JPH11315384A - 無電解金属めっき法 - Google Patents
無電解金属めっき法Info
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- JPH11315384A JPH11315384A JP11034874A JP3487499A JPH11315384A JP H11315384 A JPH11315384 A JP H11315384A JP 11034874 A JP11034874 A JP 11034874A JP 3487499 A JP3487499 A JP 3487499A JP H11315384 A JPH11315384 A JP H11315384A
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- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
- G03F7/0385—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable using epoxidised novolak resin
-
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- H05K3/243—Reinforcing of the conductive pattern characterised by selective plating, e.g. for finish plating of pads
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 回路化基板のような基板上に、金属、特に金
および銅を選択的に無電解めっきする新しい方法を提供
する。 【解決手段】 基板上にエピクロルヒドリンとビスフェ
ノールＡの縮合物である分子量約４０，０００〜約１３
０，０００のフェノキシポリオール樹脂約１０〜約８０
％、分子量約４，０００〜約１０，０００のエポキシ化
多官能性ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒド・ノボラ
ック樹脂約２０〜約９０％、分子量約６００〜約２，５
００のビスフェノールＡのジグリシジルエーテル約３５
〜約５０％、および全樹脂の約０．１〜約１５重量部の
カチオン性光開始剤とを含む硬化されて光結像可能な、
誘電性永久めっきレジストを付与する段階と、永久めっ
きレジストを光パターン化して、基板の領域を露出する
開口をその中に形成する段階と、基板の露出領域上に金
属を無電解めっきする段階とを含む。
および銅を選択的に無電解めっきする新しい方法を提供
する。 【解決手段】 基板上にエピクロルヒドリンとビスフェ
ノールＡの縮合物である分子量約４０，０００〜約１３
０，０００のフェノキシポリオール樹脂約１０〜約８０
％、分子量約４，０００〜約１０，０００のエポキシ化
多官能性ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒド・ノボラ
ック樹脂約２０〜約９０％、分子量約６００〜約２，５
００のビスフェノールＡのジグリシジルエーテル約３５
〜約５０％、および全樹脂の約０．１〜約１５重量部の
カチオン性光開始剤とを含む硬化されて光結像可能な、
誘電性永久めっきレジストを付与する段階と、永久めっ
きレジストを光パターン化して、基板の領域を露出する
開口をその中に形成する段階と、基板の露出領域上に金
属を無電解めっきする段階とを含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に金および
銅などの金属を選択的に無電解めっきする方法に関し、
特に、永久めっきレジストを用いた選択的無電解めっき
方法に関する。
銅などの金属を選択的に無電解めっきする方法に関し、
特に、永久めっきレジストを用いた選択的無電解めっき
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】プリント配線板および積層チップ・キャ
リアの製造において、銅および金のめっきに、無電解め
っきを使用するのが有利である。無電解銅めっきによ
り、電解めっきで使用されるバーを共有せず、また銅の
層を丸ごとめっきせずに、ライン、タブおよびパッドを
製造することができる。無電解銅パターンめっきは、シ
ード層を付着し、次いでめっきされない領域をマスクす
るためのレジストを塗布する段階を含む。しかし、この
レジストは、高温のアルカリ性無電解めっき浴に抵抗性
がなければならず、微細線回路を形成するために高解像
度を与えねばならない。両方の要件を満たすレジストは
僅かである。その上、レジストを使用する場合、レジス
トとシードは通常、次の工程の前に剥がされる。
リアの製造において、銅および金のめっきに、無電解め
っきを使用するのが有利である。無電解銅めっきによ
り、電解めっきで使用されるバーを共有せず、また銅の
層を丸ごとめっきせずに、ライン、タブおよびパッドを
製造することができる。無電解銅パターンめっきは、シ
ード層を付着し、次いでめっきされない領域をマスクす
るためのレジストを塗布する段階を含む。しかし、この
レジストは、高温のアルカリ性無電解めっき浴に抵抗性
がなければならず、微細線回路を形成するために高解像
度を与えねばならない。両方の要件を満たすレジストは
僅かである。その上、レジストを使用する場合、レジス
トとシードは通常、次の工程の前に剥がされる。
【０００３】金の無電解めっきは、多くの新しいハイテ
クノロジーのプリント配線板および積層チップ・キャリ
アに用いられ、ＳＭＴやワイアボンド・パッドを加工中
に酸化から保護する。すべての製品が共通化して金で電
気めっきできる訳ではないので、無電解金めっきが使用
される。通常のレジスト材料またはマスク材料は、ワイ
アボンド・タブおよび微細ピッチＳＭＴパッドをマスク
するのに十分な解像度がなく、また無電解金めっき浴と
化学的に適合しないので、金の無電解めっきには適さな
い。金の無電解めっき浴は、レジストを劣化させて剥が
し、めっき浴中に材料を溶かし出し、それが無電解めっ
きを妨害する。これらの問題を避ける試みでは、一般に
レジストを用いず、金は製品のあらゆる金属フィーチャ
に無電解めっきされる。金属が無電解めっきされた後、
はんだマスクを施して後のはんだ操作中に回路を保護す
る。
クノロジーのプリント配線板および積層チップ・キャリ
アに用いられ、ＳＭＴやワイアボンド・パッドを加工中
に酸化から保護する。すべての製品が共通化して金で電
気めっきできる訳ではないので、無電解金めっきが使用
される。通常のレジスト材料またはマスク材料は、ワイ
アボンド・タブおよび微細ピッチＳＭＴパッドをマスク
するのに十分な解像度がなく、また無電解金めっき浴と
化学的に適合しないので、金の無電解めっきには適さな
い。金の無電解めっき浴は、レジストを劣化させて剥が
し、めっき浴中に材料を溶かし出し、それが無電解めっ
きを妨害する。これらの問題を避ける試みでは、一般に
レジストを用いず、金は製品のあらゆる金属フィーチャ
に無電解めっきされる。金属が無電解めっきされた後、
はんだマスクを施して後のはんだ操作中に回路を保護す
る。
【０００４】しかし、そのような手法は、金が必要でな
い領域にまでめっきされるので、金を不必要に消費す
る。加えて、金めっき段階の後に回路付き製品を加工
し、取り扱う際、金パッドを汚し汚染する。その結果、
欠陥製品の廃棄をもたらす。さらに、はんだマスクの多
くは金めっき層によく接着しない。
い領域にまでめっきされるので、金を不必要に消費す
る。加えて、金めっき段階の後に回路付き製品を加工
し、取り扱う際、金パッドを汚し汚染する。その結果、
欠陥製品の廃棄をもたらす。さらに、はんだマスクの多
くは金めっき層によく接着しない。
【０００５】金を基板のすべての金属フィーチャの上に
めっきする必要のない、選択的に金を無電解めっきする
方法が望ましい。また選択的に無電解めっき銅をめっき
する方法が望ましい。
めっきする必要のない、選択的に金を無電解めっきする
方法が望ましい。また選択的に無電解めっき銅をめっき
する方法が望ましい。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、加工
段階が少なく、金属消費量が少なく、汚染による部品の
廃棄が少ない。金属、特に金および銅を、回路化基板な
どの基板上に、選択的に無電解めっきする方法を提供す
ることである。
段階が少なく、金属消費量が少なく、汚染による部品の
廃棄が少ない。金属、特に金および銅を、回路化基板な
どの基板上に、選択的に無電解めっきする方法を提供す
ることである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、加工段階が少
なく、金属消費量が少なく、汚染による部品の廃棄が少
ない、回路化基板などの基板上に金属、特に金および銅
を無電解めっきする新しい方法を提供する。この方法で
は永久めっきレジストを使用する。この基板上に金属を
無電解めっきする方法は以下の段階を含む、即ち、エピ
クロルヒドリンとビスフェノールＡの縮合物である分子
量約４０，０００〜約１３０，０００のフェノキシポリ
オール樹脂約１０〜約８０％、分子量約４，０００〜約
１０，０００のエポキシ化多官能性ビスフェノールＡ−
ホルムアルデヒド・ノボラック樹脂約２０〜約９０％、
分子量約６００〜約２，５００のビスフェノールＡのジ
グリシジルエーテル約３５〜約５０％、および全樹脂量
の約０．１〜約１５重量部のカチオン性光開始剤を含む
エポキシ樹脂系を含む、未硬化の光結像可能な誘電性永
久めっきレジストを提供する段階と、基板上にこの永久
