JPH11340155A - 半導体ウェーハ熱処理用部材およびこれを用いた治具 - Google Patents
半導体ウェーハ熱処理用部材およびこれを用いた治具Info
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Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】熱処理中に半導体ウェーハにスリップを発生さ
せず、かつウェーハを汚染する重金属のゲッタリング効
果を有する半導体ウェーハ熱処理用治具を提供する。 【解決手段】半導体ウェーハＷを支持するウェーハ支持
部材２を、ポリシリコンを粉砕後、成形焼結した焼結体
シリコンにより形成する。
せず、かつウェーハを汚染する重金属のゲッタリング効
果を有する半導体ウェーハ熱処理用治具を提供する。 【解決手段】半導体ウェーハＷを支持するウェーハ支持
部材２を、ポリシリコンを粉砕後、成形焼結した焼結体
シリコンにより形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は薄板状体の半導体ウ
ェーハ熱処理用部材およびこれを用いた治具に係わり、
特に熱処理中に半導体ウェーハにスリップを発生させず
かつ重金属のゲッタリング効果を有する半導体ウェーハ
熱処理用部材およびこれを用いた治具に関する。
ェーハ熱処理用部材およびこれを用いた治具に係わり、
特に熱処理中に半導体ウェーハにスリップを発生させず
かつ重金属のゲッタリング効果を有する半導体ウェーハ
熱処理用部材およびこれを用いた治具に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程においては、酸
化、拡散等多数の熱処理工程があり、この熱処理工程毎
に複数の半導体ウェーハを縦型ウェーハボートに載置
し、多数の半導体ウェーハが載置された縦型ウェーハボ
ートを縦型熱処理炉に収納し、加熱して熱処理を行って
いる。
化、拡散等多数の熱処理工程があり、この熱処理工程毎
に複数の半導体ウェーハを縦型ウェーハボートに載置
し、多数の半導体ウェーハが載置された縦型ウェーハボ
ートを縦型熱処理炉に収納し、加熱して熱処理を行って
いる。
【０００３】半導体ウェーハが載置される縦型ウェーハ
ボートは、ウェーハを載置するための多数のスリットを
有する棒形状の支持部材を複数本、縦方向に平行に立設
した構造になっており、半導体ウェーハは半導体ウェー
ハの外周部の数点を支持部材のスリットで支持された状
態で、縦型熱処理炉で熱処理される。また、縦型ウェー
ハボートを形成する素材としては、石英ガラス、ＳｉＣ
コートを施したＳｉ含浸ＳｉＣ、単結晶シリコンなどが
使用されている。
ボートは、ウェーハを載置するための多数のスリットを
有する棒形状の支持部材を複数本、縦方向に平行に立設
した構造になっており、半導体ウェーハは半導体ウェー
ハの外周部の数点を支持部材のスリットで支持された状
態で、縦型熱処理炉で熱処理される。また、縦型ウェー
ハボートを形成する素材としては、石英ガラス、ＳｉＣ
コートを施したＳｉ含浸ＳｉＣ、単結晶シリコンなどが
使用されている。
【０００４】縦型ボートの支持部材のスリットで支持さ
れた半導体ウェーハは、支持部から自重による応力を受
け、さらに熱処理時にはウェーハ面内の温度差によって
熱応力を受ける。
れた半導体ウェーハは、支持部から自重による応力を受
け、さらに熱処理時にはウェーハ面内の温度差によって
熱応力を受ける。
【０００５】これら重畳した応力が半導体ウェーハのシ
リコン結晶のせん断降伏応力値を越えると、半導体ウェ
ーハに結晶転位が生じ、スリップとなり、半導体ウェー
ハの品質を低下させる。
リコン結晶のせん断降伏応力値を越えると、半導体ウェ
ーハに結晶転位が生じ、スリップとなり、半導体ウェー
ハの品質を低下させる。
【０００６】半導体ウェーハにスリップを発生させるせ
ん断降伏応力値は高温であるほど小さく、すなわちスリ
ップが発生しやすい。
ん断降伏応力値は高温であるほど小さく、すなわちスリ
ップが発生しやすい。
【０００７】さらに近年、半導体デバイスの高集積化に
伴い、ウェーハ１枚あたりのデバイス収率を上げるた
め、ウェーハの大口径化が進んでおり、このウェーハ径
の増大とともに、ボートの支持部から受ける応力が増大
し、スリップ転位が発生しやすくなり、深刻な問題とな
っている。また、ＣＶＤ法により高温に加熱された半導
体ウェーハの表面にシリコン単結晶を堆積、成長させる
ためのエピタキシャル成長装置においては、バッチ式、
あるいは枚葉式サセプタにはＳｉＣコートした黒鉛基材
が用いられている。
伴い、ウェーハ１枚あたりのデバイス収率を上げるた
め、ウェーハの大口径化が進んでおり、このウェーハ径
の増大とともに、ボートの支持部から受ける応力が増大
し、スリップ転位が発生しやすくなり、深刻な問題とな
っている。また、ＣＶＤ法により高温に加熱された半導
体ウェーハの表面にシリコン単結晶を堆積、成長させる
ためのエピタキシャル成長装置においては、バッチ式、
あるいは枚葉式サセプタにはＳｉＣコートした黒鉛基材
が用いられている。
【０００８】また、高温熱処理（１１００℃〜１２５０
０℃）は上述のようにスリップが発生しやすいばかりで
なく、半導体ウェーハが重金属汚染を受けるという欠点
もある。これは縦型熱処理炉の炉部材中に含まれている
重金属が高温処理の熱拡散によって炉内に放出され、半
導体ウェーハを汚染するためである。
０℃）は上述のようにスリップが発生しやすいばかりで
なく、半導体ウェーハが重金属汚染を受けるという欠点
もある。これは縦型熱処理炉の炉部材中に含まれている
重金属が高温処理の熱拡散によって炉内に放出され、半
導体ウェーハを汚染するためである。
【０００９】半導体ウェーハは金属汚染によってデバイ
ス特性の劣化や歩留りの低下を引き起こすが、この金属
汚染は半導体ウェーハのデバイス活性領域である表層部
になければよいため、金属不純物を半導体ウェーハの内
部や裏面に捕捉するゲッタリング技術が盛んに研究され
ている。
ス特性の劣化や歩留りの低下を引き起こすが、この金属
汚染は半導体ウェーハのデバイス活性領域である表層部
になければよいため、金属不純物を半導体ウェーハの内
部や裏面に捕捉するゲッタリング技術が盛んに研究され
ている。
【００１０】本発明に関連する従来技術として、例え
ば、特開平５−１５２２２８号公報には、半導体ウェー
ハよりも大きな円板状のシリコン単結晶、石英もしくは
ＳｉＣからなる保持部材を、平行に立設された複数本の
棒形状支持支柱に設けられた支持部材の支持用溝により
支持させ、支持部材上に支持部材よりも小さい半導体ウ
ェーハを載置する方法が開示されている。ここに開示さ
れた方法は、支持部材を半導体ウェーハよりも大きく形
成することにより、成膜工程において、半導体ウェーハ
が支持支柱に接触するのを防止して、半導体ウェーハの
破損等を防止するものである。
ば、特開平５−１５２２２８号公報には、半導体ウェー
