JPH11343573A - 堆積膜形成装置及び方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】堆積膜を基体の軸方向に対して膜厚ムラ及び膜
質ムラを低減した状態で形成し、さらに、防着部材の内
側で発生するプラズマが防着部材の外部へ漏れることを
防止し、良質な電子写真感光体を作製することを可能と
するプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置及び方法を
提供する。 【解決手段】減圧可能で基体を収納するための反応容器
１１０内に放電電極と、基体加熱ヒーター１１２と基体
加熱ヒーターを内包するように設置され放電電極を兼ね
た回転可能な円筒状支持体１１１とを有し、円筒状支持
体の長手方向に沿って設けられ前記反応容器に原料ガス
を供給する堆積膜形成用原料ガス導入管１１３と前記原
料ガスを励起させるための電力供給手段と、前記反応容
器内を排気する手段とを備え、前記反応容器の反応空間
内で前記円筒状支持体及び前記原料ガス導入管を内包す
るように設置される円筒状防着部材の一部領域が、複数
の穴を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はプラズマＣＶＤ法に
よる堆積膜形成装置及び方法に関するもので、とりわけ
電子写真用感光体の光導電部材を構成するための非晶質
半導体膜を形成するのに適した装置及び方法に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】薄膜形成法の一つとして放電エネルギー
を利用するＣＶＤ法があり、この方法により形成される
非晶質薄膜（例えば水素又は／及びハロゲンによって補
償されたアモルファスシリコン）は電子写真用感光体、
半導体デバイス、ＴＦＴ等の半導体素子への応用が提案
され、その中のいくつかは実用に至っている。図６、図
７及び図８に本発明者が本発明に到るまでに用いたプラ
ズマＣＶＤ法による電子写真用感光体の製造装置の代表
例を示す。図６（Ａ）、図７（Ａ）及び図８（Ａ）はそ
れぞれの装置における基体を収納し、基体に堆積膜を形
成する反応容器を横から見た図であり、図６（Ｂ）、図
７（Ｂ）及び図８（Ｂ）はそれぞれの装置を真上から見
た図である。この装置は大別すると、原料ガス供給装置
（図示せず）、円筒状基体が設置される反応容器１１０
及び反応容器１１０内を減圧するための排気装置（図示
せず）から構成されている。図６（Ａ）及び図６（Ｂ）
に示した装置は、反応容器中央に、基体加熱用ヒーター
１１２を内包するように設置され放電電極を兼ねた回転
可能な一本の円筒状支持体１１１を配置し、前記円筒状
支持体を中心軸とした円周上に複数の放電電極１１８及
び複数の原料ガス導入管１１３が配置されている。

【０００３】図７（Ａ）及び図７（Ｂ）に示した装置
は、反応容器中央に、一本の放電電極を配置し、その同
軸円周上に複数の原料ガス導入管が配置され、さらに前
記放電電極の同軸円周上に、基体加熱用ヒーターを内包
し、放電電極を兼ねた回転可能な複数の円筒状支持体及
び複数の原料ガス導入管が前記原料ガス導入管を内包す
るように配置されている。図８（Ａ）及び図８（Ｂ）に
示した装置は、反応容器中央に、一本の放電電極３１８
を配置し、前記放電電極を中心軸とした円周上に複数の
原料ガス導入管３１３を配置し、さらに前記放電電極を
中心軸とし、前記原料ガス導入管の外側の円周上に、基
体加熱用ヒーターを内包し放電電極を兼ねた回転可能な
複数の円筒状支持体が配置され、さらに前記反応容器中
央に配置された放電電極を中心軸とした、前記原料ガス
導入管及び前記円筒状支持体の外側の円周上に、複数の
放電電極３１９及び複数の原料ガス導入管３１４が配置
されている。

【０００４】原料ガス供給装置内のＳｉＨ₄、Ｈ₂、ＣＨ
₄、Ｂ₂Ｈ₆、ＰＨ₃等のガスボンベから供給される原料ガ
スはバルブ、圧力調整器及びマスフローコントローラー
を介することにより必要な原料ガスが適切な流量に調節
された後、原料ガス配管１１５、原料ガス導入管を介し
て、排気装置によりあらかじめ真空に排気されている反
応容器内に送り込まれる。反応容器内には円筒状基体１
１９が回転可能な円筒状支持体に設置され、基体は基体
加熱用ヒーター１１２によって所定の温度に制御され
る。原料ガス導入後の反応容器内圧力は真空計１１６に
よってモニターされ、スロットルバルブ１２０の開度を
調節することによって、所定の値に制御される。所定の
堆積膜形成環境が整ったところで、周波数１０５ＭＨｚ
のＶＨＦ電源（図示せず）よりマッチングボックス１１
４及び一つ乃至複数の放電電極を通じて高周波電力が反
応容器内に導入されグロー放電を生起する。グロー放電
によるエネルギーにより原料ガスが分解され、円筒状基
体上に薄膜を形成する。また、反応容器の内面への膜形
成を防止するために、表面を粗面化処理した円筒状防着
部材１１７を円筒状基体、基体加熱ヒーター、円筒状支
持体及び原料ガス導入管を内包するように設置し、円筒
状防着部材内に導入された原料ガスは、円筒状防着部材
側面の全面に複数空けられた排気穴を通して排気され
る。そして円筒状防着部材１１７の模式図を図１１にあ
らわす。

【０００５】ところで、このような堆積膜形成装置を用
いて電子写真感光体に使用する堆積膜を形成する場合、
反応容器の横方向より原料ガスが排気されるが、円筒状
防着部材内の上下部と中央部との間で原料ガスの分布に
ムラが生じ、そのため円筒状基体表面に形成される堆積
膜の軸方向の膜厚ムラ及び軸方向の膜質ムラが生じるこ
とがある。よって、前述した現象を解決し、反応容器内
の軸方向の原料ガスの分布を均一にすることが望ましい
ことが本発明者の精査によりわかった。例えば、特開昭
６１−６２７７号公報によれば、原料ガスを供給する一
対の平行平板の間に配置した複数の円筒状基体の両端近
傍に原料ガスの吸い込み部を配置することにより、円筒
状基体の周囲のガス密度が全体にわたって均一になり、
形成される堆積膜の膜厚及び膜質を均一にする技術が開
示されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開昭
６１−６２７７号公報に記載されるような円筒状基体の
両端近傍に配置された原料ガスを排気するための排気手
段を用いた場合、反応容器の上部及び下部に排気用配管
を接続する必要があり、装置構成が複雑で大掛かりなも
のとなる。そのため堆積膜形成工程において大掛かりで
複雑な作業を伴い、生産性を向上させるという面で改良
の余地を残す。さらに、円筒状基体の両端近傍に原料ガ
ス吸い込み口を設けているため、プラズマの安定性及び
均一性の面で改良の余地を残す。また、図１１にあらわ
す円筒状防着部材は全面に排気穴を設けているために、
円筒状防着部材内部で発生したプラズマが円筒状防着部
材外部へ多く漏れるので、プラズマの安定性が低下した
り、形成される堆積膜の膜質が低下することがある。さ
らに、堆積膜を基体に形成させる際反応容器内面に膜が
付着し、これらの膜が剥離して円筒状基体表面に飛来し
て、基体表面に形成される堆積膜に当たりその結果堆積
膜に欠陥が生じ、画像欠陥の原因となる場合がある。ま
た、一定期間毎に反応容器内面に付着した膜の清掃を行
わなければならず、定期的な装置メンテナンスを余儀な
くされ、生産性の面で好ましくない。

【０００７】そこで本発明は、装置構成及び堆積膜形成
工程を複雑化することなく、堆積膜を基体の軸方向に対
して膜厚ムラ及び膜質ムラを低減した状態で形成し、さ
らに、防着部材の内側で発生するプラズマが防着部材の
外部へ漏れることを防止し、良質な電子写真感光体を作
製することを可能とするプラズマＣＶＤ法による堆積膜
形成装置及び方法を提供することを目的としている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を達
成するため、堆積膜形成装置及び方法をつぎのように構
成したことを特徴とするものである。すなわち、本発明
の堆積膜形成装置は、減圧可能で基体を収納するための
反応容器と、前記反応容器内に、放電電極と、基体加熱
ヒーターと、前記基体加熱ヒーターを内包するように設
置され放電電極を兼ねた回転可能な円筒状支持体とを有
し、前記円筒状支持体の長手方向に沿って設けられ前記
反応容器に原料ガスを供給する堆積膜形成用原料ガス導
入管と前記原料ガスを励起させるための電力供給手段
と、前記反応容器内を排気する手段とを備え、前記円筒
状支持体に支持される前記基体に堆積膜を形成するプラ
ズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置において、前記反応
容器の反応空間内で前記円筒状支持体及び前記原料ガス
導入管を内包するように設置される円筒状防着部材の一
部領域が、複数の穴を有することを特徴としている。ま
た、本発明の堆積膜形成装置は、前記―部領域が該円筒
状防着部材の側面上部と側面下部の少なくともいずれか
―方に設けられていることを特徴としている。また、本
発明の堆積膜形成装置は、前記―部領域における開口率
が該円筒状防着部材の中心部の開口率よりも大きいこと
を特徴としている。また、本発明の堆積膜形成装置は、
前記円筒状防着部材に空けられた一つの前記穴の面積Ｓ
［ｍｍ²］が、０．５≦Ｓ≦２５０の範囲の中にあるこ
とを特徴としている。また、本発明の堆積膜形成装置
は、前記円筒状防着部材の軸方向の長さをＬ、前記円筒
状防着部材の側面上部に設けられた第１の前記一部領域
の幅を１ａ、前記円筒状防着部材の側面下部に設けられ
た第２の前記一部領域の幅を１ｂとすると、（１ａ＋１
ｂ）／Ｌが、０．１≦（１ａ＋１ｂ）／Ｌ≦０．６の範
囲の中にあることを特徴としている。また、本発明の堆
積膜形成装置は、前記反応容器内面と前記円筒状防着部
材外面間の距離ｄ［ｍｍ］が、５≦ｄ≦５００の範囲の
中にあることを特徴としている。また、本発明の堆積膜
形成装置は、前記電力供給手段が、周波数が５０ＭＨｚ
以上４５０ＭＨｚ以下の高周波放電エネルギーを印加す
ることを特徴としている。

