JPH04291018A - 磁気記録媒体の製造法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造法Info
- Publication number
- JPH04291018A JPH04291018A JP5703091A JP5703091A JPH04291018A JP H04291018 A JPH04291018 A JP H04291018A JP 5703091 A JP5703091 A JP 5703091A JP 5703091 A JP5703091 A JP 5703091A JP H04291018 A JPH04291018 A JP H04291018A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electroless plating
- glass substrate
- recording medium
- magnetic recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、耐候性の著しく向上さ
れたガラス基板を用いた磁気記録媒体及びその製造法に
関するものである。
れたガラス基板を用いた磁気記録媒体及びその製造法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク用基板としてガラス基板を
用いることは公知であり、例えば、特公昭４３−４６２
１号にてメッキ法にて磁性膜を作製することが提案され
ており、また、特開昭５９−１７１０３１号に於いては
ガラス基板にスパッタ法にてＣｏ−Ｐｔ磁性膜を形成し
た磁気記録媒体が提案されている。
用いることは公知であり、例えば、特公昭４３−４６２
１号にてメッキ法にて磁性膜を作製することが提案され
ており、また、特開昭５９−１７１０３１号に於いては
ガラス基板にスパッタ法にてＣｏ−Ｐｔ磁性膜を形成し
た磁気記録媒体が提案されている。
【０００３】しかし、実用的にはいくつかの問題があり
、汎用的に用いられていない。その一つの問題として、
以下に記載する如く耐候性が劣る問題がある。つまり、
ガラス基板は通常のアルミニウム基板にＮｉ−Ｐ無電解
メッキを施した基板と異なり、耐水性が劣り、水により
侵食され易く、かつ、ガラス基板のアルカリ成分が表面
に溶出して来ることが例えば「ガラス表面設計」（近代
編集社）Ｐ．４３およびＰ．１５６に記載されている。
、汎用的に用いられていない。その一つの問題として、
以下に記載する如く耐候性が劣る問題がある。つまり、
ガラス基板は通常のアルミニウム基板にＮｉ−Ｐ無電解
メッキを施した基板と異なり、耐水性が劣り、水により
侵食され易く、かつ、ガラス基板のアルカリ成分が表面
に溶出して来ることが例えば「ガラス表面設計」（近代
編集社）Ｐ．４３およびＰ．１５６に記載されている。
【０００４】実用面での対策として液晶用のガラス基板
にはアルカリ成分の溶出防止のため、有機シリコン溶液
を塗布してシリコン酸化膜の薄膜層を形成することを工
業的に実施したり、アルカリ成分の溶出量がソーダライ
ムシリケートガラスに比べ少ないホウケイ酸ガラスが使
用されている。但し、コスト的に問題があり、ホウケイ
酸ガラスの価格は高い。
にはアルカリ成分の溶出防止のため、有機シリコン溶液
を塗布してシリコン酸化膜の薄膜層を形成することを工
業的に実施したり、アルカリ成分の溶出量がソーダライ
ムシリケートガラスに比べ少ないホウケイ酸ガラスが使
用されている。但し、コスト的に問題があり、ホウケイ
酸ガラスの価格は高い。
【０００５】ガラス基板を磁気記録媒体用基板として用
いた場合も例外でなく、多湿環境下で磁気ディスクの内
外周等に腐食が発生し、その改善のために多くの提案が
されている。例えば、特開昭６３−２６９３１９号では
、磁気ディスク周縁部の磁気記録層とガラス露出部分に
エポキシ樹脂等を塗布することが提案され、また、特開
昭６４−４２０２５号では、ガラス基板の組成を特定の
組成に変更することが提案されている。しかし、組成変
更は製造条件の変更であり、溶解温度が高くなる等製造
上の問題が発生すると共に、コスト的にも高くなる。 また、樹脂や有機シリコン溶液の塗布は磁気ディスクの
平坦度に悪影響を与える。最近は磁気ディスクの高容量
化のためヘッドが低浮上化しており、かつ、磁気ディス
クの最外周まで飛行するため、ヘッドクラッシユの原因
ともなり、好ましくない。
いた場合も例外でなく、多湿環境下で磁気ディスクの内
外周等に腐食が発生し、その改善のために多くの提案が
されている。例えば、特開昭６３−２６９３１９号では
、磁気ディスク周縁部の磁気記録層とガラス露出部分に
エポキシ樹脂等を塗布することが提案され、また、特開
昭６４−４２０２５号では、ガラス基板の組成を特定の
組成に変更することが提案されている。しかし、組成変