ハよりも大きな円板状のシリコン単結晶、石英もしくは
ＳｉＣからなる保持部材を、平行に立設された複数本の
棒形状支持支柱に設けられた支持部材の支持用溝により
支持させ、支持部材上に支持部材よりも小さい半導体ウ
ェーハを載置する方法が開示されている。ここに開示さ
れた方法は、支持部材を半導体ウェーハよりも大きく形
成することにより、成膜工程において、半導体ウェーハ
が支持支柱に接触するのを防止して、半導体ウェーハの
破損等を防止するものである。
【００１１】しかしながら、この発明では、例え円板状
の支持部材を用いたとしても、これがシリコン単結晶も
しくは、石英からなる場合には、高温熱処理中に発生す
るスリップを十分に防止することができず、またＳｉＣ
を含めたいずれの材質においても、重金属汚染によるデ
バイス特性の劣化や歩留りの低下を十分に防止すること
ができなかった。
の支持部材を用いたとしても、これがシリコン単結晶も
しくは、石英からなる場合には、高温熱処理中に発生す
るスリップを十分に防止することができず、またＳｉＣ
を含めたいずれの材質においても、重金属汚染によるデ
バイス特性の劣化や歩留りの低下を十分に防止すること
ができなかった。
【００１２】また、特開平６−１５１３４７号公報に
は、半円弧状の支持部材により半導体ウェーハを支持
し、縦型炉での熱処理時半導体ウェーハにスリップが発
生するのを防止する縦型熱処理炉用ボートが開示されて
いるが、この縦型熱処理炉用ボートは、半円弧形状の支
持部材で支持しているため、３００φｍｍの大口径の半
導体ウェーハ用には適さず、さらに重金属汚染よるデバ
イス特性の劣化や歩留りの低下を防止する方策は考慮さ
れていない。
は、半円弧状の支持部材により半導体ウェーハを支持
し、縦型炉での熱処理時半導体ウェーハにスリップが発
生するのを防止する縦型熱処理炉用ボートが開示されて
いるが、この縦型熱処理炉用ボートは、半円弧形状の支
持部材で支持しているため、３００φｍｍの大口径の半
導体ウェーハ用には適さず、さらに重金属汚染よるデバ
イス特性の劣化や歩留りの低下を防止する方策は考慮さ
れていない。
【００１３】さらに上述の半円弧形状の支持部材に変え
てリング形状に半導体ウェーハを線接触で支持する構造
の縦型熱処理炉用ボートが提案されているが、このボー
トはリング状の保持部を精度よく製造するのが難しく、
支持精度に問題があり、実質的には３点ないし４支持支
持になってしまい、ウェーハのスリップ問題を解決する
に至っていない。
てリング形状に半導体ウェーハを線接触で支持する構造
の縦型熱処理炉用ボートが提案されているが、このボー
トはリング状の保持部を精度よく製造するのが難しく、
支持精度に問題があり、実質的には３点ないし４支持支
持になってしまい、ウェーハのスリップ問題を解決する
に至っていない。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】そこで、高温熱処理中
にスリップが発生せず、かつ重金属汚染よるデバイス特
性の劣化や歩留りの低下をきたさない半導体ウェーハ熱
処理用部材およびこれを用いた治具が要望されている。
にスリップが発生せず、かつ重金属汚染よるデバイス特
性の劣化や歩留りの低下をきたさない半導体ウェーハ熱
処理用部材およびこれを用いた治具が要望されている。
【００１５】本発明は上述した事情を考慮してなされた
もので、熱処理中に半導体ウェーハにスリップを発生さ
せず重金属のゲッタリング効果を有する半導体ウェーハ
熱処理用部材およびこれを用いた治具を提供することを
目的とする。
もので、熱処理中に半導体ウェーハにスリップを発生さ
せず重金属のゲッタリング効果を有する半導体ウェーハ
熱処理用部材およびこれを用いた治具を提供することを
目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
になされた本願請求項１の発明は、半導体ウェーハの少
なくとも一面全体を支持する薄板状体であって、この薄
板状体が多結晶シリコン粒状体を焼結したシリコン焼結
体からなることを特徴とする半導体ウェーハ熱処理用部
材であることを要旨としている。
になされた本願請求項１の発明は、半導体ウェーハの少
なくとも一面全体を支持する薄板状体であって、この薄
板状体が多結晶シリコン粒状体を焼結したシリコン焼結
体からなることを特徴とする半導体ウェーハ熱処理用部
材であることを要旨としている。
【００１７】本願請求項２の発明では、上記多結晶シリ
コン粒状体は３〜２５μｍの平均結晶粒径を有すること
を特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハ熱処理用
部材であることを要旨としている。
コン粒状体は３〜２５μｍの平均結晶粒径を有すること
を特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハ熱処理用
部材であることを要旨としている。
【００１８】本願請求項３の発明では、上記薄板状体は
円板形状であり、この直径をＤｍｍとするとき、厚さを
（Ｄ／２）2 ／１８０００〜（Ｄ／２）2 ／２８５００
ｍｍとすることを特徴とする請求項１もしくは２に記載
の半導体ウェーハ熱処理用部材であることを要旨として
いる。
円板形状であり、この直径をＤｍｍとするとき、厚さを
（Ｄ／２）2 ／１８０００〜（Ｄ／２）2 ／２８５００
ｍｍとすることを特徴とする請求項１もしくは２に記載
の半導体ウェーハ熱処理用部材であることを要旨として
いる。
【００１９】本願請求項４の発明では、上記半導体ウェ
ーハ熱処理用部材およびこれを受ける受体からなること
を特徴とする半導体ウェーハ熱処理用治具であることを
要旨としている。
ーハ熱処理用部材およびこれを受ける受体からなること
を特徴とする半導体ウェーハ熱処理用治具であることを
要旨としている。
【００２０】本願請求項５の発明では、上記半導体ウェ
ーハ熱処理用部材は上記受体に設けられた保持部で保持
されて、前記受体に着脱自在に配置されることを特徴と
する請求項４に記載の半導体ウェーハ熱処理用治具であ
ることを要旨としている。
ーハ熱処理用部材は上記受体に設けられた保持部で保持
されて、前記受体に着脱自在に配置されることを特徴と
する請求項４に記載の半導体ウェーハ熱処理用治具であ
ることを要旨としている。
【００２１】本願請求項６の発明では、上記受体は上記
半導体ウェーハ熱処理用部材を一定方向に間隔を有して
配置される保持部を有することを特徴とする請求項５に
記載の半導体ウェーハ熱処理用治具であることを要旨と
している。
半導体ウェーハ熱処理用部材を一定方向に間隔を有して
配置される保持部を有することを特徴とする請求項５に
記載の半導体ウェーハ熱処理用治具であることを要旨と
している。
【００２２】本願請求項７の発明では、上記受体は一枚
の上記半導体ウェーハ熱処理用部材を水平方向に固定配
置される保持部を有することを特徴とする請求項５に記
載の半導体ウェーハ熱処理用治具であることを要旨とし
ている。