【０００９】また、本発明の堆積膜形成方法は、減圧可
能な反応容器内に設けられた放電電極と、基体加熱ヒー
ターと、前記基体加熱ヒーターを内包するように設置さ
れ放電電極を兼ねた回転可能な円筒状支持体と、前記円
筒状支持体の長手方向に沿って設けられた堆積膜形成用
原料ガス導入管と、前記反応容器内に供給された前記原
料ガスを励起させるための電力供給手段と、前記反応容
器内を排気する手段とを用いて、前記円筒状支持体に支
持される基体に堆積膜をプラズマＣＶＤ法によって形成
する堆積膜形成方法において、前記反応容器の反応空間
内で、円筒状防着部材を、前記円筒状支持体及び前記原
料ガス導入管を内包するように設置し、該円筒状防着部
材の一部領域に設けられた複数の穴を通して前記円筒状
防着部材に内包される空間から前記原料ガスを排気して
前記基体に堆積膜を形成することを特徴としている。ま
た、本発明の堆積膜形成方法は、前記―部領域は該円筒
状防着部材の側面上部と側面下部の少なくともいずれか
―方に設けられていることを特徴としている。また、本
発明の堆積膜形成方法は、前記―部領域における開口率
は該円筒状防着部材の中心部の開口率よりも大きいこと
を特徴としている。また、本発明の堆積膜形成方法は、
前記円筒状防着部材に空けられた一つの前記穴の面積Ｓ
［ｍｍ²］が、０．５≦Ｓ≦２５０の範囲の中にあるこ
とを特徴としている。また、本発明の堆積膜形成方法
は、前記円筒状防着部材の軸方向の長さをＬ、前記円筒
状防着部材上部に設けられた第１の前記一部領域の幅を
１ａ、前記円筒状防着部材の側面下部に設けられた第２
の前記一部領域の幅を１ｂとすると、（１ａ＋１ｂ）／
Ｌが、０．１≦（１ａ＋１ｂ）／Ｌ≦０．６の範囲の中
にあることを特徴としている。また、本発明の堆積膜形
成方法は、前記反応容器内面と前記円筒状防着部材外面
間の距離ｄ［ｍｍ］が、５≦ｄ≦５００の範囲の中にあ
ることを特徴としている。また、本発明の堆積膜形成方
法は、前記電力供給手段は、周波数が５０ＭＨｚ以上４
５０ＭＨｚ以下であることを特徴としている。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明者らは、従来の堆積膜形成
装置及び方法における前述の問題を克服し、前記した本
発明の目的を達成すべく鋭意研究を重ねたところ、円筒
状防着部材を上記したように構成することにより、装置
構成及び堆積膜形成工程を大掛かりにかつ複雑化するこ
となく堆積膜形成中の原料ガスの軸方向の不均一を抑制
すること、即ち、形成された堆積膜の軸方向膜厚ムラ及
び膜質ムラを向上させることが可能になるとの知見を得
た。それにより、生産性よく良質な電子写真感光体を作
製することが可能となり、量産化を行う場合にその歩留
まりを飛躍的に向上させることが可能となることが分か
った。本発明は、該知見に基づいて完成に至ったもので
ある。

【００１１】以下図面を用いて本発明の実施の形態につ
いて詳述する。 （第１の実施の形態）図１は、本発明の第１の実施の形
態に係る堆積膜形成装置に取りつけられる円筒状防着部
材の形状を模式的に示した図である。図１において円筒
状防着部材は、円筒状防着部材の一部領域、つまり側面
上部と側面下部に複数の穴（以降、排気穴と称す）から
なる穴帯（以降、排気穴帯５０１と称す）を設け、排気
穴帯を通して、円筒状防着部材に内包される空間より原
料ガスを排気する。

【００１２】このような円筒状防着部材を使用した場
合、円筒状防着部材側面に空けられる一つの排気穴の面
積Ｓがある範囲にあることが重要であり、例えば一つの
排気穴の面積Ｓが極度に小さな場合においては、堆積膜
形成中に円筒状支持体や放電電極に付着した膜がはがれ
ること等によって生成したダストが排気穴に詰まること
があり、反応容器内圧力を安定制御できない場合があ
る。そのため形成される堆積膜の再現性の低下の原因と
なる場合があり、生産性が低下し好ましくない。また、
円筒状防着部材側面に空けられた一つの排気穴の面積Ｓ
が極度に大きな場合においては、円筒状防着部材内部で
発生したプラズマの円筒状防着部材外部への漏れ量が多
くなり、プラズマの安定性の低下、形成される堆積膜の
膜質低下を招く恐れがある。さらに、反応容器内面に膜
が付着し、堆積膜形成中にこれらの膜が剥離して円筒状
基体表面に飛来することにより、基体表面に形成される
堆積膜に欠陥が生じ、画像欠陥の原因となる場合があ
る。また、一定期間毎に反応容器内面に付着した膜の清
掃を行わなければならず、定期的な装置メンテナンスを
余儀なくされ、生産性の面で好ましくない。本発明の、
図１に示した円筒状防着部材を使用する場合、円筒状防
着部材側面に空けられた一つの排気穴の面積Ｓｍｍ
²は、０．５≦Ｓ≦２５０ｍｍ²の範囲であり、より好ま
しい範囲は５≦Ｓ≦１００ｍｍ²である。

【００１３】また、本発明の円筒状防着部材を使用した
場合、円筒状防着部材の軸方向の長さをＬ、円筒状防着
部材上部に設けられた排気穴帯の幅を１ａ、円筒状防着
部材下部に設けられた排気穴帯の幅を１ｂとして、（１
ａ＋１ｂ）／Ｌがある範囲にあることが重要であり、例
えば（１ａ＋１ｂ）／Ｌが極度に小さい場合において
は、円筒状防着部材の排気抵抗が極度に大きくなり、反
応容器内の圧力を所望の値に維持できず、所望の膜質を
得られない場合があり好ましくない。また、前記（１ａ
＋１ｂ）／Ｌが極度に大きい場合においては、円筒状防
着部材内部で発生したプラズマの円筒状部材外部への漏
れ量が多くなり、プラズマの安定性の低下、形成される
堆積膜の膜質低下を招く恐れがある。さらに、反応容器
内面に膜が付着し、堆積膜形成中にこれらの膜が剥離し
て円筒状基体表面に飛来することにより、基体表面に形
成される堆積膜に欠陥が生じ、画像欠陥の原因となる場
合がある。また、一定期間毎に反応容器内面に付着した
膜の清掃を行わなければならず、定期的な装置メンテナ
ンスを余儀なくされ、生産性の面で好ましくない。本発
明の、図１に示した円筒状防着部材を使用して円筒状基
体に堆積膜を形成する場合、円筒状防着部材の軸方向の
長さをＬ、円筒状防着部材の側面上部に設けられた排気
穴帯の幅を１ａ、円筒状防着部材の側面下部に設けられ
た排気穴帯の幅を１ｂとすると、その関係を、好ましく
は０．１≦（１ａ＋１ｂ）／Ｌ≦０．６、より好ましく
は０．２≦（１ａ＋１ｂ）／Ｌ≦０．４とすることが望
ましい。その結果、本発明の円筒状防着部材は開口率つ
まり円筒状防着部材の任意の領域における前記任意の領
域の面積に対する穴の総面積の率に関して側面上部乃至
側面下部の開口率が円筒状防着部材の開口率よりも大き
いという特徴を有する。

【００１４】また、このような円筒状防着部材を使用し
た場合、反応容器内面と円筒状防着部材外面間の距離ｄ
［ｍｍ］（図６（Ｂ）、図７（Ｂ）、図８（Ｂ）を参
照）が極度に小さい場合、円筒状防着部材内の周方向で
原料ガスの分布にムラが生じ、そのため円筒状基体表面
に形成される堆積膜の周方向の膜厚ムラ及び周方向の膜
質ムラが生じる場合がある。また、前記距離ｄが極度に
大きな場合、反応容器内面と円筒状防着部材外面間でプ
ラズマが発生する恐れがあり、プラズマの安定性の低
下、形成される堆積膜の膜質低下を招く恐れがある。よ
って、図６、図７及び図８に示した堆積膜形成装置を使
用して円筒状基体に堆積膜を形成する場合、反応容器内
面と円筒状防着部材外面間の距離ｄｍｍを、好ましくは
５≦ｄ≦５００ｍｍ、より好ましくは３０≦ｄ≦３００
ｍｍの範囲とすることが望ましい。

