JPH0482080B2 - - Google Patents
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- JPH0482080B2 JPH0482080B2 JP60093653A JP9365385A JPH0482080B2 JP H0482080 B2 JPH0482080 B2 JP H0482080B2 JP 60093653 A JP60093653 A JP 60093653A JP 9365385 A JP9365385 A JP 9365385A JP H0482080 B2 JPH0482080 B2 JP H0482080B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- forming
- metal
- wiring board
- melting point
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はLSI等の素子を搭載する多層配線基板
に係り、特に基板内での電気信号伝送の高速化に
好適な多層配線板の製造方法に関する。
に係り、特に基板内での電気信号伝送の高速化に
好適な多層配線板の製造方法に関する。
情報処理機器用の多層配線板においては、電気
信号伝送の高速化、高機能化等の要求に伴い、絶
縁基材の低誘電率、高密度配線の適用が必須とな
つている。
信号伝送の高速化、高機能化等の要求に伴い、絶
縁基材の低誘電率、高密度配線の適用が必須とな
つている。
これに対して、従来の多層配線板ではエポキシ
樹脂、ポリイミド樹脂等、主として熱硬化性樹脂
を基体とした銅張り積層板を用いて、所定の導体
配線板を形成し、多層化するもの、あるいはアル
ミナグリンシート上に厚膜印刷法で高融点金属ペ
ーストを形成し、多層化，焼結するもの等があ
る。
樹脂、ポリイミド樹脂等、主として熱硬化性樹脂
を基体とした銅張り積層板を用いて、所定の導体
配線板を形成し、多層化するもの、あるいはアル
ミナグリンシート上に厚膜印刷法で高融点金属ペ
ーストを形成し、多層化，焼結するもの等があ
る。
エポキシ樹脂等の有機高分子材、およびアルミ
ナ絶縁基材は、誘電率がそれぞれ３〜５，８〜10
であり、信号伝播速度は誘電率の平方根に比例し
て遅くなるため、上記絶縁基材とする配線板では
信号伝播の高速化に限界がある。
ナ絶縁基材は、誘電率がそれぞれ３〜５，８〜10
であり、信号伝播速度は誘電率の平方根に比例し
て遅くなるため、上記絶縁基材とする配線板では
信号伝播の高速化に限界がある。
一方、信号伝播の高速化を達成する多層配線板
として、内層基板間を空気等の気体絶縁とする方
法が特公昭57−39559号公報、特公昭58−11117号
公報に記載されている。
として、内層基板間を空気等の気体絶縁とする方
法が特公昭57−39559号公報、特公昭58−11117号
公報に記載されている。
上記の多層配線板では内層および外層導体の接
続方法として、通常の印刷配線板の製造工法であ
るスルホール加工およびスルホール銅（化学銅め
つき−電気めつき）により形成されるため微細ス
ルホール等の形成が困難であり、LSI等の素子を
直接搭載する高密度配線板への適用性が小さい。
続方法として、通常の印刷配線板の製造工法であ
るスルホール加工およびスルホール銅（化学銅め
つき−電気めつき）により形成されるため微細ス
ルホール等の形成が困難であり、LSI等の素子を
直接搭載する高密度配線板への適用性が小さい。
本発明の目的は上記した従来技術の問題点をな
くし、所定の信号導体層およびグランド層間に空
間をあけ、一括多層を可能とする合理的な接続方
法を提供することにある。
くし、所定の信号導体層およびグランド層間に空
間をあけ、一括多層を可能とする合理的な接続方
法を提供することにある。
さらには、配線板内での電気信号伝播の高速化
を可能とする高密度な多層配線板の製造方法を提
供することにある。
を可能とする高密度な多層配線板の製造方法を提
供することにある。
上記目的のため種々検討した結果、以下の特徴
を有する発明で達成した。すなわち、本発明は低
抵抗の金属板の片面にTi金属膜を形成し、片面
に接続用窓を有するポリイミド樹脂皮膜を形成す
る工程、Ti金属膜の所定部分をエツチングし、
銅を露出させ、ランド部を形成する工程、ランド
部及びその近傍以外のTi金属膜上、接続用窓及
びその近傍以外のポリイミド樹脂皮膜上に低融点
金属形成用レジストパターンを形成する工程、ラ
ンド部及びその近傍、接続用窓及びその近傍には
んだバンプを形成する工程、前記低融点金属形成
用レジストパターンを除去する工程、所定部分の