の上記半導体ウェーハ熱処理用部材を水平方向に固定配
置される保持部を有することを特徴とする請求項５に記
載の半導体ウェーハ熱処理用治具であることを要旨とし
ている。
【００２３】本願請求項８の発明では、上記受体は縦型
ボートであることを特徴とする請求項６に記載の半導体
ウェーハ熱処理用治具であることを要旨としている。
ボートであることを特徴とする請求項６に記載の半導体
ウェーハ熱処理用治具であることを要旨としている。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係わる半導体ウェ
ーハ熱処理用治具の一実施の形態について添付図面に基
づき説明する。
ーハ熱処理用治具の一実施の形態について添付図面に基
づき説明する。
【００２５】図１に示すように本発明に係わる半導体ウ
ェーハ熱処理用治具１は、半導体ウェーハ熱処理用部
材、例えばウェーハＷが載置され薄板状で、円板形状の
ウェーハ支持部材２と、このウェーハ支持部材２を着脱
自在に受ける受体３で構成されている。
ェーハ熱処理用治具１は、半導体ウェーハ熱処理用部
材、例えばウェーハＷが載置され薄板状で、円板形状の
ウェーハ支持部材２と、このウェーハ支持部材２を着脱
自在に受ける受体３で構成されている。
【００２６】この受体３は例えば縦型ボートで、この縦
型ボート３はシリコン結晶で形成され、円板形状の基台
４と、この基台４に開口部５が形成されるように立設さ
れた３本の支柱６、６、６と、これら支柱６、６、６に
設けられた保持部、例えば各々長めに設けられた多数の
保持片７、７、７と、支柱６、６、６の安定と支柱６、
６、６間の間隔保持のために支柱６、６、６の上端に設
けられた馬蹄形状の上部固定板８で構成されている。
型ボート３はシリコン結晶で形成され、円板形状の基台
４と、この基台４に開口部５が形成されるように立設さ
れた３本の支柱６、６、６と、これら支柱６、６、６に
設けられた保持部、例えば各々長めに設けられた多数の
保持片７、７、７と、支柱６、６、６の安定と支柱６、
６、６間の間隔保持のために支柱６、６、６の上端に設
けられた馬蹄形状の上部固定板８で構成されている。
【００２７】ウェーハＷが載置されたウェーハ支持部材
２は、開口部５から挿入され、この支柱６、６、６の各
々の支持片７、７、７に載置されて受体３に着脱に収
納、配置される。
２は、開口部５から挿入され、この支柱６、６、６の各
々の支持片７、７、７に載置されて受体３に着脱に収
納、配置される。
【００２８】ウェーハ支持部材２は、直径Ｄが３００ｍ
ｍ、厚さｔが１．０ｍｍの薄板状で、かつ円板形状であ
り、平均粒径が３〜２５μｍ、例えば８μｍの粒状多結
晶シリコンを焼結した焼結体である。
ｍ、厚さｔが１．０ｍｍの薄板状で、かつ円板形状であ
り、平均粒径が３〜２５μｍ、例えば８μｍの粒状多結
晶シリコンを焼結した焼結体である。
【００２９】また、ウェーハ支持部材２の半導体ウェー
ハＷを支持する表面９ははこの表面９の全面に亘り凹凸
が０．１ｍｍ以下になるよう形成されている。
ハＷを支持する表面９ははこの表面９の全面に亘り凹凸
が０．１ｍｍ以下になるよう形成されている。
【００３０】ウェーハ支持部材２は、ウェーハＷを載置
すると図３に示すようにウェーハＷの重量によりウェー
ハＷとウェーハ支持部材２は全面接触しながら撓む。本
発明者等は、本発明に係わる薄板状で、かつ円板形状の
ウェーハ支持部材２の撓み量はウェーハ支持部材２の半
径（Ｄ／２）の２乗に比例し、厚さｔに反比例すること
を知見し、各々ウェーハＷが載置された複数枚のウェー
ハ支持部材２を重ねて熱処理する場合のウェーハ支持部
材２を考慮したウェーハ支持部材２の厚さは（Ｄ／２）
2 ／１８０００〜（Ｄ／２）2 ／２８５００ｍｍが適当
であることを導き出した。
すると図３に示すようにウェーハＷの重量によりウェー
ハＷとウェーハ支持部材２は全面接触しながら撓む。本
発明者等は、本発明に係わる薄板状で、かつ円板形状の
ウェーハ支持部材２の撓み量はウェーハ支持部材２の半
径（Ｄ／２）の２乗に比例し、厚さｔに反比例すること
を知見し、各々ウェーハＷが載置された複数枚のウェー
ハ支持部材２を重ねて熱処理する場合のウェーハ支持部
材２を考慮したウェーハ支持部材２の厚さは（Ｄ／２）
2 ／１８０００〜（Ｄ／２）2 ／２８５００ｍｍが適当
であることを導き出した。
【００３１】つまり、直径３００ｍｍのウェーハＷを重
ねて熱処理する場合には、ウェーハ支持部材２の厚さは
０．８〜１．２５ｍｍであり、直径３７５ｍｍのウェー
ハＷを重ねて熱処理する場合には、ウェーハ支持部材２
の厚さは１．２３〜１．９５ｍｍである。
ねて熱処理する場合には、ウェーハ支持部材２の厚さは
０．８〜１．２５ｍｍであり、直径３７５ｍｍのウェー
ハＷを重ねて熱処理する場合には、ウェーハ支持部材２
の厚さは１．２３〜１．９５ｍｍである。
【００３２】さらに、ウェーハ支持部材２の厚さが０．
８ｍｍより薄い場合には、ウェーハ支持部材２を支持す
る保持片７、７、７に対応するウェーハ支持部材２はの
部位に盛り上がりを生じさせ、スリップ発生の原因とな
る。また、ウェーハＷの支持、保持片７、７、７への載
置、および加熱処理の繰り返しにより、ウェーハ支持部
材２自身に転位が発生し、塑性変形を起こし、ウェーハ
支持部材２の凹凸が大きくなってしまうため、多数回使
用ができなくなる。
８ｍｍより薄い場合には、ウェーハ支持部材２を支持す
る保持片７、７、７に対応するウェーハ支持部材２はの
部位に盛り上がりを生じさせ、スリップ発生の原因とな
る。また、ウェーハＷの支持、保持片７、７、７への載
置、および加熱処理の繰り返しにより、ウェーハ支持部
材２自身に転位が発生し、塑性変形を起こし、ウェーハ
支持部材２の凹凸が大きくなってしまうため、多数回使
用ができなくなる。
【００３３】ウェーハ支持部材２の厚みを１．２ｍｍ以
上にすると上述の塑性変形は防止できるが、重量が増加
し実用的でなく、さらに熱容量が増大するため、ウェー
ハ支持部材２の温度差により生じる熱応力により、半導
体ウェーハＷにスリップが発生する虞れがある。
上にすると上述の塑性変形は防止できるが、重量が増加
し実用的でなく、さらに熱容量が増大するため、ウェー
ハ支持部材２の温度差により生じる熱応力により、半導
体ウェーハＷにスリップが発生する虞れがある。
【００３４】ウェーハ支持部材２を形成する焼結体は、
粒状多結晶シリコンを３〜２５μｍに粉砕し、成形・焼
結したもので、高強度、高純度であり、かつ適切な粒界
の存在により金属不純物に対してゲッタリング能力を有
する。なお、多結晶とは粒子状の小さな単結晶が不規則
な方向に結合した状態にものである。
粒状多結晶シリコンを３〜２５μｍに粉砕し、成形・焼
結したもので、高強度、高純度であり、かつ適切な粒界
の存在により金属不純物に対してゲッタリング能力を有
する。なお、多結晶とは粒子状の小さな単結晶が不規則
な方向に結合した状態にものである。
【００３５】粒状多結晶の平均粒径が３μｍ以下の場合
は、製造工程中の粒状多結晶シリコンの酸化防止および