【００１５】また、本発明の円筒状防着部材を使用した
場合、原料ガスを分解するために印加される高周波放電
エネルギーの周波数がある範囲にあることが重要であ
り、例えば周波数が５０ＭＨｚ以下の場合、気相反応に
よって生成するポリシラン等が排気穴に詰まり、反応容
器内圧力の安定制御ができない場合があり、形成される
堆積膜の再現性の原因となり、生産性が低下し好ましく
ない。また、４５０ＭＨｚ以上の場合、プラズマの安定
制御が容易ではなく生産性が低下する場合がある。よっ
て、図１に示した円筒状防着部材を使用する場合、原料
ガスを励起種化するために印可される高周波放電エネル
ギーの周波数は、５０ＭＨｚ以上４５０ＭＨｚ以下の範
囲とすることが望ましい。

【００１６】また本発明の堆積膜形成装置は本発明の円
筒状防着部材を固定して保持する保持手段を有している
が、保持方法としては図１に示す円筒状防着部材の排気
穴帯５０１が円筒状防着部材の端部から若干離間して設
けられているので排気穴帯５０１と円筒状防着部材端部
との間に不図示ネジ止め穴を設けて本発明の堆積膜形成
装置の円筒状防着部材保持手段と固定してもよい。また
本発明の堆積膜形成装置に本発明の円筒状防着部材保持
手段として例えば溝を設け、前記溝中で本発明の円筒状
防着部材保持手段の端部の一方と嵌合して固定すること
も出来る。また本発明の円筒状防着部材保持手段として
例えば図５に示す堆積膜形成装置の底部１３０を用いて
円筒状防着部材をそのまま底部１３０に置いてもよい。
また、本発明において使用される円筒状防着部材は、一
部領域にのみ穴を設けるだけではなく、例えば、円筒状
防着部材の中心部分にも穴が設けられていてもよい。中
心部分に穴が設けられている場合、例えば中心部分に設
けられている穴が、中心部分のみに設けられている場合
や、あるいは、中心部分に設けられた穴が一部領域にま
でまたぐように配置されている場合でも、前述した開口
率に関して一部領域における開口率は中心部における開
口率よりも大きいことが望ましい。

【００１７】本発明において使用される円筒状防着部材
としては、導電性でも電気絶縁性であってもよい。導電
性防着部材としては、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、
Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅ等の金属、お
よびこれらの合金、例えばステンレス等が挙げられる。
また、電気絶縁性防着部材としては、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｍｇ
Ｏ、ＺｒＯ₂、ＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ₄等のセラミックス等が
挙げられる。特に本発明の堆積膜形成装置に保持される
円筒状防着部材の材質として、アルミナセラミックを用
いることが放電時の消費電力を低減することが出来ると
いう点で好ましい。また、本発明において使用される円
筒状防着部材に空けられる排気穴の形状は、円形、楕円
形、正方形等、特に制限されるものではない。また、本
発明において使用される円筒状防着部材としては、形成
される膜の密着性を高めるために、表面を粗面化処理さ
れたものが望ましい。また、本発明において使用される
円筒状防着部材としては、円筒状防着部材の内側で発生
するプラズマの安定性を保つため、直径を２０００［ｍ
ｍ］以下とすることが望ましい。本発明において使用さ
れる原料ガス導入管としては、導電性でも電気絶縁性で
あってもよい。導電性ガス管としては、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍ
ｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、
Ｆｅ等の金属、およびこれらの合金、例えばステンレス
等が挙げられる。また、電気絶縁性ガス管としては、Ａ
ｌ₂Ｏ₃、ＭｇＯ、ＺｎＯ₂、ＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ₄等のセラ
ミックス等が挙げられる。

【００１８】本発明において使用される基体としては、
導電性でも電気絶縁性であってもよい。導電性基体とし
ては、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、
Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅ等の金属、およびこれらの
合金、例えばステンレス等が挙げられる。またリン青銅
も用いることができる。また、ポリエステル、ポリエチ
レン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリアミ
ド等の合成樹脂のフィルムまたはシート、ガラス、セラ
ミックス等の電気絶縁性基体の少なくとも光受容層を形
成する側の表面を導電処理した基体も使用することがで
きる。

【００１９】本発明において使用される基体の形状は平
滑表面あるいは凹凸表面の円筒状であることができ、そ
の厚さは、所望通りの電子写真用感光体を形成し得るよ
うに適宜決定するが、電子写真用感光体としての可撓性
が要求される場合には、基体としての機能が充分発揮で
きる範囲内で可能な限り薄くすることができる。しかし
ながら、基体は製造上および取り扱い上、機械的強度等
の点から通常は１０μｍ以上とされる。

【００２０】本発明において使用されるＳｉ供給用ガス
となり得る物質としては、ＳｉＨ₄、Ｓｉ₂Ｈ₆、Ｓｉ
Ｈ₈、Ｓｉ₄Ｈ₁₀等のガス状態の、またはガス化し得る水
素化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙
げられ、更に堆積膜形成時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効
率の良さ等の点でＳｉＨ₄、Ｓｉ₂Ｈ₆が好ましいものと
して挙げられる。そして、形成される堆積膜中に水素原
子を構造的に導入し、水素原子の導入割合の制御をいっ
そう容易になるようにはかり、本発明の目的を達成する
膜特性を得るために、これらのガスに更にＨ₂および／
またはＨｅあるいは水素原子を含む珪素化合物のガスも
所望量混合して層形成を行ってもよい。また、各ガスは
単独種のみでなく所定の混合比で複数種混合しても差し
支えないものである。

【００２１】本発明において使用されるハロゲン原子供
給用の原料ガスとして有効なのは、たとえばハロゲンガ
ス、ハロゲン化物、ハロゲンを含むハロゲン間化合物、
ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状のまたは
ガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる。ま
た、さらにはシリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状のまたはガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化珪素化合物も有効なものとして挙げることがで
きる。本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物
としては、具体的には弗素ガス（Ｆ₂）、ＢｒＦ、Ｃｌ
Ｆ、ＣｌＦ₃、ＢｒＦ₃、ＢｒＦ₅、ＩＦ₃、ＩＦ₇等のハ
ロゲン間化合物を挙げることができる。ハロゲン原子を
含む珪素化合物、いわゆるハロゲン原子で置換されたシ
ラン誘導体としては、具体的には、たとえばＳｉＦ₄、
Ｓｉ₂Ｆ₆等の弗化珪素が好ましいものとして挙げること
ができる。本発明においては、堆積膜には必要に応じて
伝導性を制御する原子を含有させることが好ましい。伝
導性を制御する原子は、堆積膜中に万偏なく均一に分布
した状態で含有されても良いし、あるいは層厚方向には
不均一な分布状態で含有している部分があってもよい。

【００２２】前記伝導性を制御する原子としては、半導
体分野における、いわゆる不純物を挙げることができ、
ｐ型伝導特性を与える周期律表第IIIb族に属する原子
（以後「第IIIb族原子」と略記する）またはｎ型伝導特
性を与える周期律表第Ｖｂ族に属する原子（以後「第Ｖ
ｂ族原子」と略記する）を使用することができる。第II
Ib族原子としては、具体的には、硼素（Ｂ）、アルミニ
ウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉ
ｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特にＢ、Ａｌ、Ｇａ
が好適である。第Ｖｂ族原子としては、具体的には燐
（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス
（Ｂｉ）等があり、特にＰ、Ａｓが好適である。堆積膜
に含有される伝導性を制御する原子の含有量の百万分率
としては、好ましくは１×１０^-2〜１×１０⁴原子ｐｐ
ｍ、より好ましくは５×１０^-2〜５×１０³原子ｐｐ
ｍ、最適には１×１０^-1〜１×１０³原子ｐｐｍとされ
るのが望ましい。

【００２３】伝導性を制御する原子、たとえば、第IIIb
族原子あるいは第Ｖｂ族原子を構造的に導入するには、
層形成の際に、第IIIb族原子導入用の原料物質あるいは
第Ｖｂ族原子導入用の原料物質をガス状態で反応容器中
に、堆積膜を形成するための他のガスとともに導入すれ
ばよい。第IIIb族原子導入用の原料物質あるいは第Ｖｂ
族原子導入用の原料物質となり得るものとしては、常温
常圧でガス状のまたは、少なくとも層形成条件下で容易
にガス化し得るものが採用されるのが望ましい。

【００２４】そのような第IIIb族原子導入用の原料物質
として具体的には、硼素原子導入用としては、Ｂ₂Ｈ₆、
Ｂ₄Ｈ₁₀、Ｂ₅Ｈ₉、Ｂ₅Ｈ₁₁、Ｂ₆Ｈ₁₂、Ｂ₆Ｈ₁₀、Ｂ₆Ｈ
₁₄等の水素化硼素、ＢＦ₃、ＢＣｌ₃、ＢＢｒ₃等のハロ
ゲン化硼素等が挙げられる。この他、ＡｌＣｌ₃、Ｇａ
Ｃｌ₃、Ｇａ（ＣＨ₃）₃、ＩｎＣｌ₃、ＴｌＣｌ₃等も挙
げることができる。第Ｖｂ族原子導入用の原料物質とし
て有効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ
₃、Ｐ₂Ｈ₄等の水素化燐、ＰＨ₄Ｉ、ＰＦ₃、ＰＦ₅、ＰＣ
ｌ₃、ＰＣｌ₅、ＰＢｒ₃、ＰＢｒ₅、ＰＩ₃等のハロゲン
化燐が挙げられる。この他、ＡｓＨ₃、ＡｓＦ₃、ＡｓＣ
ｌ₃、ＡｓＢｒ₃、ＡｓＦ₅、ＳｂＨ₃、ＳｂＦ₃、Ｓｂ
Ｆ₅、ＳｂＣｌ₃、ＳｂＣｌ₅、ＢｉＨ₃、ＢｉＣｌ₃、Ｂ
ｉＢｒ₃等も第Ｖｂ族原子導入用の出発物質の有効なも
のとして挙げることができる。またこれらの伝導性を制
御する原子導入用の原料物質を必要に応じてＨ₂および
／またはＨｅにより希釈して使用してもよい。

