JPH1131905A - 分波器およびそれを用いた共用器および２周波帯域用移動体通信機器 - Google Patents
分波器およびそれを用いた共用器および２周波帯域用移動体通信機器Info
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- JPH1131905A JPH1131905A JP9188071A JP18807197A JPH1131905A JP H1131905 A JPH1131905 A JP H1131905A JP 9188071 A JP9188071 A JP 9188071A JP 18807197 A JP18807197 A JP 18807197A JP H1131905 A JPH1131905 A JP H1131905A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 携帯電話等の移動体通信に用いられる分波器
に関し、簡単な構成で二つの帯域を分波することがで
き、お互いの帯域に影響を及ぼさない分波器を実現する
ことを目的とする。 【解決手段】 １有極π型３段低域通過フィルタ１１５
と共通端子１１３の間に第１の整合回路としてのインダ
クタ１０５を接続し、１有極帯域通過フィルタ１１６と
共通端子１１３の間に第２の整合回路としてのコンデン
サ１０６Ａを接続することにより、お互いの帯域に影響
を及ぼすことのなく、また高調波成分を充分に減衰させ
る分波器を簡単に実現することができる。
に関し、簡単な構成で二つの帯域を分波することがで
き、お互いの帯域に影響を及ぼさない分波器を実現する
ことを目的とする。 【解決手段】 １有極π型３段低域通過フィルタ１１５
と共通端子１１３の間に第１の整合回路としてのインダ
クタ１０５を接続し、１有極帯域通過フィルタ１１６と
共通端子１１３の間に第２の整合回路としてのコンデン
サ１０６Ａを接続することにより、お互いの帯域に影響
を及ぼすことのなく、また高調波成分を充分に減衰させ
る分波器を簡単に実現することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主として携帯電話
等の移動体通信に用いられる分波器およびそれを用いた
共用器および２周波帯域用移動体通信機器に関するもの
である。
等の移動体通信に用いられる分波器およびそれを用いた
共用器および２周波帯域用移動体通信機器に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】一般に、この種の分波器は図９から図１
１に示すような構成を有していた。すなわち、従来の分
波器は図９に示す回路を図１０に示すように、低誘電率
セラミックスの中に形成された低域通過フィルタおよび
高域通過フィルタで構成されていた。
１に示すような構成を有していた。すなわち、従来の分
波器は図９に示す回路を図１０に示すように、低誘電率
セラミックスの中に形成された低域通過フィルタおよび
高域通過フィルタで構成されていた。
【０００３】図１０において、低誘電率層１６ｉ上に
は、シールド電極としての導体層２４が形成されると共
に、低誘電率層１６ｈが積層されている。この低誘電率
層１６ｈ上にはインダクタ電極２３ａおよび２３ｂが形
成されると共に、低誘電率層１６ｇが積層されている。
この低誘電率層１６ｇ上にはコンデンサ電極２２が形成
されると共に、低誘電率層１６ｆが積層されている。こ
の低誘電率層１６ｆ上にはコンデンサ電極２１が形成さ
れると共に、低誘電率層１６ｅが積層されている。この
低誘電率層１６ｅ上にはシールド電極としての導体層２
０が形成されると共に、低誘電率層１６ｄが積層されて
いる。この低誘電率層１６ｄ上にはコンデンサ電極１９
ａおよび１９ｂが形成されると共に、低誘電率層１６ｃ
が積層されている。この低誘電率層１６ｃ上にはインダ
クタ電極１８が形成されると共に、低誘電率層１６ｂが
積層されている。この低誘電率層１６ｂ上にはインダク
タ電極１７が形成されると共に、低誘電率層１６ａが積
層されている。なお、低誘電率層１６ｂの中には、イン
ダクタ電極１７，１８間の導通を得るためのビアホール
２５が形成されている。
は、シールド電極としての導体層２４が形成されると共
に、低誘電率層１６ｈが積層されている。この低誘電率
層１６ｈ上にはインダクタ電極２３ａおよび２３ｂが形
成されると共に、低誘電率層１６ｇが積層されている。
この低誘電率層１６ｇ上にはコンデンサ電極２２が形成
されると共に、低誘電率層１６ｆが積層されている。こ
の低誘電率層１６ｆ上にはコンデンサ電極２１が形成さ
れると共に、低誘電率層１６ｅが積層されている。この
低誘電率層１６ｅ上にはシールド電極としての導体層２
０が形成されると共に、低誘電率層１６ｄが積層されて
いる。この低誘電率層１６ｄ上にはコンデンサ電極１９
ａおよび１９ｂが形成されると共に、低誘電率層１６ｃ
が積層されている。この低誘電率層１６ｃ上にはインダ
クタ電極１８が形成されると共に、低誘電率層１６ｂが
積層されている。この低誘電率層１６ｂ上にはインダク
タ電極１７が形成されると共に、低誘電率層１６ａが積
層されている。なお、低誘電率層１６ｂの中には、イン
ダクタ電極１７，１８間の導通を得るためのビアホール
２５が形成されている。
【０００４】次に、図１１に従来の分波器の斜視図を示
す。導体層２０および導体層２４は誘電体側面において
端面電極２６ｂ，２６ｄ，２６ｆ、および２６ｇと接続
され、端面電極２６ｂ，２６ｄ，２６ｆ、および２６ｇ
を接地することでシールド電極を形成している。
す。導体層２０および導体層２４は誘電体側面において
端面電極２６ｂ，２６ｄ，２６ｆ、および２６ｇと接続
され、端面電極２６ｂ，２６ｄ，２６ｆ、および２６ｇ
を接地することでシールド電極を形成している。
【０００５】また、図９に示すように、誘電体側面にお
いて端面電極２６ａとインダクタ電極１７を接続するこ
とにより第１の端子９０７を形成すると共に、インダク
タ電極１７がビアホール２５を介してインダクタ電極１
８と接続することにより第１のインダクタ９０２を形成
している。さらに、端面電極２６ａは誘電体側面におい
てコンデンサ電極１９ａとも接続されており、導体層２
０との間で第１のコンデンサ９０１を形成している。ま
た、誘電体側面においてインダクタ電極１８とコンデン
サ電極２１と端面電極２６ｃを接続することにより、共
通端子９０８を形成している。さらに、端面電極２６ｃ
は誘電体側面においてコンデンサ電極１９ｂとも接続さ
れており、導体層２０との間で第２のコンデンサ９０３
を形成する。このようにして低域通過フィルタ９１０が
構成される。
いて端面電極２６ａとインダクタ電極１７を接続するこ
とにより第１の端子９０７を形成すると共に、インダク
タ電極１７がビアホール２５を介してインダクタ電極１
８と接続することにより第１のインダクタ９０２を形成
している。さらに、端面電極２６ａは誘電体側面におい
てコンデンサ電極１９ａとも接続されており、導体層２
０との間で第１のコンデンサ９０１を形成している。ま
た、誘電体側面においてインダクタ電極１８とコンデン
サ電極２１と端面電極２６ｃを接続することにより、共
通端子９０８を形成している。さらに、端面電極２６ｃ
は誘電体側面においてコンデンサ電極１９ｂとも接続さ
れており、導体層２０との間で第２のコンデンサ９０３
を形成する。このようにして低域通過フィルタ９１０が
構成される。
【０００６】次に、端面電極２６ｃに接続されたコンデ
ンサ電極２１と対向するコンデンサ電極２２との間で第
３のコンデンサ９０５を形成している。また誘電体側面
において端面電極２６ｃはインダクタ電極２３ｂとも接
続されており、他端で端面電極２６ｇと接続されること
により、第２のインダクタ９０４を形成している。同様
に誘電体側面においてコンデンサ電極２２はインダクタ
電極２３ａと接続されており、他端で端面電極２６ｆと
接続されることにより、第３のインダクタ９０６を形成
している。さらに誘電体側面においてコンデンサ電極２
３は端面電極２６ｅとも接続されており、第２の端子９
０９を形成している。このようにして高域通過フィルタ
９１１が構成される。
ンサ電極２１と対向するコンデンサ電極２２との間で第
３のコンデンサ９０５を形成している。また誘電体側面
において端面電極２６ｃはインダクタ電極２３ｂとも接
続されており、他端で端面電極２６ｇと接続されること
により、第２のインダクタ９０４を形成している。同様
に誘電体側面においてコンデンサ電極２２はインダクタ
電極２３ａと接続されており、他端で端面電極２６ｆと
接続されることにより、第３のインダクタ９０６を形成
している。さらに誘電体側面においてコンデンサ電極２
３は端面電極２６ｅとも接続されており、第２の端子９
０９を形成している。このようにして高域通過フィルタ
９１１が構成される。
【０００７】低域通過フィルタ９１０は高域通過フィル
タ９１１の通過帯域周波数において減衰量を多くし、ま
た高域通過フィルタ９１１は低域通過フィルタ９１０の
通過帯域周波数において減衰量を多く取れるように設定
することにより、双方のアイソレーションを得ていた。
タ９１１の通過帯域周波数において減衰量を多くし、ま
た高域通過フィルタ９１１は低域通過フィルタ９１０の
通過帯域周波数において減衰量を多く取れるように設定
することにより、双方のアイソレーションを得ていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年、
移動体通信の利用者が急増するにともない、通話チャネ
ルを確保するために、二つの周波数帯域のシステムを一
つの通信機で使用できるようにする試みが実施されてい
る。この場合、二つの帯域を分波する機能を有するデバ
イスが必要となるが、従来の分波器では低誘電率のセラ
ミックスの中に形成された低域通過フィルタおよび高域
通過フィルタで構成されていたため、このようなシステ
ムを実現しようとすると、構成上の制約から高調波成分
が除去できない、また設計上の制約から形状が大きくな
るといった課題を有していた。
移動体通信の利用者が急増するにともない、通話チャネ
ルを確保するために、二つの周波数帯域のシステムを一
