JPH11322716A - 含窒素芳香族ヘテロ環カルボン酸化合物の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 多量の重金属化合物の使用や取り扱いが難し
く危険を伴う酸化剤の使用を回避し、触媒量の重金属錯
体と取り扱いが簡便な酸化剤を用いて含窒素芳香族ヘテ
ロ環カルボン酸化合物を製造する方法を提供する。 【解決手段】 ニッケル化合物の存在下、次亜ハロゲン
酸塩を酸化剤として特定の含窒素芳香族ヘテロ環化合物
を酸化して対応する含窒素芳香族ヘテロ環カルボン酸化
合物を得る含窒素芳香族ヘテロ環カルボン酸化合物の製
造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は金属イオン隠蔽剤や
医薬品及び農薬の合成原料などとして有用な含窒素芳香
族ヘテロ環カルボン酸誘導体の新規な製造法に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】含窒素芳香族ヘテロ環化合物の側鎖メチ
ル基を酸化して対応の含窒素芳香族ヘテロ環カルボン酸
誘導体を合成する方法としては、過マンガン酸カリウム
やクロム酸などの重金属酸化剤を用いる方法（例えば、
Chem.Ber.,48,1905(1915) 、Synth.Meth.,22,250な
ど）、金属酸化物を触媒としてアンモニアと気相で反応
させ（アンモ酸化）、次いで加水分解する方法、オゾン
（例えば、Chem.Abstr.,81,151948 など）、過酸化水素
（例えば、Arch.Pharm(Weinheim Ger)288,426(1955)な
ど）や高純度酸素（例えば、Synth.Meth.,18,219）を用
いて酸化する方法や側鎖メチル基をハロゲン化した後、
加水分解する方法（例えば、J.Chem.Soc.,123,2883(192
3 など) ）、電気化学的に酸化合成する方法（例えば、
Chem.Heterocycl.Compd.,31,80(1995)など）などが知ら
れている。

【０００３】しかし、重金属酸化剤を用いる方法では通
常、化学量論以上の酸化剤を必要とし、その結果、多量
の重金属イオンを含む廃液が発生するため廃液処理を考
えると環境及び生産コスト上、改善が必要であった。ま
た、アンモ酸化による合成では、大規模な専用設備が必
要であったり、加水分解後副生するアンモニアの処理も
必要であり設備的な制約が大きく汎用性に乏しい面があ
る。酸化剤としてオゾン、過酸化水素、高純度酸素を用
いる方法では、気体であったり、極めて不安定であるな
どの理由により、酸化剤の取り扱いが難しく、危険を伴
うので、スケールアップが困難であり、設備的な負荷も
大きくなる等の不都合がある。側鎖メチル基のハロゲン
化を経由する方法では、ハロゲン化の選択性（側鎖メチ
ル基と芳香環の区別）が低い場合があったり、ハロゲン
化反応条件下にヘテロ環自体が酸化されたりして中間体
のハロゲン化物を得る事が難しい場合が多々見られると
いう難点があった。また、ハロゲン化物の加水分解につ
いても収率、反応時間、廃液処理等の点でまだ満足でき
るものでなく改良が必要であった。電気化学的酸化にお
いては、酸化装置の制約からスケールアップが難しいな
どの問題があった。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、多量
の重金属化合物の使用、取り扱いが難しく危険を伴う酸
化剤の使用を回避し、触媒量の重金属錯体と取り扱いが
簡便な酸化剤を用いて含窒素芳香族ヘテロ環カルボン酸
化合物を製造しうる方法を開発することである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記課題は、下記の手段
により達成できた。 （１）ニッケル化合物の存在下、次亜ハロゲン酸塩を酸
化剤として一般式（Ｉ）で表される含窒素芳香族ヘテロ
環化合物を酸化して一般式（II）で表される含窒素芳香
族ヘテロ環カルボン酸化合物を得ることを特徴とする含
窒素芳香族ヘテロ環カルボン酸化合物の製造方法。 一般式（Ｉ）

【０００６】

【化５】

【０００７】（式中、Ｑは窒素原子を少なくとも１個含
む５員ないし６員の単環または縮合環の芳香族ヘテロ環
を表し、Ｒは第１級アルキル基を表し、ｎは１から５の
整数を表す。Ｘは置換基を表し、ｍは０から４の整数を
表す。） 一般式（II）