めっきレジストを塗布する段階と、永久めっきレジスト
を光パターン化して、基板の領域を曝露する開口をその
中に形成する段階と、基板の曝露領域上に金属を無電解
めっきする段階とを含む。
なく、金属消費量が少なく、汚染による部品の廃棄が少
ない、回路化基板などの基板上に金属、特に金および銅
を無電解めっきする新しい方法を提供する。この方法で
は永久めっきレジストを使用する。この基板上に金属を
無電解めっきする方法は以下の段階を含む、即ち、エピ
クロルヒドリンとビスフェノールＡの縮合物である分子
量約４０，０００〜約１３０，０００のフェノキシポリ
オール樹脂約１０〜約８０％、分子量約４，０００〜約
１０，０００のエポキシ化多官能性ビスフェノールＡ−
ホルムアルデヒド・ノボラック樹脂約２０〜約９０％、
分子量約６００〜約２，５００のビスフェノールＡのジ
グリシジルエーテル約３５〜約５０％、および全樹脂量
の約０．１〜約１５重量部のカチオン性光開始剤を含む
エポキシ樹脂系を含む、未硬化の光結像可能な誘電性永
久めっきレジストを提供する段階と、基板上にこの永久
めっきレジストを塗布する段階と、永久めっきレジスト
を光パターン化して、基板の領域を曝露する開口をその
中に形成する段階と、基板の曝露領域上に金属を無電解
めっきする段階とを含む。
【０００８】永久めっきレジストは、たとえば基板上の
金属化フィーチャを含む基板領域を、無電解めっき実施
中に、金属の無電解付着から保護するのに有用である。
このようにして金属の選択的めっきが達成される。永久
めっきレジストは通常の金および銅無電解めっき浴によ
って劣化されない。本発明はまた無電解めっき法で製造
される回路化構造にも関する。
金属化フィーチャを含む基板領域を、無電解めっき実施
中に、金属の無電解付着から保護するのに有用である。
このようにして金属の選択的めっきが達成される。永久
めっきレジストは通常の金および銅無電解めっき浴によ
って劣化されない。本発明はまた無電解めっき法で製造
される回路化構造にも関する。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明は、加工段階が少なく、金
属消費量が少なく、汚染による部品の廃棄が少ない、金
属、特に金および銅を基板上に、特に回路化基板上に、
無電解めっきする新しい方法を提供する。永久めっきレ
ジストは、一般に加工物を苛酷な高温アルカリ性条件に
置く無電解めっき浴によって劣化されない。
属消費量が少なく、汚染による部品の廃棄が少ない、金
属、特に金および銅を基板上に、特に回路化基板上に、
無電解めっきする新しい方法を提供する。永久めっきレ
ジストは、一般に加工物を苛酷な高温アルカリ性条件に
置く無電解めっき浴によって劣化されない。
【００１０】はんだマスク組成物（米国特許第５０２６
６２４号；第５２７８０１０号；第５３００４０２号お
よび関連特許）が永久めっきレジストとして有用である
ことが発見されている。これは無電解めっき浴、特に銅
および金の浴と適合性があり、したがってめっきレジス
トとして有用である。これによって、無電解めっきされ
る微細な線および微細なピッチのパッドが可能になる。
これは、多数の層が使用され、より平坦な表面が望まし
いミクロバイア構築技術において特に有利である。
６２４号；第５２７８０１０号；第５３００４０２号お
よび関連特許）が永久めっきレジストとして有用である
ことが発見されている。これは無電解めっき浴、特に銅
および金の浴と適合性があり、したがってめっきレジス
トとして有用である。これによって、無電解めっきされ
る微細な線および微細なピッチのパッドが可能になる。
これは、多数の層が使用され、より平坦な表面が望まし
いミクロバイア構築技術において特に有利である。
【００１１】永久めっきレジストは、回路化基板中で構
造要素として働く。即ち永久めっきレジストは、誘電層
またははんだマスクとして機能することができる。永久
めっきレジストを取り除く必要はない。したがって、銅
の無電解めっき実施中にレジストを剥がす段階とシード
を剥がす段階が省略できる。
造要素として働く。即ち永久めっきレジストは、誘電層
またははんだマスクとして機能することができる。永久
めっきレジストを取り除く必要はない。したがって、銅
の無電解めっき実施中にレジストを剥がす段階とシード
を剥がす段階が省略できる。
【００１２】銅の無電解めっきでは、シードを基板の全
表面に施すことが好ましく、次いで永久めっきレジスト
をシードされた基板を覆うように施し、永久めっきレジ
ストのシード層を覆う。永久めっきレジストは光パター
ン化し、つまり化学線で露光し、通常の技術を用いて現
像して無電解めっきすべきシード領域を明らかにする。
次いで加工物を銅で無電解めっきし、銅が永久めっきレ
ジストで覆われていないシードされた領域上に付着され
る。あるいは、銅の無電解めっきで、通常の技術を用い
て、シードを基板の表面に選択的に施す。次いで永久め
っきレジストをシード領域および非シード領域を覆うた
め基板を覆うように施す。永久めっきレジストを露光
し、通常の技術を用いて現像してその上に付着されたシ
ードを有する領域を明らかにする。次いで加工物を銅で
無電解めっきし、銅がシードされた領域に付着する。
表面に施すことが好ましく、次いで永久めっきレジスト
をシードされた基板を覆うように施し、永久めっきレジ
ストのシード層を覆う。永久めっきレジストは光パター
ン化し、つまり化学線で露光し、通常の技術を用いて現
像して無電解めっきすべきシード領域を明らかにする。
次いで加工物を銅で無電解めっきし、銅が永久めっきレ
ジストで覆われていないシードされた領域上に付着され
る。あるいは、銅の無電解めっきで、通常の技術を用い
て、シードを基板の表面に選択的に施す。次いで永久め
っきレジストをシード領域および非シード領域を覆うた
め基板を覆うように施す。永久めっきレジストを露光
し、通常の技術を用いて現像してその上に付着されたシ
ードを有する領域を明らかにする。次いで加工物を銅で
無電解めっきし、銅がシードされた領域に付着する。
【００１３】金の無電解めっきは、通常ニッケルめっき
された銅フィーチャ上に付着された浸漬金表面上に行わ
れ、したがってシード化段階は不要である。永久めっき
レジストを光結像して、下のフィーチャの金めっきが必
要な銅部分だけを露出させる。その一部はその後のはん
だ操作ではんだを受けるサイトとしても働く。次いで加
工物を金で無電解めっきする。その結果、金が選択的に
無電解めっきされる。さらに永久めっきレジストは、金
の無電解めっき用のレジストとして働くのに加えて、は
んだ操作に使用される温度にも耐えることができる。し
たがってこのレジストははんだマスクとして機能する。
された銅フィーチャ上に付着された浸漬金表面上に行わ
れ、したがってシード化段階は不要である。永久めっき
レジストを光結像して、下のフィーチャの金めっきが必
要な銅部分だけを露出させる。その一部はその後のはん
だ操作ではんだを受けるサイトとしても働く。次いで加
工物を金で無電解めっきする。その結果、金が選択的に
無電解めっきされる。さらに永久めっきレジストは、金
の無電解めっき用のレジストとして働くのに加えて、は
んだ操作に使用される温度にも耐えることができる。し
たがってこのレジストははんだマスクとして機能する。
【００１４】永久めっきレジストは、金めっきレジスト
およびはんだマスクとして働くことができるので、回路
化基板の製作において２つの異なる材料を使用する必要
がなくなる。したがって、めっきレジストを剥がすのに
必要な段階が省かれ、はんだマスクを施すのに必要な段
階も省かれる。
およびはんだマスクとして働くことができるので、回路
化基板の製作において２つの異なる材料を使用する必要
がなくなる。したがって、めっきレジストを剥がすのに
必要な段階が省かれ、はんだマスクを施すのに必要な段
階も省かれる。
【００１５】永久めっきレジストは、回路化基板内で構
造要素として働くことができる、即ち永久めっきレジス
トは、誘電層として働くことができるので、永久めっき
レジストを除去する必要がない。より重要なことは、本
発明の方法では、プリント配線板など回路化基板の製造
において、最終の段階として金を無電解めっきすること
ができる。より詳しく言えば、しばしば金を汚染させる
フォトレジスト現像段階が、金をめっきする前に実施さ
れる。
造要素として働くことができる、即ち永久めっきレジス
トは、誘電層として働くことができるので、永久めっき
レジストを除去する必要がない。より重要なことは、本
発明の方法では、プリント配線板など回路化基板の製造
において、最終の段階として金を無電解めっきすること
ができる。より詳しく言えば、しばしば金を汚染させる
フォトレジスト現像段階が、金をめっきする前に実施さ
れる。
【００１６】これによって、回路化基板の製造工程が簡
単になり、金をめっきした後のレジストの加工と操作を
省くことによって、汚れなど金パッド表面の汚染を低減
することによって歩留まりが増加する。
単になり、金をめっきした後のレジストの加工と操作を
省くことによって、汚れなど金パッド表面の汚染を低減
することによって歩留まりが増加する。
【００１７】永久めっきレジストが乾燥フィルムの形で
使用される場合、液体レジストあるいはペースト・レジ
ストが孔に流入する時に生じるようなバイア・ホールな
どの孔の詰まりを、なくすまでは行かないとしても低減
するというさらなる利点を提供する。したがって、乾燥
フィルムの形の永久めっきレジストは、孔詰まり欠陥を
なくすことによって歩留まりも改善する。
使用される場合、液体レジストあるいはペースト・レジ
ストが孔に流入する時に生じるようなバイア・ホールな
どの孔の詰まりを、なくすまでは行かないとしても低減
するというさらなる利点を提供する。したがって、乾燥
