JPH11340079A - セラミック電子部品およびその実装構造 - Google Patents
セラミック電子部品およびその実装構造Info
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- JPH11340079A JPH11340079A JP10148540A JP14854098A JPH11340079A JP H11340079 A JPH11340079 A JP H11340079A JP 10148540 A JP10148540 A JP 10148540A JP 14854098 A JP14854098 A JP 14854098A JP H11340079 A JPH11340079 A JP H11340079A
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- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
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- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
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- H05K3/341—Surface mounted components
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- H05K3/3426—Leaded components characterised by the leads
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- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
- H01F27/29—Terminals; Tapping arrangements for signal inductances
- H01F27/292—Surface mounted devices
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Multi-Conductor Connections (AREA)
- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 金属板からなる端子部材がセラミック電子部
品本体上の端子電極に接続された構造を有するセラミッ
ク電子部品の実装状態において、基板からの熱の影響を
低減し、この熱によってセラミック電子部品本体にクラ
ック等の機械的損傷が生じないようにする。 【解決手段】 端子部材５の長さ方向に沿って測定した
長さであって、セラミック電子部品本体３から基板２に
至るまでの中間部分７の長さＬを、５ｍｍ以上とする。
品本体上の端子電極に接続された構造を有するセラミッ
ク電子部品の実装状態において、基板からの熱の影響を
低減し、この熱によってセラミック電子部品本体にクラ
ック等の機械的損傷が生じないようにする。 【解決手段】 端子部材５の長さ方向に沿って測定した
長さであって、セラミック電子部品本体３から基板２に
至るまでの中間部分７の長さＬを、５ｍｍ以上とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、セラミック電子
部品およびその実装構造に関するもので、特に、たとえ
ば積層セラミックコンデンサのようにセラミック電子部
品本体を備えるセラミック電子部品の端子部分における
改良に関するものである。
部品およびその実装構造に関するもので、特に、たとえ
ば積層セラミックコンデンサのようにセラミック電子部
品本体を備えるセラミック電子部品の端子部分における
改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】たとえば積層セラミックコンデンサのよ
うに、両端部に端子電極が形成された、セラミック電子
部品本体を備えるセラミック電子部品を、基板上に実装
したとき、基板から及ぼされる熱の影響により、セラミ
ック電子部品本体にクラック等の機械的損傷を招くこと
がある。このような機械的損傷は、たとえば、近傍に発
熱する部品が配置されたり、基板として、熱放散性に優
れたアルミニウム基板が用いられたりした場合に、特に
生じやすい。
うに、両端部に端子電極が形成された、セラミック電子
部品本体を備えるセラミック電子部品を、基板上に実装
したとき、基板から及ぼされる熱の影響により、セラミ
ック電子部品本体にクラック等の機械的損傷を招くこと
がある。このような機械的損傷は、たとえば、近傍に発
熱する部品が配置されたり、基板として、熱放散性に優
