JPH11344506A - 半導体加速度センサ - Google Patents
半導体加速度センサInfo
- Publication number
- JPH11344506A JPH11344506A JP10154071A JP15407198A JPH11344506A JP H11344506 A JPH11344506 A JP H11344506A JP 10154071 A JP10154071 A JP 10154071A JP 15407198 A JP15407198 A JP 15407198A JP H11344506 A JPH11344506 A JP H11344506A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diaphragm
- base substrate
- adhesive
- acceleration sensor
- spherical particles
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造工数を縮減し、原価低減を図る。
【解決手段】 半導体加速度センサはベース基板１とダ
イアフラム２の各内面の周辺部同士が接着剤で固着さ
れ、各内面の電極１ｂ，２ａ間に所定寸法のギャップ４
が形成される。この発明では特に、ベース基板１の電極
１ｂを形成する内面が平坦とされると共に接着剤６とし
て均一な径の球状粒子５を混合した接着剤が用いられ
る。球状粒子５がスペーサとなってベース基板１とダイ
アフラム２との間に一定の間隔を保持することができ
る。球状粒子５としてエポキシ樹脂またはガラス製のビ
ーズを、また接着剤６としてエポキシ樹脂系接着剤を用
いることができる。
イアフラム２の各内面の周辺部同士が接着剤で固着さ
れ、各内面の電極１ｂ，２ａ間に所定寸法のギャップ４
が形成される。この発明では特に、ベース基板１の電極
１ｂを形成する内面が平坦とされると共に接着剤６とし
て均一な径の球状粒子５を混合した接着剤が用いられ
る。球状粒子５がスペーサとなってベース基板１とダイ
アフラム２との間に一定の間隔を保持することができ
る。球状粒子５としてエポキシ樹脂またはガラス製のビ
ーズを、また接着剤６としてエポキシ樹脂系接着剤を用
いることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体加速度セン
サに関し、特に製造工数の縮減に係わる。
サに関し、特に製造工数の縮減に係わる。
【０００２】
【従来の技術】この種の半導体加速度センサは図２に示
すように、ベース基板１と、ダイアフラム２と質量部３
とで構成される。ベース基板１は、例えば厚さ２mmのパ
イレクスガラスのような絶縁基板が用いられ、その内面
の中央部に、例えば深さ５μmの方形状の溝１ａが形成
され、その溝１ａの底面に例えば厚さ約0.５μm の電極
１ｂがスパッタリング、蒸着などにより形成される。
すように、ベース基板１と、ダイアフラム２と質量部３
とで構成される。ベース基板１は、例えば厚さ２mmのパ
イレクスガラスのような絶縁基板が用いられ、その内面
の中央部に、例えば深さ５μmの方形状の溝１ａが形成
され、その溝１ａの底面に例えば厚さ約0.５μm の電極
１ｂがスパッタリング、蒸着などにより形成される。
【０００３】ダイアフラム２には、例えば厚さ４００μ
m のシリコンのような半導体基板が用いられ、その内面
の中央部に、ベース基板の電極１ｂと対向する、例えば
厚さ約0.５μm の電極２ａが同様の方法で形成され、外
面の中央部に例えば深さ３８０μm のロ字状の溝２ｂが
形成される。この溝２ｂの外側、底面側及び内側がそれ
ぞれ枠部２ｃ，薄肉部２ｄ及び島状部２ｅとされてい
る。溝２ｂの深さをほぼ３８０μm とした場合、薄肉部
２ｄの厚さはほぼ２０μm となる。
m のシリコンのような半導体基板が用いられ、その内面
の中央部に、ベース基板の電極１ｂと対向する、例えば
厚さ約0.５μm の電極２ａが同様の方法で形成され、外
面の中央部に例えば深さ３８０μm のロ字状の溝２ｂが
形成される。この溝２ｂの外側、底面側及び内側がそれ
ぞれ枠部２ｃ，薄肉部２ｄ及び島状部２ｅとされてい
る。溝２ｂの深さをほぼ３８０μm とした場合、薄肉部
２ｄの厚さはほぼ２０μm となる。