Ti金属膜及び露出部銅板をエツチングして二次
元導体配線板を形成する工程、前記二次元導体配
線板の複数枚を加熱し、はんだバンプを溶融し、
積み重ねて接続一体化する工程からなることを特
徴とする多層配線板の製造方法である。
を有する発明で達成した。すなわち、本発明は低
抵抗の金属板の片面にTi金属膜を形成し、片面
に接続用窓を有するポリイミド樹脂皮膜を形成す
る工程、Ti金属膜の所定部分をエツチングし、
銅を露出させ、ランド部を形成する工程、ランド
部及びその近傍以外のTi金属膜上、接続用窓及
びその近傍以外のポリイミド樹脂皮膜上に低融点
金属形成用レジストパターンを形成する工程、ラ
ンド部及びその近傍、接続用窓及びその近傍には
んだバンプを形成する工程、前記低融点金属形成
用レジストパターンを除去する工程、所定部分の
Ti金属膜及び露出部銅板をエツチングして二次
元導体配線板を形成する工程、前記二次元導体配
線板の複数枚を加熱し、はんだバンプを溶融し、
積み重ねて接続一体化する工程からなることを特
徴とする多層配線板の製造方法である。
ランドパターン上およびグランド層の選択的バ
ンプ状低融点金属の形成にはめつき法あるいは蒸
着法等で可能である。またその材料はPb，Snあ
るいはその合金（ハンダ），Au−Sn，Au−Siの
Au合金等が使用できるがコスト，使用温度の観
点から鉛，錫合金（ハンダ）が望ましい。
ンプ状低融点金属の形成にはめつき法あるいは蒸
着法等で可能である。またその材料はPb，Snあ
るいはその合金（ハンダ），Au−Sn，Au−Siの
Au合金等が使用できるがコスト，使用温度の観
点から鉛，錫合金（ハンダ）が望ましい。
その選択的形成方法としてはホトエツチングあ
るいは印刷法による選択的レジストマスキング法
が用いられる。ホトエツチング法においては通常
の市販品である剥離型のポジ，ネジ型の液状ある
いはドライフイルム型感光性レジストが容易に用
いられる。また、印刷インクにおいても剥離型イ
ンクあるいは耐めつき液性インクも使用可能であ
る。
るいは印刷法による選択的レジストマスキング法
が用いられる。ホトエツチング法においては通常
の市販品である剥離型のポジ，ネジ型の液状ある
いはドライフイルム型感光性レジストが容易に用
いられる。また、印刷インクにおいても剥離型イ
ンクあるいは耐めつき液性インクも使用可能であ
る。
本発明の導体パターンすなわち、信号パター
ン，ランドパターンあるいはグランドパターンを
構成する配線板は材料としては低抵抗なCu，
Ag，Pd，Au，Al，Mo，Ｗ，Pt，Ni等が使用で
きるが、コスト，加工性の点でCuが適当である。
またその導体の配線パターン形成には上記材料の
板状導体を用いて、従来のホトエツチング法で容
易に可能である。この場合のホトレジストとして
はポジ型，ネガ型タイプで剥離型感光性レジスト
が使用できる。
ン，ランドパターンあるいはグランドパターンを
構成する配線板は材料としては低抵抗なCu，
Ag，Pd，Au，Al，Mo，Ｗ，Pt，Ni等が使用で
きるが、コスト，加工性の点でCuが適当である。
またその導体の配線パターン形成には上記材料の
板状導体を用いて、従来のホトエツチング法で容
易に可能である。この場合のホトレジストとして
はポジ型，ネガ型タイプで剥離型感光性レジスト
が使用できる。
本発明は配線パターンを支持補強する有機絶縁
層を取り入れることが一つの特徴である。この有
機絶縁層は永久レジスト型の感光性レジストで形
成できる。特に感光性ポリイミドの使用が耐熱性
絶縁性の観点で有効で適す。
層を取り入れることが一つの特徴である。この有
機絶縁層は永久レジスト型の感光性レジストで形
成できる。特に感光性ポリイミドの使用が耐熱性
絶縁性の観点で有効で適す。
また本発明の特徴は上記導体パターンの中空多
層配線板ブロツクをさらに支持するための上下両
面をはさむ剛性基板を新たに設けた点にもある。
この剛性基板としてはアルミナ，ステライド，ホ
ルステライト，ムライト，ガラス等の酸化物系無
機材料基板が挙げられる。
層配線板ブロツクをさらに支持するための上下両
面をはさむ剛性基板を新たに設けた点にもある。
この剛性基板としてはアルミナ，ステライド，ホ
ルステライト，ムライト，ガラス等の酸化物系無
機材料基板が挙げられる。
以下に本発明の実施例を図を用いて詳細に説明
する。
する。
実施例 １
第１図ａは板厚18μｍの銅箔１の片面に通常の
真空蒸着法を用い、厚さ約0.1μｍのTi金属膜２を
形成した板状導体である。
真空蒸着法を用い、厚さ約0.1μｍのTi金属膜２を
形成した板状導体である。
この導体の銅露出面に以下の組成からなる感光
性ポリイミド樹脂溶液をスピンナー塗布した。
性ポリイミド樹脂溶液をスピンナー塗布した。