れたアルミニウム基板が用いられたりした場合に、特に
生じやすい。
【０００３】すなわち、このような場合には、セラミッ
ク電子部品のセラミック電子部品本体において、部分的
に温度差が生じたり、また、このように温度差が生じる
ことが繰り返されたりして、セラミック電子部品本体の
機械的損傷を招くことになる。また、特にアルミニウム
基板上にセラミック電子部品が実装される場合には、ア
ルミニウム基板とセラミック電子部品本体との熱膨張率
の差が大きいため、温度の上昇または下降の過程におい
て、基板からセラミック電子部品本体へ比較的大きな応
力が及ぼされることがあり、このことも、セラミック電
子部品本体の機械的損傷を引き起こす原因となる。
ク電子部品のセラミック電子部品本体において、部分的
に温度差が生じたり、また、このように温度差が生じる
ことが繰り返されたりして、セラミック電子部品本体の
機械的損傷を招くことになる。また、特にアルミニウム
基板上にセラミック電子部品が実装される場合には、ア
ルミニウム基板とセラミック電子部品本体との熱膨張率
の差が大きいため、温度の上昇または下降の過程におい
て、基板からセラミック電子部品本体へ比較的大きな応
力が及ぼされることがあり、このことも、セラミック電
子部品本体の機械的損傷を引き起こす原因となる。
【０００４】上述したような問題を解消するため、セラ
ミック電子部品本体上に形成された端子電極に、金属板
からなる端子部材を取付け、これら端子部材を介して、
セラミック電子部品を基板上に実装することが行なわれ
ている。このような端子部材は、基板からセラミック電
子部品本体への熱の伝わりを低減するとともに、それ自
身の変形により、基板とセラミック電子部品本体との間
での熱膨張率の差を吸収し、セラミック電子部品本体に
及ぼされる応力を緩和するように作用する。
ミック電子部品本体上に形成された端子電極に、金属板
からなる端子部材を取付け、これら端子部材を介して、
セラミック電子部品を基板上に実装することが行なわれ
ている。このような端子部材は、基板からセラミック電
子部品本体への熱の伝わりを低減するとともに、それ自
身の変形により、基板とセラミック電子部品本体との間
での熱膨張率の差を吸収し、セラミック電子部品本体に
及ぼされる応力を緩和するように作用する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、セラミ
ック電子部品が置かれる環境によっては、端子部材によ
る機械的損傷防止の効果が十分に発揮できないことがあ
った。特に、セラミック電子部品に対して過酷な熱的条
件が及ぼされる場合、機械的損傷がより頻繁に生じてい
た。
ック電子部品が置かれる環境によっては、端子部材によ
る機械的損傷防止の効果が十分に発揮できないことがあ
った。特に、セラミック電子部品に対して過酷な熱的条
件が及ぼされる場合、機械的損傷がより頻繁に生じてい
た。
【０００６】そこで、この発明の目的は、上述したよう
な問題を解決し得る、セラミック電子部品およびその実
装構造を提供しようとすることである。
な問題を解決し得る、セラミック電子部品およびその実
装構造を提供しようとすることである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、まず、端子
電極が形成された、セラミック電子部品本体と、その長
さ方向の一方端側から他方端側に向かって、端子電極へ
の接続部分、中間部分、および基板への取付け部分を順
次与える、金属板をもって構成され、接続部分を介して
端子電極にそれぞれ接続された、端子部材とを備える、
セラミック電子部品に向けられ、上述した技術的課題を
解決するため、端子部材の長さ方向に沿って測定した上
述の中間部分の長さが、５ｍｍ以上であることを特徴と
している。
電極が形成された、セラミック電子部品本体と、その長
さ方向の一方端側から他方端側に向かって、端子電極へ
の接続部分、中間部分、および基板への取付け部分を順
次与える、金属板をもって構成され、接続部分を介して
端子電極にそれぞれ接続された、端子部材とを備える、
セラミック電子部品に向けられ、上述した技術的課題を
解決するため、端子部材の長さ方向に沿って測定した上
述の中間部分の長さが、５ｍｍ以上であることを特徴と
している。
【０００８】この発明において、上述の中間部分の長さ
は、１０ｍｍ以下であることが好ましい。また、この発
明において、端子部材の熱伝導率は、０．３ｃａｌ／ｃ
ｍ／ｓｅｃ／℃以下であることが好ましい。また、この
発明において、端子部材の輻射度は、黒体を１としたと
き、０．０３以上であることが好ましい。
は、１０ｍｍ以下であることが好ましい。また、この発
明において、端子部材の熱伝導率は、０．３ｃａｌ／ｃ
ｍ／ｓｅｃ／℃以下であることが好ましい。また、この
発明において、端子部材の輻射度は、黒体を１としたと
き、０．０３以上であることが好ましい。
【０００９】この発明は、また、端子電極が形成され