【００２５】本発明においては、形成される堆積膜の表
面には、耐湿性、連続繰り返し使用特性、電気的耐圧
性、使用環境特性、耐久性に優れたアモルファスシリコ
ン系の表面層を形成することが好ましい。表面層はアモ
ルファスシリコン系の材料であればいずれの材質でも可
能であるが、例えば、水素原子（Ｈ）及び／またはハロ
ゲン原子（Ｘ）を含有し、さらに炭素原子を含有するア
モルファスシリコン、等の材料が好適に用いられる。Ｓ
ｉ供給用ガスとなり得る物質としては、ＳｉＨ₄、Ｓｉ₂
Ｈ₆、ＳｉＨ₈、Ｓｉ₄Ｈ₁₀等のガス状態の、またはガス
化し得る水素化珪素（シラン類）が有効に使用されるも
のとして挙げられ、更に堆積膜形成時の取り扱い易さ、
Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ₄、Ｓｉ₂Ｈ₆が好ま
しいものとして挙げられる。また、これらのＳｉ供給用
の原料ガスを必要に応じてＨ₂および／またはＨｅ等の
ガスにより希釈して使用してもよい。

【００２６】また、Ｃ供給用ガスとなり得る物質として
は、ＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₂、Ｃ₂Ｈ₆、Ｃ₃Ｈ₈、Ｃ₄Ｈ₁₀等のガス
状態の、またはガス化し得る炭化水素が有効に使用され
るものとして挙げられ、さらに堆積膜形成時の取り扱い
易さ、Ｃ供給率の良さ等の点でＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₂、Ｃ₂Ｈ₆
が好ましいものとして挙げられる。また、これらのＣ供
給用の原料ガスを必要に応じてＨ₂および／またはＨｅ
等のガスにより希釈して使用してもよい。 （第２の実施の形態）本発明の第２の実施の形態に関わ
る堆積膜形成装置は、図９（Ａ），（Ｂ）に示すように
一本の原料ガス導入管５１３が、反応容器５１０に配置
されることが特徴である。その他に関しては第１の実施
の形態で説明した図８（Ａ），（Ｂ）が示す堆積膜形成
装置と同じである。図９（Ａ）は本発明の第２の実施の
形態に係る堆積膜形成装置を側面からあらわした模式的
断面図である。また、図９（Ｂ）は本発明の第２の実施
の形態に係る堆積膜形成装置を上方から表した模式的断
面図である。図９（Ａ）に示すように原料ガス導入管５
１３は、一本で反応容器５１０に配置される。また円筒
状支持体５１１は原料ガス導入管５１３の配置位置を中
心に同心円状に複数等間隔に配置され、各円筒状支持体
５１１と原料ガス導入管５１３との距離はみな同じ距離
である。また放電電極５１８も原料ガス導入管５１３の
配置位置を中心に同心円状に複数等間隔に配置され、各
放電電極５１８と原料ガス導入管５１３との距離はみな
同じ距離である。また円筒状防着部材５１７は、原料ガ
ス導入管５１３と放電電極５１８とを内包するように配
置される。また、基体加熱用ヒーター５１２は円筒状基
体５１９の内部に位置するように配置されており、また
マッチングボックス５１４、原料ガス配管５１５、真空
計５１６、スロットルバルブ５２０は、図８（Ａ），
（Ｂ）に記載の堆積膜形成装置と同様に配置されてい
る。本実施の形態の堆積膜形成装置は、前述した図１、
２、３、４の円筒状防着部材を用いることが出来るの
で、第１の実施の形態で説明した堆積膜形成装置と同様
に、良質の堆積膜を円筒状基体上に堆積できる。これは
反応容器内から剥離して飛散する飛散物等が円筒状基体
上の堆積物の成長を阻害することを円筒状防着部材が防
ぐからである。また放電空間内の原料ガス導入管の数が
少ないため放電がより均一に発生する。また原料ガス導
入管の数が１本と少ないためにメンテナンスが極めて容
易となる。また本発明の堆積膜形成装置は、このほか
に、例えば図１０（Ａ），（Ｂ）に示すように一本の原
料ガス導入管５１３が、反応容器５１０に配置され、且
つ放電電極５１８と原料ガス導入管５１３との間に円筒
状防着部材５１７が配置する形態も好ましい。この場
合、放電電極５１８が円筒状防着部材の外側に配置され
ており、円筒状防着部材５１７内には一本のガス導入管
と円筒状基体しかないので、基体上の堆積物の成長を阻
害する飛散物が殆ど飛散せず、また前述した図１、２、
３、４の円筒状防着部材を用いることが出来るので、第
１の実施の形態で説明した堆積膜形成装置と同様に良質
の堆積膜を円筒状基体に堆積できる。

【００２７】

【実施例】以下、本発明の装置及び方法について、実施
例により更に詳しく説明するが、本発明はこれらにより
限定されるものではない。 （実施例１）長さ３６０ｍｍ、外径φ８０ｍｍの鏡面加
工を施したアルミニウム製シリンダー（円筒状基体）を
載置したアルミニウム製ホルダー（円筒状支持体）を使
用し、図６に示した装置において、発振周波数１０５Ｍ
Ｈｚの高周波電源を使用して円筒状基体上に、電荷注入
阻止層、光導電層および表面層からなる光受容層を表１
に示す作製条件により形成した。

【００２８】

【表１】 なお本例では、比較例として図２，３，４，１１に示す
円筒状防着部材を用意し、そして図１に示す本発明の円
筒状防着部材を用意し、基体上に堆積膜を形成し、堆積
膜を有する基体の特性を評価する。基体上に堆積膜を形
成する際の方法を以下の（イ）乃至（ヘ）に分ける。つ
まり（イ）円筒状防着部材を設置せずに堆積膜を形成す
る方法、（ロ）側面全面に複数の排気穴を設けた円筒状
防着部材（図１１）を設置して堆積膜を形成する方法、
（ハ）側面中央部に複数の排気穴からなる排気穴帯を設
けた円筒状防着部材（図２）を設置して堆積膜を形成す
る方法、（ニ）側面上部に複数の排気穴からなる排気穴
帯を設けた円筒状防着部材（図３）を設置して堆積膜を
形成する方法、（ホ）側面下部に複数の排気穴からなる
排気穴帯を設けた円筒状防着部材（図４）を設置して堆
積膜を形成する方法、（へ）側面上部及び側面下部に複
数の排気穴からなる排気穴帯を設けた円筒状防着部材
（図１）を設置して堆積膜を形成する方法、以上の６通
りの方法で電子写真用感光体の作製を行った。作製した
電子写真用感光体の、軸方向の膜厚ムラ及び電子写真特
性の軸方向ムラ、及び画像特性について評価した。その
結果を表２に示す。表２から、図１に示した、側面上部
及び側面下部に複数の排気穴からなる排気穴帯を設けた
円筒状防着部材を使用することにより良好な電子写真感
光体を得ることが出来た。

【００２９】

【表２】 なお表中に示した評価ランクＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄの評価基準
は各評価項目において夫々以下のとうりである。

