均一に分散させ
ることによって、高強度、クラックデフクションによる
高靭性を得るようにしたものである。硬質粒子をマトリ
ックスに均一分散により破壊強度の向上、破壊靭性の向
上が得られる理由は、熱膨張係数の異なる物質を分散さ
せると焼成温度から冷却する過程で発生する材料内部で
の引っ張り応力によるところの粒子分散効果として一般
に説明されているが、詳しいことは解っていない。
好な焼結性を保持したまま、硬質物質を均一に分散させ
ることによって、高強度、クラックデフクションによる
高靭性を得るようにしたものである。硬質粒子をマトリ
ックスに均一分散により破壊強度の向上、破壊靭性の向
上が得られる理由は、熱膨張係数の異なる物質を分散さ
せると焼成温度から冷却する過程で発生する材料内部で
の引っ張り応力によるところの粒子分散効果として一般
に説明されているが、詳しいことは解っていない。
【００１０】本発明において、窒化アルミニウム粉末に
周期律表第３ａ族元素の酸化物の中から選ばれる少なく
とも一種以上と第２ａ族元素の炭酸塩の中から選ばれる
少なくとも一種以上は、焼結助剤として作用し、これら
の合量が０．１重量％未満では焼結性に乏しく、３０重
量％を超えると破壊靭性が低下するため、０．１〜３０
重量％の範囲内が好ましい。
周期律表第３ａ族元素の酸化物の中から選ばれる少なく
とも一種以上と第２ａ族元素の炭酸塩の中から選ばれる
少なくとも一種以上は、焼結助剤として作用し、これら
の合量が０．１重量％未満では焼結性に乏しく、３０重
量％を超えると破壊靭性が低下するため、０．１〜３０
重量％の範囲内が好ましい。
【００１１】また、Ｓｉ、第４ａ族元素、第５ａ族元
素、第６ａ族元素の窒化物、炭化物、ケイ化物、硼化物
の中から選ばれる少なくとも一種以上は、上述した硬質
成分として作用し、その含有量が０．１重量％未満で
は、充分な破壊靭性の向上が得られず、３０重量％を超
えると焼結性に乏しくなるため、０．１〜３０重量％の
範囲内が好ましい。
素、第６ａ族元素の窒化物、炭化物、ケイ化物、硼化物
の中から選ばれる少なくとも一種以上は、上述した硬質
成分として作用し、その含有量が０．１重量％未満で
は、充分な破壊靭性の向上が得られず、３０重量％を超
えると焼結性に乏しくなるため、０．１〜３０重量％の
範囲内が好ましい。
【００１２】さらに、第６ａ族元素の酸化物の中から選
ばれる少なくとも一種以上は、焼結助剤として作用する
とともに、クラックの進展を防止する作用を成し、その
含有量が０．１重量％未満では、均質なマイクロストラ
クチャーが得られず破壊強度が低下し、５重量％を超え
ると焼結性に乏しこうなるため、０．１〜５重量％の範
囲が好ましい。
ばれる少なくとも一種以上は、焼結助剤として作用する
とともに、クラックの進展を防止する作用を成し、その
含有量が０．１重量％未満では、均質なマイクロストラ
クチャーが得られず破壊強度が低下し、５重量％を超え
ると焼結性に乏しこうなるため、０．１〜５重量％の範
囲が好ましい。
【００１３】また、上記添加成分の合計量が４０重量％
を超えると熱伝導率が低下するため、これらの合計量は
４０重量％以下が好ましい。
を超えると熱伝導率が低下するため、これらの合計量は
４０重量％以下が好ましい。
【００１４】さらに、本発明の窒化アルミニウム質焼結
体は、上記組成の原料粉末を公知の方法で所定形状に成
形した後、窒素雰囲気中又は窒素と水素の混合ガス中に
おいて、１６００℃以上の温度で焼成し、相対比重９０
％以上まで緻密化させることを特徴とする。これは、１
６００℃未満の温度で焼結させるには、カプセルＨＩＰ
のような実験室レベルの焼結方法に頼らなければならな
いため、本発明が目指す放熱配線基板のような製品の焼
成には不向きとなるからである。
体は、上記組成の原料粉末を公知の方法で所定形状に成
形した後、窒素雰囲気中又は窒素と水素の混合ガス中に
おいて、１６００℃以上の温度で焼成し、相対比重９０
％以上まで緻密化させることを特徴とする。これは、１
６００℃未満の温度で焼結させるには、カプセルＨＩＰ
のような実験室レベルの焼結方法に頼らなければならな
いため、本発明が目指す放熱配線基板のような製品の焼
成には不向きとなるからである。
【００１５】このようにして得られた本発明の窒化アル
ミニウム質焼結体は、実質的にその粒界相が、窒化アル
ミニウム粒子間の粒界三重点に閉じこめられていること
を特徴とする。これは、上記のようなマイクロストラク
チャーが最も高い熱伝導特性を具現させるからである。
またこのように実質的にその粒界相が窒化アルミニウム
粒子間の粒界三重点に閉じこめられているマイクロスト
ラクチャーを得るには、１７００℃以上の温度で３時間
以上焼成することが望ましい。
ミニウム質焼結体は、実質的にその粒界相が、窒化アル
ミニウム粒子間の粒界三重点に閉じこめられていること
を特徴とする。これは、上記のようなマイクロストラク
チャーが最も高い熱伝導特性を具現させるからである。
またこのように実質的にその粒界相が窒化アルミニウム
粒子間の粒界三重点に閉じこめられているマイクロスト
ラクチャーを得るには、１７００℃以上の温度で３時間
