JPH11343577A

JPH11343577A - Ｎｉ系メッキ基板

Info

Publication number: JPH11343577A
Application number: JP7059599A
Authority: JP
Inventors: Hidenori Hayashida; 英徳林田; Toshikuni Yoshimoto; 俊邦吉本
Original assignee: WORLD METAL KK
Current assignee: WORLD METAL KK
Priority date: 1998-04-01
Filing date: 1999-03-16
Publication date: 1999-12-14

Abstract

(57)【要約】【課題】無電解Ｎｉメッキ処理によって、ガラス基板
上にＮｉ系メッキ皮膜を良好な密着性且つ低コストで形
成し、メモリ媒体用基板を得る。【解決手段】メモリ媒体用ガラス基板上に無電解Ｎｉ
系メッキ皮膜が形成されているＮｉ系メッキ基板の当該
無電解Ｎｉ系メッキ皮膜とガラス基板との間の密着性を
向上させるために、無電解Ｎｉ系メッキ皮膜にＺｎを含
有させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ガラス、ガラスセ
ラミックス又はセラミックスからなるガラス基板上、特
にハードディスクなどのメモリ媒体用のガラス基板上
に、下地極性金属皮膜として密着性の良好な無電解Ｎｉ
系メッキ皮膜を形成する技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、メモリディスク、固定ハードディ
スク、光ディスク、光磁気ディスク、磁気ディスクとい
った磁気メモリ装置の貯蔵素子（以下、これらを総称し
てメモリ媒体という）のための基板（メモリ媒体用基
板）として、Ａｌ製ディスク基板が広く用いられてい
る。

【０００３】一方、近年、メモリ媒体に対しては、記録
密度を高める要求が非常に強くなっており、そのような
要求に応える解決方法の一つは、ディスク状のメモリ媒
体をより高速で回転させることである。

【０００４】しかしながら、Ａｌ製ディスク基板から形
成したメモリ媒体の場合、本来的にメモリ媒体用基板が
金属製であるために、ディスク基板の表面を水平面に加
工することが難しいという問題、煩雑な研磨工程が必要
であるという問題、熱膨張によりディスク基板が反ると
いう問題等を有し、高速回転に対応させる限界に達して
いる。そのため、Ａｌ製ディスク基板から形成したメモ
リ媒体の記録密度を大幅に上げることは不可能となって
いる。

【０００５】これに対して、近年、メモリ媒体用基板と
してディスク状のガラス基板を使用したメモリ媒体が注
目されている。このようなメモリ媒体によれば、記録密
度をＡｌ製ディスク基板から形成したメモリ媒体の１０
０〜１０００倍に容易に高めることができる。従って、
ガラス基板を使用してメモリ媒体を形成する要望が非常
に強まっている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ディス
ク状ガラス基板を用いてメモリ媒体を作製するに際して
は以下のような問題がある。

【０００７】即ち、一般に、メモリ媒体は、ディスク状
のメモリ媒体用基板上にスパッタ法等でメモリ層を形成
することにより作製されている。従って、メモリ媒体用
基板の表面は、多層の極性金属から構成されていること
が必要となる。そのため、メモリ媒体用ガラス基板を用
いてメモリ媒体を作製する場合には、予め、ガラス基板
上に極性を有する金属皮膜（以下、下地極性金属皮膜と
称する）を形成する。ここで、下地極性金属皮膜に対し
ては、ガラス基板に対して密着性が良好であること、ガ
ラス基板に近い熱膨張係数を有すること、記録密度の向
上を可能とすること等が求められている。そこで、下地
極性金属皮膜としては、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｍｏ−Ｔｉ、
ＳｎＯ₂、ＩＴＯ等のバリアメタルを蒸着、スパッタ法
等の真空法プロセスで成膜した膜が挙げられる。従っ
て、ガラス基板を用いた場合には、Ａｌ製ディスク基板
を用いた場合に比べてメモリ媒体の製造コストが高くな
るという問題がある。

【０００８】これに対しては、通常のガラス、ガラスセ
ラミックスあるいはセラミックス上に、無電解メッキ法
でＮｉ系メッキ皮膜を形成する方法は公知であるから、
メモリ媒体用基板としてのガラス基板上への下地極性金
属皮膜の形成に際し、無電解メッキ法を利用することが
考えられる。例えば、ガラス基板を塩化第一スズ溶液に
浸漬してＰｄ活性化処理を行い、水洗後、公知の無電解
Ｎｉ系メッキ液に投入することにより容易にその基板表
面にＮｉ系メッキ皮膜（純Ｎｉ皮膜、Ｐを含有するＮｉ
−Ｐ皮膜、Ｂを含有するＮｉ−Ｂ皮膜等）を析出させる
ことができる。このＮｉ系メッキ皮膜は、基板表面が粗
面化されている場合には、極めて容易に析出させること
ができる。