フィルムの形の永久めっきレジストは、孔詰まり欠陥を
なくすことによって歩留まりも改善する。
【００１８】乾燥フィルムの形の永久めっきレジスト
は、孔をカバーまたは「テンティング(tenting)」する
ためにも使用され、それによって高価で不便な孔充填操
作を省くことができる。テンティングは通常は銅の無電
解めっきでは使用されない。テンティングは金の無電解
めっき工程でより普通に使用される。
は、孔をカバーまたは「テンティング(tenting)」する
ためにも使用され、それによって高価で不便な孔充填操
作を省くことができる。テンティングは通常は銅の無電
解めっきでは使用されない。テンティングは金の無電解
めっき工程でより普通に使用される。
【００１９】永久めっきレジスト永久めっきレジストは
高解像度の誘電材料である。永久めっきレジストを作成
するのに適した光結像可能組成物は米国特許第５０２６
６２４号、米国特許第５３００４０２号、米国特許第５
２６４３２５号に開示されており、それらを参照により
本明細書に合体する。永久めっきレジストの誘電率は約
５未満が好ましく、約４未満がより好ましい。
高解像度の誘電材料である。永久めっきレジストを作成
するのに適した光結像可能組成物は米国特許第５０２６
６２４号、米国特許第５３００４０２号、米国特許第５
２６４３２５号に開示されており、それらを参照により
本明細書に合体する。永久めっきレジストの誘電率は約
５未満が好ましく、約４未満がより好ましい。
【００２０】好ましい実施形態の永久めっきレジストは
固体と溶媒からなる。固体はエポキシ樹脂系を含み、こ
の系は好ましくは、エピクロルヒドリンとビスフェノー
ルＡの縮合物である、約４０，０００〜約１３０，００
０、好ましくは約６０，０００〜約９０，０００、より
好ましくは６０，０００を超す分子量のフェノキシポリ
オール樹脂約１０〜約８０％、好ましくは約２０〜約４
０％、より好ましくは約２５〜約３５％、分子量約４，
０００〜約１０，０００、好ましくは約５，０００〜約
７，０００のエポキシ化多官能性ビスフェノールＡ−ホ
ルムアルデヒド・ノボラック樹脂約２０〜約９０％、好
ましくは約２５〜約３０％、最も好ましくは約２５％、
分子量約６００〜約２，５００、好ましくは１，０００
〜１，７００のビスフェノールＡのジグリシジルエーテ
ル約３５〜約５０％、好ましくは約４０〜約４５％、よ
り好ましくは約４５％、および全樹脂の約０．１〜約１
５重量部、好ましくは約５重量部のカチオン性光開始剤
を含む。ビスフェノールＡのジグリシジルエーテルは好
ましくはハロゲン化、より好ましくは臭素化されてい
る。永久めっきレジストの溶媒成分はプロピレングリコ
ールモノメチルエーテルアセテートと０〜約１０％未満
のプロピレンカーボネートを含むことが好ましい。プロ
ピレンカーボネートは好ましい光開始剤のキャリアであ
ることが好ましい。
固体と溶媒からなる。固体はエポキシ樹脂系を含み、こ
の系は好ましくは、エピクロルヒドリンとビスフェノー
ルＡの縮合物である、約４０，０００〜約１３０，００
０、好ましくは約６０，０００〜約９０，０００、より
好ましくは６０，０００を超す分子量のフェノキシポリ
オール樹脂約１０〜約８０％、好ましくは約２０〜約４
０％、より好ましくは約２５〜約３５％、分子量約４，
０００〜約１０，０００、好ましくは約５，０００〜約
７，０００のエポキシ化多官能性ビスフェノールＡ−ホ
ルムアルデヒド・ノボラック樹脂約２０〜約９０％、好
ましくは約２５〜約３０％、最も好ましくは約２５％、
分子量約６００〜約２，５００、好ましくは１，０００
〜１，７００のビスフェノールＡのジグリシジルエーテ
ル約３５〜約５０％、好ましくは約４０〜約４５％、よ
り好ましくは約４５％、および全樹脂の約０．１〜約１
５重量部、好ましくは約５重量部のカチオン性光開始剤
を含む。ビスフェノールＡのジグリシジルエーテルは好
ましくはハロゲン化、より好ましくは臭素化されてい
る。永久めっきレジストの溶媒成分はプロピレングリコ
ールモノメチルエーテルアセテートと０〜約１０％未満
のプロピレンカーボネートを含むことが好ましい。プロ
ピレンカーボネートは好ましい光開始剤のキャリアであ
ることが好ましい。
【００２１】フェノキシポリオール樹脂はｋｇあたり約
０．００１〜約３、より好ましくは約０．０１〜約０．
３、最も好ましくは約０．０３当量のエポキシ価を有
し、エポキシド当たりの分子量が約１０，０００〜約６
０，０００、より好ましくは約２０，０００〜約５０，
０００、最も好ましくは約３７，０００、ガラス転移点
温度が約８０〜約１５０℃、より好ましくは約９０〜約
１１０℃、最も好ましくは約９８℃である。
０．００１〜約３、より好ましくは約０．０１〜約０．
３、最も好ましくは約０．０３当量のエポキシ価を有
し、エポキシド当たりの分子量が約１０，０００〜約６
０，０００、より好ましくは約２０，０００〜約５０，
０００、最も好ましくは約３７，０００、ガラス転移点
温度が約８０〜約１５０℃、より好ましくは約９０〜約
１１０℃、最も好ましくは約９８℃である。
【００２２】エポキシ化多官能性ビスフェノールＡ−ホ
ルムアルデヒド・ノボラック樹脂は、ｋｇあたり約１〜
約１０、より好ましくは約３〜約６、最も好ましくは約
４．７当量のエポキシ価を有し、エポキシド当たりの分
子量が約１８０〜約３００、より好ましくは約１９０〜
約２３０、最も好ましくは約２１５であり、融点が約６
０℃〜約１５０℃、より好ましくは約７０〜約９０℃、
最も好ましくは約８２℃である。
ルムアルデヒド・ノボラック樹脂は、ｋｇあたり約１〜
約１０、より好ましくは約３〜約６、最も好ましくは約
４．７当量のエポキシ価を有し、エポキシド当たりの分
子量が約１８０〜約３００、より好ましくは約１９０〜
約２３０、最も好ましくは約２１５であり、融点が約６
０℃〜約１５０℃、より好ましくは約７０〜約９０℃、
最も好ましくは約８２℃である。
【００２３】ビスフェノールＡのジグリシジルエーテル
は、ｋｇあたり約０．１〜約５、好ましくは約１〜約
３、最も好ましくは約１．５当量のエポキシ価を有し、
エポキシド当たりの分子量が約２００〜約１，０００、
より好ましくは約５００〜約７５０、最も好ましくは約
６７５であり、融点が約７０℃〜約１５０℃、より好ま
しくは約８０℃〜約１１０℃、最も好ましくは約９７℃
である。
は、ｋｇあたり約０．１〜約５、好ましくは約１〜約
３、最も好ましくは約１．５当量のエポキシ価を有し、
エポキシド当たりの分子量が約２００〜約１，０００、
より好ましくは約５００〜約７５０、最も好ましくは約
６７５であり、融点が約７０℃〜約１５０℃、より好ま
しくは約８０℃〜約１１０℃、最も好ましくは約９７℃
である。
【００２４】適切なフェノキシポリオール樹脂は、以前
はUnion Carbide社から、現在はPhenoxy Resin Associa
tes社から「ＰＫＨＣ」の商品名で市販されている。適
切な八官能ビスフェノールＡは、以前はHigh Tek Polym
ers社から「Epirez SU-8」の商標で、現在はShell Chem
ical社から「Epon SU-8」の商品名で市販されている。
適切な四臭化ビスフェノールＡは、以前はHigh Tek Pol
ymers社からEpirez 5183の商品名で、現在はShell Chem
ical社から「Epon 1183」の商品名で市販されている。
適切なヘキサフルオロアンチモン酸トリアリールスルホ
ニウム錯塩の光開始剤は、以前はGeneral Electric社か
らUVE1014の商品名で、現在はUnion Carbide社から、UV
I6974の商品名で市販されている。
はUnion Carbide社から、現在はPhenoxy Resin Associa
tes社から「ＰＫＨＣ」の商品名で市販されている。適
切な八官能ビスフェノールＡは、以前はHigh Tek Polym
ers社から「Epirez SU-8」の商標で、現在はShell Chem
ical社から「Epon SU-8」の商品名で市販されている。
適切な四臭化ビスフェノールＡは、以前はHigh Tek Pol
ymers社からEpirez 5183の商品名で、現在はShell Chem
ical社から「Epon 1183」の商品名で市販されている。
適切なヘキサフルオロアンチモン酸トリアリールスルホ
ニウム錯塩の光開始剤は、以前はGeneral Electric社か
らUVE1014の商品名で、現在はUnion Carbide社から、UV
I6974の商品名で市販されている。
【００２５】永久めっきレジストは熱的に安定であり、
特に無電解浴の温度で安定である。永久めっきレジスト
はｐＨ１４で最低６０℃、４５分の金無電解めっき浴条
件に耐えられ、ｐＨ１１で最低７３℃、１０時間の銅無
電解めっき浴条件に耐えられることが知られている。
特に無電解浴の温度で安定である。永久めっきレジスト
はｐＨ１４で最低６０℃、４５分の金無電解めっき浴条
件に耐えられ、ｐＨ１１で最低７３℃、１０時間の銅無
電解めっき浴条件に耐えられることが知られている。
【００２６】永久めっきレジスト乾燥フィルムは、光結
像前の諸段階で、クラッキングを防止するのに十分な量
の溶媒を含むことが好ましく、永久めっきレジスト乾燥
フィルムにその取り扱い中、可塑性を有することが好ま
しい。基板に施す前の永久めっきレジスト乾燥フィルム
中の溶媒含量は、好ましくは約５％〜約３０重量％、よ
り好ましくは約９〜約１５重量％、最も好ましくは約１
１〜約１３．５重量％である。
像前の諸段階で、クラッキングを防止するのに十分な量
の溶媒を含むことが好ましく、永久めっきレジスト乾燥
フィルムにその取り扱い中、可塑性を有することが好ま
しい。基板に施す前の永久めっきレジスト乾燥フィルム
中の溶媒含量は、好ましくは約５％〜約３０重量％、よ