つの通信機で使用できるようにする試みが実施されてい
る。この場合、二つの帯域を分波する機能を有するデバ
イスが必要となるが、従来の分波器では低誘電率のセラ
ミックスの中に形成された低域通過フィルタおよび高域
通過フィルタで構成されていたため、このようなシステ
ムを実現しようとすると、構成上の制約から高調波成分
が除去できない、また設計上の制約から形状が大きくな
るといった課題を有していた。
【０００９】本発明は上記課題を解決するためのもので
あり、二つの帯域を分波し、かつ高調波成分を除去でき
る小型のデバイスを実現することを目的とする。
あり、二つの帯域を分波し、かつ高調波成分を除去でき
る小型のデバイスを実現することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、低誘電率層と高誘電率層が一体的に形成さ
れた構成であって、低域通過フィルタと低域通過フィル
タの整合回路としてのインダクタを低誘電率層に、帯域
通過フィルタと帯域通過フィルタの整合回路としてのコ
ンデンサを高誘電率層に形成したものである。
に本発明は、低誘電率層と高誘電率層が一体的に形成さ
れた構成であって、低域通過フィルタと低域通過フィル
タの整合回路としてのインダクタを低誘電率層に、帯域
通過フィルタと帯域通過フィルタの整合回路としてのコ
ンデンサを高誘電率層に形成したものである。
【００１１】この構成によって、共通端子に入力された
信号は二つの帯域に分波され、高調波成分を除去できる
小型のデバイスを実現できる。
信号は二つの帯域に分波され、高調波成分を除去できる
小型のデバイスを実現できる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、第１の端子と第２の端子と共通端子を有し、第１の
端子と共通端子の間に接続された第１の帯域を通過帯域
とする低域通過フィルタと、共通端子と第２の端子の間
に接続された第１の帯域より高い周波数帯域である第２
の帯域を通過帯域とする帯域通過フィルタからなり、前
記低域通過フィルタと前記共通端子の間に第１の整合回
路を接続するとともに、前記共通端子と前記帯域通過フ
ィルタの間に第２の整合回路を接続したことを特徴とす
る分波器であり、この構成によって共通端子から入力さ
れた信号を第１の帯域と第２の帯域に分波できるととも
に、第１の帯域においては帯域通過フィルタの影響を低
減でき、第１の端子と共通端子の間を流れる信号は第２
の端子に流れ込まない、かつ第２の帯域においては低域
通過フィルタの影響を低減でき、第２の端子と共通端子
の間を流れる信号は第１の端子に流れ込まないようにで
きるという作用を有する。
は、第１の端子と第２の端子と共通端子を有し、第１の
端子と共通端子の間に接続された第１の帯域を通過帯域
とする低域通過フィルタと、共通端子と第２の端子の間
に接続された第１の帯域より高い周波数帯域である第２
の帯域を通過帯域とする帯域通過フィルタからなり、前
記低域通過フィルタと前記共通端子の間に第１の整合回
路を接続するとともに、前記共通端子と前記帯域通過フ
ィルタの間に第２の整合回路を接続したことを特徴とす
る分波器であり、この構成によって共通端子から入力さ
れた信号を第１の帯域と第２の帯域に分波できるととも
に、第１の帯域においては帯域通過フィルタの影響を低
減でき、第１の端子と共通端子の間を流れる信号は第２
の端子に流れ込まない、かつ第２の帯域においては低域
通過フィルタの影響を低減でき、第２の端子と共通端子
の間を流れる信号は第１の端子に流れ込まないようにで
きるという作用を有する。
【００１３】本発明の請求項２に記載の発明は、第１の
整合回路が直列に接続されたインダクタであることを特
徴とする請求項１記載の分波器であり、この構成によ
り、第１の整合回路を簡単に構成できるという作用を有
する。
整合回路が直列に接続されたインダクタであることを特
徴とする請求項１記載の分波器であり、この構成によ
り、第１の整合回路を簡単に構成できるという作用を有
する。
【００１４】本発明の請求項３に記載の発明は、第２の
整合回路が直列に接続されたコンデンサであることを特
徴とする請求項１記載の分波器であり、この構成によ
り、第２の整合回路を簡単に構成できるという作用を有
する。
整合回路が直列に接続されたコンデンサであることを特
徴とする請求項１記載の分波器であり、この構成によ
り、第２の整合回路を簡単に構成できるという作用を有
する。
【００１５】本発明の請求項４に記載の発明は、低域通
過フィルタがπ型回路の低域通過フィルタであることを
特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の分波器で
あり、この構成によってインピーダンス整合が取りやす
く、かつ高調波成分が充分除去できる低域通過フィルタ
を構成することができるという作用を有する。
過フィルタがπ型回路の低域通過フィルタであることを
特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の分波器で
あり、この構成によってインピーダンス整合が取りやす
く、かつ高調波成分が充分除去できる低域通過フィルタ
を構成することができるという作用を有する。
【００１６】本発明の請求項５に記載の発明は、低域通
過フィルタが少なくとも一つの減衰極をもつことを特徴
とする請求項１から３のいずれかに記載の分波器であ
り、この構成により、高調波成分を充分除去できるとい
う作用を有する。
過フィルタが少なくとも一つの減衰極をもつことを特徴
とする請求項１から３のいずれかに記載の分波器であ
り、この構成により、高調波成分を充分除去できるとい
う作用を有する。
【００１７】本発明の請求項６に記載の発明は、減衰極
のうちの一つが第２の帯域に存在する低域通過フィルタ
であることを特徴とする請求項５記載の分波器であり、
この構成によって、第１の端子と共通端子の間の第２の
帯域におけるアイソレーションを大きくできるという作
用を有する。
のうちの一つが第２の帯域に存在する低域通過フィルタ
であることを特徴とする請求項５記載の分波器であり、
この構成によって、第１の端子と共通端子の間の第２の
帯域におけるアイソレーションを大きくできるという作
用を有する。
【００１８】本発明の請求項７に記載の発明は、帯域通
過フィルタが少なくとも一つの減衰極をもつ帯域通過フ
ィルタであることを特徴とする請求項１から３のいずれ
かに記載の分波器であり、この構成により、減衰特性の
良いフィルタを実現できるという作用を有する。
過フィルタが少なくとも一つの減衰極をもつ帯域通過フ
ィルタであることを特徴とする請求項１から３のいずれ
かに記載の分波器であり、この構成により、減衰特性の
良いフィルタを実現できるという作用を有する。
【００１９】本発明の請求項８に記載の発明は、減衰極
のうちの一つが第１の帯域に存在する帯域通過フィルタ
であることを特徴とする請求項７記載の分波器であり、
この構成により、共通端子と第２の端子との間の第１の
帯域におけるアイソレーションを大きくできるという作
用を有する。
のうちの一つが第１の帯域に存在する帯域通過フィルタ
であることを特徴とする請求項７記載の分波器であり、
この構成により、共通端子と第２の端子との間の第１の
帯域におけるアイソレーションを大きくできるという作
用を有する。
【００２０】本発明の請求項９に記載の発明は、高誘電
率層と低誘電率層の少なくとも２層以上を積層し、前記
高誘電率層には帯域通過フィルタおよび第２の整合回路
を形成し、かつ前記低誘電率層に低域通過フィルタおよ
び第１の整合回路を形成したことを特徴とする請求項１
記載の分波器であり、この構成によって、低域通過フィ
ルタおよび帯域通過フィルタを小型に構成できるため小
型の分波器を実現できるという作用を有する。
率層と低誘電率層の少なくとも２層以上を積層し、前記
高誘電率層には帯域通過フィルタおよび第２の整合回路
を形成し、かつ前記低誘電率層に低域通過フィルタおよ
び第１の整合回路を形成したことを特徴とする請求項１
記載の分波器であり、この構成によって、低域通過フィ
ルタおよび帯域通過フィルタを小型に構成できるため小
型の分波器を実現できるという作用を有する。
【００２１】本発明の請求項１０に記載の発明は、高誘
電率層には、帯域通過フィルタを形成するための共振器
電極およびコンデンサ電極と、第２の整合回路を形成す
るためのコンデンサ電極とを配設し、低誘電率層には、
低域通過フィルタを形成するためのインダクタ電極およ
びコンデンサ電極と、第１の整合回路を形成するための
インダクタ電極とを配設し、かつ前記高誘電率層と前記
高誘電率層の界面に帯域通過フィルタと低域通過フィル
タに共通のシールド電極を配設したことを特徴とする請
求項１記載の分波器であり、この構成によって、高誘電
率層セラミックスの低誘電率層セラミックスへの拡散が
低減されるので、誘電体の同時一括焼成ができ、製造コ
ストを削減できるという作用を有する。
電率層には、帯域通過フィルタを形成するための共振器
電極およびコンデンサ電極と、第２の整合回路を形成す
るためのコンデンサ電極とを配設し、低誘電率層には、
低域通過フィルタを形成するためのインダクタ電極およ
びコンデンサ電極と、第１の整合回路を形成するための
インダクタ電極とを配設し、かつ前記高誘電率層と前記
高誘電率層の界面に帯域通過フィルタと低域通過フィル
タに共通のシールド電極を配設したことを特徴とする請
求項１記載の分波器であり、この構成によって、高誘電
率層セラミックスの低誘電率層セラミックスへの拡散が
低減されるので、誘電体の同時一括焼成ができ、製造コ
ストを削減できるという作用を有する。
【００２２】本発明の請求項１１に記載の発明は、高誘
電率層には、帯域通過フィルタを形成するための共振器
電極、コンデンサ電極およびシールド電極と、第２の整
合回路を形成するためのコンデンサ電極とを配設し、低
誘電率層には、低域通過フィルタを形成するためのイン
ダクタ電極、コンデンサ電極およびシールド電極と、第
１の整合回路を形成するためのインダクタ電極とを配設
したことを特徴とする請求項１記載の分波器であり、こ
の構成により、容易に誘電体の焼成ができ、かつ低域通
過フィルタおよび帯域通過フィルタを安定して製造でき