【０００８】

【化６】

【０００９】（式中、Ｑ、Ｘ、ｎ及びｍは一般式（Ｉ）
と同義である。） （２）ニッケル化合物がニッケル（II）錯体である
（１）項記載の含窒素芳香族ヘテロ環カルボン酸化合物
の製造方法。 （３）一般式（Ｉ）及び一般式（II）で表される化合物
が、それぞれ、一般式（Ｉ−ａ）及び一般式（II−ａ）
で表される化合物である（１）又は（２）項記載の含窒
素芳香族ヘテロ環カルボン酸化合物の製造方法。 一般式（Ｉ−ａ）

【００１０】

【化７】

【００１１】（式中、Ｑ’は窒素原子を少なくとも１個
含む６員の単環または縮合環の芳香族ヘテロ環を表し、
Ｒ、ｎ、Ｘ及びｍは一般式（Ｉ）と同義である。） 一般式（II−ａ）

【００１２】

【化８】

【００１３】（式中、Ｑ’、Ｘ、ｎ及びｍは一般式（Ｉ
−ａ）と同義である。） 本発明で芳香族ヘテロ環とは、ヘテロ環であって芳香族
性を有するものをいう。また、第１級アルキル基とは、
第１級炭素原子によって芳香族ヘテロ環に結合している
アルキル基をいう。

【００１４】

【発明の実施の形態】一般式（Ｉ）又は一般式（II）で
表される化合物について詳細に説明する。Ｑは窒素原子
を少なくとも１個含む５員ないし６員の単環または縮合
環の芳香族ヘテロ環を表し、窒素原子は１〜４個が好ま
しく、１〜３個がより好ましい。５員芳香族ヘテロ環と
しては例えば、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、
１，２，４−トリアゾール、１，２，３−トリアゾー
ル、ベンズイミダゾール、インダゾール、オキサゾー
ル、イソオキサゾール、オキサジアゾール、ベンゾオキ
サゾール、ベンゾ［ｄ］イソオキサゾール、チアゾー
ル、イソチアゾール、チアジアゾール、ベンゾチアゾー
ル、ベンゾ［ｄ］イソチアゾール、テトラゾール、ピラ
ゾロトリアゾール、ピロロトリアゾール、カルバゾール
等が挙げられる。６員芳香族ヘテロ環としては例えば、
ピリジン、ピリミジン、ピリダジン、ピラジン、キノリ
ン、イソキノリン、キナゾリン、フタラジン、シンノリ
ン、キノキサリン、１，３，５−トリアジン、１，２，
４−トリアジン、１，８−ナフチリジン、７−アザイン
ドール、プリン、テトラザインデン等が挙げられる。Ｑ
として好ましくは、６員芳香族ヘテロ環であり、その中
でもより好ましくは、ピリジン、ピリミジン、ピリダジ
ン、ピラジン、１，３，５−トリアジンであり、更に好
ましくは、ピリジン、ピリミジン、ピリダジン、ピラジ
ンであり、特に好ましくはピリジンである。

【００１５】Ｒは第１級アルキル基を表し、好ましくは
炭素数１〜８のもの、例えば、メチル、エチル、ｎ−プ
ロピル、ｎ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ
−オクチルなどであり、より好ましくは炭素数１〜４で
あり、特に好ましいのはメチルである。ｎは１ないし５
の整数を表し、好ましくは１ないし３であり、より好ま
しくは１又は２である。

【００１６】Ｘは置換基を表す。Ｘで表される置換基と
しては、例えば第３級アルキル基（第３級炭素原子によ
って芳香族ヘテロ環に結合しているアルキル基、好まし
くは炭素数４〜３０、より好ましくは炭素数４〜２０、
特に好ましくは炭素数４〜１２であり、例えばｔ−ブチ
ル、ｔ−オクチルなどが挙げられる。）、アリール基
（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６
〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えば
フェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルなどが挙げら
れる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、
より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数
１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシな
どが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭
素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好
ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキ
シ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、アシル
基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数
１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例え
ばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイル等が挙
げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭
素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好
ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボ
ニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリ
ールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、
より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数
７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニルなど
が挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数
２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好まし
くは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾ
イルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好
ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１
６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセ
チルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、
アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜
２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは
炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミ
ノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルア
ミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭
素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、
例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられ
る。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２
０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭
素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、
ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スル
ファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好まし
くは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２で
あり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、
ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなど
が挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数
１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好まし
くは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチ
ルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカル
バモイルなどが挙げられる。）、スルホニル基（好まし
くは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、
特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、
トシル、などが挙げられる。）、スルフィニル基（好ま
しくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１
６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタ
ンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられ
る。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より
好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜
１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニ
ルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好
ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１
６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエ
チルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げら
れる。）、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原
子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カ
ルボキシル基、ニトロ基などが挙げられる。これらの置
換基は更に置換されていてもよい。