以上焼成することが望ましい。
【００１６】
【実施例】以下に本発明の具体的実施例を示す。
【００１７】表１に示すさまざまな組成の原料をメタノ
ール中で２４時間振動粉砕混合し、得られたスラリーに
２００メッシュパスを施した後、防爆乾燥機にて１２０
℃で２４時間充分乾燥し、パラフィンワックスを１０％
ＩＰＡ中にて均一に混合した後、４０メッシュパスし
て、窒化アルミニウム質粉末を得た。
ール中で２４時間振動粉砕混合し、得られたスラリーに
２００メッシュパスを施した後、防爆乾燥機にて１２０
℃で２４時間充分乾燥し、パラフィンワックスを１０％
ＩＰＡ中にて均一に混合した後、４０メッシュパスし
て、窒化アルミニウム質粉末を得た。
【００１８】この粉末を焼成収縮と研磨代を考慮して、
ＪＩＳ３点曲げ用のテストピースが得られる寸法の生成
形体を１ton/cm2 の圧力で成形し、５００℃、窒素気流
中にて脱脂し、窒素雰囲気中にて１６００℃以上の温度
で１時間から１０時間、焼成を行った。
ＪＩＳ３点曲げ用のテストピースが得られる寸法の生成
形体を１ton/cm2 の圧力で成形し、５００℃、窒素気流
中にて脱脂し、窒素雰囲気中にて１６００℃以上の温度
で１時間から１０時間、焼成を行った。
【００１９】得られた焼結体を４００番以上のダイヤモ
ンドホイールで平面研削し、所望の試験片を得た。破壊
強度は、ＪＩＳ３点曲げに準拠して測定した。また、破
壊靭性値はSEPB法で測定した。
ンドホイールで平面研削し、所望の試験片を得た。破壊
強度は、ＪＩＳ３点曲げに準拠して測定した。また、破
壊靭性値はSEPB法で測定した。
【００２０】結果を表１に示す。この結果より、本発明
の範囲内の窒化アルミニウム質焼結体は、破壊強度４０
０ＭＰａ以上、破壊靭性４ＭＰａｍ1/2 以上の特性を有
している。そのため、放熱基板材料などに使用した場
合、破壊強度、破壊靭性が十分に高いことから、低抵抗
配線導体と基板との間に両者の熱膨張差に起因する熱応
力が生じても、クラックの発生やその進展を防止するこ
とができる。
の範囲内の窒化アルミニウム質焼結体は、破壊強度４０
０ＭＰａ以上、破壊靭性４ＭＰａｍ1/2 以上の特性を有
している。そのため、放熱基板材料などに使用した場
合、破壊強度、破壊靭性が十分に高いことから、低抵抗
配線導体と基板との間に両者の熱膨張差に起因する熱応
力が生じても、クラックの発生やその進展を防止するこ
とができる。
【００２１】したがって、低抵抗配線導体に100A以上の
大電流を流すことが可能で、しかも、-40 ℃〜150 ℃の
冷熱環境で繰り返し使用しても不具合の起こらない高信
頼性の放熱配線基板の提供が可能となる。
大電流を流すことが可能で、しかも、-40 ℃〜150 ℃の
冷熱環境で繰り返し使用しても不具合の起こらない高信
頼性の放熱配線基板の提供が可能となる。
【００２２】
【表１】
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、窒化アルミニウム粉末
に周期律表第３ａ族元素の酸化物の中から選ばれる少な
くとも一種以上と、第２ａ族元素の炭酸塩の中から選ば
れる少なくとも一種以上とを合量で０．１〜３０重量％
含み、Ｓｉ、第４ａ族元素、第５ａ族元素、第６ａ族元
素の窒化物、炭化物、ケイ化物、硼化物の中から選ばれ
る少なくとも一種以上を０．１〜３０重量％含み、さら
に第６ａ族元素の酸化物の中から選ばれる少なくとも一
種以上を０．１〜５重量％含有して窒化アルミニウム質
焼結体を構成することによって、強度、靱性を向上させ
ることができる。
に周期律表第３ａ族元素の酸化物の中から選ばれる少な
くとも一種以上と、第２ａ族元素の炭酸塩の中から選ば
れる少なくとも一種以上とを合量で０．１〜３０重量％
含み、Ｓｉ、第４ａ族元素、第５ａ族元素、第６ａ族元
素の窒化物、炭化物、ケイ化物、硼化物の中から選ばれ
る少なくとも一種以上を０．１〜３０重量％含み、さら
に第６ａ族元素の酸化物の中から選ばれる少なくとも一
種以上を０．１〜５重量％含有して窒化アルミニウム質
焼結体を構成することによって、強度、靱性を向上させ
ることができる。
【００２４】そのため、本発明の窒化アルミニウム質焼
結体を用いて放熱配線基板を構成すれば、良好な放熱性
を維持したまま、大電流を流したり、冷熱環境で繰り返
し使用してもクラック等の生じない高信頼性の放熱配線
基板を得ることができる。
結体を用いて放熱配線基板を構成すれば、良好な放熱性
を維持したまま、大電流を流したり、冷熱環境で繰り返
し使用してもクラック等の生じない高信頼性の放熱配線
基板を得ることができる。
Claims (4)
- 【請求項１】窒化アルミニウム粉末に周期律表第３ａ族
元素の酸化物の中から選ばれる少なくとも一種以上と、
第２ａ族元素の炭酸塩の中から選ばれる少なくとも一種
以上とを合量で０．１〜３０重量％含み、Ｓｉ、第４ａ
族元素、第５ａ族元素、第６ａ族元素の窒化物、炭化
物、ケイ化物、硼化物の中から選ばれる少なくとも一種
以上を０．１〜３０重量％含み、さらに第６ａ族元素の
酸化物の中から選ばれる少なくとも一種以上を０．１〜
