JPH11330085A - 電力半導体装置 - Google Patents
電力半導体装置Info
- Publication number
- JPH11330085A JPH11330085A JP10127305A JP12730598A JPH11330085A JP H11330085 A JPH11330085 A JP H11330085A JP 10127305 A JP10127305 A JP 10127305A JP 12730598 A JP12730598 A JP 12730598A JP H11330085 A JPH11330085 A JP H11330085A
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- JP
- Japan
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- electrode
- bus line
- pad
- distance
- line electrode
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- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐電力性に優れたマイクロ波用電力半導体装
置を提供する。 【解決手段】 フィンガ電極１１、１２をつなぐバスラ
イン電極１３とこのバスライン電極１３の一部に突出し
たパッド電極１４を有する配線パターンに関して、少な
くともすべてのバスライン電極の両端にパッド電極を有
し、パッド電極中心間距離をａ（ｍｍ）、１波長実効電
気長λｇ（ｍｍ）に対して、 ａ／λｇ＜０．００７ を満足するようにａを選ぶ。その両端にパッド電極を有
しないバスライン１３の両端から両端に最近接のパッド
電極１４中心までの距離をｂ（ｍｍ）、パッド電極１４
中心間距離をａ（ｍｍ）、１波長実効電気長λｇ（ｍ
ｍ）としたとき、 ａ／λｇ＜０．００７、ｂ／λｇ＜０．００３５ を満足するようにａ、ｂを選ぶ。
置を提供する。 【解決手段】 フィンガ電極１１、１２をつなぐバスラ
イン電極１３とこのバスライン電極１３の一部に突出し
たパッド電極１４を有する配線パターンに関して、少な
くともすべてのバスライン電極の両端にパッド電極を有
し、パッド電極中心間距離をａ（ｍｍ）、１波長実効電
気長λｇ（ｍｍ）に対して、 ａ／λｇ＜０．００７ を満足するようにａを選ぶ。その両端にパッド電極を有
しないバスライン１３の両端から両端に最近接のパッド
電極１４中心までの距離をｂ（ｍｍ）、パッド電極１４
中心間距離をａ（ｍｍ）、１波長実効電気長λｇ（ｍ
ｍ）としたとき、 ａ／λｇ＜０．００７、ｂ／λｇ＜０．００３５ を満足するようにａ、ｂを選ぶ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波帯増幅
器などで多用されているバイポーラトランジスタやＧａ
Ａｓ ＦＥＴなどのマイクロ波用電力半導体装置に関す
る。
器などで多用されているバイポーラトランジスタやＧａ
Ａｓ ＦＥＴなどのマイクロ波用電力半導体装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】バイポーラトランジスタやＧａＡｓ Ｆ
ＥＴは、マイクロ波帯での電力増幅素子として多用さ
れ、通信関係のキーデバイスとして重要な役目を果たし
ている。従来のマイクロ波用電力半導体装置について、
電力バイポーラトランジスタを例にとって図５を用いて
説明する。
ＥＴは、マイクロ波帯での電力増幅素子として多用さ
れ、通信関係のキーデバイスとして重要な役目を果たし
ている。従来のマイクロ波用電力半導体装置について、
電力バイポーラトランジスタを例にとって図５を用いて
説明する。
【０００３】符号５０はＳｉ高キャリア濃度基板で、Ｓ
ｉ高キャリア濃度基板５０上に、ｎ型キャリア濃度５×
１０15ｃｍ-3のコレクタ領域、ｐ型キャリア濃度３×１
０18ｃｍ-3のベース領域およびｎ型キャリア濃度３×１