【００３０】『軸方向膜厚ムラ』膜厚の測定には渦電流
式膜厚測定器を用い、作製した各々の感光体の軸方向に
上端から下端まで３ｃｍ刻みで計１１点の膜厚を測定
し、最大値（Ｍａｘ）と最小値（Ｍｉｎ）の差、及び測
定した１１点の平均値（Ａｖｅ）から、最大値と最小値
の差と平均値の比（Ｍａｘ−Ｍｉｎ）／Ａｖｅを求め、
（イ）乃至（ヘ）の各方法で形成された堆積膜を実施例
１の（ロ）で説明した方法で形成された堆積膜と比較す
ることによって各方法によって形成された堆積膜の軸方
向膜厚ムラを以下のランクに区分した。 Ａ 実施例１の（ロ）と比較して４０％以上の低減 Ｂ 実施例１の（ロ）と比較して２０％以上４０％未満
の低減 Ｃ 実施例１の（ロ）と比較して同等以上２０％未満の
低減 Ｄ 実施例１の（ロ）と比較して増加 『電子写真特性ムラ』作製した各々の感光体を電子写真
装置（キヤノン製ＮＰ６５５０を実験用に改造）にセッ
トして、電子写真特性を評価した。 帯電能測定方法 プロセススピード３８０ｍｍ／ｓｅｃ、前露光ハロゲン
ランプ光）４ｌｕｘｓｅｃ、帯電器の電流値１０００μ
Ａの条件にて、電子写真感光体の現像器位置での暗部表
面電位を表面電位計により測定する。 感度測定方法 電子写真感光体の現像位置での暗部表面電位を４００ｖ
に帯電させる。そして像露光光源にフィルターを使用し
て５５０ｎｍ付近に強度ピークを持つハロゲンランプ光
を照射し、電子写真感光体の現像位置での明部表面電位
が所定の値になるように光量を調整する。このときの光
量により感度の測定を行う。軸方向帯電能ムラ、軸方向
感度ムラ評価方法作製した各々の感光体の軸方向に上端
から下端まで３ｃｍ刻みで計１１点の帯電能、感度を測
定し、最大値（Ｍａｘ）と最小値（Ｍｉｎ）の差、及び
測定した１１点の平均値（Ａｖｅ）から、最大値と最小
値の差と平均値の比（Ｍａｘ−Ｍｉｎ）／Ａｖｅを求
め、それぞれについて実施例１の（ロ）と比較すること
によって以下のランクに区分した。軸方向帯電能ムラ Ａ 実施例１の（ロ）と比較して４０％以上の低減 Ｂ 実施例１の（ロ）と比較して２０％以上４０％未満
の低減 Ｃ 実施例１の（ロ）と比較して同等以上２０％未満の
低減 Ｄ 実施例１の（ロ）と比較して増加 軸方向感度ムラ Ａ 実施例１の（ロ）と比較して４０％以上の低減 Ｂ 実施例１の（ロ）と比較して２０％以上４０％未満
の低減 Ｃ 実施例１の（ロ）と比較して同等以上２０％未満の
低減 Ｄ 実施例１の（ロ）と比較して増加 白ポチ キヤノン製全面黒チャート（部品番号：ＦＹ９−９０７
３）を用いてベタ黒画像を形成し、得られた画像の任意
の一定面積内にある直径０．２［ｍｍ］以上の白ポチに
ついて評価した。ランクは以下のとおり Ａ 実施例１の（ロ）と比較して５０％未満に低減 Ｂ 実施例１の（ロ）と比較して５０％以上７５％未満
に低減 Ｃ 実施例１の（ロ）と比較して７５％以上同等未満に
低減 Ｄ 実施例１の（ロ）と比較して同等もしくはそれ以上
に増加 （実施例２）長さ３６０ｍｍ、外径φ８０ｍｍの鏡面加
工を施したアルミニウム製シリンダー（円筒状基体）を
載置したアルミニウム製ホルダー（円筒状支持体）を使
用し、図６に示した装置において、発振周波数１０５Ｍ
Ｈｚの高周波電源を使用して円筒状基体上に、電荷注入
阻止層、光導電層および表面層からなる光受容層を作製
し表１に示す作製条件により形成した。なお本例では、
図１に示した、側面上部と側面下部に複数の排気穴から
なる排気穴帯を設けた円筒状防着部材を使用し（イ）円
筒状防着部材に空けられた一つの排気穴の面積を０．３
ｍｍ²としたもの、（ロ）前記排気穴の面積を０．５ｍ
ｍ²としたもの、（ハ）前記排気穴の面積を５ｍｍ²とし
たもの、（ニ）前記排気穴の面積を３０ｍｍ²としたも
の、（ホ）前記排気穴の面積を１００ｍｍ²としたも
の、（へ）前記排気穴の面積を２５０ｍｍ²としたも
の、（卜）前記排気穴の面積を３００ｍｍ²としたもの
をそれぞれ用いて電子写真用感光体の作製を行った。作
製した電子写真用感光体の、電子写真特性、電子写真特
性の再現性及び白ポチについて評価した。その結果を表
３に示す。表３から、円筒状防着部材側面に空けられる
一つの排気穴の面積Ｓ［ｍｍ²］を０．５≦Ｓ≦２５０
とすることにより良好な電子写真用感光体を得ることが
出来た。

【００３１】

【表３】 尚、各特性の測定方法は実施例１と同様であり、表中に
示した評価ランクＡ，Ｂ，Ｃの評価基準は各評価項目に
おいて以下のとうりである。

【００３２】帯電能及び感度評価方法 実施例１に記述した方法で電子写真感光体を１０本作製
し、各々の感光体の帯電能、感度、光メモリーを測定し
その平均値を求める。それぞれについて実施例２の
（イ）と比較することによって以下のランクに区分し
た。 帯電能 Ａ 実施例２の（イ）と比較して１０％以上の向上 Ｂ 実施例２の（イ）と比較して５％以上１０％未満の
向上 Ｃ 実施例２の（イ）と比較して同等以上５％未満の向
上 Ｄ 実施例２の（イ）以下 感度 Ａ 実施例２の（イ）と比較して１０％以上の向上 Ｂ 実施例２の（イ）と比較して５％以上１０％未満の
向上 Ｃ 実施例２の（イ）と比較して同等以上５％未満の向
上 Ｄ 実施例２の（イ）以下 帯電能及び感度の再現性評価方法 実施例１に記述した方法で電子写真感光体を１０本作製
し、各々の感光体の帯電能、感度を測定しその平均値を
求める。それぞれについて平均値より−５％を下限、＋
５％を上限とした規格を設定し、その規格から帯電能、
感度の値がはずれた感光体の本数の割合について実施例
２の（イ）と比較することによって以下のランクに区分
した。 帯電能の再現性 Ａ 実施例２の（イ）と比較して規格外の本数の割合が
２５％未満 Ｂ 実施例２の（イ）と比較して規格外の本数の割合が
２５％以上５０％未満 Ｃ 実施例２の（イ）と比較して規格外の本数の割合が
５０％以上同等未満 Ｄ 実施例２の（イ）と比較して規格外の本数の割合が
同等もしくは増加 感度の再現性 Ａ 実施例２の（イ）と比較して規格外の本数の割合が
２５％未満 Ｂ 実施例２の（イ）と比較して規格外の本数の割合が
２５％以上５０％未満 Ｃ 実施例２の（イ）と比較して規格外の本数の割合が
５０％以上同等未満 Ｄ 実施例２の（イ）と比較して規格外の本数の割合が
同等もしくは増加 白ポチ Ａ 実施例２の（イ）と比較して５０％未満に低減 Ｂ 実施例２の（イ）と比較して５０％以上７５％未満
に低減 Ｃ 実施例２の（イ）と比較して７５％以上同等未満に
低減 Ｄ 実施例２の（イ）と比較して同等もしくはそれ以上
に増加 （実施例３）長さ３６０ｍｍ、外径φ８０ｍｍの鏡面加
工を施したアルミニウム製シリンダー（円筒状基体）を
載置したアルミニウム製ホルダー（円筒状支持体）を使
用し、図６に示した装置において、発振周波数１０５Ｍ
Ｈｚの高周波電源を使用して円筒状基体上に、電荷注入
阻止層、光導電層および表面層からなる光受容層を作製
し表１に示す作製条件により形成した。（但し、防着部
材の排気抵抗が大きいために所望の圧力が得られない場
合は、スロットルバルブを全開にした場合での圧力条件
で堆積膜を形成した。） なお本例では、図１に示した、側面上部と側面下部に複
数の排気穴からなる排気穴帯を設けた円筒状防着部材を
使用し、円筒状防着部材側面に空けられる一つの排気穴
の面積を４０ｍｍ²とし、（イ）円筒状防着部材の軸方
向の長さＬ、円筒状防着部材の側面上部に設けられた排
気穴帯の幅１ａ及び円筒状防着部材の側面下部に設けら
れた排気穴帯１ｂの関係（１ａ＋１ｂ）／Ｌを０．０
５、（ロ）前記（１ａ＋１ｂ）／Ｌを０．１、（ハ）前
記（１ａ＋１ｂ）／Ｌを０．２、（ニ）前記（１ａ＋１
ｂ）／Ｌを０．３、（ホ）前記（１ａ＋１ｂ）／Ｌを
０．４、（へ）前記（１ａ＋１ｂ）／Ｌを０．６、
（ト）前記（１ａ＋１ｂ）／Ｌを０．８、とした７種の
円筒状防着部材を用いて電子写真用感光体の作製を行っ
た。作製した電子写真用感光体の、電子写真特性及び白
ポチについて評価した。その結果を表４に示す。表４か
ら、円筒状防着部材の軸方向の長さＬ、円筒状防着部材
の側面上部に設けられた排気穴帯の幅１ａ及び円筒状防
着部材の側面下部に設けられた排気穴帯１ｂの関係を
０．１≦（１ａ＋１ｂ）／Ｌ≦０．６とすることで良好
な電子写真用感光体を得ることが出来た。