た、セラミック電子部品本体と、その長さ方向の一方端
部が端子電極に接続された、金属板からなる端子部材と
を備える、セラミック電子部品を、基板上に実装した構
造にも向けられ、上述した技術的課題を解決するため、
端子部材の長さ方向に沿って測定した長さであって、セ
ラミック電子部品本体から基板に至るまでの長さが、５
ｍｍ以上であることを特徴としている。
た、セラミック電子部品本体と、その長さ方向の一方端
部が端子電極に接続された、金属板からなる端子部材と
を備える、セラミック電子部品を、基板上に実装した構
造にも向けられ、上述した技術的課題を解決するため、
端子部材の長さ方向に沿って測定した長さであって、セ
ラミック電子部品本体から基板に至るまでの長さが、５
ｍｍ以上であることを特徴としている。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１は、この発明の第１の実施形
態によるセラミック電子部品１が基板２上に実装された
状態を示す正面図である。セラミック電子部品１は、た
とえば積層セラミックコンデンサを構成する、２つのセ
ラミック電子部品本体３を備え、各セラミック電子部品
本体３の両端部には、端子電極４が形成されている。端
子電極４は、スパッタリング、蒸着、めっき等の薄膜形
成技術により形成されても、導電性ペーストを付与し焼
き付ける厚膜形成技術により形成されても、さらには、
厚膜形成技術により形成された厚膜上にめっきを施すこ
とによって形成されてもよい。これらセラミック電子部
品本体３は、上下に積み重ねられ、接着剤（図示せ
ず。）により接合されている。
態によるセラミック電子部品１が基板２上に実装された
状態を示す正面図である。セラミック電子部品１は、た
とえば積層セラミックコンデンサを構成する、２つのセ
ラミック電子部品本体３を備え、各セラミック電子部品
本体３の両端部には、端子電極４が形成されている。端
子電極４は、スパッタリング、蒸着、めっき等の薄膜形
成技術により形成されても、導電性ペーストを付与し焼
き付ける厚膜形成技術により形成されても、さらには、
厚膜形成技術により形成された厚膜上にめっきを施すこ
とによって形成されてもよい。これらセラミック電子部
品本体３は、上下に積み重ねられ、接着剤（図示せ
ず。）により接合されている。
【００１１】上述した２つのセラミック電子部品本体３
の各々の端子電極４に共通に端子部材５が接続されてい
る。より詳細には、端子部材５は、全体として逆Ｕ字状
に折り曲げられた金属板をもって構成される。この端子
部材５となる金属板は、その長さ方向の一方端側から他
方端側に向かって、端子電極４への接続部分６、中間部
分７、および基板２への取付け部分８を順次与えてい
る。そして、接続部分６が各端子電極４に対してたとえ
ば半田もしくは導電性接着剤（図示せず。）または溶接
を用いて接続されることによって、端子部材５がセラミ
ック電子部品本体３に取付けられる。
の各々の端子電極４に共通に端子部材５が接続されてい
る。より詳細には、端子部材５は、全体として逆Ｕ字状
に折り曲げられた金属板をもって構成される。この端子
部材５となる金属板は、その長さ方向の一方端側から他
方端側に向かって、端子電極４への接続部分６、中間部
分７、および基板２への取付け部分８を順次与えてい
る。そして、接続部分６が各端子電極４に対してたとえ
ば半田もしくは導電性接着剤（図示せず。）または溶接
を用いて接続されることによって、端子部材５がセラミ
ック電子部品本体３に取付けられる。
【００１２】このような金属板からなる端子部材５を備
えるセラミック電子部品１は、各端子部材５の取付け部
分８を基板２上に位置させた状態で半田が付与されるこ
とによって、取付け部分８と基板２との間で半田付けが
達成され、それによって、セラミック電子部品１が基板
２上に実装された状態が得られる。このセラミック電子
部品１において、各端子部材５の長さ方向に沿って測定
した中間部分７の長さＬは、５ｍｍ以上とされている。
中間部分の長さＬは、実装状態における、端子部材５
の、セラミック電子部品本体３から基板２に至るまでの
長さに相当する。より詳細には、半田等によって固着さ
れていない領域の長さに相当する。したがって、このセ
ラミック電子部品本体３から基板２に至るまでの長さ
も、「Ｌ」で表わすことができる。
えるセラミック電子部品１は、各端子部材５の取付け部
分８を基板２上に位置させた状態で半田が付与されるこ
とによって、取付け部分８と基板２との間で半田付けが
達成され、それによって、セラミック電子部品１が基板
２上に実装された状態が得られる。このセラミック電子
部品１において、各端子部材５の長さ方向に沿って測定
した中間部分７の長さＬは、５ｍｍ以上とされている。
中間部分の長さＬは、実装状態における、端子部材５
の、セラミック電子部品本体３から基板２に至るまでの
長さに相当する。より詳細には、半田等によって固着さ