０20ｃｍ-3のエミッタ領域をそれぞれ形成した後、エミ
ッタの微細フィンガ電極５１とベースの微細フィンガ電
極５２を形成する。
ｉ高キャリア濃度基板５０上に、ｎ型キャリア濃度５×
１０15ｃｍ-3のコレクタ領域、ｐ型キャリア濃度３×１
０18ｃｍ-3のベース領域およびｎ型キャリア濃度３×１
０20ｃｍ-3のエミッタ領域をそれぞれ形成した後、エミ
ッタの微細フィンガ電極５１とベースの微細フィンガ電
極５２を形成する。
【０００４】その後、図５（ｂ）で示すように、エミッ
タの微細フィンガ電極５１およびベースの微細フィンガ
電極５２をそれぞれ共通に接続するバスライン電極５３
と、ベースおよびエミッタのパッド電極５４を形成す
る。例えば、各パッド電極５４中心間距離ａ＝０．５２
８ｍｍで、ベース用のバスライン電極５４端から最近接
のベースパッド電極中心までの距離ｂ＝０．２６４ｍ
ｍ、エミッタ用のバスライン電極端から最近接のエミッ
タパッド電極中心までの距離ｂ＝０．２６４ｍｍとす
る。
タの微細フィンガ電極５１およびベースの微細フィンガ
電極５２をそれぞれ共通に接続するバスライン電極５３
と、ベースおよびエミッタのパッド電極５４を形成す
る。例えば、各パッド電極５４中心間距離ａ＝０．５２
８ｍｍで、ベース用のバスライン電極５４端から最近接
のベースパッド電極中心までの距離ｂ＝０．２６４ｍ
ｍ、エミッタ用のバスライン電極端から最近接のエミッ
タパッド電極中心までの距離ｂ＝０．２６４ｍｍとす
る。
【０００５】次に、ＳｉＯ2 の保護膜（図示せず）を形
成した後、エミッタ、ベースの各ワイヤボンディング開
口をパッド電極５４の位置に形成して電力バイポーラト
ランジスタの基本構造が完成する。
成した後、エミッタ、ベースの各ワイヤボンディング開
口をパッド電極５４の位置に形成して電力バイポーラト
ランジスタの基本構造が完成する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記バイポーラトラン
ジスタにおいて、高周波過入力や過負荷動作時にバスラ
イン電極端に相当するアクティブエリア端が特に降伏
（ブレークダウン）しやすい問題があった。つまり、ア
クティブエリア端が他の部分に比べて耐電力性が低下し
ていることである。
ジスタにおいて、高周波過入力や過負荷動作時にバスラ
イン電極端に相当するアクティブエリア端が特に降伏
（ブレークダウン）しやすい問題があった。つまり、ア
クティブエリア端が他の部分に比べて耐電力性が低下し
ていることである。
【０００７】このブレークダウンエリアは、ＤＣバイア
ス時の局所ブレークダウンエリアとの対応はなく、高周
波動作特有で、高周波振幅電圧がＤＣバイアス電圧に印
加されたときの高周波定在波の発生による耐電力性への
影響の問題であり、さらに、バスライン電極とパッド電
極の構成配置に問題があることがわかった。つまり、従
来のバスライン電極とパッド電極のパターン構成配置で
は、高耐電力性の確保が困難であった。
ス時の局所ブレークダウンエリアとの対応はなく、高周
波動作特有で、高周波振幅電圧がＤＣバイアス電圧に印
加されたときの高周波定在波の発生による耐電力性への
影響の問題であり、さらに、バスライン電極とパッド電
極の構成配置に問題があることがわかった。つまり、従
来のバスライン電極とパッド電極のパターン構成配置で
は、高耐電力性の確保が困難であった。
【０００８】本発明は、上記課題を解決するもので、耐
電力性に優れた電力半導体装置を提供することを目的と
する。
電力性に優れた電力半導体装置を提供することを目的と
する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明は、一つの電極を構成する複数のフィンガ電極
と、この複数のフィンガ電極を共通に接続するバスライ
ン電極と、このバスライン電極から突出するように少な
くとも前記バスライン電極の両端に設けられ、かつ、前
記バスライン電極に沿って形成された複数のパッド電極
とを有し、隣合う前記パッド電極の中心間の距離をａ
（ｍｍ）、１波長実効電気長をλｇ（ｍｍ）とした場合