【００３３】

【表４】 尚、帯電能及び感度及び白ぽちの測定方法は実施例１及
び実施例２と同様であり、評価方法は以下のとおりであ
る。

【００３４】白ポチ、帯電能及び感度評価方法 帯電能 Ａ 実施例３の（イ）と比較して１０％以上の向上 Ｂ 実施例３の（イ）と比較して５％以上１０％未満の
向上 Ｃ 実施例３の（イ）と比較して同等以上５％未満の向
上 Ｄ 実施例３の（イ）以下 感度 Ａ 実施例３の（イ）と比較して１０％以上の向上 Ｂ 実施例３の（イ）と比較して５％以上１０％未満の
向上 Ｃ 実施例３の（イ）と比較して同等以上５％未満の向
上 Ｄ 実施例３の（イ）以下 白ポチ Ａ 実施例３の（イ）と比較して５０％未満に低減 Ｂ 実施例３の（イ）と比較して５０％以上７５％未満
に低減 Ｃ 実施例３の（イ）と比較して７５％以上同等未満に
低減 Ｄ 実施例３の（イ）と比較して同等もしくはそれ以上
に増加 （実施例４）長さ３６０ｍｍ、外径φ８０ｍｍの鏡面加
工を施したアルミニウム製シリンダー（円筒状基体）を
載置したアルミニウム製ホルダー（円筒状支持体）を使
用し、図６に示した装置において、発振周波数１０５Ｍ
Ｈｚの高周波電源を使用して円筒状基体上に、電荷注入
阻止層、光導電層および表面層からなる光受容層を作製
し表１に示す作製条件により形成した。なお本例では、
図１に示した、側面上部と側面下部に複数の排気穴から
なる排気穴帯を設けた円筒状防着部材を使用し、円筒状
防着部材側面に空けられる一つの排気穴の面積を４０ｍ
ｍ²、及び円筒状防着部材の軸方向の長さＬ、円筒状防
着部材の側面上部に設けられた排気穴帯の幅１ａ及び円
筒状防着部材の側面下部に設けられた排気穴帯１ｂの関
係（１ａ＋１ｂ）／Ｌを０．３とし、（イ）反応容器内
面と円筒状防着部材外面間の距離ｄを３ｍｍ、（ロ）前
記距離ｄを５ｍｍ、（ハ）前記距離ｄを３０ｍｍ、
（ニ）前記距離ｄを１００ｍｍ、（ホ）前記距離ｄを３
００ｍｍ、（へ）前記距離ｄを５００ｍｍ、（ト）前記
距離ｄを７００ｍｍとした７通りの条件により電子写真
用感光体の作製を行った。作製した電子写真用感光体
の、電子写真特性について評価した。その結果を表５に
示す。表５から、反応容器内面と円筒状防着部材外面の
距離ｄ［ｍｍ］を５≦ｄ≦５００とすることで良好な電
子写真用感光体を得ることが出来た。

【００３５】

【表５】 尚、電子写真特性及び白ぽちの測定方法は実施例１、実
施例２及び実施例３と同様である。

【００３６】帯電能、感度、周方向膜厚ムラ、周方向帯
電能ムラ及び周方向膜厚ムラ評価方法の各評価ランクの
評価基準は以下の通りである。 帯電能 Ａ 実施例４の（イ）と比較して１０％以上の向上 Ｂ 実施例４の（イ）と比較して５％以上１０％未満の
向上 Ｃ 実施例４の（イ）と比較して同等以上５％未満の向
上 Ｄ 実施例４の（イ）以下 感度 Ａ 実施例４の（イ）と比較して１０％以上の向上 Ｂ 実施例４の（イ）と比較して５％以上１０％未満の
向上 Ｃ 実施例４の（イ）と比較して同等以上５％未満の向
上 Ｄ 実施例４の（イ）以下 周方向膜厚ムラ 作製した各々の感光体のうち、図６に示すように、反応
容器に接続された排気配管の中心線Ｐに対向する感光体
の部分Ｑにおいて周方向４５度刻みで計８点の膜厚を測
定し（軸方向中位置）、最大値（Ｍａｘ）と最小値（Ｍ
ｉｎ）の差、及び測定した８点の平均値（Ａｖｅ）か
ら、最大値と最小値の差と平均値の比（Ｍａｘ−Ｍｉ
ｎ）／Ａｖｅを求め、それぞれについて実施例４の
（イ）と比較することによって以下のランクに区分し
た。 Ａ 実施例４の（イ）と比較して４０％以上の低減 Ｂ 実施例４の（イ）と比較して２０％以上４０％未満
の低減 Ｃ 実施例４の（イ）と比較して同等以上２０％未満の
低減 Ｄ 実施例４の（イ）と比較して増加 周方向帯電能、感度ムラ 作製した各々の感光体の周方向４５度刻みで計８点の帯
電能、感度を測定し（軸方向中位置）、最大値（Ｍａ
ｘ）と最小値（Ｍｉｎ）の差、及び測定した８点の平均
値（Ａｖｅ）から、最大値と最小値の差と平均値の比
（Ｍａｘ−Ｍｉｎ）／Ａｖｅを求め、それぞれについて
実施例４の（イ）と比較することによって以下のランク
に区分した。 周方向帯電能ムラ Ａ 実施例４の（イ）と比較して４０％以上の低減 Ｂ 実施例４の（イ）と比較して２０％以上４０％未満
の低減 Ｃ 実施例４の（イ）と比較して同等以上２０％未満の
低減 Ｄ 実施例４の（イ）と比較して増加 周方向感度ムラ Ａ 実施例４の（イ）と比較して４０％以上の低減 Ｂ 実施例４の（イ）と比較して２０％以上４０％未満
の低減 Ｃ 実施例４の（イ）と比較して同等以上２０％未満の
低減 Ｄ 実施例４の（イ）と比較して増加 （実施例５）図６に示した堆積膜形成装置において、発
振周波数１０５ＭＨｚの高周波電源を使用し、表６に示
した条件に従って、アルミニウム製の直径８０ｍｍ、の
円筒状基体に非晶質半導体膜を形成し電子写真用感光体
を作製した。また本実施例では、図１に示した側面上部
と側面下部に複数の排気穴からなる排気穴帯を設けた円
筒状防着部材を使用し、排気穴の面積は４０ｍｍ²、円
筒状防着部材側面上部の排気穴帯の幅１ａ、側面下部の
排気穴帯１ｂ及び円筒状防着部材の長さＬの関係（１ａ
＋１ｂ）／Ｌ＝０．３、反応容器内面と円筒状防着部材
外面間の距離は５０ｍｍ及び円筒状防着部材の直径を４
５０ｍｍとしている。作製した電子写真用感光体を実験
用に改造したキヤノン製複写機ＮＰ６５５０に設置し、
実施例１〜４と同様に膜厚ムラ、電子写真特性、電子写
真特性ムラ、電子写真特性の再現性及び白ポチについて
評価したところ、良好な結果が得られた。更に得られた
感光体を実験用に改造したキヤノン製複写機ＮＰ６５５
０に設置し画像を出したところ、ハーフトーン画像にム
ラはなく、均一な画像が得られた。更に文字原稿を複写
したところ、黒濃度が高く鮮明な画像が得られた。また
写真原稿の複写においても原稿に忠実で鮮明な画像を得
ることが出来た。

【００３７】

【表６】 （比較例１）本例では実施例５と同様に図６に示した堆
積膜形成装置を使用し、図１に示した円筒状防着部材に
代えて、図１１に示した側面全面に複数の排気穴を設け
た円筒状防着部材を使用し、発振周波数１０５ＭＨｚの
高周波電源を使用して、実施例５と同様に表６に示した
条件に従ってアルミニウム製の直径８０ｍｍの円筒状基
体に非晶質膜を形成し電子写真感光体を作製した。また
本例では、排気穴の面積は４０ｍｍ²、反応容器内面と
円筒状防着部材外面間の距離は５０ｍｍ及び円筒状防着
部材の直径は４５０ｍｍとしている。作製した電子写真
用感光体を実験用に改造したキヤノン製複写機ＮＰ６５
５０に設置し、実施例５で作製した電子写真感光体と膜
厚ムラ、電子写真特性、電子写真特性ムラ、電子写真特
性の再現性及び白ポチについて比較したところ、実施例
５で作製した電子写真感光体の方が優れた電子写真特性
を示した。

【００３８】（実施例６）本例では実施例５で使用した
図６に示した堆積膜形成装置に代えて、図７に示した堆
積膜形成装置において、発振周波数１０５ＭＨｚの高周
波電源を使用し、表６に示した条件に従って、アルミニ
ウム製の直径８０ｍｍの円筒状基体に非晶質半導体膜を
形成し電子写真用感光体を作製した。また本例では、図
１に示した側面上部と側面下部に複数の排気穴からなる
排気穴帯を設けた円筒状防着部材を使用し、排気穴の面
積は４０ｍｍ²、円筒状防着部材側面上部の排気穴帯の
幅１ａ、側面下部の排気穴帯１ｂ及び円筒状防着部材の
長さＬの関係（１ａ＋１ｂ）／Ｌ＝０．３、反応容器内
面と円筒状防着部材外面間の距離は５０ｍｍ及び円筒状
防着部材の直径は実施例５における４５０ｍｍを代えて
７００ｍｍとしている。作製した電子写真用感光体を実
験用に改造したキヤノン製複写機ＮＰ６５５０に設置
し、実施例１〜４と同様に膜厚ムラ、電子写真特性、電
子写真特性ムラ、電子写真特性の再現性及び白ポチにつ
いて評価したところ、良好な結果が得られた。更に得ら
れた感光体を実験用に改造したキヤノン製複写機ＮＰ６
５５０に設置し画像を出したところ、ハーフトーン画像
にムラはなく、均一な画像が得られた。更に文字原稿を
複写したところ、黒濃度が高く鮮明な画像が得られた。
また写真原稿の複写においても原稿に忠実で鮮明な画像
を得ることが出来た。