るという作用を有する。
電率層には、帯域通過フィルタを形成するための共振器
電極、コンデンサ電極およびシールド電極と、第２の整
合回路を形成するためのコンデンサ電極とを配設し、低
誘電率層には、低域通過フィルタを形成するためのイン
ダクタ電極、コンデンサ電極およびシールド電極と、第
１の整合回路を形成するためのインダクタ電極とを配設
したことを特徴とする請求項１記載の分波器であり、こ
の構成により、容易に誘電体の焼成ができ、かつ低域通
過フィルタおよび帯域通過フィルタを安定して製造でき
るという作用を有する。
【００２３】本発明の請求項１２に記載の発明は、高誘
電率層がＢｉ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｎｂ2Ｏ5系誘電体セラミッ
クであり、低誘電率層がＳｉＯ2−ＢａＯ−Ｌａ2Ｏ3系
ガラスとフォルステライト粉末からなることを特徴とす
る請求項９から１１のいずれかに記載の分波器であり、
この構成によって複合積層セラミック部品を一括同時焼
成で一体的に実現できるという作用を有する。
電率層がＢｉ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｎｂ2Ｏ5系誘電体セラミッ
クであり、低誘電率層がＳｉＯ2−ＢａＯ−Ｌａ2Ｏ3系
ガラスとフォルステライト粉末からなることを特徴とす
る請求項９から１１のいずれかに記載の分波器であり、
この構成によって複合積層セラミック部品を一括同時焼
成で一体的に実現できるという作用を有する。
【００２４】本発明の請求項１３に記載の発明は、高誘
電率層がＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ5−ＴｉＯ 2系誘電体セラミッ
クとＳｉＯ2−ＢａＯ−Ｌａ2Ｏ3系ガラスからなり、低
誘電率層がＳｉＯ2−ＢａＯ−Ｌａ2Ｏ3系ガラスとフォ
ルステライト粉末からなることを特徴とする請求項９か
ら１１のいずれかに記載の分波器であり、この構成によ
って複合積層セラミック部品を一括同時焼成で一体的に
実現できるという作用を有する。
電率層がＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ5−ＴｉＯ 2系誘電体セラミッ
クとＳｉＯ2−ＢａＯ−Ｌａ2Ｏ3系ガラスからなり、低
誘電率層がＳｉＯ2−ＢａＯ−Ｌａ2Ｏ3系ガラスとフォ
ルステライト粉末からなることを特徴とする請求項９か
ら１１のいずれかに記載の分波器であり、この構成によ
って複合積層セラミック部品を一括同時焼成で一体的に
実現できるという作用を有する。
【００２５】本発明の請求項１４に記載の発明は、請求
項１から１３のいずれかに記載の分波器が二つとＳＰＤ
Ｔスイッチとからなり、分波器の共通端子にＳＰＤＴス
イッチの一方の出力端子を接続し、他方の出力端子にも
う一つの分波器の共通端子を接続したことを特徴とする
共用器であり、二つの帯域で使用できる時間分割多重接
続方式（Time Division Multiple Access：以下、ＴＤ
ＭＡ方式とする）対応の共用器を簡単に構成することが
できるという作用を有する。
項１から１３のいずれかに記載の分波器が二つとＳＰＤ
Ｔスイッチとからなり、分波器の共通端子にＳＰＤＴス
イッチの一方の出力端子を接続し、他方の出力端子にも
う一つの分波器の共通端子を接続したことを特徴とする
共用器であり、二つの帯域で使用できる時間分割多重接
続方式（Time Division Multiple Access：以下、ＴＤ
ＭＡ方式とする）対応の共用器を簡単に構成することが
できるという作用を有する。
【００２６】本発明の請求項１５に記載の発明は、請求
項１から１３のいずれかに記載の分波器と第１の帯域で
動作する共用器と第２の帯域で動作する共用器とからな
り、分波器の第１の端子に第１の帯域で動作するアンテ
ナ端子を接続し、分波器の第２の端子に第２の帯域で動
作するアンテナ端子を接続したことを特徴とする共用器
であり、二つの帯域で使用できるＴＤＭＡ方式以外の方
式に対応の共用器を簡単に構成することができるという
作用を有する。
項１から１３のいずれかに記載の分波器と第１の帯域で
動作する共用器と第２の帯域で動作する共用器とからな
り、分波器の第１の端子に第１の帯域で動作するアンテ
ナ端子を接続し、分波器の第２の端子に第２の帯域で動
作するアンテナ端子を接続したことを特徴とする共用器
であり、二つの帯域で使用できるＴＤＭＡ方式以外の方
式に対応の共用器を簡単に構成することができるという
作用を有する。
【００２７】本発明の請求項１６に記載の発明は、請求
項１から１３のいずれかに記載の分波器を高周波回路に
用いたことを特徴とする２周波帯域用移動体通信機器で
あり、この構成によって、二つの周波数帯域を利用でき
る移動体通信機器端末の高周波回路を簡単に構成するこ
とができるという作用を有する。
項１から１３のいずれかに記載の分波器を高周波回路に
用いたことを特徴とする２周波帯域用移動体通信機器で
あり、この構成によって、二つの周波数帯域を利用でき
る移動体通信機器端末の高周波回路を簡単に構成するこ
とができるという作用を有する。
【００２８】以下、本発明の実施の形態について、図１
から図８を用いて説明する。 （実施の形態１）図１は本発明の実施の形態１における
分波器の構成を示す回路図である。図１において、第１
の端子１１２に第１のコンデンサ１０１の一端と第１の
インダクタ１０２の一端と第２のコンデンサ１０３の一
端を接続し、第１のコンデンサ１０１の他端は接地す
る。第１のインダクタ１０２の他端と第２のコンデンサ
１０３の他端に第３のコンデンサ１０４の一端と第２の
インダクタ１０５の一端を接続し、第３のコンデンサ１
０４の他端は接地する。第２のインダクタ１０５の他端
は第４のコンデンサ１０６Ａの一端と接続して共通端子
１１３と接続し、直列に接続された。第４のコンデンサ
１０６Ｂの他端に第１の４分の１波長共振器１０７と第
５のコンデンサ１０８の一端と第３のインダクタ１０９
の一端を接続する。第５のコンデンサ１０８の他端に第
２の４分の１波長共振器１１０と第６のコンデンサ１１
１の一端を接続し、第３のインダクタ１０９の他端と第
６のコンデンサ１１１の他端を接続して第２の端子１１
４と接続する。
から図８を用いて説明する。 （実施の形態１）図１は本発明の実施の形態１における
分波器の構成を示す回路図である。図１において、第１
の端子１１２に第１のコンデンサ１０１の一端と第１の
インダクタ１０２の一端と第２のコンデンサ１０３の一
端を接続し、第１のコンデンサ１０１の他端は接地す
る。第１のインダクタ１０２の他端と第２のコンデンサ
１０３の他端に第３のコンデンサ１０４の一端と第２の
インダクタ１０５の一端を接続し、第３のコンデンサ１
０４の他端は接地する。第２のインダクタ１０５の他端
は第４のコンデンサ１０６Ａの一端と接続して共通端子
１１３と接続し、直列に接続された。第４のコンデンサ
１０６Ｂの他端に第１の４分の１波長共振器１０７と第
５のコンデンサ１０８の一端と第３のインダクタ１０９
の一端を接続する。第５のコンデンサ１０８の他端に第
２の４分の１波長共振器１１０と第６のコンデンサ１１
１の一端を接続し、第３のインダクタ１０９の他端と第
６のコンデンサ１１１の他端を接続して第２の端子１１
４と接続する。
【００２９】なお、ここでは、説明をわかりやすくする
ために、直列に接続された第４のコンデンサ１０６Ａ，
１０６Ｂを１つのコンデンサ、すなわち第４のコンデン
サ１０６と置き換えて以降の説明を行う。
ために、直列に接続された第４のコンデンサ１０６Ａ，
１０６Ｂを１つのコンデンサ、すなわち第４のコンデン
サ１０６と置き換えて以降の説明を行う。
【００３０】以上のように構成された分波器について、
以下その動作を説明する。第１のコンデンサ１０１と第
１のインダクタ１０２と第２のコンデンサ１０３と第３
のコンデンサ１０４はπ型３段１有極低域通過フィルタ
１１５を構成し、第１の帯域を通過帯域、第２の帯域に
減衰極を形成するように設定されている。また、第４の
コンデンサ１０６と第１の４分の１波長共振器１０７と
第５のコンデンサ１０８と第３のインダクタ１０９と第
２の４分の１波長共振器１１０と第６のコンデンサ１１
１は２段１有極帯域通過フィルタ１１６を構成し、第２
の帯域を通過帯域、第１の帯域に減衰極を形成するよう
に設定されている。
以下その動作を説明する。第１のコンデンサ１０１と第
１のインダクタ１０２と第２のコンデンサ１０３と第３
のコンデンサ１０４はπ型３段１有極低域通過フィルタ
１１５を構成し、第１の帯域を通過帯域、第２の帯域に
減衰極を形成するように設定されている。また、第４の
コンデンサ１０６と第１の４分の１波長共振器１０７と
第５のコンデンサ１０８と第３のインダクタ１０９と第
２の４分の１波長共振器１１０と第６のコンデンサ１１
１は２段１有極帯域通過フィルタ１１６を構成し、第２
の帯域を通過帯域、第１の帯域に減衰極を形成するよう
に設定されている。
【００３１】共通端子１１３から第２の端子１１４側の
回路において、直列に接続された第４のコンデンサ１０
６のインピーダンスはその容量をＣとすると１／（ω
Ｃ）で表され、第１の４分の１波長共振器１０７はコン
デンサとインダクタの並列共振回路で置き換えられ、か
つ一端が接地されているためインピーダンスはそれぞれ
ωＣ、１／（ωＬ）と表される（Ｌはインダクタのイン
ダクタンスとする）ので、周波数が低くなるほど第４の
コンデンサ１０６は高インピーダンス状態となり、第１
の４分の１波長共振器１０７は低インピーダンス状態と
なる。
回路において、直列に接続された第４のコンデンサ１０
６のインピーダンスはその容量をＣとすると１／（ω
Ｃ）で表され、第１の４分の１波長共振器１０７はコン
デンサとインダクタの並列共振回路で置き換えられ、か
つ一端が接地されているためインピーダンスはそれぞれ
ωＣ、１／（ωＬ）と表される（Ｌはインダクタのイン
ダクタンスとする）ので、周波数が低くなるほど第４の
コンデンサ１０６は高インピーダンス状態となり、第１
の４分の１波長共振器１０７は低インピーダンス状態と
なる。
【００３２】したがって第１の帯域においては帯域通過