【００１７】Ｘとして好ましくは、第３級アルキル基、
アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル
基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、
アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ
基、スルファモイル基、カルバモイル基、スルホニル
基、スルフィニル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ
基、カルボキシル基であり、より好ましくは、第３級ア
ルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ
基、アシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カ
ルボキシル基であり、更に好ましくは、第３級アルキル
基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ア
シル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基であり、特
に好ましくは、アリール基、アルコキシ基、アリールオ
キシ基、アシル基、ハロゲン原子、ニトロ基である。

【００１８】ｍは０ないし４の整数を表す。ｍは好まし
くは０〜３であり、より好ましくは０〜２であり、特に
好ましくは０または１である。

【００１９】本発明で用いられる一般式（Ｉ）で表され
る化合物のうち、より好ましくは、一般式（Ｉ−ａ）で
表される化合物であり、その結果、生成する一般式（I
I）で表される化合物は一般式（II−ａ）となる。

【００２０】本発明で用いられる一般式（Ｉ）で表され
る化合物のうち、更に好ましくは、一般式（Ｉ−ｂ）で
表される化合物であり、その結果、生成する一般式（I
I）で表される化合物は一般式（II−ｂ）となる。 一般式（Ｉ−ｂ）

【００２１】

【化９】

【００２２】（式中、Ｑ”は窒素原子を少なくとも１個
含む６員の単環芳香族ヘテロ環を表し、ｎは１から５の
整数を表す。Ｘは置換基を表し、ｍは０から４の整数を
表す。） 一般式（II−ｂ）

【００２３】

【化１０】

【００２４】（式中、Ｑ”、Ｘ、ｎ、ｍは一般式（Ｉ−
ｂ）と同義である。）

【００２５】以下に本発明の反応に用いられる一般式
（Ｉ）で表される化合物の例を示すが、本発明はこれら
により何ら限定される物ではない。

【００２６】

【化１１】

【００２７】

【化１２】

【００２８】

【化１３】

【００２９】

【化１４】

【００３０】

【化１５】

【００３１】

【化１６】

【００３２】

【化１７】

【００３３】

【化１８】

【００３４】本発明方法により得られる一般式（ＩＩ）
で表される化合物を次に例示する。

【００３５】

【化１９】

【００３６】

【化２０】

【００３７】

【化２１】

【００３８】

【化２２】

【００３９】

【化２３】

【００４０】

【化２４】

【００４１】

【化２５】

【００４２】

【化２６】

【００４３】本発明で用いられるニッケル化合物とは、
好ましくはＮｉ（II）を有する化合物を意味し、酸化
物、水酸化物、ハロゲン化物のほか、硫酸塩、硝酸塩、
炭酸塩などの単塩、あるいは錯塩（錯体）が使用され
る。本発明におけるニッケル錯体とは、中心金属として
Ｎｉ（II）を有し、窒素、硫黄、あるいは酸素原子を配
位元素として持つ単座、もしくは多座配位子から形成さ
れるものである。単座配位子としては、例えば、１−メ
チルイミダゾール、４−ｔ−ブチルピリジンなどの含窒
素芳香族ヘテロ環やアンモニア等が挙げられる。多座配
位子としては２ないし６座の配位子が挙げられ、２座配
位子としては例えば、ビピリジン、１，１０−フェナン
トロリン、８−ヒドロキシキノリル、ジメチルグリオキ
シル、グリシン、サリチルアルドキシム、エチレンジア
ミン等が挙げられ、３座配位子としてはジエチレントリ
アミン等が挙げられ、４座配位子としては例えば、トリ
ス（３−アミノプロピル）アミン、１，４，８，１１−
テトラアザシクロテトラデカンなどが挙げられる。ま
た、６座配位子としてはエチレンジアミン４酢酸（ＥＤ
ＴＡ）やトリメチレンジアミン４酢酸などが挙げられ
る。