不純物混入を十分防止することができず、焼結体の十分
な強度と熱伝導率が得られない。
は、製造工程中の粒状多結晶シリコンの酸化防止および
不純物混入を十分防止することができず、焼結体の十分
な強度と熱伝導率が得られない。
【００３６】また、平均粒径が２５μｍ以上の場合は、
焼結体の緻密さに欠け、焼結体の十分な強度と熱伝導率
が得られず、さらに粒界が少なく、金属不純物のゲッタ
リング性能が劣る。
焼結体の緻密さに欠け、焼結体の十分な強度と熱伝導率
が得られず、さらに粒界が少なく、金属不純物のゲッタ
リング性能が劣る。
【００３７】さらに、ウェーハ支持部材２の材質をシリ
コン単結晶とした場合には、多結晶シリコンの焼結体よ
りも強度が弱く、多結晶シリコンの焼結体の厚さと同等
の厚さでは、上述と同様に保持片７、７、７に対応する
ウェーハ支持部材２の部位に盛り上がりを生じさせ、ス
リップ発生の原因となり、支持、加熱処理の繰り返しに
より、ウェーハ支持部材２自身に転位が発生し、塑性変
形を起こし、ウェーハ支持部材２の凹凸が大きくなって
しまうため、多数回使用ができなくなる。
コン単結晶とした場合には、多結晶シリコンの焼結体よ
りも強度が弱く、多結晶シリコンの焼結体の厚さと同等
の厚さでは、上述と同様に保持片７、７、７に対応する
ウェーハ支持部材２の部位に盛り上がりを生じさせ、ス
リップ発生の原因となり、支持、加熱処理の繰り返しに
より、ウェーハ支持部材２自身に転位が発生し、塑性変
形を起こし、ウェーハ支持部材２の凹凸が大きくなって
しまうため、多数回使用ができなくなる。
【００３８】本発明に係わる半導体ウェーハ熱処理用治
具１は上述のような構造になっているから、半導体ウェ
ーハＷを熱処置する場合には、半導体ウェーハＷをウェ
ーハ支持部材２に同心円状に載置し、しかる後、この半
導体ウェーハＷが載置されたウェーハ支持部材２を開口
部５から挿入して、保持片７、７、７に多数載置し、ボ
ート３に収納する。この多数のウェーハ支持部材２が収
納されたボート３を熱処理炉（図示せず）に装填し、熱
処理炉を加熱して、半導体ウェーハＷを熱処理する。
具１は上述のような構造になっているから、半導体ウェ
ーハＷを熱処置する場合には、半導体ウェーハＷをウェ
ーハ支持部材２に同心円状に載置し、しかる後、この半
導体ウェーハＷが載置されたウェーハ支持部材２を開口
部５から挿入して、保持片７、７、７に多数載置し、ボ
ート３に収納する。この多数のウェーハ支持部材２が収
納されたボート３を熱処理炉（図示せず）に装填し、熱
処理炉を加熱して、半導体ウェーハＷを熱処理する。
【００３９】この熱処理工程において、熱処理炉の炉部
材中に含まれている重金属が高温処理の熱拡散によって
炉内に放出され、半導体ウェーハを汚染する虞れがある
が、重金属が発生してもウェーハ支持部材２は粒状多結
晶シリコンを粉砕後、成形焼結した焼結体シリコンによ
り形成されているので、ゲッタリング効果があり、ウェ
ーハ支持部材２が重金属を捕捉し、半導体ウェーハＷが
重金属汚染されることがない。
材中に含まれている重金属が高温処理の熱拡散によって
炉内に放出され、半導体ウェーハを汚染する虞れがある
が、重金属が発生してもウェーハ支持部材２は粒状多結
晶シリコンを粉砕後、成形焼結した焼結体シリコンによ
り形成されているので、ゲッタリング効果があり、ウェ
ーハ支持部材２が重金属を捕捉し、半導体ウェーハＷが
重金属汚染されることがない。
【００４０】また、ウェーハ支持部材２は半導体ウェー
ハＷを面接触した状態で支持しているので、ウェーハ支
持部材２から半導体ウェーハＷに集中応力がかからず、
熱処理工程において半導体ウェーハＷに熱応力がかかっ
ても、半導体ウェーハＷにスリップが発生することはな
い。
ハＷを面接触した状態で支持しているので、ウェーハ支
持部材２から半導体ウェーハＷに集中応力がかからず、
熱処理工程において半導体ウェーハＷに熱応力がかかっ
ても、半導体ウェーハＷにスリップが発生することはな
い。
【００４１】なお、上記説明は、半導体ウェーハ熱処理
用治具の形態に基づいてなされているが、この中のウェ
ーハ支持部材２が単独で用いられる場合にも、同部材に
おいて同等の作用、効果が生じることは言うまでもな
い。
用治具の形態に基づいてなされているが、この中のウェ
ーハ支持部材２が単独で用いられる場合にも、同部材に
おいて同等の作用、効果が生じることは言うまでもな
い。
【００４２】次に本発明に係わる半導体ウェーハ熱処理
用治具他の実施の形態を図４に基づき説明する。
用治具他の実施の形態を図４に基づき説明する。
【００４３】図４に示すような枚葉式サセプタ１１は口
径３００ｍｍ半導体ウェーハのような大口径ウェーハ用
に適するもので、受体１２とこの受体１２に受けられる
半導体ウェーハ熱処理用部材、例えばウェーハ支持部材
１３で構成されている。
径３００ｍｍ半導体ウェーハのような大口径ウェーハ用
に適するもので、受体１２とこの受体１２に受けられる
半導体ウェーハ熱処理用部材、例えばウェーハ支持部材
１３で構成されている。
【００４４】この受体１２はウェーハ支持部材１３を受
けるリング状の保持部１４とこの保持部１４の周囲に立
設された立上部１５より形成されている。
けるリング状の保持部１４とこの保持部１４の周囲に立
設された立上部１５より形成されている。
【００４５】本発明に係わる枚葉式サセプタ１１は上述
のような構造になっているから、半導体ウェーハＷを熱
処置する場合には、半導体ウェーハＷをウェーハ支持部
材１３に同心円状に載置し、しかる後、この半導体ウェ
ーハＷが載置されたウェーハ支持部材１３を受体１２に
収納し保持部１４で保持させる。
のような構造になっているから、半導体ウェーハＷを熱
処置する場合には、半導体ウェーハＷをウェーハ支持部
材１３に同心円状に載置し、しかる後、この半導体ウェ
ーハＷが載置されたウェーハ支持部材１３を受体１２に
収納し保持部１４で保持させる。
【００４６】このウェーハ支持部材１３が収納された枚
葉式サセプタ１１を熱処理炉（図示せず）に装填し、熱
処理炉を加熱して、半導体ウェーハＷを熱処理する。
葉式サセプタ１１を熱処理炉（図示せず）に装填し、熱
処理炉を加熱して、半導体ウェーハＷを熱処理する。
【００４７】この熱処理工程において、上述の一実施の
形態と同様の効果が得られる。さらに枚葉式サセプタ１
１は治具として縦型ボートに比べて小形、軽量で取扱い
が容易になり、大口径ウェーハ用に適する。
形態と同様の効果が得られる。さらに枚葉式サセプタ１
１は治具として縦型ボートに比べて小形、軽量で取扱い
が容易になり、大口径ウェーハ用に適する。
【００４８】
【実施例】［１］特性（かさ密度、強度、熱伝導率）測
定
定
【００４９】（１）試料の作製 平均粒径を変えた多結晶シリコンよりなり、直径３００
ｍｍ、厚さ１．０ｍｍで下記のような多結晶焼結体のウ
ェーハ支持板を各種試料として作製した。この試料の作
製方法は、平均粒径を変えた多結晶シリコンを直径３０
０ｍｍ、厚さ１００ｍｍの鋼製モールド中に充填し、ホ