【００３９】（実施例７）本例では実施例６で使用した
図７に示した堆積膜形成装置に代えて、図８に示した堆
積膜形成装置において、発振周波数１０５ＭＨｚの高周
波電源を使用し、表６に示した条件に従って、アルミニ
ウム製の直径８０ｍｍの円筒状基体に非晶質半導体膜を
形成し、電子写真用感光体を作製した。また本実施例で
は、図１に示した側面上部と側面下部に複数の排気穴か
らなる排気穴帯を設けた円筒状防着部材を使用し、排気
穴の面積は４０ｍｍ²、円筒状防着部材側面上部の排気
穴帯の幅１ａ、側面下部の排気穴帯１ｂ及び円筒状防着
部材の長さＬの関係（１ａ＋１ｂ）／Ｌ＝０．３、反応
容器内面と円筒状防着部材外面間の距離は５０ｍｍ及び
円筒状防着部材の直径は実施例６における７００ｍｍを
代えて８００ｍｍとしている。作製した電子写真用感光
体を実験用に改造したキヤノン製複写機ＮＰ６５５０に
設置し、実施例１〜４と同様に膜厚ムラ、電子写真特
性、電子写真特性ムラ、電子写真特性の再現性及び白ポ
チについて評価したところ、良好な結果が得られた。更
に得られた感光体を実験用に改造したキヤノン製複写機
ＮＰ６５５０に設置し画像を出したところ、ハーフトー
ン画像にムラはなく、均一な画像が得られた。更に文字
原稿を複写したところ、黒濃度が高く鮮明な画像が得ら
れた。また写真原稿の複写においても原稿に忠実で鮮明
な画像を得ることが出来た。

【００４０】（実施例８）図８の堆積膜形成装置におい
て、発振周波数１０５ＭＨｚの高周波電源を使用して、
本例では実施例７に示したアルミニウム製の直径８０ｍ
ｍの円筒状基体に代えて、直径３０ｍｍの円筒状基体
に、表６に示した条件に従って、非晶質半導体膜を形成
し、電子写真用感光体を作製した。また本実施例では、
図１に示した側面上部と側面下部に複数の排気穴からな
る排気穴帯を設けた円筒状防着部材を使用し、排気穴の
面積は実施例７に示した４０ｍｍ²に代えて２０ｍｍ²と
し、円筒状防着部材側面上部の排気穴帯の幅１ａ、側面
下部の排気穴帯１ｂ及び円筒状防着部材の長さＬの関係
（１ａ＋１ｂ）／Ｌ＝０．３とし、反応容器内面と円筒
状防着部材外面間の距離は実施例７に示した５０ｍｍに
代えて４０ｍｍとし、円筒状防着部材の直径は実施例７
で示した８００ｍｍに代えて６００ｍｍとしている。作
製した電子写真用感光体を実験用に改造したキヤノン製
複写機ＮＰ６０３０に設置し、実施例１〜４と同様に膜
厚ムラ、電子写真特性、電子写真特性ムラ、電子写真特
性の再現性及び白ポチについて評価したところ、良好な
結果が得られた。更に得られた感光体を実験用に改造し
たキヤノン製複写機ＮＰ６０３０に設置し画像を出した
ところ、ハーフトーン画像にムラはなく、均一な画像が
得られた。更に文字原稿を複写したところ、黒濃度が高
く鮮明な画像が得られた。また写真原稿の複写において
も原稿に忠実で鮮明な画像を得ることが出来た。

【００４１】（実施例９）図６に示した堆積膜形成装置
において、発振周波数１０５ＭＨｚの高周波電源を使用
し、実施例５に示した表６に代えて表７に示した条件に
従って、アルミニウム製の直径８０［ｍｍ］の円筒状基
体に非晶質半導体膜を形成し、電子写真用感光体を作製
した。また本実施例では、図１に示した側面上部と下部
に複数の排気穴からなる排気穴帯を設けた円筒状防着部
材を使用し、排気穴の面積は４０ｍｍ²、円筒状防着部
材側面上部の排気穴帯の幅１ａ、側面下部の排気穴帯１
ｂ及び円筒状防着部材の長さＬの関係（１ａ＋１ｂ）／
Ｌ＝０．３、反応容器内面と円筒状防着部材外面間の距
離は５０ｍｍ及び円筒状防着部材の直径は４５０ｍｍと
している。作製した電子写真用感光体を実験用に改造し
たキヤノン製複写機ＮＰ６５５０に設置し、実施例１〜
４と同様に膜厚ムラ、電子写真特性、電子写真特性ム
ラ、電子写真特性の再現性及び白ポチについて評価した
ところ、いずれの電子写真用感光体も実施例１〜４と同
様に良好な結果が得られた。更に得られた感光体を実験
用に改造したキヤノン製複写機ＮＰ６５５０に設置し画
像を出したところ、ハーフトーン画像にムラはなく、均
一な画像が得られた。更に文字原稿を複写したところ、
黒濃度が高く鮮明な画像が得られた。また写真原稿の複
写においても原稿に忠実で鮮明な画像を得ることが出来
た。

【００４２】

【表７】 （実施例１０）図６に示した堆積膜形成装置において、
実施例９の発振周波数１０５ＭＨｚに代えて発振周波数
５０ＭＨｚの高周波電源を使用し、表７に示した条件に
従って、アルミニウム製の直径８０［ｍｍ］、の円筒状
基体に非晶質半導体膜を形成し電子写真用感光体を作製
した。また本実施例では、図１に示した側面上部と側面
下部に複数の排気穴からなる排気穴帯を設けた円筒状防
着部材を使用し、排気穴の面積は４０ｍｍ²、円筒状防
着部材側面上部の排気穴帯の幅１ａ、側面下部の排気穴
帯１ｂ及び円筒状防着部材の長さＬの関係（１ａ＋１
ｂ）／Ｌ＝０．３、反応容器内面と円筒状防着部材外面
間の距離は５０ｍｍ及び円筒状防着部材の直径は４５０
ｍｍとしている。作製した電子写真用感光体を実験用に
改造したキヤノン製複写機ＮＰ６５５０に設置し、実施
例１〜４と同様に膜厚ムラ、電子写真特性、電子写真特
性ムラ、電子写真特性の再現性及び白ポチについて評価
したところ、良好な結果が得られた。更に得られた感光
体を実験用に改造したキヤノン製複写機ＮＰ６５５０に
設置し画像を出したところ、ハーフトーン画像にムラは
なく、均一な画像が得られた。更に文字原稿を複写した
ところ、黒濃度が高く鮮明な画像が得られた。また写真
原稿の複写においても原稿に忠実で鮮明な画像を得るこ
とが出来た。

【００４３】（実施例１１）図６に示した堆積膜形成装
置において、実施例９の発振周波数１０５ＭＨｚに代え
て発振周波数４５０ＭＨｚの高周波電源を使用し、表７
に示した条件に従って、アルミニウム製の直径８０ｍ
ｍ、の円筒状基体に非晶質半導体膜を形成し電子写真用
感光体を作製した。また本実施例では、図１に示した側
面上部と側面下部に複数の排気穴からなる排気穴帯を設
けた円筒状防着部材を使用し、排気穴の面積は４０ｍｍ
²、円筒状防着部材側面上部の排気穴帯の幅１ａ、側面
下部の排気穴帯１ｂ及び円筒状防着部材の長さＬの関係
（１ａ＋１ｂ）／Ｌ＝０．３、反応容器内面と円筒状防
着部材外面間の距離は５０ｍｍ及び円筒状防着部材の直
径は４５０ｍｍとしている。作製した電子写真用感光体
を実験用に改造したキヤノン製複写機ＮＰ６５５０に設
置し、実施例１〜４と同様に膜厚ムラ、電子写真特性、
電子写真特性ムラ、電子写真特性の再現性及び白ポチに
ついて評価したところ、良好な結果が得られた。更に得
られた感光体を実験用に改造したキヤノン製複写機ＮＰ
６５５０に設置し画像を出したところ、ハーフトーン画
像にムラはなく、均一な画像が得られた。更に文字原稿
を複写したところ、黒濃度が高く鮮明な画像が得られ
た。また写真原稿の複写においても原稿に忠実で鮮明な
画像を得ることが出来た。

【００４４】（実施例１２）本実施例では実施例９で使
用した図６に示した堆積膜形成装置に代えて、図５に示
すように、放電電極を円筒状防着部材と反応容器の間に
配置した堆積膜形成装置において、発振周波数１０５Ｍ
Ｈｚの高周波電源を使用し、表７に示した条件に従っ
て、アルミニウム製の直径８０ｍｍ、の円筒状基体に非
晶質半導体膜を形成し電子写真用感光体を作製した。ま
た本実施例では、図１に示した側面上部と側面下部に複
数の排気穴からなる排気穴帯を設けた、アルミナセラミ
ックス製の円筒状防着部材を使用し、排気穴の面積は４
０ｍｍ²、円筒状防着部材側面上部の排気穴帯の幅１
ａ、側面下部の排気穴帯１ｂ及び円筒状防着部材の長さ
Ｌの関係（１ａ＋１ｂ）／Ｌ＝０．３、反応容器内面と
円筒状防着部材外面間の距離は実施例９に示す５０ｍｍ
に代えて２００ｍｍとし、円筒状防着部材の直径は実施
例９に示す４５０ｍｍに代えて６００ｍｍとしている。
本実施例で使用する本発明の堆積膜形成装置は放電電極
を円筒状防着部材と反応容器の間に配置しているので円
筒状防着部材内にパワーを閉じ込めることができる。作
製した電子写真用感光体を実験用に改造したキヤノン製
複写機ＮＰ６５５０に設置し、実施例１〜４と同様に膜
厚ムラ、電子写真特性、電子写真特性ムラ、電子写真特
性の再現性及び白ポチについて評価したところ、良好な
結果が得られた。更に得られた感光体を実験用に改造し
たキヤノン製複写機ＮＰ６５５０に設置し画像を出した
ところ、ハーフトーン画像にムラはなく、均一な画像が
得られた。更に文字原稿を複写したところ、黒濃度が高
く鮮明な画像が得られた。また写真原稿の複写において
も原稿に忠実で鮮明な画像を得ることができた。