更は製造条件の変更であり、溶解温度が高くなる等製造
上の問題が発生すると共に、コスト的にも高くなる。 また、樹脂や有機シリコン溶液の塗布は磁気ディスクの
平坦度に悪影響を与える。最近は磁気ディスクの高容量
化のためヘッドが低浮上化しており、かつ、磁気ディス
クの最外周まで飛行するため、ヘッドクラッシユの原因
ともなり、好ましくない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前述のように、通常の
ガラス基板、ソーダライムシリケートガラス、アルミノ
シリケートガラス等を磁気記録媒体基板として用いる場
合、基板から溶出するアルカリ成分による磁性膜の腐食
が問題となる。アルカリ成分の溶出は単に、磁気ディス
クの周辺部のガラス基板露出部のみならず製造工程で発
生した磁気ディスク記録領域での微小な膜未形成部でも
発生するため、ガラス基板全面を均一に被覆することが
望ましい。
ガラス基板、ソーダライムシリケートガラス、アルミノ
シリケートガラス等を磁気記録媒体基板として用いる場
合、基板から溶出するアルカリ成分による磁性膜の腐食
が問題となる。アルカリ成分の溶出は単に、磁気ディス
クの周辺部のガラス基板露出部のみならず製造工程で発
生した磁気ディスク記録領域での微小な膜未形成部でも
発生するため、ガラス基板全面を均一に被覆することが
望ましい。
【０００７】本発明者らは、アルミニウム基板と同様に
ガラス基板全面に無電解Ｎｉ−Ｐメッキ層を形成するこ
とを試みたが、従来の手法ではガラス基板は無電解メッ
キ層と密着性が悪く、鏡面研磨したガラス基板には、無
電解Ｎｉ−Ｐメッキ層は高々３００Åの厚さしかメッキ
出来ず、それ以上の厚さではメッキ中や水洗中にメッキ
膜の▲剥▼離が生じた。高々３００Åでは、アルカリ成
分の溶出防止膜としては不十分であった。
ガラス基板全面に無電解Ｎｉ−Ｐメッキ層を形成するこ
とを試みたが、従来の手法ではガラス基板は無電解メッ
キ層と密着性が悪く、鏡面研磨したガラス基板には、無
電解Ｎｉ−Ｐメッキ層は高々３００Åの厚さしかメッキ
出来ず、それ以上の厚さではメッキ中や水洗中にメッキ
膜の▲剥▼離が生じた。高々３００Åでは、アルカリ成
分の溶出防止膜としては不十分であった。
【０００８】ガラス基板との密着性を改善するために、
例えば、特開昭４８−９４４０３号、特開昭４９−１２
２７０７号でガラス基板に金属粉を混ぜたりした特殊ガ
ラスが提案されている。しかし、この提案は、製造上の
問題、コスト及びガラス基板の平坦度の観点から実用的
ではない。また、特開昭６１−５４０１８号では特定の
Ｎｉ−Ｐ無電解メッキ浴にて内部ひずみの小さいＮｉ−
Ｐメッキ膜をガラス基板の上に設けることが提案されて
いる。しかし、この場合も高々２００〜３００Åの膜厚
が密着性よく形成されているだけであり、アルカリ成分
の溶出を防止するためには、膜厚が不十分である。
例えば、特開昭４８−９４４０３号、特開昭４９−１２
２７０７号でガラス基板に金属粉を混ぜたりした特殊ガ
ラスが提案されている。しかし、この提案は、製造上の
問題、コスト及びガラス基板の平坦度の観点から実用的
ではない。また、特開昭６１−５４０１８号では特定の
Ｎｉ−Ｐ無電解メッキ浴にて内部ひずみの小さいＮｉ−
Ｐメッキ膜をガラス基板の上に設けることが提案されて
いる。しかし、この場合も高々２００〜３００Åの膜厚
が密着性よく形成されているだけであり、アルカリ成分
の溶出を防止するためには、膜厚が不十分である。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、所定の膜厚の
無電解メッキ層を密着性よくしかも安価に実用的な方法
で形成しアルカリ成分の溶出による腐食問題を解決し耐
候性を改善した、ガラス基板を用いた磁気記録媒体及び
その製造方法を提供することを目的とする。
無電解メッキ層を密着性よくしかも安価に実用的な方法
で形成しアルカリ成分の溶出による腐食問題を解決し耐
候性を改善した、ガラス基板を用いた磁気記録媒体及び
その製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】即ち、本発明の要旨は、無電解メッキ法に
より厚さ１０００Å以上の無電解メッキ層を積層したガ
ラス基板の上に、磁性層を設けたことを特徴とする磁気
記録媒体、及び、中心線平均粗さＲａ１０Å以下で最大
高さＲｍａｘ１５０Å以下の表面粗さのガラス基板に、
初めに無電解メッキ法により厚さ３００Å以下の無電解
メッキ層を設けた後に１５０〜４００℃の温度で熱処理
を施し、更にその上に無電解メッキ法により無電解メッ
キ層を形成した後、１５０〜４００℃の温度で熱処理を
施すことによって総厚み１０００Å以上の無電解メッキ
層を設けたガラス基板の上に、磁性層を設けることを特
徴とする磁気記録媒体の製造法、に存する。