【０００９】しかし、このような無電解メッキ法で得ら
れるＮｉ系メッキ皮膜は、ガラス基板との密着強度が極
めて弱く、工業的に利用しにくいものである。特に、メ
モリ媒体用基板として使用するディスク状のガラス基板
の表面は、鏡面加工（表面粗度（Ｒａ）＝２〜５００
Å）されているので、密着強度が更に劣ったものとな
る。そのため、メモリ媒体用基板としてのガラス基板上
に従来の無電解メッキ法を用いて下地極性金属皮膜を形
成することは事実上不可能であった。

【００１０】本発明は、以上のような従来技術の課題を
解決しようとするものであり、ガラス基板、特にメモリ
媒体用ガラス基板上に無電解Ｎｉ系メッキ皮膜を良好な
密着性で且つ低コストで形成できるようにすることを目
的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的が、無電解Ｎｉ系メッキ皮膜中にＺｎを含有させるこ
とにより達成できることを見出し、本発明を完成させる
に至った。

【００１２】即ち、本発明は、ガラス基板上に無電解Ｎ
ｉ系メッキ皮膜が形成されているＮｉ系メッキ基板にお
いて、無電解Ｎｉ系メッキ皮膜がＺｎを含有することを
特徴とするＮｉ系メッキ基板を提供する。

【００１３】また、本発明は、ガラス基板上に無電解Ｎ
ｉ系メッキ皮膜が形成されているＮｉ系メッキ基板の製
造方法において、ニッケル塩類、有機酸及び還元剤を含
有し、更にＺｎを０．０１ｍｇ／Ｌ〜２０ｇ／Ｌ含有す
る無電解Ｎｉ系メッキ液でガラス基板を無電解Ｎｉメッ
キ処理してＺｎ含有無電解Ｎｉ系メッキ皮膜を形成する
ことを特徴とする製造方法を提供する。

【００１４】また、本発明は、ガラス基板上に無電解Ｎ
ｉ系メッキ皮膜を形成するための無電解Ｎｉ系メッキ液
であって、ニッケル塩類、有機酸及び還元剤を含有し、
更にＺｎを０．０１ｍｇ／Ｌ〜２０ｇ／Ｌ含有する無電
解Ｎｉ系メッキ液を提供する。

【００１５】更に、本発明は、無電解Ｎｉ系メッキ皮膜
が形成されているガラス基板と、その無電解Ｎｉ系メッ
キ皮膜上に形成されたメモリ層とからなるメモリ媒体に
おいて、無電解Ｎｉ系メッキ皮膜がＺｎを含有すること
を特徴とするメモリ媒体を提供する。

【００１６】

【発明の実施の形態】まず、本発明のＮｉ系メッキ基板
を詳細に説明する。

【００１７】本発明のＮｉ系メッキ基板は、ガラス基板
上にＺｎを含有する無電解Ｎｉ系メッキ皮膜が良好な密
着性で形成されているものである。

【００１８】本発明において使用するガラス基板として
は、ガラス（結晶化ガラス（例えばＳｉＯ₂−ＬｉＯ₂−
ＭｇＯ−Ｐ₂Ｏ₅系ガラス）、強化ガラス（例えばソーダ
ライムガラス）等）、ガラスセラミックス（ＳｉＯ₂−
Ａｌ₂Ｏ₃系ガラス、ＳｉＯ₂−ＬｉＯ₂系ガラス等）又は
セラミックス（Ａｌ₂Ｏ₃等）からなる基板を挙げること
ができ、また、その表面粗度に限定はなく、種々の用途
のものを使用することができる。例えば、表面粗度（Ｒ
ａ）＝１〜５００Å、好ましくはＲａ＝２〜２００Åと
いうレベルの鏡面加工が施され、アルミノ珪酸塩からな
る結晶化ガラス基板を好ましく使用することができる。
このような結晶化ガラス基板は、ハードディスク等のメ
モリ媒体のガラス基板として有用なものである。

【００１９】また、本発明において無電解Ｎｉ系メッキ
皮膜中に含有されているＺｎには、ＺｎあるいはＺ
ｎ²⁺、ＺｎＯ、Ｚｎ(ＯＨ)₂等のイオン状態のものも含
まれる。このように、無電解Ｎｉ系メッキ皮膜中にＺｎ
を含有させると、その作用機構は必ずしも解明できてい
ないが、無電解Ｎｉ系メッキ皮膜とガラス基板との間の
密着性を向上させることができる。

【００２０】無電解Ｎｉ系メッキ皮膜中のＺｎ濃度は、
低すぎると無電解Ｎｉ系メッキ皮膜とガラス基板との間
の密着性が不十分であり、高すぎると無電解Ｎｉ系メッ
キ皮膜が脆くなるので、好ましくは３重量％以下、より
好ましくは０．００００１〜３重量％である。

【００２１】また、本発明において無電解Ｎｉ系メッキ
皮膜には、ＮｉとＺｎとからなるＮｉ−Ｚｎ皮膜、ある
いは更に他の元素も含む無電解Ｎｉ系メッキ皮膜のいず
れも含まれる。後者の典型例としては、Ｐを更に含有す
るＮｉ―Ｚｎ−Ｐ皮膜、Ｂを更に含有するＮｉ―Ｚｎ―
Ｂ皮膜等を好ましく挙げることができる。