【００４４】ニッケル錯体の配位子としては、反応基質
である含窒素ヘテロ芳香環化合物との配位子交換などを
避け、触媒サイクルの寿命を延ばすために錯安定度定数
が大きな多座配位子がより好ましい。また、場合により
本反応の生成物である一般式（II）で表される化合物を
配位子として用いても良い。多座配位子の中でも好まし
くは、２座あるいは４座配位子が好ましい。これはニッ
ケル（II）が平面４配座を取りやすく、この状態で安定
な錯体を形成することに起因する。

【００４５】本反応に用いるニッケル（II）錯体の安定
度定数として好ましい範囲は、反応に用いる一般式
（Ｉ）の含窒素ヘテロ環との関係によって変化するが、
好ましくは４以上３０以下であり、より好ましくは６以
上２５以下であり、更に好ましくは８以上２０以下であ
る。具体的な錯体としては、例えば、ニッケルテトラ
（１−メチルイミダゾリル）、ニッケルビスビピリジ
ル、ニッケルモノビピリジル、ニッケルビス（１，１０
−フェナントリル）、ニッケルビス（８−ヒドロキシキ
ノリル）、ニッケルビス（サリチルアルドキシム）、ニ
ッケル−ＥＤＴＡ（エチレンジアミン４酢酸）などが挙
げられる。本発明で用いられる次亜ハロゲン酸塩とは、
次亜塩素酸、次亜臭素酸などのアルカリ金属（ナトリウ
ム、カリウムなど）もしくはアルカリ土類金属（カルシ
ウム、バリウムなど）塩の事であり、代表的な物として
次亜塩素酸ナトリウム、次亜臭素酸ナトリウムが挙げら
れる。次亜ハロゲン酸ナトリウムは高濃度水酸化ナトリ
ウム水溶液にハロゲンを添加することで調製可能であ
る。次亜塩素酸ナトリウムは約５％濃度水溶液が市販さ
れているのでその溶液をそのまま用いることができ、入
手性の面で好ましい。

【００４６】一般式（Ｉ）で表される反応基質、酸化剤
である次亜ハロゲン酸塩及び触媒のニッケル錯体の使用
比率としては、酸化に関係する第１級アルキル基の数に
よって変化するが、第１級アルキル基１つに対し、モル
比で、次亜ハロゲン酸塩は３倍以上３０倍以下、より好
ましくは５倍以上１５倍以下であり、ニッケル錯体は好
ましくは０．００５倍以上０．５倍以下であり、より好
ましくは０．０１倍以上０．２倍以下であり、更に好ま
しくは０．０５倍以上０．１５倍以下である。

【００４７】反応に用いる有機溶媒としては、次亜ハロ
ゲン酸塩によって酸化されず、一般式（Ｉ）で表される
反応基質を溶解できる物が好ましく、例えば、アセトニ
トリル、ベンゼン、アセトン、ジクロロメタン、ジオキ
サンなどが挙げられる。中でもアセトニトリルが溶媒と
して好ましい。有機溶媒の使用量は、反応基質の溶解度
によって変化するが、反応基質に対し重量比で１倍以上
１００倍以下、より好ましくは５倍以上５０倍以下であ
る。また、次亜ハロゲン酸水溶液と混和しないベンゼ
ン、ジクロロメタンなどの溶媒を使用する場合には、不
均一な状態による反応性低下を改善する目的で４級アル
キルアンモニウム塩などの相間移動触媒を併用すること
が好ましい。

【００４８】反応温度として好ましくは、０℃以上１０
０℃以下であり、より好ましくは１０℃以上８０℃以下
であり、更に好ましくは１５℃以上５０℃以下である。
反応時間として好ましくは、１時間以上２４時間以下で
あり、より好ましくは３時間以上１８時間以下であり、
更に好ましくは４時間以上１２時間以下である。