より厚さ１０００Å以上の無電解メッキ層を積層したガ
ラス基板の上に、磁性層を設けたことを特徴とする磁気
記録媒体、及び、中心線平均粗さＲａ１０Å以下で最大
高さＲｍａｘ１５０Å以下の表面粗さのガラス基板に、
初めに無電解メッキ法により厚さ３００Å以下の無電解
メッキ層を設けた後に１５０〜４００℃の温度で熱処理
を施し、更にその上に無電解メッキ法により無電解メッ
キ層を形成した後、１５０〜４００℃の温度で熱処理を
施すことによって総厚み１０００Å以上の無電解メッキ
層を設けたガラス基板の上に、磁性層を設けることを特
徴とする磁気記録媒体の製造法、に存する。
【００１１】以下に本発明について更に詳細に説明する
。本発明の磁気記録媒体は、無電解メッキ法により厚さ
１０００Å以上の無電解メッキ層を設けたガラス基板の
上に、磁性層を設けたことを特徴とする。
。本発明の磁気記録媒体は、無電解メッキ法により厚さ
１０００Å以上の無電解メッキ層を設けたガラス基板の
上に、磁性層を設けたことを特徴とする。
【００１２】本発明の磁気記録媒体は、例えば、中心線
平均粗さＲａ１０Å以下で最大高さＲｍａｘ１５０Å以
下の表面粗さのガラス基板に、初めに無電解メッキ法に
より厚さ３００Å以下の無電解メッキ層を設けた後に１
５０〜４００℃の温度で熱処理を施し、更にその上に無
電解メッキ法により無電解メッキ層を形成した後１５０
〜４００℃の温度で熱処理を施すことによって総厚み１
０００Å以上の無電解メッキ層を設けたガラス基板の上
に磁性層を設けることにより得ることができる。
平均粗さＲａ１０Å以下で最大高さＲｍａｘ１５０Å以
下の表面粗さのガラス基板に、初めに無電解メッキ法に
より厚さ３００Å以下の無電解メッキ層を設けた後に１
５０〜４００℃の温度で熱処理を施し、更にその上に無
電解メッキ法により無電解メッキ層を形成した後１５０
〜４００℃の温度で熱処理を施すことによって総厚み１
０００Å以上の無電解メッキ層を設けたガラス基板の上
に磁性層を設けることにより得ることができる。
【００１３】ガラス基板の種類としては、特に制限はな
いが通常のソーダライムガラス、アルミノシリケートガ
ラス、また、結晶化ガラスとしてリチウム系ガラス（例
えば日本電気硝子社製「ＭＬ−５」）等を用いることが
できる。通常はコストの面から化学強化した安価なソー
ダライムガラス、アルミノシリケートガラスを鏡面研磨
して用いる。
いが通常のソーダライムガラス、アルミノシリケートガ
ラス、また、結晶化ガラスとしてリチウム系ガラス（例
えば日本電気硝子社製「ＭＬ−５」）等を用いることが
できる。通常はコストの面から化学強化した安価なソー
ダライムガラス、アルミノシリケートガラスを鏡面研磨
して用いる。
【００１４】鏡面研磨したガラス基板の表面粗さは、接
触式粗さ計の測定で中心線平均粗さＲａ１０Å以下、最
大高さＲｍａｘ１５０Å以下に仕上げられているものが
好ましい。本発明の磁気記録媒体は上記したようなガラ
ス基板を用いて例えば次のようにして作製される。
触式粗さ計の測定で中心線平均粗さＲａ１０Å以下、最
大高さＲｍａｘ１５０Å以下に仕上げられているものが
好ましい。本発明の磁気記録媒体は上記したようなガラ
ス基板を用いて例えば次のようにして作製される。
【００１５】上記したガラス基板を通常の中性洗剤脱脂
を行い、次に常法のＳｎＣｌ２ 浴、ＰｄＣｌ２ 浴に
て活性化処理を行なった後で、通常の無電解メッキ浴に
て厚さ３００Å以下の第一層目の無電解メッキ膜を形成
後、クリーンな乾燥器にて１５０〜４００℃の温度にて
熱処理を行う。
を行い、次に常法のＳｎＣｌ２ 浴、ＰｄＣｌ２ 浴に
て活性化処理を行なった後で、通常の無電解メッキ浴に
て厚さ３００Å以下の第一層目の無電解メッキ膜を形成
後、クリーンな乾燥器にて１５０〜４００℃の温度にて
熱処理を行う。
【００１６】この熱処理後再度、中性洗剤脱脂を行った
後、無電解メッキ浴にて第二層目の無電解メッキ膜を総
膜厚み１０００Å以上の膜厚まで形成し、また１５０〜
４００℃の温度にて熱処理を行う。なお、上記第二層目
の無電解メッキ膜の形成においては、これを中断して上
記した１５０〜４００℃での熱処理を適宜行なってもよ
い。
後、無電解メッキ浴にて第二層目の無電解メッキ膜を総
膜厚み１０００Å以上の膜厚まで形成し、また１５０〜
４００℃の温度にて熱処理を行う。なお、上記第二層目
の無電解メッキ膜の形成においては、これを中断して上
記した１５０〜４００℃での熱処理を適宜行なってもよ
い。
【００１７】無電解メッキは従来のアルミニウム基板と
同様な非磁性のＮｉ−Ｐメッキでも良いし、銅メッキで
もよい。また、各メッキ層の種類を変えてもよい。但し
、非磁性膜がよい。一層目の膜厚が３００Åを越えると
メッキ途中や水洗中に部分的に膜▲剥▼離が生じてくる
。一層目の膜厚は約２００〜３００Åとすることが好ま
しい。総メッキ膜厚としては耐候性上１０００Å以上が