５重量％含むことを特徴とする窒化アルミニウム質焼結
体。 - 【請求項２】上記添加成分の合計量が４０重量％以下で
あることを特徴とする請求項１記載の窒化アルミニウム
質焼結体。 - 【請求項３】実質的にその粒界相が、窒化アルミニウム
粒子間の粒界三重点に閉じこめられていることを特徴と
する請求項１又は２記載の窒化アルミニウム質焼結体。 - 【請求項４】窒化アルミニウム粉末に周期律表第３ａ族
元素の酸化物の中から選ばれる少なくとも一種以上と、
第２ａ族元素の炭酸塩の中から選ばれる少なくとも一種
以上とを合量で０．１〜３０重量％含み、Ｓｉ、第４ａ
族元素、第５ａ族元素、第６ａ族元素の窒化物、炭化
物、ケイ化物、硼化物の中から選ばれる少なくとも一種
以上を０．１〜３０重量％含み、さらに第６ａ族元素の
酸化物の中から選ばれる少なくとも一種以上を０．１〜
５重量％含む原料を所定形状に成形した後、窒素雰囲気
中又は窒素と水素の混合ガス中において１６００℃以上
の温度で焼成し、相対比重９０％以上まで緻密化させる
ことを特徴とする窒化アルミニウム質焼結体の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11976198A JP3961113B2 (ja) | 1998-04-28 | 1998-04-28 | 窒化アルミニウム質焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11976198A JP3961113B2 (ja) | 1998-04-28 | 1998-04-28 | 窒化アルミニウム質焼結体の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006232484A Division JP2007031278A (ja) | 2006-08-29 | 2006-08-29 | 窒化アルミニウム質焼結体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11310462A true JPH11310462A (ja) | 1999-11-09 |
| JP3961113B2 JP3961113B2 (ja) | 2007-08-22 |
Family
ID=14769531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11976198A Expired - Fee Related JP3961113B2 (ja) | 1998-04-28 | 1998-04-28 | 窒化アルミニウム質焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3961113B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103881719A (zh) * | 2012-12-22 | 2014-06-25 | 奇美实业股份有限公司 | 荧光体及发光装置 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH03228873A (ja) * | 1990-03-13 | 1991-10-09 | Kyocera Corp | 窒化アルミニウム質基板 |
| JPH06329474A (ja) * | 1993-05-21 | 1994-11-29 | Toshiba Corp | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
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| JPH0977559A (ja) * | 1995-09-14 | 1997-03-25 | Toshiba Corp | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
-
1998
- 1998-04-28 JP JP11976198A patent/JP3961113B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JP3961113B2 (ja) | 2007-08-22 |
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| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
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|
| A02 | Decision of refusal |
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| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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