【００２２】本発明において、無電解Ｎｉ系メッキ皮膜
には、必要に応じて、Ｓｉ、Ｔｌ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｐｂ、
Ｓｎ、Ｆｅ、Ｓ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｗ、Ｃｕ、
Ｐｄ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｓｅ、Ａｓ、Ｃａ及びＣｏから選ば
れる１種又は２種以上の元素を更に含有させてもよい。
これらを含有させる場合の濃度は、含有させる元素の種
類、Ｎｉ系メッキ基板の使用目的等に応じて適宜定める
ことができる。

【００２３】無電解Ｎｉ系メッキ皮膜の厚さは、ガラス
基板との密着性の点から、０．０００１μｍ〜２０μｍ
とすることが好ましい。

【００２４】以上のような本発明のＮｉ系メッキ基板
は、ニッケル塩類、有機酸及び還元剤を含有し、更にＺ
ｎを０．０１ｍｇ／Ｌ〜２０ｇ／Ｌ含有する本発明の無
電解Ｎｉ系メッキ液を用いてガラス基板を無電解Ｎｉメ
ッキ処理することにより容易に製造することができる。

【００２５】ここで、ニッケル塩類としては、酢酸塩、
ギ酸塩、シュウ酸塩等の有機酸塩、スルファミン酸塩、
硫酸塩、塩化物、硼フッ化物塩等が好ましい。また、こ
のメッキ液中の濃度としては、Ｎｉ²⁺として、０．１〜
１００ｇ／Ｌが好ましく、特に１〜５ｇ／Ｌが好まし
い。

【００２６】有機酸としては、リンゴ酸、コハク酸、ク
エン酸、乳酸、酒石酸、シュウ酸、ギ酸、グリコール
酸、グルコン酸、アジピン酸、ＥＤＴＡ、ＮＴＡ、グル
タミン酸等が好ましい。また、このメッキ液中の有機酸
濃度としては、１〜１００ｇ／Ｌが好ましく、特に５〜
３０ｇ／Ｌが好ましい。

【００２７】還元剤は、形成すべき無電解Ｎｉ系メッキ
皮膜の種類（例えば、Ｎｉ−Ｚｎ皮膜、Ｎｉ―Ｚｎ−Ｐ
皮膜、又はＮｉ−Ｚｎ−Ｂ皮膜等）等に応じて適宜選択
する。例えば、Ｎｉ−Ｚｎ皮膜を形成する場合、ホルマ
リン、ギ酸、シュウ酸等が好ましく、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｐ皮
膜を形成する場合、次亜リン酸、亜リン酸、あるいはこ
れらの塩等が好ましく、Ｎｉ―Ｚｎ−Ｂ皮膜を形成する
場合、ＤＭＡＢ（dimethyl aminoborane）、ＮａＢ
Ｈ₄、ＫＢＨ₄、ＴＭＡＢ（trimethyl aminoborane）等
が好ましい。

【００２８】無電解Ｎｉ系メッキ液中の還元剤の濃度
は、還元剤として次亜リン酸又は亜リン酸等を使用する
場合、１〜１００ｇ／Ｌが好ましく、特に３〜２０ｇ／
Ｌが好ましい。なお、Ｎｉの次亜リン酸塩を使用した場
合には、その塩は同時にＮｉ及び次亜リン酸の供給源と
なる。この場合、Ｎｉの次亜リン酸塩の使用量は、好ま
しくは１〜５０ｇ／Ｌ、より好ましくは５〜３０ｇ／Ｌ
である。

【００２９】Ｚｎは、本発明の無電解Ｎｉ系メッキ液に
特徴的な成分であり、亜鉛の硫酸塩、塩化物、スルファ
ミン酸塩等の無機酸塩や酒石酸、酢酸、乳酸等の有機酸
の塩として供給されることが好ましい。中でも亜鉛の硫
酸塩、塩化物、スルファミン酸塩、酢酸塩又は酒石酸塩
が好ましい。

【００３０】また、Ｚｎの無電解Ｎｉ系メッキ液中の濃
度は、０．０１ｍｇ／Ｌ〜２０ｇ／Ｌ、好ましくは０．
０３ｍｇ／Ｌ〜３ｇ／Ｌとする。０．０１ｍｇ／Ｌを下
回ると無電解Ｎｉ系メッキ皮膜とガラス基板との密着性
が低下し、２０ｇ／Ｌを超えると無電解Ｎｉ系メッキ皮
膜が脆くなる傾向がある。