必要である。膜厚の上限は特にないが１μｍ以下が密着
性の点から好ましい。中でも１５００Å以上５０００Å
以下がより好ましい。
同様な非磁性のＮｉ−Ｐメッキでも良いし、銅メッキで
もよい。また、各メッキ層の種類を変えてもよい。但し
、非磁性膜がよい。一層目の膜厚が３００Åを越えると
メッキ途中や水洗中に部分的に膜▲剥▼離が生じてくる
。一層目の膜厚は約２００〜３００Åとすることが好ま
しい。総メッキ膜厚としては耐候性上１０００Å以上が
必要である。膜厚の上限は特にないが１μｍ以下が密着
性の点から好ましい。中でも１５００Å以上５０００Å
以下がより好ましい。
【００１８】熱処理温度は１５０〜４００℃、好ましく
は１５０〜３００℃の範囲である。１５０℃未満では効
果が少なく、４００℃を越えると化学強化層のカリウム
イオンの拡散が生じて強度低下が起こる。熱処理時間は
３０分以上、中でも３０〜６０分が好ましい。なお、無
電解メッキは例えばディスク内周等でディスクを保持し
、回転させながら無電解メッキ浴に浸漬させること等に
よって全面に均一に無電解メッキ膜が形成されるように
するのが好ましい。
は１５０〜３００℃の範囲である。１５０℃未満では効
果が少なく、４００℃を越えると化学強化層のカリウム
イオンの拡散が生じて強度低下が起こる。熱処理時間は
３０分以上、中でも３０〜６０分が好ましい。なお、無
電解メッキは例えばディスク内周等でディスクを保持し
、回転させながら無電解メッキ浴に浸漬させること等に
よって全面に均一に無電解メッキ膜が形成されるように
するのが好ましい。
【００１９】このようにして１０００Å以上の無電解メ
ッキ層を設けたガラス基板を、スパッタ装置に入れ、必
要に応じて下引き層をスパッタ成膜した後磁性層を設け
る。また、磁性層の上に、更に必要に応じて、保護層及
び／又は潤滑層を設けることができる。スパッタ成膜さ
れる下引き層はＣｒ層、Ｔｉ層等で、磁性層の磁気特性
を良好にするために用いる。
ッキ層を設けたガラス基板を、スパッタ装置に入れ、必
要に応じて下引き層をスパッタ成膜した後磁性層を設け
る。また、磁性層の上に、更に必要に応じて、保護層及
び／又は潤滑層を設けることができる。スパッタ成膜さ
れる下引き層はＣｒ層、Ｔｉ層等で、磁性層の磁気特性
を良好にするために用いる。
【００２０】下引き層の膜厚は通常、５００〜３０００
Å程度とする。磁性層組成としてはスパッタ法によるＣ
ｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｘ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｘ、Ｃｏ−Ｗ
−Ｘ等で表わされるＣｏを主成分とするＣｏ系合金磁性
膜が使用できる。ここでＸとしてはＬｉ、Ｓｉ、Ｂ、Ｃ
ａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｓ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍ
ｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｓｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、
Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐ
ｍ、Ｓｍ及びＥｕよりなる群から選ばれる１種又は２種
以上の元素が用いられる。磁性層の膜厚は通常３００〜
１０００Å程度である。
Å程度とする。磁性層組成としてはスパッタ法によるＣ
ｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｘ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｘ、Ｃｏ−Ｗ
−Ｘ等で表わされるＣｏを主成分とするＣｏ系合金磁性
膜が使用できる。ここでＸとしてはＬｉ、Ｓｉ、Ｂ、Ｃ
ａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｓ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍ
ｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｓｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、
Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐ
ｍ、Ｓｍ及びＥｕよりなる群から選ばれる１種又は２種
以上の元素が用いられる。磁性層の膜厚は通常３００〜
１０００Å程度である。
【００２１】保護膜としてはスパッタ法による炭素質膜