り好ましくは約９〜約１５重量％、最も好ましくは約１
１〜約１３．５重量％である。
【００２７】本明細書では永久めっきレジスト乾燥フィ
ルムを使用する方法を記載したが、永久めっきレジスト
は、例えばカーテン・コーティング、スクリーン・コー
ティング、ローラ・コーティングあるいはスプレイ・コ
ーティングなど通常の塗布方法を用いて液状またはペー
スト状で塗布することができる。
ルムを使用する方法を記載したが、永久めっきレジスト
は、例えばカーテン・コーティング、スクリーン・コー
ティング、ローラ・コーティングあるいはスプレイ・コ
ーティングなど通常の塗布方法を用いて液状またはペー
スト状で塗布することができる。
【００２８】方法 基板は、例えば非回路化電力コア、スティフナ、あるい
は回路板、カード、キャリア、有機または無機のシング
ル・チップ・モジュール、有機または無機のマルチチッ
プ・モジュール、セラミック・キャリア、インターポー
ザ・カードなどの回路化基板として提供される。
は回路板、カード、キャリア、有機または無機のシング
ル・チップ・モジュール、有機または無機のマルチチッ
プ・モジュール、セラミック・キャリア、インターポー
ザ・カードなどの回路化基板として提供される。
【００２９】シード工程 めっきのために誘電性表面上にシードを付着する工程は
通常のものであり、米国特許第４４４６８０４号に記載
されている。誘電性である基板の表面を一般的にアルカ
リ溶液で清浄化する。シードの被覆と接着を改善するた
めに、任意選択で多官能性イオン性共重合体を誘電性表
面に付着する。次に加工物をコロイド状のシード浴に浸
漬するなど通常の技術でシーダを付着する。最後に任意
選択で、酸または塩基溶液で処理して、シーダの組成を
改変する。ここで使用するシードは、パラジウムのよう
な通常のシードが好ましい。
通常のものであり、米国特許第４４４６８０４号に記載
されている。誘電性である基板の表面を一般的にアルカ
リ溶液で清浄化する。シードの被覆と接着を改善するた
めに、任意選択で多官能性イオン性共重合体を誘電性表
面に付着する。次に加工物をコロイド状のシード浴に浸
漬するなど通常の技術でシーダを付着する。最後に任意
選択で、酸または塩基溶液で処理して、シーダの組成を
改変する。ここで使用するシードは、パラジウムのよう
な通常のシードが好ましい。
【００３０】永久めっきレジストの付与 永久めっきレジストは乾燥フィルムとして付与すること
が好ましい。永久めっきレジスト乾燥フィルムは、ポリ
エステルなどの高分子支持体上に提供することが好まし
い。永久めっきレジスト乾燥フィルムに適したポリエス
テル支持体には、例えばDuPont社から商品名Mylar
(R)で、ＩＣＩからMelinexとして市販されているポリエ
チレンテレフタレートが含まれる。
が好ましい。永久めっきレジスト乾燥フィルムは、ポリ
エステルなどの高分子支持体上に提供することが好まし
い。永久めっきレジスト乾燥フィルムに適したポリエス
テル支持体には、例えばDuPont社から商品名Mylar
(R)で、ＩＣＩからMelinexとして市販されているポリエ
チレンテレフタレートが含まれる。
【００３１】永久めっきレジスト乾燥フィルムは、クラ
ッキングを防止し、永久めっきレジスト乾燥フィルムに
取り扱い中、可塑性を与えるのに十分な量の溶媒を含む
ことが好ましい。永久めっきレジスト乾燥フィルムを付
与するには、フィルム側を下にして置き、支持体を取り
除く。永久めっきレジスト乾燥フィルムを基板に付与し
た後、永久めっきレジスト乾燥フィルムは、テンティン
グを望むか否かに応じて、乾燥後光結像し、あるいは乾
燥せずに光結像する。つまり、孔のテンティングを望む
場合には、紫外線で露光する後までは、支持体を剥がさ
ないことが好ましく、永久めっきレジスト乾燥フィルム
は、紫外線で露光する前に、乾燥しない。あるいは、孔
をテンティングしない場合は、永久めっきレジスト乾燥
フィルムから溶媒を追い出し、光結像の前に、溶媒含量
を好ましくは約８％未満、より好ましくは約３％未満と
する。永久めっきレジスト乾燥フィルムを空気乾燥し、
あるいは溶媒の除去を加速するために、通常の技術を用
いて加熱する。永久めっきレジストフィルムは通常の対
流加熱炉で５０℃〜１５０℃の間に加熱することが好ま
しく、９０℃〜１２５℃の間がより好ましい。
ッキングを防止し、永久めっきレジスト乾燥フィルムに
取り扱い中、可塑性を与えるのに十分な量の溶媒を含む
ことが好ましい。永久めっきレジスト乾燥フィルムを付
与するには、フィルム側を下にして置き、支持体を取り
除く。永久めっきレジスト乾燥フィルムを基板に付与し
た後、永久めっきレジスト乾燥フィルムは、テンティン
グを望むか否かに応じて、乾燥後光結像し、あるいは乾
燥せずに光結像する。つまり、孔のテンティングを望む
場合には、紫外線で露光する後までは、支持体を剥がさ
ないことが好ましく、永久めっきレジスト乾燥フィルム
は、紫外線で露光する前に、乾燥しない。あるいは、孔
をテンティングしない場合は、永久めっきレジスト乾燥
フィルムから溶媒を追い出し、光結像の前に、溶媒含量
を好ましくは約８％未満、より好ましくは約３％未満と
する。永久めっきレジスト乾燥フィルムを空気乾燥し、
あるいは溶媒の除去を加速するために、通常の技術を用
いて加熱する。永久めっきレジストフィルムは通常の対
流加熱炉で５０℃〜１５０℃の間に加熱することが好ま
しく、９０℃〜１２５℃の間がより好ましい。
【００３２】次いで永久めっきレジストを、通常の技術
によって光結像する。永久めっきレジストは、めっきす
べき金属の所望の場所に対応した領域を露出させるため
に、好ましくは永久めっきレジストに接触している所望
のアートワークを通して紫外線で露光する。次いで永久
めっきレジストをベークして、化学線で露光された永久
めっきレジストを部分的に硬化させる。
によって光結像する。永久めっきレジストは、めっきす
べき金属の所望の場所に対応した領域を露出させるため
に、好ましくは永久めっきレジストに接触している所望
のアートワークを通して紫外線で露光する。次いで永久
めっきレジストをベークして、化学線で露光された永久
めっきレジストを部分的に硬化させる。
【００３３】次いで永久めっきレジストを、好ましくは
プロピレンカーボネートまたはブチロラクトンを用いて
現像して、その中に開口が配置された光結像した永久め
っきレジストを提供する。永久めっきレジストは、次い
で好ましくは２段階工程、即ち、まず２５０〜４００ｎ
ｍの範囲の紫外線で約１〜約８Ｊ／ｃｍ2で露光し、続
いて熱硬化して最終的に硬化する。対流加熱炉中１５０
℃〜１８０℃で３０分〜９０分で良好な熱硬化が得られ
た。
プロピレンカーボネートまたはブチロラクトンを用いて
現像して、その中に開口が配置された光結像した永久め
っきレジストを提供する。永久めっきレジストは、次い
で好ましくは２段階工程、即ち、まず２５０〜４００ｎ
ｍの範囲の紫外線で約１〜約８Ｊ／ｃｍ2で露光し、続
いて熱硬化して最終的に硬化する。対流加熱炉中１５０
℃〜１８０℃で３０分〜９０分で良好な熱硬化が得られ
た。
【００３４】銅の無電解めっき 銅がめっきすべき金属である場合、基板を前述のように
まずシード付けし、永久めっきレジストを付与し、前述
のようにパターン化する。基板を銅無電解めっき浴中に
置く。一般に銅無電解めっき浴のｐＨは１１以上で、温
度は約７０℃以上である。典型的なめっき浴は、苛性薬
剤（caustic agent）、通常は水酸化ナトリウム、ホル
ムアルデヒド、および硫酸銅などの銅源を含む。
まずシード付けし、永久めっきレジストを付与し、前述
のようにパターン化する。基板を銅無電解めっき浴中に
置く。一般に銅無電解めっき浴のｐＨは１１以上で、温
度は約７０℃以上である。典型的なめっき浴は、苛性薬
剤（caustic agent）、通常は水酸化ナトリウム、ホル
ムアルデヒド、および硫酸銅などの銅源を含む。
【００３５】無電解めっきの結果、銅が、永久めっきレ
ジスト中の光結像された開口内にあるシード化された基
板の領域上にめっきされる。無電解めっきされた銅は、
基板上に配置され、永久めっきレジスト中の開口内に配
置された回路を形成する。その後、レジストは基板上に
残る。
ジスト中の光結像された開口内にあるシード化された基
板の領域上にめっきされる。無電解めっきされた銅は、
基板上に配置され、永久めっきレジスト中の開口内に配
置された回路を形成する。その後、レジストは基板上に
残る。
【００３６】金の無電解めっき 基板を金無電解めっき浴中に置く。一般に金無電解めっ
き浴のｐＨは約１４で、温度は約７０℃である。金のめ
っき浴は通常、ジメチルアミノボランと苛性薬剤を含
む。無電解めっきの結果、金が、永久めっきレジスト中
の光結像された開口の下にある基板の金属フィーチャ上
にめっきされる。永久めっきレジストは基板上に残り、
後続の加工段階ではんだマスクとして機能する。
き浴のｐＨは約１４で、温度は約７０℃である。金のめ
っき浴は通常、ジメチルアミノボランと苛性薬剤を含
む。無電解めっきの結果、金が、永久めっきレジスト中
の光結像された開口の下にある基板の金属フィーチャ上
にめっきされる。永久めっきレジストは基板上に残り、
後続の加工段階ではんだマスクとして機能する。
【００３７】例えば表面実装構成要素、コネクタ、レジ
スタ、インダクタ、キャパシタ、ボール・グリッド・ア
レイ・パッケージ、ワイア接続デバイスなど各種の電気
部品、例えばチップなどの半導体デバイスが、好ましく
は通常の技術によって、好ましくは回路化構造に、はん
だ付けすることによって付着される。永久めっきレジス
トは約１８３℃以上で２０分以上、さらには約２４５℃
で約１分以上などのはんだ付け工程の温度に耐えること
ができる。
スタ、インダクタ、キャパシタ、ボール・グリッド・ア