ポリアミド酸 ……30ｇ
（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）
エチルメタクリレート ……３ｇ
2.6−ジ（4′−アジドベンザル）
−４−ヒドロキシシクロヘキサン ……３ｇ
その後、70℃、30分間乾燥して膜厚約10μｍの
ポリイミド樹脂皮膜３を形成、次いで所定の位置
に接続用ランドパターンを有するガラスホトマス
ク（図示せず）を密着、500WのXe−Hg灯で30
秒間紫外線露光した。次いで、Ｎ−メチル−２−
ピロリドン：４容，エタノール：１溶からなる混
液で現像した後、350℃の窒素雰囲気中で60分間
ポストベークし、接続用窓４を有するポリイミド
樹脂を形成した（第１図ｂ）。
ポリイミド樹脂皮膜３を形成、次いで所定の位置
に接続用ランドパターンを有するガラスホトマス
ク（図示せず）を密着、500WのXe−Hg灯で30
秒間紫外線露光した。次いで、Ｎ−メチル−２−
ピロリドン：４容，エタノール：１溶からなる混
液で現像した後、350℃の窒素雰囲気中で60分間
ポストベークし、接続用窓４を有するポリイミド
樹脂を形成した（第１図ｂ）。
次いで、上記導体の両面にネガ型感光性レジス
トOMR−83（東京応化）をスピンナー塗布、70
℃，30分間乾燥後（膜厚約3μｍ）、所定の位置に
接続用ランドパターンを有するガラスホトマスク
（図示せず）をTi金属膜面に密着し、500WのXe
−Hg灯により両面10秒間紫外線露光した。露光
後OMR−83専用現像液で現像、さらに専用リン
ス液にて洗浄し、エツチングレジストパターン５
を形成した（第１図ｃ）。
トOMR−83（東京応化）をスピンナー塗布、70
℃，30分間乾燥後（膜厚約3μｍ）、所定の位置に
接続用ランドパターンを有するガラスホトマスク
（図示せず）をTi金属膜面に密着し、500WのXe
−Hg灯により両面10秒間紫外線露光した。露光
後OMR−83専用現像液で現像、さらに専用リン
ス液にて洗浄し、エツチングレジストパターン５
を形成した（第１図ｃ）。
次いで、50％硫酸水溶液（液温50℃）にて露出
したTi金属部をエツチング除去（第１図ｄ）し
た後、50℃のOMR−83専用剥離液にて両面のエ
ツチングレジスト膜５を剥離除去した。第１図ｅ
はエツチングレジスト剥離後の接続用ランドパタ
ーンを有する板状導体を示す。
したTi金属部をエツチング除去（第１図ｄ）し
た後、50℃のOMR−83専用剥離液にて両面のエ
ツチングレジスト膜５を剥離除去した。第１図ｅ
はエツチングレジスト剥離後の接続用ランドパタ
ーンを有する板状導体を示す。
次いで、上記導体の両面にネガ型感光性レジス
トOMR−83をスピンナー塗布、70℃，30分間乾
燥（膜厚約3μｍ）後、所定の位置に低融点金属
を形成するためのガラスホトマスク（図示せず）
を両面に密着、500WのXe−Hg灯により10秒間
紫外線露光し、OMR専用現像液，リンス液によ
り処理して第１図ｆに示す低融点金属形成用レジ
ストパターン６を形成した。
トOMR−83をスピンナー塗布、70℃，30分間乾
燥（膜厚約3μｍ）後、所定の位置に低融点金属
を形成するためのガラスホトマスク（図示せず）
を両面に密着、500WのXe−Hg灯により10秒間
紫外線露光し、OMR専用現像液，リンス液によ
り処理して第１図ｆに示す低融点金属形成用レジ
ストパターン６を形成した。
第１図ｆで得た板状導体にめつき前処理である
シツプレイ社のニユートラクリーン−68脱脂（室
温，３分），水洗（室温，１分）および５％塩酸
洗（室温，１分），水洗（室温，１分）施した後、
ハンダめつき法により所定の位置に約10μｍ厚の
低融点金属７を形成した（第１図ｇ）。用いため
つき液組成および条件は以下の通り。
シツプレイ社のニユートラクリーン−68脱脂（室
温，３分），水洗（室温，１分）および５％塩酸
洗（室温，１分），水洗（室温，１分）施した後、
ハンダめつき法により所定の位置に約10μｍ厚の
低融点金属７を形成した（第１図ｇ）。用いため
つき液組成および条件は以下の通り。
ホウフツ化錫（45％） ……５ｇ１
ホウフツ化鉛（45％） ……100ｇ１
ホウフツ酸 ……100ｇ１
ホウ酸 ……10ｇ１
ゼラチン ……３ｇ１
温度：25℃，電流密度：2A／ｄm2、
めつき後の低融点金属めつき膜におけるSn／
Pb合金比は約５／95であつた。
Pb合金比は約５／95であつた。
次いで、上記板状導体をOMR−83専用剥離液
（50℃）に５分間浸漬、低融点金属形成用レジス
ト６を剥離，除去し、第１図ｈに示すごとく、所
定の位置に接続用ハンダバンプ７を形成した板状
導体を得た。
（50℃）に５分間浸漬、低融点金属形成用レジス
ト６を剥離，除去し、第１図ｈに示すごとく、所