フィルタ１１６は容量性を示し、共通端子１１３とグラ
ンドの間に接続されたコンデンサとして作用する。第１
の整合回路として接続している第２のインダクタ１０５
とあわせると第１の端子１１２と共通端子１１３の間は
等価的にπ型５段低域通過フィルタとなる。
フィルタ１１６は容量性を示し、共通端子１１３とグラ
ンドの間に接続されたコンデンサとして作用する。第１
の整合回路として接続している第２のインダクタ１０５
とあわせると第１の端子１１２と共通端子１１３の間は
等価的にπ型５段低域通過フィルタとなる。
【００３３】これにより、共通端子１１３に入力された
第１の帯域の信号は第２の端子１１４側では充分減衰
し、大部分は第１の端子１１２側に出力され、かつ高調
波成分は低域通過フィルタ１１５により充分に減衰され
る。逆に第１の端子１１２に入力された第１の帯域の信
号は第２の端子１１４側には流れ込まずに共通端子１１
３に出力される。
第１の帯域の信号は第２の端子１１４側では充分減衰
し、大部分は第１の端子１１２側に出力され、かつ高調
波成分は低域通過フィルタ１１５により充分に減衰され
る。逆に第１の端子１１２に入力された第１の帯域の信
号は第２の端子１１４側には流れ込まずに共通端子１１
３に出力される。
【００３４】次に共通端子と第２の端子１１４の間の動
作について説明する。共通端子１１３から第１の端子１
１２側の回路において、直列に接続された第２のインダ
クタ１０５のインピーダンスはそのインダクタンスをＬ
とするとωＬで表され、グランドとの間に接続された第
３のコンデンサ１０４のインピーダンス１／（ωＣ）と
表される（Ｃはコンデンサの容量とする）ので、周波数
が高くなるほど第２のインダクタ１０５は高インピーダ
ンス状態となり、第３のコンデンサ１０４は低インピー
ダンス状態となる。したがって第２の帯域において低域
通過フィルタ１１５は誘導性を示し、共通端子１１３と
グランドの間に接続されたインダクタとして作用する。
作について説明する。共通端子１１３から第１の端子１
１２側の回路において、直列に接続された第２のインダ
クタ１０５のインピーダンスはそのインダクタンスをＬ
とするとωＬで表され、グランドとの間に接続された第
３のコンデンサ１０４のインピーダンス１／（ωＣ）と
表される（Ｃはコンデンサの容量とする）ので、周波数
が高くなるほど第２のインダクタ１０５は高インピーダ
ンス状態となり、第３のコンデンサ１０４は低インピー
ダンス状態となる。したがって第２の帯域において低域
通過フィルタ１１５は誘導性を示し、共通端子１１３と
グランドの間に接続されたインダクタとして作用する。
【００３５】ここで共通端子１１３と帯域通過フィルタ
１１６の間に直列接続のコンデンサ、および前記コンデ
ンサの他端と帯域通過フィルタ１１６の接続点とグラン
ドとの間に接続されたインダクタを仮定する。このイン
ダクタはグランドとの間に接続された負のコンデンサと
して等価的に表すことができ、さらに第１の４分の１波
長共振器１０７の共振器長を短くすることで代用でき
る。またコンデンサについては帯域通過フィルタ１１６
は入出力結合が容量性結合であるため、合成容量として
一つの素子で構成することができる。
１１６の間に直列接続のコンデンサ、および前記コンデ
ンサの他端と帯域通過フィルタ１１６の接続点とグラン
ドとの間に接続されたインダクタを仮定する。このイン
ダクタはグランドとの間に接続された負のコンデンサと
して等価的に表すことができ、さらに第１の４分の１波
長共振器１０７の共振器長を短くすることで代用でき
る。またコンデンサについては帯域通過フィルタ１１６
は入出力結合が容量性結合であるため、合成容量として
一つの素子で構成することができる。
【００３６】結果として、図１の回路は第４のコンデン
サ１０６と第１の４分の１波長共振器１０７の共振器長
を調整することにより、共通端子１１３と帯域通過フィ
ルタ１１６の間に直列に接続されたコンデンサとグラン
ドとの間に接続されたインダクタを含むように設定でき
る。
サ１０６と第１の４分の１波長共振器１０７の共振器長
を調整することにより、共通端子１１３と帯域通過フィ
ルタ１１６の間に直列に接続されたコンデンサとグラン
ドとの間に接続されたインダクタを含むように設定でき
る。
【００３７】したがって第２の帯域においては、共通端
子１１３から第２の端子１１４に向かってグランドとの
間に接続されたインダクタ、直列に接続されたコンデン
サ、およびグランドとの間に接続されたインダクタが等
価的に構成される。この回路は通過帯域よりも低い帯域
における整合回路として公知のπ型の高域通過フィルタ
形の移送回路である。
子１１３から第２の端子１１４に向かってグランドとの
間に接続されたインダクタ、直列に接続されたコンデン
サ、およびグランドとの間に接続されたインダクタが等
価的に構成される。この回路は通過帯域よりも低い帯域
における整合回路として公知のπ型の高域通過フィルタ
形の移送回路である。
【００３８】これにより、共通端子１１３に入力された
第２の帯域の信号は第１の端子１１２側では充分減衰
し、大部分は第２の端子１１４側に出力され、かつ高調
波成分は帯域通過フィルタ１１６により充分に減衰され
る。逆に第２の端子１１４に入力された第２の帯域の信
号は第１の端子１１２側には流れ込まずに共通端子１１
３に出力される。
第２の帯域の信号は第１の端子１１２側では充分減衰
し、大部分は第２の端子１１４側に出力され、かつ高調
波成分は帯域通過フィルタ１１６により充分に減衰され
る。逆に第２の端子１１４に入力された第２の帯域の信
号は第１の端子１１２側には流れ込まずに共通端子１１
３に出力される。
【００３９】以上のような構成により、本実施の形態は
入力された信号を二つの帯域に分ける分波器として作用
する。
入力された信号を二つの帯域に分ける分波器として作用
する。
【００４０】なお、１有極型帯域通過フィルタを構成す
る回路形式は他にもあるが、本発明の分波器の細部は帯
域通過フィルタの回路形式に影響されるものではない。
る回路形式は他にもあるが、本発明の分波器の細部は帯
域通過フィルタの回路形式に影響されるものではない。
【００４１】また二つの周波数帯域を使用できる携帯電
話機端末において、本発明の分波器を用いることによ
り、端末の高周波分波回路を簡単な回路で構成すること
ができ、端末を小型で軽量にできる。
話機端末において、本発明の分波器を用いることによ
り、端末の高周波分波回路を簡単な回路で構成すること
ができ、端末を小型で軽量にできる。
【００４２】（実施の形態２）図２は本発明の実施の形
態２における分波器の構成を示す模式図であり、図３は
同分波器の斜視図である。図２において、ＳｉＯ2−Ｂ
ａＯ−Ｌａ2Ｏ3系ガラスを主成分とする低誘電率層３上
には、シールド電極としての導体層１３が形成されると
共に、Ｂｉ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｎｂ2Ｏ5系誘電体セラミック
スまたはＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ5−ＴｉＯ2系誘電体セラミッ
クスからなる高誘電率層２ｃが積層されている。また、
この高誘電率層２ｃ上には共振器電極１２ａおよび１２
ｂが形成されると共に、Ｂｉ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｎｂ2Ｏ5系
誘電体セラミックスまたはＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ5−ＴｉＯ2
系誘電体セラミックスからなる高誘電率層２ｂが積層さ
れている。さらに、この高誘電率層２ｂ上には、入出力
結合用コンデンサ電極９と負荷用のコンデンサ電極１０
ａおよび１０ｂと第２の整合回路を形成するためのコン
デンサ電極１１を配置している。この上に同じくＢｉ2
Ｏ3−ＣａＯ−Ｎｂ2Ｏ5系誘電体セラミックスまたはＢ
ａＯ−Ｎｄ2Ｏ5−ＴｉＯ2系誘電体セラミックスからな
る高誘電率層２ａが積層され、この高誘電率層２ａの上
面にはシールド電極としての導体層８が形成されてい
る。
態２における分波器の構成を示す模式図であり、図３は
同分波器の斜視図である。図２において、ＳｉＯ2−Ｂ
ａＯ−Ｌａ2Ｏ3系ガラスを主成分とする低誘電率層３上
には、シールド電極としての導体層１３が形成されると
共に、Ｂｉ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｎｂ2Ｏ5系誘電体セラミック
スまたはＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ5−ＴｉＯ2系誘電体セラミッ
クスからなる高誘電率層２ｃが積層されている。また、
この高誘電率層２ｃ上には共振器電極１２ａおよび１２
ｂが形成されると共に、Ｂｉ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｎｂ2Ｏ5系
誘電体セラミックスまたはＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ5−ＴｉＯ2
系誘電体セラミックスからなる高誘電率層２ｂが積層さ
れている。さらに、この高誘電率層２ｂ上には、入出力
結合用コンデンサ電極９と負荷用のコンデンサ電極１０
ａおよび１０ｂと第２の整合回路を形成するためのコン
デンサ電極１１を配置している。この上に同じくＢｉ2
Ｏ3−ＣａＯ−Ｎｂ2Ｏ5系誘電体セラミックスまたはＢ
ａＯ−Ｎｄ2Ｏ5−ＴｉＯ2系誘電体セラミックスからな
る高誘電率層２ａが積層され、この高誘電率層２ａの上
面にはシールド電極としての導体層８が形成されてい
る。
【００４３】次に、この導体層８を設けた高誘電率層２
ａ上にはＳｉＯ2−ＢａＯ−Ｌａ2Ｏ 3系ガラスを主成分
とする低誘電率層１ｄが設けられ、この低誘電率層１ｄ
の上面にはコンデンサ電極７ａおよび７ｂが形成される
と共に、ＳｉＯ2−ＢａＯ−Ｌａ2Ｏ3系ガラスを主成分
とする低誘電率層１ｃが設けられ、この低誘電率層１ｃ
の上面にはコンデンサ電極６が形成されると共に、Ｓｉ
Ｏ2−ＢａＯ−Ｌａ2Ｏ 3系ガラスを主成分とする低誘電
率層１ｂが設けられ、この低誘電率層１ｂの上面にはイ