に、 ａ／λｇ＜０．００７ の関係があることを特徴とする。
本発明は、一つの電極を構成する複数のフィンガ電極
と、この複数のフィンガ電極を共通に接続するバスライ
ン電極と、このバスライン電極から突出するように少な
くとも前記バスライン電極の両端に設けられ、かつ、前
記バスライン電極に沿って形成された複数のパッド電極
とを有し、隣合う前記パッド電極の中心間の距離をａ
（ｍｍ）、１波長実効電気長をλｇ（ｍｍ）とした場合
に、 ａ／λｇ＜０．００７ の関係があることを特徴とする。
【００１０】また、一つの電極を構成する複数のフィン
ガ電極と、この複数のフィンガ電極を共通に接続するバ
スライン電極と、このバスライン電極から突出するよう
に少なくとも前記バスライン電極の両端から距離を置い
て設けられ、かつ、前記バスライン電極に沿って形成さ
れた複数のパッド電極とを有し、前記バスライン電極の
両端から両端に最近接のパッド電極中心までの距離をｂ
（ｍｍ）、隣合う前記パッド電極の中心間の距離をａ
（ｍｍ）、１波長実効電気長をλｇ（ｍｍ）とした場合
に、 ａ／λｇ＜０．００７、ｂ／λｇ＜０．００３５ の関係があることを特徴とする。
ガ電極と、この複数のフィンガ電極を共通に接続するバ
スライン電極と、このバスライン電極から突出するよう
に少なくとも前記バスライン電極の両端から距離を置い
て設けられ、かつ、前記バスライン電極に沿って形成さ
れた複数のパッド電極とを有し、前記バスライン電極の
両端から両端に最近接のパッド電極中心までの距離をｂ
（ｍｍ）、隣合う前記パッド電極の中心間の距離をａ
（ｍｍ）、１波長実効電気長をλｇ（ｍｍ）とした場合
に、 ａ／λｇ＜０．００７、ｂ／λｇ＜０．００３５ の関係があることを特徴とする。
【００１１】また、補助パッド電極を介して配線したこ
とを特徴とする。
とを特徴とする。
【００１２】本発明によれば、耐電力性の優れたバスラ
イン電極とパッド電極構成を有したバイポーラトランジ
スタなどのマイクロ波用電力半導体装置を耐電力性にお
いて高い歩留まりで得ることができる。
イン電極とパッド電極構成を有したバイポーラトランジ
スタなどのマイクロ波用電力半導体装置を耐電力性にお
いて高い歩留まりで得ることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態を図１乃
至図４の図面を用いて説明する。
至図４の図面を用いて説明する。
【００１４】実施の形態１は図１（ａ）で示したよう
に、符号１０は例えばＳｉ高キャリア濃度基板であり、
Ｓｉ高キャリア濃度基板１０上に、ｎ型キャリア濃度５
×１０15ｃｍ-3のコレクタ領域、ｐ型キャリア濃度３×
１０18ｃｍ-3のベース領域およびｎ型キャリア濃度３×
１０20ｃｍ-3のエミッタ領域をそれぞれ形成した後、エ
ミッタの微細フィンガー電極１１とベースの微細フィン
ガー電極１２を形成する。
に、符号１０は例えばＳｉ高キャリア濃度基板であり、
Ｓｉ高キャリア濃度基板１０上に、ｎ型キャリア濃度５
×１０15ｃｍ-3のコレクタ領域、ｐ型キャリア濃度３×
１０18ｃｍ-3のベース領域およびｎ型キャリア濃度３×
１０20ｃｍ-3のエミッタ領域をそれぞれ形成した後、エ
ミッタの微細フィンガー電極１１とベースの微細フィン
ガー電極１２を形成する。
【００１５】その後、図１（ｂ）で示すように、微細フ
ィンガー電極１１および微細フィンガー電極１２それぞ
れを共通に接続するバスライン電極１３と、バスライン
電極１３から突出するように設けられたパッド電極１４
を形成する。パッド電極１４中心間距離をａ、パッド電
極１４中心からバスライン電極１３端までの距離をｂと
する。本発明の実施の形態１は、例えば各パッド電極１
４中心間距離ａ＝０．２ｍｍで、ベースバスライン電極
端から最近接のベースパッド電極１４中心までの距離ｂ
＝０．１ｍｍ、エミッタバスライン電極１３端から最近
接のエミッタパッド電極中心までの距離ｂ＝０．１ｍｍ
とした。
ィンガー電極１１および微細フィンガー電極１２それぞ
れを共通に接続するバスライン電極１３と、バスライン
電極１３から突出するように設けられたパッド電極１４