【００３１】無電解Ｎｉ系メッキ液には、上述のニッケ
ル塩類、有機酸、還元剤及びＺｎの他、必要に応じてＳ
ｉ、Ｔｌ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｓ、Ｂｉ、
Ｃｄ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｗ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｓ
ｅ、Ａｓ、Ｃａ及びＣｏから選ばれる１種又は２種以上
の元素を含有させることができる。これらを含有させる
場合の濃度は、含有させる元素の種類、Ｎｉ系メッキ基
板の使用目的等に応じて適宜定めることができる。例え
ば、硫酸スズを含有させる場合には０．１〜０．５ｇ／
Ｌ含有させることが好ましい。

【００３２】無電解Ｎｉ系メッキ液のｐＨは、３〜１２
に調整することが好ましく、特にｐＨ３．５〜９．０が
好ましい。

【００３３】本発明の無電解Ｎｉ系メッキ液を用いてガ
ラス基板に対して無電解メッキする方法としては、公知
の無電解Ｎｉメッキ法に準じて行うことができる。例え
ば、ガラス基板を、まず、塩化第一スズ溶液に浸漬し、
水洗し、続いて塩化パラジウム溶液に浸漬してＰｄ活性
化処理を行い、水洗後、無電解Ｎｉ系メッキ液に投入す
ればよい。この場合、メッキ液の温度は、室温〜９５
℃、特に４０〜８０℃が好ましい。こうして無電解Ｎｉ
メッキ処理を行うことにより、容易にガラス基板の表面
にＮｉ−Ｚｎ皮膜、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｐ皮膜、Ｎｉ−Ｚｎ−
Ｂ皮膜等を析出させることができる。

【００３４】なお、本発明の無電解Ｎｉ系メッキ液は、
ハードディスク用ガラス基板等のメモリ媒体用ガラス基
板上に無電解Ｎｉ系メッキ皮膜を形成する場合に好まし
く利用されるが、メモリ媒体用ガラス基板以外の一般的
な用途のガラス基板に良好な密着性を示す無電解Ｎｉ系
メッキ皮膜を形成する場合にも好ましく使用することが
できる。

【００３５】本発明のＮｉ系メッキ基板からは、その無
電解Ｎｉ系メッキ皮膜上に従来公知のメモリ層を形成す
ることによりメモリ媒体が得られる。メモリ層として
は、公知の磁性材料（γ−Ｆｅ₂Ｏ₃、Ｃｏ−Ｃｒ合金
等）をスパッタ法により成膜した磁気メモリ層を好まし
く挙げることができる。このようなメモリ層上には、更
に、ＳｉＯ₂、ＳｉＣ等からなる保護層やカーボン等か
らなる潤滑層を適宜形成することができる。

【００３６】ところで、本発明のＮｉ系メッキ基板から
メモリ媒体を作製する場合、ガラス基板上のＺｎ含有無
電解Ｎｉ系メッキ皮膜（例えば０．３〜１．０μｍ厚）
に対して公知のメカニカルテクスチュアリング（Mechan
ical texturing）を施した後に、メモリ層を積層しても
よい。また、Ｚｎ含有無電解Ｎｉ系メッキ皮膜（例えば
０．５〜２．０μｍ厚）に対して、ノジュールやピット
の除去を目的として軽度の研磨処理を施し、更に公知の
メカニカルテクスチュアリングを施した後に、メモリ層
を積層してもよい。

【００３７】なお、Ｚｎ含有無電解Ｎｉ系メッキ皮膜
を、ガラス基板と従来の一般的なＡｌ基板用無電解Ｎｉ
系メッキ皮膜との間の密着性確保のためのＮｉストライ
クメッキ層として利用することができる。この場合に
は、従来のメモリ媒体の製造工程の変更を抑制すること
ができる。

【００３８】

【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説
明する。

【００３９】実施例１直径２．５inch、厚さ０．６３５ｍｍ、表面粗度（Ｒ
ａ）＝２〜３Åからなる市販のディスク状のハードディ
スク用結晶化ガラス基板を用いて、以下のように無電解
Ｎｉメッキ処理を行い、その表面に０．５μｍ（５００
０Å）厚のＮｉ−Ｚｎ−Ｐ皮膜を形成した。

【００４０】まず、ガラス基板を、非イオン界面活性剤
（２ｇ／Ｌ）からなるクリーニング液を用いて洗浄し、
水洗した。続いて、塩化第一スズ(２ｇ／Ｌ)、３６％Ｈ
Ｃｌ(２０ｍl／Ｌ)からなるセンシタイザー液に５０℃
で３分間浸漬し、水洗した。

【００４１】次に、ＰｄＣｌ₂（０．１ｇ／Ｌ)、３６％
ＨＣｌ(０．５ｍl／Ｌ)からなる活性液に、３５℃で３
分間浸漬し、水洗した。

【００４２】次いで、硫酸ニッケル(１０ｇ／Ｌ)、クエ
ン酸(２０ｇ／Ｌ)、次亜リン酸ソーダ(１０ｇ／Ｌ)、酢
酸亜鉛(０．５ｇ／Ｌ)からなる無電解Ｎｉ系メッキ液
（ｐＨ５．０）を調製し、これを７０℃に加温し、その
中に活性化処理した前述のガラス基板を２０分間投入す
ることにより無電解Ｎｉメッキ処理を行い、０．５μｍ
厚のＮｉ−Ｚｎ−Ｐ皮膜を形成し、メモリ媒体用基板を
得た。