【０００４】ダイアフラムの外面の島状部２ｅに例えば
パイレクスガラス製の質量部３が陽極接合などにより固
着される。ベース基板１とダイアフラム２とは互いに近
接対向して配され、各々の周辺部同士が例えば陽極接合
または接着剤により固着され、各々の電極１ｂ，２ａ間
に所定寸法（例えばほぼ４μm ）のギャップ４が形成さ
れる。
パイレクスガラス製の質量部３が陽極接合などにより固
着される。ベース基板１とダイアフラム２とは互いに近
接対向して配され、各々の周辺部同士が例えば陽極接合
または接着剤により固着され、各々の電極１ｂ，２ａ間
に所定寸法（例えばほぼ４μm ）のギャップ４が形成さ
れる。
【０００５】この加速度センサに上下方向の加速度が入
力すると、島状部２ｅ及び質量部３に慣性力が加わり、
薄肉部２ｄと共に上下方向に変位する。その結果、ギャ
ップ４の寸法が変化し、電極間の静電容量が変化する。
この静電容量の変化を検出することにより入力加速度を
検出する。
力すると、島状部２ｅ及び質量部３に慣性力が加わり、
薄肉部２ｄと共に上下方向に変位する。その結果、ギャ
ップ４の寸法が変化し、電極間の静電容量が変化する。
この静電容量の変化を検出することにより入力加速度を
検出する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】近年、加速度センサの
需要が次第に拡大されて来たのに伴って、価格は低下の
傾向にある。メーカにとってセンサの性能もさることな
がら、価格が以前にも増して重要なセールスポイントに
なっている。この発明は、このような事情に鑑みて為さ
れたものであり、目的とするところは製造工数を縮減し
て原価低減を図ることにある。
需要が次第に拡大されて来たのに伴って、価格は低下の
傾向にある。メーカにとってセンサの性能もさることな
がら、価格が以前にも増して重要なセールスポイントに
なっている。この発明は、このような事情に鑑みて為さ
れたものであり、目的とするところは製造工数を縮減し
て原価低減を図ることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】（１）請求項１の発明
は、絶縁基板の内面の中央部に電極が形成されて成るベ
ース基板と、半導体基板の平坦な内面の中央部に、ベー
ス基板の電極と対向する電極が形成され、その半導体基
板の外面の中央部にロ字状の溝が形成され、その溝の外
側、底面側及び内側がそれぞれ枠部、薄肉部及び島状部
とされているダイアフラムと、そのダイアフラムの外面
の島状部に固着される質量部とを備え、ベース基板とダ
イアフラムとは、互いに近接対向して配され、各々の電
極間に所定寸法のギャップが形成されている半導体加速
度センサに関する。
は、絶縁基板の内面の中央部に電極が形成されて成るベ
ース基板と、半導体基板の平坦な内面の中央部に、ベー
ス基板の電極と対向する電極が形成され、その半導体基
板の外面の中央部にロ字状の溝が形成され、その溝の外
側、底面側及び内側がそれぞれ枠部、薄肉部及び島状部
とされているダイアフラムと、そのダイアフラムの外面
の島状部に固着される質量部とを備え、ベース基板とダ
イアフラムとは、互いに近接対向して配され、各々の電
極間に所定寸法のギャップが形成されている半導体加速
度センサに関する。
【０００８】この発明では特に、ベース基板の電極を形
成する内面は平坦とされ、その内面の周辺部と、ダイア
フラムの内面の周辺部とが、均一な径の球状粒子を混合
した接着剤により接合される。 （２）請求項２の発明では、球状粒子がエポキシ樹脂ま
たはガラスより成る。 （３）請求項３の発明では、接着剤がエポキシ樹脂系接
着剤とされる。
成する内面は平坦とされ、その内面の周辺部と、ダイア
フラムの内面の周辺部とが、均一な径の球状粒子を混合
した接着剤により接合される。 （２）請求項２の発明では、球状粒子がエポキシ樹脂ま
たはガラスより成る。 （３）請求項３の発明では、接着剤がエポキシ樹脂系接
着剤とされる。
【０００９】（４）請求項４の発明では、ベース基板が
パイレクスガラスより成り、ダイアフラムがシリコンよ
り成る。
パイレクスガラスより成り、ダイアフラムがシリコンよ
り成る。
【００１０】
【発明の実施の形態】この発明の実施例を図１に、図２
と対応する部分に同じ符号を付けて示し、重複説明を省
略する。この発明では、製造工数の縮減を図るため、製