、ジルコニア膜等や有機シリコン膜の塗布でもよい。 潤滑層としては弗素系のパーフロロポリエーテル等の液
体潤滑膜や脂肪酸などの固体潤滑膜が用いられる。
、ジルコニア膜等や有機シリコン膜の塗布でもよい。 潤滑層としては弗素系のパーフロロポリエーテル等の液
体潤滑膜や脂肪酸などの固体潤滑膜が用いられる。
【００２２】なお、ガラス基板そのままにスパッタ成膜
で下引き層、磁性膜を成膜すると、ガラス基板の水分の
影響で磁気特性が低下し、保磁力が小さくなることが、
Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．６７（９），１，１９９０，
Ｐ．４７０１等で報告されているが、本発明の磁気記録
媒体によれば、無電解メッキ層の積層によりガラス基板
の水分の影響が防止でき、保磁力の低下が防止できる。 また、ガラス基板に導電性の無電解メッキ膜を形成する
ことにより、従来のＮｉ−Ｐ無電解メッキ層を被覆した
アルミニウム基板とほぼ同様な電気抵抗となることから
、通常のスパッタ条件での成膜だけでなく、基板に負の
バイアス電位を印加する基板バイアス法によるスパッタ
成膜が可能となり、負のバイアス電位を印加した状態で
スパッタ法により下引きＣｒ層及び／又は磁性層が成膜
でき、高保磁力を得ることが可能になる。
で下引き層、磁性膜を成膜すると、ガラス基板の水分の
影響で磁気特性が低下し、保磁力が小さくなることが、
Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．６７（９），１，１９９０，
Ｐ．４７０１等で報告されているが、本発明の磁気記録
媒体によれば、無電解メッキ層の積層によりガラス基板
の水分の影響が防止でき、保磁力の低下が防止できる。 また、ガラス基板に導電性の無電解メッキ膜を形成する
ことにより、従来のＮｉ−Ｐ無電解メッキ層を被覆した
アルミニウム基板とほぼ同様な電気抵抗となることから
、通常のスパッタ条件での成膜だけでなく、基板に負の
バイアス電位を印加する基板バイアス法によるスパッタ
成膜が可能となり、負のバイアス電位を印加した状態で
スパッタ法により下引きＣｒ層及び／又は磁性層が成膜
でき、高保磁力を得ることが可能になる。
【００２３】また、ガラス基板として鏡面研磨した基板
でなく、例えば化学エッチングあるいは結晶化処理等に
より基板表面を粗くした場合は、無電解メッキ層の密着
性が向上することから一段目の無電解メッキにより、１
０００Å以上の膜厚が得られる。また、これに上記した
熱処理を施すことにより密着性を更に向上させることが
できる。
でなく、例えば化学エッチングあるいは結晶化処理等に
より基板表面を粗くした場合は、無電解メッキ層の密着
性が向上することから一段目の無電解メッキにより、１
０００Å以上の膜厚が得られる。また、これに上記した
熱処理を施すことにより密着性を更に向上させることが
できる。
【００２４】
【実施例】以下に実施例により本発明をより具体的に説
明するが、本発明は、その要旨を越えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。
明するが、本発明は、その要旨を越えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。
【００２５】実施例１
化学強化した後、その表面を中心線平均粗さＲａ８Å、
最大高さＲｍａｘ１００Åに鏡面加工した、外径９５φ
ｍｍ、内径２５φｍｍ、板厚１．２７ｍｍのソーダライ
ムガラス基板を、中性洗剤で脱脂、イオン交換水で水洗
後、０．３ｇ／ｌのＳｎＣｌ２ 水溶液（浴温５０℃）
に１分浸漬し、水洗後、０．１ｇ／ｌのＰｄＣｌ２ 水
溶液（浴温５０℃）に１分浸漬し活性化処理を行い水洗
後、市販の無電解Ｎｉ−Ｐメッキ浴（メルテックス（株
）、エンプレートＮＩ−４８２８）にて、ｐＨ４．５、
浴温７７℃で無電解Ｎｉ−Ｐメッキ膜を３００Å形成し
た（第一段無電解メッキ）。水洗後、クリーン乾燥器で
２００℃、１時間熱処理を実施した。その後、再び中性
洗剤で脱脂を行い、イオン交換水で水洗後、再度上記無
電解Ｎｉ−Ｐメッキ浴に浸漬し、総膜厚１５００Åの無
電解Ｎｉ−Ｐメッキ膜を形成した（第二段無電解メッキ
）。水洗後、クリーン乾燥器で２００℃、１時間熱処理
を実施した。無電解メッキ処理は基板を回転しながら行
い、基板全面にメッキ皮膜が形成されるようにした。
最大高さＲｍａｘ１００Åに鏡面加工した、外径９５φ
ｍｍ、内径２５φｍｍ、板厚１．２７ｍｍのソーダライ
ムガラス基板を、中性洗剤で脱脂、イオン交換水で水洗
後、０．３ｇ／ｌのＳｎＣｌ２ 水溶液（浴温５０℃）
に１分浸漬し、水洗後、０．１ｇ／ｌのＰｄＣｌ２ 水
溶液（浴温５０℃）に１分浸漬し活性化処理を行い水洗
後、市販の無電解Ｎｉ−Ｐメッキ浴（メルテックス（株
）、エンプレートＮＩ−４８２８）にて、ｐＨ４．５、