ンダクタ電極４と第１の整合回路を形成するためのイン
ダクタ電極５を配置している。この上に同じくＳｉＯ2
−ＢａＯ−Ｌａ2Ｏ3系ガラスを主成分とする低誘電率層
１ａが設けられている。
ａ上にはＳｉＯ2−ＢａＯ−Ｌａ2Ｏ 3系ガラスを主成分
とする低誘電率層１ｄが設けられ、この低誘電率層１ｄ
の上面にはコンデンサ電極７ａおよび７ｂが形成される
と共に、ＳｉＯ2−ＢａＯ−Ｌａ2Ｏ3系ガラスを主成分
とする低誘電率層１ｃが設けられ、この低誘電率層１ｃ
の上面にはコンデンサ電極６が形成されると共に、Ｓｉ
Ｏ2−ＢａＯ−Ｌａ2Ｏ 3系ガラスを主成分とする低誘電
率層１ｂが設けられ、この低誘電率層１ｂの上面にはイ
ンダクタ電極４と第１の整合回路を形成するためのイン
ダクタ電極５を配置している。この上に同じくＳｉＯ2
−ＢａＯ−Ｌａ2Ｏ3系ガラスを主成分とする低誘電率層
１ａが設けられている。
【００４４】以上のような構成を有する分波器は、グリ
ーンシートを用いて印刷・積層したものを一括焼成して
形成される。
ーンシートを用いて印刷・積層したものを一括焼成して
形成される。
【００４５】次に本発明の特徴とする低誘電率層１ａ〜
１ｄと高誘電率層２ａ〜２ｃの材料について説明する。
１ｄと高誘電率層２ａ〜２ｃの材料について説明する。
【００４６】低誘電率層１ａ〜１ｄ及び高誘電率層２ａ
〜２ｃのグリーンシートをそれぞれ下記のように作製し
た。低誘電率層のグリーンシートは以下のように作製し
た。低誘電率層１ａ〜１ｄに用いられるガラスはＳｉＯ
2，Ｈ3ＢＯ3，Ａｌ(ＯＨ)3，ＣａＣＯ3，ＢａＣＯ3，Ｓ
ｒＣＯ3，Ｌａ2Ｏ3等の原料を白金または白金ロジウム
坩堝中で溶融し、冷却後粉砕してガラス粉末を作製し
た。得られたガラス粉末５００ｇをメチルエチルケトン
２００ｇ中にジブチルフタレート２５ｇ、ポリビニルブ
チラール樹脂５０ｇを溶かした溶液中に加え、ボールミ
ルで２４時間混合・粉砕した。得られたスラリーから周
知のドクターブレード法により厚さ５０μｍの低誘電率
層グリーンシートを作製した。
〜２ｃのグリーンシートをそれぞれ下記のように作製し
た。低誘電率層のグリーンシートは以下のように作製し
た。低誘電率層１ａ〜１ｄに用いられるガラスはＳｉＯ
2，Ｈ3ＢＯ3，Ａｌ(ＯＨ)3，ＣａＣＯ3，ＢａＣＯ3，Ｓ
ｒＣＯ3，Ｌａ2Ｏ3等の原料を白金または白金ロジウム
坩堝中で溶融し、冷却後粉砕してガラス粉末を作製し
た。得られたガラス粉末５００ｇをメチルエチルケトン
２００ｇ中にジブチルフタレート２５ｇ、ポリビニルブ
チラール樹脂５０ｇを溶かした溶液中に加え、ボールミ
ルで２４時間混合・粉砕した。得られたスラリーから周
知のドクターブレード法により厚さ５０μｍの低誘電率
層グリーンシートを作製した。
【００４７】Ｂｉ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｎｂ2Ｏ5（以下、ＢＣ
Ｎとする）系高誘電率層の作製に当たっては、特開平５
−２２５８２６号公報記載の誘電率５８、ＢＣＮ系誘電
体粉末５００ｇをメチルエチルケトン２００ｇ中にジブ
チルフタレート１０ｇ、ポリビニルブチラール樹脂２５
ｇを溶かした溶液中に加え、ボールミルで２４時間混合
した。得られたスラリーからドクターブレード法により
厚さ５０μｍのＢＣＮ高誘電率層グリーンシートを作製
した。
Ｎとする）系高誘電率層の作製に当たっては、特開平５
−２２５８２６号公報記載の誘電率５８、ＢＣＮ系誘電
体粉末５００ｇをメチルエチルケトン２００ｇ中にジブ
チルフタレート１０ｇ、ポリビニルブチラール樹脂２５
ｇを溶かした溶液中に加え、ボールミルで２４時間混合
した。得られたスラリーからドクターブレード法により
厚さ５０μｍのＢＣＮ高誘電率層グリーンシートを作製
した。
【００４８】また同様にＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ5−ＴｉＯ2−
Ｂｉ2Ｏ3系高誘電率層の作製に当たっては、特願平９−
１０８７８８号記載の誘電率６０、ＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ5−
ＴｉＯ2−Ｂｉ2Ｏ3系高誘電体粉末１００重量％に対し
てＳｉＯ2−ＢａＯ−Ｌａ2Ｏ3系ガラス粉末２０重量％
加え、全体として５００ｇになるよう配合した。この粉
末（以下、ＢＮＴＧとする）をメチルエチルケトン２０
０ｇ中にジブチルフタレート１０ｇ、ポリビニルブチラ
ール樹脂２５ｇを溶かした溶液中に加え、ボールミルで
２４時間混合した。得られたスラリーからドクターブレ
ード法により厚さ５０μｍのＢＮＴＧ高誘電率層グリー
ンシートを作製した。
Ｂｉ2Ｏ3系高誘電率層の作製に当たっては、特願平９−
１０８７８８号記載の誘電率６０、ＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ5−
ＴｉＯ2−Ｂｉ2Ｏ3系高誘電体粉末１００重量％に対し
てＳｉＯ2−ＢａＯ−Ｌａ2Ｏ3系ガラス粉末２０重量％
加え、全体として５００ｇになるよう配合した。この粉
末（以下、ＢＮＴＧとする）をメチルエチルケトン２０
０ｇ中にジブチルフタレート１０ｇ、ポリビニルブチラ
ール樹脂２５ｇを溶かした溶液中に加え、ボールミルで
２４時間混合した。得られたスラリーからドクターブレ
ード法により厚さ５０μｍのＢＮＴＧ高誘電率層グリー
ンシートを作製した。
【００４９】前述の方法で作製した高誘電率層シートを
積層し、６０℃で熱圧着することにより、６００μｍ厚
の高誘電率層２ａおよび高誘電率層２ｃと、共振器電極
１２ａならびに１２ｂ、入出力結合用コンデンサ電極
９、負荷用コンデンサ電極１０ａならびに１０ｂ、およ
び第２の整合回路用コンデンサ電極１１との間に介在さ
せる５０μｍ厚の高誘電率層２ｂを作製した。同様に低
誘電率層シートを積層し、６０℃で熱圧着することによ
り低誘電率層１ａ〜１ｄおよび低誘電率層３を作製し
た。低誘電率層１ｂの中に導体層間の導通を得るための
ビアホール１４ａおよび１４ｂを形成し、銀ペーストを
充填した。低誘電率層１ｂ〜３のグリーンシート上には
それぞれ銀ペーストをスクリーン印刷法により所定の導
体パターンを印刷し、それぞれインダクタ電極４、整合
回路用インダクタ電極５、コンデンサ電極６、コンデン
サ電極７ａおよび７ｂ、導体層８、入出力結合用コンデ
ンサ電極９、負荷用コンデンサ電極１０ａおよび１０
ｂ、整合回路用コンデンサ電極１１、共振器電極１２ａ
および１２ｂ、および導体層１３を形成した。次いで低
誘電率層１ａ〜３のグリーンシートを順次位置決めして
積層し、８０℃で熱圧着した後、４００℃〜４５０℃で
脱バインダーし、その後９００℃〜９５０℃の温度で焼
成した。
積層し、６０℃で熱圧着することにより、６００μｍ厚
の高誘電率層２ａおよび高誘電率層２ｃと、共振器電極
１２ａならびに１２ｂ、入出力結合用コンデンサ電極
９、負荷用コンデンサ電極１０ａならびに１０ｂ、およ
び第２の整合回路用コンデンサ電極１１との間に介在さ
せる５０μｍ厚の高誘電率層２ｂを作製した。同様に低
誘電率層シートを積層し、６０℃で熱圧着することによ
り低誘電率層１ａ〜１ｄおよび低誘電率層３を作製し
た。低誘電率層１ｂの中に導体層間の導通を得るための
ビアホール１４ａおよび１４ｂを形成し、銀ペーストを
充填した。低誘電率層１ｂ〜３のグリーンシート上には
それぞれ銀ペーストをスクリーン印刷法により所定の導
体パターンを印刷し、それぞれインダクタ電極４、整合
回路用インダクタ電極５、コンデンサ電極６、コンデン
サ電極７ａおよび７ｂ、導体層８、入出力結合用コンデ
ンサ電極９、負荷用コンデンサ電極１０ａおよび１０
ｂ、整合回路用コンデンサ電極１１、共振器電極１２ａ
および１２ｂ、および導体層１３を形成した。次いで低
誘電率層１ａ〜３のグリーンシートを順次位置決めして
積層し、８０℃で熱圧着した後、４００℃〜４５０℃で
脱バインダーし、その後９００℃〜９５０℃の温度で焼
成した。
【００５０】次に、焼結体の側面部にプリント基板と接
続するための端面電極を得るため、スクリーン印刷法で
銀ペーストを印刷・焼成して図３に示す端面電極１５ａ
〜１５ｅを形成した。次いでバレルメッキによりニッケ
ル、はんだめっき層を形成した。
続するための端面電極を得るため、スクリーン印刷法で
銀ペーストを印刷・焼成して図３に示す端面電極１５ａ
〜１５ｅを形成した。次いでバレルメッキによりニッケ
ル、はんだめっき層を形成した。
【００５１】以上のように構成された分波器について、
以下その動作を説明する。本構成の分波器は図４に示す
等価回路で表わされるが、基本的には実施の形態１で説
明した分波器と同じであるので同一部分には同一番号を
付して詳細な説明を省略する。
以下その動作を説明する。本構成の分波器は図４に示す
等価回路で表わされるが、基本的には実施の形態１で説
明した分波器と同じであるので同一部分には同一番号を
付して詳細な説明を省略する。
【００５２】導体層８および導体層１３は誘電体側面に
おいて端面電極１５ａおよび１５ｄと接続され、端面電
極１５ａおよび１５ｄを接地することでシールド電極を
形成している。
おいて端面電極１５ａおよび１５ｄと接続され、端面電
極１５ａおよび１５ｄを接地することでシールド電極を
形成している。
【００５３】誘電体側面において、端面電極１５ｂとイ
ンダクタ電極４を接続することにより、第１の端子１１
２と第１のインダクタ１０２を形成するとともに、端面
電極１５ｂをコンデンサ電極７ａとも接続している。ま
た、コンデンサ電極７ａは導体層８との間で第１のコン
デンサ１０１を形成するとともに、インダクタ電極４の
一部に対向するようにコンデンサ電極６を配置すること
により、第２のコンデンサ１０３を形成し、インダクタ
電極４とコンデンサ電極６をビアホール１４ｂで接続し
ている。さらに整合回路用インダクタ電極５とコンデン
サ電極６とコンデンサ電極７ｂをビアホール１４ａで接
続することにより、第２のインダクタ１０５を形成する
とともに、コンデンサ電極７ｂは導体層８との間で第３
のコンデンサ１０４を形成している。
ンダクタ電極４を接続することにより、第１の端子１１
２と第１のインダクタ１０２を形成するとともに、端面
電極１５ｂをコンデンサ電極７ａとも接続している。ま