作に比較的大きな工数を占めていたベース基板１の溝１
ａが削除される。その代わりに均一な径の球状粒子５を
混合した接着剤６を用いて、ベース基板１とダイアフラ
ム２の各内面の周辺部同士が接着される。球状粒子５と
して、例えば直径５μm の市販の安価なエポキシ樹脂ま
たはガラス製のビーズが、また接着剤６として安価で、
特性の安定した例えばエポキシ樹脂系接着剤が用いられ
る。
と対応する部分に同じ符号を付けて示し、重複説明を省
略する。この発明では、製造工数の縮減を図るため、製
作に比較的大きな工数を占めていたベース基板１の溝１
ａが削除される。その代わりに均一な径の球状粒子５を
混合した接着剤６を用いて、ベース基板１とダイアフラ
ム２の各内面の周辺部同士が接着される。球状粒子５と
して、例えば直径５μm の市販の安価なエポキシ樹脂ま
たはガラス製のビーズが、また接着剤６として安価で、
特性の安定した例えばエポキシ樹脂系接着剤が用いられ
る。
【００１１】このようにすると、球状粒子５がスペーサ
となり、ベース基板１とダイアフラム２の内面間に、球
状粒子の直径にほぼ等しい寸法の間隙が作られ、従って
電極１ｂと２ａとの間に所定寸法のギャップ４が形成さ
れる。この接着に要する工数は従来の陽極接合または接
着剤による接合とほとんど変わらない。なお、ベース基
板１及びダイアフラム２として従来と同様のパイレクス
ガラス及びシリコンをそれぞれ用いることができる。
となり、ベース基板１とダイアフラム２の内面間に、球
状粒子の直径にほぼ等しい寸法の間隙が作られ、従って
電極１ｂと２ａとの間に所定寸法のギャップ４が形成さ
れる。この接着に要する工数は従来の陽極接合または接
着剤による接合とほとんど変わらない。なお、ベース基
板１及びダイアフラム２として従来と同様のパイレクス
ガラス及びシリコンをそれぞれ用いることができる。
【００１２】
【発明の効果】この発明では、ベース基板１とダイアフ
ラム２の各内面の周辺部同士を、スペーサの機能を持つ
球状粒子５の入った接着剤６で接合し、電極１ｂ，２ａ
間に所定寸法のギャップを形成している。これにより従
来比較的大きな製造工数を占めていたベース基板の内面
に溝１ａを形成する工程が不要となり、その分原価低減
を達成できる。
ラム２の各内面の周辺部同士を、スペーサの機能を持つ
球状粒子５の入った接着剤６で接合し、電極１ｂ，２ａ
間に所定寸法のギャップを形成している。これにより従
来比較的大きな製造工数を占めていたベース基板の内面
に溝１ａを形成する工程が不要となり、その分原価低減
を達成できる。
【図１】この発明の実施例を示す図で、Ａは平面図、Ｂ
はＡのａ−ａ′断面図、Ｃは底面図、ＤはＢのｂ部拡大
図。
はＡのａ−ａ′断面図、Ｃは底面図、ＤはＢのｂ部拡大
図。
【図２】従来の加速度センサの断面図。
Claims (4)
- 【請求項１】 絶縁基板の内面の中央部に電極が形成さ
れて成るベース基板と、 半導体基板の平坦な内面の中央部に、前記ベース基板の
電極と対向する電極が形成され、その半導体基板の外面
の中央部にロ字状の溝が形成され、その溝の外側、底面
側及び内側がそれぞれ枠部、薄肉部及び島状部とされて
いるダイアフラムと、 そのダイアフラムの外面の前記島状部に固着される質量
部と、 を備え、前記ベース基板とダイアフラムとは、互いに近
接対向して配され、各々の前記電極間に所定寸法のギャ
ップが形成されている半導体加速度センサにおいて、 前記ベース基板の前記電極を形成する内面は平坦とさ
れ、その内面の周辺部と、前記ダイアフラムの内面の周
辺部とが、均一な径の球状粒子を混合した接着剤により
接合されていることを特徴とする半導体加速度センサ。 - 【請求項２】 請求項１において、前記球状粒子がエポ
キシ樹脂またはガラスより成ることを特徴とする半導体
加速度センサ。 - 【請求項３】 請求項１において、前記接着剤がエポキ
シ樹脂系接着剤であることを特徴とする半導体加速度セ
ンサ。 - 【請求項４】 請求項１において、前記ベース基板がパ
イレクスガラスより成り、前記ダイアフラムがシリコン