れていない領域の長さに相当する。したがって、このセ
ラミック電子部品本体３から基板２に至るまでの長さ
も、「Ｌ」で表わすことができる。
【００１３】このように、長さＬを５ｍｍ以上とするこ
とによって、基板２から及ぼされる熱がセラミック電子
部品本体３にまで伝わることを遅らせることができ、そ
のため、セラミック電子部品本体３において生じ得るク
ラック等の機械的損傷を防止することができる。このよ
うな効果を確認するため、以下のような実験を行なっ
た。
とによって、基板２から及ぼされる熱がセラミック電子
部品本体３にまで伝わることを遅らせることができ、そ
のため、セラミック電子部品本体３において生じ得るク
ラック等の機械的損傷を防止することができる。このよ
うな効果を確認するため、以下のような実験を行なっ
た。
【００１４】セラミック電子部品本体３として、高い静
電容量が得られるが、抗折強度が比較的低いことで知ら
れている、鉛複合ぺロブスカイト構造を有する誘電体セ
ラミックをもって構成した積層セラミックコンデンサと
なるものを用い、また、端子部材５として、銅合金から
なるものを用いた。このようなセラミック電子部品１に
おいて、端子部材５の中間部分７の長さＬが１ｍｍ、３
ｍｍ、４ｍｍ、５ｍｍ、および１０ｍｍにそれぞれなる
ように設定されたものを用意し、これらセラミック電子
部品１を基板２上に実装した。この場合、端子部材５の
半田付け領域は、中間部分７の長さＬの領域内には及ば
ないようにされている。また、端子部材５の中間部分７
の長さが短いものにあっては端子部材５を逆Ｕ字状に折
り曲げることなく実装した。
電容量が得られるが、抗折強度が比較的低いことで知ら
れている、鉛複合ぺロブスカイト構造を有する誘電体セ
ラミックをもって構成した積層セラミックコンデンサと
なるものを用い、また、端子部材５として、銅合金から
なるものを用いた。このようなセラミック電子部品１に
おいて、端子部材５の中間部分７の長さＬが１ｍｍ、３
ｍｍ、４ｍｍ、５ｍｍ、および１０ｍｍにそれぞれなる
ように設定されたものを用意し、これらセラミック電子
部品１を基板２上に実装した。この場合、端子部材５の
半田付け領域は、中間部分７の長さＬの領域内には及ば
ないようにされている。また、端子部材５の中間部分７
の長さが短いものにあっては端子部材５を逆Ｕ字状に折
り曲げることなく実装した。
【００１５】この実装状態において、基板２の温度を−
５０℃〜１２５℃の範囲で１０００サイクル変化させる
試験を行ない、各セラミック電子部品１に備えるセラミ
ック電子部品本体３におけるクラックの有無を評価し
た。端子部材５の中間部分７の長さＬとクラック発生率
との関係が、以下の表１に示されている。なお、表１に
は、この特定的な実験に供された各試料の１００ｋＨｚ
下での等価直列抵抗も示されている。
５０℃〜１２５℃の範囲で１０００サイクル変化させる
試験を行ない、各セラミック電子部品１に備えるセラミ
ック電子部品本体３におけるクラックの有無を評価し
た。端子部材５の中間部分７の長さＬとクラック発生率
との関係が、以下の表１に示されている。なお、表１に
は、この特定的な実験に供された各試料の１００ｋＨｚ
下での等価直列抵抗も示されている。
【００１６】
【表１】 表１からわかるように、端子部材５の中間部分７の長さ
Ｌが長いほど、クラック発生率が低減し、この長さＬを
５ｍｍ以上とすることにより、クラックを生じないよう
にすることができる。
Ｌが長いほど、クラック発生率が低減し、この長さＬを
５ｍｍ以上とすることにより、クラックを生じないよう
にすることができる。
【００１７】なお、表１に示した等価直列抵抗に注目す
ると、端子部材５の中間部分７の長さＬが長くなるほ
ど、等価直列抵抗が増加している。表１には示さない
が、長さＬが１０ｍｍを超えると、当然のことながら、
等価直列抵抗も６．３ｍΩを超える。このように、等価
直列抵抗が大きくなると、セラミック電子部品１に関わ
る電気的特性を低下させることがある。このような観点
から、端子部材５の中間部分７の長さＬは、１０ｍｍ以
下であることが好ましい。
ると、端子部材５の中間部分７の長さＬが長くなるほ
ど、等価直列抵抗が増加している。表１には示さない
が、長さＬが１０ｍｍを超えると、当然のことながら、
等価直列抵抗も６．３ｍΩを超える。このように、等価
直列抵抗が大きくなると、セラミック電子部品１に関わ
る電気的特性を低下させることがある。このような観点
から、端子部材５の中間部分７の長さＬは、１０ｍｍ以
下であることが好ましい。
【００１８】前述のように、端子部材５の中間部分７の
長さＬを５ｍｍ以上と長くすることによって、セラミッ
ク電子部品本体３におけるクラックの発生をなくすよう
にできたのは、基板２からセラミック電子部品本体３へ
の熱伝導を遅らせ、セラミック電子部品本体３への熱の
伝わりを少なくできたことによるものである。同様に、