ットプレスを用いて圧力３００ｋｇ／ｃｍ2 、温度１３
００℃で４時間保持し、その後１０〜４torrの非酸化性
雰囲気で焼成した。 実施例１；多結晶シリコンの平均粒径３ｍｍ、実施例
２；平均粒径８ｍｍ、実施例３；平均粒径２５ｍｍ、比
較例１；平均粒径１ｍｍ、比較例２；平均粒径３０ｍ
ｍ、比較例３；単結晶製ウェーハ支持部材。
ｍｍ、厚さ１．０ｍｍで下記のような多結晶焼結体のウ
ェーハ支持板を各種試料として作製した。この試料の作
製方法は、平均粒径を変えた多結晶シリコンを直径３０
０ｍｍ、厚さ１００ｍｍの鋼製モールド中に充填し、ホ
ットプレスを用いて圧力３００ｋｇ／ｃｍ2 、温度１３
００℃で４時間保持し、その後１０〜４torrの非酸化性
雰囲気で焼成した。 実施例１；多結晶シリコンの平均粒径３ｍｍ、実施例
２；平均粒径８ｍｍ、実施例３；平均粒径２５ｍｍ、比
較例１；平均粒径１ｍｍ、比較例２；平均粒径３０ｍ
ｍ、比較例３；単結晶製ウェーハ支持部材。
【００５０】（２）試料の特性測定結果 （１）の作製方法により作製した各試料のかさ密度、曲
げ強さおよび熱伝導率を測定した結果を表１に示す。
げ強さおよび熱伝導率を測定した結果を表１に示す。
【００５１】
【表１】 表１に示すような測定データから、多結晶の平均粒径が
２〜２５μｍの実施例１〜３は曲げ強さが２６３〜３１
５ＭＰａ、熱伝導率が９５〜１１０Ｗ／Ｍ・Ｋと高位で
ある。
２〜２５μｍの実施例１〜３は曲げ強さが２６３〜３１
５ＭＰａ、熱伝導率が９５〜１１０Ｗ／Ｍ・Ｋと高位で
ある。
【００５２】一方、平均粒径が１μｍの比較例１は曲げ
強さが１８０ＭＰａ、熱伝導率が７０Ｗ／Ｍ・Ｋ、平均
粒径が３０μｍの比較例２は曲げ強さが１６９ＭＰａ、
熱伝導率が８０Ｗ／Ｍ・Ｋと実施例１〜３に比べて低い
値にある。
強さが１８０ＭＰａ、熱伝導率が７０Ｗ／Ｍ・Ｋ、平均
粒径が３０μｍの比較例２は曲げ強さが１６９ＭＰａ、
熱伝導率が８０Ｗ／Ｍ・Ｋと実施例１〜３に比べて低い
値にある。
【００５３】なお、比較例３は熱伝導率が１５０Ｗ／Ｍ
・Ｋと最高値にあるが、曲げ強さが１００ＭＰａと最低
値にあり、荷重に対して撓みやすいことがわかる。
・Ｋと最高値にあるが、曲げ強さが１００ＭＰａと最低
値にあり、荷重に対して撓みやすいことがわかる。
【００５４】［２］スリップ評価試験 （１）試験方法 図１に示した構造を有しシリコン単結晶からなる縦型ボ
ートに上述の実施例２を保持させて用いた実施例４、同
ボートに図５に示すようなシリコン多結晶焼結体のリン
グ状支持部材を保持させて用いた比較例４、および従来
構造の４点支持ボートを用いた従来例につき、スリップ
評価試験を行った。
ートに上述の実施例２を保持させて用いた実施例４、同
ボートに図５に示すようなシリコン多結晶焼結体のリン
グ状支持部材を保持させて用いた比較例４、および従来
構造の４点支持ボートを用いた従来例につき、スリップ
評価試験を行った。
【００５５】（２）熱処理方法 上述した実施例２に直径３００ｍｍのサンプルウェーハ
を１枚毎、合計１０枚を載置した１０枚の実施例２を図
１のボートに配置し、かつサンプルウェーハの上下に各
々５枚づつダミーウェーハを配置し、加熱炉に充填、比
較例３に同上ウェーハを同１０枚載置し、同ダミーウェ
ーハを配置して、図１のボートに配置し加熱炉に充填、
従来例に同上ウェーハを同１０枚載置し、同ダミーウェ
ーハを配置して、加熱炉に充填し、次に示すシーケンス
で熱処理によるスリップ発生を評価した。 熱処理シーケンス：７００℃でアルゴン雰囲気の炉に炉
入、１２００℃まで昇温、１２００℃で２時間保持、７
００℃に降温、炉出。
を１枚毎、合計１０枚を載置した１０枚の実施例２を図
１のボートに配置し、かつサンプルウェーハの上下に各
々５枚づつダミーウェーハを配置し、加熱炉に充填、比
較例３に同上ウェーハを同１０枚載置し、同ダミーウェ
ーハを配置して、図１のボートに配置し加熱炉に充填、
従来例に同上ウェーハを同１０枚載置し、同ダミーウェ
ーハを配置して、加熱炉に充填し、次に示すシーケンス
で熱処理によるスリップ発生を評価した。 熱処理シーケンス：７００℃でアルゴン雰囲気の炉に炉
入、１２００℃まで昇温、１２００℃で２時間保持、７
００℃に降温、炉出。
【００５６】なお、試験に使用したシリコンウェーハは
酸素濃度が１．２５〜１．３×１０ 18atoms/ｃｍ3 （ｏ
ｌｄ ＡＳＴＭ）である。ウェーハ酸素濃度によって、
スリップの発生のしやすさが異なり、酸素濃度が低い
程、スリップは発生しやすくなる。酸素濃度１．３×１
０18atoms/ｃｍ3 以下ではかなり発生しやすい。 （３）評価方法 ウェーハスリップ転位の評価は、Ｘ線トポグラフ観察で
行い、用いたＸ線はＭｏＫα１、加速電圧６０ｋＶ、電
流３００ｍＡとし、回折面は２２０である。 （４）評価結果 実施例２、比較例３および従来例を用いて各々１０枚づ
つ熱処理したサンプルウェーハをスリップ評価した結果
を表２に示す。
酸素濃度が１．２５〜１．３×１０ 18atoms/ｃｍ3 （ｏ
ｌｄ ＡＳＴＭ）である。ウェーハ酸素濃度によって、
スリップの発生のしやすさが異なり、酸素濃度が低い
程、スリップは発生しやすくなる。酸素濃度１．３×１
０18atoms/ｃｍ3 以下ではかなり発生しやすい。 （３）評価方法 ウェーハスリップ転位の評価は、Ｘ線トポグラフ観察で
行い、用いたＸ線はＭｏＫα１、加速電圧６０ｋＶ、電
流３００ｍＡとし、回折面は２２０である。 （４）評価結果 実施例２、比較例３および従来例を用いて各々１０枚づ
つ熱処理したサンプルウェーハをスリップ評価した結果
を表２に示す。
【００５７】
【表２】 表２の結果からも明らかなように、実施例２を使用した
場合、スリップ転位が発生せず、大きな改善が見られ
た。
場合、スリップ転位が発生せず、大きな改善が見られ
た。
【００５８】リング方式は従来の４点支持よりスリップ
の大きさが減少してスリップの発生状況は緩和されてい
るが、スリップ発生を完全に防止する効果はない。
の大きさが減少してスリップの発生状況は緩和されてい
るが、スリップ発生を完全に防止する効果はない。
【００５９】［３］プレート材質と厚さ試験 （１）試料の作製 シリコン単結晶およびシリコン多結晶焼結体（実施例
４）で、各々０．４ｍｍ〜１．６ｍｍの厚さのウェーハ
支持部材を作製した。 （２）評価方法 シリコンウェーハをシリコン単結晶製のウェーハ支持部
材、および多結晶焼結体製のウェーハ支持部材に載置
し、図４に示すような毎葉式サセプタに収納保持し、上
述したと同様の熱処理シーケンスにより熱処理を行い、
スリップ発生を評価した。 （３）評価結果 評価結果をウェーハ支持部材の厚さとスリップ発生数の
関係で表したグラフを図６に示す。
４）で、各々０．４ｍｍ〜１．６ｍｍの厚さのウェーハ
支持部材を作製した。 （２）評価方法 シリコンウェーハをシリコン単結晶製のウェーハ支持部
材、および多結晶焼結体製のウェーハ支持部材に載置
し、図４に示すような毎葉式サセプタに収納保持し、上