【００４９】反応に際して、一般式（Ｉ）の化合物、次
亜ハロゲン酸塩、およびニッケル化合物の添加順序には
特に制限はなく、どの様な順序でも反応を行うことがで
きるが、反応スケールアップを想定した場合、反応制御
の観点から酸化剤である次亜ハロゲン酸塩を最後に滴下
する形を取ることが望ましい。

【００５０】反応終了後の目的生成物の単離方法につい
ては、生成した一般式（II）のカルボン酸の性質によっ
て変化するが、まず、過剰に存在する次亜ハロゲン酸塩
を亜硫酸ナトリウムやハイドロサルファイトナトリウム
などで還元除去した後、ｐＨを目的物のｐＫａを考慮し
て調整する。目的物の水溶性が低く、有機溶媒で抽出可
能な場合はこの段階で抽出を行い水溶生成分とニッケル
化合物と分離し、再結晶やカラムクロマトグラフィーな
どの常套手段で精製することができる。目的物の水溶性
が高く抽出操作が困難でかつ目的物が固体の場合は反応
液を濃縮し目的物を塩析する。塩析が困難な場合は反応
液を濃縮後、水溶性の有機溶媒を添加し副生している無
機塩を可能な限り除去し含水溶媒にて再結晶を行う。以
上の操作で目的物を単離できない場合はニッケル化合物
の共存が単離妨害の原因であることが考えられるので陽
イオン交換カラムにてニッケル化合物を除去した後、再
結晶を行う。少量の無機塩の共存が単離の支障となる場
合は、電気泳動型濾過膜を有する脱塩装置で無機塩を除
去し目的物を単離する。目的物が液体である場合はイオ
ン交換カラムにてニッケル化合物を除去、脱塩装置で無
機塩を除去し目的物を単離する。

【００５１】

【実施例】次に本発明を実施例に基づき詳細に説明する
が、本発明はこれによって何ら限定されるものではな
い。

【００５２】実施例１．α−ピコリンの酸化によるピコ
リン酸の合成 α−ピコリン０．９３ｇ（10mmol）をアセトニトリル５
０ｍｌに溶解し、そこに０．０５Ｍのニッケルビスビピ
リジル錯体水溶液２０ｍｌ（１ｍｍｏｌ相当）を加えた
後、溶液を激しく撹拌しながら５％次亜塩素酸ナトリウ
ム水溶液１００ml（０．１ｍｏｌ相当）を滴下した。室
温条件で撹拌を６時間継続した後、ＨＰＬＣにて反応液
を分析した結果、検量線による含率算出ではピコリン酸
が出発原料に対して２６％の変換率で生成していること
が確認された。

【００５３】実施例２．γ−ピコリンの酸化によるイソ
ニコチン酸の合成 α−ピコリンの代わりにγ−ピコリンを用いた以外は実
施例１と同様に酸化反応を行い反応液をＨＰＬＣで分析
した結果、検量線による含率算出ではイソニコチン酸が
出発原料に対して１５％の変換率で生成していることが
確認された。

【００５４】実施例３．２，６−ルチジンの酸化による
２，６−ピリジンジカルボン酸の合成 ２，６−ルチジン１．１ｇ（10mmol）をアセトニトリル
５０ｍｌに溶解し、そこに０．０５Ｍのニッケルビスビ
ピリジル錯体水溶液２０ｍｌ（１ｍｍｏｌ相当）を加え
た後、溶液を激しく撹拌しながら５％次亜塩素酸ナトリ
ウム水溶液１００ml（０．１ｍｏｌ相当）を滴下した。
室温条件で撹拌を６時間継続した後、ＨＰＬＣにて反応
液を分析した結果、検量線による含率算出では２，６−
ピリジンジカルボン酸が出発原料に対して４６％の変換
率で生成していることが確認された。

【００５５】反応終了後、反応液にハイドロサルファイ
トナトリウム１２ｇ（０．０６９ｍｏｌ）を添加、溶解
させ過剰の次亜塩素酸ナトリウムを分解した。反応液を
エバポレーターを用いて約１／２容量に濃縮した後、一
晩放置した。析出物を吸引ろ取しメタノールを掛けて洗
浄した。得られた目的物粗体を水から再結晶し２，６−
ピリジンジカルボン酸０．５ｇを得た。単離収率３０％ 単離した目的生成物の構造は、標品と¹ Ｈ−ＮＭＲスペ
クトルを比較し、確認した。