た、コンデンサ電極７ａは導体層８との間で第１のコン
デンサ１０１を形成するとともに、インダクタ電極４の
一部に対向するようにコンデンサ電極６を配置すること
により、第２のコンデンサ１０３を形成し、インダクタ
電極４とコンデンサ電極６をビアホール１４ｂで接続し
ている。さらに整合回路用インダクタ電極５とコンデン
サ電極６とコンデンサ電極７ｂをビアホール１４ａで接
続することにより、第２のインダクタ１０５を形成する
とともに、コンデンサ電極７ｂは導体層８との間で第３
のコンデンサ１０４を形成している。
【００５４】以上のようにして低域通過フィルタ４１５
が構成され、また、誘電体側面において整合回路用イン
ダクタ電極５と端面電極１５ｅを接続することにより、
共通端子１１３が形成される。
が構成され、また、誘電体側面において整合回路用イン
ダクタ電極５と端面電極１５ｅを接続することにより、
共通端子１１３が形成される。
【００５５】次に端面電極１５ｅと整合回路用コンデン
サ電極１１を接続する。端面電極１５ｅは共通端子１１
３を形成し、整合回路用コンデンサ電極１１は共振器電
極１２ｂの一部と対向して配置することにより、第４の
コンデンサ１０６を形成している。また端面電極１５ｃ
と入出力結合用コンデンサ電極９を接続して第２の端子
１１４を形成するとともに、入出力結合用コンデンサ電
極９は共振器電極１２ａの一部と対向して配置すること
により、第６のコンデンサ１１１を形成している。共振
器電極１２ｂはその一端を接地された端面電極１５ａと
接続することで第１の４分の１波長共振器４１７を形成
し、同様に共振器電極１２ａはその一端を接地された端
面電極１５ａと接続することで第２の４分の１波長共振
器４１８を形成している。負荷用コンデンサ電極１０ｂ
は共振器電極１２ｂの一部と対向するように配置し、そ
の一端を接地された端面電極１５ｃと接続することで第
１の負荷コンデンサ４１９を形成し、負荷用コンデンサ
電極１０ａは共振器電極１２ａの一部と対向するように
配置し、その一端を接地された端面電極１５ｃと接続す
ることで第２の負荷コンデンサ４２０を形成している。
以上のようにして帯域通過フィルタ４１６が構成され
る。
サ電極１１を接続する。端面電極１５ｅは共通端子１１
３を形成し、整合回路用コンデンサ電極１１は共振器電
極１２ｂの一部と対向して配置することにより、第４の
コンデンサ１０６を形成している。また端面電極１５ｃ
と入出力結合用コンデンサ電極９を接続して第２の端子
１１４を形成するとともに、入出力結合用コンデンサ電
極９は共振器電極１２ａの一部と対向して配置すること
により、第６のコンデンサ１１１を形成している。共振
器電極１２ｂはその一端を接地された端面電極１５ａと
接続することで第１の４分の１波長共振器４１７を形成
し、同様に共振器電極１２ａはその一端を接地された端
面電極１５ａと接続することで第２の４分の１波長共振
器４１８を形成している。負荷用コンデンサ電極１０ｂ
は共振器電極１２ｂの一部と対向するように配置し、そ
の一端を接地された端面電極１５ｃと接続することで第
１の負荷コンデンサ４１９を形成し、負荷用コンデンサ
電極１０ａは共振器電極１２ａの一部と対向するように
配置し、その一端を接地された端面電極１５ｃと接続す
ることで第２の負荷コンデンサ４２０を形成している。
以上のようにして帯域通過フィルタ４１６が構成され
る。
【００５６】高誘電率層２ａ〜２ｃに形成された帯域通
過フィルタ４１６は、第１の４分の１波長共振器４１７
と第２の４分の１波長共振器４１８の間の電磁界結合に
より減衰極を形成し、第２の帯域に通過帯域、第１の帯
域に減衰極が形成されるように設定されている。また第
２の帯域においては、実施の形態１と同様に低域通過フ
ィルタ４１５は共通端子１１３とグランドの間に接続さ
れたインダクタとして作用する。このとき第１の４分の
１波長共振器４１７の共振器長と第１の負荷コンデンサ
４１９の容量を調整することでπ型の高域通過フィルタ
形の移送回路を構成する。このように二種類の誘電体層
を同時に積層した構造を用いることで分波器を小型で低
背に構成することができる。
過フィルタ４１６は、第１の４分の１波長共振器４１７
と第２の４分の１波長共振器４１８の間の電磁界結合に
より減衰極を形成し、第２の帯域に通過帯域、第１の帯
域に減衰極が形成されるように設定されている。また第
２の帯域においては、実施の形態１と同様に低域通過フ
ィルタ４１５は共通端子１１３とグランドの間に接続さ
れたインダクタとして作用する。このとき第１の４分の
１波長共振器４１７の共振器長と第１の負荷コンデンサ
４１９の容量を調整することでπ型の高域通過フィルタ
形の移送回路を構成する。このように二種類の誘電体層
を同時に積層した構造を用いることで分波器を小型で低
背に構成することができる。
【００５７】以上のような構成により、本実施の形態は
入力された信号を二つの帯域に分ける分波器として作用
する。
入力された信号を二つの帯域に分ける分波器として作用
する。
【００５８】なお、本実施の形態では低誘電率層と高誘
電率層の界面にシールド電極を配置した例を説明した
が、図５のように低誘電率層、高誘電率層のそれぞれに
シールド電極としての導体層１６ａ，１６ｂ，１７ａお
よび１７ｂを形成することも可能である。この場合は、
焼成時の高誘電率層セラミックスの低誘電率層セラミッ
クスへの拡散が低減されて誘電体の同時一括焼成を容易
にすることができるので、帯域通過フィルタの特性バラ
ツキを抑制し、かつ製造コストを削減できる。
電率層の界面にシールド電極を配置した例を説明した
が、図５のように低誘電率層、高誘電率層のそれぞれに
シールド電極としての導体層１６ａ，１６ｂ，１７ａお
よび１７ｂを形成することも可能である。この場合は、
焼成時の高誘電率層セラミックスの低誘電率層セラミッ
クスへの拡散が低減されて誘電体の同時一括焼成を容易
にすることができるので、帯域通過フィルタの特性バラ
ツキを抑制し、かつ製造コストを削減できる。
【００５９】なお、本実施の形態では帯域通過フィルタ
の入出力結合はコンデンサ結合であるが、これは図６に
示すようにタッピング電極６２１による結合でもよい。
この場合は、広帯域かつ低挿入損失である帯域通過フィ
ルタのインピーダンス整合がとりやすくなるという効果
がある。
の入出力結合はコンデンサ結合であるが、これは図６に
示すようにタッピング電極６２１による結合でもよい。
この場合は、広帯域かつ低挿入損失である帯域通過フィ
ルタのインピーダンス整合がとりやすくなるという効果
がある。
【００６０】また二つの周波数帯域を使用できる携帯電
話機端末において、本発明の分波器を用いることによ
り、端末の高周波分波回路を簡単な回路で構成すること
ができ、端末を小型で軽量にできる。
話機端末において、本発明の分波器を用いることによ
り、端末の高周波分波回路を簡単な回路で構成すること
ができ、端末を小型で軽量にできる。
【００６１】（実施の形態３）図７は本発明の実施の形
態３における共用器の構成を示す図である。図７におい
て、ＳＰＤＴスイッチ７０１の一方の出力端子に第１の
分波器７０２の共通端子を、もう一方の出力端子に第２
の分波器７０３の共通端子を接続している。このように
してＳＰＤＴスイッチ７０１の入力端子をアンテナ端子
７０４、第１の分波器７０２の第１の端子を第１の送信
端子７０８、第１の分波器７０２の第２の端子を第２の
送信端子７０９、第２の分波器７０３の第１の端子を第
１の受信端子７１１、そして第２の分波器７０３の第２
の端子を第２の受信端子７１２とする共用器が構成され
ている。
態３における共用器の構成を示す図である。図７におい
て、ＳＰＤＴスイッチ７０１の一方の出力端子に第１の
分波器７０２の共通端子を、もう一方の出力端子に第２
の分波器７０３の共通端子を接続している。このように
してＳＰＤＴスイッチ７０１の入力端子をアンテナ端子
７０４、第１の分波器７０２の第１の端子を第１の送信
端子７０８、第１の分波器７０２の第２の端子を第２の
送信端子７０９、第２の分波器７０３の第１の端子を第
１の受信端子７１１、そして第２の分波器７０３の第２
の端子を第２の受信端子７１２とする共用器が構成され
ている。
【００６２】以上のように構成された共用器について、
以下その動作を説明する。本構成の分波器は、実施の形
態１および実施の形態２で説明した分波器であるので、
その動作については詳細な説明を省略する。
以下その動作を説明する。本構成の分波器は、実施の形
態１および実施の形態２で説明した分波器であるので、
その動作については詳細な説明を省略する。
【００６３】ＴＤＭＡ方式を採用している携帯電話機端
末においては、送信と受信は同時に起こらない。したが
って、時間的に経路を切り替えるＳＰＤＴスイッチ７０
１を使用することができる。
末においては、送信と受信は同時に起こらない。したが
って、時間的に経路を切り替えるＳＰＤＴスイッチ７０
１を使用することができる。
【００６４】第１の送信端子７０８に入力された第１の
帯域の送信信号は第１の分波器７０２により第２の送信
端子７０９には流れ込まず、第１の分波器の共通端子７
０７に出力され、さらにＳＰＤＴスイッチ７０１の第１
の出力端子７０５に流れる。そしてＳＰＤＴスイッチ７
０１により第２の出力端子７０６には流れ込まずにアン
テナ端子７０４から出力される。同様に、第２の送信端
子７０９に入力された第２の帯域の送信信号は第１の分
波器７０２により第１の送信端子７０８には流れ込ま
ず、第１の分波器７０２の共通端子７０７に出力され、
さらにＳＰＤＴスイッチ７０１の第１の出力端子７０５
に流れる。そしてＳＰＤＴスイッチ７０１により第２の
出力端子７０６には流れ込まずにアンテナ端子７０４か
ら出力される。
帯域の送信信号は第１の分波器７０２により第２の送信
端子７０９には流れ込まず、第１の分波器の共通端子７
０７に出力され、さらにＳＰＤＴスイッチ７０１の第１
の出力端子７０５に流れる。そしてＳＰＤＴスイッチ７
０１により第２の出力端子７０６には流れ込まずにアン
テナ端子７０４から出力される。同様に、第２の送信端
子７０９に入力された第２の帯域の送信信号は第１の分
波器７０２により第１の送信端子７０８には流れ込ま
ず、第１の分波器７０２の共通端子７０７に出力され、