浴温７７℃で無電解Ｎｉ−Ｐメッキ膜を３００Å形成し
た（第一段無電解メッキ）。水洗後、クリーン乾燥器で
２００℃、１時間熱処理を実施した。その後、再び中性
洗剤で脱脂を行い、イオン交換水で水洗後、再度上記無
電解Ｎｉ−Ｐメッキ浴に浸漬し、総膜厚１５００Åの無
電解Ｎｉ−Ｐメッキ膜を形成した（第二段無電解メッキ
）。水洗後、クリーン乾燥器で２００℃、１時間熱処理
を実施した。無電解メッキ処理は基板を回転しながら行
い、基板全面にメッキ皮膜が形成されるようにした。
【００２６】この基板をＤＣマグネトロンスパッタ装置
に装入し、１×１０−６Ｔｏｒｒまで真空排気した後、
基板温度を２００℃まで昇温し、アルゴン分圧５×１０
−３Ｔｏｒｒにて、Ｃｒ下引き層を１７００Å、ＣｏＮ
ｉ３０Ｃｒ７ ａｔ％の磁性層を６００Å、カーボン保
護層を３００Åスパッタ法にて連続して成膜し磁気記録
媒体を作製した。
に装入し、１×１０−６Ｔｏｒｒまで真空排気した後、
基板温度を２００℃まで昇温し、アルゴン分圧５×１０
−３Ｔｏｒｒにて、Ｃｒ下引き層を１７００Å、ＣｏＮ
ｉ３０Ｃｒ７ ａｔ％の磁性層を６００Å、カーボン保
護層を３００Åスパッタ法にて連続して成膜し磁気記録
媒体を作製した。
【００２７】該磁気記録媒体の保磁力を試料振動式磁力
計（ＶＳＭ）にて測定したところ１１００Ｏｅであった
。得られた磁気記録媒体をクリーンな恒温恒湿槽に入れ
、８５℃、相対湿度８０％で５０４時間保持する耐候性
テストを実施したところ、何等変化が認められなかった
。
計（ＶＳＭ）にて測定したところ１１００Ｏｅであった
。得られた磁気記録媒体をクリーンな恒温恒湿槽に入れ
、８５℃、相対湿度８０％で５０４時間保持する耐候性
テストを実施したところ、何等変化が認められなかった
。
【００２８】また、得られた磁気記録媒体に剃刀で切り
入みを入れ当該箇所にセロテープを貼着し、はがすこと
で、メッキ膜の▲剥▼離の有無を調べるメッキ膜の密着
性テストを行なったところ、メッキ膜の▲剥▼離は見ら
れなかった。
入みを入れ当該箇所にセロテープを貼着し、はがすこと
で、メッキ膜の▲剥▼離の有無を調べるメッキ膜の密着
性テストを行なったところ、メッキ膜の▲剥▼離は見ら
れなかった。
【００２９】比較例１
実施例１におけるのと同様な基板を、活性化処理、無電
解メッキ処理、熱処理を実施することなく脱脂、水洗後
、直ちに実施例１におけるのと同様にスパッタ装置でＣ
ｒ下引き層、磁性層及びカーボン保護層を成膜し、磁気
記録媒体を作製した。
解メッキ処理、熱処理を実施することなく脱脂、水洗後
、直ちに実施例１におけるのと同様にスパッタ装置でＣ
ｒ下引き層、磁性層及びカーボン保護層を成膜し、磁気
記録媒体を作製した。
【００３０】得られた磁気記録媒体の保磁力を試料振動
式磁力計（ＶＳＭ）にて測定したところ、８００Ｏｅで
あった。また、得られた磁気記録媒体を実施例１におけ
るのと同様に耐候性テストを行なったところ、磁気記録
媒体の内外周縁全周に約幅１．５ｍｍの腐食による変色
が認められた。
式磁力計（ＶＳＭ）にて測定したところ、８００Ｏｅで
あった。また、得られた磁気記録媒体を実施例１におけ
るのと同様に耐候性テストを行なったところ、磁気記録
媒体の内外周縁全周に約幅１．５ｍｍの腐食による変色
が認められた。
【００３１】比較例２
実施例１において、第二段無電解メッキにおいて、無電
解Ｎｉ−Ｐメッキの総膜厚を８００Åとした以外は、同
様にした。耐候性テストの結果、磁気記録媒体の内外周
縁全周に約幅０．５ｍｍの腐食による変色が認められた
。
解Ｎｉ−Ｐメッキの総膜厚を８００Åとした以外は、同
様にした。耐候性テストの結果、磁気記録媒体の内外周
縁全周に約幅０．５ｍｍの腐食による変色が認められた
。
【００３２】比較例３
実施例１において、第一段無電解メッキ後、熱処理する
ことなく連続して第二段無電解メッキを行なった。水洗
したところ、無電解メッキ膜がガラス基板より▲剥▼離
した。
ことなく連続して第二段無電解メッキを行なった。水洗
したところ、無電解メッキ膜がガラス基板より▲剥▼離
した。
【００３３】比較例４
実施例１において、第二段無電解メッキ後に熱処理をし
なかった以外は同様にして磁気記録媒体を作製した。得
られた磁気記録媒体について、実施例１におけるのと同
様の密着性テストを行なったところ、無電解Ｎｉ−Ｐメ
ッキ膜が▲剥▼離した。
なかった以外は同様にして磁気記録媒体を作製した。得
られた磁気記録媒体について、実施例１におけるのと同
様の密着性テストを行なったところ、無電解Ｎｉ−Ｐメ
ッキ膜が▲剥▼離した。
【００３４】実施例２
第二段無電解メッキのメッキ浴を銅メッキ浴（奥野製薬
（株）、ＯＰＣ−７５０）とし、浴温度２３℃、ｐＨ１
２．９で無電解銅メッキ膜を形成し、総膜厚２０００Å
とし、続く熱処理を３００℃、１時間の熱処理とした以