を形成する。パッド電極１４中心間距離をａ、パッド電
極１４中心からバスライン電極１３端までの距離をｂと
する。本発明の実施の形態１は、例えば各パッド電極１
４中心間距離ａ＝０．２ｍｍで、ベースバスライン電極
端から最近接のベースパッド電極１４中心までの距離ｂ
＝０．１ｍｍ、エミッタバスライン電極１３端から最近
接のエミッタパッド電極中心までの距離ｂ＝０．１ｍｍ
とした。
【００１６】次に、ＳｉＯ2 の保護膜（図示せず）を形
成した後、エミッタ、ベースの各ワイヤボンディング開
口をパッド電極１４の位置に形成して電力バイポーラト
ランジスタの基本構造が完成する。
成した後、エミッタ、ベースの各ワイヤボンディング開
口をパッド電極１４の位置に形成して電力バイポーラト
ランジスタの基本構造が完成する。
【００１７】上記した構成の複数個のトランジスタに周
波数２．９ＧＨｚのマイクロ波を印加し耐電力性を評価
した結果、破壊するトランジスタはなく、優れた耐電力
性を得ることができる。
波数２．９ＧＨｚのマイクロ波を印加し耐電力性を評価
した結果、破壊するトランジスタはなく、優れた耐電力
性を得ることができる。
【００１８】実施の形態２は実施の形態１で示したトラ
ンジスタと同様な構成であるので同じ構成部分について
は省略する。実施の形態２では、図２に示すようにベー
スバスライン電極端にパッドを有しない場合であり、各
パッド電極中心間距離ａ＝０．２ｍｍで、エミッタバス
ライン電極端から最近接のエミッタパッド電極中心まで
の距離ｂ＝０．１ｍｍとした。この場合も、上記した構
成の複数個のトランジスタに周波数２．９［ＧＨｚ］の
マイクロ波を印加して耐電力性を評価した結果、破壊さ
れるトランジスタはなく、優れた耐電力性を得ることが
できる。
ンジスタと同様な構成であるので同じ構成部分について
は省略する。実施の形態２では、図２に示すようにベー
スバスライン電極端にパッドを有しない場合であり、各
パッド電極中心間距離ａ＝０．２ｍｍで、エミッタバス
ライン電極端から最近接のエミッタパッド電極中心まで
の距離ｂ＝０．１ｍｍとした。この場合も、上記した構
成の複数個のトランジスタに周波数２．９［ＧＨｚ］の
マイクロ波を印加して耐電力性を評価した結果、破壊さ
れるトランジスタはなく、優れた耐電力性を得ることが
できる。
【００１９】ところで、種々の電極パターンで試した結
果、パッド電極中心間距離（ａ［ｍｍ］）とパッド電極
中心からバスライン電極端までの距離（ｂ［ｍｍ］）を
小さくすることが耐電力性の向上において非常に効果的
であった。このパッド電極中心間距離と耐電力性、およ
びパッド電極中心からバスライン電極端までの距離と耐
電力性について図４に示した。図４（ａ）の縦軸は耐電
力性（％）、横軸は電極中心間距離の１波長実効電気長
に対する比率（％）（以下、比率ａと示す）を表してい
る。図４（ｂ）は縦軸を耐電力性（％）、横軸を電極中
心からバスライン電極端までの距離の１波長実効電気長
に対する比率（％）（以下、比率ｂと示す）を表してい
る。ここでわかるように、比率ａを０．７％以下、比率
ｂを０．３５％以下とすることで定在波発生に伴うトラ
ンジスタの電力破壊が起こらず耐電力性が向上する。
果、パッド電極中心間距離（ａ［ｍｍ］）とパッド電極
中心からバスライン電極端までの距離（ｂ［ｍｍ］）を
小さくすることが耐電力性の向上において非常に効果的
であった。このパッド電極中心間距離と耐電力性、およ
びパッド電極中心からバスライン電極端までの距離と耐
電力性について図４に示した。図４（ａ）の縦軸は耐電
力性（％）、横軸は電極中心間距離の１波長実効電気長
に対する比率（％）（以下、比率ａと示す）を表してい
る。図４（ｂ）は縦軸を耐電力性（％）、横軸を電極中
心からバスライン電極端までの距離の１波長実効電気長
に対する比率（％）（以下、比率ｂと示す）を表してい
る。ここでわかるように、比率ａを０．７％以下、比率
ｂを０．３５％以下とすることで定在波発生に伴うトラ
ンジスタの電力破壊が起こらず耐電力性が向上する。
【００２０】ここで、一般に１波長実効電気長λg ［ｍ