【００４５】

【発明の効果】本発明の堆積膜形成装置及び方法によれ
ば、反応容器内の円筒状支持体及び原料ガス導入管を内
包するように設置した円筒状防着部材の側面上部と側面
下部に設けられた複数の排気穴を通して原料ガスを排気
して堆積膜を形成するように構成したことにより、電子
写真用感光体を作製する際に、装置構成及び堆積膜形成
工程を複雑化することなく、堆積膜形成中の原料ガスの
軸方向の不均一に起因する、軸方向の膜厚ムラ及び膜質
ムラの低減を可能にする堆積膜形成装置及び方法を実現
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装
置における、円筒状防着部材を示す模式的な説明図であ
る。

【図２】本発明の実施例で用いられた、円筒状防着部材
を示す模式的な説明図である。

【図３】本発明の実施例で用いられた、円筒状防着部材
を示す模式的な説明図である。

【図４】本発明の実施例で用いられた、円筒状防着部材
を示す模式的な説明図である。

【図５】本発明に用いることができる電子写真用光受容
部材の光受容層を形成するための堆積膜形成装置の一例
で、プラズマＣＶＤ法による電子写真用光受容部材の製
造装置の模式的説明図である。（Ａ）は装置を横から見
た図であり、（Ｂ）は装置を真上から見た図である。

【図６】本発明に用いることができる電子写真用光受容
部材の光受容層を形成するための堆積膜形成装置の一例
で、プラズマＣＶＤ法による電子写真用光受容部材の製
造装置の模式的説明図である。（Ａ）は装置を横から見
た図であり、（Ｂ）は装置を真上から見た図である。

【図７】本発明に用いることができる電子写真用光受容
部材の光受容層を形成するための堆積膜形成装置の一例
で、プラズマＣＶＤ法による電子写真用光受容部材の製
造装置の模式的説明図である。（Ａ）は装置を横から見
た図であり、（Ｂ）は装置を真上から見た図である。

【図８】本発明に用いることができる電子写真用光受容
部材の光受容層を形成するための堆積膜形成装置の一例
で、プラズマＣＶＤ法による電子写真用光受容部材の製
造装置の模式的説明図である。（Ａ）は装置を横から見
た図であり、（Ｂ）は装置を真上から見た図である。

【図９】本発明に用いることができる電子写真用光受容
部材の光受容層を形成するための堆積膜形成装置の一例
で、プラズマＣＶＤ法による電子写真用光受容部材の製
造装置の模式的説明図である。（Ａ）は装置を横から見
た図であり、（Ｂ）は装置を真上から見た図である。

【図１０】本発明に用いることができる電子写真用光受
容部材の光受容層を形成するための堆積膜形成装置の一
例で、プラズマＣＶＤ法による電子写真用光受容部材の
製造装置の模式的説明図である。（Ａ）は装置を横から
見た図であり、（Ｂ）は装置を真上から見た図である。

【図１１】従来のプラズマＣＶＤ法による電子写真用光
受容部材の製造装置における、排気穴が全面に空けられ
た円筒状防着部材を示す模式的な説明図である。

【符号の説明】

１１０、５１０：反応容器 １１１、５１１：円筒状支持体 １１２、５１２：基体加熱用ヒーター １１３、５１３：原料ガス導入管 １１４、５１４：マッチングボックス １１５、５１５：原料ガス配管 １１６、５１６：真空計 １１７、５１７：円筒状防着部材 １１８、５１８：放電電極 １１９、５１９：円筒状基体 １２０、５２０：スロットルバルブ １３０：底部 ３１３：原料ガス導入管 ３１４：原料ガス導入管 ３１８：放電電極 ３１９：放電電極 ５０１：排気穴帯

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 白砂 寿康 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 村山 仁 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 大塚 崇志 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 青池 達行 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】減圧可能で基体を収納するための反応容器
   と、前記反応容器内に、放電電極と、基体加熱ヒーター
   と、前記基体加熱ヒーターを内包するように設置され放
   電電極を兼ねた回転可能な円筒状支持体とを有し、前記
   円筒状支持体の長手方向に沿って設けられ前記反応容器
   に原料ガスを供給する堆積膜形成用原料ガス導入管と前
   記原料ガスを励起させるための電力供給手段と、前記反
   応容器内を排気する手段とを備え、前記円筒状支持体に
   支持される前記基体に堆積膜を形成するプラズマＣＶＤ
   法による堆積膜形成装置において、 前記反応容器の反応空間内で前記円筒状支持体及び前記
   原料ガス導入管を内包するように設置される円筒状防着
   部材の一部領域が、複数の穴を有することを特徴とする
   堆積膜形成装置。
2. 【請求項２】前記一部領域は該円筒状防着部材の側面上
   部と側面下部の少なくともいずれか一方に設けられてい
   ることを特徴とする請求項１に記載の堆積膜形成装置。
3. 【請求項３】前記一部領域における開口率は該円筒状防
   着部材の中心部の開口率よりも大きいことを特徴とする
   請求項１に記載の堆積膜形成装置。
4. 【請求項４】前記円筒状防着部材に空けられた一つの前
   記穴の面積Ｓ［ｍｍ²］が、下記式（Ｉ）の範囲の中に
   あることを特徴とする請求項１に記載の堆積膜形成装
   置。 ０．５≦Ｓ≦２５０・・・（Ｉ）
5. 【請求項５】前記円筒状防着部材の軸方向の長さをＬ、
   前記円筒状防着部材の側面上部に設けられた第１の前記
   一部領域の幅を１ａ、前記円筒状防着部材の側面下部に
   設けられた第２の前記一部領域の幅を１ｂとすると、
   （１ａ＋１ｂ）／Ｌが下記式（ＩＩ）の範囲の中にある
   ことを特徴とする請求項１に記載の堆積膜形成装置。 ０．１≦（１ａ＋１ｂ）／Ｌ≦０．６・・・（ＩＩ）
6. 【請求項６】前記反応容器内面と前記円筒状防着部材外
   面間の距離ｄ［ｍｍ］が、下記式（ＩＩＩ）の範囲の中
   にあることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれ
   か１項に記載の堆積膜形成装置。 ５≦ｄ≦５００・・・（ＩＩＩ）
7. 【請求項７】前記電力供給手段は、周波数が５０ＭＨｚ
   以上４５０ＭＨｚ以下の高周波放電エネルギーを印加す
   ることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１
   項に記載の堆積膜形成装置。
8. 【請求項８】減圧可能な反応容器内に設けられた放電電
   極と、基体加熱ヒーターと、前記基体加熱ヒーターを内
   包するように設置され放電電極を兼ねた回転可能な円筒
   状支持体と、前記円筒状支持体の長手方向に沿って設け
   られた堆積膜形成用原料ガス導入管と、前記反応容器内
   に供給された前記原料ガスを励起させるための電力供給
   手段と、前記反応容器内を排気する手段とを用いて、前
   記円筒状支持体に支持される基体に堆積膜をプラズマＣ
   ＶＤ法によって形成する堆積膜形成方法において、 前記反応容器の反応空間内で、円筒状防着部材を、前記
   円筒状支持体及び前記原料ガス導入管を内包するように
   設置し、該円筒状防着部材の一部領域に設けられた複数
   の穴を通して前記円筒状防着部材に内包される空間から
   前記原料ガスを排気して前記基体に堆積膜を形成するこ
   とを特徴とする堆積膜形成方法。
9. 【請求項９】前記一部領域は該円筒状防着部材の側面上
   部と側面下部の少なくともいずれか一方に設けられてい
   ることを特徴とする請求項８に記載の堆積膜形成方法。
10. 【請求項１０】前記一部領域における開口率は該円筒状
    防着部材の中心部の開口率よりも大きいことを特徴とす
    る請求項８に記載の堆積膜形成方法。
11. 【請求項１１】前記円筒状防着部材に空けられた一つの
    前記穴の面積Ｓ［ｍｍ²］が、下記式（Ｉ）の範囲の中
    にあることを特徴とする請求項８に記載の堆積膜形成方
    法。 ０．５≦Ｓ≦２５０・・・（Ｉ）
12. 【請求項１２】前記円筒状防着部材の軸方向の長さを
    Ｌ、前記円筒状防着部材上部に設けられた第１の前記一
    部領域の幅を１ａ、前記円筒状防着部材の側面下部に設
    けられた第２の前記一部領域の幅を１ｂとすると、（１
    ａ＋１ｂ）／Ｌが下記式（ＩＩ）の範囲の中にあること
    を特徴とする請求項８乃至請求項１１のいずれか１項に
    記載の堆積膜形成方法。 ０．１≦（１ａ＋１ｂ）／Ｌ≦０．６・・・（ＩＩ）
13. 【請求項１３】前記反応容器内面と前記円筒状防着部材
    外面間の距離ｄ［ｍｍ］が、下記式（ＩＩＩ）の範囲の
    中にあることを特徴とする請求項８乃至請求項１２のい
    ずれか１項に記載の堆積膜形成方法。 ５≦ｄ≦５００・・・（ＩＩＩ）
14. 【請求項１４】前記電力供給手段は、周波数が５０ＭＨ
    ｚ以上４５０ＭＨｚ以下であることを特徴とする請求項
    ８乃至請求項１３のいずれか１項に記載の堆積膜形成方
    法。