定の位置に接続用ハンダバンプ７を形成した板状
導体を得た。
次いで、第１図ｉに示すごとく上記導体の両面
にエツチングレジストとなる感光性レジスト
OMR−83をスピンナー塗布、乾燥（膜厚約3μ
ｍ）し、エツチングレジストを形成した。その
後、所望のパツドおよびラインパターンを有する
信号配線用ガラスホトマスク（図示せず）をTi
金属膜面のみに密着、500WXe−Hg灯にて両面
に紫外線露光し、第１図ｊに示す導体パターン形
成用エツチングレジスト８を形成した。その後、
50％硫酸水（液温50℃）溶液および過硫酸アンモ
ニウム：250ｇ１、塩化アンモニウム：30ｇ１
から成るエツチング液に逐次浸漬し、露出部の
Ti金属膜２および銅箔１をエツチング除去する。
にエツチングレジストとなる感光性レジスト
OMR−83をスピンナー塗布、乾燥（膜厚約3μ
ｍ）し、エツチングレジストを形成した。その
後、所望のパツドおよびラインパターンを有する
信号配線用ガラスホトマスク（図示せず）をTi
金属膜面のみに密着、500WXe−Hg灯にて両面
に紫外線露光し、第１図ｊに示す導体パターン形
成用エツチングレジスト８を形成した。その後、
50％硫酸水（液温50℃）溶液および過硫酸アンモ
ニウム：250ｇ１、塩化アンモニウム：30ｇ１
から成るエツチング液に逐次浸漬し、露出部の
Ti金属膜２および銅箔１をエツチング除去する。
第１図ｋにエツチングレジスト８をOMR−83
専用剥離液にて剥離，除去後の導体ライン、接続
用パツドおよびパツド上に低融点金属のハンダバ
ンプを形成した配線基体を示した。
専用剥離液にて剥離，除去後の導体ライン、接続
用パツドおよびパツド上に低融点金属のハンダバ
ンプを形成した配線基体を示した。
次いで上記配線体を約300℃の炉内に約15分間
投入、接続用低融点金属バンプ７を溶融（ウエツ
トバツク）し、第１図ｌに示す球状の低融点金属
バンプ７′を有する信号配線体を得た。
投入、接続用低融点金属バンプ７を溶融（ウエツ
トバツク）し、第１図ｌに示す球状の低融点金属
バンプ７′を有する信号配線体を得た。
次いで、実施例第１図ａ〜ｌと同様な方法によ
り第２図に示すグランド層導体を形成した。
り第２図に示すグランド層導体を形成した。
以上の方法により形成した複数の信号配線体
（Ｘ方向配線，Ｙ方向配線）および上記信号配線
体をはさむ構成位置にグランド層導体を多重化、
さらに最外層（両面）に導体配線を形成したアル
ミナセラミツク配線基板９を重ねた後、約300℃
の炉内に15分間投入、球状低融点金属バンプを溶
融させ、第３図に示すごとく、各信号配線層，グ
ランド層およびアルミナセラミツク基板間がハン
ダ柱のみで接続し、かつ各層間が中空、すなわち
空気絶縁された多層配線板を得た。
（Ｘ方向配線，Ｙ方向配線）および上記信号配線
体をはさむ構成位置にグランド層導体を多重化、
さらに最外層（両面）に導体配線を形成したアル
ミナセラミツク配線基板９を重ねた後、約300℃
の炉内に15分間投入、球状低融点金属バンプを溶
融させ、第３図に示すごとく、各信号配線層，グ
ランド層およびアルミナセラミツク基板間がハン
ダ柱のみで接続し、かつ各層間が中空、すなわち
空気絶縁された多層配線板を得た。
以上説明したように、本発明では、低抵抗の金
属板の片面にはんだバンプに対しヌレ性が悪い
Ti金属膜を形成し、片面に接続用窓を有するポ
リイミド樹脂皮膜を形成したことにある。このた
め、はんだバンプを形成する工程で低抵抗の金属
板の片面ではTi金属膜、片面ではポリイミド樹
脂皮膜が各々共にダムの役目をしてはんだ流れが
防止され、位置付け精度が大幅に向上できる。更
に、低抵抗の金属板の剛性をTi金属膜、ポリイ
ミド樹脂皮膜が高めるため、機械的、物理的強度
が確保でき、多層配線板として信頼性の優れたも
のが得られる。
属板の片面にはんだバンプに対しヌレ性が悪い
Ti金属膜を形成し、片面に接続用窓を有するポ
リイミド樹脂皮膜を形成したことにある。このた
め、はんだバンプを形成する工程で低抵抗の金属
板の片面ではTi金属膜、片面ではポリイミド樹
脂皮膜が各々共にダムの役目をしてはんだ流れが
防止され、位置付け精度が大幅に向上できる。更
に、低抵抗の金属板の剛性をTi金属膜、ポリイ
ミド樹脂皮膜が高めるため、機械的、物理的強度
が確保でき、多層配線板として信頼性の優れたも
のが得られる。
第１図，第２図，第３図は本発明の多層配線板
の製造工程断面図である。 １…銅箔、２…Ti金属膜、３…ポリイミド樹
脂、４…接続用窓、５…エツチングレジスト、６
…低融点金属形成用レジスト、７…低融点金属バ
ンプ、７′…球状低融点金属バンプ、８…導体パ
ターン形成用エツチングレジスト、９…アルミナ
セラミツク配線基板。