ｍ］は、光速をＣ［ｍｍ／ｓ］、使用周波数をｆ［Ｈ
ｚ］、配線した半導体の比誘電率をＥとしたとき、 λg ＝Ｃ／ｆ・Ｅ0.5 で表される。アクティブエリア内に定在波を立たせない
ような配線パターンは、図４からもわかるように、 ａ／λg ＜０．００７ ｂ／λg ＜０．００３５ となるように決定すればよい。
ｍ］は、光速をＣ［ｍｍ／ｓ］、使用周波数をｆ［Ｈ
ｚ］、配線した半導体の比誘電率をＥとしたとき、 λg ＝Ｃ／ｆ・Ｅ0.5 で表される。アクティブエリア内に定在波を立たせない
ような配線パターンは、図４からもわかるように、 ａ／λg ＜０．００７ ｂ／λg ＜０．００３５ となるように決定すればよい。
【００２１】実際、実施の形態１および実施の形態２
は、例えば周波数２．９［ＧＨｚ］、半導体材料はシリ
コンであるからシリコンの比誘電率Ｅ＝１１．８とする
と、 ａ／λg ＝０．００６、ｂ／λg ＝０．００３ となり、上記条件を満たしている。
は、例えば周波数２．９［ＧＨｚ］、半導体材料はシリ
コンであるからシリコンの比誘電率Ｅ＝１１．８とする
と、 ａ／λg ＝０．００６、ｂ／λg ＝０．００３ となり、上記条件を満たしている。
【００２２】このように、上記条件を満足するパッド電
極パターン構成によれば、耐電力性に優れたＳｉバイポ
ーラトランジスタを得ることができる。
極パターン構成によれば、耐電力性に優れたＳｉバイポ
ーラトランジスタを得ることができる。
【００２３】実施の形態３について図３を用いて説明す
る。実施の形態１および実施の形態２と同様な構成につ
いては説明を省略する。実施の形態３は図３（ａ）に示
すように、実施の形態１および実施の形態２と同様にバ
スライン電極３１とパッド電極３２が構成され、補助パ
ッド電極３３が設けられている。図３（ｂ）に補助パッ
ド電極３３を用いて配線ワイヤ３４を配線した構成を示
した。このように補助パッド電極３３を用いた場合、配
線ワイヤ３４の長さが短くなるため、配線ワイヤのイン
ダクタンス分が抑えられるのでトランジスタの特性に与
える影響が少なくてすむ。また、パッド電極３２が多い
場合にも配線が容易になる。
る。実施の形態１および実施の形態２と同様な構成につ
いては説明を省略する。実施の形態３は図３（ａ）に示
すように、実施の形態１および実施の形態２と同様にバ
スライン電極３１とパッド電極３２が構成され、補助パ
ッド電極３３が設けられている。図３（ｂ）に補助パッ
ド電極３３を用いて配線ワイヤ３４を配線した構成を示
した。このように補助パッド電極３３を用いた場合、配
線ワイヤ３４の長さが短くなるため、配線ワイヤのイン
ダクタンス分が抑えられるのでトランジスタの特性に与
える影響が少なくてすむ。また、パッド電極３２が多い
場合にも配線が容易になる。
【００２４】以上説明したように、本発明のバスライン
電極とパッド電極のパターン構成によれば、耐電力性に
優れた電力半導体装置を得ることができる。なお、上記
の説明ではＳｉバイポーラトランジスタを例にして行っ
たものの、Ｓｉバイポーラトランジスタに限定されるも
のではなく、半導体内部の材料や構造に関係なく、Ｇａ
ＡｓＦＥＴなどのマイクロ波帯以上の周波数で用いる他
の電力半導体装置へ適用できるのはいうまでもない。
電極とパッド電極のパターン構成によれば、耐電力性に
優れた電力半導体装置を得ることができる。なお、上記
の説明ではＳｉバイポーラトランジスタを例にして行っ
たものの、Ｓｉバイポーラトランジスタに限定されるも
のではなく、半導体内部の材料や構造に関係なく、Ｇａ
ＡｓＦＥＴなどのマイクロ波帯以上の周波数で用いる他
の電力半導体装置へ適用できるのはいうまでもない。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、耐電力性の優れたバス
ライン電極とパッド電極のパターン構成を有するＳｉバ
イポーラトランジスタなどの電力半導体装置を提供する
ことができる。
ライン電極とパッド電極のパターン構成を有するＳｉバ
イポーラトランジスタなどの電力半導体装置を提供する
ことができる。
【図１】本発明を説明する平面図である。