述したと同様の熱処理シーケンスにより熱処理を行い、
スリップ発生を評価した。 （３）評価結果 評価結果をウェーハ支持部材の厚さとスリップ発生数の
関係で表したグラフを図６に示す。
【００６０】図６の結果からも明らかなように、シリコ
ン単結晶製支持部材を用いて熱処理した方が、シリコン
多結晶焼結体製ウェーハ支持部材を用いて熱処理した場
合よりも多くのスリップが発生する。
ン単結晶製支持部材を用いて熱処理した方が、シリコン
多結晶焼結体製ウェーハ支持部材を用いて熱処理した場
合よりも多くのスリップが発生する。
【００６１】シリコン多結晶焼結体製ウェーハ支持部材
でもその厚さが、０．６ｍｍ以下の場合には、保持片に
よりウェーハ支持部材に変形が生じてこの変形部とウェ
ーハが点接触し、この点接触部を起点としてスリップが
発生している。また、ウェーハ支持部材でもその厚さ
が、１．４ｍｍ以上の場合には、ウェーハ周辺の数カ所
よりスリップが発生しており、この発生は熱起因と思わ
れる。
でもその厚さが、０．６ｍｍ以下の場合には、保持片に
よりウェーハ支持部材に変形が生じてこの変形部とウェ
ーハが点接触し、この点接触部を起点としてスリップが
発生している。また、ウェーハ支持部材でもその厚さ
が、１．４ｍｍ以上の場合には、ウェーハ周辺の数カ所
よりスリップが発生しており、この発生は熱起因と思わ
れる。
【００６２】一方、シリコン単結晶製支持部材を用いて
ウェーハを熱処理した場合には、単結晶製支持部材の厚
さが０．８〜１．０ｍｍであっても、スリップは発生
し、厚さが０．８〜１．０ｍｍの範囲では、スリップが
全く発生しない（図５のＡ範囲参照）シリコン焼結体製
ウェーハ支持部材とは、明らかな差異がある。
ウェーハを熱処理した場合には、単結晶製支持部材の厚
さが０．８〜１．０ｍｍであっても、スリップは発生
し、厚さが０．８〜１．０ｍｍの範囲では、スリップが
全く発生しない（図５のＡ範囲参照）シリコン焼結体製
ウェーハ支持部材とは、明らかな差異がある。
【００６３】図６より明らかなように、シリコン焼結体
製ウェーハ支持部材の方が単結晶支持部材よりもスリッ
プ対策には効果があり、かつシリコン焼結体製ウェーハ
支持部材の厚さは０．８〜１．２ｍｍが望ましいことも
確認できた。
製ウェーハ支持部材の方が単結晶支持部材よりもスリッ
プ対策には効果があり、かつシリコン焼結体製ウェーハ
支持部材の厚さは０．８〜１．２ｍｍが望ましいことも
確認できた。
【００６４】［４］ウェーハ支持部材のゲッタリング効
果試験 （１）試料の作製 直径３００ｍｍのＣＺシリコンウェーハ（Ｐ型５〜１０
Ωｃｍ）を２枚、裏面にサンドブラスト処理（ＳＢ）を
施したシリコンウェーハを１枚、裏面にポリシリコン膜
を施した裏面ポリバックシール（ＰＢＳ）ウェーハを１
枚を用意し、各ウェーハにスピンコート法によって、Ｃ
u溶液を欠けてウェーハ表面を１０14atoms/ｃｍ2 程度
に汚染して試料を作製した。 （２）評価方法 汚染されたＣＺウェーハの１枚を上述した実施例２のウ
ェーハ支持部材に載置して（実施例５）、ボートに配置
し、残りのＣＺウェーハ（比較例５）、ＳＢウェーハ
（比較例６）およびＰＢＳウェーハ（比較例７）もボー
トに直接配置し、スリップ評価試験と同じ条件げ熱処理
を行った。熱処理後の各ウェーハを化学分析とウェーハ
の発生ライフタイムの測定を行う。 （３）評価結果 熱処理後の各ウェーハの表層部（１０μｍ）のＣｕ分析
の結果と熱処理後の発生ライフタイム値を表３に示す。
果試験 （１）試料の作製 直径３００ｍｍのＣＺシリコンウェーハ（Ｐ型５〜１０
Ωｃｍ）を２枚、裏面にサンドブラスト処理（ＳＢ）を
施したシリコンウェーハを１枚、裏面にポリシリコン膜
を施した裏面ポリバックシール（ＰＢＳ）ウェーハを１
枚を用意し、各ウェーハにスピンコート法によって、Ｃ
u溶液を欠けてウェーハ表面を１０14atoms/ｃｍ2 程度
に汚染して試料を作製した。 （２）評価方法 汚染されたＣＺウェーハの１枚を上述した実施例２のウ
ェーハ支持部材に載置して（実施例５）、ボートに配置
し、残りのＣＺウェーハ（比較例５）、ＳＢウェーハ
（比較例６）およびＰＢＳウェーハ（比較例７）もボー
トに直接配置し、スリップ評価試験と同じ条件げ熱処理
を行った。熱処理後の各ウェーハを化学分析とウェーハ
の発生ライフタイムの測定を行う。 （３）評価結果 熱処理後の各ウェーハの表層部（１０μｍ）のＣｕ分析
の結果と熱処理後の発生ライフタイム値を表３に示す。
【００６５】
【表３】
【００６６】実施例２により支持されたシリコンウェー
ハ（実施例５）はボートに直接３点支持された比較例５
と比較して、Ｃｕ汚染が低減し、さらにライフタイム値
も向上しており、シリコン焼結体製支持板のゲッタリン
グ効果が発揮されていると考えられる。別工程によりポ
リシリコン膜を施す比較例７には及ばないものの、別工
程で裏面をサンドブラストする比較例６以上のゲタリン
グ効果が見られ、シリコン焼結体製支持板はシリコンウ
ェーハ汚染の低減に有効であることがわかる。
ハ（実施例５）はボートに直接３点支持された比較例５
と比較して、Ｃｕ汚染が低減し、さらにライフタイム値
も向上しており、シリコン焼結体製支持板のゲッタリン
グ効果が発揮されていると考えられる。別工程によりポ
リシリコン膜を施す比較例７には及ばないものの、別工
程で裏面をサンドブラストする比較例６以上のゲタリン
グ効果が見られ、シリコン焼結体製支持板はシリコンウ
ェーハ汚染の低減に有効であることがわかる。
【発明の効果】本発明に係わる半導体ウェーハ熱処理用
部材およびこれを用いた治具は、ウェーハの高温熱処理
に伴うスリップ転位発生を防止することができるばかり
でなく、ウェーハの金属汚染に対するゲッタリング効果
を持たせることができる半導体ウェーハ熱処理用部材お
よびこれを用いた治具を提供することができる。
部材およびこれを用いた治具は、ウェーハの高温熱処理
に伴うスリップ転位発生を防止することができるばかり
でなく、ウェーハの金属汚染に対するゲッタリング効果
を持たせることができる半導体ウェーハ熱処理用部材お
よびこれを用いた治具を提供することができる。
【図１】本発明に係わる半導体ウェーハ熱処理用治具の
斜視図。
斜視図。
【図２】本発明に係わる半導体ウェーハ熱処理用治具に
用いられるウェーハ支持部材の斜視図。
用いられるウェーハ支持部材の斜視図。
【図３】図２のウェーハ支持部材の使用状態を示す説明
図。
図。
【図４】本発明に係わる半導体ウェーハ熱処理用治具の
他実施の形態の使用状態を示す断面図。
他実施の形態の使用状態を示す断面図。
【図５】評価試験の比較例のリング状支持部板を示す説
明図。
明図。
【図６】支持板の違いによるスリップの発生評価の結果
を示すグラフ。
を示すグラフ。
