JPH11321094A - 相変化光記録媒体 - Google Patents
相変化光記録媒体Info
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- JPH11321094A JPH11321094A JP10130029A JP13002998A JPH11321094A JP H11321094 A JPH11321094 A JP H11321094A JP 10130029 A JP10130029 A JP 10130029A JP 13002998 A JP13002998 A JP 13002998A JP H11321094 A JPH11321094 A JP H11321094A
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣＡＶ方式等のように媒体の部位により異な
る記録線速で記録を行うランダムアクセス性に優れたタ
イプの相変化光記録媒体に関して、その高記録密度での
繰返し記録特性を向上させる記録層の組成等を明らかに
する。 【解決手段】 記録線速が媒体半径方向の位置により異
なる相変化光記録媒体１に関し、記録層４は、Ｓｂ及び
Ｔｅを必須元素としてＩｂ族元素、Ｖｂ族元素及びVIｂ
族元素を有する相変化記録材料による。また、記録層４
が少なくとも１つの準安定結晶相を含み空間群Ｆｍ３ｍ
に属する単数又は複数の結晶相を有する結晶化状態とア
モルファス化状態との間の相転移における光学的性質の
変化を示す。さらに、記録層４の原子比率での組成を
(Ｉｂ)a(Ｖｂ)x(VIｂ)1-a-x で表す組成式においてＶｂ
族元素の組成を表すｘが０．７２≦ｘ＋２ａ≦０．８０
の範囲内に設定され、かつ、記録線速の変化に対応して
記録層４の組成に媒体半径方向で差異を有する。
る記録線速で記録を行うランダムアクセス性に優れたタ
イプの相変化光記録媒体に関して、その高記録密度での
繰返し記録特性を向上させる記録層の組成等を明らかに
する。 【解決手段】 記録線速が媒体半径方向の位置により異
なる相変化光記録媒体１に関し、記録層４は、Ｓｂ及び
Ｔｅを必須元素としてＩｂ族元素、Ｖｂ族元素及びVIｂ
族元素を有する相変化記録材料による。また、記録層４
が少なくとも１つの準安定結晶相を含み空間群Ｆｍ３ｍ
に属する単数又は複数の結晶相を有する結晶化状態とア
モルファス化状態との間の相転移における光学的性質の
変化を示す。さらに、記録層４の原子比率での組成を
(Ｉｂ)a(Ｖｂ)x(VIｂ)1-a-x で表す組成式においてＶｂ
族元素の組成を表すｘが０．７２≦ｘ＋２ａ≦０．８０
の範囲内に設定され、かつ、記録線速の変化に対応して
記録層４の組成に媒体半径方向で差異を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ビームを照射す
ることにより記録層材料に光学的な変化を生じさせるこ
とにより、情報の記録・再生を行う書換え可能な相変化
光記録媒体に関する。
ることにより記録層材料に光学的な変化を生じさせるこ
とにより、情報の記録・再生を行う書換え可能な相変化
光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザビーム照射による情報の記録、再
生及び消去可能な光記録媒体の一つとして、結晶‐非結
晶相間、或いは、結晶‐結晶相間の転移を利用する、い
わゆる相変化光記録媒体がよく知られている。これは、
単一ビームによるオーバライトが可能であり、ドライブ
側の光学系もより単純で済むため、コンピュータ関連や
映像・音響に関する記録媒体として応用されている。
生及び消去可能な光記録媒体の一つとして、結晶‐非結
晶相間、或いは、結晶‐結晶相間の転移を利用する、い
わゆる相変化光記録媒体がよく知られている。これは、
単一ビームによるオーバライトが可能であり、ドライブ
側の光学系もより単純で済むため、コンピュータ関連や
映像・音響に関する記録媒体として応用されている。
【０００３】その記録材料の一つとして、(ＳｂxＴｅ
1-x)Ｍy なる組成式で表されるものが、例えば特開平１
−２７７３３８号公報に開示されている。ここで、
“Ｍ”はＡｇ，Ａｌ，Ａｓ，Ａｕ，Ｂｉ，Ｃｕ，Ｇａ，
Ｇｅ，Ｉｎ，Ｐｂ，Ｐｔ，Ｓｅ，Ｓｉ，Ｓｎ及びＺｎ中
から選択された少なくとも１種の元素であり、組成範囲
は０．４≦ｘ＜０．７、かつ、ｙ≦０．２に設定されて
いる。しかし、このような構造の記録層の場合、好まし
い記録特性が得られるのは０．４≦ｘ＜０．７であり、
ｘ≧０．７の範囲では繰返し記録における消去特性に問
題を生じていた。
1-x)Ｍy なる組成式で表されるものが、例えば特開平１
−２７７３３８号公報に開示されている。ここで、
“Ｍ”はＡｇ，Ａｌ，Ａｓ，Ａｕ，Ｂｉ，Ｃｕ，Ｇａ，
Ｇｅ，Ｉｎ，Ｐｂ，Ｐｔ，Ｓｅ，Ｓｉ，Ｓｎ及びＺｎ中
から選択された少なくとも１種の元素であり、組成範囲
は０．４≦ｘ＜０．７、かつ、ｙ≦０．２に設定されて
いる。しかし、このような構造の記録層の場合、好まし
い記録特性が得られるのは０．４≦ｘ＜０．７であり、
ｘ≧０．７の範囲では繰返し記録における消去特性に問
題を生じていた。
【０００４】また、類似の材料系で、(ＳｂxＴｅ1-x)a
Ｍ1-aなる組成式（ＭはＡｕ，Ａｇ又はＣｕの内の少な
くとも１つの元素）で表される相変化記録材料が、例え
ば特開平９−７１０４９号公報に開示されている。この
組成範囲は０＜ｘ＜０．９、かつ、０＜ａ＜１であり、
その構造はＳｂ2Ｔｅ3＋Ｓｂである。このＳｂ2Ｔｅ3＋
Ｓｂ擬２元素の共晶組成近傍では、ＳｂとＳｂ2Ｔｅ3と
では結晶化速度に差異があり、アモルファス化部と結晶
化部との境界が、ＳｂとＳｂ2Ｔｅ3との粒界の影響で乱
れを生じすい。このため、ＣＤ‐ＲＷ（Ｃompact Ｄisk
‐Ｒewritable）等の比較的記録密度の低い媒体への適
用は可能であるが、記録密度がＣＤ‐ＲＷの約４倍であ
るＤＶＤ（Ｄigital Ｖersatile Ｄisk）‐ＲＡＭ或い
はＤＶＤ‐ＲＯＭと同等以上の高記録密度媒体では、良
好なる記録特性を得ることが困難である。
Ｍ1-aなる組成式（ＭはＡｕ，Ａｇ又はＣｕの内の少な
くとも１つの元素）で表される相変化記録材料が、例え
ば特開平９−７１０４９号公報に開示されている。この
組成範囲は０＜ｘ＜０．９、かつ、０＜ａ＜１であり、
その構造はＳｂ2Ｔｅ3＋Ｓｂである。このＳｂ2Ｔｅ3＋
Ｓｂ擬２元素の共晶組成近傍では、ＳｂとＳｂ2Ｔｅ3と
では結晶化速度に差異があり、アモルファス化部と結晶
化部との境界が、ＳｂとＳｂ2Ｔｅ3との粒界の影響で乱
れを生じすい。このため、ＣＤ‐ＲＷ（Ｃompact Ｄisk
‐Ｒewritable）等の比較的記録密度の低い媒体への適
用は可能であるが、記録密度がＣＤ‐ＲＷの約４倍であ
るＤＶＤ（Ｄigital Ｖersatile Ｄisk）‐ＲＡＭ或い
はＤＶＤ‐ＲＯＭと同等以上の高記録密度媒体では、良
好なる記録特性を得ることが困難である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】即ち、Ｓｂ‐Ｔｅ‐Ｍ
系では、Ｓｂ2Ｔｅ3，Ｓｂ2Ｔｅ3＋Ｓｂなる構造をベー
スとして、Ａｇ，Ａｌ，Ａｓ，Ａｕ，Ｂｉ，Ｃｕ，Ｇ