【００５６】ＨＰＬＣ分析条件： カラム： 東ソー社製 ＴＳＫ−ｇｅｌ ＯＤＳ−８０
ＴＭ 溶離液Ａ： ０．１％Ｈ₃ ＰＯ₄ 、Ｅｔ₃ Ｎ ｉｎ 水 〃 Ｂ： ０．１％Ｈ₃ ＰＯ₄ 、Ｅｔ₃ Ｎ ｉｎ メタ
ノール／水＝９０／１０ 検出波長： ２５４ｎｍ 流速： １ｍｌ／分 Ｂ液比率： 実施例１及び２；５％ 実施例３ ；１５％

【００５７】比較例１．水酸化ナトリウム２１ｇ（９５
％含率 ０．５ｍｏｌ）を水１８０mlに溶解して調製し
た水溶液を１０℃以下に氷冷した後、臭素１３ｍｌ
（０．２５ｍｏｌ）を滴下し、次亜臭素酸ナトリウム水
溶液を調製した。この次亜臭素酸ナトリウム水溶液にα
−ピコリン３ｇ（３２．２ｍｍｏｌ）を反応系を１０℃
以下に保ちながら滴下、反応させたところ、橙色の反応
生成物が析出した。析出物を吸引ろ取し（粗収量３
ｇ）、¹ Ｈ−ＮＭＲで分析した結果、生成物はピコリン
酸ではなかった。生成物はα−ピコリンと同じシグナル
数、同じ積分比のスペクトルの組合せを示しメチル基の
酸化が進行していないことが確認できたが、α−ピコリ
ン、α−ピコリン−Ｎ−オキシドとも異なるケミカルシ
フト値を示した。

【００５８】

【発明の効果】本発明方法より多量の重金属化合物や取
扱いの難しい酸化剤を使用することなしに温和な条件下
で含窒素芳香族ヘテロ環カルボン酸化合物を製造するこ
とができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｃ０７Ｄ 231/14 Ｃ０７Ｄ 231/14 237/08 237/08 237/24 237/24 239/26 239/26 239/28 239/28 241/12 241/12 241/24 241/24 261/10 261/10 263/34 263/34 263/58 263/58 277/24 277/24 277/56 277/56 277/64 277/64 277/68 277/68 471/04 １１４ 471/04 １１４Ｎ 473/00 473/00 487/04 １４２ 487/04 １４２ １４６ １４６ 521/00 521/00

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ニッケル化合物の存在下、次亜ハロゲン
   酸塩を酸化剤として一般式（Ｉ）で表される含窒素芳香
   族ヘテロ環化合物を酸化して一般式（II）で表される含
   窒素芳香族ヘテロ環カルボン酸化合物を得ることを特徴
   とする含窒素芳香族ヘテロ環カルボン酸化合物の製造方
   法。 一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｑは窒素原子を少なくとも１個含む５員ないし
   ６員の単環または縮合環の芳香族ヘテロ環を表し、Ｒは
   第１級アルキル基を表し、ｎは１から５の整数を表す。
   Ｘは置換基を表し、ｍは０から４の整数を表す。） 一般式（II） 【化２】 （式中、Ｑ、Ｘ、ｎ及びｍは一般式（Ｉ）と同義であ
   る。）
2. 【請求項２】 ニッケル化合物がニッケル（II）錯体で
   ある請求項１記載の含窒素芳香族ヘテロ環カルボン酸化
   合物の製造方法。
3. 【請求項３】 一般式（Ｉ）及び一般式（II）で表され
   る化合物が、それぞれ、一般式（Ｉ−ａ）及び一般式
   （II−ａ）で表される化合物である請求項１又は２記載
   の含窒素芳香族ヘテロ環カルボン酸化合物の製造方法。 一般式（Ｉ−ａ） 【化３】 （式中、Ｑ’は窒素原子を少なくとも１個含む６員の単
   環または縮合環の芳香族ヘテロ環を表し、Ｒ、ｎ、Ｘ及
   びｍは一般式（Ｉ）と同義である。） 一般式（II−ａ） 【化４】 （式中、Ｑ’、Ｘ、ｎ及びｍは一般式（Ｉ−ａ）と同義
   である。）