レイ・パッケージ、ワイア接続デバイスなど各種の電気
部品、例えばチップなどの半導体デバイスが、好ましく
は通常の技術によって、好ましくは回路化構造に、はん
だ付けすることによって付着される。永久めっきレジス
トは約１８３℃以上で２０分以上、さらには約２４５℃
で約１分以上などのはんだ付け工程の温度に耐えること
ができる。
【００３８】本発明の方法の結果、回路化構造が製造さ
れる。図１に示すように、回路化構造１０は、基板１
２、任意選択で基板１２上に配置されたシード１４、硬
化され、光結像され、光パターン化された開口１８を有
する誘電性永久めっきレジスト１６、および基板１２上
に配置された無電解めっき金属２０、好ましくは銅を含
む。
れる。図１に示すように、回路化構造１０は、基板１
２、任意選択で基板１２上に配置されたシード１４、硬
化され、光結像され、光パターン化された開口１８を有
する誘電性永久めっきレジスト１６、および基板１２上
に配置された無電解めっき金属２０、好ましくは銅を含
む。
【００３９】図２に示すように、回路化構造１０は、基
板１２、基板１２上に配置された回路１４'、硬化され
光結像され、光パターン化された開口１８を有する誘電
性永久めっきレジスト１６、および開口１８中および回
路１４上に配置された無電解めっき金属２０を含む。電
気部品２２は、基板１２上で、回路１４と電気的に接続
される。
板１２、基板１２上に配置された回路１４'、硬化され
光結像され、光パターン化された開口１８を有する誘電
性永久めっきレジスト１６、および開口１８中および回
路１４上に配置された無電解めっき金属２０を含む。電
気部品２２は、基板１２上で、回路１４と電気的に接続
される。
【００４０】本発明の方法によって製造される回路化構
造には、例えば回路板、カード、キャリア、有機または
無機のシングル・チップ・モジュール、有機または無機
のマルチチップ・モジュール、セラミック・キャリアま
たはインターポーザ・カードが含まれる。
造には、例えば回路板、カード、キャリア、有機または
無機のシングル・チップ・モジュール、有機または無機
のマルチチップ・モジュール、セラミック・キャリアま
たはインターポーザ・カードが含まれる。
【００４１】次に示す実施例は例示的なものであり、本
発明の範囲を制限するものではない。
発明の範囲を制限するものではない。
【００４２】例１−銅の無電解めっき 約２７．４４％のフェノキシ樹脂（ＰＫＨＣ）、４１．
１６％のEpirez 5183すなわち四臭化ビスフェノール
Ａ、２２．８８％のEpirez SU-8すなわち八官能性エポ
キシ化ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒド・ノボラッ
ク樹脂、４．８５％の光開始剤ＵＶＥ１０１４、０．０
７％のエチルバイオレット染料、０．０３％の３Ｍ社の
フッ素化ポリエーテル非イオン性界面活性剤、３．８５
％のDegussa社の非晶質二酸化ケイ素Aerosil 380を含む
固体含有量が約８６．５％〜約８９％の光結像可能な永
久めっきレジストが提供された。溶媒の含量は全永久め
っきレジスト重量の約１１〜約１３．５％であった。溶
媒はメチルエチルケトン、プロピレンカーボネートおよ
びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
の混合物であった。厚さ０．０７０ｍｍ（約２．８ミ
ル）の光結像可能な誘電性永久めっきレジスト・フィル
ムが、DuPont社のMylar Dと呼ばれる厚さ０．０３５ｍ
ｍ（１．４２ミル）のポリエチレンテレフタレート支持
体上に得られた。
１６％のEpirez 5183すなわち四臭化ビスフェノール
Ａ、２２．８８％のEpirez SU-8すなわち八官能性エポ
キシ化ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒド・ノボラッ
ク樹脂、４．８５％の光開始剤ＵＶＥ１０１４、０．０
７％のエチルバイオレット染料、０．０３％の３Ｍ社の
フッ素化ポリエーテル非イオン性界面活性剤、３．８５
％のDegussa社の非晶質二酸化ケイ素Aerosil 380を含む
固体含有量が約８６．５％〜約８９％の光結像可能な永
久めっきレジストが提供された。溶媒の含量は全永久め
っきレジスト重量の約１１〜約１３．５％であった。溶
媒はメチルエチルケトン、プロピレンカーボネートおよ
びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
の混合物であった。厚さ０．０７０ｍｍ（約２．８ミ
ル）の光結像可能な誘電性永久めっきレジスト・フィル
ムが、DuPont社のMylar Dと呼ばれる厚さ０．０３５ｍ
ｍ（１．４２ミル）のポリエチレンテレフタレート支持
体上に得られた。
【００４３】めっきしたスルーホールを有するプリント
されたエポキシ・ガラス積層基板を、パラジウム・スズ
・コロイド・シード浴に約２分間浸漬し、洗浄し、水酸
化ナトリウム加速浴に浸し、洗浄し、乾燥した。次いで
永久めっきレジスト乾燥フィルムを、プリントされたエ
ポキシ・ガラス積層基板の両側にフィルム側を下にして
置いた。永久めっきレジスト乾燥フィルムを、Dynachem
Model 730真空ラミネータを使用して、約１５秒間で積
層した。次いでポリエチレンテレフタレート支持体を永
久めっきレジスト乾燥フィルムから剥がし、約９０℃で
約３０分乾燥した。次いで永久めっきレジスト乾燥フィ
ルムを１６００ｍＪ／ｃｍ2で光結像し、約１２５℃で
約３０分間加熱した。
されたエポキシ・ガラス積層基板を、パラジウム・スズ
・コロイド・シード浴に約２分間浸漬し、洗浄し、水酸
化ナトリウム加速浴に浸し、洗浄し、乾燥した。次いで
永久めっきレジスト乾燥フィルムを、プリントされたエ
ポキシ・ガラス積層基板の両側にフィルム側を下にして
置いた。永久めっきレジスト乾燥フィルムを、Dynachem
Model 730真空ラミネータを使用して、約１５秒間で積
層した。次いでポリエチレンテレフタレート支持体を永
久めっきレジスト乾燥フィルムから剥がし、約９０℃で
約３０分乾燥した。次いで永久めっきレジスト乾燥フィ
ルムを１６００ｍＪ／ｃｍ2で光結像し、約１２５℃で
約３０分間加熱した。
【００４４】次いで、永久めっきレジストを、好ましく
はプロピレンカーボネートまたはブチロラクトンを用い
て、めっきすべき線の領域を露出するために現像する。
次いで永久めっきレジストを、２５０〜４００ｎｍの範
囲の紫外線を用いて約４Ｊ／ｃｍ2で露光し、次いで対
流加熱炉中で約１８０℃で約６０分間ベークして、最終
的に硬化させた。次いで加工物を、約１０時間ｐＨ１１
の水酸化ナトリウム、ホルムアルデヒド、および硫酸銅
を含む銅無電解浴中に置いた。
はプロピレンカーボネートまたはブチロラクトンを用い
て、めっきすべき線の領域を露出するために現像する。
次いで永久めっきレジストを、２５０〜４００ｎｍの範
囲の紫外線を用いて約４Ｊ／ｃｍ2で露光し、次いで対
流加熱炉中で約１８０℃で約６０分間ベークして、最終
的に硬化させた。次いで加工物を、約１０時間ｐＨ１１
の水酸化ナトリウム、ホルムアルデヒド、および硫酸銅
を含む銅無電解浴中に置いた。
【００４５】めっき浴に浸漬した後に、永久めっきレジ
ストを検査した。永久めっきレジストは無傷であった。
３０倍の顕微鏡検査でバブリングおよびリフティングは
見られなかった。無電解めっき浴は汚染されていなかっ
た。
ストを検査した。永久めっきレジストは無傷であった。
３０倍の顕微鏡検査でバブリングおよびリフティングは
見られなかった。無電解めっき浴は汚染されていなかっ
た。
【００４６】例２−金の無電解めっき 例１と同様に光結像可能な永久めっきレジストを提供し
た。銅回路と銅めっきスルーホールを有するパネルを基
板として使用した。この基板を還元性亜塩素酸塩浴に浸
漬し、永久めっきレジストフィルムを両側に貼り付け
た。例１と同様に永久めっきレジストフィルムを光結像
し、支持体を取り除き、約１２５℃で３０分間ベーク
し、永久めっきレジストフィルムを、例１と同様に現像
し硬化して、めっきすべき銅領域の上に、配置された永
久めっきレジスト中の開口を設けた。光結像された開口
を、過酸化マンガンで洗浄し、続いてエッチングした。
た。銅回路と銅めっきスルーホールを有するパネルを基
板として使用した。この基板を還元性亜塩素酸塩浴に浸
漬し、永久めっきレジストフィルムを両側に貼り付け
た。例１と同様に永久めっきレジストフィルムを光結像
し、支持体を取り除き、約１２５℃で３０分間ベーク
し、永久めっきレジストフィルムを、例１と同様に現像
し硬化して、めっきすべき銅領域の上に、配置された永
久めっきレジスト中の開口を設けた。光結像された開口
を、過酸化マンガンで洗浄し、続いてエッチングした。
【００４７】プリントされたエポキシ・ガラス積層基板
を、次いでジメチルアミノボランを含む通常の金無電解
めっき浴に、ｐＨ１４で６０℃、約４５分間置き、洗浄
して次いで乾燥した。
を、次いでジメチルアミノボランを含む通常の金無電解
めっき浴に、ｐＨ１４で６０℃、約４５分間置き、洗浄
して次いで乾燥した。
【００４８】めっき浴に浸漬した後、永久めっきレジス
トを検査した。永久めっきレジストは無傷であった。３
０倍の顕微鏡検査で光レジストのバブリングおよびリフ
テイングは見られなかった。無電解めっき浴には汚染さ
れていなかった。
トを検査した。永久めっきレジストは無傷であった。３
０倍の顕微鏡検査で光レジストのバブリングおよびリフ
テイングは見られなかった。無電解めっき浴には汚染さ
れていなかった。
【００４９】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
の事項を開示する。