ａ，Ｇｅ，Ｉｎ，Ｐｂ，Ｐｔ，Ｓｅ，Ｓｉ，Ｓｎ及びＺ
ｎの何れかの元素を添加元素として、非晶質状態の安定
性や高速消去性、或いは、繰返し記録特性が改善された
記録材料が使用されているのみである。このように、Ｓ
ｂ‐Ｔｅ‐Ｍ系の記録材料で、空間群Ｆｍ３ｍに属する
単数又は複数の準安定結晶相を有する記録媒体に関する
知見は従来全く見当らない。さらに、この準安定結晶相
が存在可能であり、繰返し記録時の熱衝撃に対して耐久
性を有する組成領域を明確にした従来技術も見当らな
い。
系では、Ｓｂ2Ｔｅ3，Ｓｂ2Ｔｅ3＋Ｓｂなる構造をベー
スとして、Ａｇ，Ａｌ，Ａｓ，Ａｕ，Ｂｉ，Ｃｕ，Ｇ
ａ，Ｇｅ，Ｉｎ，Ｐｂ，Ｐｔ，Ｓｅ，Ｓｉ，Ｓｎ及びＺ
ｎの何れかの元素を添加元素として、非晶質状態の安定
性や高速消去性、或いは、繰返し記録特性が改善された
記録材料が使用されているのみである。このように、Ｓ
ｂ‐Ｔｅ‐Ｍ系の記録材料で、空間群Ｆｍ３ｍに属する
単数又は複数の準安定結晶相を有する記録媒体に関する
知見は従来全く見当らない。さらに、この準安定結晶相
が存在可能であり、繰返し記録時の熱衝撃に対して耐久
性を有する組成領域を明確にした従来技術も見当らな
い。
【０００６】このため、準安定結晶相を有する記録層の
組成と繰返し記録特性との関係、或いは、組成と結晶構
造との関係、さらには、結晶構造と繰返し記録特性との
関係が明らかではなく、高記録密度、例えばＤＶＤ‐Ｒ
ＡＭやＤＶＤ‐ＲＯＭと同等の記録密度を有し、良好な
る記録特性を有する相変化光記録媒体は無い状況にあ
る。また、繰返し記録特性が良好な組成範囲と記録線速
との関係も明確ではない状況にある。
組成と繰返し記録特性との関係、或いは、組成と結晶構
造との関係、さらには、結晶構造と繰返し記録特性との
関係が明らかではなく、高記録密度、例えばＤＶＤ‐Ｒ
ＡＭやＤＶＤ‐ＲＯＭと同等の記録密度を有し、良好な
る記録特性を有する相変化光記録媒体は無い状況にあ
る。また、繰返し記録特性が良好な組成範囲と記録線速
との関係も明確ではない状況にある。
【０００７】加えて、繰返し記録の良好性が維持された
状態で、結晶化速度を制御するための組成に関する知見
も従来は全くなく、ＣＡＶ（Ｃonstant Ａnguler Ｖelo
city）記録や、ＭＣＡＶ（Ｍodify ＣＡＶ）記録などの
ように、記録線速が場所により変化する相変化光記録媒
体において、高記録密度で全面に渡って繰返し記録特性
が良好なものは無い状況にある。
状態で、結晶化速度を制御するための組成に関する知見
も従来は全くなく、ＣＡＶ（Ｃonstant Ａnguler Ｖelo
city）記録や、ＭＣＡＶ（Ｍodify ＣＡＶ）記録などの
ように、記録線速が場所により変化する相変化光記録媒
体において、高記録密度で全面に渡って繰返し記録特性
が良好なものは無い状況にある。
【０００８】そこで、本発明は、ＣＡＶ方式或いはＭＣ
ＡＶ方式により媒体の部位によって異なる記録線速で記
録・再生を行うランダムアクセス性に優れたタイプの相
変化光記録媒体に関して、幅広い記録線速領域における
記録密度、繰返し記録特性に優れた記録層の組成等を明
確にした相変化光記録媒体を提供することを目的とす
る。
ＡＶ方式により媒体の部位によって異なる記録線速で記
録・再生を行うランダムアクセス性に優れたタイプの相
変化光記録媒体に関して、幅広い記録線速領域における
記録密度、繰返し記録特性に優れた記録層の組成等を明
確にした相変化光記録媒体を提供することを目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
記録線速が媒体半径方向の位置により異なる相変化光記
録媒体において、Ｓｂ及びＴｅを必須元素としてＩｂ族
元素、Ｖｂ族元素及びVIｂ族元素を有する相変化記録材
料を記録層とし、前記記録層が少なくとも１つの準安定
結晶相を含み空間群Ｆｍ３ｍに属する単数又は複数の結
晶相を有する結晶化状態とアモルファス化状態との間の
相転移における光学的性質の変化を示し、前記記録層の
原子比率での組成を(Ｉｂ)a(Ｖｂ)x(VIｂ)1-a-x で表す
組成式においてＶｂ族元素の組成を表すｘが０．７２≦
ｘ＋２ａ≦０．８０の範囲内に設定されて、前記記録線
速の変化に対応して前記記録層の組成に媒体半径方向で
差異を有する。
記録線速が媒体半径方向の位置により異なる相変化光記
録媒体において、Ｓｂ及びＴｅを必須元素としてＩｂ族
元素、Ｖｂ族元素及びVIｂ族元素を有する相変化記録材
料を記録層とし、前記記録層が少なくとも１つの準安定
結晶相を含み空間群Ｆｍ３ｍに属する単数又は複数の結
晶相を有する結晶化状態とアモルファス化状態との間の
相転移における光学的性質の変化を示し、前記記録層の
原子比率での組成を(Ｉｂ)a(Ｖｂ)x(VIｂ)1-a-x で表す
組成式においてＶｂ族元素の組成を表すｘが０．７２≦
ｘ＋２ａ≦０．８０の範囲内に設定されて、前記記録線
速の変化に対応して前記記録層の組成に媒体半径方向で
差異を有する。
【００１０】請求項２記載の発明は、請求項１記載の相
変化光記録媒体において、結晶化状態の前記記録層中の
結晶相が準安定固溶体単相である。
変化光記録媒体において、結晶化状態の前記記録層中の
結晶相が準安定固溶体単相である。
【００１１】請求項３記載の発明は、請求項１又は２記
載の相変化光記録媒体において、前記記録層が少なくと
もＡｇとＡｕとの一方の元素を有し、その元素濃度が内
周部側に対して外周部側の方が小さく設定されている。
載の相変化光記録媒体において、前記記録層が少なくと
もＡｇとＡｕとの一方の元素を有し、その元素濃度が内
周部側に対して外周部側の方が小さく設定されている。
【００１２】請求項４記載の発明は、請求項３記載の相
変化光記録媒体において、前記記録層の原子比率での組
成が(Ａｇ，Ａｕ)a(Ｖｂ)x(VIｂ)1-a-x なる組成式で表
され、記録線速１〜２ｍ／ｓに対応する媒体半径方向の
部位に属する前記記録層の組成として０．０５≦ａ≦
０．０８の範囲内に設定されている。
変化光記録媒体において、前記記録層の原子比率での組
成が(Ａｇ，Ａｕ)a(Ｖｂ)x(VIｂ)1-a-x なる組成式で表
され、記録線速１〜２ｍ／ｓに対応する媒体半径方向の
部位に属する前記記録層の組成として０．０５≦ａ≦
０．０８の範囲内に設定されている。
【００１３】請求項５記載の発明は、請求項３記載の相
変化光記録媒体において、前記記録層の原子比率での組
成が(Ａｇ，Ａｕ)a(Ｖｂ)x(VIｂ)1-a-x なる組成式で表
され、記録線速２〜３ｍ／ｓに対応する媒体半径方向の
部位に属する前記記録層の組成として０．０３≦ａ≦
０．０７の範囲内に設定されている。
変化光記録媒体において、前記記録層の原子比率での組
成が(Ａｇ，Ａｕ)a(Ｖｂ)x(VIｂ)1-a-x なる組成式で表
され、記録線速２〜３ｍ／ｓに対応する媒体半径方向の
部位に属する前記記録層の組成として０．０３≦ａ≦
０．０７の範囲内に設定されている。
【００１４】請求項６記載の発明は、請求項３記載の相
変化光記録媒体において、前記記録層の原子比率での組
成が(Ａｇ，Ａｕ)a(Ｖｂ)x(VIｂ)1-a-x なる組成式で表
され、記録線速３〜４ｍ／ｓに対応する媒体半径方向の