【００４３】このようにして得られたメモリ媒体用基板
を水洗し、乾燥した後、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｐ皮膜の密着性を
評価した。即ち、メモリ媒体用基板を１５０℃で１２０
分加熱した後に、粘着テープによる碁盤目テスト（１ｍ
ｍ角のマス目１００個を、カッターナイフで作製）を常
法に従って行った。その結果、非剥離片／試験片＝１０
０／１００であり、全く剥離は生じなかった。

【００４４】また、ガラス基板上に形成されたＮｉ−Ｚ
ｎ−Ｐ皮膜の表面観察を、電子顕微鏡にて行ったとこ
ろ、０．０１μｍ（１００Å）以上の凸凹は全く認めら
れなかった。

【００４５】次に、ガラス基板上にＮｉ−Ｚｎ−Ｐ皮膜
（未研磨）が形成されているメモリ媒体用基板の当該Ｎ
ｉ−Ｚｎ−Ｐ皮膜上に、従来法に従ってスパッタ法（１
０^-3Ｔｏｒｒ）で０．２μｍ厚のγ−Ｆｅ₂Ｏ₃からなる
磁気メモリ層を積層し、更に保護層として１μｍ厚のＳ
ｉＯ₂を１０^-3Ｔｏｒｒの圧力下で積層してメモリ媒体
を形成した。得られたメモリ媒体は、磁気メモリ層とガ
ラス基板との間の密着不良もなく、従来のＡｌ製ディス
ク基板から形成したメモリ媒体に比べて記録密度が１５
０倍に上がった。

【００４６】比較例１無電解Ｎｉ系メッキ液にＺｎ²⁺を全く添加しない以外
は、実施例１と同様にガラス基板に無電解Ｎｉメッキ処
理を行い、その表面に０．５μｍ（５０００Å）厚の無
電解Ｎｉ系メッキ皮膜を形成し、メモリ媒体用基板を作
製した。

【００４７】得られたメモリ媒体用基板について、実施
例１と同様に碁盤目テストを行ったところ、非剥離片／
試験片＝０／１００であり、全く密着は取れていなかっ
た。

【００４８】実施例２ＳｉＯ₂−Ｌｉ₂Ｏ₃−Ａｌ₂Ｏ₃を主成分とするディスク
状の強化ガラス基板（直径２．５inch、厚さ０．６３５
ｍｍ、表面粗度（Ｒａ）＝２〜３Å）を用いて、以下の
ように無電解Ｎｉメッキ処理を行い、その表面に５μｍ
厚のＮｉ−Ｚｎ−Ｐ皮膜を形成した。

【００４９】まず、非イオン界面活性剤（１ｇ／Ｌ）か
らなるクリーニング液を用いて、ガラス基板に対して１
０分間、３０℃で超音波洗浄を行った。水洗後、硼フッ
化第一スズ（３ｇ／Ｌ）、硼フッ酸（１０ｇ／Ｌ）から
なるセンシタイザー液に５０℃で３分間浸漬し、水洗し
た。次に、塩化パラジウム（０．１ｇ／Ｌ）、３６％Ｈ
Ｃｌ（１０ｍｌ／Ｌ）からなる活性液に、５０℃で３分
間浸漬し、水洗した。

【００５０】次いで、硫酸ニッケル（１０ｇ／Ｌ）、リ
ンゴ酸（２０ｇ／Ｌ）、次亜リン酸ソーダ（１０ｇ／
Ｌ）、亜リン酸ソーダ（５ｇ／Ｌ）、酒石酸亜鉛（１ｇ
／Ｌ）からなる無電解Ｎｉ系メッキ液（ｐＨ４．５）を
調製し、これを８０℃に加温し、その中に前述のガラス
基板を投入することにより無電解Ｎｉメッキ処理を行
い、５μｍ厚のＮｉ−Ｚｎ−Ｐ皮膜を形成し、メモリ媒
体用基板を得た。得られたメモリ媒体用基板を水洗、乾
燥し、そのＮｉ−Ｚｎ−Ｐ皮膜の成分分析を行ったとこ
ろ、Ｎｉ９３wt％、Ｐ７wt％、Ｚｎ０．１wt％であっ
た。

【００５１】また、得られたメモリ媒体用基板のＮｉ−
Ｚｎ−Ｐ皮膜の碁盤目テストを実施例１と同様に行った
ところ、非剥離片／試験片＝１００／１００であり、全
く剥離は生じなかった。

【００５２】また、得られたメモリ媒体用基板のＮｉ−
Ｚｎ−Ｐ皮膜に対して次のように引張テストを行った。
即ち、２ｍｍ角を残し、他はエッチングで除去し、その
上に直径０．２ｍｍのスズメッキ線をハンダ付けし、垂
直方向に引っ張り、ガラス基板とハンダとの間が剥がれ
たときの力を密着強度とした。その結果、密着強度は８
ｋｇ／２×２ｍｍ²＝２．０ｋｇ／ｍｍ²であった。