セラミック電子部品本体３への熱の伝わりを少なくする
ため、端子部材５の熱伝導率を下げたり、熱放散性を高
めたりすることも有効である。
長さＬを５ｍｍ以上と長くすることによって、セラミッ
ク電子部品本体３におけるクラックの発生をなくすよう
にできたのは、基板２からセラミック電子部品本体３へ
の熱伝導を遅らせ、セラミック電子部品本体３への熱の
伝わりを少なくできたことによるものである。同様に、
セラミック電子部品本体３への熱の伝わりを少なくする
ため、端子部材５の熱伝導率を下げたり、熱放散性を高
めたりすることも有効である。
【００１９】前者の端子部材５の熱伝導率に関しては、
０．３ｃａｌ／ｃｍ／ｓｅｃ／℃以下であることが好ま
しく、端子部材５の材料として、たとえば、鉄−ニッケ
ル合金（熱伝導率：０．０６５ｃａｌ／ｃｍ／ｓｅｃ／
℃）や真鍮（熱伝導率：０．２９０ｃａｌ／ｃｍ／ｓｅ
ｃ／℃）を有利に用いることができる。また、後者の熱
放散性に関しては、端子部材５の輻射度が、黒体を１と
したとき、０．０３以上であることが好ましく、この点
において、端子部材５の材料として、銅、銀または真鍮
（輻射度：０．０３）や鉄（輻射度：０．６）やアルミ
ニウム（輻射度：０．０４）を有利に用いることができ
る。
０．３ｃａｌ／ｃｍ／ｓｅｃ／℃以下であることが好ま
しく、端子部材５の材料として、たとえば、鉄−ニッケ
ル合金（熱伝導率：０．０６５ｃａｌ／ｃｍ／ｓｅｃ／
℃）や真鍮（熱伝導率：０．２９０ｃａｌ／ｃｍ／ｓｅ
ｃ／℃）を有利に用いることができる。また、後者の熱
放散性に関しては、端子部材５の輻射度が、黒体を１と
したとき、０．０３以上であることが好ましく、この点
において、端子部材５の材料として、銅、銀または真鍮
（輻射度：０．０３）や鉄（輻射度：０．６）やアルミ
ニウム（輻射度：０．０４）を有利に用いることができ
る。
【００２０】なお、上述した熱伝導率または熱放散性の
点で好ましいとされた金属であっても、端子部材５の材
料として用いた場合、等価直列抵抗を無視できない程度
に増大させるものがある。このような場合、等価直列抵
抗の低減を図るため、端子部材５に、たとえば、ニッケ
ルめっき、銅めっき、銀めっき、または半田めっき等の
導電性に優れた金属のめっきを施すことが有効である。
このようなめっきは、１種類の金属をもって施されて
も、２種類以上の金属をもって多層に施されてもよい。
点で好ましいとされた金属であっても、端子部材５の材
料として用いた場合、等価直列抵抗を無視できない程度
に増大させるものがある。このような場合、等価直列抵
抗の低減を図るため、端子部材５に、たとえば、ニッケ
ルめっき、銅めっき、銀めっき、または半田めっき等の
導電性に優れた金属のめっきを施すことが有効である。
このようなめっきは、１種類の金属をもって施されて
も、２種類以上の金属をもって多層に施されてもよい。
【００２１】図２および図３は、それぞれ、この発明の
第２および第３の実施形態によるセラミック電子部品１
１および２１を示す、図１に相当する図である。図２お
よび図３において、図１に示す要素に相当する要素には
同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。図２
に示したセラミック電子部品１１は、図１に示した端子
部材５と同様、接続部分１６、中間部分１７および取付
け部分１８を与える、金属板をもって構成された端子部
材１５を備えるが、この端子部材１５は、全体として逆
Ｖ字状に折り曲げられた形状をなしている。端子部材１
５の中間部分１７は、ほぼ直線状に延びており、この中
間部分１７の長さＬが、５ｍｍ以上とされる。
第２および第３の実施形態によるセラミック電子部品１
１および２１を示す、図１に相当する図である。図２お
よび図３において、図１に示す要素に相当する要素には
同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。図２
に示したセラミック電子部品１１は、図１に示した端子
部材５と同様、接続部分１６、中間部分１７および取付
け部分１８を与える、金属板をもって構成された端子部
材１５を備えるが、この端子部材１５は、全体として逆
Ｖ字状に折り曲げられた形状をなしている。端子部材１
５の中間部分１７は、ほぼ直線状に延びており、この中
間部分１７の長さＬが、５ｍｍ以上とされる。
【００２２】図３に示したセラミック電子部品２１も、
図１に示した端子部材５と同様、接続部分２６、中間部
分２７および取付け部分２８を与える金属板をもって構
成された端子部材２５を備えている。この端子部材２５
において、中間部分２７は、ジグザグ状に延びる形態を
有していて、この中間部分２７の長さＬが５ｍｍ以上と
される。図３に示した端子部材２５のジグザグ状の形態
は、セラミック電子部品本体３が極めて小型化され、図
１または図２に示した形態の端子部材５または１５で
は、その中間部分７または１７において５ｍｍ以上の長