部位に属する前記記録層の組成として０．０２≦ａ≦
０．０６の範囲内に設定されている。
変化光記録媒体において、前記記録層の原子比率での組
成が(Ａｇ，Ａｕ)a(Ｖｂ)x(VIｂ)1-a-x なる組成式で表
され、記録線速３〜４ｍ／ｓに対応する媒体半径方向の
部位に属する前記記録層の組成として０．０２≦ａ≦
０．０６の範囲内に設定されている。
【００１５】請求項７記載の発明は、請求項３記載の相
変化光記録媒体において、前記記録層の原子比率での組
成が(Ａｇ，Ａｕ)a(Ｖｂ)x(VIｂ)1-a-x なる組成式で表
され、記録線速４〜６ｍ／ｓに対応する媒体半径方向の
部位に属する前記記録層の組成として０．０１≦ａ≦
０．０５の範囲内に設定されている。
変化光記録媒体において、前記記録層の原子比率での組
成が(Ａｇ，Ａｕ)a(Ｖｂ)x(VIｂ)1-a-x なる組成式で表
され、記録線速４〜６ｍ／ｓに対応する媒体半径方向の
部位に属する前記記録層の組成として０．０１≦ａ≦
０．０５の範囲内に設定されている。
【００１６】請求項８記載の発明は、請求項３記載の相
変化光記録媒体において、前記記録層の原子比率での組
成が(Ａｇ，Ａｕ)a(Ｖｂ)x(VIｂ)1-a-x なる組成式で表
され、記録線速６〜８ｍ／ｓに対応する媒体半径方向の
部位に属する前記記録層の組成として０．００５≦ａ≦
０．０４の範囲内に設定されている。
変化光記録媒体において、前記記録層の原子比率での組
成が(Ａｇ，Ａｕ)a(Ｖｂ)x(VIｂ)1-a-x なる組成式で表
され、記録線速６〜８ｍ／ｓに対応する媒体半径方向の
部位に属する前記記録層の組成として０．００５≦ａ≦
０．０４の範囲内に設定されている。
【００１７】まず、請求項１記載の発明の相変化光記録
媒体における記録層は、その相変化記録材料として、Ｓ
ｂ及びＴｅを必須元素として、Ｉｂ族元素、Ｖｂ族元素
及びVIｂ族元素を有する。特に、Ｉｂ族元素としてはＡ
ｇ，Ｃｕ及び／又はＡｕ、Ｖｂ族元素としてはＳｂ，Ａ
ｓ及び／又はＢｉ、VIｂ族元素としてはＴｅ，Ｓ及び／
又はＳｅ系の記録材料であって、記録層が少なくとも準
安定結晶相を含む単数又は複数の結晶相と準安定アモル
ファス相との間の相転移において光学的性質が変化する
特性を有するものである。その組成は、Ｓｂ及びＴｅを
必須元素として、記録層の原子比率での組成を(Ｉｂ)
a(Ｖｂ)x(VIｂ)1-a-x で表す組成式においてＶｂ族元素
の組成を表すｘが０．７２≦ｘ＋２ａ≦０．８０の範囲
内に設定されている。同時に、このような記録層中の結
晶相は空間群Ｆｍ３ｍに属している。このような準安定
結晶相は、Ｓｂ又はＴｅを必須元素として、Ｉｂ‐Ｖｂ
‐VIｂ固溶体、Ｖｂ‐VIｂ固溶体、(Ｖｂ)3（VIｂ)結晶
相の中の少なくとも１つである。このような準安定結晶
相の具体的な材料としては、例えば、Ａｇ‐Ｓｂ‐Ｔｅ
系においては、Ａｇ‐Ｓｂ‐Ｔｅ固溶体、Ｓｂ‐Ｔｅ固
溶体、Ｓｂ3Ｔｅ の中の少なくとも１つである。これら
の準安定結晶相は、空間群Ｆｍ３ｍに属しており、格子
定数が０．６１５±０．０２ｎｍの結晶相、或いは、こ
の空間群Ｆｍ３ｍの結晶中の元素が規則化した長周期の
結晶相の何れかである。これらの準安定結晶相が存在す
る領域は、上記組成式によれば、４ａ＜１なる条件が成
立する領域である。
媒体における記録層は、その相変化記録材料として、Ｓ
ｂ及びＴｅを必須元素として、Ｉｂ族元素、Ｖｂ族元素
及びVIｂ族元素を有する。特に、Ｉｂ族元素としてはＡ
ｇ，Ｃｕ及び／又はＡｕ、Ｖｂ族元素としてはＳｂ，Ａ
ｓ及び／又はＢｉ、VIｂ族元素としてはＴｅ，Ｓ及び／
又はＳｅ系の記録材料であって、記録層が少なくとも準
安定結晶相を含む単数又は複数の結晶相と準安定アモル
ファス相との間の相転移において光学的性質が変化する
特性を有するものである。その組成は、Ｓｂ及びＴｅを
必須元素として、記録層の原子比率での組成を(Ｉｂ)
a(Ｖｂ)x(VIｂ)1-a-x で表す組成式においてＶｂ族元素
の組成を表すｘが０．７２≦ｘ＋２ａ≦０．８０の範囲
内に設定されている。同時に、このような記録層中の結
晶相は空間群Ｆｍ３ｍに属している。このような準安定
結晶相は、Ｓｂ又はＴｅを必須元素として、Ｉｂ‐Ｖｂ
‐VIｂ固溶体、Ｖｂ‐VIｂ固溶体、(Ｖｂ)3（VIｂ)結晶
相の中の少なくとも１つである。このような準安定結晶
相の具体的な材料としては、例えば、Ａｇ‐Ｓｂ‐Ｔｅ
系においては、Ａｇ‐Ｓｂ‐Ｔｅ固溶体、Ｓｂ‐Ｔｅ固
溶体、Ｓｂ3Ｔｅ の中の少なくとも１つである。これら
の準安定結晶相は、空間群Ｆｍ３ｍに属しており、格子
定数が０．６１５±０．０２ｎｍの結晶相、或いは、こ
の空間群Ｆｍ３ｍの結晶中の元素が規則化した長周期の
結晶相の何れかである。これらの準安定結晶相が存在す
る領域は、上記組成式によれば、４ａ＜１なる条件が成
立する領域である。
【００１８】ここに、記録層の結晶化部が単相の準安定
結晶相で構成されたものは、請求項２記載の発明のもの
であって、Ｉｂ‐Ｖｂ‐VIｂ固溶体である。これは、例
えば、Ａｇ‐Ｓｅ‐Ｔｅ，Ａｕ‐Ｓｂ‐Ｔｅ，Ａｕ‐Ａ
ｇ‐Ｓｂ‐Ｂｉ‐Ｔｅ‐Ｓｅ，(Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ)‐
(Ｓｂ，Ｂｉ，Ａｓ)‐(Ｔｅ，Ｓｅ，Ｓ)である。
結晶相で構成されたものは、請求項２記載の発明のもの
であって、Ｉｂ‐Ｖｂ‐VIｂ固溶体である。これは、例
えば、Ａｇ‐Ｓｅ‐Ｔｅ，Ａｕ‐Ｓｂ‐Ｔｅ，Ａｕ‐Ａ
ｇ‐Ｓｂ‐Ｂｉ‐Ｔｅ‐Ｓｅ，(Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ)‐
(Ｓｂ，Ｂｉ，Ａｓ)‐(Ｔｅ，Ｓｅ，Ｓ)である。
【００１９】これ以外に、上記の準安定結晶相の任意の
組合せで、準安定相のみからなる複数の結晶相からなる
混相状態でもよい。また、これらの準安定相と格子整合
関係にあるその他の安定結晶相、例えば、ＡｇＳｂＴｅ
2 等の結晶相が含まれる混相状態でもよい。
組合せで、準安定相のみからなる複数の結晶相からなる
混相状態でもよい。また、これらの準安定相と格子整合
関係にあるその他の安定結晶相、例えば、ＡｇＳｂＴｅ
2 等の結晶相が含まれる混相状態でもよい。
【００２０】何れの場合も、格子定数０．６１５ｎｍ近
傍の面心立方格子を基本とする結晶構造である。良好な
マーク形状を得る上では、請求項２記載の発明のよう
に、記録層の結晶化部が、単相の準安定Ｉｂ‐Ｖｂ‐VI
ｂ固溶体のみからなることが好ましい。初期結晶化時の
過大な熱衝撃が避けられず、やむを得ず分相の結晶相を
生成する場合でも、上述したように互いに格子整合関係
にある空間群Ｆｍ３ｍに属する結晶相を主として生成
し、空間群Ｆｍ３ｍの結晶相と互いに格子整合関係にな
いその他の析出物、例えば、Ｓｂ，Ｓｂ2Ｔｅ3、或い
は、結晶化部内のアモルファス相等は可能な限り出現せ
ず、準安定相を含む空間群Ｆｍ３ｍに属する結晶相生成
に適した初期結晶化過程が採用される。なお、本発明に
は、膜厚方向や面内方向に組成の勾配があってもよく、
上記の相の積層膜も含まれる。
傍の面心立方格子を基本とする結晶構造である。良好な
マーク形状を得る上では、請求項２記載の発明のよう
に、記録層の結晶化部が、単相の準安定Ｉｂ‐Ｖｂ‐VI