【００５３】次に、ガラス基板上にＮｉ−Ｚｎ−Ｐ皮膜
（未研磨）が形成されたメモリ媒体用基板の当該Ｎｉ−
Ｚｎ−Ｐ皮膜上に、従来法に従ってスパッタ法（１０^-3
Ｔｏｒｒ）で磁気メモリ層として０．２μｍ厚のγ−Ｆ
ｅ₂Ｏ₃を積層し、さらに保護層として０．３μｍ厚のカ
ーボンをスパッタ法で積層することにより、メモリ媒体
を作製した。その結果、磁気メモリ層とガラス基板との
間の密着不良もなく、従来のＡｌ製ディスク基板から形
成したメモリ媒体に比べて記録密度が１００倍に上がっ
た。

【００５４】比較例２無電解Ｎｉ系メッキ液に酒石酸亜鉛を全く添加しない以
外は、実施例２と同様にガラス基板に無電解Ｎｉメッキ
処理を行い、その表面に５μｍ厚の無電解Ｎｉ系メッキ
皮膜を形成し、メモリ媒体用基板を作製した。

【００５５】得られたメモリ媒体用基板について、実施
例１と同様に碁盤目テストを行ったところ、非剥離片／
試験片＝０／１００であり、全く密着は取れていなかっ
た。

【００５６】実施例３直径８４ｍｍ、厚さ０．６３５ｍｍ、表面粗度（Ｒａ）
＝２〜３Åからなる市販のディスク状のガラスセラミッ
ク基板（ＳｉＯ₂、Ｌｉ₂Ｏ、Ａｌ₂Ｏ₃＋Ａｕ、Ｃｅ
Ｏ₂、Ａｇ）を用いて、以下のように無電解Ｎｉメッキ
処理を行い、その表面に０．１μｍ（１０００Å）厚の
Ｎｉ−Ｚｎ−Ｐ皮膜を形成した。

【００５７】まず、ガラスセラミック基板を非イオン界
面活性剤（２ｇ／Ｌ）からなるクリーニング液を用いて
洗浄し、次いで、ＳｎＣｌ₂、ＰｄＣｌ₂及びＨＣｌから
調合された所謂キャタリスト液（Ｐｄ²⁺（０．１ｇ／
Ｌ）、Ｓｎ²⁺（０．２ｇ／Ｌ））に４０℃で５分間浸漬
し、水洗した。

【００５８】続いて、塩化ニッケル（５ｇ／Ｌ）、クエ
ン酸二アンモニウム（１０ｇ／Ｌ）、次亜リン酸ソーダ
（３ｇ／Ｌ）、塩化亜鉛（０．５ｇ／Ｌ）からなる無電
解Ｎｉ系メッキ液（ｐＨ５．０）を調製し、これを８０
℃に加温し、この中にキャタリスト処理したガラスセラ
ミック基板を投入することにより無電解Ｎｉメッキ処理
を行い、０．１μｍ（１０００Å）厚のＮｉ−Ｚｎ−Ｐ
皮膜を形成し、メモリ媒体用基板を得た。

【００５９】得られたメモリ媒体用基板について、碁盤
目テストを実施例１と同様に行ったところ、非剥離片／
試験片＝１００／１００であり、全く剥離は生じなかっ
た。

【００６０】比較例３無電解Ｎｉ系メッキ液に塩化亜鉛を全く添加しない以外
は、実施例３と同様にガラスセラミックス基板に無電解
Ｎｉメッキ処理を行い、表面に０．１μｍ厚の無電解Ｎ
ｉ系メッキ皮膜を形成し、メモリ媒体用基板を作製し
た。

【００６１】得られたメモリ媒体用基板について、実施
例１と同様に碁盤目テストを行ったところ、非剥離片／
試験片＝０／１００であり、全く密着は取れていなかっ
た。

【００６２】実施例４直径６４ｍｍ、厚さ０．６３５ｍｍ、表面粗度（Ｒａ）
＝２〜３Åからなる市販のディスク状のハードディスク
用セラミックス（アルミナ）基板を用いて、以下のよう
にして無電解Ｎｉメッキ処理を行い、表面に０．４μｍ
（４０００Å）厚のＮｉ−Ｚｎ−Ｐ皮膜を形成した。

【００６３】まず、非イオン界面活性剤（１ｇ／Ｌ）か
らなるクリーニング液を用いてセラミックス基板を洗浄
後、超音波洗浄を行い、ＳｎＣｌ₂（０．２ｇ／Ｌ）、
３６％ＨＣｌ（３ｍｌ／Ｌ）からなるセンシタイザー液
に３０℃で５分間浸漬し、水洗後、ＰｄＣｌ₂（０．０
５ｇ／Ｌ）、３６％ＨＣｌ（１０ｍｌ／Ｌ）からなる活
性液に３０℃で５分間浸漬し、水洗した。