さＬを確保できない場合に有利に採用されることができ
る。
図１に示した端子部材５と同様、接続部分２６、中間部
分２７および取付け部分２８を与える金属板をもって構
成された端子部材２５を備えている。この端子部材２５
において、中間部分２７は、ジグザグ状に延びる形態を
有していて、この中間部分２７の長さＬが５ｍｍ以上と
される。図３に示した端子部材２５のジグザグ状の形態
は、セラミック電子部品本体３が極めて小型化され、図
１または図２に示した形態の端子部材５または１５で
は、その中間部分７または１７において５ｍｍ以上の長
さＬを確保できない場合に有利に採用されることができ
る。
【００２３】以上、この発明を図示した実施形態に関連
して説明したが、この発明の範囲内において、その他、
種々の変形例が可能である。たとえば、図示した各実施
形態では、セラミック電子部品１、１１または２１は、
２つのセラミック電子部品本体３を備えていたが、セラ
ミック電子部品本体の数は任意に変更でき、３つ以上で
あっても、単に１つであってもよい。
して説明したが、この発明の範囲内において、その他、
種々の変形例が可能である。たとえば、図示した各実施
形態では、セラミック電子部品１、１１または２１は、
２つのセラミック電子部品本体３を備えていたが、セラ
ミック電子部品本体の数は任意に変更でき、３つ以上で
あっても、単に１つであってもよい。
【００２４】また、セラミック電子部品本体３は、積層
セラミックコンデンサを構成するものに限らず、他の機
能を有するセラミック電子部品を構成するものであって
もよい。また、端子部材５、１５または２５の形態に関
して、図示した各実施形態では、典型的なものを示した
にすぎず、他の種々の形態を採用することができる。
セラミックコンデンサを構成するものに限らず、他の機
能を有するセラミック電子部品を構成するものであって
もよい。また、端子部材５、１５または２５の形態に関
して、図示した各実施形態では、典型的なものを示した
にすぎず、他の種々の形態を採用することができる。
【００２５】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、端子
部材における、端子電極への接続部分と基板への取付け
部分との間に挟まれた中間部分の長さであって、端子部
材の長さ方向に沿って測定した長さが、５ｍｍ以上とさ
れ、言い換えると、実装状態におけるセラミック電子部
品本体から基板に至るまでの長さが、５ｍｍ以上とされ
るので、基板からセラミック電子部品本体への熱伝導を
遅らせることができ、したがって、基板からセラミック
電子部品本体へ及ぼされる熱の影響を低減することがで
きる。その結果、このような熱に起因するセラミック電
子部品本体のクラック等の機械的損傷の発生を防止する
ことができる。
部材における、端子電極への接続部分と基板への取付け
部分との間に挟まれた中間部分の長さであって、端子部
材の長さ方向に沿って測定した長さが、５ｍｍ以上とさ
れ、言い換えると、実装状態におけるセラミック電子部
品本体から基板に至るまでの長さが、５ｍｍ以上とされ
るので、基板からセラミック電子部品本体への熱伝導を
遅らせることができ、したがって、基板からセラミック
電子部品本体へ及ぼされる熱の影響を低減することがで
きる。その結果、このような熱に起因するセラミック電
子部品本体のクラック等の機械的損傷の発生を防止する
ことができる。
【００２６】この発明において、中間部分の長さが１０
ｍｍ以下にされることにより、等価直列抵抗の増大を抑
制でき、セラミック電子部品の電気的特性の不所望な劣
化を防止することができる。また、この発明において、
端子部材の熱伝導率が、０．３ｃａｌ／ｃｍ／ｓｅｃ／
℃以下にされると、前述した中間部分の長さによる熱伝
導の抑制に加えて、端子部材の材料自身による熱伝導を
より効果的に抑制することができる。
ｍｍ以下にされることにより、等価直列抵抗の増大を抑
制でき、セラミック電子部品の電気的特性の不所望な劣
化を防止することができる。また、この発明において、
端子部材の熱伝導率が、０．３ｃａｌ／ｃｍ／ｓｅｃ／
℃以下にされると、前述した中間部分の長さによる熱伝
導の抑制に加えて、端子部材の材料自身による熱伝導を
より効果的に抑制することができる。
【００２７】また、この発明において、端子部材の輻射
度が、０．０３以上にされると、端子部材からの高い熱
放散性によって、端子電極での熱の伝わりの低減をさら
に期待することができる。
度が、０．０３以上にされると、端子部材からの高い熱
放散性によって、端子電極での熱の伝わりの低減をさら
に期待することができる。
【図１】この発明の第１の実施形態によるセラミック電
子部品１の実装状態を示す正面図である。
子部品１の実装状態を示す正面図である。
【図２】この発明の第２の実施形態によるセラミック電
子部品１１の実装状態を示す正面図である。
子部品１１の実装状態を示す正面図である。