ｂ固溶体のみからなることが好ましい。初期結晶化時の
過大な熱衝撃が避けられず、やむを得ず分相の結晶相を
生成する場合でも、上述したように互いに格子整合関係
にある空間群Ｆｍ３ｍに属する結晶相を主として生成
し、空間群Ｆｍ３ｍの結晶相と互いに格子整合関係にな
いその他の析出物、例えば、Ｓｂ，Ｓｂ2Ｔｅ3、或い
は、結晶化部内のアモルファス相等は可能な限り出現せ
ず、準安定相を含む空間群Ｆｍ３ｍに属する結晶相生成
に適した初期結晶化過程が採用される。なお、本発明に
は、膜厚方向や面内方向に組成の勾配があってもよく、
上記の相の積層膜も含まれる。
【００２１】もっとも、請求項１記載の発明では、その
特徴の１つとして、記録層の相変化記録材料に関して、
所定の記録線速に応じた結晶化速度を得るため、記録層
の組成に面内分布を生じさせている。例えば、この記録
層の結晶化速度は、Ｉｂ族元素及び／又はVIｂ族元素が
増えるほど遅くなり、Ｖｂ族元素が増えるほど速くなる
傾向にある。
特徴の１つとして、記録層の相変化記録材料に関して、
所定の記録線速に応じた結晶化速度を得るため、記録層
の組成に面内分布を生じさせている。例えば、この記録
層の結晶化速度は、Ｉｂ族元素及び／又はVIｂ族元素が
増えるほど遅くなり、Ｖｂ族元素が増えるほど速くなる
傾向にある。
【００２２】特に、Ａｇ及び／又はＡｕを含む(Ａｇ，
Ａｕ)‐(Ｖｂ)‐(VIｂ)記録材料系では、Ａｇ及び／又
はＡｕの濃度依存性が顕著であり、記録線速の高い領域
のＡｇ及び／又はＡｕの濃度を低くする。即ち、請求項
３記載の発明のように、記録層の外周部側のＡｇ及び／
又はＡｕ濃度を内周部側のＡｇ及び／又はＡｕ濃度に比
較して小さくすれば、内周部分の記録線速が遅いＣＡＶ
記録などに対応することができる。この場合、組成は、
全面にわたる良好な繰返し記録特性を維持するため、
０．７２≦ｘ＋２ａ≦０．８０が成立する範囲に設定さ
れる。
Ａｕ)‐(Ｖｂ)‐(VIｂ)記録材料系では、Ａｇ及び／又
はＡｕの濃度依存性が顕著であり、記録線速の高い領域
のＡｇ及び／又はＡｕの濃度を低くする。即ち、請求項
３記載の発明のように、記録層の外周部側のＡｇ及び／
又はＡｕ濃度を内周部側のＡｇ及び／又はＡｕ濃度に比
較して小さくすれば、内周部分の記録線速が遅いＣＡＶ
記録などに対応することができる。この場合、組成は、
全面にわたる良好な繰返し記録特性を維持するため、
０．７２≦ｘ＋２ａ≦０．８０が成立する範囲に設定さ
れる。
【００２３】即ち、請求項１記載の発明に関連して、Ｓ
ｂ及びＴｅを必須元素とするＩｂ族元素‐Ｖｂ族元素‐
VIｂ族元素からなる記録材料の結晶相に出現可能な相と
しては、単体や２元、３元系の化合物や合金相・固溶体
があるが、中でも、Ｉｂ‐Ｖｂ‐VIｂ，Ｖｂ‐VIｂ，Ｖ
ｂ、例えば、ＡｇＳｂＴｅ2 ，準安定Ｓｂ3Ｔｅ ，準安
定Ｓｂ‐Ｔｅ固溶体，Ｓｂ2Ｔｅ3，Ｓｂが出現しやす
い。この中で、ＡｇＳｂＴｅ2 ，準安定Ｓｂ3Ｔｅ ，準
安定Ｓｂ‐Ｔｅ固溶体等のように、一般式ＩｂＶｂVIｂ
2 ，準安定Ｖｂ3VIｂ，準安定Ｖｂ‐VIｂ固溶体，準安
定Ｉｂ‐Ｖｂ‐VIｂ固溶体で表される結晶の構造は空間
群Ｆｍ３ｍに属し、格子定数も０．６１５ｎｍの近傍に
あるため、これらの結晶は互いに格子整合関係にある。
まず、記録層の結晶化部が単相の準安定Ｉｂ‐Ｖｂ‐VI
ｂ固溶体のみからなる場合、粒界が存在しないか、仮に
結晶粒界が存在したとしても、この結晶粒界は比較的良
好な格子接合となっており、結晶粒界に大きな空隙は存
在せず、熱伝導率にむらを生じない。この場合には、光
ビームの強度分布と時間的プロファイルを忠実に反映し
た滑らかなアモルファス化部‐結晶化部の境界が得ら
れ、高記録密度領域で良好なジッタ値が得られる。この
準安定結晶相の記録時の熱衝撃に対する安定性が高い組
成領域は、(Ｉｂ)a(Ｖｂ)x(VIｂ)1-a-x なる組成式で示
される記録層に関するｘの値が０．７２≦ｘ＋２ａ≦
０．８０の範囲内にあり、かつ、４ａ＜１を満たす場合
であって、これは、準安定Ｉｂ‐Ｖｂ‐VIｂ固溶体が仮
に第１の相転移を起こし、混相状態となった場合でも、
上述した互いに格子整合関係にある準安定相を含む複数
の結晶相となるため、なお比較的良好な記録特性を維持
し得る組成領域でもある。
ｂ及びＴｅを必須元素とするＩｂ族元素‐Ｖｂ族元素‐
VIｂ族元素からなる記録材料の結晶相に出現可能な相と
しては、単体や２元、３元系の化合物や合金相・固溶体
があるが、中でも、Ｉｂ‐Ｖｂ‐VIｂ，Ｖｂ‐VIｂ，Ｖ
ｂ、例えば、ＡｇＳｂＴｅ2 ，準安定Ｓｂ3Ｔｅ ，準安
定Ｓｂ‐Ｔｅ固溶体，Ｓｂ2Ｔｅ3，Ｓｂが出現しやす
い。この中で、ＡｇＳｂＴｅ2 ，準安定Ｓｂ3Ｔｅ ，準
安定Ｓｂ‐Ｔｅ固溶体等のように、一般式ＩｂＶｂVIｂ
2 ，準安定Ｖｂ3VIｂ，準安定Ｖｂ‐VIｂ固溶体，準安
定Ｉｂ‐Ｖｂ‐VIｂ固溶体で表される結晶の構造は空間
群Ｆｍ３ｍに属し、格子定数も０．６１５ｎｍの近傍に
あるため、これらの結晶は互いに格子整合関係にある。
まず、記録層の結晶化部が単相の準安定Ｉｂ‐Ｖｂ‐VI
ｂ固溶体のみからなる場合、粒界が存在しないか、仮に
結晶粒界が存在したとしても、この結晶粒界は比較的良
好な格子接合となっており、結晶粒界に大きな空隙は存
在せず、熱伝導率にむらを生じない。この場合には、光
ビームの強度分布と時間的プロファイルを忠実に反映し
た滑らかなアモルファス化部‐結晶化部の境界が得ら
れ、高記録密度領域で良好なジッタ値が得られる。この
準安定結晶相の記録時の熱衝撃に対する安定性が高い組
成領域は、(Ｉｂ)a(Ｖｂ)x(VIｂ)1-a-x なる組成式で示
される記録層に関するｘの値が０．７２≦ｘ＋２ａ≦
０．８０の範囲内にあり、かつ、４ａ＜１を満たす場合
であって、これは、準安定Ｉｂ‐Ｖｂ‐VIｂ固溶体が仮
に第１の相転移を起こし、混相状態となった場合でも、
上述した互いに格子整合関係にある準安定相を含む複数
の結晶相となるため、なお比較的良好な記録特性を維持
し得る組成領域でもある。
【００２４】なお、複数の結晶相間、例えば、Ｉｂ‐Ｖ
ｂ‐VIｂ安定結晶相とＶｂ‐VIｂ準安定結晶相では、結
晶化速度に差異があるため、主要部は準安定相が占める
ことが好ましく、上記組成式では、ａ≦０．０９の範囲
が好ましい。特に、Ａｇ‐Ｓｂ‐Ｔｅ系の記録材料で、
４ａ＝１として、準安定相が存在し難い組成領域では、
結晶化速度が遅く、通常の記録線速領域では良好なる特
性は得られない。
ｂ‐VIｂ安定結晶相とＶｂ‐VIｂ準安定結晶相では、結
晶化速度に差異があるため、主要部は準安定相が占める
ことが好ましく、上記組成式では、ａ≦０．０９の範囲
が好ましい。特に、Ａｇ‐Ｓｂ‐Ｔｅ系の記録材料で、
４ａ＝１として、準安定相が存在し難い組成領域では、
結晶化速度が遅く、通常の記録線速領域では良好なる特
性は得られない。
【００２５】そして、従来技術のように、記録層の結晶
化部が格子整合関係にない複数の結晶相からなる場合、
結晶粒界での面の整合性がよくない場合には、粒界に空
孔や偏析が生じ、この粒界部分で熱伝導率にむらが生じ
る。さらに、結晶化速度は一般的に粒毎に異なるため、
結晶‐アモルファス部分の境界もこの結晶粒界を反映し
たものとなりやすく、アモルファス化部‐結晶化部の境