の製造工程断面図である。 １…銅箔、２…Ti金属膜、３…ポリイミド樹
脂、４…接続用窓、５…エツチングレジスト、６
…低融点金属形成用レジスト、７…低融点金属バ
ンプ、７′…球状低融点金属バンプ、８…導体パ
ターン形成用エツチングレジスト、９…アルミナ
セラミツク配線基板。
Claims (1)
- １ 低抵抗の金属板の片面にTi金属膜を形成し、
片面に接続用窓を有するポリイミド樹脂皮膜を形
成する工程、Ti金属膜の所定部分をエツチング
し、銅を露出させ、ランド部を形成する工程、ラ
ンド部及びその近傍以外のTi金属膜上、接続用
窓及びその近傍以外のポリイミド樹脂皮膜上に低
融点金属形成用レジストパターンを形成する工
程、ランド部及びその近傍、接続用窓及びその近
傍にはんだバンプを形成する工程、前記低融点金
属形成用レジストパターンを除去する工程、所定
部分のTi金属膜及び露出部銅板をエツチングし
て二次元導体配線板を形成する工程、前記二次元
導体配線板の複数枚を加熱し、はんだバンプを溶
融し、積み重ねて接続一体化する工程からなるこ
とを特徴とする多層配線板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9365385A JPS61252699A (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | 多層配線板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9365385A JPS61252699A (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | 多層配線板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61252699A JPS61252699A (ja) | 1986-11-10 |
| JPH0482080B2 true JPH0482080B2 (ja) | 1992-12-25 |
Family
ID=14088337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9365385A Granted JPS61252699A (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | 多層配線板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61252699A (ja) |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5028662A (ja) * | 1973-07-17 | 1975-03-24 | ||
| JPS5633174Y2 (ja) * | 1973-07-17 | 1981-08-06 | ||
| JPS5347927B2 (ja) * | 1973-06-08 | 1978-12-25 | ||
| JPS544375A (en) * | 1977-06-13 | 1979-01-13 | Suwa Seikosha Kk | Circuit substrate |
| JPS5446376A (en) * | 1977-09-20 | 1979-04-12 | Fujitsu Ltd | Method of manufacturing multilayer printed board |
| JPS56150897A (en) * | 1980-04-23 | 1981-11-21 | Fujitsu Ltd | Method of manufacturing multilayer printed board |
| JPS57109392A (en) * | 1980-12-26 | 1982-07-07 | Suwa Seikosha Kk | Circuit mounting substrate |
| JPS58143559A (ja) * | 1982-02-19 | 1983-08-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多層構造半導体集積回路装置およびその製造方法 |
-
1985
- 1985-05-02 JP JP9365385A patent/JPS61252699A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61252699A (ja) | 1986-11-10 |
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