【図３】この発明の第３の実施形態によるセラミック電
子部品２１の実装状態を示す正面図である。
子部品２１の実装状態を示す正面図である。
１，１１，２１ セラミック電子部品 ２ 基板 ３ セラミック電子部品本体 ４ 端子電極 ５，１５，２５ 端子部材 ６，１６，２６ 接続部分 ７，１７，２７ 中間部分 ８，１８，２８ 取付け部分
Claims (5)
- 【請求項１】 端子電極が形成された、セラミック電子
部品本体と、 その長さ方向の一方端側から他方端側に向かって、前記
端子電極への接続部分、中間部分、および基板への取付
け部分を順次与える、金属板をもって構成され、前記接
続部分を介して前記端子電極に接続された、端子部材と
を備え、 前記端子部材の長さ方向に沿って測定した前記中間部分
の長さが、５ｍｍ以上であることを特徴とする、セラミ
ック電子部品。 - 【請求項２】 前記中間部分の長さが、１０ｍｍ以下で
あることを特徴とする、請求項１に記載のセラミック電
子部品。 - 【請求項３】 前記端子部材の熱伝導率が、０．３ｃａ
ｌ／ｃｍ／ｓｅｃ／℃以下であることを特徴とする、請
求項１または２に記載のセラミック電子部品。 - 【請求項４】 前記端子部材の輻射度が、黒体を１とし
たとき、０．０３以上であることを特徴とする、請求項
１ないし３のいずれかに記載のセラミック電子部品。 - 【請求項５】 端子電極が形成された、セラミック電子
部品本体と、その長さ方向の一方端部が前記端子電極に
接続された、金属板からなる端子部材とを備える、セラ
ミック電子部品を、基板上に実装した構造であって、 前記端子部材の長さ方向に沿って測定した長さであっ
て、前記セラミック電子部品本体から前記基板に至るま
での長さが、５ｍｍ以上であることを特徴とする、セラ
ミック電子部品の実装構造。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10148540A JPH11340079A (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | セラミック電子部品およびその実装構造 |
| GB9909600A GB2337876B (en) | 1998-05-29 | 1999-04-26 | Ceramic electronic part and mounting structure for the same |
| US09/301,251 US6201683B1 (en) | 1998-05-29 | 1999-04-28 | Ceramic electronic part and mounting structure for the same |
| DE19924341A DE19924341A1 (de) | 1998-05-29 | 1999-05-27 | Elektronisches Keramikbauteil und eine Anbringungsstruktur für dasselbe |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10148540A JPH11340079A (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | セラミック電子部品およびその実装構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11340079A true JPH11340079A (ja) | 1999-12-10 |
Family
ID=15455067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10148540A Pending JPH11340079A (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | セラミック電子部品およびその実装構造 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6201683B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11340079A (ja) |
| DE (1) | DE19924341A1 (ja) |
| GB (1) | GB2337876B (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2002231569A (ja) * | 2001-02-06 | 2002-08-16 | Tdk Corp | セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
| JP2006294790A (ja) * | 2005-04-08 | 2006-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ケースモールド型コンデンサ |