外は実施例１と同様にした。密着性テストで▲剥▼離は
なく、また耐候性テストでも腐食が認められなかった。
（株）、ＯＰＣ−７５０）とし、浴温度２３℃、ｐＨ１
２．９で無電解銅メッキ膜を形成し、総膜厚２０００Å
とし、続く熱処理を３００℃、１時間の熱処理とした以
外は実施例１と同様にした。密着性テストで▲剥▼離は
なく、また耐候性テストでも腐食が認められなかった。
【００３５】実施例３
Ｃｒ下引き層及び磁性層のスパッタ成膜をスパッタ装置
の基板ホルダーに−２００Ｖの負の電位を印加しながら
、行なった以外は、実施例１と同様にして磁気記録媒体
を作製した。この磁気記録媒体の保磁力を、試料振動式
磁力計ＶＳＭにて測定したところ１４００Ｏｅ（エルス
テッド）あった。密着性テストで▲剥▼離はなく、耐候
性テストでも腐食は認められなかった。
の基板ホルダーに−２００Ｖの負の電位を印加しながら
、行なった以外は、実施例１と同様にして磁気記録媒体
を作製した。この磁気記録媒体の保磁力を、試料振動式
磁力計ＶＳＭにて測定したところ１４００Ｏｅ（エルス
テッド）あった。密着性テストで▲剥▼離はなく、耐候
性テストでも腐食は認められなかった。
【００３６】比較例５
比較例１において、実施例３におけるのと同様にしてＣ
ｒ下引き層、磁性層及びカーボン保護層のスパッタ成膜
を行って磁気記録媒体を作製した。得られた磁気記録媒
体について実施例１におけるのと同様の保磁力の測定を
行なったところ、８００Ｏｅであった。
ｒ下引き層、磁性層及びカーボン保護層のスパッタ成膜
を行って磁気記録媒体を作製した。得られた磁気記録媒
体について実施例１におけるのと同様の保磁力の測定を
行なったところ、８００Ｏｅであった。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、ガラス基板からのアル
カリ分の溶出及び水分の影響を防止でき、更にガラス基
板に導電性を付与することができることから、耐候性に
優れ、かつ、磁気特性が良好な、ガラス基板を用いた磁
気記録媒体が得られる。また、アルカリ成分の溶出量の
すくない特殊組成のガラスを使用せず、安価にガラス基
板を用いた磁気記録媒体が得られる。
カリ分の溶出及び水分の影響を防止でき、更にガラス基
板に導電性を付与することができることから、耐候性に
優れ、かつ、磁気特性が良好な、ガラス基板を用いた磁
気記録媒体が得られる。また、アルカリ成分の溶出量の
すくない特殊組成のガラスを使用せず、安価にガラス基
板を用いた磁気記録媒体が得られる。
Claims (2)
- 【請求項１】 無電解メッキ法により厚さ１０００Å
以上の無電解メッキ層を積層したガラス基板の上に、磁
性層を設けたことを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 中心線平均粗さＲａ１０Å以下で最大
高さＲｍａｘ１５０Å以下の表面粗さのガラス基板に、
初めに無電解メッキ法により厚さ３００Å以下の無電解
メッキ層を設けた後に１５０〜４００℃の温度で熱処理
を施し、更にその上に無電解メッキ法により無電解メッ
キ層を形成した後、１５０〜４００℃の温度で熱処理を
施すことによって総厚み１０００Å以上の無電解メッキ
層を設けたガラス基板の上に、磁性層を設けることを特
徴とする磁気記録媒体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5703091A JPH04291018A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 磁気記録媒体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5703091A JPH04291018A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 磁気記録媒体の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04291018A true JPH04291018A (ja) | 1992-10-15 |
Family
ID=13044045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5703091A Pending JPH04291018A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 磁気記録媒体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04291018A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6378338B1 (en) * | 1998-08-31 | 2002-04-30 | Showa Denko K.K. | Method for producing magnetic disk substrates |