【００５０】（１）ａ．エピクロルヒドリンとビスフェ
ノールＡの縮合物である分子量約４０，０００〜約１３
０，０００のフェノキシポリオール樹脂約１０〜約８０
％、分子量約４，０００〜約１０，０００のエポキシ化
多官能性ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒド・ノボラ
ック樹脂約２０〜約９０％、分子量約６００〜約２，５
００のビスフェノールＡのジグリシジルエーテル約３５
〜約５０％、および全樹脂の約０．１〜約１５重量部の
カチオン性光開始剤を含むエポキシ樹脂系を含む未硬化
の光結像可能な誘電性永久めっきレジストを提供するス
テップと、 ｂ．基板にシードを施すステップと、 ｃ．前記基板に前記永久めっきレジストを塗布するステ
ップと、 ｄ．前記永久めっきレジストを光結像して前記永久めっ
きレジストに開口を形成するステップと、 ｅ．前記永久めっきレジストの前記開口中に金属を無電
解めっきして、金属が前記シード上にめっきされるステ
ップとを含む無電解めっき方法。 （２）前記金属が銅である、上記（１）に記載の方法。 （３）前記シードが前記基板のほぼ全表面に施される、
上記（２）に記載の方法。 （４）前記シードが前記基板の前記表面に選択的に施さ
れる、上記（２）に記載の方法。 （５）前記ステップｅの後で、永久めっきレジストの頂
部に回路を形成するために、永久めっきレジストを金属
化する上記（１）に記載の方法。 （６）前記永久めっきレジストが約５〜約３０％の溶媒
含量を有し、分子量約６０，０００〜約９０，０００の
フェノキシポリオール樹脂約２０〜約４０％と、分子量
約５，０００〜約７，０００のエポキシ化多官能性ビス
フェノールＡ−ホルムアルデヒド・ノボラック樹脂約２
５〜約３０％と、分子量約１，０００〜約１，７００の
ビスフェノールＡのジグリシジルエーテル約３５〜約５
０％と、全樹脂の約０．１〜約１５重量部のカチオン性
光開始剤を含むエポキシ樹脂システムとを含み、前記金
属が銅である上記（１）に記載の方法。 （７）ａ．エピクロルヒドリンとビスフェノールＡの縮
合物である分子量約４０，０００〜約１３０，０００の
フェノキシポリオール樹脂約１０〜約８０％、分子量約
４，０００〜約１０，０００のエポキシ化多官能性ビス
フェノールＡ−ホルムアルデヒド・ノボラック樹脂約２
０〜約９０％、分子量約６００〜約２，５００のビスフ
ェノールＡのジグリシジルエーテル約０〜約５０％、お
よび全樹脂の約０．１〜約１５重量部のカチオン性光開
始剤を含むエポキシ樹脂システムを含む、未硬化の光結
像可能な誘電性永久めっきレジストを提供するステップ
と、 ｂ．基板に前記永久めっきレジストを施すステップと、 ｃ．前記永久めっきレジストを光結像して前記永久めっ
きレジスト中に開口を形成し、前記開口が前記基板の回
路の部分と整列するステップと、 ｄ．永久めっきレジスト中の開口中に金属を無電解めっ
きし、金属が前記基板の前記回路上に選択的にめっきさ
れるステップとを含む金属の無電解めっき法。 （８）ｅ．基板の一部に要素を付着するステップをさら
に含み、永久めっきレジストが工程ｄおよびｅの間、基
板上に留まる、上記（７）に記載の方法。 （９）前記金属が金である、上記（７）に記載の方法。 （１０）前記永久めっきレジストが分子量約６０，００
０〜約９０，０００のフェノキシポリオール樹脂約２０
〜約４０％と、分子量約５，０００〜約７，０００のエ
ポキシ化多官能性ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒド
・ノボラック樹脂約２５〜約３０％と、分子量約１，０
００〜約１，７００のビスフェノールＡのジグリシジル
エーテル約３５〜約５０％と、全樹脂の約０．１〜約１
５重量部のカチオン性光開始剤とを含むエポキシ樹脂系
を含み、前記金属が金である、上記（７）に記載の方
法。 （１１）前記フェノキシポリオール樹脂がｋｇあたり約
０．０３当量のエポキシ価を有し、エポキシド当たりの
分子量が約３７，０００、ガラス転移点が約９８℃であ
り、エポキシ化多官能性ビスフェノールＡ−ホルムアル
デヒド・ノボラック樹脂が、ｋｇあたり約４．７当量の
エポキシ価を有し、エポキシド当たりの分子量が約２１
５、融点が約８２℃であり、ビスフェノールＡのジグリ
シジルエーテルが、ｋｇあたり約１．５当量のエポキシ
価を有し、エポキシド当たりの分子量が約６７５、融点
が約９７℃である、上記（１０）に記載の方法。 （１２）ａ．回路化基板と、 ｂ．前記基板上に配置された金属フィーチャの第１層
と、 ｃ．前記基板上に配置され、光結像された開口をその中
に有する、硬化され光結像された永久めっきレジストで
あって、 ｉ．エピクロルヒドリンとビスフェノールＡの縮合物で
ある分子量約４０，０００〜約１３０，０００のフェノ
キシポリオール樹脂約１０〜約８０％、 ｉｉ．分子量約４，０００〜約１０，０００のエポキシ
化多官能性ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒド・ノボ
ラック樹脂約２０〜約９０％、 ｉｉｉ．分子量約６００〜約２，５００のビスフェノー
ルＡのジグリシジルエーテル約３５％〜約５０％、およ
び ｉｖ．約１５％未満のカチオン光開始剤と約８％未満の
溶媒を含むエポキシ樹脂系を含む永久めっきレジスト
と、 ｄ．前記金属フィーチャの部分上に配置され、前記開口
中に配置された無電解めっきされた金と、 ｅ．前記永久めっきレジスト上に配置され、前記永久め
っきレジストに付着した回路であって、前記永久めっき
レジスト上の前記回路が基板上に配置された前記回路と
電気的に接続された回路と、 ｆ．前記永久めっきレジストの頂部に配置され、前記無
電解めっきされた金のフィーチャと電気的に接触する電
気部品とを含む回路化構造体。 （１３）ａ．回路化基板と、 ｂ．基板上に配置された前記永久めっきレジスト中に配
置された光結像開口を有する、硬化され光結像された永
久めっきレジストであって、 ｉ．エピクロルヒドリンとビスフェノールＡの縮合物で
ある分子量約４０，０００〜約１３０，０００のフェノ
キシポリオール樹脂約１０〜約８０％、 ｉｉ．分子量約４，０００〜約１０，０００のエポキシ
化多官能性ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒド・ノボ
ラック樹脂約２０〜約９０％、 ｉｉｉ．分子量約６００〜約２，５００のビスフェノー
ルＡのジグリシジルエーテル約３５％〜約５０％、およ
び ｉｖ．約１５％未満のカチオン光開始剤と約８％未満の
溶媒とを含むエポキシ樹脂系を含む永久めっきレジスト
と、 ｃ．前記基板上に配置され、前記光結像された永久めっ
きレジストの開口中に配置された無電解めっきされた銅
と、 ｄ．前記永久めっきレジスト上に配置され、前記永久め
っきレジストに付着し、前記永久めっきレジスト上の回
路が前記無電解めっき銅に電気的に接続された回路を備
える回路化構造体。 （１４）前記永久めっきレジストは、分子量約６０，０
００〜約９０，０００のフェノキシポリオール樹脂約２
０〜約４０％と、分子量約５，０００〜約７，０００の
エポキシ化多官能性ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒ
ド・ノボラック樹脂約２５〜約３０％と、分子量約１，
０００〜約１，７００のビスフェノールＡのジグリシジ
ルエーテル約３５〜約５０％とを含む、上記（１２）ま
たは（１３）に記載の回路化構造体。 （１５）フェノキシポリオール樹脂がｋｇあたり約０．
０３当量のエポキシ価を有し、エポキシド当たりの分子
量が約３７，０００、ガラス転移点が約９８℃であり、
エポキシ化多官能性ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒ
ド・ノボラック樹脂が、ｋｇあたり約４．７当量のエポ
キシ価を有し、エポキシド当たりの分子量が約２１５、
融点が約８２℃であり、ジグリシジルエーテルが、ｋｇ
あたり約１．５当量のエポキシ価を有し、エポキシド当
たりの分子量が約６７５、融点が約９７℃であり、ヘキ
サフルオロアンチモン酸トリアリールスルホニウム錯塩
が樹脂の約５重量部である上記（１４）に記載の回路化
構造体。 （１６）前記回路化構造体は、回路板、カード、キャリ
ア、有機または無機のシングル・チップ・モジュール、
有機または無機のマルチチップ・モジュール、セラミッ
ク・キャリアまたはインターポーザ・カードである、上
記（１２）または（１３）に記載の回路化構造体。
ノールＡの縮合物である分子量約４０，０００〜約１３
０，０００のフェノキシポリオール樹脂約１０〜約８０
％、分子量約４，０００〜約１０，０００のエポキシ化
多官能性ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒド・ノボラ
ック樹脂約２０〜約９０％、分子量約６００〜約２，５
００のビスフェノールＡのジグリシジルエーテル約３５
〜約５０％、および全樹脂の約０．１〜約１５重量部の
カチオン性光開始剤を含むエポキシ樹脂系を含む未硬化
の光結像可能な誘電性永久めっきレジストを提供するス
テップと、 ｂ．基板にシードを施すステップと、 ｃ．前記基板に前記永久めっきレジストを塗布するステ
ップと、 ｄ．前記永久めっきレジストを光結像して前記永久めっ
きレジストに開口を形成するステップと、 ｅ．前記永久めっきレジストの前記開口中に金属を無電
解めっきして、金属が前記シード上にめっきされるステ
ップとを含む無電解めっき方法。 （２）前記金属が銅である、上記（１）に記載の方法。 （３）前記シードが前記基板のほぼ全表面に施される、
上記（２）に記載の方法。 （４）前記シードが前記基板の前記表面に選択的に施さ
れる、上記（２）に記載の方法。 （５）前記ステップｅの後で、永久めっきレジストの頂