１ 半導体ウェーハ熱処理用治具 ２ 半導体ウェーハ熱処理用部材（ウェーハ支持部材） ３ 受体 ４ 基台 ５ 開口部 ６ 支柱 ７ 保持片 ８ 上部固定板 ９ 表面 １１ 枚葉式サセプタ １２ 受体 １３ ウェーハ支持部材 １４ 保持部 １５ 立上部 Ｄ ウェーハ支持部材の直径 Ｗ 半導体ウェーハ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１０年１０月１６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
になされた本願請求項１の発明は、半導体ウェーハの少
なくとも一面全体を支持する薄板状体であって、この薄
板状体が多結晶シリコン粒状体を焼結したシリコン焼結
体からなることを特徴とする半導体ウェーハ熱処理用部
材であることを要旨としている。
になされた本願請求項１の発明は、半導体ウェーハの少
なくとも一面全体を支持する薄板状体であって、この薄
板状体が多結晶シリコン粒状体を焼結したシリコン焼結
体からなることを特徴とする半導体ウェーハ熱処理用部
材であることを要旨としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１７】本願請求項２の発明では、上記多結晶シリ
コン粒状体は３〜２５μｍの平均結晶粒径を有すること
を特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハ熱処理用
部材であることを要旨としている。
コン粒状体は３〜２５μｍの平均結晶粒径を有すること
を特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハ熱処理用
部材であることを要旨としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１８】本願請求項３の発明では、上記薄板状体は
円板形状であり、この直径をＤｍｍとするとき、厚さを
（Ｄ／２）2／１８０００〜（Ｄ／２）2／２８５００ｍ
ｍとすることを特徴とする請求項１もしくは２に記載の
半導体ウェーハ熱処理用部材であることを要旨としてい
る。
円板形状であり、この直径をＤｍｍとするとき、厚さを
（Ｄ／２）2／１８０００〜（Ｄ／２）2／２８５００ｍ
ｍとすることを特徴とする請求項１もしくは２に記載の
半導体ウェーハ熱処理用部材であることを要旨としてい
る。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１９】本願請求項４の発明では、３〜２５μｍの
平均結晶粒径を有する多結晶シリコン粒状体よりなる半
導体ウェーハ熱処理用部材およびこれを受ける受体から
なることを特徴とする半導体ウェーハ熱処理用治具であ
ることを要旨としている。
平均結晶粒径を有する多結晶シリコン粒状体よりなる半
導体ウェーハ熱処理用部材およびこれを受ける受体から
なることを特徴とする半導体ウェーハ熱処理用治具であ
ることを要旨としている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２０】本願請求項５の発明では、上記半導体ウェ
ーハ熱処理用部材は薄板状体の円板形状であり、この直
径をＤｍｍとするとき、厚さを（Ｄ／２）2／１８００
０〜（Ｄ／２）2／２８５００ｍｍとすることを特徴と
する請求項４に記載のウェーハ熱処理用治具であること
を要旨としている。
ーハ熱処理用部材は薄板状体の円板形状であり、この直
径をＤｍｍとするとき、厚さを（Ｄ／２）2／１８００
０〜（Ｄ／２）2／２８５００ｍｍとすることを特徴と
する請求項４に記載のウェーハ熱処理用治具であること
を要旨としている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２１】本願請求項６の発明では、上記半導体ウェ
ーハ熱処理用部材は上記受体に設けられた保持部で保持
されて、前記受体に着脱自在に配置されることを特徴と
する請求項４または５に記載の半導体ウェーハ熱処理用
治具であることを要旨としている。
ーハ熱処理用部材は上記受体に設けられた保持部で保持
されて、前記受体に着脱自在に配置されることを特徴と
する請求項４または５に記載の半導体ウェーハ熱処理用
治具であることを要旨としている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２２】本願請求項７の発明では、上記受体は上記
半導体ウェーハ熱処理用部材を一定方向に間隔を有して
配置される保持部を有することを特徴とする請求項５ま
たは６に記載の半導体ウェーハ熱処理用治具であること
を要旨としている。
半導体ウェーハ熱処理用部材を一定方向に間隔を有して
配置される保持部を有することを特徴とする請求項５ま
たは６に記載の半導体ウェーハ熱処理用治具であること
を要旨としている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２３】本願請求項８の発明では、上記受体は一枚
の上記半導体ウェーハ熱処理用部材を水平方向に固定配
置される保持部を有することを特徴とする請求項６に記
載の半導体ウェーハ熱処理用治具であることを要旨とし
ている。本願請求項９の発明では、上記受体は縦型ボー
トであることを特徴とする請求項７に記載の半導体ウェ
ーハ熱処理用治具であることを要旨としている。 ─────────────────────────────────────────────────────
の上記半導体ウェーハ熱処理用部材を水平方向に固定配
置される保持部を有することを特徴とする請求項６に記
載の半導体ウェーハ熱処理用治具であることを要旨とし
ている。本願請求項９の発明では、上記受体は縦型ボー
トであることを特徴とする請求項７に記載の半導体ウェ
ーハ熱処理用治具であることを要旨としている。 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１０年１１月１７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】また、高温熱処理（１１００℃〜１２５０
℃）は上述のようにスリップが発生しやすいばかりでな
く、半導体ウェーハが重金属汚染を受けるという欠点も
ある。これは縦型熱処理炉の炉部材中に含まれている重
金属が高温処理の熱拡散によって炉内に放出され、半導
体ウェーハを汚染するためである。 ─────────────────────────────────────────────────────
℃）は上述のようにスリップが発生しやすいばかりでな
く、半導体ウェーハが重金属汚染を受けるという欠点も
ある。これは縦型熱処理炉の炉部材中に含まれている重
金属が高温処理の熱拡散によって炉内に放出され、半導
体ウェーハを汚染するためである。 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年７月２９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】さらに上述の半円弧形状の支持部材に変え
てリング形状に半導体ウェーハを線接触で支持する構造
の縦型熱処理炉用ボートが提案されているが、このボー