| JP2006324458A (ja) * | 2005-05-19 | 2006-11-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | コイル部品 |
| JP2015135890A (ja) * | 2014-01-17 | 2015-07-27 | 住友電装株式会社 | 端子付きコンデンサの製造方法、コンデンサ用端子金具、コンデンサ及びコンデンサ内蔵コネクタ |
| CN109478464A (zh) * | 2016-06-10 | 2019-03-15 | Tdk电子股份有限公司 | 用于对干扰信号滤波的滤波器件 |
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| JP2001189233A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Murata Mfg Co Ltd | 積層コンデンサ |
| JP3476800B2 (ja) * | 2001-08-22 | 2003-12-10 | Ｔｄｋ株式会社 | ラジアルリード型積層セラミック電子部品 |
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| US7152291B2 (en) | 2002-04-15 | 2006-12-26 | Avx Corporation | Method for forming plated terminations |
| US7463474B2 (en) * | 2002-04-15 | 2008-12-09 | Avx Corporation | System and method of plating ball grid array and isolation features for electronic components |
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| US20080239621A1 (en) * | 2007-03-29 | 2008-10-02 | Azizuddin Tajuddin | Clip-on leadframe |
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| JP2019062042A (ja) * | 2017-09-26 | 2019-04-18 | 太陽誘電株式会社 | 金属端子付き電子部品および電子部品実装回路基板 |
| JP2023048283A (ja) * | 2021-09-28 | 2023-04-07 | Tdk株式会社 | 金属端子付き電子部品 |
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| US4158218A (en) * | 1977-09-19 | 1979-06-12 | Union Carbide Corporation | Ceramic capacitor device |
| GB9814317D0 (en) * | 1997-07-23 | 1998-09-02 | Murata Manufacturing Co | Ceramic electronic part and method for producing the same |
-
1998
- 1998-05-29 JP JP10148540A patent/JPH11340079A/ja active Pending
-
1999
- 1999-04-26 GB GB9909600A patent/GB2337876B/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-04-28 US US09/301,251 patent/US6201683B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-05-27 DE DE19924341A patent/DE19924341A1/de not_active Withdrawn
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2337876B (en) | 2000-07-12 |
| DE19924341A1 (de) | 1999-12-02 |
| GB9909600D0 (en) | 1999-06-23 |
| GB2337876A (en) | 1999-12-01 |
| US6201683B1 (en) | 2001-03-13 |
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