部に回路を形成するために、永久めっきレジストを金属
化する上記（１）に記載の方法。 （６）前記永久めっきレジストが約５〜約３０％の溶媒
含量を有し、分子量約６０，０００〜約９０，０００の
フェノキシポリオール樹脂約２０〜約４０％と、分子量
約５，０００〜約７，０００のエポキシ化多官能性ビス
フェノールＡ−ホルムアルデヒド・ノボラック樹脂約２
５〜約３０％と、分子量約１，０００〜約１，７００の
ビスフェノールＡのジグリシジルエーテル約３５〜約５
０％と、全樹脂の約０．１〜約１５重量部のカチオン性
光開始剤を含むエポキシ樹脂システムとを含み、前記金
属が銅である上記（１）に記載の方法。 （７）ａ．エピクロルヒドリンとビスフェノールＡの縮
合物である分子量約４０，０００〜約１３０，０００の
フェノキシポリオール樹脂約１０〜約８０％、分子量約
４，０００〜約１０，０００のエポキシ化多官能性ビス
フェノールＡ−ホルムアルデヒド・ノボラック樹脂約２
０〜約９０％、分子量約６００〜約２，５００のビスフ
ェノールＡのジグリシジルエーテル約０〜約５０％、お
よび全樹脂の約０．１〜約１５重量部のカチオン性光開
始剤を含むエポキシ樹脂システムを含む、未硬化の光結
像可能な誘電性永久めっきレジストを提供するステップ
と、 ｂ．基板に前記永久めっきレジストを施すステップと、 ｃ．前記永久めっきレジストを光結像して前記永久めっ
きレジスト中に開口を形成し、前記開口が前記基板の回
路の部分と整列するステップと、 ｄ．永久めっきレジスト中の開口中に金属を無電解めっ
きし、金属が前記基板の前記回路上に選択的にめっきさ
れるステップとを含む金属の無電解めっき法。 （８）ｅ．基板の一部に要素を付着するステップをさら
に含み、永久めっきレジストが工程ｄおよびｅの間、基
板上に留まる、上記（７）に記載の方法。 （９）前記金属が金である、上記（７）に記載の方法。 （１０）前記永久めっきレジストが分子量約６０，００
０〜約９０，０００のフェノキシポリオール樹脂約２０
〜約４０％と、分子量約５，０００〜約７，０００のエ
ポキシ化多官能性ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒド
・ノボラック樹脂約２５〜約３０％と、分子量約１，０
００〜約１，７００のビスフェノールＡのジグリシジル
エーテル約３５〜約５０％と、全樹脂の約０．１〜約１
５重量部のカチオン性光開始剤とを含むエポキシ樹脂系
を含み、前記金属が金である、上記（７）に記載の方
法。 （１１）前記フェノキシポリオール樹脂がｋｇあたり約
０．０３当量のエポキシ価を有し、エポキシド当たりの
分子量が約３７，０００、ガラス転移点が約９８℃であ
り、エポキシ化多官能性ビスフェノールＡ−ホルムアル
デヒド・ノボラック樹脂が、ｋｇあたり約４．７当量の
エポキシ価を有し、エポキシド当たりの分子量が約２１
５、融点が約８２℃であり、ビスフェノールＡのジグリ
シジルエーテルが、ｋｇあたり約１．５当量のエポキシ
価を有し、エポキシド当たりの分子量が約６７５、融点
が約９７℃である、上記（１０）に記載の方法。 （１２）ａ．回路化基板と、 ｂ．前記基板上に配置された金属フィーチャの第１層
と、 ｃ．前記基板上に配置され、光結像された開口をその中
に有する、硬化され光結像された永久めっきレジストで
あって、 ｉ．エピクロルヒドリンとビスフェノールＡの縮合物で
ある分子量約４０，０００〜約１３０，０００のフェノ
キシポリオール樹脂約１０〜約８０％、 ｉｉ．分子量約４，０００〜約１０，０００のエポキシ
化多官能性ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒド・ノボ
ラック樹脂約２０〜約９０％、 ｉｉｉ．分子量約６００〜約２，５００のビスフェノー
ルＡのジグリシジルエーテル約３５％〜約５０％、およ
び ｉｖ．約１５％未満のカチオン光開始剤と約８％未満の
溶媒を含むエポキシ樹脂系を含む永久めっきレジスト
と、 ｄ．前記金属フィーチャの部分上に配置され、前記開口
中に配置された無電解めっきされた金と、 ｅ．前記永久めっきレジスト上に配置され、前記永久め
っきレジストに付着した回路であって、前記永久めっき
レジスト上の前記回路が基板上に配置された前記回路と
電気的に接続された回路と、 ｆ．前記永久めっきレジストの頂部に配置され、前記無
電解めっきされた金のフィーチャと電気的に接触する電
気部品とを含む回路化構造体。 （１３）ａ．回路化基板と、 ｂ．基板上に配置された前記永久めっきレジスト中に配
置された光結像開口を有する、硬化され光結像された永
久めっきレジストであって、 ｉ．エピクロルヒドリンとビスフェノールＡの縮合物で
ある分子量約４０，０００〜約１３０，０００のフェノ
キシポリオール樹脂約１０〜約８０％、 ｉｉ．分子量約４，０００〜約１０，０００のエポキシ
化多官能性ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒド・ノボ
ラック樹脂約２０〜約９０％、 ｉｉｉ．分子量約６００〜約２，５００のビスフェノー
ルＡのジグリシジルエーテル約３５％〜約５０％、およ
び ｉｖ．約１５％未満のカチオン光開始剤と約８％未満の
溶媒とを含むエポキシ樹脂系を含む永久めっきレジスト
と、 ｃ．前記基板上に配置され、前記光結像された永久めっ
きレジストの開口中に配置された無電解めっきされた銅
と、 ｄ．前記永久めっきレジスト上に配置され、前記永久め
っきレジストに付着し、前記永久めっきレジスト上の回
路が前記無電解めっき銅に電気的に接続された回路を備
える回路化構造体。 （１４）前記永久めっきレジストは、分子量約６０，０
００〜約９０，０００のフェノキシポリオール樹脂約２
０〜約４０％と、分子量約５，０００〜約７，０００の
エポキシ化多官能性ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒ
ド・ノボラック樹脂約２５〜約３０％と、分子量約１，
０００〜約１，７００のビスフェノールＡのジグリシジ
ルエーテル約３５〜約５０％とを含む、上記（１２）ま
たは（１３）に記載の回路化構造体。 （１５）フェノキシポリオール樹脂がｋｇあたり約０．
０３当量のエポキシ価を有し、エポキシド当たりの分子
量が約３７，０００、ガラス転移点が約９８℃であり、
エポキシ化多官能性ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒ
ド・ノボラック樹脂が、ｋｇあたり約４．７当量のエポ
キシ価を有し、エポキシド当たりの分子量が約２１５、
融点が約８２℃であり、ジグリシジルエーテルが、ｋｇ
あたり約１．５当量のエポキシ価を有し、エポキシド当
たりの分子量が約６７５、融点が約９７℃であり、ヘキ
サフルオロアンチモン酸トリアリールスルホニウム錯塩
が樹脂の約５重量部である上記（１４）に記載の回路化
構造体。 （１６）前記回路化構造体は、回路板、カード、キャリ
ア、有機または無機のシングル・チップ・モジュール、
有機または無機のマルチチップ・モジュール、セラミッ
ク・キャリアまたはインターポーザ・カードである、上
記（１２）または（１３）に記載の回路化構造体。
【図１】本発明の方法による銅の無電解めっきによって
製造された典型的な回路化構造の断面図である。
製造された典型的な回路化構造の断面図である。
【図２】本発明の方法による金の無電解めっきによって
製造された典型的な回路化構造の断面図である。
製造された典型的な回路化構造の断面図である。
１０ 回路化構造 １２ 基板 １４ シード １４' 回路 １６ 誘電性永久めっきレジスト １８ 開口 ２０ 無電解めっき金属 ２２ 電気要素
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジェラルド・ウォールター・ジョーンズ アメリカ合衆国13732 ニューヨーク州ア パラチン フォレスト・ヒル・ロード 1070 (72)発明者 ヘイケ・マルセロ アメリカ合衆国18812 ペンシルヴァニア 州ブラックニー アール・アール・ナンバ ー１ ボックス 200 (72)発明者 ヴォヤ・リスタ・マルコヴッチ アメリカ合衆国13760 ニューヨーク州エ ンドウェル ジョエル・ドライブ 3611
Claims (16)
- 【請求項１】ａ．エピクロルヒドリンとビスフェノール
Ａの縮合物である分子量約４０，０００〜約１３０，０
００のフェノキシポリオール樹脂約１０〜約８０％、 分子量約４，０００〜約１０，０００のエポキシ化多官
能性ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒド・ノボラック
樹脂約２０〜約９０％、 分子量約６００〜約２，５００のビスフェノールＡのジ
グリシジルエーテル約３５〜約５０％、および全樹脂の
約０．１〜約１５重量部のカチオン性光開始剤を含むエ
ポキシ樹脂系を含む未硬化の光結像可能な誘電性永久め
っきレジストを提供するステップと、 ｂ．基板にシードを施すステップと、 ｃ．前記基板に前記永久めっきレジストを塗布するステ
ップと、 ｄ．前記永久めっきレジストを光結像して前記永久めっ
きレジストに開口を形成するステップと、 ｅ．前記永久めっきレジストの前記開口中に金属を無電
解めっきして、金属が前記シード上にめっきされるステ
ップとを含む無電解めっき方法。 - 【請求項２】前記金属が銅である、請求項１に記載の方
法。 - 【請求項３】前記シードが前記基板のほぼ全表面に施さ
れる、請求項２に記載の方法。 - 【請求項４】前記シードが前記基板の前記表面に選択的
に施される、請求項２に記載の方法。 - 【請求項５】前記ステップｅの後で、永久めっきレジス
トの頂部に回路を形成するために、永久めっきレジスト