さらにＳＰＤＴスイッチ７０１の第１の出力端子７０５
に流れる。そしてＳＰＤＴスイッチ７０１により第２の
出力端子７０６には流れ込まずにアンテナ端子７０４か
ら出力される。
【００６５】次に、アンテナ端子７０４に入力された第
１の帯域の受信信号はＳＰＤＴスイッチ７０１により第
１の出力端子７０５には流れ込まずに第２の出力端子７
０６に出力され、さらに第２の分波器７０３の共通端子
７１０に流れる。そして第２の分波器７０３により第２
の受信端子７１２には流れ込まず、第１の受信端子７１
１に出力される。同様に、アンテナ端子７０４に入力さ
れた第２の帯域の受信信号はＳＰＤＴスイッチ７０１に
より第１の出力端子７０５には流れ込まずに第２の出力
端子７０６に出力され、第２の分波器７０３の共通端子
７１０に流れる。そして第２の分波器７０３により第１
の受信端子７１１には流れ込まず、第２の受信端子７１
２に出力される。
１の帯域の受信信号はＳＰＤＴスイッチ７０１により第
１の出力端子７０５には流れ込まずに第２の出力端子７
０６に出力され、さらに第２の分波器７０３の共通端子
７１０に流れる。そして第２の分波器７０３により第２
の受信端子７１２には流れ込まず、第１の受信端子７１
１に出力される。同様に、アンテナ端子７０４に入力さ
れた第２の帯域の受信信号はＳＰＤＴスイッチ７０１に
より第１の出力端子７０５には流れ込まずに第２の出力
端子７０６に出力され、第２の分波器７０３の共通端子
７１０に流れる。そして第２の分波器７０３により第１
の受信端子７１１には流れ込まず、第２の受信端子７１
２に出力される。
【００６６】以上のような構成により、本実施の形態は
二つの周波数帯域で使用できるＴＤＭＡ方式対応の共用
器として作用する。
二つの周波数帯域で使用できるＴＤＭＡ方式対応の共用
器として作用する。
【００６７】一例として第１の帯域で日本のディジタル
携帯電話（Personal Digital Cellular：以下、ＰＤＣ
とする）を使用し、第２の帯域で日本の簡易型携帯電話
（Personal Handy phone System：以下、ＰＨＳとす
る）を使用すると、本発明の共用器はＰＤＣとＰＨＳの
両方のシステムで使用することができる。
携帯電話（Personal Digital Cellular：以下、ＰＤＣ
とする）を使用し、第２の帯域で日本の簡易型携帯電話
（Personal Handy phone System：以下、ＰＨＳとす
る）を使用すると、本発明の共用器はＰＤＣとＰＨＳの
両方のシステムで使用することができる。
【００６８】また一例として、第１の帯域で欧州の自動
車・携帯電話（Group Special Mobile：以下、ＧＳＭと
する）を使用し、第２の帯域で欧州のパーソナル移動通
信システム（Personal Communications Network：以
下、ＰＣＮとする）を使用すると、本発明の共用器はＧ
ＳＭとＰＣＮの両方のシステムで使用することができ
る。
車・携帯電話（Group Special Mobile：以下、ＧＳＭと
する）を使用し、第２の帯域で欧州のパーソナル移動通
信システム（Personal Communications Network：以
下、ＰＣＮとする）を使用すると、本発明の共用器はＧ
ＳＭとＰＣＮの両方のシステムで使用することができ
る。
【００６９】なお、ＳＰＤＴスイッチはさまざまな種類
のものが存在するが、本発明の共用器の細部はＳＰＤＴ
スイッチの種類に影響されるものではない。
のものが存在するが、本発明の共用器の細部はＳＰＤＴ
スイッチの種類に影響されるものではない。
【００７０】また二つの周波数帯域を使用できる携帯電
話機端末において、本発明の共用器を用いることによ
り、端末の共用器回路を簡単な回路で構成することがで
き、端末を小型で軽量にできる。
話機端末において、本発明の共用器を用いることによ
り、端末の共用器回路を簡単な回路で構成することがで
き、端末を小型で軽量にできる。
【００７１】（実施の形態４）図８は本発明の実施の形
態４における共用器の構成を示す図である。図８におい
て、分波器８０１の第１の端子８０５に第１の共用器８
０２のアンテナ端子８０７を、第２の端子８０６に第２
の共用器８０３のアンテナ端子８１０を接続している。
このようにして分波器８０１の共通端子をアンテナ端子
８０４、第１の共用器８０２の送信端子を第１の送信端
子８０８、第１の共用器８０２の受信端子を第１の受信
端子８０９、第２の共用器８０３の送信端子を第２の送
信端子８１１、そして第２の共用器８０３の受信端子を
第２の受信端子８１２とする共用器が構成されている。
態４における共用器の構成を示す図である。図８におい
て、分波器８０１の第１の端子８０５に第１の共用器８
０２のアンテナ端子８０７を、第２の端子８０６に第２
の共用器８０３のアンテナ端子８１０を接続している。
このようにして分波器８０１の共通端子をアンテナ端子
８０４、第１の共用器８０２の送信端子を第１の送信端
子８０８、第１の共用器８０２の受信端子を第１の受信
端子８０９、第２の共用器８０３の送信端子を第２の送
信端子８１１、そして第２の共用器８０３の受信端子を
第２の受信端子８１２とする共用器が構成されている。
【００７２】以上のように構成された共用器について、
以下その動作を説明する。本構成の分波器は、実施の形
態１および実施の形態２で説明した分波器であるので、
その動作については詳細な説明を省略する。
以下その動作を説明する。本構成の分波器は、実施の形
態１および実施の形態２で説明した分波器であるので、
その動作については詳細な説明を省略する。
【００７３】ＴＤＭＡ方式以外の方式を採用している携
帯電話機端末においては、送信と受信は同時に起こるの
で、時間的に経路を切り替えるＳＰＤＴスイッチを使用
することはできない。したがって、まず分波器で第１の
帯域と第２の帯域を分波し、それぞれの帯域で送信信号
と受信信号を分離する。
帯電話機端末においては、送信と受信は同時に起こるの
で、時間的に経路を切り替えるＳＰＤＴスイッチを使用
することはできない。したがって、まず分波器で第１の
帯域と第２の帯域を分波し、それぞれの帯域で送信信号
と受信信号を分離する。
【００７４】第１の送信端子８０８に入力された第１の
帯域の送信信号は第１の共用器８０２により第１の受信
端子８０９には流れ込まず、第１の共用器のアンテナ端
子８０７に出力され、さらに分波器８０１の第１の端子
８０５に流れる。そして分波器８０１により第２の端子
８０６側には流れ込まずにアンテナ端子８０４から出力
される。またアンテナ端子８０４に入力された第１の帯
域の受信信号は分波器８０１により第２の端子８０６に
は流れ込まずに第１の端子８０５に出力され、さらに第
１の共用器８０２のアンテナ端子８０７に流れる。そし
て第１の共用器８０２により第１の送信端子８０８には
流れ込まず、第１の受信端子８０９に出力される。
帯域の送信信号は第１の共用器８０２により第１の受信
端子８０９には流れ込まず、第１の共用器のアンテナ端
子８０７に出力され、さらに分波器８０１の第１の端子
８０５に流れる。そして分波器８０１により第２の端子
８０６側には流れ込まずにアンテナ端子８０４から出力
される。またアンテナ端子８０４に入力された第１の帯
域の受信信号は分波器８０１により第２の端子８０６に
は流れ込まずに第１の端子８０５に出力され、さらに第
１の共用器８０２のアンテナ端子８０７に流れる。そし
て第１の共用器８０２により第１の送信端子８０８には
流れ込まず、第１の受信端子８０９に出力される。
【００７５】次に、第２の送信端子８１１に入力された
第２の帯域の送信信号は第２の共用器８０３により第２
の受信端子８１２には流れ込まず、第２の共用器のアン
テナ端子８１０に出力され、さらに分波器８０１の第２
の端子８０６に流れる。そして分波器８０１により第１
の端子８０５側には流れ込まずにアンテナ端子８０４か
ら出力される。またアンテナ端子８０４に入力された第
２の帯域の受信信号は分波器８０１により第１の端子８
０５には流れ込まずに第２の端子８０６に出力され、さ
らに第２の共用器８０３のアンテナ端子８１０に流れ
る。そして第２の共用器８０３により第２の送信端子８
１１には流れ込まず、第２の受信端子８１２に出力され
る。
第２の帯域の送信信号は第２の共用器８０３により第２
の受信端子８１２には流れ込まず、第２の共用器のアン
テナ端子８１０に出力され、さらに分波器８０１の第２
の端子８０６に流れる。そして分波器８０１により第１
の端子８０５側には流れ込まずにアンテナ端子８０４か
ら出力される。またアンテナ端子８０４に入力された第
２の帯域の受信信号は分波器８０１により第１の端子８
０５には流れ込まずに第２の端子８０６に出力され、さ
らに第２の共用器８０３のアンテナ端子８１０に流れ
る。そして第２の共用器８０３により第２の送信端子８
１１には流れ込まず、第２の受信端子８１２に出力され
る。
【００７６】以上のような構成により、本実施の形態は
二つの周波数帯域で使用できるＴＤＭＡ方式以外の方式
に対応する共用器として作用する。
二つの周波数帯域で使用できるＴＤＭＡ方式以外の方式
に対応する共用器として作用する。
【００７７】一例として第１の帯域で米国のアナログ携
帯電話（Advanced Mobile Phone Service：以下、ＡＭ
ＰＳとする）を使用し、第２の帯域で米国のパーソナル
移動通信システム（Personal Communications System：
以下、ＰＣＳとする）を使用すると、本発明の共用器は
ＡＭＰＳとＰＣＳの両方のシステムで使用することがで
きる。
帯電話（Advanced Mobile Phone Service：以下、ＡＭ
ＰＳとする）を使用し、第２の帯域で米国のパーソナル
移動通信システム（Personal Communications System：
以下、ＰＣＳとする）を使用すると、本発明の共用器は
ＡＭＰＳとＰＣＳの両方のシステムで使用することがで
きる。
【００７８】また二つの周波数帯域を使用できる携帯電
話機端末において、本発明の共用器を用いることによ
り、端末の共用器回路を簡単な回路で構成することがで
き、端末を小型で軽量にできる。
話機端末において、本発明の共用器を用いることによ