より成ることを特徴とする半導体加速度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10154071A JPH11344506A (ja) | 1998-06-03 | 1998-06-03 | 半導体加速度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10154071A JPH11344506A (ja) | 1998-06-03 | 1998-06-03 | 半導体加速度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11344506A true JPH11344506A (ja) | 1999-12-14 |
Family
ID=15576268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10154071A Pending JPH11344506A (ja) | 1998-06-03 | 1998-06-03 | 半導体加速度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11344506A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007069320A (ja) * | 2005-09-08 | 2007-03-22 | Sony Corp | 機能素子およびその製造方法 |
| WO2013051068A1 (ja) * | 2011-10-07 | 2013-04-11 | 株式会社日立製作所 | 慣性センサ |
| KR101323267B1 (ko) * | 2012-03-09 | 2013-10-30 | 주식회사 파워엠엔씨 | 스페이스를 함유한 접착제를 이용한 마그네틱 센 |
| CN107399909A (zh) * | 2017-09-06 | 2017-11-28 | 安徽凯盛基础材料科技有限公司 | 固相转换器用玻璃微球的制备方法 |
| CN107555766A (zh) * | 2017-09-06 | 2018-01-09 | 安徽凯盛基础材料科技有限公司 | 利用玻璃微珠制作固相转换器的方法 |
| CN109724721A (zh) * | 2019-01-21 | 2019-05-07 | 武汉大学 | 无引线封装的SiC高温压力传感器及其制造方法 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH05223845A (ja) * | 1991-11-12 | 1993-09-03 | Texas Instr Inc <Ti> | 加速度計 |
| JPH05288623A (ja) * | 1992-04-07 | 1993-11-02 | Nissan Motor Co Ltd | 静電容量式センサの製造方法 |
| JPH05333056A (ja) * | 1992-05-27 | 1993-12-17 | Hitachi Ltd | 加速度センサ |
| JPH06331652A (ja) * | 1993-05-27 | 1994-12-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体加速度センサー |
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| JPH10123166A (ja) * | 1996-08-09 | 1998-05-15 | Denso Corp | 半導体加速度センサ |
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-
1998
- 1998-06-03 JP JP10154071A patent/JPH11344506A/ja active Pending
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| CN107399909A (zh) * | 2017-09-06 | 2017-11-28 | 安徽凯盛基础材料科技有限公司 | 固相转换器用玻璃微球的制备方法 |
| CN107555766A (zh) * | 2017-09-06 | 2018-01-09 | 安徽凯盛基础材料科技有限公司 | 利用玻璃微珠制作固相转换器的方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020115 |