界に乱れが生じ、高記録密度領域では良好な特性が得ら
れない。また、結晶粒径を数ｎｍオーダの微結晶にした
場合には、結晶粒界の滑らかさは得られるが、なお、高
記録密度の実現には問題がある。そして、互いに格子整
合関係にない粒界面では、界面部分の歪みや界面エネル
ギーが増加し、結晶化速度の低下や粒界からの腐食な
ど、好ましくない現象を生ずるため、結晶粒の微細化は
高記録密度には適さない。この点、本発明においては、
記録層の結晶化部が複数の結晶相からなる場合であって
も、生成する結晶相は同一の空間群Ｆｍ３ｍに属し、格
子定数も近接するため、粒界は単相の場合と同様に良好
なる接合となっている。このため、結晶化速度に差異は
あるものの、熱伝導の不均一性は比較的小さく、単相の
場合に準じた記録特性を有することとなる。
化部が格子整合関係にない複数の結晶相からなる場合、
結晶粒界での面の整合性がよくない場合には、粒界に空
孔や偏析が生じ、この粒界部分で熱伝導率にむらが生じ
る。さらに、結晶化速度は一般的に粒毎に異なるため、
結晶‐アモルファス部分の境界もこの結晶粒界を反映し
たものとなりやすく、アモルファス化部‐結晶化部の境
界に乱れが生じ、高記録密度領域では良好な特性が得ら
れない。また、結晶粒径を数ｎｍオーダの微結晶にした
場合には、結晶粒界の滑らかさは得られるが、なお、高
記録密度の実現には問題がある。そして、互いに格子整
合関係にない粒界面では、界面部分の歪みや界面エネル
ギーが増加し、結晶化速度の低下や粒界からの腐食な
ど、好ましくない現象を生ずるため、結晶粒の微細化は
高記録密度には適さない。この点、本発明においては、
記録層の結晶化部が複数の結晶相からなる場合であって
も、生成する結晶相は同一の空間群Ｆｍ３ｍに属し、格
子定数も近接するため、粒界は単相の場合と同様に良好
なる接合となっている。このため、結晶化速度に差異は
あるものの、熱伝導の不均一性は比較的小さく、単相の
場合に準じた記録特性を有することとなる。
【００２６】本発明による相変化光記録媒体の初期結晶
化では、準安定相の析出に適した初期化方法、例えば、
レーザビームによる初期化方法等が採用される。特に好
ましい構造は、(Ｉｂ)a(Ｖｂ)x(VIｂ)1-a-x 準安定固溶
体単相（請求項２）である。
化では、準安定相の析出に適した初期化方法、例えば、
レーザビームによる初期化方法等が採用される。特に好
ましい構造は、(Ｉｂ)a(Ｖｂ)x(VIｂ)1-a-x 準安定固溶
体単相（請求項２）である。
【００２７】Ｉｂ‐Ｖｂ‐VIｂ系記録層の結晶化速度に
は、組成依存性がある。記録層中のＩｂ族元素やVIｂ族
元素の濃度が増えるほど低記録線速側に好適な記録層と
なり、Ｖｂ族元素の濃度が増えるほど高記録線速側に好
適な記録層となる。この結晶化速度と組成との間には一
定の対応関係がある。特に、Ａｇ，Ａｕ或いはＡｇ＋Ａ
ｕの濃度は結晶化速度に大きな影響を与える。即ち、Ａ
ｇ＋Ａｕ濃度が増えるほど、結晶化速度は遅くなる。
は、組成依存性がある。記録層中のＩｂ族元素やVIｂ族
元素の濃度が増えるほど低記録線速側に好適な記録層と
なり、Ｖｂ族元素の濃度が増えるほど高記録線速側に好
適な記録層となる。この結晶化速度と組成との間には一
定の対応関係がある。特に、Ａｇ，Ａｕ或いはＡｇ＋Ａ
ｕの濃度は結晶化速度に大きな影響を与える。即ち、Ａ
ｇ＋Ａｕ濃度が増えるほど、結晶化速度は遅くなる。
【００２８】請求項４ないし８記載の発明では、特に、
ＣＤ‐ＲＷなどに使用されるストラテジ（レーザダイオ
ードの発光パターン）を使用した場合の記録線速と記録
層の組成との適正な組合せが開示されている。即ち、記
録層中にＡｇ及び／又はＡｕを含み、記録層の原子比率
での組成が(Ａｇ，Ａｕ)a(Ｖｂ)x(VIｂ)1-a-x なる組成
式で表され、ｘが０．７２≦ｘ＋２ａ≦０．８０の範囲
内にあることを前提とした場合、記録線速１〜２ｍ／ｓ
に対応する媒体半径方向の部位に属する記録層の組成と
しては０．０５≦ａ≦０．０８の範囲内に設定され（請
求項４）、記録線速２〜３ｍ／ｓに対応する媒体半径方
向の部位に属する記録層の組成としては０．０３≦ａ≦
０．０７の範囲内に設定され（請求項５）、記録線速３
〜４ｍ／ｓに対応する媒体半径方向の部位に属する記録
層の組成としては０．０２≦ａ≦０．０６の範囲内に設
定され（請求項６）、記録線速４〜６ｍ／ｓに対応する
媒体半径方向の部位に属する記録層の組成としては０．
０１≦ａ≦０．０５の範囲内に設定され（請求項７）、
記録線速６〜８ｍ／ｓに対応する媒体半径方向の部位に
属する記録層の組成としては０．００５≦ａ≦０．０４
の範囲内に設定されている（請求項８）。
ＣＤ‐ＲＷなどに使用されるストラテジ（レーザダイオ
ードの発光パターン）を使用した場合の記録線速と記録
層の組成との適正な組合せが開示されている。即ち、記
録層中にＡｇ及び／又はＡｕを含み、記録層の原子比率
での組成が(Ａｇ，Ａｕ)a(Ｖｂ)x(VIｂ)1-a-x なる組成
式で表され、ｘが０．７２≦ｘ＋２ａ≦０．８０の範囲
内にあることを前提とした場合、記録線速１〜２ｍ／ｓ
に対応する媒体半径方向の部位に属する記録層の組成と
しては０．０５≦ａ≦０．０８の範囲内に設定され（請
求項４）、記録線速２〜３ｍ／ｓに対応する媒体半径方
向の部位に属する記録層の組成としては０．０３≦ａ≦
０．０７の範囲内に設定され（請求項５）、記録線速３
〜４ｍ／ｓに対応する媒体半径方向の部位に属する記録
層の組成としては０．０２≦ａ≦０．０６の範囲内に設
定され（請求項６）、記録線速４〜６ｍ／ｓに対応する
媒体半径方向の部位に属する記録層の組成としては０．
０１≦ａ≦０．０５の範囲内に設定され（請求項７）、
記録線速６〜８ｍ／ｓに対応する媒体半径方向の部位に
属する記録層の組成としては０．００５≦ａ≦０．０４
の範囲内に設定されている（請求項８）。
【００２９】
【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態を図面を参
照して説明する。本発明の相変化光記録媒体は、その層
構成が特に限定されるものでなく、公知の任意構造のも
のに適用し得るが、一例として図１に示す構造例で説明
する。図１は相変化光記録媒体１の層構成の一例を示す
概念図である。この相変化光記録媒体１では、案内溝を
有するポリカーボネイト基板２上に、ＺｎＳ・ＳｉＯ2
からなる第１保護層３、ＡｇＳｂＴｅ記録層４、ＺｎＳ
・ＳｉＯ2 からなる第２保護層５、Ａｌ・Ｔｉ反射放熱
層６、ＵＶ硬化樹脂による環境保護層７が順次積層され
ている。このような相変化光記録媒体１は、例えば、そ
の記録線速が媒体半径方向の位置により異なるＭＣＡＶ
方式により行われる仕様とされている。
照して説明する。本発明の相変化光記録媒体は、その層
構成が特に限定されるものでなく、公知の任意構造のも
のに適用し得るが、一例として図１に示す構造例で説明
する。図１は相変化光記録媒体１の層構成の一例を示す
概念図である。この相変化光記録媒体１では、案内溝を
有するポリカーボネイト基板２上に、ＺｎＳ・ＳｉＯ2
からなる第１保護層３、ＡｇＳｂＴｅ記録層４、ＺｎＳ
・ＳｉＯ2 からなる第２保護層５、Ａｌ・Ｔｉ反射放熱
層６、ＵＶ硬化樹脂による環境保護層７が順次積層され