【００６４】続いて、酢酸ニッケル（３ｇ／Ｌ）、酢酸
ソーダ（３０ｇ／Ｌ）、クエン酸ソーダ（１０ｇ／
Ｌ）、次亜リン酸ソーダ（１０ｇ／Ｌ）、酢酸鉛（０．
２ｇ／Ｌ）、酢酸亜鉛（０．１ｇ／Ｌ）からなる無電解
Ｎｉ系メッキ液（ｐＨ４．０）を調製し、これを液温７
０℃に加温し、その中にシンセタイザー処理されたセラ
ミックス基板を投入することにより無電解Ｎｉメッキ処
理を行い、０．４μｍ（４０００Å）厚のＮｉ−Ｚｎ−
Ｐ皮膜を形成し、メモリ媒体用基板を得た。

【００６５】得られたメモリ媒体用基板について、碁盤
目テストを実施例１と同様に行ったところ、非剥離片／
試験片＝１００／１００であり、全く剥離は生じなかっ
た。

【００６６】比較例４無電解Ｎｉ系メッキ液に酢酸亜鉛を全く添加しない以外
は、実施例４と同様にハードディスク用セラミックス
（アルミナ）基板に無電解Ｎｉメッキ処理を行い、表面
に０．４μｍ厚の無電解Ｎｉ系メッキ皮膜を形成し、メ
モリ媒体用基板を作製した。

【００６７】得られたメモリ媒体用基板について、実施
例１と同様に碁盤目テストを行ったところ、非剥離片／
試験片＝０／１００であり、全く密着は取れていなかっ
た。

【００６８】実施例５直径３．５inch、厚さ０．６３５ｍｍ、表面粗度（Ｒ
ａ）＝２００Åからなる市販のディスク状のハードディ
スク用結晶化ガラス基板を用いて、以下のようにして無
電解Ｎｉメッキ処理を行い、表面に０．５μｍ（５００
０Å）厚のＮｉ−Ｚｎ−Ｐ皮膜を形成し、更にその上
に、従来のＡｌ基板に適用されている１０μｍ厚のＮｉ
−Ｐ皮膜を形成し、メモリ媒体用基板を得た。

【００６９】まず、ガラス基板を、非イオン界面活性剤
（２ｇ／Ｌ）からなるクリーニング液を用いて洗浄し、
水洗した。続いて、塩化第一スズ（２ｇ／Ｌ）、３６％
ＨＣｌ（２０ｍｌ／Ｌ）からなるセンシタイザー液に５
０℃で３分間浸漬し、水洗した。次に、ＰｄＣｌ
₂（０．１ｇ／Ｌ）、３６％ＨＣｌ（０．５ｍｌ／Ｌ）
からなる活性液に、３５℃で３分間浸漬し、水洗した。

【００７０】次いで、硫酸ニッケル（１０ｇ／Ｌ）、ク
エン酸（２０ｇ／Ｌ）、次亜リン酸ソーダ（１０ｇ／
Ｌ）、酢酸亜鉛（０．５ｇ／Ｌ）からなる無電解Ｎｉ系
メッキ液（ｐＨ５．０）を調製し、これを７０℃に加温
し、その中に活性化処理した前述のガラス基板を２０分
間投入することにより無電解Ｎｉメッキ処理を行い、
０．５μｍ厚のＮｉ−Ｚｎ−Ｐ皮膜をＮｉストライクメ
ッキ皮膜として形成した。続いて、硫酸ニッケル（３０
ｇ／Ｌ）、酢酸ソーダ（３０ｇ／Ｌ）、クエン酸ソーダ
（３０ｇ／Ｌ）、次亜リン酸ソーダ（３０ｇ／Ｌ）、酢
酸鉛（０．２ｇ／Ｌ）からなる無電解Ｎｉ−Ｐ系メッキ
液（ｐＨ４．０）を調製し、これを７０℃に加温し、そ
の中に前述のガラス基板を投入することにより無電解Ｎ
ｉメッキ処理を行い、１０μｍ厚のＮｉ−Ｐ皮膜を形成
した。これにより、メモリ媒体用基板を得た。

【００７１】得られたメモリ媒体用基板を水洗し乾燥し
た後、従来のＡｌ基板上のＮｉ−Ｐ皮膜の研磨洗浄装置
で研磨し、Ｎｉ−Ｐ皮膜の表面粗度をＲａ＝２Åに調整
した。その後、実施例１と同様に磁気メモリ層と保護層
とを形成することにより、メモリ媒体を得た。

【００７２】得られたメモリ媒体は、ガラス基板とＮｉ
−Ｐ皮膜との間及びＮｉ−Ｐ皮膜と磁気メモリ層との間
の密着不良もなく、従来のＡｌ製ディスク基板から形成
したメモリ媒体に比べて記録密度が飛躍的に向上した。