【図２】本発明を説明する平面図である。
【図３】本発明を説明する平面図である。
【図４】本発明を説明する線図である。
【図５】従来例を説明する平面図である。
１０、５０…基板 １１、５１…エミッタ微細フィンガ電極 １２、５２…ベース微細フィンガ電極 １３、２１、３１、５３…バスライン電極 １４、２２、３２、５４…パッド電極 ３３…補助パッド電極 ３４…配線ワイヤ
Claims (3)
- 【請求項１】 一つの電極を構成する複数のフィンガ電
極と、この複数のフィンガ電極を共通に接続するバスラ
イン電極と、このバスライン電極から突出するように少
なくとも前記バスライン電極の両端に設けられ、かつ、
前記バスライン電極に沿って形成された複数のパッド電
極とを有し、隣合う前記パッド電極の中心間の距離をａ
（ｍｍ）、１波長実効電気長をλｇ（ｍｍ）とした場合
に、 ａ／λｇ＜０．００７ の関係があることを特徴とする電力半導体装置。 - 【請求項２】 一つの電極を構成する複数のフィンガ電
極と、この複数のフィンガ電極を共通に接続するバスラ
イン電極と、このバスライン電極から突出するように少
なくとも前記バスライン電極の両端から距離を置いて設
けられ、かつ、前記バスライン電極に沿って形成された
複数のパッド電極とを有し、前記バスライン電極の両端
から両端に最近接のパッド電極中心までの距離をｂ（ｍ
ｍ）、隣合う前記パッド電極の中心間の距離をａ（ｍ
ｍ）、１波長実効電気長をλｇ（ｍｍ）とした場合に、 ａ／λｇ＜０．００７、ｂ／λｇ＜０．００３５ の関係があることを特徴とする電力半導体装置。 - 【請求項３】 補助パッド電極を具備し、前記パッド電
極からの配線を前記補助パッド電極を介して配線するこ
とを特徴とする請求項１又は請求項２記載の電力半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10127305A JPH11330085A (ja) | 1998-05-11 | 1998-05-11 | 電力半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10127305A JPH11330085A (ja) | 1998-05-11 | 1998-05-11 | 電力半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11330085A true JPH11330085A (ja) | 1999-11-30 |
Family
ID=14956671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10127305A Pending JPH11330085A (ja) | 1998-05-11 | 1998-05-11 | 電力半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11330085A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6713793B1 (en) * | 1999-07-15 | 2004-03-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Field effect transistor structure with bent gate |
-
1998
- 1998-05-11 JP JP10127305A patent/JPH11330085A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6713793B1 (en) * | 1999-07-15 | 2004-03-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Field effect transistor structure with bent gate |
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