| WO2012046712A1 (ja) * | 2010-10-07 | 2012-04-12 | 東洋鋼鈑株式会社 | ハードディスク用基板の製造方法及びハードディスク用基板 |
-
1991
- 1991-03-20 JP JP5703091A patent/JPH04291018A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6378338B1 (en) * | 1998-08-31 | 2002-04-30 | Showa Denko K.K. | Method for producing magnetic disk substrates |
| WO2012046712A1 (ja) * | 2010-10-07 | 2012-04-12 | 東洋鋼鈑株式会社 | ハードディスク用基板の製造方法及びハードディスク用基板 |
| US8940419B2 (en) | 2010-10-07 | 2015-01-27 | Toyo Kohan Co., Ltd. | Method for production of hard disk substrate and hard disk substrate |
| JP5705230B2 (ja) * | 2010-10-07 | 2015-04-22 | 東洋鋼鈑株式会社 | ハードディスク用基板の製造方法及びハードディスク用基板 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6120890A (en) | Magnetic thin film medium comprising amorphous sealing layer for reduced lithium migration | |
| US5405646A (en) | Method of manufacture thin film magnetic disk | |
| US5091225A (en) | Magnetic disc member and process for manufacturing the same | |
| JP4479493B2 (ja) | ガラス基板へのめっき方法及びそれを用いた磁気記録媒体の製造方法 | |
| US3953654A (en) | Temperature-stable non-magnetic alloy | |
| US3321328A (en) | Coating of aluminum substrates with a magnetic material | |
| JPH04291018A (ja) | 磁気記録媒体の製造法 | |
| US4042382A (en) | Temperature-stable non-magnetic alloy | |
| US3595630A (en) | Magnetic storage medium | |
| JPH04295614A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| US3970433A (en) | Recording surface substrate | |
| JP2819839B2 (ja) | 磁気ディスク用基板およびそれを用いた磁気記録媒体 | |
| JP2811167B2 (ja) | 磁気ディスク用基板 | |
| JPH04255908A (ja) | 磁気ディスク用基板 | |
| JP2615804B2 (ja) | 磁気記録体の製造方法 | |
| JPH05314471A (ja) | 磁気記録媒体用基板およびその製造方法ならびに磁気記録媒体 | |
| JPH11161933A (ja) | メッキ処理基板、磁気記録媒体およびこれらの製造方法 | |
| JP3310563B2 (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH038119A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| KR920001571B1 (ko) | 자기원판 및 그 제조방법 | |
| JPH0310085A (ja) | 基板の表面処理方法 | |
| JPS61202323A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS61137220A (ja) | 磁気記憶体及びその製造方法 | |
| JPH11343577A (ja) | Ｎｉ系メッキ基板 | |
| JPH11154319A (ja) | 磁気記録媒体用基板、磁気記録媒体及びその製造方法 |