【００７３】

【発明の効果】本発明によれば、任意の表面粗度のガラ
ス基板に、無電解Ｎｉ系メッキ皮膜を良好な密着性で形
成することができる。従って、メモリ媒体用ガラス基板
上に、下地極性金属皮膜としての無電解Ｎｉ系メッキ皮
膜を無電解Ｎｉメッキ処理によって低コストで形成する
ことができる。しかも、そのガラス基板の表面が鏡面で
ある場合でも、良好な密着性で形成することができる。
このため、本発明のＮｉ系メッキ基板をハードディスク
用ガラス基板に適用して得られる所謂ガラスハードディ
スクは、従来のアルミニウムハードディスクに比べ、耐
衝撃性に優れ、薄型化することができ、剛性や硬度が高
く、平滑性に優れ、高速回転（例えば７０００ｒｐｍ以
上）も可能であるので、磁気ヘッドの低フライングハイ
ト化が可能となり、結果的に磁気記録密度が向上する。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ガラス基板上に無電解Ｎｉ系メッキ皮膜
が形成されているＮｉ系メッキ基板において、無電解Ｎ
ｉ系メッキ皮膜がＺｎを含有することを特徴とするＮｉ
系メッキ基板。
【請求項２】無電解Ｎｉ系メッキ皮膜が、Ｎｉ−Ｚｎ
皮膜、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｐ皮膜又はＮｉ−Ｚｎ−Ｂ皮膜であ
る請求項１記載のＮｉ系メッキ基板。
【請求項３】無電解Ｎｉ系メッキ皮膜中のＺｎ濃度が
３重量％以下である請求項１記載のＮｉ系メッキ基板。
【請求項４】無電解Ｎｉ系メッキ皮膜が、更にＳｉ、
Ｔｌ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｓ、Ｂｉ、Ｃ
ｄ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｗ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｓｅ、
Ａｓ、Ｃａ及びＣｏから選ばれる１種又は２種以上の元
素を含有する請求項１記載のＮｉ系メッキ基板。
【請求項５】無電解Ｎｉ系メッキ皮膜の厚さが０．０
００１μｍ〜２０μｍである請求項１記載のＮｉ系メッ
キ基板。
【請求項６】ガラス基板が、ガラス、ガラスセラミッ
クス又はセラミックスから形成されている請求項１記載
のＮｉ系メッキ基板。
【請求項７】ガラス基板が、メモリ媒体用ガラス基板
である請求項１記載のＮｉ系メッキ基板。
【請求項８】ガラス基板上に無電解Ｎｉ系メッキ皮膜
が形成されているＮｉ系メッキ基板の製造方法におい
て、ニッケル塩類、有機酸及び還元剤を含有し、更にＺ
ｎを０．０１ｍｇ／Ｌ〜２０ｇ／Ｌ含有する無電解Ｎｉ
系メッキ液でガラス基板を無電解Ｎｉメッキ処理するこ
とにより、Ｚｎ含有無電解Ｎｉ系メッキ皮膜を形成する
ことを特徴とする製造方法。
【請求項９】Ｚｎを、硫酸塩、塩化物、スルファミン
酸塩、酢酸塩又は酒石酸塩として無電解Ｎｉ系メッキ液
に添加する請求項８記載の製造方法。
【請求項１０】更に、Ｓｉ、Ｔｌ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｐ
ｂ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｓ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｗ、Ｃ
ｕ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｓｅ、Ａｓ、Ｃａ及びＣｏから
選ばれる１種又は２種以上の元素を含有する請求項８記
載の製造方法。
【請求項１１】ガラス基板上に無電解Ｎｉ系メッキ皮
膜を形成するための無電解Ｎｉ系メッキ液であって、ニ
ッケル塩類、有機酸及び還元剤を含有し、更にＺｎを
０．０１ｍｇ／Ｌ〜２０ｇ／Ｌ含有する無電解Ｎｉ系メ
ッキ液。
【請求項１２】Ｚｎを、硫酸塩、塩化物、スルファミ
ン酸塩、酢酸塩又は酒石酸塩として無電解Ｎｉ系メッキ
液に添加する請求項１１記載の無電解Ｎｉ系メッキ液。
【請求項１３】更に、Ｓｉ、Ｔｌ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｐ
ｂ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｓ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｗ、Ｃ
ｕ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｓｅ、Ａｓ、Ｃａ及びＣｏから
選ばれる１種又は２種以上の元素を含有する請求項１１
記載の無電解Ｎｉ系メッキ液。
【請求項１４】ガラス基板上に無電解Ｎｉ系メッキ
皮膜が形成されているＮｉ系メッキ基板と、その無電解
Ｎｉ系メッキ皮膜上に形成されたメモリ層とからなるメ
モリ媒体において、無電解Ｎｉ系メッキ皮膜がＺｎを含
有することを特徴とするメモリ媒体。
【請求項１５】メモリ層が磁気メモリ層である請求
項１４記載のメモリ媒体。