ている。このような相変化光記録媒体１は、例えば、そ
の記録線速が媒体半径方向の位置により異なるＭＣＡＶ
方式により行われる仕様とされている。
【００３０】このような相変化光記録媒体１に関し、本
実施の形態では、その記録層４の組成等を明らかにする
ものである。即ち、この記録層４はＳｂ及びＴｅを必須
元素としてＩｂ族元素、Ｖｂ族元素及びVIｂ族元素を有
する相変化記録材料により形成されることを基本とす
る。そして、少なくとも１つの準安定結晶相を含む単数
又は複数の結晶相を有する結晶化状態とアモルファス化
状態との間の相転移における光学的性質の変化を利用す
るものとされている。ここに、記録層４の原子比率での
組成を(Ｉｂ)a(Ｖｂ)x(VIｂ)1-a-x で表す組成式におい
てＶｂ族元素の組成を表すｘが０．７２≦ｘ＋２ａ≦
０．８０の範囲内に設定されており、単数又は複数の結
晶相が空間群Ｆｍ３ｍに属する結晶相とされている。加
えて、相変化光記録媒体１の記録線速の変化に対応して
記録層４の組成に媒体半径方向で差異をもたらされてい
る。
実施の形態では、その記録層４の組成等を明らかにする
ものである。即ち、この記録層４はＳｂ及びＴｅを必須
元素としてＩｂ族元素、Ｖｂ族元素及びVIｂ族元素を有
する相変化記録材料により形成されることを基本とす
る。そして、少なくとも１つの準安定結晶相を含む単数
又は複数の結晶相を有する結晶化状態とアモルファス化
状態との間の相転移における光学的性質の変化を利用す
るものとされている。ここに、記録層４の原子比率での
組成を(Ｉｂ)a(Ｖｂ)x(VIｂ)1-a-x で表す組成式におい
てＶｂ族元素の組成を表すｘが０．７２≦ｘ＋２ａ≦
０．８０の範囲内に設定されており、単数又は複数の結
晶相が空間群Ｆｍ３ｍに属する結晶相とされている。加
えて、相変化光記録媒体１の記録線速の変化に対応して
記録層４の組成に媒体半径方向で差異をもたらされてい
る。
【００３１】本実施の形態では、このような組成等を採
る根拠を具体的測定例に基づき明らかにするものであ
る。即ち、記録層４の組成と記録線速と繰返し記録回数
（記録可能回数）との関係を図１に示す層構造の相変化
光記録媒体１について具体的に測定したものであり、記
録層１〜記録層１５なる１５種類の記録層サンプルにつ
いてその結果を表１及び表２に示す。ここに、記録スト
ラテジ（記録時のレーザダイオードの発光パターン）
は、ＣＤ‐ＲＷで採用されているものを使用した。ま
た、記録可能回数は、ウインドウ幅Ｔｗで規格化したジ
ッタの値σ／Ｔｗが１３％を上回らない最大繰返し記録
回数で判定したものである。
る根拠を具体的測定例に基づき明らかにするものであ
る。即ち、記録層４の組成と記録線速と繰返し記録回数
（記録可能回数）との関係を図１に示す層構造の相変化
光記録媒体１について具体的に測定したものであり、記
録層１〜記録層１５なる１５種類の記録層サンプルにつ
いてその結果を表１及び表２に示す。ここに、記録スト
ラテジ（記録時のレーザダイオードの発光パターン）
は、ＣＤ‐ＲＷで採用されているものを使用した。ま
た、記録可能回数は、ウインドウ幅Ｔｗで規格化したジ
ッタの値σ／Ｔｗが１３％を上回らない最大繰返し記録
回数で判定したものである。
【００３２】
【表１】
【００３３】
【表２】
【００３４】表１及び表２で、記録可能回数が１０００
回以上であることが確認された記録線速は、Ａｇ濃度ａ
＝０．０８に対しては１〜２ｍ／ｓ（記録層１）、Ａｇ
濃度ａ＝０．０７に対しては１〜３ｍ／ｓ（記録層
２）、Ａｇ濃度ａ＝０．０６に対しては１〜４ｍ／ｓ
（記録層３）、Ａｇ濃度ａ＝０．０５に対しては１〜６
ｍ／ｓ（記録層４）、Ａｇ濃度ａ＝０．０４及びａ＝
０．０３に対しては２〜８ｍ／ｓ（記録層５，６，１０
〜１４）、Ａｇ濃度ａ＝０．０２に対しては３〜８ｍ／
ｓ（記録層７）、Ａｇ濃度ａ＝０．０１に対しては４〜
８ｍ／ｓ（記録層８）、Ａｇ濃度ａ＝０．００５に対し
ては６〜８ｍ／ｓ（記録層９）となる。即ち、記録線速
１〜２ｍ／ｓ，２〜３ｍ／ｓ，３〜４ｍ／ｓ，４〜６ｍ
／ｓ，６〜８ｍ／ｓの各々に対応するＡｇ濃度ａは、各
々、０．０５≦ａ≦０．０８，０．０３≦ａ≦０．０
７，０．０２≦ａ≦０．０６，０．０１≦ａ≦０．０
５，０．００５≦ａ≦０．０４の範囲である。Ａｇの一
部又は全部をＡｕに置換しても同様な結果が得られる。
回以上であることが確認された記録線速は、Ａｇ濃度ａ
＝０．０８に対しては１〜２ｍ／ｓ（記録層１）、Ａｇ
濃度ａ＝０．０７に対しては１〜３ｍ／ｓ（記録層
２）、Ａｇ濃度ａ＝０．０６に対しては１〜４ｍ／ｓ
（記録層３）、Ａｇ濃度ａ＝０．０５に対しては１〜６
ｍ／ｓ（記録層４）、Ａｇ濃度ａ＝０．０４及びａ＝
０．０３に対しては２〜８ｍ／ｓ（記録層５，６，１０
〜１４）、Ａｇ濃度ａ＝０．０２に対しては３〜８ｍ／
ｓ（記録層７）、Ａｇ濃度ａ＝０．０１に対しては４〜
８ｍ／ｓ（記録層８）、Ａｇ濃度ａ＝０．００５に対し
ては６〜８ｍ／ｓ（記録層９）となる。即ち、記録線速
１〜２ｍ／ｓ，２〜３ｍ／ｓ，３〜４ｍ／ｓ，４〜６ｍ
／ｓ，６〜８ｍ／ｓの各々に対応するＡｇ濃度ａは、各
々、０．０５≦ａ≦０．０８，０．０３≦ａ≦０．０
７，０．０２≦ａ≦０．０６，０．０１≦ａ≦０．０
５，０．００５≦ａ≦０．０４の範囲である。Ａｇの一
部又は全部をＡｕに置換しても同様な結果が得られる。
【００３５】なお、表１及び表２の記録層の初期結晶化
は、サンプル記録層１５を除き、レーザビーム照射によ
り行った。サンプル記録層１の初期結晶化はランプアニ
ールにより行った。サンプル記録層５，１０〜１４の測
定結果によれば、前述した(Ｉｂ)a(Ｖｂ)x(VIｂ)1-a-x
で表す組成式（ここでは、ＡｇaＳｂxＴｅ1-a-x ）にお
いて、ｘが０．７２≦ｘ＋２ａ≦０．８０の範囲内では
繰返し記録回数が良好であることが分かる。繰返し記録
特性の全面にわたる均一性を確保する上では、パラメー
タｘ＋２ａの値が一定であることが好ましく、特に、こ
の値が±０．０２であることが好ましいといえる。
は、サンプル記録層１５を除き、レーザビーム照射によ
り行った。サンプル記録層１の初期結晶化はランプアニ
ールにより行った。サンプル記録層５，１０〜１４の測
定結果によれば、前述した(Ｉｂ)a(Ｖｂ)x(VIｂ)1-a-x
で表す組成式（ここでは、ＡｇaＳｂxＴｅ1-a-x ）にお
いて、ｘが０．７２≦ｘ＋２ａ≦０．８０の範囲内では
繰返し記録回数が良好であることが分かる。繰返し記録
特性の全面にわたる均一性を確保する上では、パラメー
タｘ＋２ａの値が一定であることが好ましく、特に、こ
の値が±０．０２であることが好ましいといえる。
【００３６】ちなみに、本発明と同一の組成を有する記
録総鵜構成であっても、サンプル記録層１５では、準安
定相が分解した場合の析出物であるＳｂやＳｂ2Ｔｅ3等
の析出が起こり、高記録密度には不適となる。準安定相
は長時間の高温アニールにより安定相へ相分離する。
録総鵜構成であっても、サンプル記録層１５では、準安
定相が分解した場合の析出物であるＳｂやＳｂ2Ｔｅ3等
の析出が起こり、高記録密度には不適となる。準安定相
は長時間の高温アニールにより安定相へ相分離する。
【００３７】
【実施例】図１に示した層構成の相変化光記録媒体１を
用い、その記録層４の組成に半径方向の分布を持たせた