り、端末の共用器回路を簡単な回路で構成することがで
き、端末を小型で軽量にできる。
【００７９】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、低域通過
フィルタと帯域通過フィルタと整合回路からなる分波器
を簡単な回路で構成することができ、低域通過フィルタ
は帯域通過フィルタの通過帯域に影響を及ぼさず、また
帯域通過フィルタは低域通過フィルタの通過帯域に影響
を及ぼさないように設定することが容易になる。
フィルタと帯域通過フィルタと整合回路からなる分波器
を簡単な回路で構成することができ、低域通過フィルタ
は帯域通過フィルタの通過帯域に影響を及ぼさず、また
帯域通過フィルタは低域通過フィルタの通過帯域に影響
を及ぼさないように設定することが容易になる。
【００８０】また低誘電率層と高誘電率層が一体的に形
成された構成で、低域通過フィルタと低域通過フィルタ
の整合回路を低誘電率層に、帯域通過フィルタと帯域通
過フィルタの整合回路を高誘電率層に形成することによ
り、分波器を小型にすることができる。
成された構成で、低域通過フィルタと低域通過フィルタ
の整合回路を低誘電率層に、帯域通過フィルタと帯域通
過フィルタの整合回路を高誘電率層に形成することによ
り、分波器を小型にすることができる。
【図１】本発明の実施の形態１における分波器の構成を
示す回路図
示す回路図
【図２】本発明の実施の形態２における分波器の構成を
示す模式図
示す模式図
【図３】同分波器の斜視図
【図４】同分波器の回路図
【図５】同分波器の他の構成例を示す模式図
【図６】同分波器における共振器電極の他の構成例を示
す回路図
す回路図
【図７】本発明の実施の形態３における共用器の構成を
示す回路図
示す回路図
【図８】本発明の実施の形態４における共用器の構成を
示す回路図
示す回路図
【図９】従来の分波器の構成を示す回路図
【図１０】同分波器の構成を示す模式図
【図１１】同分波器の斜視図
１０１ 第１のコンデンサ １０２ 第１のインダクタ １０３ 第２のコンデンサ １０４ 第３のコンデンサ １０５ 第２のインダクタ １０６ 第４のコンデンサ １０７ 第１の４分の１波長共振器 １０８ 第５のコンデンサ １０９ 第３のインダクタ １１０ 第２の４分の１波長共振器 １１１ 第６のコンデンサ １１２ 第１の端子 １１３ 共通端子 １１４ 第２の端子 １１５ 低域通過フィルタ １１６ 帯域通過フィルタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０３Ｈ 7/01 Ｈ０３Ｈ 7/46 Ａ 7/46 Ｈ０４Ｂ 1/50 Ｈ０４Ｂ 1/50 Ｃ０４Ｂ 35/46 Ｄ (72)発明者 勝村 英則 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 斉藤 隆一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (16)
- 【請求項１】 第１の端子と第２の端子と共通端子を有
し、第１の端子と共通端子の間に接続された第１の帯域
を通過帯域とする低域通過フィルタと、共通端子と第２
の端子の間に接続された第１の帯域より高い周波数帯域
である第２の帯域を通過帯域とする帯域通過フィルタか
らなり、前記低域通過フィルタと前記共通端子の間に第
１の整合回路を接続するとともに、前記共通端子と前記
帯域通過フィルタの間に第２の整合回路を接続したこと
を特徴とする分波器。 - 【請求項２】 第１の整合回路が直列に接続されたイン
ダクタであることを特徴とする請求項１記載の分波器。 - 【請求項３】 第２の整合回路が直列に接続されたコン
デンサであることを特徴とする請求項１記載の分波器。 - 【請求項４】 低域通過フィルタがπ型回路の低域通過
フィルタであることを特徴とする請求項１から３のいず
れかに記載の分波器。 - 【請求項５】 低域通過フィルタが少なくとも一つの減
衰極をもつことを特徴とする請求項１から３のいずれか
に記載の分波器。 - 【請求項６】 減衰極のうちの一つが第２の帯域に存在
する低域通過フィルタであることを特徴とする請求項５
記載の分波器。 - 【請求項７】 帯域通過フィルタが少なくとも一つの減
衰極をもつことを特徴とする請求項１から３のいずれか
に記載の分波器。 - 【請求項８】 減衰極のうちの一つが第１の帯域に存在
する帯域通過フィルタであることを特徴とする請求項７
記載の分波器。 - 【請求項９】 高誘電率層と低誘電率層の少なくとも２
層以上を積層し、前記高誘電率層には帯域通過フィルタ
および第２の整合回路を形成し、かつ前記低誘電率層に
低域通過フィルタおよび第１の整合回路を形成したこと
を特徴とする請求項１記載の分波器。 - 【請求項１０】 高誘電率層には、帯域通過フィルタを
形成するための共振器電極およびコンデンサ電極と、第
２の整合回路を形成するためのコンデンサ電極とを配設
し、低誘電率層には、低域通過フィルタを形成するため
のインダクタ電極およびコンデンサ電極と、第１の整合
回路を形成するためのインダクタ電極とを配設し、かつ
前記高誘電率層と前記高誘電率層の界面に前記帯域通過
フィルタと前記低域通過フィルタに共通のシールド電極
を配設したことを特徴とする請求項１記載の分波器。 - 【請求項１１】 高誘電率層には、帯域通過フィルタを
形成するための共振器電極、コンデンサ電極およびシー
ルド電極と、第２の整合回路を形成するためのコンデン
サ電極とを配設し、低誘電率層には、低域通過フィルタ
を形成するためのインダクタ電極、コンデンサ電極およ
びシールド電極と、第１の整合回路を形成するためのイ
ンダクタ電極とを配設したことを特徴とする請求項１記
載の分波器。 - 【請求項１２】 高誘電率層がＢｉ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｎｂ
2Ｏ5系誘電体セラミックであり、低誘電率層がＳｉＯ2
−ＢａＯ−Ｌａ2Ｏ3系ガラスとフォルステライト粉末か
らなることを特徴とする請求項９から１１のいずれかに
記載の分波器。 - 【請求項１３】 高誘電率層がＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ5−Ｔｉ
Ｏ2系誘電体セラミックとＳｉＯ2−ＢａＯ−Ｌａ2Ｏ3系
ガラスからなり、低誘電率層がＳｉＯ2−ＢａＯ−Ｌａ2
Ｏ3系ガラスとフォルステライト粉末からなることを特
徴とする請求項９から１１のいずれかに記載の分波器。 - 【請求項１４】 請求項１から１３のいずれかに記載の
分波器が二つと単極双投スイッチ（以下、ＳＰＤＴスイ
ッチとする）とからなり、分波器の共通端子にＳＰＤＴ
スイッチの一方の出力端子を接続し、他方の出力端子に
もう一つの分波器の共通端子を接続したことを特徴とす
る共用器。 - 【請求項１５】 請求項１から１３のいずれかに記載の
分波器と第１の帯域で動作する共用器と第２の帯域で動
作する共用器とからなり、分波器の第１の端子に第１の
帯域で動作するアンテナ端子を接続し、分波器の第２の
端子に第２の帯域で動作するアンテナ端子を接続したこ
とを特徴とする共用器。 - 【請求項１６】 請求項１から１３のいずれかに記載の
分波器を高周波回路に用いたことを特徴とする２周波帯
域用移動体通信機器。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9188071A JPH1131905A (ja) | 1997-07-14 | 1997-07-14 | 分波器およびそれを用いた共用器および２周波帯域用移動体通信機器 |
| US09/077,254 US6366564B1 (en) | 1996-09-26 | 1997-09-24 | Diplexer duplexer and two-channel mobile communications equipment |
| EP97941214A EP0872953A4 (en) | 1996-09-26 | 1997-09-24 | BRANCH FILTER AND DOUBLE-USED DEVICE, AND MULTI-FREQUENCY MOBILE COMMUNICATION DEVICE USING THE BRANCH FILTER |
| EP07123993A EP1909390A2 (en) | 1996-09-26 | 1997-09-24 | Diplexer, duplexer, and two-channel mobile communications equipment |
| PCT/JP1997/003381 WO1998013932A1 (en) | 1996-09-26 | 1997-09-24 | Branch filter and shared device and 2-frequency band mobile communication apparatus using the branch filter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9188071A JPH1131905A (ja) | 1997-07-14 | 1997-07-14 | 分波器およびそれを用いた共用器および２周波帯域用移動体通信機器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1131905A true JPH1131905A (ja) | 1999-02-02 |
Family
ID=16217207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9188071A Pending JPH1131905A (ja) | 1996-09-26 | 1997-07-14 | 分波器およびそれを用いた共用器および２周波帯域用移動体通信機器 |
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| Country | Link |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040525 |