を金属化する請求項１に記載の方法。 - 【請求項６】前記永久めっきレジストが約５〜約３０％
の溶媒含量を有し、 分子量約６０，０００〜約９０，０００のフェノキシポ
リオール樹脂約２０〜約４０％と、 分子量約５，０００〜約７，０００のエポキシ化多官能
性ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒド・ノボラック樹
脂約２５〜約３０％と、 分子量約１，０００〜約１，７００のビスフェノールＡ
のジグリシジルエーテル約３５〜約５０％と、 全樹脂の約０．１〜約１５重量部のカチオン性光開始剤
を含むエポキシ樹脂システムとを含み、 前記金属が銅である請求項１に記載の方法。 - 【請求項７】ａ．エピクロルヒドリンとビスフェノール
Ａの縮合物である分子量約４０，０００〜約１３０，０
００のフェノキシポリオール樹脂約１０〜約８０％、 分子量約４，０００〜約１０，０００のエポキシ化多官
能性ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒド・ノボラック
樹脂約２０〜約９０％、 分子量約６００〜約２，５００のビスフェノールＡのジ
グリシジルエーテル約０〜約５０％、および全樹脂の約
０．１〜約１５重量部のカチオン性光開始剤を含むエポ
キシ樹脂システムを含む、未硬化の光結像可能な誘電性
永久めっきレジストを提供するステップと、 ｂ．基板に前記永久めっきレジストを施すステップと、 ｃ．前記永久めっきレジストを光結像して前記永久めっ
きレジスト中に開口を形成し、前記開口が前記基板の回
路の部分と整列するステップと、 ｄ．永久めっきレジスト中の開口中に金属を無電解めっ
きし、金属が前記基板の前記回路上に選択的にめっきさ
れるステップとを含む金属の無電解めっき法。 - 【請求項８】ｅ．基板の一部に要素を付着するステップ
をさらに含み、永久めっきレジストが工程ｄおよびｅの
間、基板上に留まる、請求項７に記載の方法。 - 【請求項９】前記金属が金である、請求項７に記載の方
法。 - 【請求項１０】前記永久めっきレジストが分子量約６
０，０００〜約９０，０００のフェノキシポリオール樹
脂約２０〜約４０％と、 分子量約５，０００〜約７，０００のエポキシ化多官能
性ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒド・ノボラック樹
脂約２５〜約３０％と、 分子量約１，０００〜約１，７００のビスフェノールＡ
のジグリシジルエーテル約３５〜約５０％と、 全樹脂の約０．１〜約１５重量部のカチオン性光開始剤
とを含むエポキシ樹脂系を含み、前記金属が金である、
請求項７に記載の方法。 - 【請求項１１】前記フェノキシポリオール樹脂がｋｇあ
たり約０．０３当量のエポキシ価を有し、エポキシド当
たりの分子量が約３７，０００、ガラス転移点が約９８
℃であり、 エポキシ化多官能性ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒ
ド・ノボラック樹脂が、ｋｇあたり約４．７当量のエポ
キシ価を有し、エポキシド当たりの分子量が約２１５、
融点が約８２℃であり、 ビスフェノールＡのジグリシジルエーテルが、ｋｇあた
り約１．５当量のエポキシ価を有し、エポキシド当たり
の分子量が約６７５、融点が約９７℃である、請求項１
０に記載の方法。 - 【請求項１２】ａ．回路化基板と、 ｂ．前記基板上に配置された金属フィーチャの第１層
と、 ｃ．前記基板上に配置され、光結像された開口をその中
に有する、硬化され光結像された永久めっきレジストで
あって、 ｉ．エピクロルヒドリンとビスフェノールＡの縮合物で
ある分子量約４０，０００〜約１３０，０００のフェノ
キシポリオール樹脂約１０〜約８０％、 ｉｉ．分子量約４，０００〜約１０，０００のエポキシ
化多官能性ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒド・ノボ
ラック樹脂約２０〜約９０％、 ｉｉｉ．分子量約６００〜約２，５００のビスフェノー
ルＡのジグリシジルエーテル約３５％〜約５０％、およ
び ｉｖ．約１５％未満のカチオン光開始剤と約８％未満の
溶媒を含むエポキシ樹脂系を含む永久めっきレジスト
と、 ｄ．前記金属フィーチャの部分上に配置され、前記開口
中に配置された無電解めっきされた金と、 ｅ．前記永久めっきレジスト上に配置され、前記永久め
っきレジストに付着した回路であって、前記永久めっき
レジスト上の前記回路が基板上に配置された前記回路と
電気的に接続された回路と、 ｆ．前記永久めっきレジストの頂部に配置され、前記無
電解めっきされた金のフィーチャと電気的に接触する電
気部品とを含む回路化構造体。 - 【請求項１３】ａ．回路化基板と、 ｂ．基板上に配置された前記永久めっきレジスト中に配
置された光結像開口を有する、硬化され光結像された永
久めっきレジストであって、 ｉ．エピクロルヒドリンとビスフェノールＡの縮合物で
ある分子量約４０，０００〜約１３０，０００のフェノ
キシポリオール樹脂約１０〜約８０％、 ｉｉ．分子量約４，０００〜約１０，０００のエポキシ
化多官能性ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒド・ノボ
ラック樹脂約２０〜約９０％、 ｉｉｉ．分子量約６００〜約２，５００のビスフェノー
ルＡのジグリシジルエーテル約３５％〜約５０％、およ
び ｉｖ．約１５％未満のカチオン光開始剤と約８％未満の
溶媒とを含むエポキシ樹脂系を含む永久めっきレジスト
と、 ｃ．前記基板上に配置され、前記光結像された永久めっ
きレジストの開口中に配置された無電解めっきされた銅
と、 ｄ．前記永久めっきレジスト上に配置され、前記永久め
っきレジストに付着し、前記永久めっきレジスト上の回
路が前記無電解めっき銅に電気的に接続された回路を備
える回路化構造体。 - 【請求項１４】前記永久めっきレジストは、 分子量約６０，０００〜約９０，０００のフェノキシポ
リオール樹脂約２０〜約４０％と、 分子量約５，０００〜約７，０００のエポキシ化多官能
性ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒド・ノボラック樹
脂約２５〜約３０％と、 分子量約１，０００〜約１，７００のビスフェノールＡ
のジグリシジルエーテル約３５〜約５０％とを含む、請
求項１２または１３に記載の回路化構造体。 - 【請求項１５】フェノキシポリオール樹脂がｋｇあたり
約０．０３当量のエポキシ価を有し、エポキシド当たり
の分子量が約３７，０００、ガラス転移点が約９８℃で
あり、 エポキシ化多官能性ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒ
ド・ノボラック樹脂が、ｋｇあたり約４．７当量のエポ
キシ価を有し、エポキシド当たりの分子量が約２１５、
融点が約８２℃であり、 ジグリシジルエーテルが、ｋｇあたり約１．５当量のエ
ポキシ価を有し、エポキシド当たりの分子量が約６７
５、融点が約９７℃であり、 ヘキサフルオロアンチモン酸トリアリールスルホニウム
錯塩が樹脂の約５重量部である請求項１４に記載の回路
化構造体。 - 【請求項１６】前記回路化構造体は、 回路板、カード、キャリア、有機または無機のシングル
・チップ・モジュール、有機または無機のマルチチップ
・モジュール、セラミック・キャリアまたはインターポ
ーザ・カードである、請求項１２または１３に記載の回
路化構造体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/027,856 US6680440B1 (en) | 1998-02-23 | 1998-02-23 | Circuitized structures produced by the methods of electroless plating |
| US09/027856 | 1998-02-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11315384A true JPH11315384A (ja) | 1999-11-16 |
| JP3080366B2 JP3080366B2 (ja) | 2000-08-28 |
Family
ID=21840159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11034874A Expired - Fee Related JP3080366B2 (ja) | 1998-02-23 | 1999-02-12 | 無電解金属めっき法及び回路化構造体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6680440B1 (ja) |
| JP (1) | JP3080366B2 (ja) |
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| JP2017212245A (ja) * | 2016-05-23 | 2017-11-30 | 学校法人神奈川大学 | フレキシブル熱電変換部材の作製方法 |
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| Publication number | Publication date |
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| US6680440B1 (en) | 2004-01-20 |
| JP3080366B2 (ja) | 2000-08-28 |
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