トはリング状の保持部を精度よく製造するのが難しく、
支持精度に問題があり、実質的には３点ないし４点支持
になってしまい、ウェーハのスリップ問題を解決するに
至っていない。
てリング形状に半導体ウェーハを線接触で支持する構造
の縦型熱処理炉用ボートが提案されているが、このボー
トはリング状の保持部を精度よく製造するのが難しく、
支持精度に問題があり、実質的には３点ないし４点支持
になってしまい、ウェーハのスリップ問題を解決するに
至っていない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２９】また、ウェーハ支持部材２の半導体ウェー
ハＷを支持する表面９はこの表面９の全面に亘り凹凸が
０．１ｍｍ以下になるよう形成されている。
ハＷを支持する表面９はこの表面９の全面に亘り凹凸が
０．１ｍｍ以下になるよう形成されている。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 後藤 浩之 神奈川県秦野市曽屋30番地 東芝セラミッ クス株式会社開発研究所内 (72)発明者 相庭 吉郎 神奈川県秦野市曽屋30番地 東芝セラミッ クス株式会社開発研究所内
Claims (8)
- 【請求項１】 半導体ウェーハの少なくとも一面全体を
支持する薄板状体であって、この薄板状体が多結晶シリ
コン粒状体を焼結したシリコン焼結体からなることを特
徴とする半導体ウェーハ熱処理用部材。 - 【請求項２】 上記多結晶シリコン粒状体は３〜２５μ
ｍの平均結晶粒径を有することを特徴とする請求項１に
記載の半導体ウェーハ熱処理用部材。 - 【請求項３】 上記薄板状体は円板形状であり、この直
径をＤｍｍとするとき、厚さを（Ｄ／２）2 ／１８００
０〜（Ｄ／２）2 ／２８５００ｍｍとすることを特徴と
する請求項１もしくは２に記載の半導体ウェーハ熱処理
用部材。 - 【請求項４】 上記半導体ウェーハ熱処理用部材および
これを受ける受体からなることを特徴とする半導体ウェ
ーハ熱処理用治具。 - 【請求項５】 上記半導体ウェーハ熱処理用部材は上記
受体に設けられた保持部で保持されて、前記受体に着脱
自在に配置されることを特徴とする請求項４に記載の半
導体ウェーハ熱処理用治具。 - 【請求項６】 上記受体は上記半導体ウェーハ熱処理用
部材を一定方向に間隔を有して配置される保持部を有す
ることを特徴とする請求項５に記載の半導体ウェーハ熱
処理用治具。 - 【請求項７】 上記受体は一枚の上記半導体ウェーハ熱
処理用部材を水平方向に固定配置される保持部を有する
ことを特徴とする請求項５に記載の半導体ウェーハ熱処
理用治具。 - 【請求項８】上記受体は縦型ボートであることを特徴と
する請求項６に記載の半導体ウェーハ熱処理用治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14196098A JP3511466B2 (ja) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | 半導体ウェーハ熱処理用部材およびこれを用いた治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14196098A JP3511466B2 (ja) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | 半導体ウェーハ熱処理用部材およびこれを用いた治具 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11340155A true JPH11340155A (ja) | 1999-12-10 |
| JP3511466B2 JP3511466B2 (ja) | 2004-03-29 |
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ID=15304138
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14196098A Expired - Fee Related JP3511466B2 (ja) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | 半導体ウェーハ熱処理用部材およびこれを用いた治具 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3511466B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004030073A1 (ja) * | 2002-09-27 | 2004-04-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 熱処理装置、半導体装置の製造方法及び基板の製造方法 |
| JP2006237625A (ja) * | 2002-09-27 | 2006-09-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 熱処理装置、半導体装置の製造方法及び基板の製造方法 |
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| JP2010157755A (ja) * | 2004-01-20 | 2010-07-15 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
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-
1998
- 1998-05-22 JP JP14196098A patent/JP3511466B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
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| US8506712B2 (en) | 2007-05-01 | 2013-08-13 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Wafer support jig, vertical heat treatment boat including wafer support jig, and method for manufacturing wafer support jig |
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| WO2009048068A1 (ja) * | 2007-10-12 | 2009-04-16 | Covalent Materials Corporation | 縦型ウエハボート |
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