場合の繰返し記録回数と記録層４の組成及び初期化後の
結晶構造との関係を実施例１〜３とし、組成に半径方向
に濃度分布を有しない比較例１と対比して表３に示す。
用い、その記録層４の組成に半径方向の分布を持たせた
場合の繰返し記録回数と記録層４の組成及び初期化後の
結晶構造との関係を実施例１〜３とし、組成に半径方向
に濃度分布を有しない比較例１と対比して表３に示す。
【００３８】
【表３】
【００３９】実施例１では、Ｉｂ元素であるＡｇ濃度に
半径位置ｒに依存する組成勾配を設け、これに応じて繰
返し記録回数が最適となるように、Ｖｂ族元素であるＳ
ｂ及びVI族元素であるＴｅ濃度に勾配を持たせている。
これにより、９００ｒｐｍでのＭＣＡＶ記録において、
全面にわたる高繰返し記録が可能となったものである。
半径位置ｒに依存する組成勾配を設け、これに応じて繰
返し記録回数が最適となるように、Ｖｂ族元素であるＳ
ｂ及びVI族元素であるＴｅ濃度に勾配を持たせている。
これにより、９００ｒｐｍでのＭＣＡＶ記録において、
全面にわたる高繰返し記録が可能となったものである。
【００４０】実施例２では、１２００ｒｐｍでのＭＣＡ
Ｖ記録に対応するもので、Ａｇ及びＡｕ濃度に勾配があ
る。さらに、Ｖｂ族元素としてＢｉが、VI族元素として
Ｓｅが添加されている。実施例２の場合も全面にわたる
繰返し記録特性が良好であることがわかる。
Ｖ記録に対応するもので、Ａｇ及びＡｕ濃度に勾配があ
る。さらに、Ｖｂ族元素としてＢｉが、VI族元素として
Ｓｅが添加されている。実施例２の場合も全面にわたる
繰返し記録特性が良好であることがわかる。
【００４１】実施例３では、６００ｒｐｍのＭＣＡＶ記
録に対応するものであるが、Ｉｂ族元素はＡｕのみであ
る。
録に対応するものであるが、Ｉｂ族元素はＡｕのみであ
る。
【００４２】ちなみに、組成に濃度分布を持たない比較
例１の繰返し記録特性によれば、最適記録線速が確保さ
れる半径位置では繰返し記録特性は良好であるものの、
これより内周側では記録（アモルファス化）が困難とな
り、外周側では消去（結晶化）が困難となり、全面にわ
たる均一な繰返し記録特性は得られないことが分かる。
例１の繰返し記録特性によれば、最適記録線速が確保さ
れる半径位置では繰返し記録特性は良好であるものの、
これより内周側では記録（アモルファス化）が困難とな
り、外周側では消去（結晶化）が困難となり、全面にわ
たる均一な繰返し記録特性は得られないことが分かる。
【００４３】比較例２として、Ａｇ‐Ｓｂ‐Ｔｅ系の結
晶化速度に影響を与えるＳｂ濃度に勾配を持たせた場
合、即ち、(Ａｇ‐Ｓｂ‐Ｔｅ)1-γ(Ｓｂ)γと表される
組成式で、γの値を変化させ、結晶化速度を最適化した
場合の繰返し記録特性を表４に示す。
晶化速度に影響を与えるＳｂ濃度に勾配を持たせた場
合、即ち、(Ａｇ‐Ｓｂ‐Ｔｅ)1-γ(Ｓｂ)γと表される
組成式で、γの値を変化させ、結晶化速度を最適化した
場合の繰返し記録特性を表４に示す。
【００４４】
【表４】
【００４５】組成条件０．７２≦ｘ＋２ａ≦０．８０の
範囲から逸脱するにつれ、急激に繰返し記録回数が悪化
しているのが分かる。即ち、組成条件０．７２≦ｘ＋２
ａ≦０．８０は準安定相の安定条件を示す本発明に固有
のパラメータといえる。特に、不純物の影響がない場合
の繰返し記録回数が良好な条件は、ｘ＋２ａ＝０．７５
である。また、この条件は、その他の特性、例えばオー
バライトシェルフ等の保存特性が良好な条件とも一致す
る。
範囲から逸脱するにつれ、急激に繰返し記録回数が悪化
しているのが分かる。即ち、組成条件０．７２≦ｘ＋２
ａ≦０．８０は準安定相の安定条件を示す本発明に固有
のパラメータといえる。特に、不純物の影響がない場合
の繰返し記録回数が良好な条件は、ｘ＋２ａ＝０．７５
である。また、この条件は、その他の特性、例えばオー
バライトシェルフ等の保存特性が良好な条件とも一致す
る。
【００４６】一方、記録層に不純物、例えば、Ｃ，Ｂ，
Ｎ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｚｎ，遷移金属元素等を添加する場
合、不純物の結合状態や保護層界面部分での偏析の状態
により上記の最適条件ｘ＋２ａ＝０．７５は若干シフト
する。例えば、記録層に窒素を添加する場合はｘ＋２ａ
＞０．７５となる。しかし、不純物が概ね５at.％ 以下
の微量である場合には本発明に該当する。不純物が無添
加の場合や不純物の添加量の面内分布がない場合には、
全面にわたる良好な繰返し記録特性を維持する上で、パ
ラメータｘ＋２ａの値を一定とすることが特に好まし
く、このパラメータｘ＋２ａの値を全面にわたり±０．
０２以内とすることが好ましい。
Ｎ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｚｎ，遷移金属元素等を添加する場
合、不純物の結合状態や保護層界面部分での偏析の状態
により上記の最適条件ｘ＋２ａ＝０．７５は若干シフト
する。例えば、記録層に窒素を添加する場合はｘ＋２ａ
＞０．７５となる。しかし、不純物が概ね５at.％ 以下
の微量である場合には本発明に該当する。不純物が無添
加の場合や不純物の添加量の面内分布がない場合には、
全面にわたる良好な繰返し記録特性を維持する上で、パ
ラメータｘ＋２ａの値を一定とすることが特に好まし
く、このパラメータｘ＋２ａの値を全面にわたり±０．
０２以内とすることが好ましい。
【００４７】
【発明の効果】請求項１記載の発明の相変化光記録媒体
によれば、ＣＡＶ方式或いはＭＣＡＶ方式のように媒体
の部位によって異なる記録線速で記録・再生を行うラン
ダムアクセス性に優れたタイプの相変化光記録媒体に関
して、その高記録密度での繰返し記録特性を向上させる
ことができる。
によれば、ＣＡＶ方式或いはＭＣＡＶ方式のように媒体
の部位によって異なる記録線速で記録・再生を行うラン
ダムアクセス性に優れたタイプの相変化光記録媒体に関
して、その高記録密度での繰返し記録特性を向上させる
ことができる。
【００４８】請求項２記載の発明によれば、結晶化状態
の記録層中の結晶相が準安定固溶体単相であるので、準
安定相の析出に適したものとなる。
の記録層中の結晶相が準安定固溶体単相であるので、準
安定相の析出に適したものとなる。
【００４９】請求項３記載の発明によれば、Ａｇ及び／
又はＡｕを含む組成で、その元素濃度を内周部側よりも
外周部側の方を小さく設定しているので、記録線速の遅
速と結晶化速度の遅速とを対応させることができ、高記
録密度での繰返し記録特性を向上させることができる。
又はＡｕを含む組成で、その元素濃度を内周部側よりも
外周部側の方を小さく設定しているので、記録線速の遅
速と結晶化速度の遅速とを対応させることができ、高記
録密度での繰返し記録特性を向上させることができる。
【００５０】請求項４ないし８記載の発明によれば、例
えば、ＣＤ‐ＲＷなどに使用されるストラテジを使用し
た場合の記録線速と記録層の組成との適正な組合せを提
供することができる。
えば、ＣＤ‐ＲＷなどに使用されるストラテジを使用し
た場合の記録線速と記録層の組成との適正な組合せを提
供することができる。
【図１】本発明の一実施の形態の相変化光記録媒体の層
構成を示す断面図である。
構成を示す断面図である。
４ 記録層
Claims (8)
- 【請求項１】 記録線速が媒体半径方向の位置により異
なる相変化光記録媒体において、 Ｓｂ及びＴｅを必須元素としてＩｂ族元素、Ｖｂ族元素
及びVIｂ族元素を有する相変化記録材料を記録層とし、
前記記録層が少なくとも１つの準安定結晶相を含み空間
群Ｆｍ３ｍに属する単数又は複数の結晶相を有する結晶
化状態とアモルファス化状態との間の相転移における光
学的性質の変化を示し、前記記録層の原子比率での組成
を(Ｉｂ)a(Ｖｂ)x(VIｂ)1-a-x で表す組成式においてＶ
ｂ族元素の組成を表すｘが０．７２≦ｘ＋２ａ≦０．８
０の範囲内に設定されて、前記記録線速の変化に対応し
て前記記録層の組成に媒体半径方向で差異を有すること
を特徴とする相変化光記録媒体。 - 【請求項２】 結晶化状態の前記記録層中の結晶相が準
安定固溶体単相であることを特徴とする請求項１記載の
相変化光記録媒体。 - 【請求項３】 前記記録層が少なくともＡｇとＡｕとの
一方の元素を有し、その元素濃度が内周部側に対して外
周部側の方が小さく設定されていることを特徴とする請
求項１又は２記載の相変化光記録媒体。 - 【請求項４】 前記記録層の原子比率での組成が(Ａ
ｇ，Ａｕ)a(Ｖｂ)x(VIｂ)1-a-xなる組成式で表され、記
録線速１〜２ｍ／ｓに対応する媒体半径方向の部位に属
する前記記録層の組成として０．０５≦ａ≦０．０８の
範囲内に設定されていることを特徴とする請求項３記載
の相変化光記録媒体。 - 【請求項５】 前記記録層の原子比率での組成が(Ａ
ｇ，Ａｕ)a(Ｖｂ)x(VIｂ)1-a-xなる組成式で表され、記
録線速２〜３ｍ／ｓに対応する媒体半径方向の部位に属
する前記記録層の組成として０．０３≦ａ≦０．０７の
範囲内に設定されていることを特徴とする請求項３記載
の相変化光記録媒体。 - 【請求項６】 前記記録層の原子比率での組成が(Ａ
ｇ，Ａｕ)a(Ｖｂ)x(VIｂ)1-a-xなる組成式で表され、記
録線速３〜４ｍ／ｓに対応する媒体半径方向の部位に属
する前記記録層の組成として０．０２≦ａ≦０．０６の
範囲内に設定されていることを特徴とする請求項３記載
の相変化光記録媒体。 - 【請求項７】 前記記録層の原子比率での組成が(Ａ
ｇ，Ａｕ)a(Ｖｂ)x(VIｂ)1-a-xなる組成式で表され、記
録線速４〜６ｍ／ｓに対応する媒体半径方向の部位に属
する前記記録層の組成として０．０１≦ａ≦０．０５の
範囲内に設定されていることを特徴とする請求項３記載
の相変化光記録媒体。 - 【請求項８】 前記記録層の原子比率での組成が(Ａ
ｇ，Ａｕ)a(Ｖｂ)x(VIｂ)1-a-xなる組成式で表され、記
録線速６〜８ｍ／ｓに対応する媒体半径方向の部位に属
する前記記録層の組成として０．００５≦ａ≦０．０４
の範囲内に設定されていることを特徴とする請求項３記
載の相変化光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10130029A JPH11321094A (ja) | 1998-05-13 | 1998-05-13 | 相変化光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10130029A JPH11321094A (ja) | 1998-05-13 | 1998-05-13 | 相変化光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11321094A true JPH11321094A (ja) | 1999-11-24 |
Family
ID=15024400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10130029A Pending JPH11321094A (ja) | 1998-05-13 | 1998-05-13 | 相変化光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11321094A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7440380B2 (en) | 2000-03-03 | 2008-10-21 | Ricoh Company, Ltd. | Optical information recording medium and recording apparatus |
| US7510753B2 (en) | 2004-10-01 | 2009-03-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Phase-change optical recording media |
| US7858166B2 (en) | 2006-02-02 | 2010-12-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Phase change recording medium |
| US7909447B2 (en) | 2006-01-23 | 2011-03-22 | Fujifilm Corporation | Inkjet recording method and inkjet-recording material |
-
1998
- 1998-05-13 JP JP10130029A patent/JPH11321094A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7440380B2 (en) | 2000-03-03 | 2008-10-21 | Ricoh Company, Ltd. | Optical information recording medium and recording apparatus |
| US7539098B2 (en) | 2000-03-03 | 2009-05-26 | Ricoh Company, Ltd. | Optical information recording medium and recording apparatus |
| US7510753B2 (en) | 2004-10-01 | 2009-03-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Phase-change optical recording media |
| US7909447B2 (en) | 2006-01-23 | 2011-03-22 | Fujifilm Corporation | Inkjet recording method and inkjet-recording material |
| US7858166B2 (en) | 2006-02-02 | 2010-12-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Phase change recording medium |
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